TWI691070B

TWI691070B - 有機發光顯示裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI691070B
Application number: TW107127852A
Authority: TW
Inventors: 金慶昊; 鄭鎮九
Original assignee: 南韓商三星顯示器有限公司
Priority date: 2013-01-03
Filing date: 2014-01-03
Publication date: 2020-04-11
Also published as: TW201438223A; KR20140088739A; KR102017118B1; TWI660498B; CN103915479B; CN103915479A; US20140183483A1; TW201839979A; US9246123B2

Abstract

本發明提供一種有機發光顯示裝置，其包含基板、設置在基板上的絕緣層、設置在絕緣層上的第一電極、設置在第一電極上的有機層、設置在有機層上的第二電極、設置在絕緣層上的輔助電極、以及設置在包含輔助電極的區域中且連接到輔助電極及第二電極的金屬層。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法

本申請案主張於2013年1月3號向韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請號10-2013-0000641之優先權，其全部內容於此併入作為參考。

本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，更具體地說，關於包含連接到陰極電極的輔助電極之一種有機發光顯示裝置，及該有機發光顯示裝置的製造方法。

一種有機發光顯示裝置可包含複數個像素，且各像素可包含第一電極、第二電極、及介在第一電極及第二電極之間的有機層。有機層可以發出對應於在第一電極以及第二電極之間流動的電流的亮度位準的光。有機發光顯示裝置可藉由控制在第一電極以及第二電極之間流動的電流而顯示所需的圖像。

第一電極可以是在各像素中提供的個別的電極，且對應於藉由各像素顯示的灰階程度的訊號可以被傳輸到第一電極。第二電極可以被放置在複數個像素上，或複數個像素中的每一個可包含訊號共同發送至第二電極之個別的第二電極。第一電極、第二電極、及有機層可以用作二極體。第一電極可以用作陽極，且第二電極可以用作陰極。

如果有機發光顯示裝置是藉由發出通過第二電極之光來顯示圖像之頂部發光有機發光顯示裝置，第二電極可以透明導電材料形成。例如，第二電極可以氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、鎂(Mg)及銀(Ag)的化合物、鈣(Ca)及銀的化合物、或鋰(Li)及鋁(Al)的化合物形成。形成第二電極的透明導電材料通常具有比單一金屬高的電阻。因此，壓降可能會發生在遠離電壓施加於其的第二電極的部分的位置。其結果是，有機發光顯示裝置的顯示品質可能會下降。為了防止這樣的第二電極壓降，有機發光顯示裝置可進一步包含連接於第二電極且由具有低電阻之金屬形成的輔助電極。

由於頂部發光有機發光顯示裝置發出通過第二電極之光，需要提高第二電極的光透射率。為此，第二電極可形成為薄的。然而，薄的第二電極可能無法被連接到輔助電極。

本發明的態樣提供具有改善之第二電極到輔助電極的連接的一種有機發光顯示裝置，以及此有機發光顯示裝置的製造方法。

本發明的態樣還提供其中第二電極到輔助電極的連接被改善以提高顯示品質的一種有機發光顯示裝置以及此有機發光顯示裝置的製造方法。

然而，本發明的態樣並不限於本文所闡述的。本發明的上述以及其他態樣，藉由參考以下給出的本發明的詳細描述，對本發明相關技術領域具有通常知識者而言將變得更加顯而易見。

根據本發明的態樣，提供一種有機發光顯示裝置，其包含基板、設置在基板上的絕緣層、設置在絕緣層上的第一電極、設置在第一電極上的有機層、設置在有機層上的第二電極、設置在絕緣層上的輔助電極以及設置在包含輔助電極的區域中且連接到輔助電極及第二電極的金屬層。

根據本發明的另一態樣，提供一種有機發光顯示裝置的製造方法，該方法包含在基板上形成絕緣層、在絕緣層上形成第一電極及輔助電極、在第一電極上形成有機層且在有機層上形成第二電極、以及形成連接到第二電極以及輔助電極的金屬層於第二電極以及輔助電極上。輔助電極與第一電極分離。

本發明之優點及特徵及實現其之方法可藉由參考以下較佳實施例的詳細說明及附圖而變得更容易理解。然而，本發明可以以許多不同形式實現，且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。毋寧說，提供這些實施例使得本公開變透徹且完整，且將完整傳達本發明的概念給所屬技術領域具有通常知識者，且本發明將僅由附隨之申請專利範圍定義。因此，在一些實施例中，為了不以不必要的細節模糊本發明的敘述，不示出習知的結構及裝置。在通篇說明書中，類似的元件符號代表類似的元件。在附圖中，層及區域的厚度可為了清楚而被誇大。

應當理解的是，當元件或層被稱為在另一層「上(on)」或「連接到(connected to)」另一元件或層時，其可以直接在另一元件或層上或直接連接到另一元件或層，或可存在中間元件或層。與此相反，當元件被稱為「直接位於…上(directly on)」或「直接連接到(directly connected to)」另一元件或層時，不存在中間元件或中間層。如本文所用，用語「以及(and)/或(or)」包含一或多個相關聯的所列項目的任意以及所有組合。

應當理解的是，雖然用語第一，第二、等可在本文中用來描述各種元件，但這些元件不應該受這些用語的限制。這些用語僅用於區分一元件與另一元件。因此，例如，以下討論的第一元件、第一構件、或第一部分可以被稱為第二元件、第二構件、或第二部分而不脫離本發明的教示。

本發明的實施例將在以下參照附圖進行說明。

第1圖是根據本發明實施例的有機發光顯示裝置1的剖視圖。

參考第1圖，有機發光顯示裝置1包含基板10、平坦化層50、第一電極E1、有機層70、第二電極E2、輔助電極E3、及金屬層90。

基板10可支撐有機發光顯示裝置1的其他構件。基板10可以絕緣材料製成。例如，基板10可以由，但不限於，玻璃、聚對苯二甲酸乙酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚碸(PES)、聚醯亞胺(PI)、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成。根據一些實施例，基板10也可由可撓材料製成。

平坦化層50可被設置在基板10上。為了提高設置在平坦化層50上的有機層70之發光效率，平坦化層50可以形成為具有無階差之平坦的頂表面。平坦化層50可以絕緣材料形成。例如，平坦化層50可以由選自聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、以及苯並環丁烯(BCB)的一或多種材料形成，但不限於此。

接觸孔H可形成在平坦化層50中。接觸孔H可形成以暴露將在後面描述的薄膜電晶體T的汲極電極D的頂表面。第一電極E1以及汲極電極D可藉由接觸孔H彼此連接。

第一電極E1可設置平坦化層50上。第一電極E1可通過接觸孔H連接到汲極電極D。從汲極電極D傳送到第一電極E1的訊號可控制有機層70的發光。

第一電極E1可以反射性導電材料形成。例如，第一電極E1可形成以具有銀/氧化銦錫(ITO)、ITO/銀/ITO、鉬/ITO、鋁/氧化銦錫、或鈦/ITO的結構，但不限於此。由反射性導電材料形成的第一電極E1可以反射由有機層70產生的光於向上的方向。

輔助電極E3可形成於平坦化層50上以與第一電極E1分離。輔助電極E3可形成在與第一電極E1相同的層上。輔助電極E3及第一電極E1可由相同的製程形成。輔助電極E3可以與第一電極E1相同的材料形成。然而，本發明並不限於此。

輔助電極E3的橫截面可以塑型像上側較下側長之倒梯形。如果輔助電極E3被塑型像倒梯形，有機層70可被沉積，使得其在相鄰輔助電極E3的區域中中斷。設置在有機層70之下的輔助電極E3及設置在有機層70上的第二電極E2可以通過有機層70中斷的區域中的金屬層90彼此電連接。輔助電極E3可以具有比形成第二電極E2的材料更低電阻的材料形成，並且可電連接到第二電極E2。因此，輔助電極E3可以降低施加到第二電極E2的電壓下降。

如果在輔助電極E3被塑型像倒梯形，第二電極E2可以被沉積，使得其在相鄰輔助電極E3的區域中中斷。因此，第二電極E2以及輔助電極E3可不彼此接觸。有機發光顯示裝置1包含設置在鄰近輔助電極E3的區域中的金屬層90以改善第二電極E2與輔助電極E3的電連接。

有機層70可設置在第一電極E1上。有機層70可設置在有機發光顯示裝置1的整個表面上。流過有機層70電流可以藉由傳送到第一電極E1以及第二電極E2的訊號來控制。有機層70可以發出對應於流過有機層70的電流的亮度位準的光。有機層70可以發出紅色、藍色、及綠色的其中之一種顏色的光。根據一些實施例，有機層70可以發射白光。從有機層70發射的光的顏色不限於上述的顏色，並且可根據實施例而有所改變。

第二電極E2可設置在有機層70上。第二電極E2可以被放置在複數個像素上。第二電極E2可被放置在有機發光顯示裝置1的整個表面上。第二電極E2可由光學透明的或半透明的導電材料形成。例如，第二電極E2可以氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、鎂(Mg)及銀(Ag)的化合物、鈣(Ca)及銀的化合物，或鋰(Li)及鋁(Al)的化合物來形成，但不限於此。藉由有機層70產生的光可通過第二電極E2被發射到有機發光顯示裝置1的外部。為了提高第二電極E2的光透射率，第二電極E2可形成為薄的。例如，第二電極E2可形成為200Å或更小的厚度。

形成第二電極E2的材料可以具有比典型金屬相對較高的電阻率。此外，由於第二電極E2可以形成為薄的，施加到第二電極E2的電壓可因為第二電極E2的電阻率而下降。因此，第二電極E2在各像素中可具有不同的電壓值。然而，有機發光顯示裝置1可以藉由包含電連接到第二電極E2且具有比第二電極E2的電阻率低的輔助電極E3來降低第二電極E2的壓降。

金屬層90可以被放置相鄰於輔助電極E3。金屬層90可以藉由使第二電極E2通過金屬層90接觸輔助電極E3以電連接第二電極E2及輔助電極E3。輔助電極E3塑型像倒梯形且形成為薄的之第二電極E2可能不容易彼此接觸。然而，放置相鄰於輔助電極E3之金屬層90改善了輔助電極E3以及第二電極E2的電連接，從而降低因為第二電極E2的電阻率導致之壓降。因此，可改善有機發光顯示裝置1的顯示品質。金屬層90可由單一金屬或兩或多種類型的金屬的化合物形成。例如，金屬層90可以一種或多種選自鎂、鋁、銀、及銅的材料形成，但不限於此。金屬層90可不使用遮罩地沉積在鄰近輔助電極E3的區域。這將在後面更詳細地描述。

有機發光顯示裝置1可進一步包含緩衝層20、半導體層SM、閘極電極G、源極電極S、汲極電極D、閘極絕緣層30、層間絕緣膜40、線路W、像素定義層60、以及覆蓋層80。

緩衝層20可形成在基板10的頂表面上。緩衝層20可以防止雜質成分滲透並平坦化基板10的頂表面。緩衝層20可由能執行上述功能的各種材料形成。例如，緩衝層20可由氮化矽(SiN_x )層、二氧化矽(SiO₂ )層、及氮氧化矽(SiO_x N_y )層的任一形成。根據一些實施例，也可省略緩衝層20。

半導體層SM可設置在緩衝層20上。半導體層SM可以非晶矽層或多晶矽層形成。半導體層SM可包含未摻雜雜質的通道區及分別設置在通道區的兩側且為p+摻雜以接觸源極電極S及汲極電極D的源極區及汲極區。用於摻雜半導體層SM的雜質可以是包含硼(B)，如B₂ H₆ 的P型雜質。用於摻雜半導體層SM的雜質的類型可取決於實施例而有所改變。根據一些實施例，半導體層SM也可由氧化物半導體層代替。

閘極絕緣層30可設置在半導體層SM上。閘極絕緣層30可以使將在之後形成的閘極電極G與半導體層SM彼此絕緣。閘極絕緣層30可以由氮化矽(SiN_x )或氧化矽(SiO₂ )形成。

閘極電極G可設置在閘極絕緣層30上。閘極電極G可重疊半導體層SM的至少一個區域。施加到閘極電極G的電壓可以控制半導體層SM為具有導電性或非導電性。例如，如果一個相對高的電壓施加到閘極電極G，半導體層SM可具有導電性，從而使汲極電極D及源極電極S彼此電連接。如果相對低的電壓被施加到閘極電極，半導體層SM可以具有非導電性，從而使汲極電極D以及源極電極S彼此絕緣。

層間絕緣膜40可設置在閘極電極G上。層間絕緣膜40可覆蓋閘極電極G且使閘極電極G與源極電極S及汲極電極D絕緣。層間絕緣膜40可由SiN_x 或SiO₂ 形成。

源極電極S以及汲極電極D可設置在層間絕緣膜40上。源極電極S以及汲極電極D可以分別藉由穿過層間絕緣膜40以及閘極絕緣層30的通孔連接到半導體層SM。源極電極S、汲極電極D、閘極電極G、及半導體層SM可形成薄膜電晶體T，且薄膜電晶體T可以根據施加到閘極電極G的電壓決定是否提供傳送到源極電極S的訊號給汲極電極D。

線路W可以是連接到源極電極S的數據線或連接到閘極電極G的閘極線。如果線路W是數據線，其可形成在與源極電極S相同的層上。第1圖中，線路W形成在與源極電極S相同的層上。然而，如果線路W是閘極線，其可形成在與閘極電極G相同的層上。線路W的類型以及線路W設置在其上的層不限於上述的例子，並且可以根據實施例而有所不同。線路W可以放置在輔助電極E3下以與輔助電極E3重疊。然而，本發明並不限於此。

像素定義層60可設置在平坦化層50上。像素定義層60可定義包含在有機發光顯示裝置1中的像素的區域。像素定義層60可以不完全覆蓋平坦化層50的頂表面。有機發光顯示裝置1可包含暴露第一電極E1且像素定義層60不設置在其中的第一孔O1以及暴露輔助電極E3且像素定義層60不設置在其中的第二孔O2。第一孔O1可以被定義為像素。輔助電極E3以及金屬層90可以被設置在第二孔O2中。

像素定義層60、第一孔O1、第二孔O2、及輔助電極E3的排列現在將參照第2圖更詳細地描述。第2圖是描繪根據本發明實施例之像素定義層60、第一孔O1、第二孔O2、及輔助電極E3的排列的平面圖。

參考第2圖，像素定義層60可分別圍繞第一孔O1而放置。第一孔O1可以矩陣圖樣排列。第2圖中，第一孔O1及像素定義層60為矩形。然而，第一孔O1及像素定義層60的形狀不限於矩形，並且可以根據實施例而有所不同。第二孔O2可以格子圖樣排列。放置在第二孔O2內的輔助電極E3也可以根據第二孔O2的排列圖案而以格子圖樣排列。

第3圖是描繪根據本發明另一實施例之像素定義層60、第一孔O1、第二孔O2、及輔助電極E3的排列的平面圖。參考第3圖，第二孔O2可以條形圖樣排列。放置在第二孔O2中的輔助電極E3也可以根據第二孔O2的排列圖案而以條紋圖案排列。

再次參照第1圖，覆蓋層80可設置在第二電極E2上。覆蓋層80可設置在第一電極E1上或第一孔O1中。覆蓋層80可以控制從有機層70發射的光的光學特性。覆蓋層80可以不設置在鄰近輔助電極E3的區域中。例如，覆蓋層80可以不設置在第二孔O2中。覆蓋層80可以有機材料形成。如果覆蓋層80由有機材料形成，其與金屬的附著力可能是低的。因此，在形成覆蓋層80之後，可不使用遮罩而形成金屬層90。也就是說，由於覆蓋層80與金屬的低附著力，形成金屬層90的金屬可不被沉積在覆蓋層80上，而僅被沉積在覆蓋層80未形成於其中的第二孔O2上。因此，由於有機發光顯示裝置1包含未設置於第二孔O2中的覆蓋層80，金屬層90可不使用遮罩地形成，從而簡化了有機發光顯示裝置1的製造過程。

現將參考第4圖至第9圖描述製造有機發光顯示裝置1的方法。第4圖至第9圖是描繪根據本發明實施例製造有機發光顯示裝置的方法之有機發光顯示裝置的剖視圖。

參考第4圖，有機發光顯示裝置1的製造方法可包含在基板10上形成薄膜電晶體T。在薄膜電晶體T的形成之前，緩衝層20可形成在基板10上，且半導體層SM可形成在基板10上。在半導體層SM的形成之後，閘極絕緣層30可形成以覆蓋半導體層SM。在閘極絕緣層30的形成之後，可形成閘極電極G。在閘極電極G的形成之後，可形成層間絕緣膜40以覆蓋閘極電極G。在層間絕緣膜40的形成後，可形成兩個接觸孔以貫通層間絕緣膜40及閘極絕緣層30。源極電極S及汲極電極D可形成在兩個接觸孔上，使得源極電極S及汲極電極D通過接觸孔電連接到半導體層SM。如上所述之半導體層SM、閘極絕緣層30、閘極電極G、層間絕緣膜40、源極電極S、及汲極電極D可形成薄膜電晶體T於基板10上。本文中，任何絕緣層，如閘極絕緣層30或層間絕緣層40可以被稱為絕緣層。

有機發光顯示裝置1的製造方法可包含形成線路W。如果線路W是數據線，其可藉由與源極電極S及汲極電極D相同的製程來形成。如果線路W是閘極線，其可藉由與閘極電極G相同的製程來形成，並且可與閘極電極G在相同的層上形成。

有機發光顯示裝置1的製造方法可進一步包含形成平坦化層50。平坦化層50可形成在薄膜電晶體T上。接觸孔H可形成在平坦化層50中以暴露汲極電極D。

參考第5圖，有機發光顯示裝置1的製造方法可包含形成第一電極E1以及輔助電極E3。第一電極E1以及輔助電極E3可由相同製程形成。第一電極E1以及輔助電極E3可形成在平坦化層50上。第一電極E1可以形成在接觸孔H上以電連接到汲極電極D。輔助電極E3可塑型像倒梯形。如果輔助電極E3塑型像倒梯形，有機層70的圖樣可在輔助電極E3的附近被中斷，從而產生輔助電極E3以及第二電極E2可以藉其彼此連接的路徑。

參考第6圖，有機發光顯示裝置1的製造方法可包含形成像素定義層60。像素定義層60可設置在平坦化層50上。像素定義層60可形成以包含暴露第一電極E1的第一孔O1及與第一孔O1分離且暴露輔助電極E3的第二孔O2。

參考第7圖，有機發光顯示裝置1的製造方法可包含形成有機層70。有機層70可形成在第一電極E1、像素定義層60、平坦化層50、及輔助電極E3上。有機層70可以形成在有機發光顯示裝置1的整個表面上。有機層70的圖樣可在相鄰輔助電極E3的區域中被中斷。

參考第8圖，有機發光顯示裝置1的製造方法可包含形成第二電極E2。第二電極E2可形成在有機層70上。第二電極E2可以形成在有機發光顯示裝置1的整個表面上。為了改善由有機層70產生的光的透射率，第二電極E2可形成為薄的。例如，第二電極E2可形成為200Å或更小的厚度。

參考第9圖，有機發光顯示裝置1的製造方法可包含形成覆蓋層80。覆蓋層80可由有機材料形成。覆蓋層80可形成在第二電極E2上。覆蓋層80可不形成在相鄰輔助電極E3的區域中。例如，覆蓋層80可不形成在第二孔O2中。

製造有機發光顯示裝置1的方法可包含形成金屬層90。第1圖中的有機發光顯示裝置1可以藉由金屬層90的形成來完成。金屬層90可形成在相鄰輔助電極E3區域中。例如，金屬層90可以形成在第二孔O2中。由有機材料形成的覆蓋層80對金屬具有低粘附性。因此，即使金屬層90不使用遮罩而沉積在有機發光顯示裝置1的整個表面上，其可不形成在覆蓋層80上，而可僅形成在覆蓋層80沒有形成的區域中。

本發明的實施例提供以下優點中的至少其中之一。

在有機發光顯示裝置中第二電極以及輔助電極的連接可以得到改善。

此外，有機發光顯示裝置的顯示品質可以得到改善。

然而，本發明的效果並不限於本文中所闡述的。本發明的上述以及其他效果藉由參考申請專利範圍，對於本發明所屬技術領域具有通常知識者將變得顯而易見。

1‧‧‧有機發光顯示裝置10‧‧‧基板20‧‧‧緩衝層30‧‧‧閘極絕緣層40‧‧‧層間絕緣膜50‧‧‧平坦化層60‧‧‧像素定義層70‧‧‧有機層80‧‧‧覆蓋層90‧‧‧金屬層E1‧‧‧第一電極E2‧‧‧第二電極E3‧‧‧輔助電極H‧‧‧接觸孔T‧‧‧薄膜電晶體D‧‧‧汲極電極SM‧‧‧半導體層G‧‧‧閘極電極S‧‧‧源極電極W‧‧‧線路O1‧‧‧第一孔O2‧‧‧第二孔

本發明的上述及其他態樣以及特徵將在藉由參照附圖詳細描述其例示性實施例而變得更加明顯，其中：

第1圖是根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖；

第2圖是描繪根據本發明實施例之像素定義層、第一孔、第二孔、及輔助電極的排列的平面圖；

第3圖是描繪根據本發明另一實施例之像素定義層、第一孔、第二孔、及輔助電極的排列的平面圖；以及

第4圖至第9圖是描繪根據本發明實施例製造有機發光顯示裝置的方法之有機發光顯示裝置的剖視圖。

1‧‧‧有機發光顯示裝置

10‧‧‧基板

20‧‧‧緩衝層

30‧‧‧閘極絕緣層

40‧‧‧層間絕緣膜

50‧‧‧平坦化層

60‧‧‧像素定義層

70‧‧‧有機層

80‧‧‧覆蓋層

90‧‧‧金屬層

E1‧‧‧第一電極

E2‧‧‧第二電極

E3‧‧‧輔助電極

H‧‧‧接觸孔

T‧‧‧薄膜電晶體

D‧‧‧汲極電極

SM‧‧‧半導體層

G‧‧‧閘極電極

S‧‧‧源極電極

W‧‧‧線路

O1‧‧‧第一孔

O2‧‧‧第二孔

Claims

一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板；一絕緣層，設置在該基板上；一第一電極，設置在該絕緣層上；一有機層，設置在該第一電極上；一第二電極，設置在該有機層上；一輔助電極，設置在該絕緣層上；以及一金屬層，設置相鄰於該輔助電極且連接於該輔助電極及該第二電極，其中該輔助電極的側面接觸該金屬層。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極係光學透明或半透明。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極反射由該有機層產生的光。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極以及該金屬層係由不同材料形成。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該金屬層包含鎂(Mg)。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其更包含設置在該第二電極上之一覆蓋層，其中該覆蓋層不設置相鄰於該輔助電極。
如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該覆蓋層係由一有機材料形成。
如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示裝置，其中該金屬層係設置在該覆蓋層不設置於其中之區域。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其更包含：一像素定義層，設置在該絕緣層上；以及一第一孔及一第二孔，該像素定義層不設置於該第一孔及該第二孔中，其中該第一電極設置在該第一孔中，且該輔助電極及該金屬層設置在該第二孔中。
一種有機發光顯示裝置的製造方法，該方法包含：形成一絕緣層在一基板上；形成一第一電極及一輔助電極在該絕緣層上，該輔助電極與該第一電極分離；形成一有機層在該第一電極上且形成一第二電極在該有機層上；以及形成連接於該第二電極及該輔助電極之一金屬層於該第二電極及該輔助電極上，其中該輔助電極的側面接觸該金屬層。
如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中該第二電極係由一光學透明材料或一半透明材料形成，且其中該輔助電極的形狀為倒梯形。
如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中該有機層及該第二電極係形成在該有機發光顯示裝置之整個表面上。