JP2011154797A - 有機ｅｌ装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクを用いて蒸着を行った際、構成材料がマスクに付着してその一部が剥離し、発光欠陥を引き起こすことを防止した、有機ＥＬ装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】画素電極２０と対向電極６０との間に、少なくとも有機発光層を含む有機機能層４０を有してなる有機Ｅ素子７０を備えた有機ＥＬ装置である。基板１０上に設けられた画素電極２０と、画素電極２０を囲って設けられた隔壁３４と、隔壁３４上に設けられた突起状のマスクスペーサー３７と、画素電極２０上及び隔壁３４上に設けられた有機機能層４０と、有機機能層４０上に設けられた対向電極６０と、隔壁３４の直上に位置する対向電極６０上に設けられた補助対向電極５０と、対向電極６０と補助対向電極５０との間に設けられた無機膜６２と、を備えている。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ装置及び電子機器に関する。

近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。このような平面表示装置の一つとして、有機発光層を含む機能層（有機機能層）を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を発光させて表示を行う、有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）が提案されている。

有機ＥＬ装置には、有機ＥＬ素子が放つ光を該素子が形成された基板側とは反対側から取り出す所謂トップエミッション方式と、有機ＥＬ素子が形成された基板側から該基板を透過させて取り出す所謂ボトムエミッション方式の２種類の表示方式がある。この２種類の表示方式を比較すると、トップエミッション方式の有機ＥＬ装置は、画素開口率を上げやすく、表示画面の高精細化・高画質化に有利な構造となっている。

また、有機ＥＬ装置では、発光層で発光した光を取り出す側の電極として、光透過性を有したものを用いる必要がある。したがって、トップエミッション方式では、光取り出し側となる陰極（電極）を、光透過性にする必要がある。このような光透過性の陰極としては、銀やアルミニウム、ＭｇＡｇ等の金属材料（合金材料）を十分薄膜に形成することなどにより、光透過性を付与している。

しかしながら、このようにして形成される透明（光透過性）の陰極は、形成材料自体の物性（導電性）や、薄膜に形成されることでその断面積が小さくなることにより、抵抗値が高くなる。そのため、特に大型の有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬ装置）の場合、抵抗値が高いことで顕著となる陰極の電圧降下に起因して、例えば表示領域の外周部と中央部とで前記有機ＥＬ素子間に輝度のバラツキが生じ、発光ムラや輝度ムラ等の表示ムラによって表示品質が低下するという課題があった。

そこで、透明陰極に導通させた状態で補助電極（補助配線）を形成し、陰極の抵抗を、これら透明陰極と補助電極とを合わせた電極全体の抵抗にすることで、陰極の実質的な低抵抗化を実現し、表示ムラを解消することが提案されている。

ところで、有機ＥＬ素子における前記機能層の形成方法としては、インクジェット法等の湿式塗布法（液相法）と、蒸着法（気相法）とが知られている。また、このような液相法や気相法に関係なく、画素電極（陽極）間での短絡を防止して画素間（有機ＥＬ素子間）での絶縁性を確保する目的で、画素電極（陽極）を囲った状態で基板上に隔壁を形成する手法が知られている。このような隔壁を形成することにより、例えば機能層を蒸着法で全面に形成した場合にも、各画素を分離独立させることができ、さらに、発光した光が隣の画素側に出射してしまい、所望の表示性能が得られなくなるのを防止することができる。また、このような隔壁の上に補助電極を配線として形成することにより、前述したように陰極の実質的な低抵抗化を実現することができる。

ところで、隔壁の上に補助電極を配線として形成する場合、通常はＡｌなどの導電性の高い金属材料をマスク蒸着することで、透明陰極上に形成する。その際、この補助電極が画素電極の直上にかかってしまい、したがって画素内を通ってしまうと、画素からの発光が一部遮断されてしまい、表示性が損なわれてしまう。そこで、このような補助電極を形成するためのマスク蒸着の際には、マスクを透明陰極に密着させ、補助電極を位置ずれさせることなく、高精度で隔壁の直上に選択的に形成するようにしている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−１４１８２１号公報

しかしながら、マスクを透明陰極に密着させると、透明陰極はその厚さが例えば１０〜５０ｎｍ程度と薄いことから、この透明陰極とその下層となる有機機能層とがマスクに付着してしまい、マスクを外した際に一部の透明電極材料とその下層の有機機能層材料とが基板側から剥離し、マスクに転写してしまうことがある。すると、このようにして転写された有機機能層材料は、その後マスクから脱落して異物となり、画素部に落ちることで発光欠陥を生じさせてしまう。
また、マスクが画素上で透明陰極に接触することにより、画素部を傷付けることで発光欠陥を生じさせてしまうおそれもある。

そこで、マスクを用いた蒸着法で有機ＥＬ素子を高精度に形成する場合には、マスクが素子基板の透明陰極に必要以上に密着するのを抑えるため、隔壁上に突起状のマスクスペーサーを設けることが考えられる。
しかしながら、有機ＥＬ素子を蒸着法で形成する場合、蒸着を何回か繰り返して多層構造の有機ＥＬ素子を形成するが、その際、例えば大きい開口を有するマスクを用いて蒸着を行うと、マスクスペーサー上にも有機機能層の形成材料（有機機能層材料）や陰極材料が蒸着され、ここに付着する。

すると、補助電極を蒸着法で形成した際、マスクがマスクスペーサー上の透明陰極に密着することにより、マスクスペーサー上に付着した陰極材料や有機機能層材料がマスクに転写されてしまい、その後前述したようにマスクから脱落して異物となり、画素部に落ちることで発光欠陥を生じさせてしまうおそれがある。

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、マスクを用いて蒸着を行った際、構成材料がマスクに付着してその一部が剥離し、発光欠陥を引き起こしてしまうことを防止した、有機ＥＬ装置及び電子機器を提供することにある。

前記目的を達成するため本発明の有機ＥＬ装置は、画素電極と対向電極との間に、少なくとも有機発光層を含む有機機能層を有してなる有機Ｅ素子を備えた有機ＥＬ装置であって、
基板上に設けられた前記画素電極と、
前記画素電極を囲って設けられた隔壁と、
前記隔壁上に設けられた突起状のマスクスペーサーと、
前記画素電極上及び前記隔壁上に設けられた前記有機機能層と、
前記有機機能層上に設けられた前記対向電極と、
前記隔壁の直上に位置する前記対向電極上に設けられた補助対向電極と、
前記対向電極と前記補助対向電極との間に設けられた無機膜と、を備えることを特徴としている。

この有機ＥＬ装置によれば、対向電極と補助対向電極との間に無機膜が設けられているので、補助対向電極を蒸着法で形成した際にマスクをマスクスペーサーの直上に密着させても、マスクスペーサーの直上には前記したように対向電極を覆って無機膜が設けられていることにより、マスクスペーサー上に付着した対向電極材料や有機機能層の形成材料がマスクに転写されてしまうことが防止されている。したがって、これら材料がマスクに付着することに起因する発光欠陥が防止されているので、高い表示性能を有したものとなる。

また、前記有機ＥＬ装置において、前記隔壁上は前記マスクスペーサーを形成した形成領域と前記マスクスペーサーを形成しない非形成領域とに区画され、前記無機膜は絶縁膜からなるとともに、前記形成領域上に選択的に形成されていてもよい。
このようにすれば、前記非形成領域には絶縁膜からなる前記無機膜が形成されないことにより、補助対向電極は非形成領域にて対向電極に接続し導通するようになる。したがって、無機膜にコンタクトホールを形成する必要がなく、構造が簡易になる。

また、前記有機ＥＬ装置において、前記無機膜は導電膜からなっていてもよい。
このようにすれば、無機膜も補助対向電極として機能するようになる。

本発明の電子機器は、前記の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、前述したように発光欠陥の発生が防止された有機Ｅ装置を備えているので、高い表示性能を有したものとなる。

本発明に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態を示す要部拡大平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は図３の矢視断面図である。 蒸着マスクの平面図である。 本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を示す要部拡大平面図である。 （ａ）、（ｂ）は図６の矢視断面図である。 本発明の有機ＥＬ装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。

以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と記す）について、図面を参照して詳しく説明する。なお、以下で参照する各図面においては、図面を見易くするために各部の大きさ等を適宜変更して示している。
まず、本発明に係る有機ＥＬ装置の概略構成について、図１、図２を参照して説明する。

図１は、本発明に係る有機ＥＬ装置１の配線構造を示す模式図である。この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して略直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近にサブ画素Ｘを形成したものである。なお、本発明においてはＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて単純マトリクス駆動させてもよい。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１０５が接続されている。
さらに、サブ画素Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）２０と、該画素電極２０と対向電極（陰極）６０との間に挟持された有機機能層４０と、が設けられている。

このような構成のもとに有機ＥＬ装置１は、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２０に電流が流れ、さらに機能層４０を介して対向電極６０に電流が流れる。これにより、機能層４０を構成する有機発光層は、これを流れる電流量に応じて発光する。

図２は、本発明に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。
図２に示すように有機ＥＬ装置１は、基板１０を有し、この基板１０に、平面視矩形状の画素部１３０を形成したものである。画素部１３０は、サブ画素Ｘがマトリクス状に配置された実表示領域１４０と、実表示領域１４０の周囲に配置されたダミー領域１５０とに区画されている。

各々のサブ画素Ｘが備える有機機能層４０は、本実施形態では白色光を発光するように構成されている。したがって、これらサブ画素Ｘは、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するカラーフィルターにより、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の光を出射するようになっている。
実表示領域１４０においては、図の縦方向に同一色のサブ画素Ｘが配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。そして、実画素領域１４０では、マトリクス状に配置されたサブ画素Ｘから出射し、カラーフィルターによってＲＧＢの各色とされた光を混色させることにより、フルカラー表示を可能にしている。

実表示領域１４０の図２中両側には走査線駆動回路１０５が配置されており、これら走査線駆動回路１０５は、ダミー領域１５０の下層側に配置されている。また、実表示領域１４０の図２中上側には検査回路１６０が配設されており、この検査回路１６０は、ダミー領域１５０の下層側に配設されている。この検査回路１６０は、有機ＥＬ装置１００の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。

次に、有機ＥＬ装置の具体的な構成例として、本発明の第１実施形態を説明する。図３は、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態を示す要部拡大平面図、図４（ａ）は図３のＡ−Ａ線矢視断面図、図４（ｂ）は図３のＢ−Ｂ線矢視断面図、図４（ｃ）は図３のＣ−Ｃ線矢視断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図３中破線で示すように、平面視が略矩形状（長円形状を含む）の複数のサブ画素Ｘを縦横に配置したものである。

これらサブ画素Ｘの平面視形状は、隔壁３４の開口内に露出した画素電極（陽極）２０の平面視形状に対応しており、画素電極２０は、各サブ画素Ｘ毎に島状に独立して形成されている。したがって、サブ画素Ｘは、それぞれ独立して形成されたものとなっており、独立した発光素子（有機ＥＬ素子）として機能するようになっている。

また、この有機ＥＬ装置１では、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、基体１３と、基体１３上に形成された画素電極２０と、画素電極２０の周縁部を覆ってその開口３２ａ内に画素電極２０を臨ませ、露出させる絶縁膜３２と、この絶縁膜３２上に形成されて画素電極２０を囲う前記隔壁３４と、画素電極２０の露出面を覆って形成された機能層４０と、機能層４０を覆って基体１３上に形成された対向電極６０と、を備えている。本実施形態では、絶縁膜３２の開口３２ａ内に露出した画素電極（陽極）２０と、これの直上に配置された機能層４０と、この機能層４０を覆う対向電極（陰極）６０とから、有機ＥＬ素子７０が形成されている。そして、この有機ＥＬ素子７０によって前記サブ画素Ｘ（画素部）が形成されている。したがって、隔壁３４は、有機ＥＬ素子７０からなるサブ画素Ｘ（画素部）を区画したものとなっている。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、有機ＥＬ素子７０で発光した光を対向電極６０側に射出する、トップエミッション方式が採用されている。

基体１３は、基板（素子基板）１０と、基板１０上に形成されて配線や駆動素子等を備える素子層１１と、を備えている。基板１０としては、本実施形態ではトップエミッション方式を採用しているので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。透明基板としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子（樹脂）を用いることができる。また、前記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。本実施形態では、基板１０の材料としてガラスが用いられている。

素子層１１は、有機ＥＬ装置１を駆動させるための各種配線や図１に示すスイッチング用ＴＦＴや駆動用ＴＦＴなどの駆動素子、及び無機材料または有機材料からなる絶縁膜などを備えて構成されている。各種配線や駆動素子は、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いてパターニングすることで形成されており、また、絶縁膜は、蒸着法やＣＶＤ法、スパッタ法などの公知の成膜法によって形成されている。

素子層１１上には、図４（ａ）に示すように、素子層１１に含まれる駆動用ＴＦＴ（図示せず）のソース電極と接続する電極２２が形成されている。また、この素子層１１上には、前記電極２２を覆って平坦化層１２が形成されている。平坦化層１２は、素子層１１に形成される各構成要素による凹凸をなくし、有機ＥＬ素子を形成するのに適した平坦な面を実現するために形成されたものである。この平坦化層１２の形成材料としては、アクリル樹脂等の有機絶縁材料や無機絶縁材料が用いられる。

平坦化層１２には、前記電極２２に通じるコンタクトホール１２ａが形成されており、このコンタクトホール１２ａを含む平坦化層１２上の領域には、画素電極２０が形成されている。これにより、このコンタクトホール１２ａ内の導電部を介して、前記電極２２と画素電極２０とが電気的に接続されている。

画素電極２０は、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入効果が高い材料によって形成されたものである。このような材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物）等の金属酸化物が用いられる。なお、本実施形態ではトップエミッション方式が採用されているため、画素電極２０は透光性を備える必要がない。したがって、本実施形態では、前記ＩＴＯからなる透明導電層の下側に、Ａｌ等の光反射性金属層が形成されて積層構造とされ、この積層構造によって画素電極２０が形成されている。このような画素電極２０は、公知の成膜法で成膜された後、パターニングされることにより、それぞれ独立した島状に形成されている。

また、平坦化層１２の上には、前記絶縁膜３２が形成されている。この絶縁膜３２は、前記したように画素電極２０の周縁部に一部が乗り上げることで該周縁部を覆い、かつ、その開口３２ａ内に画素電極２０を臨ませ、露出させたものである。ここで、開口３２ａは、図３中に破線で示したように、平面視略矩形（例えば長円形状）に形成されている。
また、この絶縁膜３２は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機絶縁材料で形成されたもので、隔壁３４に比べて十分に薄いものであり、エッチング等の公知のパターニング方法によって開口３２ａが形成されている。したがって、この絶縁膜３２の上面と開口３２ａ内に露出する画素電極２０の上面との間には、ほとんど段差が形成されておらず、よって絶縁膜３２の上面と画素電極２０の上面とはほぼ平坦な面を形成している。

この絶縁膜３２上には、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように隔壁３４が形成されている。この隔壁３４は、画素電極２０の周縁部に乗り上げた絶縁膜３２の一部を露出させるだけで、絶縁膜３２のほぼ全面を覆って形成されたものであり、前記開口３２ａに連通する開口３４ａを形成したものである。したがって、この開口３４ａ内に画素電極２０を露出させている。また、この隔壁３４は、アクリル樹脂等の有機材料によって形成されたもので、公知のパターニング方法によって形成されたものである。

隔壁３４上には、図３及び図４（ａ）に示すように突起状（略円柱状）のマスクスペーサー３７が形成されている。このマスクスペーサー３７は、アクリル樹脂等によって形成されたもので、図３に示すように隔壁３４上の一部にのみ、選択的に形成されている。すなわち、隔壁３４上には、マスクスペーサー３７の形成領域３８と非形成領域３９とが設けられており、形成領域３８にのみ、マスクスペーサー３７が形成されている。

本実施形態では、図３に示したように前記開口３４ａの短辺の長さ方向において、所定の狭間隔（例えば２ｍｍ間隔）でマスクスペーサー３７の形成領域３８が区画形成されており、所定の広間隔（例えば４ｍｍ間隔）でマスクスペーサー３７の非形成領域３９が区画形成されている。これら形成領域３８と非形成領域３９とは、交互に配置されている。そして、形成領域３８において、前記開口３４ａの短辺の長さ方向で隣り合う開口３４ａ、３４ａ間の隔壁３４上に、図４（ａ）に示すようにマスクスペーサー３７が形成されている。一方、非形成領域３９には、図４（ｂ）に示すように隔壁３４上にマスクスペーサー３７が形成されていない。

前記開口３４ａ内の画素電極２０上と、これを囲む隔壁３４上及びマスクスペーサー３７上には、これらを覆って前記有機機能層４０が形成されている。この有機機能層４０は、本実施形態では低分子系の有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んで形成されたものである。このような有機機能層４０としては、例えば陽極（画素電極２０）側から正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層が順次積層された構造が知られており、さらに正孔輸送層や電子輸送層を省略した構造や、正孔注入層と正孔輸送層との両方の機能を備えた正孔注入・輸送層を用いたり、電子注入層と電子輸送層との両方の機能を備えた電子注入・輸送層を用いた構造などが知られている。本発明では、このような構造のうち適宜な構造が選択され、形成されている。

また、有機機能層４０の材料としては、それぞれ公知のものを用いることができる。
例えば、有機発光層の材料としては、本実施形態では白色発光する有機発光材料として、スチリルアミン系発光材料やスチリルアミン系発光材料などが用いられる。
さらに、正孔注入層の材料としては、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体などが用いられ、正孔輸送層の材料としては、ＴＤＰ（トリフェニルジアミン）系のものなどが用いられ、電子注入・輸送層の材料としては、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ３）などが用いられる。

ここで、このような有機機能層を構成する各有機層は、本実施形態ではマスク（メタルマスク）を用いた蒸着法で形成される。その際、各有機層は全ての開口３４ａで共通となるため、実表示領域１４０の全域（全面）において材料を変えることなく、全ての開口３４ａに同一の材料を蒸着させるように、大きな開口のマスクを用いて蒸着を行う。その結果、隔壁３４上やその上のマスクスペーサー３７上にも、前述したようにこれら材料（有機機能層材料）が堆積・付着することになる。

有機機能層４０上（マスクスペーサー３７上も含む）には、該有機機能層４０を覆って対向電極（陰極）６０が形成されている。この対向電極６０は、本実施形態ではトップエミッション方式であり、光取り出し側となることから、光透過性を有するように形成されている。また、この対向電極６０は、陰極取り出し端子（図示せず）へつながる陰極コンタクト部に接続されている。

このような構成のもとに、画素電極２０と機能層４０と対向電極６０とからなる有機ＥＬ素子７０が形成されている。すなわち、画素電極２０と対向電極６０との間に電圧が印加されると、画素電極２０から正孔注入層に正孔が注入され、正孔輸送層を介して有機発光層に輸送される。また、対向電極６０から電子注入層に電子が注入され、電子輸送層を介して有機発光層に輸送される。すると、有機発光層に輸送された正孔と電子とが再結合することにより、有機発光層が発光するようになっている。

有機発光層から画素電極２０側に出射した光は、前記した透明導電層を透過して光反射性金属層に反射され、再度有機発光層側に入射するようになっている。なお、対向電極２０は半透過反射膜として機能するので、所定範囲の波長以外の光は光反射性金属層側に反射され対向電極６０と光反射性金属層との間で往復する。このようにして、対向電極６０と光反射性金属層との間の光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される。すなわち、対向電極６０と光反射性金属層とを含んだこれらの間が共振器として機能するようになっており、発光輝度が高くしかもスペクトルがシャープな光を射出させることが可能になっている。ここで、前記光学的距離は、対向電極６０と光反射性金属層との間に含まれる層の光学的距離の和によって求められ、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。

また、本実施形態では、対向電極６０は例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）とが、その膜厚比がＭｇ：Ａｇ＝１０：１となるようにして、マスクを用いた共蒸着法によって厚さ１２ｎｍ程度に形成されている。
したがって、前述したように隔壁３４上及びマスクスペーサー３７上にも、対向電極材料（Ｍｇ・Ａｇ）が堆積し付着している。

対向電極６０上には、絶縁膜からなる無機膜６２が設けられている。この無機膜６２は、本実施形態では絶縁性の酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）によって形成されている。また、この無機膜６２は、前記したマスクスペーサー３７の形成領域３８にのみ、形成されている。すなわち、この無機膜６２は、マスクを用いたイオンプレーティング法やスパッタ法等により、形成領域３８に選択的に形成されている。したがって、形成領域３８のマスクスペーサー３７上には、前記したようにここに堆積・付着した有機機能層材料、対向電極材料を覆って、さらに無機膜６２の形成材料が堆積・付着している。

また、対向電極６０上（無機膜６２上も含む）には、図３及び図４（ｃ）に示すように補助配線（補助対向電極）５０が形成されている。すなわち、マスクスペーサー３７の形成領域３８には、無機膜６２上に補助配線５０が形成されており、マスクスペーサー３７の非形成領域３９には、対向電極６０上に補助配線５０が形成されている。この補助配線５０は、サブ画素Ｘの短辺の長さ方向に沿って隔壁３４上に形成されたもので、対向電極６０より高導電性の材料によって形成されたものである。高導電性の材料として具体的には、金、銀、銅、アルミニウム、クロムといった低抵抗金属材料が用いられる。

本実施形態では、マスクを用いた蒸着法（マスク蒸着法）によってＡｌで選択的に形成されている。すなわち、隔壁３４上にて、サブ画素Ｘの長辺と直交する方向にストライプ状に形成されている。この補助配線５０は、その厚さが例えば２００ｎｍ程度と、対向電極６０の厚さに比べて十分に厚く形成されている。
なお、対向電極６０は、陰極取り出し端子（図示せず）へつながる陰極コンタクト部に接続されている。また、補助配線５０も、陰極コンタクト部に接続されていてもよい。

なお、図示しないものの、前記対向電極６０、無機膜６２、及び補助配線５０の表面には、これらを覆ってエポキシ樹脂等からなる平坦化層が、スクリーン印刷によって形成されている。さらに、この平坦化層上には、水分や酸素を遮断するための透明封止層が形成され、この透明封止層上には透明な接着材を介して、ガラス等の透明な封止基板が貼り合わされている。本実施形態では、封止基板に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各カラーフィルターが形成されている。また、透明封止層は、ガスバリア層と、このガスバリア層を覆って形成された保護層とを有して形成されている。ガスバリア層は、例えば窒化シリコンや酸窒化シリコン、酸化シリコンなどの無機化合物からなっており、保護層は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの、柔軟でガラス転移点が低い樹脂材料によって形成されている。

このような構成の有機ＥＬ装置１を製造するに際して、有機機能層４０を形成するには、従来と同様の蒸着法により、正孔注入・輸送層、有機発光層、電子輸送・注入層を順次形成する。その際、従来と同様にして形成した画素電極２０を覆うとともに、隔壁３４上（マスクスペーサー３７上も含む）も覆って全面に有機機能層４０の各形成材料を蒸着する。

次に、従来と同様の共蒸着法により、有機機能層４０を覆ってＭｇＡｇの共蒸着膜を形成し、対向電極６０を形成する。このようにして有機機能層４０、対向電極６０を形成すると、形成領域３８のマスクスペーサー３７上には、有機機能層材料、対向電極材料がそれぞれ堆積・付着する。
次いで、マスクを用いたイオンプレーティング法等により、対向電極６０上の形成領域３８にのみ酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を成膜し、無機膜６２を選択的に形成する。すると、形成領域３８のマスクスペーサー３７上には、前記したようにここに堆積・付着した有機機能層材料、対向電極材料を覆って、さらに無機膜６２の形成材料が堆積・付着する。

次いで、対向電極６０上（無機膜６２上も含む）に、従来と同様にして図５に示すような蒸着マスク８５を用い、Ａｌを選択的に成膜して図４（ｃ）に示したように補助配線５０を形成する。その際、蒸着マスク８５としては補助配線５０に対応する多数のスリット８６を断続的に形成したものを用いる。そして、これを用いて蒸着を行った後、スリット８６の長さ方向に少しずらして再度蒸着を行う。これにより、前記スリット８６によって形成した断続的な補助配線を、隣り合うものどうしで連続させ、これによって図３に示したような所望の連続した補助配線５０を形成する。

その際、補助配線５０を位置ずれさせることなく、連続した状態に形成するため、蒸着マスク８５を対向電極６０上のマスクスペーサー３７上に配置し、高精度で隔壁３４の直上に選択的に形成する。
このように蒸着マスク８５をマスクスペーサー３７上に配置すると、このマスクスペーサー３７上に付着した対向電極材料や有機機能層材料が蒸着マスク８５に付着し転写されるおそれがある。
しかしながら、本実施形態では、マスクスペーサー３７の直上に対向電極６０を覆って無機膜６２を設けているので、マスクスペーサー３７上に付着した対向電極材料や有機機能層材料が蒸着マスク８５に転写されてしまうことが防止されている。

よって、本実施形態の有機ＥＬ装置１にあっては、対向電極６０と補助対向電極５０との間に無機膜６２を設けているので、補助対向電極５０を蒸着法で形成した際に蒸着マスク８５をマスクスペーサー３７の直上に密着させても、マスクスペーサー３７の直上には対向電極６０を覆って無機膜６２が設けられていることにより、マスクスペーサー３７上に付着した対向電極材料や有機機能層材料が蒸着マスク８５に転写されてしまうことが防止されている。したがって、これら材料が蒸着マスク８５に付着することに起因する発光欠陥が防止されているので、高い表示性能を有したものとなる。

また、隔壁３４上を、マスクスペーサー３７を形成した形成領域３８とマスクスペーサー３７を形成しない非形成領域３９とに区画し、無機膜６２を絶縁膜とするとともに、形成領域３８上に選択的に形成しているので、非形成領域３９には絶縁膜からなる無機膜６２が形成されていないことにより、補助対向電極５０は非形成領域３９にて対向電極６０に接続し導通するようになる。したがって、無機膜６２にコンタクトホールを形成する必要がなく、構造を簡易にすることができる。

次に、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を説明する。
図６は、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を示す要部拡大平面図である。また、図７（ａ）は図６のＤ−Ｄ線矢視断面図、図７（ｂ）は図６のＥ−Ｅ線矢視断面図である。これらの図に示した第２実施形態が、図３、図４に示した先の第１実施形態と異なるところは、第２実施形態では実表示領域１４０全体をマスクスペーサー３７の形成領域（図示せず）とし、したがって実表示領域１４０の隔壁３４の全域にマスクスペーサー３７を形成し、さらにマスクスペーサー３７を形成した隔壁３４の全域に、無機膜６２を形成した点である。

ただし、本実施形態では、先の第１実施形態と異なり、無機膜６２が絶縁膜でなく、導電膜からなっている。すなわち、本実施形態では、無機膜６２として、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）が用いられている。このＩＴＯからなる無機膜６２は、マスクを用いたイオンプレーティング法やスパッタ法等により、隔壁３４の全域に形成されている。したがって、本実施形態でもマスクスペーサー３７上には、ここに堆積・付着した有機機能層材料、対向電極材料を覆って、さらに無機膜６２の形成材料が堆積・付着している。

そして、この無機膜６２下には、図７（ａ）、（ｂ）に示すように対向電極６０が形成されており、さらにこの無機膜６２上には、図６、図７（ｂ）に示すように補助配線（補助対向電極）５０が形成されている。すなわち、本実施形態では、実表示領域１４０の全域において補助配線５０が形成されており、この補助配線５０は、サブ画素Ｘの短辺の長さ方向に沿って隔壁３４上に形成されている。

本実施形態でも、先の第１実施形態と同様に、補助配線５０は前記蒸着マスク８５を用いた蒸着法によってＡｌで選択的に形成されている。
したがって、この補助配線５０を形成する際にも、位置ずれさせることなく連続した状態に形成するため、蒸着マスク８５を無機膜６２上のマスクスペーサー３７上に配置し、高精度で隔壁３４の直上に選択的に形成する。

このように蒸着マスク８５をマスクスペーサー３７上に配置すると、このマスクスペーサー３７上に付着した対向電極材料や有機機能層材料が蒸着マスク８５に付着し転写されるおそれがある。
しかしながら、本実施形態でも、マスクスペーサー３７の直上に対向電極６０を覆って無機膜６２を設けているので、マスクスペーサー３７上に付着した対向電極材料や有機機能層材料が蒸着マスク８５に転写されてしまうことが防止されている。

よって、本実施形態の有機ＥＬ装置にあっても、対向電極６０と補助対向電極５０との間に無機膜６２を設けているので、補助対向電極５０を蒸着法で形成した際に蒸着マスク８５をマスクスペーサー３７の直上に密着させても、マスクスペーサー３７の直上には対向電極６０を覆って無機膜６２が設けられていることにより、マスクスペーサー３７上に付着した対向電極材料や有機機能層材料が蒸着マスク８５に転写されてしまうことが防止されている。したがって、これら材料が蒸着マスク８５に付着することに起因する発光欠陥が防止されているので、高い表示性能を有したものとなる。

また、無機膜６２を導電膜であるＩＴＯによって形成しているので、この無機膜６２も補助対向電極として機能するようになり、したがって補助配線５０を含む対向電極（陰極）６０全体のさらなる低抵抗化を図ることができる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、本発明においては、前記第１実施形態と第２実施形態を組み合わせた構成を採用することができる。すなわち、第１実施形態と同様に、実表示領域１４０をマスクスペーサー３７の形成領域３８と非形成領域３９とに区画した場合に、まず、実表示領域１４０の全域において、第２実施形態と同様にして導電膜（ＩＴＯ）からなる無機膜を対向電極上に設ける。次に、マスクスペーサー３７の形成領域３８にのみ、導電膜（無機膜）上に絶縁膜（酸窒化シリコン）からなる無機膜を選択的に設ける。

これにより、マスクスペーサー３７の直上には、導電膜からなる無機膜と絶縁膜からなる無機膜が積層されることになる。
したがって、蒸着マスク８５を用いて補助配線５０をマスク蒸着する際、マスクスペーサー３７上に付着した対向電極材料や有機機能層材料が蒸着マスク８５に転写されてしまうことがより確実に防止されるようになる。
なお、このような積層構造の無機膜については、絶縁膜を対向電極上に設け、その上に導電膜を配してもよく、さらに、三層以上の積層膜としてもよい。

また、前記各実施形態では有機発光層として白色発光をするものを形成し、カラーフィルターによってＲＧＢの各色の発光をなさせるようにしたが、有機発光層の形成材料としてＲＧＢの各色の発光をなさせる材料を塗り分けて３種類の有機発光層を形成し、カラーフィルターの形成を省略するようにしてもよい。

（電子機器）
次に、本発明の電子機器について説明する。図８は、前記の有機ＥＬ装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図８に示す携帯電話１３００は、前記した本発明の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の有機ＥＬ装置によって構成された表示部を具備した、優れた携帯電話１３００となる。

なお、本発明の有機ＥＬ装置は、前記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。

１…有機ＥＬ装置、１０…基板、２０…画素電極、３４…隔壁、３７…マスクスペーサー、３８…形成領域、３９…非形成領域、４０…有機機能層、５０…補助配線（補助対向電極）、６０…対向電極、６２…無機膜

Claims (4)

1. 画素電極と対向電極との間に、少なくとも有機発光層を含む有機機能層を有してなる有機Ｅ素子を備えた有機ＥＬ装置であって、
   基板上に設けられた前記画素電極と、
   前記画素電極を囲って設けられた隔壁と、
   前記隔壁上に設けられた突起状のマスクスペーサーと、
   前記画素電極上及び前記隔壁上に設けられた前記有機機能層と、
   前記有機機能層上に設けられた前記対向電極と、
   前記隔壁の直上に位置する前記対向電極上に設けられた補助対向電極と、
   前記対向電極と前記補助対向電極との間に設けられた無機膜と、を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 前記隔壁上は前記マスクスペーサーを形成した形成領域と前記マスクスペーサーを形成しない非形成領域とに区画され、
   前記無機膜は絶縁膜からなるとともに、前記形成領域上に選択的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記無機膜は導電膜からなることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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