CN108022953A - 具有辅助电极的显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种具有辅助电极的显示装置，提供了一种能够通过使用辅助电极防止或减少由于电压降引起的亮度不均匀的显示装置。显示装置可以包括形成用于将辅助电极连接至发光结构的上电极的底切区的堤绝缘层。堤绝缘层可以包括与辅助电极交叠的第一堤穿透孔和与第一堤穿透孔间隔开的第二堤穿透孔。第二堤穿透孔可以与设置在辅助电极和堤绝缘层之间的下钝化层的下穿透孔交叠。下穿透孔可以与辅助电极交叠。

Description

具有辅助电极的显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年10月31日提交的韩国专利申请第10-2016-0143863号的优先权，通过引用将其如同在本文中完全阐述的那样并入本文。

技术领域

本公开内容涉及一种能够通过使用辅助电极防止或减少由于电压降引起的亮度不均匀的显示装置。

背景技术

诸如监视器、TV、笔记本电脑和数码相机的许多电子设备包括用于实现或显示图像的显示装置。例如，显示装置可以包括液晶显示装置或有机发光显示装置。

显示装置可以包括用于实现特定颜色的发光结构。例如，发光结构可以包括依次堆叠的下电极、发光层和上电极。

显示装置可以使用辅助电极以防止由于上电极的电阻引起的电压降和亮度不均匀。辅助电极可以与发光结构间隔开。例如，辅助电极可以设置在向发光结构提供数据信号的数据线外侧。辅助电极可以电连接至发光结构的上电极。

在显示装置中，可以使用各种结构来连接上电极和辅助电极。例如，在显示装置中，可以使用覆盖下电极的边缘的堤绝缘层在辅助电极上形成底切区，使得辅助电极的一部分可以通过发光层露出。因此，在显示装置中，通过与发光层相比具有更好的台阶覆盖的工艺形成的上电极可以电连接至辅助电极的没有沉积发光层的部分。

然而，由于由堤绝缘层形成的底切区(under-cut region)的垂直距离不大，所以在将上基板附接到形成有上电极的下基板的工艺中使用的粘合剂层可能没有充分流到底切区，使得在底切区中可能形成空隙。在显示装置中，形成在辅助电极和堤绝缘层之间的空隙可以看作屏幕上的斑点。因此，在显示装置中，空隙可能降低图像的质量。此外，在显示装置中，因为外部潮湿可能通过空隙渗透，所以由于一些薄膜晶体管的特性的降低而产生亮度不均匀。

发明内容

因此，本公开内容涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的具有辅助电极的显示装置。

在各种实施方式中，本公开内容提供了一种能够防止由于底切区中的粘合剂层而引起的空隙产生的显示装置。

在各种实施方式中，本公开内容提供了一种其中辅助电极和堤绝缘层之间的底切区可以由附接过程中所使用的粘合剂层完全填充的显示装置。

本公开内容的另外的优点、目的和特征将被部分地阐述于下面的描述中，并且对于本领域普通技术人员而言，当对下述进行研究时本公开内容的另外的优点、目的和特征在某种程度上是显见的，或者可以从本公开内容的实践中获知本公开内容的另外的优点、目的和特征。通过在书面描述及其权利要求以及附图中所具体指出的各种结构可以实现和得到本公开内容的目的和其他优点。

为了实现这些目的和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文中所体现和广泛描述的，在一个或更多个实施方式中提供了一种在第一基板上包括辅助电极的显示装置。钝化层设置在辅助电极上。第一孔延伸穿过钝化层并与辅助电极的至少一部分交叠。在钝化层上设置有堤绝缘层。第一堤层孔延伸穿过堤绝缘层并且部分地与第一孔交叠。第二堤层孔延伸穿过堤绝缘层并且与第一孔交叠，并且第二堤层孔与第一堤层孔间隔开。在钝化层和堤绝缘层之间设置有上覆层。

在一个实施方式中，第二堤层孔的侧表面可以与第一孔交叠。

在一个实施方式中，第二堤层孔的平面尺寸可以小于第一堤层孔的平面尺寸。

在一个实施方式中，第二堤层孔可以被定位成邻近第一堤层孔的侧表面。

在一个实施方式中，第二堤层孔的平面形状可以是与第一堤层孔的平面形状相同类型的多边形。

在一个实施方式中，第一堤层孔和第二堤层孔的平面形状可以是矩形形状。

在一个实施方式中，第一堤层孔可以具有矩形形状，并且第二堤层孔可以被定位成邻近第一堤层孔的第一侧和第二侧。

在一个实施方式中，在堤绝缘层上可以设置有第二基板。在堤绝缘层与第二基板之间可以设置有粘合剂层。粘合剂层可以穿过第一堤层孔和第二堤层孔在辅助电极和堤绝缘层之间延伸。

在一个实施方式中，在第一孔中的辅助电极的第一部分上可以设置发光层，在发光层上可以设置第二电极，并且第二电极可以接触在第一孔中的辅助电极的第二部分。

在一个实施方式中，发光层可以在堤绝缘层和辅助电极之间的底切区中不连续。

在本公开内容的另外实施方式中，显示装置在基板上包括辅助电极。钝化层设置在辅助电极上。第一孔延伸穿过钝化层并且使辅助电极露出。在钝化层上设置有堤绝缘层。第二孔延伸穿过堤绝缘层并且与辅助电极交叠，并且第二孔的周边与第一孔交叠。第二孔的周边包括一个或更多个突出部，所述一个或更多个突出部使第二孔的周边相对于第二孔的周边的邻近部分向外延伸。

在一个实施方式中，第一孔可以包括与第二孔的周边的一个或更多个突出部邻近的侧表面。第一孔的侧表面可以与一个或多个突出部邻近地沿直线延伸。

在一个实施方式中，在基板和钝化层之间可以设置有薄膜晶体管。薄膜晶体管可以与辅助电极间隔开。辅助电极可以包括与薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极中的一个相同的材料。

在一个实施方式中，第一电极可以耦接至薄膜晶体管的漏电极。在第一电极上可以设置有发光层。第二电极可以设置在发光层上，并且第二电极接触在第一孔中的辅助电极。

在另外的实施方式中，本公开内容提供了一种包括第一基板的显示装置。在第一基板上设置有辅助电极。在辅助电极上设置有钝化层，辅助电极通过延伸穿过钝化层的第一孔露出。在钝化层上设置有堤绝缘层。第二孔延伸穿过在辅助电极的第一部分上方的堤绝缘层。在堤绝缘层和辅助电极的第二部分之间形成有底切区，并且堤绝缘层具有面对底切区中的辅助电极的第二部分的表面。第三孔延伸穿过在底切区中的堤绝缘层。

在一个实施方式中，多个第三孔可以延伸穿过底切区中的堤绝缘层。

在一个实施方式中，所述多个第三孔的第一部分可以设置成与第二孔的第一侧邻近，并且所述多个第三孔的第二部分可以设置成与所述第二孔的第二侧邻近。

在一个实施方式中，在堤绝缘层上可以设置有第二基板。在堤绝缘层与第二基板之间可以设置有粘合剂层，粘合剂层可以穿过第二孔和第三孔延伸至底切区中。

在一个实施方式中，在第一电极上可以设置有晶体管。第一电极可以耦接至晶体管。在第一电极上可以设置有发光层，并且第二电极可以设置在发光层上。第二电极可以接触底切区中的辅助电极的第二部分。

在一个实施方式中，发光层可以在底切区不连续。

附图说明

包括附图以提供对本公开内容的进一步理解，并且被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：

图1是示意性地示出根据本公开内容的一个或更多个实施方式的显示装置的平面图；

图2是图1所示的区域P的放大图；

图3A是沿图1的I-I'线截取的截面图；

图3B是沿图2的II-II'线截取的截面图；

图3C是沿图2的III-III'线截取的截面图；

图4是示出根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的区域P的平面图；

图5是示出根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的区域P的平面图；

图6是沿图5的IV-IV'线截取的截面图。

具体实施方式

在下文中，通过参照示出本公开内容的一些实施方式的附图的以下详细描述，将清楚地理解与本公开内容的实施方式的上述目的、技术结构和操作效果有关的细节。在此，提供了本公开内容的实施方式，以便允许本公开内容的技术精神令人满意地转移给本领域技术人员，因此本公开内容可以以其他形式实施，而不限于下述实施方式。

此外，遍及说明书，相同或相似的元件可以用相同的附图标记表示，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被夸大。应当理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以设置在第二元件上以便与第二元件接触，但是可以在第一元件和第二元件之间插入第三元件。

在此，可以使用术语例如“第一”和“第二”来将任何一个元件与另一元件区分。然而，在不脱离本公开内容的技术精神的情况下，可以根据本领域技术人员的方便而任意地命名第一元件和第二元件。

本公开内容的说明书中使用的特定术语仅用于描述特定实施方式，并非旨在限制本公开内容的范围。例如，除非上下文另有明确指出，以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。此外，在本公开内容的说明书中，将进一步理解，术语“包括”和“包含”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。

除非另有定义，本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例性实施方式所属的领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。还将进一步理解，术语诸如在通常使用的字典中定义的术语应被解释为具有与其在相关技术的环境中的含义一致的含义，并且除非明确定义否则不应被以理想化或过度形式的意义来解释。

图1是示意性地示出根据本公开内容的一个或更多个实施方式的显示装置的平面图。图2是图1所示的区域P的放大图。图3A是沿图1的I-I'线截取的截面图。图3B是沿图2的II-II'线截取的截面图。图3C是沿图2的III-III'线截取的截面图。

参照图1、图2及图3A至图3C，根据本公开内容的实施方式的显示装置可以包括下基板110、薄膜晶体管Tr1和Tr2、下钝化层130、上覆层140、辅助电极200、发光结构300、堤绝缘层350、上基板500和粘合剂层600。

下基板110可以支承薄膜晶体管Tr1和Tr2、辅助电极200和发光结构300。下基板110可以包括绝缘材料。例如，下基板110可以包括玻璃或塑料。

在下基板110上可以设置多个栅极线GL、多个数据线DL和多个电源线VDD。数据线DL可以与栅极线GL相交。电源线VDD可以与栅极线GL或数据线DL平行。例如，电源线VDD可以与栅极线GL相交。如本文中所使用的，术语“相交”不要求相交的元件之间的物理连接或接触。相反，元件可以以交叠的方式彼此相交，其间设置有一个或更多个元件。

栅极线GL、数据线DL和电源线VDD可以限定像素区域。例如，各个像素区域可以至少部分地被栅极线GL、数据线DL和电源线VDD包围。可以在每个像素区域中设置用于控制发光结构300的电路。例如，可以在每个像素区域中设置选择薄膜晶体管Tr1、驱动薄膜晶体管Tr2和存储电容器Cst。

选择薄膜晶体管Tr1可以根据通过栅极线GL施加的栅极信号来导通/关断驱动薄膜晶体管Tr2。驱动薄膜晶体管Tr2可以根据选择薄膜晶体管Tr1的信号向对应的发光结构300提供驱动电流。例如，选择薄膜晶体管Tr1可以具有与驱动薄膜晶体管Tr2相同的结构。存储电容器Cst可以将施加到驱动薄膜晶体管Tr2的选择薄膜晶体管Tr1的信号保持预定时间。

驱动薄膜晶体管Tr2可以包括半导体图案210、栅极绝缘层220、栅电极230、层间绝缘层240、源电极250和漏电极260。

半导体图案210可以被设置成靠近下基板110。半导体图案210可以包括半导体材料。例如，半导体图案210可以包括非晶硅或多晶硅。例如，半导体图案210可以包括氧化物半导体材料诸如铟镓锌氧化物(IGZO)。半导体图案210可以包括源极区、漏极区和沟道区。沟道区可以设置在源极区和漏极区之间。

根据本公开内容的实施方式的显示装置还可以包括在下基板110与半导体图案210之间的缓冲层120。缓冲层120可以延伸超过薄膜晶体管Tr1和Tr2。例如，缓冲层120可以覆盖下基板110的整个表面。缓冲层120可以包括绝缘材料。例如，缓冲层120可以包括硅氧化物。

栅极绝缘层220可以设置在半导体图案210上。栅极绝缘层220可以与半导体图案210的沟道区域交叠。栅极绝缘层220可以包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层220可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。栅极绝缘层220可以包括高K材料。例如，栅极绝缘层220可以包括氧化铪(HfO)或氧化钛(TiO)。栅极绝缘层220可以具有多层结构。

栅极230可以设置在栅极绝缘层220上。栅电极230可以与半导体图案210的沟道区交叠。例如，栅极绝缘层220可以包括与栅电极230的侧表面连续的侧表面。栅电极230可以包括导电材料。例如，栅电极230可以包括金属，诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)。

栅极绝缘层240可以设置在半导体图案210和栅电极230上。栅极绝缘层240可以延伸超过半导体图案210。栅绝缘层220和栅电极230可以被层间绝缘层240完全包围。例如，层间绝缘层240可以在半导体图案210的外边缘处与缓冲层120直接接触。层间绝缘层240可以包括绝缘材料。例如，层间绝缘层240可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。层间绝缘层240可以具有多层结构。

源电极250和漏电极260可以设置在层间绝缘层240上。漏电极260可以与源电极250间隔开。源电极250可以电连接至半导体图案210的源极区。漏电极260可以电连接至半导体图案210的漏极区。例如，接触孔可以延伸穿过层间绝缘层240以使半导体图案210的源极区和漏极区露出，并且源电极250和漏极电极260可以延伸穿过接触孔以分别接触源极区和漏极区。

源电极250和漏电极260可以包括导电材料。例如，源电极250和漏电极260可以包括金属，诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)和钨(W)。漏电极260可以包括与源电极250相同的材料。例如，漏电极260可以通过与源电极250相同的蚀刻工艺形成。栅电极230可以包括不同于源电极250和漏电极260的材料。

在每个薄膜晶体管Tr1和Tr2的半导体图案210被设置陈成靠近下基板110的情况下描述根据本公开内容的实施方式的显示装置。然而，在根据本公开内容的另一实施方式的显示装置中，每个薄膜晶体管Tr1和Tr2的半导体图案210可以设置在栅电极230和源电极250/漏电极260之间。

辅助电极200可以设置在下基板110上。辅助电极200可以与薄膜晶体管Tr1和Tr2间隔开。辅助电极200可以与栅极线GL和/或数据线DL平行。例如，如图1所示,辅助电极200可以与数据线DL平行。辅助电极200可以设置在数据线DL的外侧。也就是说，如所示的，数据线DL可以在辅助电极200和薄膜晶体管Tr1之间。

辅助电极200可以包括与构成薄膜晶体管Tr1和Tr2的导电材料之一相同的材料。例如，可以使用形成薄膜晶体管Tr1和Tr2的工艺来形成辅助电极200。辅助电极200可以包括与薄膜晶体管Tr1和Tr2的栅电极230、源电极250和漏极260中的一个相同的材料。例如，辅助电极200可以包括与薄膜晶体管Tr1和Tr2的源电极250和漏电极260相同的材料。辅助电极200可以设置在层间绝缘层240上。

下钝化层130可以设置在薄膜晶体管Tr1和Tr2以及辅助电极200上。下钝化层130可以包括绝缘材料。例如，下钝化层130可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。下钝化层130可以具有多层结构。

可以穿过下钝化层130形成第一接触孔CH1和下穿透孔130h。

如图3A所示，下钝化层130的第一接触孔CH1可以与驱动薄膜晶体管Tr2交叠。例如，下钝化层130的第一接触孔CH1可以使驱动薄膜晶体管Tr2的漏电极260露出。

如图3B所示，下钝化层130的下穿孔130h可以与辅助电极200交叠。辅助电极200可以由下钝化层130的下穿孔130h露出。下钝化层130可以覆盖辅助电极200的边缘。

上覆层140可以设置在下钝化层130上。上覆层140可以去除由薄膜晶体管Tr1和Tr2引起的厚度差。上覆层140可以包括有机绝缘材料。例如，上覆层140可以包括热固型树脂。

发光结构300可以实现特定颜色。例如，发光结构可以包括依次堆叠的下电极310、发光层320和上电极330。

发光结构300可以由薄膜晶体管Tr1和Tr2控制。例如，发光结构300的下电极310可以电连接至驱动薄膜晶体管Tr2的漏电极260。发光结构300可以设置在上覆层140上。例如，如图3A所示，可以穿过上覆层140形成第二接触孔CH2，并且可以将第二接触孔CH2与下钝化层130的第一接触孔CH1对准。下电极310可以延伸到第一接触孔CH1和第二接触孔CH2中，并且可以接触第一接触孔CH1的侧表面和第二接触孔CH2的侧表面。如图3A所示，上覆层140可以形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2的侧表面。

下电极310可以包括导电材料。下电极310可以包括具有高反射率的材料。例如，下电极310可以包括金属，诸如铝(Al)和银(Ag)。下电极310可以具有多层结构。例如，下电极310可以包括如下结构：在该结构中，包括具有高反射率的材料的反射电极设置在包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料的透明电极之间。

发光层320可以生成亮度对应于下电极310和上电极330之间的电压差的光。例如，发光层320可以包括具有发射材料的发射材料层(EML)。发射材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本公开内容的实施方式的显示装置可以是具有有机发光层320的有机发光显示装置。

为了提高发光效率，发光层320可以具有多层结构。例如，发光层320还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。

上电极330可以包括导电材料。上电极330可以包括与下电极310不同的材料。例如，上电极330可以包括仅透明材料。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，由发光层320生成的光可以穿过上电极330发射到外部。

堤绝缘层350可以将每个下电极310与邻近像素区域绝缘。例如，堤绝缘层350可以覆盖下电极310的一个或更多个边缘。可以穿过堤绝缘层350形成像素穿透孔351h，并且像素穿透孔351h可以使下电极310的一部分露出。发光层320和上电极330可以堆叠在由堤绝缘层350的像素穿透孔351h露出的下电极310的表面上。

还可以穿过堤绝缘层350形成第一堤穿透孔352h和第二堤穿透孔353h。如图2和图3B所示，第一堤穿透孔352h和第二堤穿透孔353h可以与辅助电极200交叠。第二堤穿透孔353h可以与第一堤穿透孔352h间隔开。如图2所示，可以设置多个第二堤穿透孔353h。

第一堤穿透孔352h可以部分地露出下穿透孔130h的侧表面。例如，第一堤穿透孔352h可以包括与上覆层140交叠的侧表面和设置在下穿透孔130h上的侧表面。第一堤穿透孔352h可以包括与下穿透孔130h的侧表面相交的侧表面。例如，如图2的平面图所示，第一堤穿透孔352h可以与下穿透孔130h部分地交叠，使得第一堤穿透孔352h的侧表面包括与下穿透孔130h交叠的部分以及与下穿透孔130h不交叠的其他部分。

堤绝缘层350的设置成在被设置成与下穿透孔130h交叠的第一堤穿透孔352h的侧表面附近的端部可以与辅助电极200交叠，并且可以与下钝化层130不交叠。也就是说，如图3B和3C所示，第一堤穿透孔352h可以在堤绝缘层350的第一侧和堤绝缘层350的第二侧之间延伸，如由指示第一堤穿透孔352h的括号所示。如图3C所示，堤绝缘层350的形成堤绝缘层350的第二侧(例如，右侧)的端部在下穿透孔130h的区域中与辅助电极200交叠，在上述下穿透孔130h的区域中，辅助电极200没有被下钝化层130覆盖。堤绝缘层350的设置在被设置成与下穿透孔130h交叠的第一堤穿透孔352h的侧表面附近的端部可以包括在面对辅助电极200的堤绝缘层350的下表面上的底切区UC。堤绝缘层350的下表面可以通过底切区UC中的下钝化层130露出。

第一堤穿透孔352h的平面形状可以与下穿透孔130h的平面形状相同。第一堤穿透孔352h的平面尺寸可以与下穿透孔130h的平面尺寸相同，然而，如图2所示，第一堤穿透孔352h可以以相对于下穿透孔130h偏移的方式被定位成使得第一堤穿透孔352h与下穿透孔130h仅部分地交叠。例如，第一堤穿透孔352h的中心与下穿透孔130h的中心不同。第一堤穿透孔352h可以是与下穿透孔130h的平面形状相同类型的多边形。例如，第一穿透孔352h和下穿透孔130h可以均具有矩形形状。

如图2所示，第二堤穿透孔353h可与下穿透孔130h交叠。第二堤穿透孔353h的侧表面可以被设置成与下穿透孔130h交叠。第二堤穿透孔353h可以部分地穿透由第一堤穿透孔352h形成的底切区UC，使得底切区UC被第二堤穿透孔353h分隔成底切部UC'(图3B)。包括堤绝缘层150的一部分和形成在其上的层的结构355形成在第一堤穿透孔352h和第二堤穿透孔353h之间。由第一堤穿透孔353h形成的底切区UC的水平距离可以由于第二堤穿透孔352h而减小，使得底切区UC仅包括在与第二堤穿透孔邻近的区域中的底切部UC'。

如图2所示，第二堤穿透孔353h的平面尺寸可以小于第一堤穿透孔352h的平面尺寸。第二堤穿透孔353h的平面尺寸可以小于下穿透孔130h的平面尺寸。例如，根据本公开内容的实施方式的显示装置可以包括被设置成与第一堤穿透孔352h的一个或更多个侧表面邻近的多个第二堤穿透孔353h。第二堤穿透孔353h可以具有与第一堤穿透孔353h的平面形状相同类型的多边形。例如，第二堤穿透孔353h可以具有矩形形状。

发光层320和上电极330可以延伸至堤绝缘层350上。发光层320和上电极330可以通过第一堤穿透孔352h延伸至辅助电极200上。

发光层320可以由于堤绝缘层350的底切而在底切区UC中切断，使得发光层320在堤绝缘层350与辅助电极200之间的底切区UC中不连续。底切区UC中的堤绝缘层350的下表面可以不被发光层320覆盖。在底切区UC中，发光层320可以不形成在辅助电极200的与堤绝缘层350交叠的表面上。与堤绝缘层350交叠的辅助电极200可以通过底切区UC中的发光层320露出。

上电极330可以沿着发光层320延伸。上电极330可以具有比发光层320更好的台阶覆盖。例如，上电极330可以延伸至在底切区UC中的堤绝缘层350的下表面。在底切区UC中，上电极330可以覆盖辅助电极200的与堤绝缘层350交叠的表面上。由发光层320露出的辅助电极200的表面可以被上电极330覆盖。辅助电极200可以由于为上电极330接触辅助电极200的地方的底切区UC而连接至上电极330。

上基板500可以设置在发光结构300上。上基板500可以被设置与下基板110相对。上基板500可以包括绝缘材料。上基板500可以包括透明材料。例如，上基板500可以包括玻璃或塑料。

粘合剂层600可以设置在下基板110和上基板500之间。上基板500可以通过粘合剂层600耦接至下基板110。粘合剂层600可以包括粘合剂材料。例如，粘合剂层600可以包括可固化材料。例如，粘合剂层600可以包括热固型树脂。

粘合剂层600可以填充下基板110和上基板500之间的空间。粘合剂层600可以通过下穿透孔130h和第一堤穿透孔352h与辅助电极200上的上电极330直接接触。粘合剂层600可以延伸至由堤绝缘层350形成的底切区UC中。粘合剂层600可以穿过第二堤穿透孔353h延伸至底切区UC中。

在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，第二堤穿透孔353h可以设置在由第一堤穿透孔352h形成的底切区UC中。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，底切区UC的水平距离可以由于第二堤穿透孔353h而部分地减小。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，用于将上基板500附接到下基板110的粘合剂层600可以相对容易地填充底切区UC。此外，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，由于粘合剂层600可以穿过第一堤穿透孔352h和第二堤穿透孔353h流动到底切区UC，粘合剂层600至底切区UC中的流入路径可以多样化，使得粘合剂层600可以快速地填充底切区UC。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，可以防止或减少由粘合剂层600引起的空隙产生。

根据本公开内容的实施方式的显示装置还可以包括在发光结构300与粘合剂层600之间的上钝化层400。上钝化层400可以防止或以其他方式减少外部冲击和潮湿对薄膜晶体管Tr1和Tr2以及发光结构300的影响。上钝化层400可以包括绝缘材料。例如，上钝化层400可以包括硅氧化物和/或硅氮化物。上钝化绝缘层400可以具有多层结构。

根据本公开内容的实施方式的显示装置可以被描述为包括沿着或邻近第一堤穿透孔352h的一个或更多个侧表面设置的多个第二堤穿透孔353h。然而，如图4所示，根据本公开内容的另一实施方式的显示装置可以包括沿着或邻近第一堤穿透孔352h的一个或更多个侧表面延伸的单个第二堤穿透孔353h。如所示的，第二堤穿透孔353h的平面形状可以与第一堤穿透孔352h的平面形状不同。第二堤穿透孔353h的平面形状可以是与第一堤穿透孔352h的平面形状相同类型的多边形。

因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，由于粘合剂层600可以穿过第二堤穿透孔353h——该第二堤穿透孔353h部分地穿透由为了将辅助电极200连接至上电极330而由堤绝缘层350的第一堤穿透孔352h形成的底切区UC——快速且容易地流入底切区UC中，由于粘合剂层600，可以减少或防止在底切区UC的空隙产生，从而可以减少或防止质量降低和亮度不均匀。

根据本公开内容的实施方式的显示装置已经被描述成使得底切区UC的水平距离通过堤绝缘层350的与下穿透孔130h交叠的第二堤穿透孔353h而减小。然而，如图5和图6所示，在根据本公开内容的另一实施方式的显示装置中，堤绝缘层350的被布置成与下透穿孔130h交叠的第一堤穿透孔352h的周边可以具有一个或更多个突出部353p。突出部353p将第一堤穿透孔352h的周边向外延伸超过邻近的周边部，使得第一堤穿透孔352h的周边具有台阶形状，具有突出部353p和非突出部的交替排列。与具有突出部353p的第一堤穿透孔352h的周边邻近的下穿透孔130h的侧表面可以具有直线形状。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，由堤绝缘层350的第一堤穿透孔352h形成的底切区UC可以包括重复或交替地布置的具有相对较短的水平长度的区域和具有相对较长的水平长度的区域。也就是说，在根据本公开内容的一个或更多个实施方式的显示装置中，由于第一堤穿透孔352h的周边可以具有台阶形状，所以粘合剂层600可以穿过底切区UC的具有相对短的水平长度的区域流入底切区UC的具有相对长的水平长度的区域。由此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示装置中，可以防止由于粘合剂层600的未填充区域而引起的质量下降和亮度不均匀。

因而，根据本公开内容的实施方式的显示装置可以包括其中具有相对短的水平长度的区域被重复布置的底切区，使得用于将上基板附接到下基板的粘合剂层可以容易地流入底切区。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，可以防止或减少由底切区中的粘合剂层引起的空隙产生。由此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置中，可以有效地防止或减小由于粘合剂层的未填充区域而引起的质量下降和亮度不均匀。

可以对上述实施方式进行组合以提供进一步的实施方式。

可以组合上述各种实施方式以提供其他实施方式。可以根据以上述详细描述对实施方式进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为权利要求限于说明书和权利要求书中公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求的等同物的全部范围。因此，权利要求书不受本公开内容限制。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

在第一基板上的辅助电极；

在所述辅助电极上的钝化层；

第一孔，所述第一孔延伸穿过所述钝化层并且与所述辅助电极的至少一部分交叠；

在所述钝化层上的堤绝缘层；

第一堤层孔，所述第一堤层孔延伸穿过所述堤绝缘层并且部分地与所述第一孔交叠；

第二堤层孔，所述第二堤层孔延伸穿过所述堤绝缘层并且与所述第一孔交叠，并且所述第二堤层孔与所述第一堤层孔间隔开；以及

在所述钝化层和所述堤绝缘层之间的上覆层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二堤层孔的侧表面与所述第一孔交叠。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二堤层孔的平面尺寸小于所述第一堤层孔的平面尺寸。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二堤层孔被定位成邻近所述第一堤层孔的侧表面。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二堤层孔的平面形状是与所述第一堤层孔的平面形状相同类型的多边形。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一堤层孔和所述第二堤层孔的平面形状是矩形形状。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一堤层孔具有矩形形状，并且所述第二堤层孔被定位成邻近所述第一堤层孔的第一侧和第二侧。

8.根据权利要求1所述的装置，还包括：

在所述堤绝缘层上的第二基板；以及

在所述堤绝缘层与所述第二基板之间的粘合剂层，

其中，所述粘合剂层穿过所述第一堤层孔和所述第二堤层孔在所述辅助电极和所述堤绝缘层之间延伸。

9.根据权利要求1所述的装置，还包括：

在所述第一孔中所述辅助电极的第一部分上的发光层；以及

在所述发光层上的第二电极，所述第二电极接触在所述第一孔中的所述辅助电极的第二部分。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述发光层在所述堤绝缘层和所述辅助电极之间的底切区中不连续。

11.一种显示装置，包括：

在基板上的辅助电极；

在所述辅助电极上的钝化层；

第一孔，所述第一孔延伸穿过所述钝化层并且使所述辅助电极露出；

在所述钝化层上的堤绝缘层；以及

第二孔，所述第二孔延伸穿过所述堤绝缘层并且与所述辅助电极交叠，并且所述第二孔的周边与所述第一孔交叠，

其中，所述第二孔的周边包括一个或更多个突出部，所述一个或更多个突出部使所述第二孔的周边相对于所述第二孔的周边的邻近部分向外延伸。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一孔包括与所述第二孔的周边的所述一个或更多个突出部邻近的侧表面，以及

其中，所述第一孔的所述侧表面与所述一个或更多个突出部邻近地沿直线延伸。

13.根据权利要求11所述的显示装置，还包括在所述基板与所述钝化层之间的薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管与所述辅助电极间隔开，以及

其中，所述辅助电极包括与所述薄膜晶体的栅电极、源电极和漏电极中的一个相同的材料。

14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：

第一电极，所述第一电极耦接至所述薄膜晶体管的漏电极；

在所述第一电极上的发光层；以及

在所述发光层上的第二电极，所述第二电极接触在所述第一孔中的所述辅助电极。

15.一种显示装置，包括：

第一基板；

在所述第一基板上的辅助电极；

在所述辅助电极上的钝化层，所述辅助电极通过延伸穿过所述钝化层的第一孔露出；

在所述钝化层上的堤绝缘层；

在所述辅助电极的第一部分上方的延伸穿过所述堤绝缘层的第二孔；

在所述堤绝缘层和所述辅助电极的第二部分之间的底切区，所述堤绝缘层具有在所述底切区中与所述辅助电极的所述第二部分交叠的部分；以及

延伸穿过在所述底切区中所述堤绝缘层的第三孔。

16.根据权利要求15所述的显示装置，还包括延伸穿过所述底切区中所述堤绝缘层的多个第三孔。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个第三孔的第一部分被设置成与所述第二孔的第一侧邻近，并且所述多个第三孔的第二部分被设置成与所述第二孔的第二侧邻近。

18.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：

在所述堤绝缘层上的第二基板；以及

在所述堤绝缘层与所述第二基板之间的粘合剂层，所述粘合剂层穿过所述第二孔和所述第三孔延伸至所述底切区中。

19.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：

在所述第一基板上的晶体管；

耦接至所述晶体管的第一电极；

在所述第一电极上的发光层；以及

在所述发光层上的第二电极，所述第二电极接触在所述底切区中所述辅助电极的所述第二部分。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述发光层在所述底切区中不连续。