JP5786675B2 - 有機発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光装置に関するものである。

近年、基板上に有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として形成し、発光素子の発光光を基板として反対側に取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置が電子機器の表示装置などとして多用されている。トップエミッション方式は、発光素子（有機ＥＬ素子）を挟み基板側に形成された一方の電極（例えば、画素電極）と基板との間に反射層を形成し、発光素子を挟む他方の電極（例えば、対向電極）側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。このような有機ＥＬ素子は、薄型・軽量といった特徴を有し、直視型ディスプレイや各種の照明用途としての応用が提案されている。

現在、対角１インチ未満のマイクロディスプレイが提案されている。例えば、デジタルカメラ向けの電子ビューファインダーの用途として、有機ＥＬのマイクロディスプレイを応用する場合、精細度の制約上からＲＧＢに対応する発光層を形成する際に、各色の発光材料の塗り分けが難しい。微細なマスクの製造が困難であったり、有機ＥＬパネルの製造プロセスにおける位置合わせ等が困難になるなど、実現が難しい。

そこで、白色の光を発する発光層を各色の画素に形成し、その上方にＲＧＢのカラーフィルターを重ねることによってフルカラー表示を行う構成が知られている。また、キャビティ構造を用いて光路長をＲＧＢ毎に変えることにより各画素で異なる波長の光を射出する構成が知られている（特許文献１）。これらの構成を組み合わせることによりＲＧＢの各スペクトルを持つ光を生成することができるとともに、カラーフィルターを光が通過することでさらにスペクトルピークが高められた光が射出されることになる。

特開平０８−２１３１７４号公報

ところで、有機ＥＬ装置において、複数の画素電極間、あるいは画素電極と対向電極間の短絡を防止するために、画素電極の周囲を絶縁膜で覆う構成が一般的に知られている。このような有機ＥＬ装置において、ディスプレイのサイズが数インチ以上の場合、各画素を形成するための基板側の画素電極のサイズが数１０μｍ〜１００μｍ程度のオーダーであり、それに対して１００〜３００ｎｍの膜厚を有する有機ＥＬ素子を形成していたため、基板側の画素電極の直上の発光層のみが発光するのが通常であった。
しかしながら、マイクロディスプレイの場合には、各画素を形成するための画素電極のサイズが数μｍのオーダーであり、このような画素電極上に１００〜３００ｎｍの膜厚を有する発光層を形成することになる。このような場合、特に、低電圧を画素電極に印加した場合、その直上の発光層だけでなく、横方向へもキャリアが移動してしまい、絶縁層に隔てられて画素電極と接していない領域の発光層も発光してしまうことがある。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、マイクロディスプレイであっても意図しない波長の発光を抑えることが可能な発光装置を提供することを目的の一つとしている。また、この種の発光装置を備え、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を提供することを目的の一つとしている。

本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に配置され、光透過性を有する第１電極と、前記第１電極と対向して配置され、半透過半反射性を有する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記第１電極の端部を覆う第１絶縁層と、 前記基板と前記第１電極との間に配置された第１反射層と、前記基板と前記第１電極との間に配置された第２反射層と、を備え、前記第１電極は、前記基板に垂直な方向から見て前記第１絶縁層と重ならない第１部分と、前記基板に垂直な方向から見て前記第１絶縁層と重なる第２部分とを有し、前記基板に垂直な方向から見て前記第１部分と重なる領域では、前記第１反射層と前記第２電極とで第１共振構造が形成され、前記基板に垂直な方向から見て前記第２部分と重なる領域では、前記第２反射層と前記第２電極とで第２共振構造が形成され、前記第１反射層と前記第２電極との間の光学的距離は、前記第２反射層と前記第２電極との間の光学的距離と等しいことを特徴とする。

本発明の発光装置においては、第１反射層と第２電極との間の光学的距離、すなわち、第１電極の第１部分に対応する領域における光学的距離と、第２反射層と第２電極との間の光学的距離、すなわち、第１電極の第２部分に対応する領域における光学的距離と、が等しい。そのため、例えば微小なサイズの第１電極を備えた発光装置において、横方向（基板面と平行な方向）のキャリアの移動により第１絶縁層上の有機発光層が発光したとしても、その光は、第１絶縁層上にない有機発光層、すなわち、第１反射層上の有機発光層から発せられた光と同様の共振を生じる。その結果、本発明の発光装置によれば、横方向へのキャリア移動に起因する、意図しない波長の発光を抑えることができる。

また、第１電極の第１部分に対応する領域の光学的距離と、第２部分に対応する領域の光学的距離と、を等しくすることにより、第１部分に対応する領域での発光スペクトルと、第２部分に対応する領域での発光スペクトルと、を等しくすることができる。これにより、第１電極端部の第１絶縁層上の発光層が発光した場合においても、その光の色を第１電極中央部からの光の色と合わせることができる。その結果、色純度の低下や色ずれの虞の少ない発光装置を提供することができる。

本発明の発光装置において、前記第１反射層と前記第２反射層とは、異なる層に配置されている構成としてもよい。
なお、本発明で言う「異なる層」とは、製造プロセスにおける異なる工程で形成される層のことであり、構成的には、下地となる層が異なる層を意味する。

第１反射層と第２反射層とが異なる層に配置されている場合、第１反射層および第２反射層の基板に垂直な方向の位置を異ならせることで、第１共振構造の光学的距離と第２共振構造の光学的距離とを等しくすることができる。そのため、第１絶縁層等の屈折率を考慮する必要性が小さく、材料の選択の幅が広がり、設計が容易になる。

本発明の発光装置において、前記第２反射層は、前記第１反射層と前記第１電極との間に位置する構成としてもよい。

この構成によれば、第２反射層は第１反射層よりも上層側（第１電極側）に位置することになり、第２反射層の上方には第１絶縁層が位置することになる。したがって、第１共振構造を構成する第１反射層の上方に任意の膜厚および屈折率を有する絶縁膜を適宜設けることにより、第１共振構造の光学的距離と第２共振構造の光学的距離とを等しくすることができる。

本発明の発光装置において、前記第１反射層と前記第１電極の間に配置され、前記基板に垂直な方向から見て前記第１部分と重なる第２絶縁層と、前記第２反射層と前記第１電極の間に配置され、前記基板に垂直な方向から見て前記第２部分と重なる第３絶縁層と、をさらに有し、前記第１反射層と前記第２反射層とは同層に設けられ、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層とは同層に形成された構成としてもよい。
なお、本発明で言う「同層」とは、製造プロセスにおいて同一の工程で形成される層のことであり、構成的には、２つの層が別体に形成されるか、一体に形成されるかに係わらず、下地となる層が同じであることを意味する。

この構成では、第１共振構造が第１反射層と第２電極との間に位置する第２絶縁層、第１電極、および有機発光層を有し、第２共振構造が第２反射層と第２電極との間に位置する第３絶縁層、第１電極、第１絶縁層および有機発光層を有する。したがって、第１絶縁層、第２絶縁層、および第３絶縁層の膜厚や屈折率を適宜決定することにより、第１共振構造の光学的距離と第２共振構造の光学的距離とを等しくすることができる。

本発明の発光装置において、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層とは、屈折率が異なる構成としてもよい。

上記の第２絶縁層および第３絶縁層を備えた構成においては、第１共振構造と第２共振構造とを比較すると、第１反射層と第２電極との間の物理的な距離と第２反射層と第２電極との間の物理的な距離とが第１絶縁層の膜厚分だけ異なる。この場合、第２絶縁層の膜厚と第３絶縁層の膜厚とを等しくしたとしても、第２絶縁層の屈折率と第３絶縁層の屈折率を異ならせることにより、第１共振構造の光学的距離と第２共振構造の光学的距離とを等しくすることができる。

本発明の発光装置において、前記第１絶縁層が無機材料からなる構成としてもよい。

この構成によれば、有機材料では形成できない厚さの膜を設けることができる。また、吸水性が低い（耐水性に優れる）第１絶縁層が得られる。このように、無機材料からなる第１絶縁層が第１電極の端部を覆うことにより、第１電極の段差の影響が緩和される。これにより、有機発光層と第１電極とが接する部分がより平坦になり、有機発光層の膜厚が薄くなった部分に優先的に電流が流れることが防止されるため、電流効率を高めることができる。

本発明の発光装置において、前記有機発光層は、前記第１電極と前記第１絶縁層とを覆っている構成としてもよい。

この構成によれば、第１電極の中央部のみならず、第１電極の端部にあたる第１絶縁層上に位置する有機発光層も発光に寄与させることができる。

本発明は、上記本発明の発光装置を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、上記本発明の発光装置を備えたことにより、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を提供することができる。

本発明の第１実施形態である有機発光装置の全体構成を示す平面図。 実施形態における有機発光装置の全体構成を示す回路図。 表示単位画素の構造を示す平面図。 有機発光装置の構成を示す部分断面図。 画素電極の第１部分および第２部分に対応する各領域における光路長（光学的距離）を、それぞれ説明するための図。 第２実施形態の有機発光装置の構成を示す部分断面図。 画素電極の第１部分に対応する領域、および第２部分に対応する領域における光路長（光学的距離）をそれぞれ説明するための図。 ＲＧＢに対応する各サブ画素の第１領域（「ＩＴＯ開口部」）のみから得られる有機発光層の発光スペクトルと、第１領域（「ＩＴＯ開口部」）および第２領域（「周縁部」）から得られる有機発光層の発光スペクトルとを重ねて示す図。 ＲＧＢに対応する各サブ画素の第１領域（「ＩＴＯ開口部」）のみから得られる有機発光層の発光スペクトルと、第１領域（「ＩＴＯ開口部」）および第２領域（「周縁部」）から得られる有機発光層の発光スペクトルとを重ねて示す図。 （ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図、（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図、（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図。

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態である有機発光装置の全体構成を示す平面図である。
図１に示すように、本実施形態の有機発光装置１００は、アクティブマトリクス基板１０上の表示領域４には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して設けられた複数のサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂがマトリクス状に規則的に配置されている。このとき、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの配列は、一方向にＲ，Ｇ，Ｂが繰り返し並ぶように配列されている。

図２は、本実施形態における有機発光装置の全体構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施形態の有機発光装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に平行して延在する複数の電源供給線１０３とがそれぞれ配列された回路構成を有するとともに、走査線１０１および信号線１０２の各交点付近に、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが設けられている。これら３つのサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、走査線１０１の延在方向に沿ってこの順番に設けられる。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタおよびアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路９０が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタおよびレベルシフタ等を備える走査側駆動回路８０が接続されている。

サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの各々には、走査線１０１を介して走査線信号がゲート電極に供給されるスイッチングトランジスタ１１２と、このスイッチングトランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、この保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動トランジスタ１２３と、この駆動トランジスタ１２３を介して電源供給線１０３に電気的に接続したときに当該電源供給線１０３から駆動電流が与えられる画素電極（第１電極）１６と、この画素電極１６と対向電極１８との間に有機機能層１９が挟み込まれてなる有機ＥＬ素子７と、が設けられている。

図３は、表示単位画素の構造を示す平面図であり、図４は、有機発光装置の構成を示す部分断面図である。
図３、図４に示すように、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する３つのサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが一つの基本単位となって表示単位画素３を構成しており、これによって、表示単位画素３は、ＲＧＢの光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。表示単位画素３を構成するサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂはそれぞれ、赤色の光を射出すべき領域、緑色の光を射出すべき領域、青色の光を射出すべき領域である。

画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、平面視でほぼ等しい大きさを有する。そして、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応して設けられた画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ上には、その表面１６１の一部を露出させる開口２２Ａが設けられた第１絶縁層２２が形成されている。本実施形態の画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、特許請求の範囲における「第１電極」に対応する。

光路長調整層１３は、対向電極１８との間で所定の波長の光を共振させるための反射層１４Ａを備えている。光路長調整層１３の膜厚は、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおいて所定の波長の光が効率よく共振し得る光路長となるように調整される。本実施形態の対向電極１８は、特許請求の範囲における「第２電極」に対応する。

図４は、有機発光装置の構成を示す部分断面図である。
本実施形態の有機発光装置１００は、トップエミッション構造であって、基板１０Ａ上の表示領域４（図１）内におけるサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに、図４に示すように、有機ＥＬ素子７とこの有機ＥＬ素子７を発光駆動させる駆動回路８とが設けられたアクティブマトリクス基板１０と、アクティブマトリクス基板１０上に対向配置されたカラーフィルター基板２０とを備えている。

以下、各構成要素について具体的に述べる。
図４に示すように、基板１０Ａ上に形成されたデバイス層１２は、スイッチングトランジスタ（不図示）、駆動トランジスタ１２３、保持容量１１３等を含む層で、駆動回路８はこのデバイス層１２の内部に形成されている。

駆動トランジスタ１２３は、基板１０Ａ上に形成された半導体層４１ａのドレイン領域に接続されたドレイン電極４１ｄと、半導体層４１ａのソース領域と接続されたソース電極４１ｃと、半導体層４１ａを覆うゲート絶縁層４１ｂと、ゲート絶縁層４１ｂ上に形成されたゲート電極４１ｅと、で構成されている。そして、ソース電極４１ｃは、電源供給線１０３に接続され、ドレイン電極４１ｄは、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを覆うように形成されたカバー層４４、平坦化層４５、光路長調整層１３を貫通して形成された各コンタクトホールＨを介して対応する各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと接続されている。

本実施形態の有機発光装置１００はトップエミッション構造を有していることから、有機ＥＬ素子７の発光光が対向電極１８側から射出するように、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと基板１０Ａとの間には各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応して反射層１４Ａが複数形成されている。
本実施形態のデバイス層１２は、第１反射層１４Ａ、第２反射層１４Ｂ、第２絶縁層２３および第３絶縁層２４を有する。

第１反射層１４Ａは、平坦化層４５の表面上にサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに設けられ、基板１０Ａに垂直な方向から見て、後述する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの第１部分１６２と重なるようにパターン形成されたものであり、光反射率の高い材料より所定の膜厚で形成されている。第１反射層１４Ａの形成材料として、例えば、アルミニウム、銀、あるいは銀の合金などが挙げられる。第１反射層１４Ａは、有機ＥＬ素子７の発光光のうち、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを通過して基板１０Ａに射出される光を反射して対向電極１８側へと射出させる。

第２反射層１４Ｂは、基板１０Ａに垂直な方向から見て、後述する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの第２部分１６３と重なるようにパターン形成されたものであり、第１反射層１４Ａとは異なる層（上層）に存在する。第２反射層１４Ｂは、第１反射層１４Ａと同一の材料を用いて形成されたものである。また、第２反射層１４Ｂは、製造プロセスにおいて第１反射層１４Ａとは異なる工程で形成される。第１反射層１４Ａの下地は平坦化層４５であり、第２反射層１４Ｂの下地は第３絶縁層２４である。すなわち、第１反射層１４Ａと第２反射層１４Ｂとは、下地となる層が異なる。

第２絶縁層２３は、第１反射層１４Ａの表面上に、基板１０Ａに垂直な方向から見て、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの中央部１６２（第１部分Ａ１）と重なるようにパターン形成される。

第２反射層１４Ｂと平坦化層４５との間には、基板１０Ａに垂直な方向から見て、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの第２部分１６３と重なるように第３絶縁層２４が形成されている。この第３絶縁層２４は、第１絶縁層２２とは異なる所定の屈折率ｎ３を有する。

このようなデバイス層１２の表面上には、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。この画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６ＢはＩＴＯなどの透明電極膜からなる。

各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂにおける膜厚Ｔｒ，Ｔｇ，Ｔｂの関係は、膜厚Ｔｂ＜膜厚Ｔｇ＜膜厚Ｔｒとなっている。具体的に、サブ画素３Ｒに対応する画素電極１６Ｒの膜厚Ｔｒは１００ｎｍ、サブ画素３Ｇに対応する画素電極１６Ｇの膜厚Ｔｇは６０ｎｍ、サブ画素３Ｂに対応する画素電極１６Ｂの膜厚Ｔｂは２０ｎｍである。なお、平面視矩形状を呈する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの大きさ（表面積）は互いに等しい。

画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、平面視で第２絶縁層２３と重なるだけでなく、第２反射層１４Ｂとも重なるように設けられているため、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと第２反射層１４Ｂとの接触を避けるためにこれらの間には不図示の絶縁膜が存在する。

ここで、デバイス層１２の表面１２ａと各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１との間には、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの膜厚に応じた段差が生じることになるが、この段差を覆うとともに、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの対向電極１８側の表面１６１の一部を露出させる開口２２Ａが画素ごとに設けられた第１絶縁層２２が存在する。

第１絶縁層２２は、デバイス層１２の表面１２ａ（露出した部分）を覆うとともに表面１２ａから画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの各表面１６１上に一部乗り上げるようにして形成され、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部１６３を覆っている。ここで、隣り合う画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂどうしの膜厚は異なるものの、隣り合うサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間に形成される第１絶縁層２２の厚さは一定とされ、本実施形態における第１絶縁層２２の膜厚は２０ｎｍである。なお、これに限定されることなく、第１絶縁層２２の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内で設定される。

また、第１絶縁層２２は、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部１６３（第２部分Ａ２）を覆うようにして形成されるとともに、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの各表面１６１の中央部１６２（第１部分Ａ１）を部分的に露出させる開口２２Ａを有している。第１絶縁層２２のうち、平面視において画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部１６３と重なる重畳部２２０は、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂのエッジ部分を確実に被覆可能な膜厚を有する。第１絶縁層２２は無機材料を用いて形成され、例えばＳｉＯ_２，ＳｉＮ，ＳｉＯＮのいずれかからなる。

このような第１絶縁層２２とその各開口２２Ａから露出する画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１を覆うようにして有機機能層１９が形成されている。

上記した構成において、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと駆動回路８とをコンタクトさせるための接続領域には反射層１４Ｂを形成することができないため共振構造とすることができない。そのため、この接続領域上に存在する有機機能層１９の一部が発光しないように第１絶縁層２２でカバーする。

有機機能層１９は、有機発光層を含む１層以上の有機層からなり、例えば、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ側から、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、赤色発光層（Ｒ−ＥＭＬ）、キャリア輸送層（ＣＴＬ）、青色発光層（Ｂ−ＥＭＬ）、緑色発光層（Ｇ−ＥＭＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）が順に積層されてなり、発光領域から白色光を射出するように構成されている。積層された複数の機能層の層厚は、ＲＧＢの各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおいて同じ厚さである。本実施形態では、有機機能層１９の総膜厚が１００ｎｍとなっている。

なお、有機機能層１９を構成する各機能層はこれに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが同一層とされた構成や、有機機能層１９の全ての機能層を兼ねた構成など、他の構成であっても良い。

対向電極１８は、半透過半反射性を有し、複数の画素３に共通して形成されている。すなわち、少なくとも表示領域４全体を覆って形成されている。上記した画素電極１６は、導電性を有するとともに光透過性を有する材料で形成されているが、光路中に存在する対向電極１８は、例えば光が透過する程度に薄く形成された金属材料や、光透過性と光反射性とを両方備えた材料（半透過半反射性を有する材料）で形成されている。なお、本明細書で言う「半透過半反射性」は、光透過性と光反射性の両方を備えていることを意味するのであり、透過光と反射光の割合が半分ずつであることを意味するのではない。これにより、第１反射層１４Ａにおいて反射された光は画素電極１６を透過して対向電極１８へと入射し、その一部が画素電極１６側へ反射され、再び第１反射層１４Ａで反射されることになる。この結果、第１反射層１４Ａと対向電極１８との間の光路長（第１の光学的距離：Ｌ１（ｒ），Ｌ１（ｇ），Ｌ１（ｂ））に応じた波長を有するＲＧＢ光が第１反射層１４Ａと対向電極１８との間で共振し、この共振した光が対向電極１８側から射出されることになる。本実施形態の対向電極１８は、マグネシウムと銀の共蒸着薄膜により、膜厚１０〜１５ｎｍで構成されている。

アクティブマトリクス基板１０上に対向配置されるカラーフィルター基板２０は、ガラス基板などの透明基板２０Ａ上に遮光膜２１によって区画された赤色の光を透過するＲフィルター２Ｒ、緑色の光を透過するＧフィルター２Ｇ、青色の光を透過するＢフィルター２Ｂが各色に対応するサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの配列に合わせて形成されたものであって、各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの発光領域と重なるように配置されている。各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは、平面視で第１部分Ａ１および第２部分Ａ２と重なるように設けられている。

そして、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの各発光領域から射出された各発光は、各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂによってそれぞれさらに最適化されたＲ光，Ｇ光，Ｂ光に変換される。よって、各発光領域の波長に応じた色の光が各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから射出されることによって、それぞれ各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを形成してカラー画像が表示される。

本実施形態の有機発光装置１００において、複数の波長の光が合成されて白色の光を発する有機機能層１９が形成される基板１０Ａ側には、光の三原色であるＲ，Ｇ，Ｂに対応する各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ内にそれぞれ膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂが形成されている。このように、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成することで、反射層１４Ａと対向電極１８との間にそれぞれ異なる光共振器構造を形成することができる。これにより、第１領域Ａ１における反射層１４Ａと対向電極１８との間の光路長Ｌ１（ｒ）、Ｌ１（ｇ）、Ｌ１（ｂ）に対応して、それぞれ赤、緑、青に対応する波長の光が反射層１４Ａと対向電極１８との間で共振し、この共振した光が半透過反射性を有する対向電極１８側から射出されることになる。このようにして、白色の光を発する有機機能層１９からＲＧＢに対応した３種類の異なる発光スペクトルが得られる構成になっている。

本実施形態では、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを有し、これら画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの各表面１６１とデバイス層１２の表面１２ａとの間には、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの膜厚に応じた段差が生じる。このような段差が存在している基板１０Ａ上に一様に有機機能層１９を成膜した場合、上記段差が陰となってその部分の有機機能層１９の膜厚が他の部分に比べて薄い膜厚になってしまう場合がある。この場合、画素電極１６と対向電極１８との間に電界をかけた際に有機機能層１９の膜厚の薄い部分に優先的に電流が流れる。これが所謂リーク成分になって表示に必要な発光に寄与しない電流になるため、電流効率が低下する。このリーク電流（リーク成分）は、特に画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと対向電極１８との間に低電圧を印加した際に生じやすい。

さらに、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂには、各画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと、駆動回路８（駆動トランジスタ）とを接続させるためのコンタクトホールＨが形成されている。ところが、このようなコンタクトホールＨに対応する領域には反射層を形成することができないため、共振器構造を形成することができない。

そのため、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部分に形成される段差とコンタクトホールＨとを覆うようにして第１絶縁層２２を形成する。第１絶縁層２２が少なくとも画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの端部を覆うことで、段差の影響が緩和される。これによって有機機能層１９と画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとが接する部分が平坦になるので、有機機能層１９のうち膜厚が薄くなった部分に優先的に電流が流れることが防止されるため、電流効率を高めることができる。

ただし、上述したように画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの周縁部分に生じる段差を覆うように第１絶縁層２２を設けた場合、第１絶縁層２２の開口２２Ａ側にも、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂと第１絶縁層２２との間に、第１絶縁層２２の膜厚に応じた段差が形成されてしまう。そのため、このような段差が存在している状態で一様に有機機能層１９を成膜した場合、上記段差が陰となってその部分の有機機能層１９の膜厚が他の部分に比べて薄い膜厚になってしまう。この問題は、通常の大きさのディスプレイに比べて画素ピッチ（サブ画素間距離、表示単位画素間距離）の狭いマイクロディスプレイにおいて特に顕著になる。この場合も、上記したように薄膜化した有機機能層１９の一部に優先的に電流が流れて第１絶縁層２２上の有機機能層１９が発光してしまうという問題が生じる。

従来のように画素ごとに反射層が設けられた共振器構造の場合、第１絶縁層２２上の有機機能層１９から射出された発光は、その上に形成される対向電極１８と反射層１４との間の距離（光路長）が他の部分と異なり、意図しないスペクトルの光がサブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの周辺で射出されて純粋な色の光が得られない。通常の大きさのディスプレイに比べてサブ画素の面積が小さいマイクロディスプレイは、上記のようなサブ画素の周縁で射出される本来意図した発光とは異なる色の発光が、サブ画素全体から射出される発光で占める割合が大きい。これが色ずれの原因となる。

このため、本実施形態では、画素電極１６Ｂ，１６Ｇ，１６Ｂから横方向へキャリアが流れて第１絶縁層２２上の有機機能層１９が発光した場合でも、その場合の発光スペクトルが、画素電極１６Ｂ，１６Ｇ，１６Ｂ上で発光している有機機能層１９の発光スペクトルと同等になるように、画素電極１６Ｂ，１６Ｇ，１６Ｂのうち、第１絶縁層２２の開口２２Ａから露出している部分と、第１絶縁層２２によって覆われている部分との光路長（光学的距離）を調整する構成とした。

図５は、画素電極の第１領域および第２領域に対応する各部分おける光路長（光学的距離）を、それぞれ説明するための図である。
図５に示すように、本実施形態では、第１反射層１４Ａの周囲に第３絶縁層２４を形成し、第３絶縁層２４の表面上に第２反射層１４Ｂを形成することで、第１反射層１４Ａと第２反射層１４Ｂとが互いに異なる層に存在するように構成した。このような光路長調整層１３を備えた構成とすることにより、第１絶縁層２２の開口２２Ａから露出する画素電極１６（１６Ｂ，１６Ｇ，１６Ｂ）の中央部１６２にあたる第１部分Ａ１に対応する部分の光路長と、第１絶縁層２２によって覆われた画素電極１６の周縁部１６３にあたる第２部分Ａ２に対応する部分の光路長、すなわち光学的距離Ｌ１，Ｌ２（第１反射層１４Ａもしくは第２反射層１４Ｂと対向電極１８との間の光学的な距離）が等しくなるような構成となっている。具体的には、対向電極１８と各反射層１４Ａ，１４Ｂとの間に存在する各層の形成材料の屈折率や膜厚等によって光路長が決定される。

第１部分Ａ１に対応する積層構造は、基板１０Ａ側から順に、第１反射層１４Ａ、第２絶縁層２３、画素電極１６（第１部分Ａ１）、有機機能層１９および対向電極１８が積層されており、第１反射層１４Ａの表面（対向電極１８に対向する面）から対向電極１８の裏面（画素電極１６に対向する面）までの距離を第１光学的距離（第１の光学的距離）Ｌ１としている。第１反射層１４Ａと対向電極１８とで構成される共振構造は、特許請求の範囲における「第１共振構造」に対応する。

また、第２部分Ａ２に対応する積層構造は、基板１０Ａから順に、第３絶縁層２４、第２反射層１４Ｂ、画素電極１６（第２部分Ａ２）、第１絶縁層２２、有機機能層１９および対向電極１８が形成されており、第２反射層１４Ｂの表面（対向電極１８に対向する面）から対向電極１８の裏面（画素電極１６に対向する面）までの距離を第２光学的距離（第２の光学的距離）Ｌ２としている。第２反射層１４Ｂと対向電極１８とで構成される共振構造は、特許請求の範囲における「第２共振構造」に対応する。

光路長調整層１３は、第１光学的距離Ｌ１と第２光学的距離Ｌ２との関係が、
第１光学的距離Ｌ１＝第２光学的距離Ｌ２±５（ｎｍ）
の範囲内となるように、上下方向に積層された各層の厚さｄや屈折率ｎが調整される。ここでいう厚さｄ、屈折率ｎを持ったある層の光学的距離Ｌとは、Ｌ＝ｎ×ｄで定義される。
第１光学的距離Ｌ１は、第２絶縁層２３、画素電極１６および有機機能層１９における各層の厚さｄと屈折率ｎとの積の和から得られ、第２光学的距離Ｌ２は、画素電極１６、第１絶縁層２２および有機機能層１９における各層の厚さｄと屈折率ｎとの積の和から得られる。第１反射層１４Ａまたは第２反射層１４Ｂと、対向電極１８との間にさらに何らかの層が設けられている場合は、この層の厚さｄと屈折率ｎとの積が、さらに加算される。なお、特許請求の範囲における「第１反射層と第２電極との間の光学的距離は、第２反射層と第２電極との間の光学的距離と等しい」とは、これらの光学的距離が上記の関係式を満足することを言う。

上述したように、光路長調整層１３を設けることで、第１光学的距離Ｌ１と第２光学的距離Ｌ２とが等しくなるようにしてあるので、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ上で発光している有機機能層１９の発光スペクトルと、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂからのリーク電流によって第１絶縁層２２上の有機機能層１９の一部も発光した場合の発光スペクトルとを同じにすることができる。これにより、マイクロオーダーの画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成した際に、横方向のキャリアの移動によって第１絶縁層２２上の有機機能層１９が発光した場合において、その光をディスプレイの発光として使用することができる。

また、本実施形態の構成によれば、第１反射層１４Ａおよび第２反射層１４Ｂの基板に垂直な方向の位置を異ならせることで、第１光学的距離Ｌ１と第２光学的距離Ｌ２とを調整できる。そのため、第１絶縁層２２、第２絶縁層２３の屈折率を考慮する必要性が小さく、材料の選択の幅が広がり、設計が容易になる。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態の有機発光装置について述べる。
図６は、有機発光装置の構成を具体的に説明するための断面図である。
先の実施形態では、第１反射層１４Ａ，第２反射層１４Ｂと第２絶縁層２３，第３絶縁層２４とが上下各層に混在した光路長調整層１３を有していたが、図６に示すように、本実施形態の有機発光装置２００は、第１反射層１４Ａおよび第２反射層１４Ｂ、第２絶縁層２３および第３絶縁層２４がそれぞれ同層に形成された光路長調整層３３を備える。なお、本実施形態において、第１反射層１４Ａと第２反射層１４Ｂとは別体に形成してもよいし、一体に形成してもよい。以下では、簡単にするために、第１反射層１４Ａと第２反射層１４Ｂとを一体に形成した形態について説明する。

図６に示すように、光路長調整層３３は、駆動回路８上を覆う平坦化層４５の表面上に形成されている。その構成は、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに設けられた複数の第１反射層１４Ａおよび第２反射層１４Ｂと、第１反射層１４Ａと画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとの間の層に形成された第２絶縁層２３および第３絶縁層２４を含んで構成される。第１反射層１４Ａが形成される層において、第１反射層１４Ａが形成されていない部分には、平坦化層４６が設けられている。第２絶縁層２３および第３絶縁層２４は同層に形成されており、そのうち第２絶縁層２３は平面視で画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの第１部分１６２と重なるように形成され、第３絶縁層２３は平面視で画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの第２部分１６３と重なるように形成されている。
なお、平坦化層４６は、反射層１４Ａと同じ厚さで成膜しても良い。

本実施形態では、開口２２Ａから画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの一部を露出させるようにして形成される第１絶縁層２２は、膜厚１０ｎｍのＳｉＯ_２からなり、その屈折率は１．４５である。
また、光路長調整層３３を構成する第２絶縁層２３は膜厚２５ｎｍのＳｉＮ膜からなり、第３絶縁層２４は膜厚２５ｎｍのＳｉＯ_２からなる。第１部分Ａ１に対応する部分に存在する第２絶縁層２３（ＳｉＮ膜）の屈折率ｎ２は２．０であり、第２部分Ａ２に対応する部分に存在する第３絶縁層２４（ＳｉＯ_２）の屈折率ｎ３は１．４５である。

このように、第２絶縁層２３と第３絶縁層２４との屈折率ｎ２，ｎ３は互いに異なっており、第２絶縁層２３の屈折率ｎ２の方が第３絶縁層２４の屈折率ｎ３よりも相対的に大きい（ｎ３＜ｎ２）。なお、第３絶縁層２４の屈折率ｎ３は、同じ材料からなる第１絶縁層２２の屈折率ｎ１と等しい。

本実施形態においても、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂごとに膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成することで、第１反射層１４Ａと対向電極１８との間にそれぞれ異なる光共振器構造を形成することができる。その結果、第１反射層１４Ａと対向電極１８との間の光路長（第１光学的距離：Ｌ１（ｒ），Ｌ１（ｇ），Ｌ１（ｂ））に応じて、ＲＧＢに対応した波長のＲＧＢ光が得られることになる。

画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂは、サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応する領域であって下層に存在する第１反射層１４Ａと平面視で重なる位置に、上記第２絶縁層２３および第３絶縁層２４に重なるように形成されている。

第１絶縁層２２には、上記実施形態同様に、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの表面１６１の一部を露出させる開口２２Ａが設けられており、この開口２２Ａから第１反射層１４Ａにおいて反射された光を取り出せる構成となっている。

図７に示すように、本実施形態における第１光学的距離Ｌ１は、第１反射層１４Ａ、第２絶縁層２３、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ、有機機能層１９および対向電極１８が基板１０Ａから順に積層された構造のうち、第１反射層１４Ａの表面（対向電極１８に対向する面）から対向電極１８の裏面（画素電極１６に対向する面）までの距離である。
また、第２光学的距離Ｌ２は、第２反射層１４Ｂ、第３絶縁層２４、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ、第１絶縁層２２、有機機能層１９および対向電極１８が基板１０Ａから順に積層された構造のうち、第２反射層１４Ｂの表面から対向電極１８の裏面までの距離である。

光路長調整層３３は、第１光学的距離Ｌ１と第２光学的距離Ｌ２との関係が、
第１光学的距離Ｌ１＝第２光学的距離Ｌ２±５（ｎｍ）
の範囲内となるように、第２絶縁層２３および第３絶縁層２４の屈折率ｎ２，ｎ３を調整する。第１反射層１４Ａと、対向電極１８との間にさらに何らかの層が設けられている場合は、この層の厚さｄと屈折率ｎとの積が、さらに加算される。なお、特許請求の範囲における「第１反射層と第２電極との間の光学的距離は、第２反射層と第２電極との間の光学的距離と等しい」とは、これらの光学的距離が上記の関係式を満足することを言う。

本実施形態の構成では、第１部分Ａ１と第２部分Ａ２とでは、第１反射層１４Ａもしくは第２反射層１４Ｂと対向電極１８との間の物理的な距離が第１絶縁層２２の膜厚分だけ異なっている。これに対して、光路長調整層３３における第２絶縁層２３および第３絶縁層２４の屈折率ｎ２，ｎ３を異ならせることで、第１光学的距離Ｌ１と第２光学的距離Ｌ２とを同じにすることができる。

このように、光路長調整層３３を設けることで、第１光学的距離Ｌ１と第２光学的距離Ｌ２とが等しくなるようにしており、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ上で発光している有機機能層１９の発光スペクトルと、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂからのリーク電流によって第１絶縁層２２上の有機機能層１９の一部も発光した場合の発光スペクトルとを同じにすることができる。これにより、マイクロオーダーの画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを形成した際に、横方向のキャリアの移動によって第１絶縁層２２上の有機機能層１９が発光した場合において、その光をディスプレイの発光として使用することができる。

また、本実施形態の構成では、光路長調整層３３において第１部分Ａ１に対応する部分に存在する第２絶縁層２３と、第２部分Ａ２に対応する部分に存在する第３絶縁層２４とが、互いに異なる無機材料でそれぞれ同じ膜厚で形成されているので、先の実施形態のように、第１反射層１４Ａと第２反射層１４Ｂとの位置を積層方向で異ならせる必要がなくなる。すなわち、第１反射層１４Ａと第２反射層１４Ｂとを平坦化層４５上に一体の層として形成でき、製造プロセスが簡便になるという利点がある。

［変形例］
上述した第１実施形態では第１反射層１４Ａと第２反射層１４Ｂとを異なる層に、異なる工程で形成したが、この構成に代えて、第２反射層の下層側に第３絶縁層を形成せずに、第２反射層の厚みを第２反射層の厚みよりも大きくし、第１反射層と第２反射層とを一体に形成してもよい。この構成とした場合も、第１反射層の表面と第２反射層の表面との位置が異なる点は第１実施形態と同様であり、第１反射層の表面から対向電極の裏面までの積層構造、および第１反射層の表面から対向電極の裏面までの積層構造は第１実施形態と同様である。したがって、第１光学的距離Ｌ１と第２光学的距離Ｌ２とを等しくするための設計を第１実施形態と同様に行うことができる。

この構成の場合、平面視で画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの第１部分１６２および第２部分１６３と重なるように反射層を形成した後、第１部分１６２と重なる領域を掘り込むことで、第１部分と重なる部分の対向電極側の面と、第２部分と重なる部分の対向電極側の面の、基板に垂直な方向の位置を異ならせることができる。その後、掘り込んだ部分に第２絶縁層を形成すればよい。このような構成とすることで、第１実施形態と比較して製造プロセスをより簡便にすることができる。

また、上述した第１、第２実施形態ではスイッチングトランジスタおよび駆動トランジスタが薄膜トランジスタである場合を示したが、これらのトランジスタは半導体基板を用いて形成される電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）であってもよい。このような構成とすれば、より高精細な表示装置を実現できる。

カラーフィルターはアクティブマトリクス基板１０上に直接形成してもよい。この場合、対向電極１８上に有機材料を用いて形成された有機層や、無機材料を用いて形成された無機層によって封止層を形成した後、これらの封止層上にカラーフィルターを形成する。かかる構成とすれば、カラーフィルター基板を貼り合わせるよりも小さな誤差で各サブ画素上にカラーフィルターを形成することができる。よって、より優れたフルカラー表示を実現できる。

カラーフィルターにはブラックマトリクスとしての遮光膜２１を設けなくてもよい。上述した各実施形態によれば、意図しない波長の光が射出されることを抑制できる。このため、ブラックマトリクスが設けられておらず、意図しない波長の発光を遮光できない表示装置において、より優れたフルカラー表示を実現することができる。

次に、上記した第１実施形態の構成を例として、本発明の効果を示す。

表１に、有機ＥＬ発光素子の各機能層の膜厚を示す。

有機ＥＬ素子７は、第１反射層１４Ａ，第２反射層１４Ｂ、第２絶縁層２３および第３絶縁層２４を含む光路長調整層１３、画素電極１６、第１絶縁層２２、有機機能層１９および対向電極１８により構成され、このうち、有機機能層１９は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、赤色発光層（Ｒ−ＥＭＬ）、キャリア輸送層（ＣＴＬ）、青色発光層（Ｂ−ＥＭＬ）、緑色発光層（Ｇ−ＥＭＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）よりなる。

本実施例では、第１反射層１４Ａ，第２反射層１４ＢにそれぞれＡｌ、第１絶縁層２２、第２絶縁層２３、第３絶縁層２４にＳｉＯ_２、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６ＢにＩＴＯ、正孔注入層（ＨＩＬ）に出光興産製のＨＩ４０６、正孔輸送層（ＨＴＬ）にＨＴ３２０、赤色発光層（Ｒ−ＥＭＬ）に出光興産製のＢＨ２１５＋ＲＤ００１、電子輸送層を構成する機能層の一つであるキャリア輸送層（ＣＴＬ）にＨＴ３２０、青色発光層（Ｂ−ＥＭＬ）にＢＨ２１５＋ＢＤ１０２、緑色発光層（Ｇ−ＥＭＬ）にＢＨ２１５＋ＧＤ２０６、電子注入層（ＥＩＬ）にＡｌｑ_３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）、対向電極１８にＭｇとＡｇの共蒸着層をそれぞれ用いた。

ＩＴＯからなる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの膜厚は、ＲＧＢごとに異なる。画素電極１６Ｒの膜厚Ｔｒは１３０ｎｍ、画素電極１６Ｇの膜厚Ｔｇは７０ｎｍ、画素電極１６Ｂの膜厚Ｔｂは３０ｎｍであり、長波長側へシフトするに従い膜厚も厚くなる。つまり、サブ画素３Ｒの画素電極１６Ｒの膜厚が最も大きい。また、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ以外の各機能層の膜厚は各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで等しい。

本例においては、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応する部分に設けられた膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの一部を開口２２Ａから露出させるようにして、第１絶縁層２２が形成されている。第１絶縁層２２の膜厚は２０ｎｍである。
また、光路長調整層１３を構成する第１反射層１４Ａ，第２反射層１４Ｂ、第２絶縁層２３および第３絶縁層２４の膜厚もそれぞれ２０ｎｍである。

図８は、ＲＧＢに対応する各サブ画素の第１部分Ａ１（「ＩＴＯ開口部」）のみに対応する部分の有機機能層１９の発光スペクトルと、第１部分Ａ１（「ＩＴＯ開口部」）＋第２部分Ａ２（「周縁部」）に対応する部分の有機機能層１９の発光スペクトルとを重ねて示す図である。

画素電極１６の第１部分Ａ１に対応する部分における第１反射層１４Ａと対向電極１８との間の光路長Ｌ１（第２絶縁層２３、画素電極１６、有機機能層１９の各層の膜厚の和）と、第２部分Ａ２に対応する部分における第２反射層１４Ｂと対向電極１８との間の光路長Ｌ２（画素電極１６、第１絶縁層２２、有機機能層１９の各層の膜厚の和）とが略等しくなる構成となっている。このため、図８に示すように、ＲＧＢの各サブ画素では、第１部分Ａ１に対応する部分において得られる発光スペクトルと、第２部分Ａ２に対応する部分において得られる発光スペクトルとが同等のスペクトルとなり、本来得るべき、開口２２Ａに対応する部分から得られる発光の色度からのずれは少ないものとなる。

表２に、実施例１における、第１部分Ａ１に対応する部分の発光スペクトルから算出したＣＩＥ色度座標、および、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２に対応する部分の発光スペクトルから算出したＣＩＥ色度座標を示す。

まず、実施例１における第１部分Ａ１（第１絶縁層２２の開口２２Ａ）のみから得られるＲＧＢ発光の各色度から計算すると、ＮＴＳＣ比１１５．２％と広色域の色再現範囲が得られる。
これに対し、第１部分Ａ１（第１絶縁層２２の開口２２Ａ）および第２部分Ａ２（重畳部２２０）から得られるＲＧＢ発光による色再現範囲は、開口部分にその周辺部分からの発光が加わるものの、ＮＴＳＣ比は１０８．５％と僅かに低下しただけである。
よって、表２に示すように、ＲＧＢの各サブ画素では、第１部分Ａ１に対応する部分において得られる発光スペクトルと、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２に対応する部分において得られる発光スペクトルとが同等の発光スペクトルとなり、本来得るべき、開口２２Ａに対応する部分から得られる発光の色度からのずれは少ないものとなる。

次に、上記した第２実施形態の構成を例として、本発明の効果を示す。

表３に、有機ＥＬ発光素子の各機能層の膜厚を示す。

有機ＥＬ素子７は、第１反射層１４Ａおよび第２反射層１４Ｂ、第２絶縁層２３および第３絶縁層２４を含む光路長調整層３３、画素電極１６、第１絶縁層２２、有機機能層１９および対向電極１８により構成され、このうち、有機機能層１９は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、赤色発光層（Ｒ−ＥＭＬ）、キャリア輸送層（ＣＴＬ）、青色発光層（Ｂ−ＥＭＬ）、緑色発光層（Ｇ−ＥＭＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）よりなる。

本実施例では、第１反射層１４Ａおよび第２反射層１４ＢにＡｌ、第１絶縁層２２、第３絶縁層２４にＳｉＯ_２、第２絶縁層２３にＳｉＮ、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６ＢにＩＴＯ、正孔注入層（ＨＩＬ）に出光興産製のＨＩ４０６、正孔輸送層（ＨＴＬ）にＨＴ３２０、赤色発光層（Ｒ−ＥＭＬ）に出光興産製のＢＨ２１５＋ＲＤ００１、電子輸送層を構成する機能層の一つであるキャリア輸送層（ＣＴＬ）にＨＴ３２０、青色発光層（Ｂ−ＥＭＬ）にＢＨ２１５＋ＢＤ１０２、緑色発光層（Ｇ−ＥＭＬ）にＢＨ２１５＋ＧＤ２０６、電子注入層（ＥＩＬ）にＡｌｑ_３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）、対向電極１８にＭｇとＡｇの共蒸着層をそれぞれ用いた。

ＩＴＯからなる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの膜厚は、ＲＧＢごとに異なる。画素電極１６Ｒの膜厚Ｔｒは１３０ｎｍ、画素電極１６Ｇの膜厚Ｔｇは７０ｎｍ、画素電極１６Ｂの膜厚Ｔｂは３０ｎｍであり、長波長側へシフトするに従い膜厚も厚くなる。つまり、サブ画素３Ｒの画素電極１６Ｒの膜厚が最も大きい。また、画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ以外の各機能層の膜厚は各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂで等しい。

本例においては、各サブ画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対応する部分に設けられた膜厚の異なる画素電極１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂの一部を開口２２Ａから露出させるようにして、第１絶縁層２２が形成されている。本例における第１絶縁層２２の膜厚は１０ｎｍである。
また、第２絶縁層２３、第３絶縁層２４の膜厚は２５ｎｍである。

図９は、ＲＧＢに対応する各サブ画素の第１部分Ａ１（「ＩＴＯ開口部」）のみに対応する部分の有機機能層１９の発光スペクトルと、第１部分Ａ１（「ＩＴＯ開口部」）＋第２部分Ａ２（「周縁部」）に対応する部分の有機機能層１９の発光スペクトルとを重ねて示す図である。

ＳｉＮ膜（第２絶縁層２３）に対応する部分における光路長ｎｄ：２．０×２５（ｎｍ）＝５０．０
ＳｉＯ_２膜（第３絶縁層２４、第１絶縁層２２）に対応する部分における光路長ｎｄ：１．４５×（２５＋１０）（ｎｍ）＝５０．７５

このように、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２に対応する部分にそれぞれ存在する絶縁膜部分の光路長は同等であることから、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２において対応する部分における反射層１４から対向電極１８までの光路長も同等となる。
したがって、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２に対応する部分から得られる発光スペクトルは、第１部分Ａ１のみから得られる発光スペクトルと同等の発光スペクトルとなり、本来得るべき第１部分Ａ１に対応する部分において得られる発光スペクトルおよび色度からのずれは少ないものとなる。

表４に、実施例２における、第１部分Ａ１に対応する部分の発光スペクトルから算出したＣＩＥ色度座標、および、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２に対応する部分の発光スペクトルから算出したＣＩＥ色度座標を示す。

まず、実施例２における第１部分Ａ１（第１絶縁層２２の開口２２Ａ）のみから得られるＲＧＢ発光の各色度から計算すると、ＮＴＳＣ比１１２．９％と広色域の色再現範囲が得られる。
これに対し、第１部分Ａ１（第１絶縁層２２の開口２２Ａ）および第２部分Ａ２（重畳部２２０）から得られるＲＧＢ発光による色再現範囲は、開口部分にその周辺部分からの発光が加わるものの、ＮＴＳＣ比は１０１．６％と僅かに低下しただけである。
よって、表４に示すように、ＲＧＢの各サブ画素では、第１部分Ａ１に対応する部分において得られる発光スペクトルと、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２に対応する部分において得られる発光スペクトルとが同等の発光スペクトルとなり、本来得るべき、開口２２Ａに対応する部分から得られる発光の色度からのずれは少ないものとなる。

（電子機器）
次に、前記実施形態の有機発光装置を備えた電子機器の例について説明する。

図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体（電子機器）を示し、符号１００１は有機発光装置を備えた表示部を示している。

図１０（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号１１００は時計本体（電子機器）を示し、符号１１０１は有機発光装置を備えた表示部を示している。

図１０（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置（電子機器）、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理本体、符号１２０６は有機発光装置を備えた表示部を示している。

図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機発光装置が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。

なお、電子機器としては、上記以外にも、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネル、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などを挙げることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

上記各実施形態によれば、第１部分Ａ１のみにおける発光スペクトルと、第１部分Ａ１および第２部分Ａ２における発光スペクトルを等しくすることができるので、例えば、カラーフィルター基板２０の各フィルター２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの表面積は、必ずしも第１絶縁層２２の開口２２Ａの開口面積に等しくなくてもよく、開口面積よりも若干大きく設定してもよい。

３…表示単位画素、３Ｂ，３Ｇ，３Ｒ…サブ画素、ｄ…厚さ、ｎ，ｎ１，ｎ２，ｎ３…屈折率、１０Ａ…基板、１３，３３…光路長調整層、１４，１４Ａ，１４Ｂ…反射層、１６…画素電極（第１電極）、１８…対向電極（第２電極）、１９…有機発光層（発光層）、２２…第１絶縁層、２２Ａ…開口、２３…第２絶縁層、２４…第３絶縁層、Ａ１…第１部分、Ａ２…第２部分、Ｌ１…第１光学的距離（第１の光学的距離：光路長）、Ｌ２…第２光学的距離（第２の光学的距離：光路長）、Ｔｂ，Ｔｇ，Ｔｒ…膜厚、１００，２００…有機発光装置、１６２…周縁部（端部）、１６３…中央部、１０００…携帯電話本体（電子機器）、１００…時計本体（電子機器）、１２００…情報処理装置

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板上に配置され、光透過性を有する第１電極と、
   前記第１電極と対向して配置され、半透過半反射性を有する第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
   前記第１電極の端部を覆う第１絶縁層と、
   前記基板と前記第１電極との間に配置された第１反射層と、
   前記基板と前記第１電極との間に配置された第２反射層と、を備え、
   前記第１電極は、前記基板に垂直な方向から見て前記第１絶縁層と重ならない第１部分と、前記基板に垂直な方向から見て前記第１絶縁層と重なる第２部分とを有し、
   前記基板に垂直な方向から見て前記第１部分と重なる領域では、前記第１反射層と前記第２電極とで第１共振構造が形成され、
   前記基板に垂直な方向から見て前記第２部分と重なる領域では、前記第２反射層と前記第２電極とで第２共振構造が形成され、
   前記第１反射層と前記第２電極との間の光学的距離は、前記第２反射層と前記第２電極との間の光学的距離と等しいことを特徴とする、有機発光装置。
2. 前記第１反射層と前記第２反射層とは、異なる層に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２反射層は、前記第１反射層と前記第１電極との間に位置することを特徴とする、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第１反射層と前記第１電極の間に配置され、前記基板に垂直な方向から見て前記第１部分と重なる第２絶縁層と、
   前記第２反射層と前記第１電極の間に配置され、前記基板に垂直な方向から見て前記第２部分と重なる第３絶縁層と、をさらに有し、
   前記第１反射層と前記第２反射層とは同層に設けられ、
   前記第２絶縁層と前記第３絶縁層とは同層に形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
5. 前記第２絶縁層と前記第３絶縁層とは、屈折率が異なることを特徴とする、請求項４に記載の発光装置。
6. 前記第１絶縁層が無機材料からなることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 前記有機発光層は、前記第１電極と前記第１絶縁層とを覆っていることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 請求項１ないし７のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする、電子機器。

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