TWI565050B - 有機發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示器及其製造方法
相關申請案之交互參照
本專利申請案主張於2012年10月22日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請案號第10-2012-0117358號之優先權及效益，其全部揭露併入後文作為參考。
本發明係有關於一種有機發光顯示器及製造此有機發光顯示器之方法。
近年來，因為具有卓越之亮度與視角，且相對於液晶顯示器，不需要包括分開之光源，所以有機發光顯示器係備受矚目以作為下一代之顯示器裝置。因此，有機發光顯示器具有苗條及輕巧之優點。再者，此顯示器具有特點，例如快速反應速度、低功率損耗與高亮度等。
此顯示器一般包括具有陽極電極、有機發光層與陰極電極之有機發光裝置。電洞(holes)與電子(electrons)透過陽極電極與陰極電極，注入有機發光層中且於有機發光層中再組合以產生激子(excitons)(電子電洞對)。當激子從激發態回至基態時，會發出例如為光線之能量。有機發光層可藉由多種方法所形成，例如噴墨印刷製程或噴嘴印刷製程等。
從有機發光層發出之紅光、綠光與藍光彼此間具有不同之波長。為了增加顏色再現性，每一有機發光裝置之有機發光層係設定不同之厚度，且藉此調整陽極電極與陰極電極之間之共振距離(或光學長度)。一般而言，發射紅光之有機發光裝置之共振距離係最大的，且發射藍光之有機發光裝置之共振距離係最小的。因此，發射紅光之有機發光裝置之有機發光層之厚度係最厚的，且發射藍光之有機發光裝置之有機發光層之厚度係最薄的。
為了於每一像素中形成具有不同厚度之有機發光層，必須控制形成有機發光層所使用之有機材料之濃度，或控制噴射有機材料之噴射條件。再者，當許多次印刷有機材料於基板上時，會形成具有不同厚度之有機發光層。
本發明之一態樣係提供一種包括高均勻性有機發光裝置之有機發光顯示器。
本發明之另一態樣係提供一種製造此有機發光顯示器之方法。
本發明之態樣係提供一種有機發光顯示器，包括基板、配置於基板上之複數個薄膜電晶體、配置於此些薄膜電晶體上且各別具有開孔並各別具有彼此不同之第一、第二、與第三高度之第一、第二與第三像素定義層、以及 各別配置於第一、第二與第三像素定義層之開孔中，且連接於薄膜電晶體之第一、第二與第三有機發光裝置。第一、第二與第三像素定義層彼此間隔，且第一、第二與第三有機發光裝置具有相互不同之厚度，且第一、第二與第三有機發光裝置具有各別對應於第一、第二與第三像素定義層之第一、第二與第三高度之厚度。
第一像素定義層之第一高度係大於第二像素定義層之第二高度，且第二像素定義層之第二高度係大於第三像素定義層之第三高度。
第一有機發光裝置之厚度係厚於第二有機發光裝置之厚度，且第二有機發光裝置之厚度係厚於第三有機發光裝置之厚度。
本發明之有機發光顯示器更包括防護層以覆蓋薄膜電晶體，且第一、第二與第三像素定義層係配置於防護層上。每一第一、第二、與第三有機發光裝置包括配置於防護層上，且透過穿過防護層所形成之接觸孔而個別連接薄膜電晶體，並透過開孔而部分地暴露之第一電極、配置於第一電極上之有機發光層、以及配置於有機發光層上之第二電極。第二電極覆蓋有機發光層及第一、第二與第三像素定義層，開孔係形成以暴露第一電極之端部，且有機發光層係配置於位於開孔中之第一電極上。
有機發光層包括配置於穿過第一像素定義層所形成之開孔中之第一有機發光層、配置於穿過第二像素定義層所形成之開孔中之第二有機發光層、以及配置於穿過第三像素定義層所形成之開孔中之第三有機發光層。
第一有機發光層之厚度厚於第二有機發光層之厚度，且第二有機發光層之厚度厚於第三有機發光層之厚度。
第一有機發光層產生紅光，第二有機發光層產生綠光，且第三有機發光層產生藍光。
本發明之另一態樣係提供一種製造此有機發光顯示器之方法，包括準備一基板、形成複數個薄膜電晶體於基板上、形成第一、第二與第三像素定義層於薄膜電晶體上以使得第一、第二與第三像素定義層各別具有開孔且各別具有相互不同之第一、第二與第三高度、以及形成第一、第二與第三有機發光裝置於第一、第二與第三像素定義層之開孔中以使得第一、第二與第三有機發光裝置具有各別對應於第一、第二與第三高度之厚度且各別連接薄膜電晶體。第一、第二與第三像素定義層相互間隔。
第一像素定義層之第一高度係大於第二像素定義層之第二高度，且第二像素定義層之第二高度係大於第三像素定義層之第三高度。
第一有機發光裝置之厚度係厚於第二有機發光裝置之厚度，且第二有機發光裝置之厚度係厚於第三有機發光裝置之厚度。
此方法更包括形成防護層以覆蓋薄膜電晶體以及各別透過穿過防護層所形成之接觸孔，連接第一、第二與第三有機發光裝置與薄膜電晶體。第一、第二與第三像素定義層係配置於防護層上。
形成第一、第二與第三有機發光裝置之步驟包括形成第一電極於防護層上以各別透過接觸孔接觸薄膜電晶體以及透過開孔暴露出第一電極之部分、以第一像素定義層之第一高度，於第一、第二與第三像素定義層之開孔提供有機材料於第一電極上、提供溢出第二與第三像素定義層之開孔之有機材料給位於第一、第二與第三像素定義層之間之邊界區域、以及形成第二電極以覆蓋有機發光層及第一、第二與第三像素定義層，其中有機發光層係使用有機材料形成於第一、第二與第三像素定義層之開孔中。第一電極之端部係透過開孔以暴露出。
有機發光層包括配置於第一像素定義層之開孔中之第一有機發光層、配置於第二像素定義層之開孔中之第二有機發光層、以及配置於第三像素定義層之開孔中之第三有機發光層。
第一有機發光層之厚度厚於第二有機發光層之厚度，且第二有機發光層之厚度厚於第三有機發光層之厚度。
第一有機發光層產生紅光，第二有機發光層產生綠光，且第三有機發光層產生藍光。
有機材料係藉由噴墨印刷方法或噴嘴印刷方法提供於第一、第二與第三像素定義層之開孔中。
10、20、30．．．有機發光層
100．．．有機發光顯示器
110．．．顯示面板
111．．．基板
112．．．緩衝層
113．．．第一絕緣層
114．．．第二絕緣層
115．．．防護層
BA．．．邊界區域
D1、D2、D3．．．高度
DE．．．汲極電極
E1．．．第一電極
E2．．．第二電極
GE．．．閘極電極
H．．．接觸孔
H1．．．第一接觸孔
H2．．．第二接觸孔
NEO．．．非發光有機層
NOZ1．．．第一噴嘴
NOZ2．．．第二噴嘴
NOZ3．．．第三噴嘴
OLED1、OLED2、OLED3．．．有機發光裝置
OP．．．開孔
ORG．．．有機材料
PDL1、PDL2、PDL3．．．像素定義層
SE．．．源極電極
SM．．．半導體層
TFT．．．薄膜電晶體
第1圖係為根據本發明之實施例之有機發光顯示器之俯視圖。
第2圖係沿第1圖之I-I’線段所截取之剖面圖。
第3A至3E圖係為根據本發明之實施例之製造有機發光顯示器之方法之剖視圖。
其將理解的是，當一元件被稱為位於另一元件或層“上(on)”、“連接(connected to)”或“耦接(coupled to)”於另一元件或層時，其可直接位於其他元件或層上、直接連接或耦接於其他元件或層，或可存在中介元件。相反地，當一元件被稱為“直接位於其上(directly on)”、“直接連接(directly connected to)”或“直接耦接(directly coupled to)”於另一元件或層時，則中介元件並不存在。整份說明書中相同之參考符號代表相同之元件。當在此使用時，字詞“及/或(and/or)”係包括ㄧ或多個相關條列項目之任何及所有組合。
其將理解的是，儘管於此可使用“第一”及“第二”等用語描述各個元件、構件、區域、層及/或部位，但此些元件、構件、區域、層及/或部位並不應侷限於此些用語。此些用語僅係用以區分一元件、構件、區域、層或部位與另一元件、構件、區域、層或部位。因此，下述之第一元件、構件、區域、層或部位可描述為第二元件、構件、區域、層或部位，而不脫離本發明之實施例之教示。
空間相對用語，例如“下(beneath)”、“下(below)”、“下(lower)”、“上(above)”、“上(upper)”等可為了解釋方便而用以描述圖中所示之元件或特徵與其他元件或特徵間之關係。其將理解的是，除了圖式所繪示之定向以外，空間相對用語係旨在涵蓋裝置於使用或操作中之不同定向。舉例而言，當翻轉圖式中之裝置時，原本被描述為位於另一元件或特徵之“下(below)”或“下(beneath)”之元件將接著定向為位於另一元件或特徵之“上(above)”。因此，例示性用語“下(below)”可涵蓋上方及下方兩種定向。裝置亦可另外定向(例如，旋轉90度或其他定向)，且在此使用之空間相關用語將據此詮釋。
於此所使用之術語係僅用以描述特定之實施例之目的，且非旨在侷限本發明之實施例。當在此使用時，除非文字有另行清楚標示，否則單數形式“一(a)”、“一(an)”及“該(the)”係旨在一併包含複數形式。將進一步理解的是，若在此使用時，用語“包括(includes)”及/或“包含(including)”係指出提及之特徵、數字、步驟、作業、元件及/或構件之存在，但未排除其他一或多個特徵、數字、步驟、作業、元件、構件及/或其組合之存在或增加。
除非另行定義，否則在此所使用之用語(包括技術及科學用語)具有與本發明所屬領域具有通常知識者一般理解之相同意思。且將進一步理解的是，例如一般使用字典中所定義之用語應解釋為具有與相關領域之意義相符之意義，且除非於此明確地定義，否則將不予以理想化或過度正式化地詮釋。
以下，將參考伴隨之圖式詳細說明本發明之實施例。
第1圖係為根據本發明之實施例之有機發光顯示器之俯視圖，以及第2圖係沿第1圖之I-I’線段所截取之剖面圖。
參照第1圖及第2圖，有機發光顯示器100包括顯示面板110。顯示面板110包括基板111、配置於基板111上之複數個薄膜電晶體TFT、各別藉由此些薄膜電晶體中之一對應薄膜電晶體驅動之複數個有機發光裝置OLED1、OLED2及OLED3、以及各別定義此些有機發光裝置OLED1、OLED2及OLED3之一對應有機發光顯示裝置之複數個像素定義層PDL1、PDL2及PDL3。
此些像素定義層PDL1、PDL2及PDL3於空間上係彼此分開配置。此些像素定義層PDL1、PDL2及PDL3包括定義第一有機發光裝置OLED1之第一像素定義層PDL1、定義第二有機發光裝置OLED2之第二像素定義層PDL2以及定義第三有機發光裝置OLED3之第三像素定義層PDL3。
基板111可為由玻璃、石英或陶瓷所形成之透明絕緣基板，或是由塑膠所形成之透明可撓性基板。再者，基板111可為金屬基板，例如不銹鋼。
此些薄膜電晶體TFT具有相同之構造。以下，將詳細說明一個薄膜電晶體TFT以為一代表實施例。
緩衝層112係配置於基板111上。薄膜電晶體TFT之半導體層SM係配置於緩衝層112上。於一些實施例中，半導體層SM係由無機半導體材料或有機半導體材料，例如非晶矽或多晶矽等，所形成。再者，半導體層SM可由氧化物半導體材料所形成。儘管未繪示於第1圖，半導體層SM包括源極區域、汲極區域以及位於源極區域與汲極區域之間之通道區域。
第一絕緣層113係配置以覆蓋半導體層SM。第一絕緣層113可作為閘極絕緣層。薄膜電晶體TFT之閘極電極GE係配置於第一絕緣層113上，以至少部分交疊於半導體層SM上。舉例而言，閘極電極GE至少部份交疊於半導體層SM之通道區域上。閘極電極GE係電性連接於閘極線(未繪示)以施加開關訊號開關薄膜電晶體。
第二絕緣層114係配置以覆蓋閘極電極GE。第二絕緣層114可作為中間絕緣層(inter-insulating layer)。薄膜電晶體TFT之源極電極SE及汲極電極DE係彼間隔配置於第二絕緣層114上。源極電極SE係透過穿過第一絕緣層113及第二絕緣層114所形成之第一接觸孔H1，連接於半導體層SM。舉例而言，源極電極SE係連接於半導體層SM之源極區域。汲極電極DE係透過穿過第一絕緣層113及第二絕緣層114所形成之第二接觸孔H2，連接於半導體層SM。亦即，汲極電極DE係連接於半導體層SM之汲極區域。
防護層115係配置以覆蓋薄膜電晶體之源極電極SE及汲極電極DE。防護層115係平坦化基板111之上表面，且可由矽氧化物(silicon oxide, SiO 2 )與矽氮化物(silicon nitride, SiN x )所形成。防護層115可作為保護層。
有機發光裝置OLED1、OLED2及OLED3之第一電極E1係配置於防護層115上。第一電極E1係各別透過接觸孔H連接薄膜電晶體TFT之汲極電極DE，其中接觸孔H係穿過防護層115所形成。第一電極E1可作為像素電極或陽極電極。
第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3係配置於防護層115上。於一些實施例中，第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3包括穿過其中之開孔OP，且具有不同之高度D1、D2及D3。此些高度D1、D2及D3係由第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3之底表面至頂表面之間之高度所定義。於一些實施例中，第一像素定義層PDL1之第一高度D1係大於第二像素定義層PDL2之第二高度D2，第二像素定義層PDL2之第二高度D2係大於第三像素定義層PDL3之第三高度D3。
每一第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3係形成以覆蓋此些第一電極E1之一對應第一電極之端部。每一第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3之開孔OP暴露此些第一電極E1之一對應第一電極之預定部分。第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3可由有機絕緣材料所形成。每一第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3亦可藉由依序堆疊無機絕緣層及有機絕緣層所形成。
有機發光層10、20及30係各別配置於透過第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2及第三像素定義層PDL3之開孔OP所暴露出之第一電極E1上。有機發光層10、20及30包括形成於第一像素定義層PDL1之開孔OP中之第一有機發光層10、形成於第二像素定義層PDL2之開孔OP中之第二有機發光層20、以及形成於第三像素定義層PDL3之開孔OP中之第三有機發光層30。
第一有機發光層10、第二有機發光層20及第三有機發光層30包括產生例如紅光、綠光及藍光之光線之有機材料，且有機發光顯示器100藉由結合紅光、綠光及藍光，顯示白色之顏色。舉例而言，第一有機發光層10產生紅光，第二有機發光層20產生綠光，以及第三有機發光層30產生藍光。
介於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之間之區域係定義為邊界區域BA。用以形成第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30之有機材料係以第一像素定義層PDL1之第一高度D1，設置於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP中。由於本發明係以第一像素定義層PDL1之第一高度D1提供有機材料，因此有機材料可溢出第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之上端外。此溢出第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3外之有機材料係提供給邊界區域BA。藉此，提供給第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP之有機材料係以第二高度D2填充於第二像素定義層PDL2之開孔OP中，以及以第三高度D3填充於第三像素定義層PDL3之開孔OP中。填充第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP之方法將於後續詳述之。
有機材料係被乾燥以形成第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30。由於當乾燥後，有機材料之體積會降低，因此如第2圖所示，有機發光層10、20與30之高度係各別小於第一高度D1、第二高度D2與第三高度D3。第一有機發光層10之厚度係厚於第二有機發光層20之厚度，且第二有機發光層20之厚度係厚於第三有機發光層30之厚度。亦即，本發明可使用具有第一高度D1之第一像素定義層PDL1、具有第二高度D2之第二像素定義層PDL2與具有第三高度D3之第三像素定義層PDL3，輕易控制第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30之高度，其中第一高度D1、第二高度D2與第三高度D3彼此相互不同。
當提供給邊界區域BA之有機材料乾燥後，則形成了有機層。形成於邊界區域BA中之有機層用以作為非發光有機層NEO。
即使有機材料可能殘留於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之上表面上，但由於相比於提供給邊界區域BA之有機材料，殘留於像素定義層之上表面上之有機材料為非常小之數量，且當乾燥時，殘留於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之上表面上之有機材料之體積係更多下降。因此，為了方便解釋，第2圖將忽略殘留於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之上表面上之有機材料。
第二電極E2係配置於有機發光層10、20與30上。舉例而言，第二電極E2係配置於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2、與第三像素定義層PDL3、第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30上。第二電極E2可用以作為共用電極(common electrode)或陰極電極(cathode electrode)。
第一電極E1係為透明電極(transparent electrode)或反射電極(reflective electrode)。當第一電極E1為透明電極，則第一電極E1包括銦錫氧化物(indium tin oxide, ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide, IZO)或鋅氧化物(zinc oxide, ZnO)。而當第一電極E1為反射電極，則第一電極E1包括反射層與透明導電層，其中反射層係由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻或上述金屬之合金所形成，透明導電層係由銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋅氧化物所形成。
第二電極E2係為透明電極或反射電極。當第二電極E2為透明電極，則第二電極E2包括藉由沉積所形成之層狀結構與使用透明導電材料形成於此層狀結構上之輔助電極(auxiliary electrode)，其中舉例而言，層狀結構係由鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂或上述物質之合金所形成，且此層狀結構面對有機發光層，而透明導電材料可例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物或鋅氧化物等。而當第二電極E2為反射電極，則第二電極E2可由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁或上述金屬之合金所形成。
於一些實施例中，第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30係由低分子有機材料或高分子有機材料所形成。儘管圖式並未繪示，每一有機發光層10、20與30各別具有包括有電洞注入層(hole injection layer, HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer, HTL)、發射層(emission layer, EML)、電子傳輸層(electron transport layer, ETL)與電子注入層(electron injection layer, EIL)之多層結構。舉例而言，電洞注入層配置於作為正極之第一電極E1上，且電洞傳輸層、發射層、電子傳輸層與電子注入層係依序堆疊於電洞注入層上。
第一電極E1可具有如電洞注入層之正極性(positive polarity)，且第二電極E2可具有如電子注入層之負極性(negative polarity)。亦或者，根據有機發光顯示器100之驅動方法，第一電極E1具有負極性以及第二電極E2具有正極性。
第一、第二與第三有機發光裝置OLED1、OLED2與OLED3包括第一電極E1、第一、第二與第三有機發光層10、20與30以及第二電極E2。舉例而言，第一有機發光裝置OLED1包括對應之第一電極E1、第一有機發光層10與第二電極E2。第二有機發光裝置OLED2包括對應之第一電極E1、第二有機發光層20與第二電極E2。第三有機發光裝置OLED3包括對應之第一電極E1、與第三有機發光層30與第二電極E2。
由於第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30具有不同之厚度，所以第一有機發光裝置OLED1、第二有機發光裝置OLED2與第三有機發光裝置OLED3具有不同之厚度。舉例而言，有機發光裝置OLED1、OLED2與OLED3各別具有對應於像素定義層PDL1、PDL2與PDL3之高度D1、D2與D3之厚度。因此，第一有機發光裝置OLED1之厚度係厚於第二有機發光裝置OLED2之厚度，且第二有機發光裝置OLED2之厚度係厚於第三有機發光裝置OLED3之厚度。
有機發光層10、20、30之厚度可藉由光學長度而定義之，即介於第一電極E1與第二電極E2之間之距離。有機發光裝置OLED1、OLED2與OLED3之光學長度可被設定以對應於有機發光層10、20與30之波長。藉此增加發射光之色純度與光效率，藉以可增加有機發光顯示器100之顏色再現性(color reproducibility)。
由於薄膜電晶體，驅動源電壓係施加於第一電極E1，且具有與驅動源電壓相反極性之源電壓係施加於第二電極E2，藉以讓有機發光裝置OLED1、OLED2與OLED3之有機發光層10、20與30發射光線。於此實施例中，注入於第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30中之電洞及電子係再組合以產生激子(電子電洞對)，且當激子從激發態回至基態時，有機發光裝置OLED1、OLED2與OLED3發射光線。因此，有機發光裝置OLED1、OLED2與OLED3依據電流流量發出紅光、綠光與藍光，藉此顯示預定之影像資訊。由於第一電極E1並未形成於邊界區域BA中，所以配置於邊界區域BA中之非發光有機層NEO未發射光線。
由於有機發光顯示器100可藉由使用第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3，設定第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30之厚度，所以有機發光顯示器100可增加顏色再現性。
第3A至3E圖係為根據本發明之實施例之製造有機發光顯示器之方法之剖視圖。
參照第3A圖，此方法係先準備基板111以及形成薄膜電晶體TFT於基板111上。舉例而言，緩衝層112係形成於基板111上，且薄膜電晶體TFT係形成於緩衝層112上。此薄膜電晶體之構造係相同於前述所提供之薄膜電晶體。
參照第3B圖，防護層115係形成於基板111上以覆蓋薄膜電晶體TFT。防護層115係設置有穿透之接觸孔H以暴露出薄膜電晶體之汲極電極。第一電極E1係形成於防護層115上。第一電極E1係各別透過接觸孔H，連接於薄膜電晶體。舉例而言，第一電極E1係各別連接於薄膜電晶體之汲極電極DE。
參照第3C圖，第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3係形成於防護層115上。第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3具有相互不同之第一高度D1、第二高度D2與第三高度D3，且形成有穿過其之開孔OP。第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3係彼相隔。第一像素定義層PDL1具有第一高度D1，第二像素定義層PDL2具有小於第一高度D1之第二高度D2，以及第三像素定義層PDL3具有小於第二高度D2之第三高度D3。
第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3係被形成以覆蓋第一電極E1之端部。第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP係各別暴露出第一電極E1之部份。
參照第3D圖，有機材料ORG係使用第一噴嘴NOZ1、第二噴嘴NOZ2與第三噴嘴NOZ3提供於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP中。
有機材料ORG係以第一像素定義層PDL1之第一高度D1提供於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP中。因為有機材料ORG係以第一像素定義層PDL1之第一高度D1而提供，所以有機材料ORG可溢出第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP。溢出第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP之有機材料ORG可提供給邊界區域BA。因此，提供給第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP之有機材料ORG係各別以第二像素定義層PDL2之第二高度D2與第三像素定義層PDL3之第三高度D3，填充於第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP中。
有機材料ORG使用噴墨印刷製程或噴嘴印刷製程，填充於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP中。第3D圖顯示噴墨印刷製程以作為範例。
參照第3E圖，提供於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之開孔OP中之有機材料ORG係被乾燥，藉以形成第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30。再者，提供於邊界區域BA上之有機材料ORG亦被乾燥以形成非發光層NEO。
由於當有機材料ORG被乾燥時，有機材料ORG之體積會下降，所以第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30之高度係各別小於第一像素定義層PDL1之第一高度D1、第二像素定義層PDL2之第二高度D2與第三像素定義層PDL3之第三高度D3。第一有機發光層10之厚度係厚於第二有機發光層20之厚度，且第二有機發光層20之厚度係厚於第三有機發光層30之厚度。因此，本發明可使用具有第一高度D1、第二高度D2與第三高度D3之對應像素定義層PDL1、PDL2與PDL3，輕易控制第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30之高度，其中第一高度D1、第二高度D2與第三高度D3彼此相互不同。
如上所述，有機材料殘留於第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2與第三像素定義層PDL3之上表面上。
第二電極E2係形成以覆蓋第一像素定義層PDL1、第二像素定義層PDL2、與第三像素定義層PDL3、第一有機發光層10、第二有機發光層20與第三有機發光層30。
當像素定義層形成於防護層上之晶格狀層中且具有均勻之高度時，控制用以形成有機發光層之有機材料之濃度或控制噴射有機材料之噴射條件，藉以於每一像素中形成具有不同厚度之有機發光層。再者，當許多次印刷有機材料於基板上時，會形成具有不同厚度之有機發光層。於那些例子中，然而，會發生有機材料於乾燥時間或於印刷時間上會有所不同。就結果而言，由於開始之印刷有機材料與後來之印刷有機材料之乾燥時間之間之差異，會降低有機發光層之均勻性。再者，因為必須控制有機材料之濃度與噴射條件，所以會複雜化形成像素定義層之製程。因此，會異常增加製程時間與製造成本。
而於本發明之實施例中，有機材料ORG於像素定義層PDL1、PDL2與PDL3之製造程序中係一次提供，且藉由使用像素定義層PDL1、PDL2與PDL3之高度D1、D2與D3，形成具有不同厚度之有機發光層10、20與30。藉此，簡單化有機材料ORG之噴射時間，以及於像素定義層PDL1、PDL2與PDL3之製造程序中，有機材料ORG係足以一次設置於開孔OP中。
根據揭露之實施例之至少一者，本發明可簡單化有機材料之濃度與噴射條件。藉此，可防止發生於乾燥時間與於印刷時間中之差異。因此，可增加複數個有機發光裝置之均一性，且可簡單化有機發光裝置之製造程序。
雖然本發明已描述部分實施例，其將理解的是，本發明不需限制於所揭露之實施例，相對地，所屬技術領域具有通常知識者於符合本發明之精神與範疇而進行之各種修改均應包含於後附之申請專利範圍中。
100．．．有機發光顯示器
110．．．顯示面板
OLED1、OLED2、OLED3．．．有機發光裝置
OP．．．開孔
PDL1、PDL2、PDL3．．．像素定義層

Claims (1)


1.一種有機發光顯示器，包含：

一基板；

一第一薄膜電晶體、一第二薄膜電晶體及一第三薄膜電晶體，配置於該基板上；

一第一像素定義層、一第二像素定義層及一第三像素定義層，各別配置於該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體上，且各別具有相互不同之一第一高度、一第二高度及一第三高度，其中，每一該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層中形成有一開孔；以及

一第一有機發光裝置、一第二有機發光裝置及一第三有機發光裝置，各別配置於該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層之該開孔中，且各別電性連接該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體，

其中該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層係相互分隔，其中該第一有機發光裝置、該第二有機發光裝置及該第三有機發光裝置具有相互不同之一厚度，且各別對應於該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層之該第一高度、該第二高度及該第三高度。

2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，其中該第一像素定義層之該第一高度係大於該第二像素定義層之該第二高度，以及該第二像素定義層之該第二高度係大於該第三像素定義層之該第三高度。

3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示器，其中該第一有機發光裝置之該厚度係大於該第二有機發光裝置之該厚度，以及其中該第二有機發光裝置之該厚度係大於該第三有機發光裝置之該厚度。

4.如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器，更包含一防護層配置以覆蓋該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體，其中該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層係配置於該防護層上，其中每一該第一有機發光裝置、該第二有機發光裝置及該第三有機發光裝置包含：

複數個第一電極，配置於該防護層上，且各別透過穿過於該防護層之一接觸孔，連接該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體；

複數個有機發光層，各別配置於該複數個第一電極上；以及

一第二電極，配置於該複數個有機發光層上，其中該第二電極覆蓋該複數個有機發光層以及該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層，其中該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層覆蓋該複數個第一電極之端部，以及其中該複數個有機發光層係配置於該些開孔中之該複數個第一電極上。

5.如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示器，其中該複數個有機發光層包含：

一第一有機發光層，配置於穿過該第一像素定義層之該開孔中；

一第二有機發光層，配置於穿過該第二像素定義層之該開孔中；以及

一第三有機發光層，配置於穿過該第三像素定義層之該開孔中。

6.如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示器，其中該第一有機發光層之厚度大於該第二有機發光層之厚度，以及其中該第二有機發光層之厚度大於該第三有機發光層之厚度。

7.如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示器，其中該第一有機發光層係配置以產生一紅光，其中該第二有機發光層係配置以產生一綠光以及其中該第三有機發光層係配置以產生一藍光。

8.一種製造有機發光顯示器之方法，包含：

準備一基板；

於該基板上形成一第一薄膜電晶體、一第二薄膜電晶體及一第三薄膜電晶體；

各別於該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體上形成一第一像素定義層、一第二像素定義層及一第三像素定義層，其中於每一該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層中形成一開孔，以及其中該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層各別具有相互不同之一第一高度、一第二高度及一第三高度；以及

各別於該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層之該開孔中形成一第一有機發光裝置、一第二有機發光裝置及一第三有機發光裝置，其中該第一有機發光裝置、該第二有機發光裝置及該第三有機發光裝置各別具有對應於該第一高度、該第二高度及該第三高度之一厚度，且各別電性連接於該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體，

其中該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層係相互分隔。

9.如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一像素定義層之該第一高度係大於該第二像素定義層之該第二高度，以及其中該第二像素定義層之該第二高度係大於該第三像素定義層之該第三高度。

10.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一有機發光裝置之該厚度係大於該第二有機發光裝置之該厚度，以及其中該第二有機發光裝置之該厚度係大於該第三有機發光裝置之該厚度。

11.如申請專利範圍第9項所述之方法，更包含：

形成一防護層以覆蓋該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體；以及

透過穿過該防護層之一接觸孔，各別連接該第一有機發光裝置、該第二有機發光裝置及該第三有機發光裝置至該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體，其中該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層配置於該防護層上。

12.如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該第一有機發光裝置、該第二有機發光裝置及該第三有機發光裝置之步驟包含：

於該防護層上形成複數個第一電極以透過該些接觸孔各別連接該第一薄膜電晶體、該第二薄膜電晶體及該第三薄膜電晶體；

以該第一像素定義層之該第一高度，於該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層之該些開孔中之該複數個第一電極上提供一有機材料；

提供溢出該第二像素定義層及該第三像素定義層之該些開孔之該有機材料至介於該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層之間之複數個邊界區域；以及

形成一第二電極以覆蓋複數個有機發光層及該些像素定義層，其中該複數個有機發光層係使用該有機材料各別形成於該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層之該些開孔中，以及其中該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層覆蓋該複數個第一電極之端部。

13.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該複數個有機發光層包含：

一第一有機發光層，配置於穿過該第一像素定義層之該開孔中；

一第二有機發光層，配置於穿過該第二像素定義層之該開孔中；以及

一第三有機發光層，配置於穿過該第三像素定義層之該開孔中。

14.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該第一有機發光層之厚度大於該第二有機發光層之厚度，以及其中該第二有機發光層之厚度大於該第三有機發光層之厚度。

15.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第一有機發光層產生一紅光，其中該第二有機發光層產生一綠光，以及其中該第三有機發光層產生一藍光。

16.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該有機材料係以一噴射印刷方法或一噴嘴印刷方法提供於該第一像素定義層、該第二像素定義層及該第三像素定義層之該些開孔中。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012070085A1 (ja) * 2010-11-24 2012-05-31 パナソニック株式会社 有機ｅｌパネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌパネルの製造方法
JP6221418B2 (ja) 2013-07-01 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
DE112014004839T5 (de) * 2013-10-22 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR102201827B1 (ko) * 2014-09-16 2021-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법
CN104681592B (zh) * 2014-12-23 2018-01-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置
KR102381289B1 (ko) 2015-02-26 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104659071B (zh) 2015-03-16 2017-10-31 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种amoled显示面板制作方法及制作装置
CN105070739B (zh) * 2015-08-17 2018-06-01 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示装置
JP2017059314A (ja) 2015-09-14 2017-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102440237B1 (ko) * 2015-11-03 2022-09-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치
CN105489631A (zh) * 2015-12-22 2016-04-13 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
KR102574594B1 (ko) * 2016-07-29 2023-09-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
US10141377B2 (en) 2016-07-29 2018-11-27 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
TWI791481B (zh) * 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
TWI763772B (zh) * 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
CN107425126B (zh) * 2017-04-27 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构、有机发光器件及其封装方法、显示装置
TWI640075B (zh) * 2017-10-31 2018-11-01 友達光電股份有限公司 像素發光裝置
KR102599232B1 (ko) * 2017-11-28 2023-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6805221B2 (ja) * 2017-12-15 2020-12-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、および、その製造方法
JP2019114484A (ja) 2017-12-26 2019-07-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示素子、及び電子機器
JP6808662B2 (ja) * 2018-01-15 2021-01-06 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、および、有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置
CN108400146B (zh) * 2018-01-31 2020-08-04 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及显示装置
CN108538886B (zh) 2018-03-28 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示基板、显示装置
CN108630734B (zh) * 2018-05-11 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制备方法以及显示面板和显示装置
CN109309112B (zh) * 2018-09-18 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN109830507A (zh) * 2019-01-09 2019-05-31 昆山国显光电有限公司 Oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置
CN109904196A (zh) 2019-01-30 2019-06-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、电子装置
CN110071157B (zh) * 2019-04-28 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置
WO2020257971A1 (en) 2019-06-24 2020-12-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, method for manufacturing display substrate, and display apparatus
CN111063831B (zh) * 2019-12-04 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制造方法、oled显示器
CN111063817A (zh) * 2019-12-23 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、有机发光显示器
CN111584605B (zh) * 2020-05-29 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置
CN113745406B (zh) * 2021-11-04 2022-02-08 惠科股份有限公司 像素结构及其制备方法和显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093441A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-05 Albrecht Uhlig Flat display device and method of manufacturing the same
TWI301728B (en) * 2005-04-22 2008-10-01 Ritdisplay Corp Active matrix oled
JP2010262940A (ja) * 2004-10-28 2010-11-18 Sharp Corp 有機エレクトロルミネセンスパネル及びその製造方法
TW201214834A (en) * 2010-02-01 2012-04-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900470B2 (en) * 2001-04-20 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and method of manufacturing the same
WO2002089211A1 (en) * 2001-04-26 2002-11-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent device and method for manufacturing thereof
JP4475942B2 (ja) * 2003-12-26 2010-06-09 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100672417B1 (ko) 2004-05-19 2007-01-24 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자
KR100721554B1 (ko) * 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR100685804B1 (ko) 2004-12-14 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP4830328B2 (ja) * 2005-03-25 2011-12-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置
KR20070054799A (ko) * 2005-11-24 2007-05-30 삼성전자주식회사 디스플레이장치 및 그 제조방법
JP2007294413A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Canon Inc 有機ｅｌパネル及びその製造方法
KR20080061673A (ko) 2006-12-28 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
US8221177B2 (en) * 2007-02-28 2012-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL panel including an element substrate dehydrated in a shorter time and method for manufacturing the same
JP5125886B2 (ja) * 2008-08-26 2013-01-23 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP5117326B2 (ja) * 2008-08-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 カラー表示装置及びその製造方法
JP2010114428A (ja) * 2008-10-10 2010-05-20 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
KR101084177B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR101084243B1 (ko) * 2009-12-14 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20110077838A (ko) 2009-12-30 2011-07-07 주식회사 동부하이텍 유기발광다이오드 소자의 제조 방법
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101117737B1 (ko) * 2010-03-02 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101659953B1 (ko) * 2010-03-30 2016-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101680765B1 (ko) * 2010-11-17 2016-11-30 삼성전자주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 접이식 디스플레이 장치
JP5617700B2 (ja) * 2011-03-07 2014-11-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
TWI562424B (en) * 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093441A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-05 Albrecht Uhlig Flat display device and method of manufacturing the same
JP2010262940A (ja) * 2004-10-28 2010-11-18 Sharp Corp 有機エレクトロルミネセンスパネル及びその製造方法
TWI301728B (en) * 2005-04-22 2008-10-01 Ritdisplay Corp Active matrix oled
TW201214834A (en) * 2010-02-01 2012-04-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

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