JP4905237B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents
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Description
この構成によれば、上述したようなプラズマ処理を行った際でも、有機隔壁にダメージが及ぶのを良好に防止できる。
この構成によれば、無機保護膜の膜厚が50nm以上となっているので、十分なプラズマ耐性を得ることができる。また、無機保護膜の膜厚が200nm以下となっているので、膜厚が厚すぎることで無機保護膜に割れが生じてしまうのを抑制できる。
この構成によれば、上述したように洗浄処理による汚染が防止された画素電極上に、例えば蒸着法等の気相法により有機発光層を良好に形成できるので、信頼性が高く良好な発光特性を得るものを提供できる。
この構成によれば、例えば有機発光層が蒸着法を用いることで基板全面に形成される場合に、有機隔壁の内側面がテーパ形状となっているので、有機隔壁内側面と有機発光層との密着性が高いものとなる。よって、有機発光層上に形成される陰極も上記テーパ形状の内側面に沿って形成されることで断線が発生するのを防止できる。
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と称す)に係る一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図1は本実施形態の有機EL装置の回路構成図、図2は、同有機EL装置における各画素領域の平面構造を示す図であって陰極や有機発光層を取り除いた状態を示す図である。また図3は、有機EL装置の断面構成を示す概略図である。
また図3に示す画素領域71の断面構造をみると、基板P上に駆動用TFT43が設けられており、駆動用TFT43を覆って形成された第一、及び第二層間絶縁膜23,24上に発光素子200が配設されている。この発光素子200は、基板P上に立設されたバンク構造(隔壁構造)50の内部に臨む画素電極41と、この画素電極41上に配置される有機発光層40と、この有機発光層40を覆う陰極54とを有して構成される。また、前記バンク構造50は各画素領域71を区画した(囲んだ)状態に基板P上に形成されている。
そのため、陰極54は透明材料によって構成される。この陰極54を形成する透明導電材料としてはインジウム・スズ酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いることができる。具体的に本実施形態では、ITOを用いた。
また、画素電極41は金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。本実施形態ではITOを主体として構成されている。なお、本実施形態に係る有機EL装置1は、上述したようにトップエミッション方式の有機EL装置であることから、外部に光を効率的に取り出すことができるように、画素電極41の下層側には例えばAl等の光反射性を有する反射膜(図示せず)を設けている。
以下、有機EL装置1の製造方法について図4を参照しつつ説明する。なお、以下の説明では、駆動用TFT43、及び画素電極41等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
次に、図4(c)に示すように有機バンク50Aの表面を覆う無機保護膜44を形成する。具体的には、有機バンク50Aの形成領域が開口されたマスクを用いて、CVD法、スパッタ法、蒸着法等によりSiNからなる無機膜を選択的に成膜することで前記無機保護膜44を形成できる。なお、上述したようにSiO、SiO2、SiON、SiN、AlO、AlN、Al2O3のいずれかを主体とする他の無機材料を用いて無機保護膜44を形成してもよい。
ところで、画素電極41の表面洗浄が不十分である場合、この画素電極41上に形成される有機発光層40の平坦性が低下し、発光ムラが発生することで表示品位が低下するおそれがある。そのため、上記のプラズマ処理はできるだけプラズマパワーを強めるのが望ましい。上述したアクリル樹脂から形成されている有機バンク50Aは、プラズマ耐性が低いことからプラズマ処理によって、その一部が破壊(エッチング)されるおそれがある。
次に、図5(a)に示すように、画素電極41、バンク構造50の全面に有機発光層40を例えば真空蒸着法により形成する。このとき、上記プラズマ処理による表面洗浄が良好に行われているため、画素電極41上に有機機能層40を平坦性が高い状態に形成することができる。また、バンク構造50を構成する有機バンク50Aの内側面は、図2に示したように断面視テーパ形状の傾斜面となっている。そのため、有機発光層40の形成材料が有機バンク50Aの内側面に沿って良好に付着させることができる。本実施形態では、正孔注入/輸送層、発光層、電子注入/輸送層を積層することで有機発光層40を形成した。なお、正孔注入/輸送層、発光層及び電子注入/輸送層は、上述したような各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
この陰極保護層45の形成方法としては、CVD法、スパッタ法、蒸着法等を例示することができる。
次に、本発明の有機EL装置に係る他の応用例として、有機EL装置を備えた電子機器について説明する。
図6は、携帯電話の表示部に本発明の有機EL装置を適用した例についての概略構成図である。同図に示す携帯電話300は、上記実施形態の有機EL装置を小サイズの表示部301として備え、複数の操作ボタン302、受話口303、及び送話口304を備えて構成されている。
この携帯電話300によれば、上述したようにプラズマ処理に起因する画素電極の汚染を防止することで、長期間に亘って信頼性の高い表示を得ることができる有機EL装置1を表示部301として備えているので、高品質なものを提供できる。
なお、上記各実施の形態の有機EL装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。
Claims (5)
- 基板上に形成された画素電極と、
該画素電極の側面及び上端部を覆うとともに、該画素電極の一部を露出させるように形成された隔壁構造と、
該画素電極上に配置される有機発光層と、
該有機発光層を覆う陰極と、
該画素電極と該基板との間の層に配置される絶縁膜と、を有し、
前記隔壁構造は、有機材料で構成される有機隔壁と、前記画素電極と前記有機隔壁との間の層に配置され、前記画素電極と前記有機隔壁とに接し、絶縁性無機材料で構成される無機隔壁とを有し、
前記無機隔壁は前記絶縁膜の一部を露出させた状態に形成されており、
前記有機隔壁は前記絶縁膜と接しており、
前記有機隔壁の表面が無機材料で構成された無機保護膜で覆われており、
前記無機隔壁は前記無機保護膜と接している
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記無機保護膜は、SiO、SiO2、SiON、SiN、AlO、AlN、及びAl2O3のいずれかを主体として構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記無機保護膜の膜厚が、50nm以上200nm以下である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記有機発光層は気相法によって形成されたものである
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記有機隔壁の内側面が、断面視テーパ形状の傾斜面をなす
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
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