TW201639146A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置包含：一第一畫素電極及一第二畫素電極，被設置成彼此相鄰且間隔開；以及一畫素界定層(pixel-defining layer)，設置於該第一畫素電極及該第二畫素電極上，該畫素界定層覆蓋除以下各者之外的該第一畫素電極之一部分及該第二畫素電極之一部分：該第一畫素電極之一中心部、該第二畫素電極之一中心部、該第一畫素電極在朝該第二畫素電極之一方向上之一第一邊緣及該第二畫素電極在朝該第一畫素電極之一方向上之一第二邊緣。

Description

有機發光顯示裝置 【優先權聲明】
本申請案從於2015年4月30日提出申請之韓國第10-2015-0062022號發明專利申請案主張優先權及其利益，且該韓國專利申請案為了如同完全記載於此般之所有目的而以引用方式併入本文中。
實例性實施例是關於一種有機發光顯示裝置，其能夠在提高該有機發光顯示裝置之亮度之同時精確地顯示影像。
一般而言，一有機發光顯示裝置是一種藉由使用自一發射層發射之光來顯示影像之顯示裝置，該發射層設置於一畫素電極與一相對電極之間。有機發光顯示裝置傳統上包含電性連接至一薄膜電晶體之一畫素電極，且一電訊號經由該薄膜電晶體被施加至該畫素電極，以控制各子畫素中之光發射或控制一發光度(light-emitting degree)。
為達成高解析度，可使有機發光顯示裝置具有減小尺寸之子畫素，且因此，自該等子畫素發射之光可具有降低之亮度。
此先前技術章節中所揭示之上述資訊僅用於加強對本發明之背景的理解，且因此，該章節可含有並不形成在本國為此項技術領域中具有通常知識者所已知的先前技術之資訊。
實例性實施例包含一種有機發光顯示裝置，其能夠在提高該有機發光顯示裝置之亮度之同時精確地顯示影像。
其他態樣將在以下詳細說明中予以陳述，且部分地將根據本文揭露內容而清楚或可藉由實踐本發明而獲知。
一實例性實施例提供一種有機發光顯示裝置，包含：一第一畫素電極及一第二畫素電極，被設置成彼此相鄰且間隔開；以及一畫素界定層(pixel-defining layer)，設置於該第一畫素電極及該第二畫素電極上，該畫素界定層覆蓋除以下各者之外的該第一畫素電極之一部分及該第二畫素電極之一部分：該第一畫素電極之一中心部、該第二畫素電極之一中心部、該第一畫素電極在朝該第二畫素電極之一方向上之一第一邊緣及該第二畫素電極在朝該第一畫素電極之一方向上之一第二邊緣。
一實例性實施例提供一種有機發光顯示裝置，包含：複數個畫素電極，排列成一列，各該畫素電極被設置成彼此間隔開；以及一畫素界定層，設置於該等畫素電極上，該畫素界定層覆蓋除該等畫素電極之中心部及該等畫素電極其中之相鄰者間之邊緣之外的該等畫素電極之複數個部分。
前述一般說明及以下詳細說明是實例性及解釋性的，且意欲提供對所主張發明標的之進一步解釋。
100‧‧‧基板
211‧‧‧緩衝層
213‧‧‧閘極絕緣層
215‧‧‧層間絕緣層
217‧‧‧保護層或平坦化層
219‧‧‧畫素界定層
219a‧‧‧第一開口
219b‧‧‧第二開口
219c‧‧‧第三開口
220‧‧‧薄膜電晶體
221‧‧‧閘電極
223‧‧‧源電極
225‧‧‧汲電極
227‧‧‧半導體層
310G‧‧‧畫素電極
310R‧‧‧畫素電極
311‧‧‧第一畫素電極
311C‧‧‧第一連接部
312‧‧‧第二畫素電極
312C‧‧‧第二連接部
313‧‧‧第三畫素電極
313C‧‧‧第三連接部
314‧‧‧第四畫素電極
314C‧‧‧第四連接部
315‧‧‧第五畫素電極
321‧‧‧發射層
323‧‧‧發射層
Cap1‧‧‧第一電容器
Cap2‧‧‧第二電容器
Cap3‧‧‧第三電容器
d1‧‧‧第一距離
d2‧‧‧第二距離
d3‧‧‧第三距離
P‧‧‧畫素
TFT1‧‧‧第一薄膜電晶體
TFT2‧‧‧第二薄膜電晶體
TFT3‧‧‧第三薄膜電晶體
x‧‧‧方向、軸線
y‧‧‧方向、軸線
z‧‧‧方向、軸線
為提供對本發明之進一步理解而包含且併入本說明中並構成本說明書一部分的圖式例示了本發明之實例性實施例，且與該說明一起用於解釋本發明之原理。
第1圖是根據一實例性實施例之一有機發光顯示裝置之一部分的一示意性剖視圖。
第2圖是第1圖所示有機發光顯示裝置之一部分之一平面圖。
第3圖是根據一實例性實施例之一有機發光顯示裝置之一部分之一平面圖。
在以下說明中，為便於解釋，陳述眾多特定細節以提供對各種實例性實施例之透徹理解。然而，顯而易見地，在沒有此等特定細節或具有一或多個等效配置之情形下，亦可實踐各種實例性實施例。在其他例項中，以方塊圖形式顯示眾所皆知之結構及器件，以避免不必要地使各種實例性實施例模糊不清。
在圖式中，為清晰起見且為便於說明，可擴大層、膜、面板、區域等之大小及相對大小。此外，相同參考編號表示相同元件。
當將一元件或層稱作位於另一元件或層「上」、「連接至」、或「耦合至」另一元件或層時，該元件或層可以是直接位於該另一元件或層上、連接至、或耦合至該另一元件或層，或者可能存在中間元件或層。然而，當將一元件或層稱作「直接」位於另一元件或層「上」、「直接連接至」、或「直接耦合至」另一元件或層時，不存在中間元件或層。為便於說 明本發明，可將「X、Y及Z至少其中之一」以及「選自由X、Y及Z組成之群組之至少一者」理解為僅X、僅Y、僅Z、或者X、Y及Z其中之二或更多者之任一組合(例如：XYZ、XYY、YZ及ZZ)。在通篇中，相同編號代表相同元件。如本文中所使用之措詞「及/或」包含相關聯所列各項其中之一或多者之任何及所有組合。
雖然本文中可使用第一、第二等措詞來闡述各種元件、組件、區域、層、及/或區段，但此等元件、組件、區域、層、及/或區段不應受此等措詞限制。此等措詞用於將一個元件、組件、區域、層、及/或區段與另一元件、組件、區域、層、及/或區段區分開。因此，在下文中所論述之一第一元件、組件、區域、層、及/或區段可稱為一第二元件、組件、區域、層、及/或區段，此並不背離本發明之教示內容。
為便於說明，本文中可使用諸如「在……下面」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「上部」等空間相對性措詞來闡述如圖式中所例示一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵之關是。空間相對性措詞意欲除圖式中所繪示之定向以外亦囊括一裝置在使用、運行及/或製造時之不同定向。舉例而言，若將圖式中之裝置翻轉，則闡述為在其他元件或特徵「下方」或「下面」之元件則將被定向成在其他元件或特徵「上方」。因此，實例性措詞「在……下方」可囊括在……上方及在……下方二種定向。此外，可以其他方式對裝置進行定向(例如：旋轉90度或以其他定向形式)，且因此，可相應地解釋本文中所使用之空間相對性描述語。
本文中所使用之術語僅用於闡述特定實施例而並非意欲是限制性。除非上下文另有清晰指示，否則本文中所使用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」皆意欲亦包含複數形式。此外，當在本說明書中使用 措詞「包含(comprise、comprising、include及/或including)」時，是指明所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在，但並不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組之存在或添加。
於本文中將參照作為一理想化實例性實施例之一示意圖的一剖視圖來闡述一實例性實施例。因此，預期會因例如製造技術及/或容差而與該圖所示形狀有所變化。因此，本文中所揭示之實例性實施例不應被理解為僅限於所例示之特定區域形狀，而是應包含因例如製造引起之形狀偏差。舉例而言，被例示為一矩形之一經植入區域通常將具有圓形或彎曲特徵，及/或在其邊緣處具有一植入濃度梯度而非自經植入區域至未植入區域具有二元變化(binary change)。同樣，藉由植入來形成一埋入式區域可能會在該埋入式區域與進行該植入所經由之表面間之區域中引起某種程度之植入。因此，圖式中所例示之區域本質上是示意性的，且其形狀並不意欲例示一器件之一區域之實際形狀且並非意欲是限制性。
除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包含技術及科學術語)皆具有與本發明所屬技術領域中之通常知識者通常所理解之含義相同的含義。諸如常用字典中所定義之術語等術語應被解釋為具有與其在相關技術背景中之含義相一致之一含義，而將不被解釋為具有一理想化或過度形式化意義，除非本文中明確如此定義。
第1圖是根據一實例性實施例之一有機發光顯示裝置之一部分的一示意性剖視圖，且第2圖是第1圖所示有機發光顯示裝置之一部分之一示意性平面圖。
根據該實例性實施例之有機發光顯示裝置包含一基板100、 一薄膜電晶體220、一緩衝層211、一閘極絕緣層213、一層間絕緣層215及一保護層或一平坦化層217。除上述元件以外，如第1圖及第2圖中所示，該有機發光顯示裝置可更包含設置於保護層或平坦化層217上之一第一畫素電極311、一第二畫素電極312、一第三畫素電極313、一發射層321、一發射層323、一畫素界定層219及一相對電極(未顯示)。
基板100可以是由塑膠形成之一撓性基板。若基板100包含一塑膠材料，則相較於一玻璃基板，水分及/或氧氣可能相對更容易穿透塑膠基板，且因此，包含由塑膠材料製成之一基板100之一有機發光二極體可能更易於受水分及/或氧氣影響，且該有機發光二極體之壽命可降低。因此，為防止或減少上述缺陷，可在基板100上將緩衝層211設置為包含氧化矽或氮化矽之一單個層或多個層。除塑膠材料以外或作為對塑膠材料之替代，基板100亦可由金屬或玻璃形成。
設置於緩衝層211上之薄膜電晶體220可包含一閘電極221、一源電極223、一汲電極225、一半導體層227、閘極絕緣層213及層間絕緣層215。參照第1圖，薄膜電晶體220可具有其中半導體層227設置於緩衝層211上、閘電極221設置於半導體層227上且源電極223及汲電極225設置於半導體層227及閘電極221上之一結構，但實例性實施例並不限於此結構，而是可具有不同結構。半導體層227可包含多晶矽、非晶矽、一有機半導體層及一導電半導體氧化物層。
閘電極221被設置成對應於半導體層227，且可根據施加至閘電極221之一訊號而在源電極223與汲電極225之間傳輸一電訊號。此處，為將半導體層227自閘電極221絕緣，在半導體層227與閘電極221之間設置由氧化矽及/或氮化矽形成之閘極絕緣層213。
層間絕緣層215設置於閘電極221上，且層間絕緣層215可被形成為具有包含氧化矽及/或氮化矽之一單層結構或一多層結構。然而，實例性實施例並不限於此，而是可使用各種材料來形成層間絕緣層215。源電極223及汲電極225設置於層間絕緣層215上。源電極223及汲電極225可經由層間絕緣層215及閘極絕緣層213中所形成之複數個接觸孔而電性連接至半導體層227。
保護層或平坦化層217設置於源電極223及汲電極225上，以對設置於保護層或平坦化層217下方之薄膜電晶體進行保護或平坦化。保護層或平坦化層217可被組態為各種形狀，且可由諸如苯並環丁烯(benzocyclobutene；BCB)及丙烯醯基等之一有機材料及/或諸如氧化矽及氮化矽等之一無機材料形成。保護層或平坦化層217可以各種方式來加以修改，例如，可被形成為具有一單層結構、一雙層結構或一多層結構。
第一畫素電極311及第二畫素電極312是彼此分開設置且直接設置於保護層或平坦化層217上。第一畫素電極311及第二畫素電極312充當陽極，且隨後將加以闡述之相對電極充當一陰極。可反轉第一畫素電極311及第二畫素電極312與相對電極之極性。
第一畫素電極311及第二畫素電極312可以是透明電極或反射電極。當第一畫素電極311及第二畫素電極312是透明電極時，第一畫素電極311及第二畫素電極312可由氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZnO)及氧化銦(indium oxide；In2O3)至少其中之一形成。當第一畫素電極311及第二畫素電極312是反射電極時，第一畫素電極311及第二畫素電極312可包含一反射層以及位於該反射層上之一層，該反射層由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、 鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)及其一化合物至少其中之一形成，該層由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦至少其中之一形成。
畫素界定層219局部地覆蓋第一畫素電極311及第二畫素電極312，但不覆蓋第一畫素電極311之一中心部、第二畫素電極312之一中心部、第一畫素電極311在朝第二畫素電極312之一方向上(在-x方向上)之一第一邊緣及第二畫素電極312在朝第一畫素電極311之一方向上(在+x方向上)之一第二邊緣。更詳細而言，畫素界定層219包含形成為一體形狀之複數個第一開口219a。第一開口219a暴露出第一畫素電極311之一中心部、第一畫素電極311的朝第二畫素電極312之一第一邊緣(設置於-x方向上)、第二畫素電極312之一中心部及第二畫素電極312的朝第一畫素電極311之一第二邊緣(設置於+x方向上)。亦即，如第1圖及第2圖中所示，第一畫素電極311的除第一邊緣(其設置於-x方向上)之外之其餘邊緣皆由畫素界定層219覆蓋，且第二畫素電極312的除第二邊緣(其設置於+x方向上)之外之其餘邊緣皆由畫素界定層219覆蓋。因此，設置於第一畫素電極311及第二畫素電極312下方之保護層或平坦化層217在第一畫素電極311與第二畫素電極312之間並不由畫素界定層219覆蓋。此處，參照第2圖，第一畫素電極311之第一邊緣(設置於-x方向上)可稱作第一畫素電極311的位於一XY平面上、相鄰於第一開口219a之一中心部設置且面對第二畫素電極312(在-x方向上)的具有四個邊之一邊緣。此外，第二畫素電極312之第二邊緣(設置於+x方向上)可稱作第二畫素電極312的位於XY平面上、相鄰於第一開口219a之一中心部設置且面對第一畫素電極311(在+x方向上)的具有四個邊之一邊緣。
複數個其他畫素電極(諸如一畫素電極310R及一畫素電極310G)可設置於保護層或平坦化層217上。舉例而言，畫素電極310R可以是一紅色子畫素之一畫素電極，且畫素電極310G可以是一綠色子畫素之一畫素電極。在此情形中，第一畫素電極311及第二畫素電極312可以是藍色子畫素之畫素電極。參照第2圖，一個紅色子畫素、一個綠色子畫素及一個藍色子畫素可組態出一個畫素P，但實例性實施例並不限於此。亦即，畫素P可包含各種子畫素，且自該等子畫素發射之波長之光並不限於紅色光、綠色光及/或藍色光。
為實現一全色有機發光顯示裝置，各該畫素P可包含例如一紅色子畫素、一綠色子畫素及一藍色子畫素。此處，若自一個子畫素發射之光之亮度相對低於其他子畫素之亮度，則可增加光發射相對較低之子畫素之一光發射面積，以提高有機發光顯示裝置之總亮度。然而，各該子畫素可佔據之一面積(其對應於各該子畫素之一畫素電極可佔據之一面積)限制於該畫素之面積。
根據該等實例性實施例之有機發光顯示裝置包含未由畫素界定層219覆蓋的第一畫素電極311之某一部分及第二畫素電極312之某一部分，且因此，在不增加第一畫素電極311及第二畫素電極312之面積之情形下便可增加光發射面積。
更詳細而言，如第2圖中所示，該等其他畫素電極(包含畫素電極310R及畫素電極310G)之邊緣由畫素界定層219覆蓋。因此，僅暴露出畫素電極310R及畫素電極310G的未被畫素界定層219覆蓋之中心部，而並非是整個畫素電極310R及整個畫素電極310G(在第2圖中由虛線表示)。因此，畫素電極310R之僅外露部而非整個畫素電極310R變為子畫素之發射 區，且畫素電極310G之僅外露部而非畫素電極310G之整個部分變為子畫素之發射區。然而，若一紅色發射材料及/或一綠色發射材料具有一高發光效率，則即使紅色子畫素及/或綠色子畫素之發射面積減少，紅色光或綠色光亦可具有充足亮度。
被設置成彼此面對的第一畫素電極311之第一邊緣及第二畫素電極312之第二邊緣未由畫素界定層219覆蓋。因此，僅暴露出第一畫素電極311及第二畫素電極312的未被畫素界定層219覆蓋之部分，而並非是整個第一畫素電極311及第二畫素電極312(在第2圖中由虛線表示)，然而，除第一畫素電極311及第二畫素電極312之中心部以外，亦暴露出第一畫素電極311之第一邊緣及第二畫素電極312之第二邊緣。因此，可增加包含第一畫素電極311之子畫素之發射面積及包含第二畫素電極312之子畫素之發射面積。舉例而言，若一藍色發射材料具有低發光效率，則二個相鄰藍色子畫素可分別被形成為包含第一畫素電極311及第二畫素電極312，且因此藍色子畫素可發射具有充足或增加之亮度之藍色光。
如第1圖中所示，設置於第一畫素電極311及第二畫素電極312上之發射層321可被一體形成為對應於第一畫素電極311及第二畫素電極312二者。發射層321亦可包含分別形成於第一畫素電極311及第二畫素電極312上之複數個單獨發射層。參照第1圖，該有機發光顯示裝置可包含相對於複數個畫素電極共同設置之一電洞注入層(hole injection layer)或一電洞傳輸層(hole transport layer)(未顯示)，且發射層321(包含畫素電極310R及畫素電極310G)可設置於該電洞注入層或該電洞傳輸層(未顯示)上。另外，發射層321上可更設置有相對於該等畫素電極(包含畫素電極310R及畫素電極310G)共同形成之一電子傳輸層(electron transport layer)或一電 子注入層(electron injection layer)(未顯示)。
一相對電極(未顯示)位於包含發射層321之該等層上。該相對電極是共同對應於該等畫素電極(包含畫素電極310R及畫素電極310G)而被形成為一電極，且可以是一透明電極或一反射電極。當該相對電極(未顯示)是一透明電極時，該相對電極(未顯示)可包含：一層，包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)及其一化合物至少其中之一；以及一輔助電極(auxiliary electrode)或一匯流電極線(bus electrode line)(未顯示)，由一透明電極形成材料(諸如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦)形成。當該相對電極(未顯示)是一反射電極時，該相對電極(未顯示)可包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)及其一化合物至少其中之一。
一第一薄膜電晶體TFT1在第一畫素電極311下方被設置成電性連接至第一畫素電極311，且一第二薄膜電晶體TFT2在第二畫素電極312下方被設置成電性連接至第二畫素電極312。可形成電性連接至第一薄膜電晶體TFT1之一第一電容器Cap1及/或電性連接至第二薄膜電晶體TFT2之一第二電容器Cap2。可設置覆蓋第一薄膜電晶體TFT1及第二薄膜電晶體TFT2且是一絕緣層之保護層或平坦化層217。
經由保護層或平坦化層217中所形成之接觸孔，第一畫素電極311電性連接至第一薄膜電晶體TFT1，且第二畫素電極312電性連接至第二薄膜電晶體TFT2。參照第1圖及第2圖，電性連接至第一薄膜電晶體TFT1之第一畫素電極311之一第一連接部(connecting portion)311C及電性連接至第二薄膜電晶體TFT2之第二畫素電極312之一第二連接部312C可由畫素 界定層219覆蓋。
發射層321設置於第一畫素電極311及第二畫素電極312的未由畫素界定層219覆蓋之部分上。若電性連接至第一薄膜電晶體TFT1之第一畫素電極311之第一連接部311C及電性連接至第二薄膜電晶體TFT2之第二畫素電極312之第二連接部312C被畫素界定層219覆蓋，則發射層321亦可設置於第一連接部311C及第二連接部312C上，且因此，發射層321可能設置於不平整或不均勻之一表面上，且因此，亮度可能相依於在子畫素中之位置而變化。
在根據該實例性實施例之有機發光顯示裝置中，電性連接至第一薄膜電晶體TFT1之第一畫素電極311之第一連接部311C及電性連接至第二薄膜電晶體TFT2之第二畫素電極312之第二連接部312C由畫素界定層219覆蓋。因此，發射層321未設置於第一連接部311C及第二連接部312C上，且因此，發射層321可設置於平整且均勻之一表面上，且因此，一有機發光顯示裝置可具有相對較高品質。如第1圖中所示，發射層321可局部地設置於畫素界定層219上。
被設置成彼此面對的第一畫素電極311之第一邊緣及第二畫素電極312之第二邊緣未由畫素界定層219覆蓋。因此，第一連接部311C可位於第一畫素電極311的與第一邊緣相對且遠離第二畫素電極312(+x方向)設置之一邊緣中，且第二連接部312C可位於第二畫素電極312的與第二邊緣相對且遠離第一畫素電極311(-x方向)設置之一邊緣中。換言之，第一連接部311C可設置於第一畫素電極311的遠離第二畫素電極312之部分中，且第二連接部312C可設置於第二畫素電極312的遠離第一畫素電極311之部分中。
參照第2圖，該有機發光顯示裝置可包含第三畫素電極313，第三畫素電極313可自第一畫素電極311分開地設置於與第二畫素電極312相對(在+x方向上)之一側處。另外，一第四畫素電極314可自第二畫素電極312分開地設置於與第一畫素電極311相對(在-x方向上)之一側處。在此情形中，畫素界定層219可覆蓋除第三畫素電極313之一中心部及第四畫素電極314之一中心部之外的第三畫素電極313之一部分及第四畫素電極314之一部分。此可被理解為，畫素界定層219可具有一第二開口219b及一第三開口219c，其中第二開口219b暴露出第三畫素電極313之一中心部，且第三開口219c暴露出第四畫素電極314之一中心部。
參照第2圖，除第四畫素電極314之中心部以外，第三開口219c亦可暴露出面對第四畫素電極314且遠離第二畫素電極312(在-x方向上)設置之一第五畫素電極315之一中心部、以及第四畫素電極314及第五畫素電極315的彼此面對之邊緣。參照第2圖，除第三畫素電極313之中心部以外，第二開口219b亦可暴露出第三畫素電極313的與第一畫素電極311相對(+x方向)之一邊緣。雖然第2圖中未顯示，但第二開口219b亦可暴露出設置於第三畫素電極313的遠離第一畫素電極311(+x方向)之一側處之另一畫素電極之一中心部以及該畫素電極的面對第三畫素電極313之一邊緣。畫素界定層219亦覆蓋第三畫素電極313的面對第一畫素電極311之一第三邊緣及第四畫素電極314的面對第二畫素電極312之一第四邊緣。
一第一距離d1界定第一畫素電極311與第二畫素電極312間之距離。第一畫素電極311與第三畫素電極313間之一第二距離d2及第二畫素電極312與第四畫素電極314間之一第三距離d3可大於第一畫素電極311與第二畫素電極312間之第一距離d1。
發射層321可一體形成於第一畫素電極311及第二畫素電極312上。因此，當為形成發射層321而執行一種使用一遮罩進行之沉積方法時，該遮罩之一開口可具有與畫素界定層219之第一開口219a之形狀對應之一形狀。該發射層並非是對於第一畫素電極311及第三畫素電極313共同地形成。因此，當為形成該發射層而執行一種使用一遮罩進行之沉積方法時，該遮罩可具有對應於第一畫素電極311與第三畫素電極313間之一間隔之一凸條，以防止或減少該遮罩中之開口之變形。
由於發射層並不形成於與遮罩之凸條對應之一部分上，因此第一畫素電極311與第三畫素電極313間之第二距離d2及第二畫素電極312與第四畫素電極314間之第三距離d3可增加。因此，第二距離d2及第三距離d3可被形成為大於第一距離d1，且因此，該遮罩可包含複數個凸條，俾使形成發射層321及323所使用之遮罩中之開口之形狀之變形可減少。參照第2圖，位於該等畫素電極之間且不共有發射層之複數個部分可以曲折形位於顯示區上，俾使該遮罩可具有曲折形凸條，且該遮罩之一結構可具有提高之堅度。
另外，如同第一畫素電極311之第一連接部311C及第二畫素電極312之第二連接部312C，電性連接至一第三薄膜電晶體TFT3之第三畫素電極313之一第三連接部313C及電性連接至第四薄膜電晶體(未顯示)之第四畫素電極314之一第四連接部314C可由畫素界定層219覆蓋。因此，設置於第三畫素電極313或第四畫素電極314上之發射層可設置於一平整或均勻結構上，且因此，一有機發光顯示裝置可具有相對較高品質。參照第1圖，第三畫素電極313除電性連接至第三薄膜電晶體TFT3以外亦可電性連接至一第三電容器Cap3，且可以各種方式來加以修改。
第一連接部311C、第二連接部312C、第三連接部313C及第四連接部314C可對應於形成發射層321及323所使用之遮罩之凸條而設置。亦即，第一連接部311C是遠離第二畫素電極312(+x方向)設置於第一畫素電極311中，第二連接部312C是設置於第二畫素電極312的遠離第一畫素電極311(-x方向)之一部分中，第三連接部313C是設置於第三畫素電極313的面對第一畫素電極311(-x方向)之一部分處，且第四連接部314C是設置於第四畫素電極314的面對第二畫素電極312之一部分處。連接部311C、312C、313C及314C設置於其中將定位有形成發射層321或發射層323所使用之遮罩之凸條之處，且因此，發射區可被設置成彼此間隔開。因此，第一連接部至第四連接部311C、312C、313C及314C可在不減少發射區之面積之情形下被設置。
第3圖是根據一實例性實施例之一有機發光顯示裝置之一部分之一示意性平面圖。根據該實例性實施例之有機發光顯示裝置包含複數個畫素電極，該等畫素電極是沿著一x軸線彼此分開地連續排列。另外，畫素界定層219覆蓋除該等畫素電極之中心部及該等畫素電極其中之相鄰者間之邊緣之外的該等畫素電極之複數個部分。此可被理解為，畫素界定層219可包含一體形成之一開口219a，且開口219a暴露出該等畫素電極311之中心部及設置於該等畫素電極311其中之相鄰者之間的該等畫素電極311之邊緣。
諸如畫素電極310R及畫素電極310G等其他畫素電極可設置於保護層或平坦化層217上。舉例而言，畫素電極310R可被視為一紅色子畫素之一畫素電極，且畫素電極310G可被視為一綠色子畫素之一畫素電極。在此情形中，該等畫素電極311可以是複數個藍色子畫素之複數個畫素電 極。參照第3圖，一個紅色子畫素、一個綠色子畫素及一個藍色子畫素可組態出一個畫素P，但實例性實施例並不限於此。亦即，畫素P可包含各種子畫素，且自該等子畫素發射之波長之光並不限於紅色光、綠色光及/或藍色光。
為形成一全色有機發光顯示裝置，各該畫素P可包含例如一紅色子畫素、一綠色子畫素及一藍色子畫素。此處，若自某一子畫素發射之光之一亮度相對低於其他子畫素之亮度，則可增加光發射相對較低之子畫素之一光發射面積，以提高整個有機發光顯示裝置之亮度。然而，各該子畫素可佔據之一面積(其對應於各該子畫素之一畫素電極可佔據之一面積)限制於該畫素之面積。
根據本發明實例性實施例之有機發光顯示裝置包含設置於該等畫素電極311其中之相鄰者之間的該等畫素電極311之邊緣以及該等畫素電極311之中心部，該等中心部及邊緣不被畫素界定層219覆蓋，且因此，在不增加各該畫素電極311之一面積之情形下便可增加發射面積。
更詳細而言，如第3圖中所示，該其他畫素電極(包含畫素電極310R或畫素電極310G)之所有邊緣皆由畫素界定層219覆蓋。因此，僅暴露出畫素電極310R或畫素電極310G的未由畫素界定層219覆蓋之中心部，而並非是整個畫素電極310R或整個畫素電極310G(在第3圖中由虛線表示)。因此，僅外露部而非整個畫素電極310R變為子畫素之發射區，且僅外露部而非整個畫素電極310G變為子畫素之發射區。然而，若一紅色發射材料及/或一綠色發射材料具有高發光效率，則即使紅色子畫素及/或綠色子畫素之發射面積減少，紅色光或綠色光亦可具有充足亮度。
然而，設置於該等畫素電極311其中之相鄰者之間的該等畫 素電極311之邊緣以及該等畫素電極311之中心部未由畫素界定層219覆蓋。因此，僅暴露出未由畫素界定層219覆蓋之部分而並非是整個畫素電極311(在第3圖中以虛線表示)，包含該等畫素電極311之各該子畫素中之發射面積可增加。舉例而言，若一藍色發射材料之發光效率是低的，則藍色子畫素可被形成為具有該等畫素電極311，俾使該等藍色子畫素可發射具有充足或增加之亮度之藍色光。
設置於該等畫素電極311上之發射層可作為一體被形成為對應於該等畫素電極。該等發射層亦可包含位於該等畫素電極311上之一單獨發射層。
在沿著x軸線排列成一列之該等畫素電極311當中，在-x方向上位於一端處之最後一個畫素電極311之一邊緣(在-x方向上)及位於另一端(在+x方向上)處之最後一個畫素電極311之一邊緣(在+x方向上)由畫素界定層219覆蓋。各該畫素電極311中被配置成平行於一軸線(x軸線)延伸且自該畫素電極之一端延伸至另一端之二個邊緣亦由畫素界定層219覆蓋。
複數個薄膜電晶體電性連接至該等畫素電極311，且該等薄膜電晶體由保護層或平坦化層217覆蓋，保護層或平坦化層217是一絕緣層。該等畫素電極311位於保護層或平坦化層217上。該等畫素電極311電性連接至該等薄膜電晶體所經由的複數個連接部311C由畫素界定層219覆蓋。
因此，該發射層是對應於未被畫素界定層219覆蓋之該等畫素電極311設置。若該等畫素電極311電性連接至該等薄膜電晶體所經由的連接部311C未被畫素界定層覆蓋，且該發射層設置於連接部311C上，則該發射層可能設置於不平整或不均勻之一表面上，且因此，亮度可能相依於 在子畫素中之位置而變化。
在根據本實例性實施例之有機發光顯示裝置中，該等畫素電極311電性連接至該等薄膜電晶體所經由的連接部311C由畫素界定層219覆蓋。因此，發射層321並不設置於連接部311C上，且因此，該發射層可設置於平整或均勻之一表面上，且因此，該有機發光顯示裝置可具有高品質。在此情形中，該等畫素電極311電性連接至該等薄膜電晶體311所經由的連接部311C可位於該等畫素電極311的設置於一第二方向(+z方向或-z方向)上且自該等畫素電極311之一端延伸至另一端之複數個邊緣處，該第二方向垂直於該軸線(x軸線)。
根據一或多個實例性實施例，可獲得能夠在提高亮度之同時精確地顯示影像之有機發光顯示裝置。
雖然本文中已闡述某些實例性實施例及實施方案，但依據此說明，將明瞭其他實施例及潤飾。因此，本發明並不限於此等實施例，而是限於所提供之申請專利範圍及各種顯而易見之潤飾及等效配置的更寬範疇。
217‧‧‧保護層或平坦化層
219‧‧‧畫素界定層
219a‧‧‧第一開口
219b‧‧‧第二開口
219c‧‧‧第三開口
310G‧‧‧畫素電極
310R‧‧‧畫素電極
311‧‧‧第一畫素電極
311C‧‧‧第一連接部
312‧‧‧第二畫素電極
312C‧‧‧第二連接部
313‧‧‧第三畫素電極
313C‧‧‧第三連接部
314‧‧‧第四畫素電極
314C‧‧‧第四連接部
315‧‧‧第五畫素電極
d1‧‧‧第一距離
d2‧‧‧第二距離
d3‧‧‧第三距離
P‧‧‧畫素
x‧‧‧軸線、方向
y‧‧‧軸線、方向

Claims (15)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一第一畫素電極及一第二畫素電極，被設置成彼此相鄰且間隔開；以及一畫素界定層(pixel-defining layer)，設置於該第一畫素電極及該第二畫素電極上，該畫素界定層覆蓋除以下各者之外的該第一畫素電極之一部分及該第二畫素電極之一部分：該第一畫素電極之一中心部、該第二畫素電極之一中心部、該第一畫素電極在朝該第二畫素電極之一方向上之一第一邊緣及該第二畫素電極在朝該第一畫素電極之一方向上之一第二邊緣。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含一發射層，該發射層一體設置於該第一畫素電極及該第二畫素電極上。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該畫素界定層覆蓋該第一畫素電極的除該第一邊緣之外之複數個邊緣，且覆蓋該第二畫素電極的除該第二邊緣之外之複數個邊緣。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一第一薄膜電晶體，設置於該第一畫素電極下方，該第一薄膜電晶體在該第一畫素電極之一第一連接部(connecting portion)處電性連接至該第一畫素電極；一第二薄膜電晶體，設置於該第二畫素電極下方，該第二薄膜電晶體在該第二畫素電極之一第二連接部處電性連接至該第二畫素電極；以 及一絕緣層，覆蓋該第一薄膜電晶體及該第二薄膜電晶體，其中該第一畫素電極及該第二畫素電極設置於該絕緣層上，以及其中該畫素界定層覆蓋該第一畫素電極之該第一連接部及該第二畫素電極之該第二連接部。
  5. 如請求項4所述之有機發光顯示裝置，其中該第一連接部是對應於該第一畫素電極之一邊緣設置，該第一畫素電極之該邊緣是與該第一邊緣相對且遠離該第二畫素電極設置，以及其中該第二連接部是對應於該第二畫素電極之一邊緣設置，該第二畫素電極之該邊緣是與該第二邊緣相對且遠離該第一畫素電極設置。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一第三畫素電極，被設置成與該第一畫素電極間隔開，俾使該第一畫素電極設置於該第三畫素電極與該第二畫素電極之間；以及一第四畫素電極，被設置成與該第二畫素電極間隔開，俾使該第二畫素電極設置於該第四畫素電極與該第一畫素電極之間，其中該畫素界定層覆蓋除該第三畫素電極之一中心部及該第四畫素電極之一中心部之外的該第三畫素電極之一部分及該第四畫素電極之一部分，其中該第一畫素電極與該第三畫素電極間之一第二距離及該第二畫素電極與該第四畫素電極間之一第三距離二者皆大於該第一畫素電極與該第二畫素電極間之一第一距離。
  7. 如請求項6所述之有機發光顯示裝置，其中該畫素界定層覆蓋該第三畫素電極之一第三邊緣，該第三邊緣面對該第一畫素電極，以及其中該畫素界定層覆蓋該第四畫素電極之一第四邊緣，該第四邊緣面對該第二畫素電極。
  8. 如請求項7所述之有機發光顯示裝置，更包含：一第一薄膜電晶體，設置於該第一畫素電極下方，該第一薄膜電晶體在該第一畫素電極之一第一連接部處電性連接至該第一畫素電極；一第二薄膜電晶體，設置於該第二畫素電極下方，該第二薄膜電晶體在該第二畫素電極之一第二連接部處電性連接至該第二畫素電極；一第三薄膜電晶體，設置於該第三畫素電極下方，該第三薄膜電晶體在該第三畫素電極之一第三連接部處電性連接至該第三畫素電極；一第四薄膜電晶體，設置於該第四畫素電極下方，該第四薄膜電晶體在該第四畫素電極之一第四連接部處電性連接至該第四畫素電極；以及一絕緣層，覆蓋該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體、該第三薄膜電晶體及該第四薄膜電晶體，其中該第一畫素電極、該第二畫素電極、該第三畫素電極及該第四畫素電極設置於該絕緣層上，以及其中該畫素界定層覆蓋該第一畫素電極之該第一連接部、該第二畫素電極之該第二連接部、該第三畫素電極之該第三連接部及該第四畫素電極之該第四連接部。
  9. 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，其中該第一連接部是對應於該第一畫素電極之一邊緣設置，該第一畫素電極之該邊緣是與該第一邊緣相對且遠離該第二畫素電極設置，其中該第二連接部是對應於該第二畫素電極之一邊緣設置，該第二畫素電極之該邊緣是與該第二邊緣相對且遠離該第一畫素電極設置，其中該第三連接部是對應於該第三畫素電極之一邊緣設置，該第三畫素電極之該邊緣面對該第一畫素電極，以及其中該第四連接部是對應於該第四畫素電極之一邊緣設置，該第四畫素電極之該邊緣面對該第二畫素電極。
  10. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含：一其他畫素電極，自該第一畫素電極及該第二畫素電極分開設置，其中該畫素界定層覆蓋該其他畫素電極，但不覆蓋該其他畫素電極之一中心部，且該畫素界定層覆蓋該其他畫素電極之所有邊緣。
  11. 一種有機發光顯示裝置，包含：複數個畫素電極，排列成一列，各該畫素電極被設置成彼此間隔開；以及一畫素界定層，設置於該等畫素電極上，該畫素界定層覆蓋除該等畫素電極之中心部及該等畫素電極其中之相鄰者間之邊緣之外的該等畫素電極之複數個部分。
  12. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，更包含一發射層，該發射層一體設置於該等畫素電極上。
  13. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，其中該畫素界定層覆蓋：一第一畫素電極在一第一方向上之一邊緣，該第一畫素電極設置於排列成一列之該等畫素電極當中在該第一方向上之一端處；一第二畫素電極在一第二方向上之一邊緣，該第二方向相反於該第一方向，該第二畫素電極設置於排列成一列之該等畫素電極當中在該第二方向上之另一端處；以及各該畫素電極之二個邊緣，其中該二個邊緣平行於該第一方向及該第二方向延伸。
  14. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，更包含：複數個薄膜電晶體，設置於該等畫素電極下方，該等薄膜電晶體分別在該等畫素電極之複數個連接部處電性連接至該等畫素電極；以及一絕緣層，覆蓋該等薄膜電晶體，其中該等畫素電極設置於該絕緣層上，以及其中該畫素界定層覆蓋該等畫素電極之該等連接部。
  15. 如請求項11所述之有機發光顯示裝置，更包含：一其他畫素電極，自該等畫素電極分開設置，其中該畫素界定層覆蓋該其他畫素電極，但不覆蓋該其他畫素電極之一中心部，且該畫素界定層覆蓋該其他畫素電極之所有邊緣。
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