JP6221418B2 - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば有機ＥＬ材料等の発光材料を利用した発光装置に関する。

例えば有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板上に平面状に配列した発光装置が各種の電子機器の表示装置として従来から提案されている。特許文献１には、周囲にバンクが形成された領域に発光素子を形成した発光装置が開示されている。具体的には、基板の面上に画素毎に個別に形成された第１電極（陽極）の周囲にバンクが形成され、バンクで包囲された領域に発光層が形成され、発光層とバンクとを覆う第２電極（陰極）が基板の全域にわたり形成される。各発光素子には、発光層からの出射光を反射層と半透過反射層（第２電極）との間で共振させる共振構造が形成される。共振構造の共振波長は、反射層と半透過反射層との間に形成された光路長調整層の膜厚に応じて各画素の表示色毎に個別に設定される。

特開２０１０−５６０１７号公報

特許文献１の技術では、相異なる表示色に対応する画素毎に反射層と半透過反射層との間の光路長調整層の膜厚が相違するため、光路長調整層より上層に形成される各層において光路長調整層の膜厚の相違に起因する段差が生じる。また、特許文献１の技術では、基板上にバンクが形成される領域と各発光素子に対応してバンクが除去された領域（例えば発光領域）との間に、バンクの膜厚に応じた段差が生じる。各層における段差は、例えば導電層の断線や短絡等の成膜不良の原因となり得る。以上の事情を考慮して、本発明は、発光装置において各層の段差を低減することを目的とする。

以上の課題を解決するために、本発明の発光装置は、発光機能層を挟む反射層と半透過反射層との間で発光機能層からの出射光を共振させる共振構造を有する第１発光素子および第２発光素子と、反射層と半透過反射層との間に絶縁材料で形成され、第１発光素子および第２発光素子の各々に対応する開口部が形成された画素定義層とが基体上に形成され、第１発光素子における反射層および半透過反射層の第１間隔と、第２発光素子における反射層および半透過反射層の第２間隔とは相違し、画素定義層の膜厚は、第１間隔と第２間隔との差分を下回る。以上の構成によれば、画素定義層の膜厚が第１間隔と第２間隔との差分を下回るため、画素定義層の膜厚に起因した各層の段差を低減することが可能である。

なお、反射層と半透過反射層との間で発光機能層からの出射光を共振させる共振構造を各発光素子に形成し、かつ、各発光素子に対応する開口部を有する画素定義層を反射層と半透過反射層との間に形成した構成では、画素定義層の開口部の内周面の近傍の領域における反射層と半透過反射層との間隔が、画素定義層の膜厚の影響で目標の間隔（表示色に対応する共振長）とは相違し、結果的に所期の表示色とは別個の表示色が知覚される可能性がある。前述の好適な態様では、画素定義層の膜厚は、第１間隔と第２間隔との差分を下回る。したがって、画素定義層の膜厚が第１間隔と第２間隔との差分を上回る構成と比較して、画素定義層の開口部の内周面の近傍の領域における反射層と半透過反射層との間隔に与える画素定義層の影響が低減されるという利点ある。

本発明の好適な態様において、発光装置は、第１発光素子および第２発光素子を覆う封止層を具備し、封止層の膜厚は、第１間隔と第２間隔との差分を上回る。以上の態様では、第１間隔と第２間隔との差分を上回る膜厚で封止層が形成されるから、各発光素子の共振長の相違に起因した段差を封止層の表面にて有効に低減できるという利点がある。第１発光素子および第２発光素子の各々は、第１電極と、第１電極からみて基体とは反対側に位置するとともに半透過反射層として機能する第２電極と、第１電極と第２電極との間に位置する発光機能層とを含む構成では、封止層は、第２電極の表面に直接に接触する絶縁層（例えば第１封止層７１）である。

以上の各態様に係る発光装置は、例えば表示装置として各種の電子機器に利用される。具体的には、頭部装着型の表示装置や撮像装置の電子式ビューファインダー等が本発明の電子機器の好適例として例示され得るが、本発明の適用範囲は以上の例示に限定されない。

本発明の第１実施形態の発光装置の平面図である。 画素の回路図である。 発光装置の断面図である。 発光装置の断面図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 第１電源導電体および第２電源導電体の模式図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 基板上に形成される各要素の説明図である。 光路調整層に着目した各表示画素の断面図である。 画素定義層の開口部の内周面に着目した各表示画素の断面図である。 封止体の第２封止層の説明図である。 第２実施形態の光路調整層に着目した各表示画素の断面図である。 第３実施形態の発光装置の平面図である。 電子機器の一例たる頭部装着型の表示装置の模式図である。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１００の平面図である。第１実施形態の発光装置１００は、有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板１０の面上に形成した有機ＥＬ装置である。基板１０は、珪素（シリコン）等の半導体材料で形成された板状部材（半導体基板）であり、複数の発光素子が形成される基体（下地）として利用される。図１に例示される通り、基板１０の表面は、第１領域１２と第２領域１４とに区分される。第１領域１２は矩形状の領域であり、第２領域１４は、第１領域１２を包囲する矩形枠状の領域である。

第１領域１２には、Ｘ方向に延在する複数の走査線２２と、各走査線２２に対応してＸ方向に延在する複数の制御線２４と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在する複数の信号線２６とが形成される。複数の走査線２２と複数の信号線２６との各交差に対応して画素Ｐ（ＰD，ＰE）が形成される。したがって、複数の画素Ｐは、Ｘ方向およびＹ方向にわたり行列状に配列する。

第２領域１４には駆動回路３０と複数の実装端子３６とガードリング３８とが設置される。駆動回路３０は、各画素Ｐを駆動する回路であり、第１領域１２をＸ方向に挟む各位置に設置された２個の走査線駆動回路３２と、第２領域１４のうちＸ方向に延在する領域に設置された信号線駆動回路３４とを含んで構成される。複数の実装端子３６は、信号線駆動回路３４を挟んで第１領域１２とは反対側の領域内に形成され、基板１０に接合される可撓性の配線基板（図示略）を介して制御回路や電源回路等の外部回路（例えば配線基板上に実装された電子回路）に電気的に接続される。

第１実施形態の発光装置１００は、基板１０の複数個分に相当するサイズの原基板の切断（スクライブ）で複数個が一括的に形成される。図１のガードリング３８は、原基板の切断時の衝撃や静電気の影響が駆動回路３０または各画素Ｐに波及することや各基板１０の端面（原基板の切断面）からの水分の侵入を防止する。図１に例示される通り、ガードリング３８は、駆動回路３０と複数の実装端子３６と第１領域１２とを包囲する環状（矩形枠状）に形成される。

図１の第１領域１２は、表示領域１６と周辺領域１８とに区分される。表示領域１６は、各画素Ｐの駆動により実際に画像が表示される領域である。周辺領域１８は、表示領域１６を包囲する矩形枠状の領域であり、表示領域１６内の各画素Ｐに構造は類似するが実際には画像の表示に寄与しない画素Ｐ（以下「ダミー画素ＰD」という）が配置される。周辺領域１８内のダミー画素ＰDとの表記上の区別を明確化する観点から、以下の説明では、表示領域１６内の画素Ｐを「表示画素ＰE」と便宜的に表記する場合がある。表示画素ＰEは、発光の最小単位となる要素である。

図２は、表示領域１６内に位置する各表示画素ＰEの回路図である。図２に例示される通り、表示画素ＰEは、発光素子４５と駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELと選択トランジスターＴSLと容量素子Ｃとを含んで構成される。なお、第１実施形態では、表示画素ＰEの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）をＰチャネル型としたが、Ｎチャネル型のトランジスターを利用することも可能である。

発光素子４５は、有機ＥＬ材料の発光層を含む発光機能層４６を第１電極（陽極）Ｅ1と第２電極（陰極）Ｅ2との間に介在させた電気光学素子である。第１電極Ｅ1は表示画素ＰE毎に個別に形成され、第２電極Ｅ2は複数の画素Ｐにわたり連続する。図２から理解される通り、発光素子４５は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを連結する経路上に配置される。第１電源導電体４１は、高位側の電源電位ＶELが供給される電源配線であり、第２電源導電体４２は、低位側の電源電位（例えば接地電位）ＶCTが供給される電源配線である。

駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとは、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを連結する経路上で発光素子４５に対して直列に配置される。具体的には、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの一方（ソース）は第１電源導電体４１に接続される。発光制御トランジスターＴELは、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの他方（ドレイン）と発光素子４５の第１電極Ｅ1との導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。駆動トランジスターＴDRは、自身のゲート-ソース間の電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する。発光制御トランジスターＴELがオン状態に制御された状態では、駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給されることで発光素子４５が駆動電流の電流量に応じた輝度で発光し、発光制御トランジスターＴELがオフ状態に制御された状態では発光素子４５に対する駆動電流の供給が遮断されることで発光素子４５は消灯する。発光制御トランジスターＴELのゲートは制御線２４に接続される。

図２の選択トランジスターＴSLは、信号線２６と駆動トランジスターＴDRのゲートとの導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。選択トランジスターＴSLのゲートは走査線２２に接続される。また、容量素子Ｃは、第１電極Ｃ1と第２電極Ｃ2との間に誘電体を介在させた静電容量である。第１電極Ｃ1は駆動トランジスターＴDRのゲートに接続され、第２電極Ｃ2は第１電源導電体４１（駆動トランジスターＴDRのソース）に接続される。したがって、容量素子Ｃは、駆動トランジスターＴDRのゲート-ソース間の電圧を保持する。

信号線駆動回路３４は、外部回路から供給される画像信号が表示画素ＰE毎に指定する階調に応じた階調電位（データ信号）を書込期間（水平走査期間）毎に複数の信号線２６に対して並列に供給する。他方、各走査線駆動回路３２は、各走査線２２に走査信号を供給することで複数の走査線２２の各々を書込期間毎に順次に選択する。走査線駆動回路３２が選択した走査線２２に対応する各表示画素ＰEの選択トランジスターＴSLはオン状態に遷移する。したがって、各表示画素ＰEの駆動トランジスターＴDRのゲートには信号線２６と選択トランジスターＴSLとを経由して階調電位が供給され、容量素子Ｃには階調電位に応じた電圧が保持される。他方、書込期間での走査線２２の選択が終了すると、各走査線駆動回路３２は、各制御線２４に制御信号を供給することで当該制御線２４に対応する各表示画素ＰEの発光制御トランジスターＴELをオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して発光素子４５に供給される。以上のように各発光素子４５が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が表示領域１６に表示される。

第１実施形態の発光装置１００の具体的な構造を以下に詳述する。なお、以下の説明で参照する各図面では、説明の便宜のために、各要素の寸法や縮尺を実際の発光装置１００とは相違させている。図３および図４は、発光装置１００の断面図であり、図５から図９は、発光装置１００の各要素を形成する各段階での基板１０の表面の様子を表示画素ＰEの１個分に着目して図示した平面図である。図５から図９のIII−III線を含む断面に対応した断面図が図３に相当し、図５から図９のIV−IV線の断面に対応した断面図が図４に相当する。なお、図５から図９は平面図であるが、各要素の視覚的な把握を容易化する観点から、図３または図４と共通する各要素に図３または図４と同態様のハッチングが便宜的に付加されている。

図３、図４および図５から理解される通り、珪素等の半導体材料で形成された基板１０の表面には、表示画素ＰEの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）の能動領域１０A（ソース／ドレイン領域）が形成される。能動領域１０Aにはイオンが注入される。表示画素ＰEの各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）のアクティブ層はソース領域とドレイン領域との間に存在し、能動領域１０Aとは別種類のイオンが注入されるが、図示は便宜的に省略されている。図３および図４に例示される通り、能動領域１０Aが形成された基板１０の表面は絶縁膜Ｌ0（ゲート絶縁膜）で被覆され、各トランジスターＴのゲートＧ（ＧDR，ＧEL，ＧSL）が絶縁膜Ｌ0の面上に形成される。各トランジスターＴのゲートＧは、絶縁膜Ｌ0を挟んでアクティブ層に対向する。図４には、選択トランジスターＴSLのゲートＧSLと駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRと発光制御トランジスターＴELのゲートＧELとが図示されている。

図３および図４から理解される通り、各トランジスターＴのゲートＧが形成された絶縁膜Ｌ0の面上には、複数の絶縁層Ｌ（ＬA〜ＬD）と複数の導電層（配線層）とを交互に積層した多層配線層が形成される。各絶縁層Ｌは、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。なお、以下の説明では、導電層（単層または複数層）の選択的な除去により複数の要素が同一工程で一括的に形成される関係を「同層から形成される」と表記する。

絶縁層ＬAは、各トランジスターＴのゲートＧが形成された絶縁膜Ｌ0の面上に形成される。図３、図４および図６から理解される通り、絶縁層ＬAの面上には、走査線２２と制御線２４と複数の中継電極ＱA（ＱA1，ＱA2，ＱA3，ＱA4）とが同層から形成される。走査線２２および制御線２４は、相互に間隔をあけて複数の画素ＰにわたりＸ方向に直線状に延在する。具体的には、図６に例示される通り、走査線２２は、選択トランジスターＴSLのゲートＧSLの上方および駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRの上方を通過するように形成され、絶縁層ＬAを貫通する導通孔（コンタクトホール）ＨA1を介して選択トランジスターＴSLのゲートＧSLに導通する。導通孔ＨA1は、選択トランジスターＴSLのゲートＧSLおよびアクティブ層に平面視で重なるように形成される。他方、制御線２４は、発光制御トランジスターＴELのゲートＧELの上方を通過するように形成され、絶縁層ＬAを貫通する導通孔ＨA2を介して発光制御トランジスターＴELのゲートＧELに導通する。導通孔ＨA2は、発光制御トランジスターＴELのゲートＧELおよびアクティブ層に平面視で重なるように形成される。

中継電極ＱA1は、選択トランジスターＴSLの能動領域１０Aと駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRとを接続する配線であり、図６に例示される通り、平面視で走査線２２と制御線２４との間に位置する。具体的には、中継電極ＱA1は、図４および図６から理解される通り、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA3を介して選択トランジスターＴSLの能動領域１０Aに導通するとともに、絶縁層ＬAの導通孔ＨA4を介して駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRに導通する。また、図６から理解される通り、中継電極ＱA2は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA5を介して選択トランジスターＴSLの能動領域１０Aに導通する。中継電極ＱA3は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA6を介して駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通する。中継電極ＱA4は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔ＨA7を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ドレイン）に導通する。図６から理解される通り、選択トランジスターＴSLと駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとの各々は、チャネル長がＹ方向に沿うように形成される。また、駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとはＹ方向に沿って配列し、選択トランジスターＴSLは、駆動トランジスターＴDRおよび発光制御トランジスターＴELに対してＸ方向（図６ではＸ方向の負側）にずれた位置に配置される。

絶縁層ＬBは、走査線２２と制御線２４と複数の中継電極ＱAとが形成された絶縁層ＬAの面上に形成される。図３、図４および図７から理解される通り、絶縁層ＬBの面上には、信号線２６と第１電極Ｃ1と複数の中継電極ＱB（ＱB1，ＱB2）とが同層から形成される。信号線２６は、複数の画素ＰにわたりＹ方向に直線状に延在し、絶縁層ＬAにより走査線２２および制御線２４からは電気的に絶縁される。具体的には、信号線２６は、選択トランジスターＴSLの能動領域１０A（ソース，ドレイン）およびアクティブ層の上方と駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRに導通する中継電極ＱA1の上方とを通過するように形成され、選択トランジスターＴSLのチャネル長の方向（Ｙ方向）に沿って延在するとともに平面視で選択トランジスターＴSLに重なる。また、信号線２６は、各トランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）の能動領域１０A（ソース，ドレイン）や各トランジスターＴのゲートＧよりも上層に形成される。図７から理解される通り、信号線２６は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔ＨB1を介して中継電極ＱA2に導通する。すなわち、信号線２６と選択トランジスターＴSLの能動領域１０A（ソース）とが中継電極ＱA2を介して接続される。図７の第１電極Ｃ1は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔ＨB2を介して中継電極ＱA1に導通する。すなわち、容量素子Ｃの第１電極Ｃ1と駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRとが中継電極ＱA1を介して接続される。図７の中継電極ＱB1は、絶縁層ＬBの導通孔ＨB3を介して中継電極ＱA3に導通し、中継電極ＱB2は、絶縁層ＬBの導通孔ＨB4を介して中継電極ＱA4に導通する。

絶縁層ＬCは、信号線２６と第１電極Ｃ1と複数の中継電極ＱB（ＱB1，ＱB2）とが形成された絶縁層ＬBの面上に形成される。図３、図４および図８から理解される通り、絶縁層ＬCの面上には、第２電極Ｃ2と複数の中継電極ＱC（ＱC1，ＱC2）とが同層から形成される。第２電極Ｃ2は、平面視（すなわち基板１０の表面に垂直な方向からみた状態）で第１電極Ｃ1に重複する形状および位置に形成される。図３から理解される通り、第１電極Ｃ1および第２電極Ｃ2と両者間の絶縁層ＬCとで容量素子Ｃが構成される。図８に例示される通り、容量素子Ｃ（第１電極Ｃ1，第２電極Ｃ2）は、平面視で駆動トランジスターＴDRおよび発光制御トランジスターＴELに重なるように設置される。図８の中継電極ＱC1は絶縁層ＬCの導通孔ＨC1を介して中継電極ＱB1に導通し、中継電極ＱC2は絶縁層ＬCの導通孔ＨC2を介して中継電極ＱB2に導通する。

図３および図４に例示される通り、絶縁層ＬDは、第２電極Ｃ2と複数の中継電極ＱC（ＱC1，ＱC2）とが形成された絶縁層ＬCの面上に形成される。以上の説明では表示画素ＰEに着目したが、基板１０の表面から絶縁層ＬDまでの各要素の構造は、周辺領域１８内のダミー画素ＰDについても共通する。

絶縁層ＬDの表面には平坦化処理が実行される。平坦化処理には、化学機械研磨（CMP：Chemical Mechanical Polishing）等の公知の表面処理技術が任意に採用される。平坦化処理で高度に平坦化された絶縁層ＬDの表面に、図３に例示される通り、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とが同層から形成される。図１０は、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２の平面図であり、図１１から図１４は、図１０における領域αの拡大図である。図１０および図１１から理解される通り、第１電源導電体４１は第１領域１２の表示領域１６内に形成され、第２電源導電体４２は第１領域１２の周辺領域１８内に形成される。第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とは、相互に離間して形成されて電気的に絶縁される。第１電源導電体４１は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、高位側の電源電位ＶELが供給される実装端子３６に導通する。同様に、第２電源導電体４２は、多層配線層内の配線（図示略）を介して、低位側の電源電位ＶCTが供給される実装端子３６に導通する。第１実施形態の第１電源導電体４１および第２電源導電体４２は、例えば銀やアルミニウムを含有する光反射性の導電材料で例えば１００ｎｍ程度の膜厚に形成される。

第１電源導電体４１は、前述の通り高位側の電源電位ＶELが供給される電源配線であり、図１０および図１１から理解される通り、表示領域１６の略全域にわたり面状に形成された略矩形状のベタパターンである。ベタパターンとは、線状または帯状のパターンやその組合せ（例えば格子状）のパターンではなく、表示領域１６の略全面を塗潰すように実質的に隙間なく一様に連続する面状（すなわちベタ状）のパターンを意味する。

図４、図９および図１１から理解される通り、表示領域１６内に形成された第１電源導電体４１は、表示画素ＰE毎に絶縁層ＬDに形成された導通孔ＨD1を介して中継電極ＱC1に導通する。すなわち、図４から理解される通り、駆動トランジスターＴDRのソースとして機能する能動領域１０Aは、中継電極ＱA3と中継電極ＱB1と中継電極ＱC1とを介して第１電源導電体４１に接続される。なお、絶縁層ＬCと絶縁層ＬDとを貫通する導通孔を介して第１電源導電体４１を中継電極ＱB2に導通させる（したがって中継電極ＱC1は省略される）ことも可能である。また、図９および図１１に例示される通り、第１電源導電体４１は、絶縁層ＬDの導通孔ＨD2を介して容量素子Ｃの第２電極Ｃ2に接続される。すなわち、駆動トランジスターＴDRのゲートＧDRとソース（第１電源導電体４１）との間に容量素子Ｃが介在する。

図９に例示される通り、第１電源導電体４１には表示画素ＰE毎に開口部４１Aが形成される。各開口部４１Aの内側には中継電極ＱD1が第１電源導電体４１および第２電源導電体４２と同層から形成される。中継電極ＱD1と第１電源導電体４１とは、相互に離間して形成されて電気的に絶縁される。図４および図９から理解される通り、中継電極ＱD1は、絶縁層ＬDに形成された導通孔ＨD3を介して中継電極ＱC2に導通する。なお、絶縁層ＬCと絶縁層ＬDとを貫通する導通孔を介して中継電極ＱD1を中継電極ＱB2に導通させる（したがって中継電極ＱC2は省略される）ことも可能である。

他方、第１領域１２のうちダミー画素ＰDが配列される周辺領域１８内に形成された第２電源導電体４２は、前述の通り低位側の電源電位ＶCTが供給される電源配線であり、図１０に例示される通り、平面視で第１電源導電体４１（表示領域１６）を包囲する矩形枠状（閉図形）に形成される。図１１に例示される通り、絶縁層ＬDにはダミー画素ＰD毎に導通孔ＨD4と導通孔ＨD5とが形成される。第２電源導電体４２は、導通孔ＨD4を介してダミー画素ＰDの中継電極ＱC1に導通するとともに、導通孔ＨD5を介してダミー画素ＰDの中継電極ＱC2に導通する。他方、第１電源導電体４１について前述した開口部４１Aや中継電極ＱD1は第２電源導電体４２には形成されない。

図３および図４に例示される通り、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２と中継電極ＱD1とが形成された絶縁層ＬDの面上には光路調整層６０が形成される。光路調整層６０は、各表示画素ＰEの共振構造の共振波長（すなわち表示色）を規定する光透過性の膜体である。各表示画素ＰEの共振構造や光路調整層６０の詳細については後述する。

図１２に例示される通り、光路調整層６０の面上には、表示領域１６内の表示画素ＰE毎の中継電極ＱE1と周辺領域１８のダミー画素ＰD毎の中継電極ＱE2とが同層から形成される。中継電極ＱE1および中継電極ＱE2は、例えば遮光性の導電材料（例えば窒化チタン）で形成される。

表示領域１６内の中継電極ＱE1は、光路調整層６０を貫通する導通孔ＨE1を介して中継電極ＱD1に導通する。図４および図１２から理解される通り、中継電極ＱE1は、第１電源導電体４１の開口部４１Aに平面視で重複するように形成される。すなわち、中継電極ＱE1の外周縁は平面視で開口部４１Aの内周縁の外側に位置する。中継電極ＱE1は遮光性の導電材料で形成されるから、多層配線層に対する開口部４１Aからの外光の侵入が中継電極ＱE1により防止される。したがって、光照射に起因した各トランジスターＴの電流リークを防止できるという利点がある。他方、周辺領域１８内の中継電極ＱE2は、図１２から理解される通り、光路調整層６０を貫通する導通孔ＨE2を介して第２電源導電体４２に導通する。

中継電極ＱE1および中継電極ＱE2が形成された光路調整層６０の面上には、図３、図４および図１３に例示される通り、表示領域１６内の表示画素ＰE毎の第１電極Ｅ1と周辺領域１８のダミー画素ＰD毎の導通用電極ＱFとが同層から形成される。第１電極Ｅ1と導通用電極ＱFとは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性の導電材料で形成される。第１電極Ｅ1は、図２を参照して前述した通り、発光素子４５の陽極として機能する略矩形状の電極（画素電極）であり、図４に例示される通り、光路調整層６０の面上の中継電極ＱE1に接触する。すなわち、第１電極Ｅ1は、中継電極ＱE1と中継電極ＱD1と中継電極ＱC2と中継電極ＱB2と中継電極ＱA4とを介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ドレイン）に導通する。

他方、周辺領域１８内の導通用電極ＱFは、第１電極Ｅ1と同等の平面形状およびサイズに形成された略矩形状の電極である。表示領域１６内の各第１電極Ｅ1と周辺領域１８内の各導通用電極ＱFとは、Ｘ方向およびＹ方向の各々にわたり共通のピッチ（周期）で配列される。すなわち、各第１電極Ｅ1と各導通用電極ＱFとは、Ｘ方向に共通のピッチＤXで配列するとともにＹ方向に共通のピッチＤYで配列する。表示領域１６と周辺領域１８との境界を挟んで相互に隣合う第１電極Ｅ1と導通用電極ＱFとのピッチもＸ方向のピッチＤXとＹ方向のピッチＤYとに設定される。Ｘ方向のピッチＤXは、例えば１.３μｍ以上かつ３.５μｍ以下に設定される。図１３から理解される通り、導通用電極ＱFは、光路調整層６０の面上の中継電極ＱE2に接触する。すなわち、導通用電極ＱFは、中継電極ＱE2を介して第２電源導電体４２に導通する。なお、図１３では、周辺領域１８内にＸ方向の１行分とＹ方向の２列分とにわたり導通用電極ＱFを配列した構成を例示したが、導通用電極ＱFの配列数は任意である。例えば、第２電極Ｅ2と第２電源導電体４２との間に要求される接続抵抗や、発光機能層４６または第２電極Ｅ2の形成範囲等に応じて、導通用電極ＱFの配列数は適宜に選定される。図３および図４から理解される通り、第１電源導電体４１は、信号線２６が形成された配線層と第１電極Ｅ1および導通用電極ＱFが形成された配線層との間に形成される。

図１のガードリング３８は、図３に例示される通り、以上に例示した各要素と同層から形成された複数の導電層ＱG（ＱG1〜ＱG6）の積層で構成される。導電層ＱG1は各トランジスターＴのゲートＧと同層から形成され、導電層ＱG2は信号線２６と同層から形成され、導電層ＱG3は容量素子Ｃの第２電極Ｃ2と同層から形成される。また、導電層ＱG4は第１電源導電体４１および第２電源導電体４２と同層から形成され、導電層ＱG5は中継電極ＱE2と同層から形成され、導電層ＱG6は第１電極Ｅ1および導通用電極ＱFと同層から形成される。なお、ガードリング３８を構成する各導電層ＱGは適宜に省略され得る。例えば、導電層ＱG3を省略して導電層ＱG2と導電層ＱG4とを直接に導通させることも可能である。

中継電極ＱE1と中継電極ＱE2と第１電極Ｅ1と導通用電極ＱFとが形成された光路調整層６０の面上には、図３、図４および図１４に例示される通り、基板１０の全域にわたり画素定義層６５が形成される。画素定義層６５は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で形成される。図１４から理解される通り、画素定義層６５には、表示領域１６内の各第１電極Ｅ1に対応する開口部（第１開口部）６５Aと周辺領域１８内の各導通用電極ＱFに対応する開口部（第２開口部）６５Bとが形成される。画素定義層６５のうち開口部６５Aの内周縁の近傍の領域は第１電極Ｅ1の周縁に重なる。すなわち、開口部６５Aの内周縁は平面視で第１電極Ｅ1の周縁の内側に位置する。同様に、画素定義層６５のうち開口部６５Bの内周縁の近傍の領域は導通用電極ＱFの周縁に重なる。図１２および図１４から理解される通り、中継電極ＱE1および中継電極ＱE2は画素定義層６５で覆われる。各開口部６５Aと各開口部６５Bとは、平面形状（矩形状）やサイズが共通し、かつ、Ｘ方向およびＹ方向の各々にわたり共通のピッチで行列状に配列する。以上の説明から理解される通り、画素定義層６５は平面視で格子状に形成される。

図３および図４に例示される通り、第１電極Ｅ1と導通用電極ＱFと画素定義層６５とが形成された光路調整層６０の面上には発光機能層４６が形成される。発光機能層４６は、第１領域１２の表示領域１６内に形成されて複数の表示画素ＰEにわたり連続する。他方、図３から理解される通り、周辺領域１８や第２領域１４には発光機能層４６は形成されない。なお、例えば周辺領域１４のうち表示領域１２側の領域に発光機能層４６を形成することも可能である。発光機能層４６は、有機ＥＬ材料で形成された発光層を含んで構成され、電流の供給により白色光を放射する。白色光は、青色の波長域と緑色の波長域と赤色の波長域とにわたるスペクトルを有する光であり、可視光の波長域内に少なくとも２個のピークが観測される。なお、発光層に供給される電子や正孔の輸送層または注入層を発光機能層４６に含ませることも可能である。

発光機能層４６が形成された光路調整層６０の面上には、第１領域１２（表示領域１６および周辺領域１８）の全域にわたり第２電極Ｅ2が形成される。第２電極Ｅ2は、図２を参照して前述した通り、発光素子４５の陰極として機能する。図４に例示される通り、発光機能層４６のうち画素定義層６５の各開口部６５Aの内側にて第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2とに挟まれた領域（発光領域）が発光する。すなわち、開口部６５Aの内側で第１電極Ｅ1と発光機能層４６と第２電極Ｅ2とが積層された部分が発光素子４５として機能する。以上の説明から理解される通り、画素定義層６５は、各表示画素ＰEの発光素子４５の平面形状やサイズ（実際に発光する領域）を規定する。第１実施形態の発光装置１００は、発光素子４５が非常に高精細に配置されたマイクロディスプレイである。例えば１個の発光素子４５の面積（１個の開口部６５Aの面積）は４０μｍ²以下に設定され、Ｘ方向に相互に隣合う各発光素子４５の間隔は１.５μｍ以下に設定される。

第１領域１２の全域にわたる第２電極Ｅ2のうち周辺領域１８内に位置する部分は、図１４の画素定義層６５の開口部６５Bの内側で導通用電極ＱFに接触する。周辺領域１４のうち導通用電極ＱFと第２電極Ｅ2とが導通する領域やその外側の領域には発光機能層４６は形成されない。以上の説明から理解される通り、表示領域１６および周辺領域１８の双方にわたる第２電極Ｅ2は、周辺領域１８内の各導通用電極ＱFと各中継電極ＱE2とを介して第２電源導電体４２に導通する。すなわち、第２電源導電体４２から中継電極ＱE2と導通用電極ＱFとを介して第２電極Ｅ2に低位側の電源電位ＶCTが供給される。

第２電極Ｅ2は、表面に到達した光の一部を透過するとともに残りを反射する性質（半透過反射性）の半透過反射層として機能する。例えば、銀やマグネシウムを含有する合金等の光反射性の導電材料を充分に薄い膜厚に形成することで半透過反射性の第２電極Ｅ2が形成される。発光機能層４６からの放射光は、第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間で往復し、特定の共振波長の成分が選択的に増幅されたうえで第２電極Ｅ2を透過して観察側（基板１０とは反対側）に出射する。すなわち、反射層として機能する第１電源導電体４１と半透過反射層として機能する第２電極Ｅ2との間で発光機能層４６からの出射光を共振させる共振構造が形成される。光路調整層６０は、共振構造の共振波長（表示色）を表示画素ＰEの表示色毎に個別に設定するための要素である。具体的には、共振構造を構成する第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間の光路長（光学的距離）を光路調整層６０の膜厚に応じて適宜に調整することで各表示画素ＰEの出射光の共振波長が表示色毎に設定される。

図１５は、表示色が相違する３個の表示画素ＰE（赤色，緑色，青色）の構成を、光路調整層６０の具体的な構成に着目して図示した断面図である。図１５では、赤色（Ｒ）に対応する表示画素ＰEと緑色（Ｇ）に対応する表示画素ＰEと青色（Ｂ）に対応する表示画素ＰEとが便宜的に例示されている。図１５から理解される通り、光路調整層６０は、珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の光透過性の絶縁材料で形成された複数層（第１調整層６１，第２調整層６２，第３調整層６３）の積層で構成される。第１調整層６１は、例えば窒化珪素で４０ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下の膜厚に形成され、第２調整層６２は、例えば酸化珪素で４０ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下の膜厚に形成され、第３調整層６３は、例えば酸化珪素で４０ｎｍ以上かつ７０ｎｍ以下の膜厚に形成される。

第２調整層６２および第３調整層６３は、各表示画素ＰEの表示色に応じて選択的に除去される。具体的には、青色の表示画素ＰEでは、第２調整層６２および第３調整層６３が除去されることで光路調整層６０は第１調整層６１のみで構成され、緑色の表示画素ＰEでは、第３調整層６３が除去されることで光路調整層６０は第１調整層６１および第２調整層６２で構成される。他方、赤色の表示画素ＰEでは、第１調整層６１と第２調整層６２と第３調整層６３との積層で光路調整層６０が構成される。例えば第１調整層６１を５０ｎｍの膜厚で形成し、第２調整層６２を６５ｎｍの膜厚で形成し、第３調整層６３を５５ｎｍの膜厚で形成した場合、赤色の表示画素ＰEでは１７０ｎｍの光路調整層６０（第１調整層６１＋第２調整層６２＋第３調整層６３）が構成され、緑色の表示画素ＰEでは１１５ｎｍの光路調整層６０（第１調整層６１＋第２調整層６２）が構成され、青色の表示画素ＰEでは５０ｎｍの光路調整層６０（第１調整層６１）が構成される。以上の例示では、赤色の表示画素ＰEと青色の表示画素ＰEとの間で光路調整層６０の膜厚差は１２０ｎｍである。なお、以上の説明では表示領域１６に着目したが、周辺領域１８内の各ダミー画素ＰDについても表示領域１６内と同様の構成の光路調整層６０が形成される。

光路調整層６０の膜厚を以上の例示のように表示画素ＰEの表示色毎に調整することで、共振構造の反射層として機能する第１電源導電体４１と半透過反射層として機能する第２電極Ｅ2との間隔（以下「共振長」という）Ｚが表示色毎に個別に設定される。具体的には、青色の表示画素ＰEの共振長ＺBは緑色の表示画素ＰEの共振長ＺGを下回り、緑色の表示画素ＰEの共振長ＺGは赤色の表示画素ＰEの共振長ＺRを下回る（ＺB＜ＺG＜ＺR）。したがって、青色の表示画素ＰEの発光素子４５からは青色光が出射され、緑色の表示画素ＰEの発光素子４５からは緑色光が出射され、赤色の表示画素ＰEの発光素子４５からは赤色光が出射される。

発光機能層４６の表面や第２電極Ｅ2の表面には、各々の下層に形成された各要素の形状を反映した段差（凹凸）が現れる。絶縁層ＬDの表面や第１電源導電体４１の表面が段差のない平坦面であると仮定すると、発光機能層４６や第２電極Ｅ2の表面に現れる最大の段差は、図１５の距離ＦBと距離ＦRとの差分（高低差）に相当する。距離ＦBは、第１調整層６１と第１電極Ｅ1との膜厚の和である。一方、距離ＦRは、光路調整層６０（第１調整層６１＋第２調整層６２＋第３調整層６３）と画素定義層６５と第１電極Ｅ1との膜厚の和である。したがって、画素定義層６５の膜厚が大きいほど、発光機能層４６や第２電極Ｅ2の表面に現れる段差は大きくなる。各層における段差は、例えば導電層の断線や短絡等の成膜不良の原因となり得る。以上の事情を考慮して、本実施形態の画素定義層６５は、発光機能層４６や第２電極Ｅ2の表面の段差に起因した成膜不良等の不具合が抑制される膜厚に形成される。

前述の通り、共振構造の共振長は表示画素ＰEの表示色毎に相違する。第１実施形態では、相異なる各表示色間における共振長の差異を下回るように画素定義層６５の膜厚が選定される。具体的には、本実施形態の画素定義層６５は、青色の共振長ＺBおよび緑色の共振長ＺGの差分ΔBG（ΔBG＝ＺG−ＺB）と、緑色の共振長ＺGおよび赤色の共振長ＺRの差分ΔGR（ΔGR＝ＺR−ＺG）と、赤色の共振長ＺRおよび青色の共振長ＺBの差分ΔRB（ΔRB＝ＺR−ＺB）とのうちの最小値（差分Δ）を下回る膜厚に形成される。前述の通り、第１実施形態では、光路調整層６０の膜厚に応じて共振構造の共振長を表示色毎に相違させる。したがって、画素定義層６５の膜厚は、相異なる各表示色間における光路調整層６０の膜厚差を下回る、とも換言され得る。前掲の例示のように、第１調整層６１を５０ｎｍの膜厚で形成し、第２調整層６２を６５ｎｍの膜厚で形成し、第３調整層６３を５５ｎｍの膜厚で形成した場合、差分ΔBGは第２調整層６２の膜厚分の６５ｎｍであり、差分ΔGRは第３調整層６３の膜厚分の５５ｎｍであり、差分ΔRBは第２調整層６２および第３調整層６３の膜厚分の１２０ｎｍである。以上の構成では、緑色の共振長ＺGと赤色の共振長ＺRとの差分ΔGR（第３調整層６３の膜厚）である５５ｎｍが、表示色間の共振長の最小の差分Δに相当する。したがって、画素定義層６５は５５ｎｍを下回る膜厚に形成される。例えば、画素定義層６５は、５０ｎｍの膜厚に形成され、更に好適には２０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚に形成される。

図１６は、図１５に例示した任意の１個の表示画素ＰEを拡大した断面図である。図１６から理解される通り、画素定義層６５の開口部６５Aの内周面６７の近傍では、画素定義層６５の膜厚の影響で、第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間隔が表示画素ＰEの共振構造の目標の共振長Ｚ（ＺR，ＺG，ＺB）とは相違する場合がある。例えば図１６に例示される通り、発光機能層４６および第２電極Ｅ2の表面には画素定義層６５の膜厚を反映した段差が形成されるから、画素定義層６５の開口部６５Aの内周面６７の近傍における第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間隔Ｚ'は、表示画素ＰEの表示色に対応する目標の共振長Ｚ（ＺR，ＺG，ＺB）とは相違する。そして、第１電源導電体４１と第２電極Ｅ2との間隔Ｚ'が目標の共振長Ｚとは相違する領域では、発光機能層４６からの出射光のうち目標の共振長Ｚに対応する波長（すなわち本来の表示色の波長）とは相違する波長の単色光が共振構造で強調されたうえで第２電極Ｅ2から観察側に出射する。したがって、平面視で発光素子４５の周縁の近傍（開口部６５Aの内周面６７の近傍）の表示色が当該発光素子４５の本来の表示色とは相違し得る。例えば、青色の表示画素ＰEの周縁に緑色が表示される可能性や、緑色の表示画素ＰEの周縁に黄色や赤色が表示される可能性が想定される。

前述の通り、画素定義層６５の膜厚が大きいほど第２電極Ｅ2（半透過反射層）の段差は大きい。したがって、画素定義層６５の膜厚が厚いほど、目標の共振長Ｚと内周面６７の近傍における間隔Ｚ'との相違が大きくなり、発光素子４５の本来の表示色と、当該発光素子４５の周縁の近傍（間隔Ｚ'の領域）の表示色との相違が顕在化する。本実施形態においては、画素定義層６５の膜厚が差分Δを下回るから、画素定義層６５の膜厚が差分Δを上回る構成（以下「対比例」という）と比較して、目標の共振長Ｚと内周面６７の近傍における間隔Ｚ'との相違が小さくなる。したがって、本実施形態によれば、対比例と比較して、発光素子４５の本来の表示色と発光素子４５の周縁の近傍の表示色との差異が表示画像の観察者に知覚され難いという利点がある。具体的には、画素定義層６５の膜厚が差分Δ（差分ΔGRと差分ΔBGと差分ΔRBとのうちの最小値）を下回るから、例えば、青色の表示画素ＰEにおける間隔Ｚ'が緑色の表示画素ＰEの共振長ＺGに到達する（すなわち、青色の表示画素ＰEの周縁にて表示色が緑色まで変化する）ことや、緑色の表示画素ＰEにおける間隔Ｚ'が赤色の表示画素ＰEの共振長ＺRに到達する（すなわち、緑色の表示画素ＰEの周縁にて表示色が赤色まで到達する）ことが防止される。したがって、第１実施形態によれば、各表示画素ＰEの表示色の誤差が低減された高品位な画像を表示できるという利点がある。

図３に例示される通り、第２電極Ｅ2の面上には、基板１０の全域にわたり封止体７０が形成される。なお、図４では封止体７０の図示を便宜的に省略した。封止体７０は、基板１０上に形成された各要素を封止することで外気や水分の侵入を防止する光透過性の膜体であり、第１封止層７１と第２封止層７２と第３封止層７３との積層で構成される。第１封止層７１の面上に第２封止層７２が形成され、第１封止層７１および第２封止層７２の面上に第３封止層７３が形成される。図３から理解される通り、第１封止層７１および第３封止層７３は、第１領域１２と第２領域１４とを含む基板１０の全域にわたり形成される。他方、第２封止層７２は、基板１０の第１領域１２内に形成されて第２領域１４には形成されない。具体的には、第２封止層７２は、図１７に例示される通り、表示領域１６と周辺領域１８のうち内周縁側の一部の領域とにわたり形成される。以上の説明から理解される通り、図３の封止体７０は、表示領域１６内では第１封止層７１と第２封止層７２と第３封止層７３との計３層の積層で構成され、第２領域１４内では第１封止層７１および第２封止層７２の計２層の積層で構成される。図１の各実装端子３６は、封止体７０のうち可撓性の配線基板と接続される領域に形成された開口部を介して外部に露出する。各実装端子３６は、例えば、第１電源導電体４１および第２電源導電体４２と同層から形成された導電層と、中継電極ＱE2と同層から形成された導電層と、第１電極Ｅ1および導通用電極ＱFと同層から形成された導電層との積層で構成される。

封止体７０の第１封止層７１は、第２電極Ｅ2の面上に形成されて第２電極Ｅ2の表面に直接に接触する。第１封止層７１は、例えば珪素化合物（典型的には窒化珪素や酸化珪素）等の絶縁性の無機材料で例えば２００ｎｍから４００ｎｍ程度の膜厚に形成される。第１封止層７１は、光路調整層６０の膜厚差（例えば１２０ｎｍ）以上の膜厚に好適に形成される。第１封止層７１の形成には、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜技術が好適に利用される。酸化珪素を窒素雰囲気中で蒸着することで珪素酸窒化物の第１封止層７１を形成することも可能である。また、酸化チタン等の金属酸化物に代表される無機酸化物も第１封止層７１の材料として採用され得る。

封止体７０の第２封止層７２は、第２電極Ｅ2や第１封止層７１の表面の凹凸を埋める平坦化膜として機能する。すなわち、第２電極Ｅ2や第１封止層７１の表面には下方（基板１０側）の各要素の形状を反映した凹凸が形成されるが、第２封止層７２の表面は、凹凸が充分に低減された略平面である。第２封止層７２の上面が下面（すなわち第１封止層７１との接触面）と比較して平坦であるとも換言され得る。以上に説明した平坦化の機能が実現されるように、第２封止層７２は、第１封止層７１および第３封止層７３と比較して充分に厚い膜厚（例えば１μｍから５μｍ、特に好適には３μｍ）に形成される。例えばエポキシ樹脂等の光透過性の有機材料の溶液を公知の塗布技術（例えば印刷法やスピンコート法）で第１封止層７１の表面に塗布して乾燥させる工程により第２封止層７２が形成される。なお、第２封止層７２の材料は有機材料に限定されない。例えば酸化珪素等の無機材料を印刷法等の塗布技術で塗布して乾燥させることで平坦化に充分な膜厚の第２封止層７２を形成することも可能である。第２封止層７２は、発光機能層４６が形成された領域と比較して広い領域にわたり連続し、少なくとも発光機能層４６を覆うように形成される。また、第２封止層７２が第２電極Ｅ2を覆う構成も採用され得る。

第３封止層７３は、例えば耐水性や耐熱性に優れた無機材料で例えば３００ｎｍから７００ｎｍ程度（特に好適には４００ｎｍ程度）の膜厚に形成される。例えば窒素化合物（珪素窒化物、珪素酸化物、珪素酸窒化物）が第３封止層７３の材料として好適である。第３封止層７３の形成には、第１封止層７１について例示した公知の成膜技術が任意に採用される。

以上の各要素が形成された基板１０の表面には封止基板（図示略）が例えば接着剤で接合される。封止基板は、基板１０上の各要素を保護するための光透過性の板状部材（例えばガラス基板）である。なお、封止基板の表面または封止体７０（第３封止層７３）の表面に表示画素ＰE毎にカラーフィルターを形成することも可能である。

また、封止体７０のうち第２電極Ｅ2に直接に接触する第１封止層７１の膜厚は、共振長Ｚの差分Δ（光路調整層６０の各構成層間の段差）を上回る。以上のように光路調整層６０の表面の段差に対して充分な膜厚で第１封止層７１を形成した構成によれば、第１封止層７１の表面は充分な平坦面（すなわち光路調整層６０の段差を反映しない平坦面）となる。すなわち、光路調整層６０の段差を埋める平坦化膜として第１封止層７１を有効に利用することが可能である。更に好適には、共振長Ｚの差分Δの２倍以上の膜厚で第１封止層７１が形成される。

第１実施形態では、表示領域１６内の第１電極Ｅ1と同層から形成された導通用電極ＱFと、表示領域１６内の第１電源導電体４１と同層から形成された第２電源導電体４２とが周辺領域１８に形成され、表示領域１６および周辺領域１８の双方にわたる第２電極Ｅ2が、周辺領域１８内で導通用電極ＱFを介して第２電源導電体４２導通する。すなわち、表示領域１６内で第１電源導電体４１と第１電極Ｅ1とが重なる層構造と同様に周辺領域１８でも第２電源導電体４２と導通用電極ＱFとが重なる。したがって、隣接領域内のダミー画素に発光素子の陽極を形成しない特許文献１の構成と比較して、表示領域１６と周辺領域１８との段差を抑制することが可能である。そして、表示領域１６と周辺領域１８との段差が抑制されることで、表示領域１６と周辺領域１８との段差が大きい構成と比較して封止体７０を容易に形成できるという利点がある。第１実施形態では特に、表示領域１６内の第１電極Ｅ1と周辺領域１８内の導通用電極ＱFとで、平面形状およびサイズとＸ方向のピッチＤXおよびＹ方向のピッチＤYとが共通する。したがって、表示領域１６と周辺領域１８との段差が抑制されるという効果は格別に顕著である。

また、表示領域１６および周辺領域１８の双方にわたる画素定義層６５には、表示領域１６内の第１電極Ｅ1に対応する開口部６５Aに加えて、周辺領域１８内の導通用電極ＱFに対応する開口部６５Bが形成される。すなわち、画素定義層６５についても表示領域１６と同様の構造が周辺領域１８に存在する。したがって、周辺領域１８に画素定義層６５を形成しない構成や周辺領域１８では画素定義層６５に開口部６５Bを形成しない構成と比較して、表示領域１６と周辺領域１８との段差を抑制することが可能である。第１実施形態では特に、開口部６５Aと開口部６５Bとで、平面形状およびサイズとＸ方向およびＹ方向の配列のピッチとが共通するから、表示領域１６と周辺領域１８との段差が抑制されるという効果は格別に顕著である。

第１実施形態では、第１電源導電体４１が走査線２２や制御線２４や信号線２６とは別層から形成されるから、第１電源導電体４１を各配線と同層から形成する構成と比較して第１電源導電体４１の面積を充分に確保する（第１電源導電体４１の抵抗を低減する）ことが可能である。具体的には、図１０を参照して説明した通り、表示領域１６の全域にわたるベタパターンとして第１電源導電体４１を形成することが可能である。したがって、第１電源導電体４１の面内における電源電位ＶELの電圧降下が抑制され、結果的に表示画像の表示斑（表示領域１６の面内における表示階調の相違）を低減することが可能である。なお、以上の説明では第１電源導電体４１に着目したが、各配線（走査線２２，制御線２４，信号線２６）とは別層から形成される第２電源導電体４２についても同様の効果が実現される。

なお、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを同層から形成した構成では、例えば絶縁層ＬDの表面の凹凸に起因して第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とが相互に短絡する可能性がある。第１実施形態では、絶縁層ＬDの表面に対して平坦化処理が実行されたうえで第１電源導電体４１および第２電源導電体４２が形成されるから、絶縁層ＬDの表面の凹凸に起因した第１電源導電体４１と第２電源導電体４２との短絡を有効に防止できるという利点もある。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１８は、光路調整層６０の具体的な構成に着目した第２実施形態の各表示画素ＰEの断面図であり、第１実施形態の説明で参照した前掲の図１５に対応する。図１５に例示した第１実施形態では、相互に隣合う各表示画素ＰEの間隔内に、第１調整層６１と第２調整層６２と第３調整層６３との計３層が積層された構成を例示した。第２実施形態では、図１８から理解される通り、相互に隣合う各表示画素ＰEの間隔内には、第１調整層６１と第２調整層６２との計２層が積層される。

具体的には、第１調整層６１は基板１０の全域にわたり形成され、第２調整層６２は、第１調整層６１の面上に基板１０の全域にわたり形成されるとともに青色の表示画素ＰEに対応する領域が除去される。そして、第３調整層６３は、第２調整層６２の表面のうち赤色の表示画素ＰEに対応する領域に島状に形成される。したがって、第１実施形態と同様に、青色の表示画素ＰEでは光路調整層６０が第１調整層６１のみで構成され、緑色の表示画素ＰEでは光路調整層６０が第１調整層６１と第２調整層６２との積層で構成され、赤色の表示画素ＰEでは光路調整層６０が第１調整層６１と第２調整層６２と第３調整層６３との積層で構成される。

光路調整層６０以外の各要素の構成は第１実施形態と同様である。したがって、第２実施形態においても第１実施形態と同様の効果が実現される。また、第２実施形態では、相互に隣合う各表示画素ＰEの間隔内に第１調整層６１と第２調整層６２との計２層が積層されるから、各表示画素ＰEの間隔内に第１調整層６１と第２調整層６２と第３調整層６３との計３層が積層される第１実施形態と比較して、光路調整層６０の表面の段差が低減される。したがって、発光機能層４６や第２電極Ｅ2等の各要素の表面の段差を低減できるという利点がある。

＜第３実施形態＞
図１９は、第３実施形態の発光装置１００のうち封止体７０に着目した平面図である。図１９に例示される通り、第３実施形態の発光装置１００では、基板１０の第２領域１４のうち複数の実装端子３６が配列される領域（以下「端子領域」という）１５には封止体７０が形成されない。具体的には、表示領域１６および周辺領域１８を含む第１領域１２と、第２領域１４のうち端子領域１５以外の領域とにわたり封止体７０の第１封止層７１および第３封止層７３が形成される。封止体７０の第２封止層７２が表示領域１６内に形成される構成は第１実施形態と同様である。以上の構成によれば、第１実施形態と同様の効果に加えて、各実装端子３６を多層配線層内の配線に導通させるための導通孔を封止体７０に形成する必要がないという利点がある。なお、複数の実装端子３６を基板１０の２辺または３辺に沿って配列することも可能である。

＜変形例＞
以上の形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲内で適宜に併合され得る。

（１）前述の各形態では、第１封止層７１と第２封止層７２と第３封止層７３とを積層した構造の封止体７０を例示したが、封止体７０の層数（単層／複数層）は任意である。例えば、無機材料または有機材料の単層で封止体７０を構成することも可能である。また、前述の各形態では、平面視でガードリング３８が封止体７０の全部（第１実施形態）または一部（第３実施形態）と重なる構成を例示したが、封止体７０とガードリング３８との重複の有無は不問である。

（２）前述の各形態では、表示領域１６内の開口部６５Aと同様の態様で画素定義層６５に形成された開口部６５Bを介して第２電極Ｅ2を第２電源導電体４２に導通させたが、第２電極Ｅ2と第２電源導電体４２とを導通させる構造は適宜に変更される。例えば、特開２００５−３５２４９８号に開示される通り、画素定義層６５に平面視で直線状（すなわち表示領域１６内の開口部６５Aとは相違する態様）に形成された開口部を介して第２電極Ｅ2と第２電源導電体４２とを導通させることも可能である。

（３）前述の各形態では、半導体基板を基板１０として利用した発光装置１００を例示したが、基板１０の材料は任意である。例えばガラスや石英等の板状部材を基板１０として利用することも可能である。また、前述の各形態では、基板１０のうち第１領域１２の外側の第２領域１４に駆動回路３０を配置したが、駆動回路３０を例えば周辺領域１８内に配置することも可能である。例えば、第２電源導電体４２と基板１０との間に駆動回路３０が配置される。

（４）画素Ｐ（画素回路）の構成は、前掲の図２に例示した構成に限定されない。例えば、前述の各形態の発光制御トランジスターＴELを省略した構成や、階調電位の供給前に駆動トランジスターＴDRをダイオード接続することで駆動トランジスターＴDRの閾値電圧の誤差を補償する構成も採用され得る。

（５）発光素子４５の構成は以上の例示に限定されない。例えば、前述の各形態では、白色光を発生する発光機能層４６を複数の表示画素ＰEにわたり連続に形成した構成を例示したが、各表示画素ＰEの表示色に対応する波長の単色光を放射する発光機能層４６を表示画素ＰE毎に個別に形成することも可能である。また、前述の各形態では、第１電源導電体４１（反射層）と第２電極Ｅ2（半透過反射層）との間で共振構造を形成したが、例えば第１電極Ｅ1を反射性の導電材料で形成し、第１電極Ｅ1（反射層）と第２電極Ｅ2（半透過反射層）との間で共振構造を形成することも可能である。第１電極Ｅ1を反射層として利用する構成では、第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2との間に光路調整層６０が形成される。第１電源導電体４１や第１電極Ｅ1とは別個に共振構造の反射層（表示画素ＰE毎の反射層または複数の表示画素ＰEにわたり連続する反射層）を形成することも可能である。

前述の各形態では、光路調整層６０により各表示画素ＰEの共振波長を調整したが、第１電極Ｅ1や発光機能層４６の膜厚に応じて各表示画素ＰEの共振波長を調整することも可能である。共振波長を調整するための具体的な構成に関わらず、共振波長の相違に起因した段差を上回る膜厚に第１封止層７１を形成した構成が好適である。

前述の各形態では有機ＥＬ材料を利用した発光素子４５を例示したが、無機ＥＬ材料で発光層を形成した発光素子やＬＥＤ等の発光素子を利用した構成にも本発明は同様に適用される。また、前述の各形態では、基板１０とは反対側に光を出射するトップエミッション型の発光装置１００を例示したが、基板１０側に光を出射するボトムエミッション型の発光装置にも本発明は同様に適用される。

（６）前述の各形態では、相異なる各表示色間の共振長の差分の最小値（差分Δ）を下回る膜厚で画素定義層６５を形成したが、画素定義層６５の膜厚の条件は以上の例示に限定されない。例えば、相異なる表示色の組合せに対応する複数の差分Δ（ΔBG，ΔGR，ΔRB）のうち最小値以外の差分Δを下回るように画素定義層６５の膜厚を選定することも可能である。例えば、第１実施形態における例示のように、青色の共振長ＺBおよび緑色の共振長ＺGの差分ΔBGが６５ｎｍであり、緑色の共振長ＺGおよび赤色の共振長ＺRの差分ΔGRが５５ｎｍであり、赤色の共振長ＺRおよび青色の共振長ＺBの差分ΔRBが１２０ｎｍである場合、差分ΔBGを下回る膜厚（例えば６０ｎｍ）で画素定義層６５を形成することも可能である。ただし、相異なる各表示色間の共振長の差分の最小値を下回る膜厚で画素定義層６５を形成する前述の形態によれば、発光素子４５の本来の表示色と発光素子４５の周縁の表示色との差異が観察者に知覚され難いという前述の効果が、表示画素ＰEの全部の表示色について実現されるという利点がある。

（７）前述の各形態では、表示画素ＰEに構造（配線やトランジスターや容量素子等の構造）が類似するダミー画素ＰDを周辺領域１８内に配置した構成を例示したが、周辺領域１８内の構成は以上の例示に限定されない。例えば、周辺領域１８内の第２電源導電体４２の下層に、駆動回路３０（走査線駆動回路３２または信号線駆動回路３４）や駆動回路３０以外の回路および配線を配置することも可能である。

（８）前述の各形態では、共振波長の説明の簡略化のために光路調整層６０の膜厚に着目したが、実際には、共振構造の反射層（例えば第１電源導電体４１）と半透過反射層（例えば第２電極Ｅ2）との間に位置する各層の屈折率や、反射層および半透過反射層の表面での位相シフトに応じて共振構造の共振波長が設定される。

＜電子機器＞
前述の各形態に例示した発光装置１００は各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図２０には、前述の各形態に例示した発光装置１００を利用した頭部装着型の表示装置９０（HMD：Head Mounted Display）が電子機器として例示されている。

表示装置９０は、利用者の頭部に装着可能な電子機器であり、利用者の左眼に重なる透過部（レンズ）９２Lと、利用者の右眼に重なる透過部９２Rと、左眼用の発光装置１００Lおよびハーフミラー９４Lと、右眼用の発光装置１００Rおよびハーフミラー９４Rとを具備する。発光装置１００Lと発光装置１００Rとは、出射光が相互に反対の方向に進行するように配置される。左眼用のハーフミラー９４Lは、透過部９２Lの透過光を利用者の左眼側に透過させるとともに、発光装置１００Lからの出射光を利用者の左眼側に反射させる。同様に、右眼用のハーフミラー９４Rは、透過部９２Rの透過光を利用者の右眼側に透過させるとともに発光装置１００Rからの出射光を利用者の右眼側に反射させる。したがって、利用者は、透過部９２Lおよび透過部９２Rを介して観察される像と各発光装置１００による表示画像とを重畳した画像を知覚する。また、相互に視差が付与された立体視画像（左眼用画像および右眼用画像）を発光装置１００Lと発光装置１００Rとに表示させることで、利用者に表示画像の立体感を知覚させることが可能である。

なお、前述の各形態の発光装置１００が適用される電子機器は図２０の表示装置９０に限定されない。例えば、ビデオカメラやスチルカメラ等の撮像装置に利用される電子式ビューファインダー（EVF：Electronic View Finder）にも本発明の発光装置１００が好適に利用される。また、携帯電話機、携帯情報端末（スマートフォン）、テレビやパーソナルコンピューター等のモニター、カーナビゲーション装置等の各種の電子機器に本発明の発光装置を採用することが可能である。

１００……発光装置、１０……基板、１０A……能動領域、１２……第１領域、１４……第２領域、１６……表示領域、１８……周辺領域、２２……走査線、２４……制御線、２６……信号線、３０……駆動回路、３２……走査線駆動回路、３４……信号線駆動回路、３６……実装端子、４１……第１電源導電体、４２……第２電源導電体、４５……発光素子、Ｅ1……第１電極、Ｅ2……第２電極、４６……発光機能層、ＴDR……駆動トランジスター、ＴEL……発光制御トランジスター、ＴSL……選択トランジスター、Ｃ……容量素子、６０……光路調整層、６５……画素定義層、６５A，６５B……開口部、６７……内周面、７０……封止体、７１……第１封止層、７２……第２封止層、７３……第３封止層、Ｑ（ＱA1，ＱA2，ＱA3，ＱA4，ＱB1，ＱB2，ＱC1，ＱC2，ＱD1，ＱE1，ＱE2）……中継電極、ＱF……導通用電極。

Claims (6)

1. 発光機能層を挟む反射層と半透過反射層との間で前記発光機能層からの出射光を共振させる共振構造を有する第１発光素子および第２発光素子と、
   前記反射層と前記半透過反射層との間に絶縁材料で形成され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の各々に対応する開口部が形成された画素定義層と、
   第１調整層と、
   前記第１調整層とは異なる材料で形成された第２調整層と
   が基体上に形成され、
   前記第１発光素子における前記反射層および前記半透過反射層の第１間隔と、前記第２発光素子における前記反射層および前記半透過反射層の第２間隔とは相違し、
   前記画素定義層の膜厚は、前記第１間隔と前記第２間隔との差分を下回り、
   前記第１発光素子における前記反射層と前記半透過反射層との間には、前記第１調整層が形成され、
   前記第２発光素子における前記反射層と前記半透過反射層との間には、前記第１調整層と前記第２調整層とが形成されている
   発光装置。
2. 前記第１調整層は、窒化珪素であり、
   前記第２調整層は、酸化珪素である
   請求項１の発光装置。
3. 前記発光機能層を挟む前記反射層と前記半透過反射層との間で前記発光機能層からの出射光を共振させる共振構造を有する第３発光素子と、
   第３調整層とを具備し、
   前記第３発光素子における前記反射層と前記半透過反射層との間には、前記第１調整層と前記第２調整層と前記第３調整層とが形成され、
   前記第１発光素子と前記第２発光素子との間、および、前記第２発光素子と前記第３発光素子との間には、前記第１調整層および前記第２調整層の２層が積層される
   請求項１または請求項２の発光装置。
4. 前記第１発光素子および前記第２発光素子を覆う封止層を具備し、
   前記封止層の膜厚は、前記第１間隔と前記第２間隔との差分を上回る
   請求項１から請求項３の何れかの発光装置。
5. 前記第１発光素子および前記第２発光素子の各々は、第１電極と、前記第１電極からみて前記基体とは反対側に位置するとともに前記半透過反射層として機能する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する前記発光機能層とを含み、
   前記封止層は、前記第２電極の表面に直接に接触する
   請求項４の発光装置。
6. 請求項１から請求項５の何れかの発光装置を具備する電子機器。
   

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