CN101296539A - 有机场致发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种有机场致发光装置，包括：基板；隔壁构造，其包围在所述基板上形成的像素区域，该隔壁构造具有：由无机材料构成的无机隔壁和由有机材料构成的有机隔壁的层叠构造、由无机材料构成并对所述有机隔壁的表面进行覆盖的无机保护膜；像素电极，其与所述隔壁构造接触；有机发光层，其配置在所述像素电极上；和阴极，其覆盖所述有机发光层。

Description

有机场致发光装置

本发明对2007年4月25号申请的日本专利申请第2007-115137号和2007年4月25号申请的日本专利申请第2007-115138号主张优先权，并在此援用其内容。

技术领域

本发明涉及有机场致发光装置。

背景技术

近年，作为具备不需要背光灯等光源的自发光元件的显示装置，具备场致发光元件(以下称为有机EL元件)的有机EL装置受到关注。

作为有机EL装置的构成，公知有如下构成，其中具备：设置在基板上的开关元件(例如TFT元件)、对TFT元件的形成所引起的凹凸进行缓和的平坦化层、设置在平坦化层上并与TFT元件电连接且形成为与各像素区域对应的像素电极、阴极、和被夹持在像素电极与阴极之间的有机发光层。而且，该构成中，在平坦化层上形成有接触孔，像素电极与TFT元件通过接触孔电连接。

还有，在特开平5-275172号公报中，公开了具备用于防止邻接的像素区域间的像素电极的接触、或像素电极与阴极的接触的隔壁的有机EL装置。作为这样的隔壁的形成材料，使用与上述平坦化层的形成材料同样的丙烯酸树脂或聚酰亚胺等。

但是，有机EL装置的制造工序中，在上述像素电极上形成有机发光层之前，作为除去例如由ITO(铟锡氧化物)构成的像素电极表面的污垢的表面清洗工序，进行等离子体处理。

但是，若进行这样的等离子体处理，则因构成上述隔壁的丙烯酸树脂或聚酰亚胺的一部分被蚀刻而在像素电极上附着异物，像素电极的表面被污染，有可能使发光特性降低。

因此，例如，在特开2005-216714号公报中公开了一种通过改良构成隔壁的有机材料来实现防止因等离子体处理引起的不良情况的技术。

但是，为了良好地除去像素电极表面的污垢，希望进行利用了更强的等离子体的处理。

但是，由于上述的特开2005-216714号公报所公开的隔壁材料由有机材料构成，因此对于有机材料的等离子体耐性而言是有限的。所以，上述有机材料难以具有充分的等离子体耐性。

结果，因抑制等离子体处理的强度，会使得像素电极表面的清洗处理变得不充分。反之，使隔壁暴露于等离子体耐性以上的等离子体中实施等离子体处理，则像素电极的表面会被污染。这些原因有可能导致有机EL装置的发光特性降低。

发明内容

本发明鉴于上述情况而实现，目的在于通过防止由等离子体表面处理引起的不良情况来提供在长时间内获得良好的发光特性的有机场致发光装置。

为了解决上述课题，本发明的第一方式的有机场致发光装置，包括：基板；隔壁构造，其包围在所述基板上形成的像素区域，该隔壁构造具有：由无机材料构成的无机隔壁和由有机材料构成的有机隔壁所构成的层叠构造、由无机材料构成并对所述有机隔壁的表面进行覆盖的无机保护膜；像素电极，其与所述隔壁构造接触；有机发光层，其配置在所述像素电极上；和阴极，其覆盖所述有机发光层。

根据本发明的有机场致发光装置，由于形成有覆盖有机隔壁的表面的无机保护膜，因此，例如在形成有机发光层时，即使在通过等离子体处理对像素电极表面进行了清洗的情况下，也能由无机保护膜防止有机隔壁受到等离子体损伤。

由此，不会发生有机隔壁的形成材料的一部分因等离子体处理而被蚀刻使得其一部分作为异物附着在像素电极的表面造成的像素电极的污染。

因此，能在像素电极上良好地形成有机发光层，可提供能在长时间内获得良好的发光特性的有机场致发光装置。

而且，在上述有机场致发光装置中，优选所述无机保护膜以SiO、SiO-₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一种为主体而构成。

根据该构成，即使在进行了如上述的等离子体处理的情况下，也能良好地防止给有机隔壁带来损伤。

并且，在上述有机场致发光装置中，优选所述无机保护膜的膜厚在50nm以上200nm以下。

根据该构成，由于无机保护膜的膜厚在50nm以上，因此能获得充分的等离子体耐性。还有，由于无机保护膜的膜厚在200nm以下，因此能抑制因膜厚过厚而无机保护膜产生裂纹。

再有，在上述有机场致发光装置中，优选所述有机发光层由气相法形成。

根据该构成，在如上所述基于清洗处理防止了污染的像素电极上，能通过例如蒸镀法等的气相法来良好地形成有机发光层。因此，能提供可靠性高、可获得良好的发光特性的有机场致发光装置。

而且，在上述有机场致发光装置中，优选所述有机隔壁的内侧面具有剖面观察呈锥形状的倾斜面。

根据该构成，例如利用蒸镀法在基板的整个面上形成有机发光层时，由于有机隔壁的内侧面具有锥形状的倾斜面，从而有机隔壁内侧面与有机发光层的密接性提高。

因此，由于在有机发光层上形成的阴极也沿上述锥形状的内侧面形成，因此能防止产生断线。

为了解决上述课题，本发明的第二方式的有机场致发光装置包括：基板；平坦化层，其形成在所述基板上，由有机材料构成；像素电极，其设置在所述平坦化层上；无机隔壁，按照覆盖所述像素电极的上端部的方式设置于所述平坦化层上，形成有使所述平坦化层露出的第一开口部；有机隔壁，其形成在所述无机隔壁上，通过所述第一开口部与所述平坦化层接触，被具有第二开口部并由无机材料构成的无机保护膜覆盖，通过所述第二开口部而露出；有机发光层，其设置在所述像素电极上；和阴极，其设置在所述有机发光层上。

根据本发明的有机场致发光装置，由于形成有覆盖有机隔壁的表面的无机保护膜，因此，例如在形成有机发光层时，即使在通过等离子体处理对像素电极表面进行了清洗的情况下，也能由无机保护膜防止有机隔壁受到等离子体损伤。

由此，不会发生有机隔壁的形成材料的一部分因等离子体处理而被蚀刻使得其一部分作为异物附着在像素电极的表面造成的像素电极的污染。

还有，在形成有机发光层时，能将从平坦化层和通过第一开口部与平坦化层接触的有机隔壁产生的脱气，通过形成于无机保护膜的第二开口部释放到外部。

因此，在有机场致发光装置的驱动时不会产生脱气，能防止由脱气引起的发光不良等不良情况，从而能实现具有高可靠性的有机场致发光装置。

还有，在本发明的有机场致发光装置中，优选所述第二开口部形成在与所述有机隔壁的上表面对应的位置。

根据该构成，与有机隔壁的侧面相比，能使第二开口部与像素电极分离。因此，在作为像素电极表面的清洗工序而进行上述的等离子体处理时，能抑制对第二开口部内露出的有机隔壁带来损伤。

而且，在本发明的有机场致发光装置中，优选从所述基板的铅直方向观察，所述第二开口部形成为与所述第一开口部的至少一部分重叠。

这样，由于第二开口部形成为与第一开口部的至少一部分重叠，因此，从平坦化层中通过第一开口部释放到有机隔壁的脱气会与有机隔壁内产生的脱气一同通过第二开口部被良好地释放到外部。

由此，能有效地将脱气释放到外部。

并且，在本发明的有机场致发光装置中，优选所述无机保护膜以SiO、SiO₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一种为主体而构成。

根据该构成，即使在进行了如上述的等离子体处理的情况下，也能良好地防止给有机隔壁带来损伤。

并且，在本发明的有机场致发光装置中，优选所述无机保护膜的膜厚在50nm以上200nm以下。

根据该构成，由于无机保护膜的膜厚在50nm以上，因此能获得充分的等离子体耐性。

还有，由于无机保护膜的膜厚在200nm以下，因此能抑制因膜厚过厚而无机保护膜产生裂纹。

再有，在本发明的有机场致发光装置中，优选所述有机发光层由气相法形成。

根据该构成，在如上所述基于清洗处理防止了污染的像素电极上，能通过例如蒸镀法等的气相法来良好地形成有机发光层。因此，能提供可靠性高、可获得良好的发光特性的有机场致发光装置。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL装置的电路构成的图。

图2是表示本发明的第一实施方式的有机EL装置的像素区域的平面构造的图。

图3是表示本发明的第一实施方式的有机EL装置的剖面构成的概略图。

图4是用于说明本发明的第一实施方式的有机EL装置的制造工序的图。

图5是用于说明本发明的第一实施方式的有机EL装置的制造工序的图。

图6是表示本发明的第二实施方式的有机EL装置的剖面构成的概略图。

图7是用于说明在本发明的第二实施方式的有机EL装置的无机保护膜上形成的第二开口部的俯视图。

图8是用于说明本发明的第二实施方式的有机EL装置的制造工序的图。

图9是用于说明本发明的第二实施方式的有机EL装置的制造工序的图。

图10是用于说明在本发明的第二实施方式的有机EL装置的无机保护膜上形成的第二开口部的变形例的俯视图。

图11是电子设备的一实施方式所涉及的移动电话的概略构成图。

具体实施方式

(第一实施方式)

以下，参照附图，对本发明的有机场致发光装置(以下称为有机EL装置)所涉及的第一实施方式进行说明。

图1是第一实施方式的有机EL装置的电路构成图。图2是表示该有机EL装置的各像素区域的平面构造(从基板的铅直方向观察到的构造)的图，是表示去除了阴极和有机发光层之后的构成的图。

还有，图3是表示有机EL装置的剖面构成的概略的放大图。

如图1所示，在有机EL装置1中，分别布设有：多条扫描线31、在相对于这些扫描线31交叉的方向上延伸的多条信号线32、与这些信号线32并排延伸的多条公共供电线33。而且，在扫描线31与信号线32的各交点处设置有像素区域71。

在信号线32上连接有具备移位寄存器、电平移动器、视频线和模拟开关等的数据驱动电路72。另一方面，在扫描线31上连接有具备移位寄存器和电平移动器等的扫描驱动电路73。

还有，在每个像素区域71中设置有：开关用TFT(薄膜晶体管)42、保持电容cap、驱动用TFT43、像素电极(阳极)43、阴极54和有机发光层40。这里，在开关用TFT42中，扫描信号(电力)通过扫描线31而与开关用TTF42的栅电极电连接。保持电容cap对通过开关用TFT42从信号线32供给的图像信号进行保持。在驱动用TFT43中，由保持电容cap保持的图像信号被供给到驱动用TFT43的栅电极。在通过驱动用TFT43而与公共供电线33电连接时，从公共供电线33向像素电极41流动驱动电流。在像素电极41与阴极54之间夹入了有机发光层40。由所述像素电极41、阴极54和有机发光层构成发光元件。

在这样的构成中，若扫描线31被驱动而开关用TFT42导通，则此时的信号线32的电位(电力)由保持电容cap保持，根据所述保持电容cap的状态来确定驱动用TFT43的导通、截止状态。并且，通过驱动用TFT43的沟道，从公共供电线33向像素电极41流动电流(电力)，进而，通过有机发光层40向阴极54流动电流，从而，有机发光层40根据其中流动的电流量而发光。

接着，如图2所示，在像素区域71的平面构造中，按照大致矩形状的像素电极41的四边由信号线32、公共供电线33、扫描线31和未图示的其他像素电极用的扫描线包围的方式配置有像素电极41。像素电极41与漏电极36导电连接，由此与驱动用TFT43电连接。

(剖面构造)

还有，如图3所示，在像素区域71的剖面构造中，在基板P上设置有驱动用TFT43，在以覆盖驱动用TFT43的方式形成的第一层间绝缘膜23上和第二层间绝缘膜24上配置有发光元件200。

该发光元件200构成为具有：与竖立设置在基板P上的围堰构造(隔壁构造)50的内部接触的像素电极41、在该像素电极41上配置的有机发光层40、覆盖该有机发光层40的阴极54。

而且，所述围堰构造50在基板P上形成为对各像素区域71进行划分(包围)。

在如第一实施方式的顶部发射型有机EL装置的情况下，采用将光从配置有机EL发光元件200的面取出到外部的构成，因此，作为所述基板P除使用玻璃等透明基板之外还可使用不透明基板。

作为不透明基板，例如可列举对氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属片实施了表面氧化等绝缘处理后的基板、和热硬化性树脂或热塑性树脂、甚至其薄膜(塑料薄膜)等的基板。

设置在基板P上的所述驱动用TFT43以半导体层21上形成的源极区域43a、漏极区域43b和沟道区域43c、以及隔着形成在半导体层表面上的栅极绝缘膜22与沟道区域43c对置的栅电极43A为主体而构成。

第一层间绝缘膜23形成为覆盖半导体层21和栅极绝缘膜22。在贯通该第一层间绝缘膜23到达半导体层21的接触孔34、35内，分别嵌入有漏电极36和源电极38。漏电极36和源电极38与漏极区域43b、源极区域43导电连接。

在第一层间绝缘膜23的上层形成有第二层间绝缘膜24。在贯通该第二层间绝缘膜24的接触孔39中嵌入有像素电极41的一部分。

并且，像素电极41与漏电极36导电连接，从而驱动用TFT43与像素电极41(发光元件200)电连接。

此外，所述第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24兼作所述驱动用TFT43、或对因所述漏电极36和源电极38而在基板P上产生的凹凸进行平坦化的平坦化层的功能。

还有，围堰构造50由无机围堰(无机隔壁)50B、有机围堰(有机隔壁)50A的层叠构造构成。

无机围堰50B由SiO₂或SiN等绝缘性无机材料构成。

有机围堰50A与上述第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24的形成材料同样，由丙烯酸或聚酰亚胺等有机材料构成。

具体而言，上述无机围堰50B按照覆盖像素电极41的侧面和上端部的方式形成在上述第二层间绝缘膜24上。还有，无机围堰50B使像素电极41的一部分(上表面)露出，并与各像素区域71对应地配置。而且，无机围堰50B使相互邻接的像素电极41之间绝缘。并且，无机围堰50B形成为使第二层间绝缘膜24的一部分露出。

还有，上述有机围堰50A形成为覆盖从无机围堰50B露出的第二层间绝缘膜24、和无机围堰50B的一部分。

此外，希望有机围堰50A的膜厚设定为2～3μm左右。

并且，按照覆盖有机围堰50A的表面的方式设置了由SiN等无机材料构成的无机保护膜44。作为该无机保护膜44的膜厚，希望在50nm～200nm左右。

作为无机保护膜44的形成材料，并不限于上述的SiN，也可利用以SiO、SiO₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一种为主体的材料。

在与上述围堰构造50的底部接触的像素电极41上，有机发光层40与阴极54层叠，由此构成发光元件200。

在第一实施方式中，所述有机发光层40和所述阴极54按照覆盖围堰构造50(有机围堰50A)的上表面的方式形成在基板P的整个面上。

此外，有机发光层40如后述那样由真空蒸镀法(气相法)形成。

在第一实施方式中，作为所述有机发光层40的形成材料，利用可发出白色荧光或发出磷光的公知的低分子材料。例如，利用层叠了蓝色和橙色发光元件的双发光层层叠型白色元件、或层叠了红色、绿色和蓝色的三发光层层叠型白色元件等。

此外，虽未图示，但有机发光层40除包括发光层之外，还包括空穴注入/输送层、电子注入/输送层而构成。

该情况下，空穴注入/输送层、电子注入/输送层通过基于蒸镀法对适合于各层的蒸镀材料进行蒸镀而形成。

第一实施方式涉及的有机EL装置是从密封基板27取出光的所谓的顶部发射方式的有机EL装置。

因此，阴极54由透明材料构成。作为形成该阴极54的透明导电材料，可利用铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、铝薄膜、镁银的薄膜等。具体而言，在第一实施方式中利用了ITO。

还有，像素电极41可由金属材料等适当的导电材料形成。在第一实施方式中，以ITO为主体而构成。此外，第一实施方式涉及的有机EL装置1如上所述是顶部发射方式的有机EL装置，因此，在像素电极41的下层侧例如设置有Al等具有光反射性的反射膜(未图示)，使得能有效地将光取出到外部。

还有，在所述阴极54的上层侧形成有阴极保护层45。

通过设置该阴极保护层45，从而能在制造工艺中防止阴极54被腐蚀。

而且，阴极保护层45还能良好地防止阴极54的氧化。

作为阴极保护层45的形成材料，利用无机化合物、例如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等的硅化合物。

但是，在第一实施方式涉及的有机EL装置1中，有机发光层40、阴极54和阴极保护层45形成在围堰构造50的上面，进而按照覆盖围堰构造50的侧面部分的方式形成。

这里，在有机围堰50A的内侧面，形成有剖面观察呈锥形状的倾斜面。

根据该构成，能使如后述那样通过蒸镀法形成的有机发光层40良好地附着于有机围堰50A的内侧面。由此，使有机发光层40与有机围堰50A相互具有高密接性地形成。

进而，在有机发光层40上层叠形成的阴极54也沿着上述锥面形成。由此，防止了产生断线。

在第一实施方式涉及的有机EL装置1中，与基板P对置地设置有滤色器基板25。

在该滤色器基板25上形成有与三原色的各色(R、G、B)对应的滤色器26、遮光用的BM(黑矩阵)图案28。还有，该滤色器基板25被设置为与基板P的像素区域71和滤色器26对置。而且，在滤色器基板25上设置有密封基板27。

该密封基板27例如由玻璃等具有透明性的材料形成。此外，在所述密封基板27的内面侧(密封基板27与基板P之间)设置凹部，也可在该凹部配置吸收水或氧的吸气剂(例如，CaO、BaO等)。该情况下，可吸收侵入到有机EL装置1内部的水或氧。

这里，通过对所述有机EL装置1的制造方法进行描述，来说明根据该有机EL装置1能在长时间内获得良好的发光特性的理由。

(有机EL装置的制造方法)

下面，参照图4A～图4D和图5A～图5C，对有机EL装置1的制造方法进行说明。

此外，在以下的说明中，关于形成驱动用TFT43和像素电极41等的工序，由于与公知的工序相同，因此对此后的工序进行详细说明。

首先，如图4A所示，在玻璃基板等的基板P上依次形成驱动用TFT43、第一层间绝缘膜23和第二层间绝缘膜24。然后，形成通过在所述第二层间绝缘膜24中形成的接触孔39而与所述驱动用TFT43电连接的像素电极41。接着，在所述第二层间绝缘膜24上形成无机围堰50B。

然后，在第二层间绝缘膜24、像素电极41的整个面上，例如通过CVD法、溅射法、蒸镀法等形成SiO₂、TiO₂、SiN等的无机物膜。此外，在第一实施方式中使用了SiO₂。接着，通过光刻法对该无机膜进行图案化，形成无机围堰50B。

该无机围堰50B仅设置在第二层间绝缘膜24上、像素电极41的周缘部(上端部和侧面部)。由此，位于像素电极41的中央部的电极面(像素电极41的面)露出。

接着，如图4B所示，在上述无机围堰50B上形成有机围堰50A。

作为有机围堰50A的材料，例如可使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等有机树脂材料。

通过旋涂、浸涂等，对溶剂中溶有丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等有机树脂的材料(液体材料)进行涂敷，由此形成有机围堰50A。

然后，通过光刻法进行图案化，来形成具有开口的有机围堰50A。

有机围堰50A的开口如图3所示，形成得比无机围堰50B的开口稍宽。

这样，通过在无机围堰50B上层叠有机围堰50A，从而在基板P上形成围堰构造50。由该围堰构造来划分像素区域71。

(无机保护层的形成工序)

接着，如图4C所示，形成覆盖有机围堰50A的表面的无机保护膜44。

具体而言，利用具有与有机围堰50A的形成区域对应的开口部的掩模，通过CVD法、溅射法、蒸镀法等，选择性形成由SiN构成的无机膜。由此，可形成所述无机保护膜44。

此外，如上所述，也可利用以SiO、SiO₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一种为主体的其他无机材料来形成无机保护膜44。

作为该无机保护膜44的膜厚，希望设定在50～200nm(在第一实施方式中设为50nm)。

作为其理由，当无机保护膜44的膜厚小于50nm时，难以对后述的等离子体处理获得充分的耐性。

而且，若无机保护膜44的膜厚在200nm以上，则无机保护膜44可能会产生裂纹，从而无法对后述的等离子体处理获得充分的耐性。

接着，如图4D所示进行等离子体处理。

该等离子体处理是使像素电极41的电极面活性化的处理，以像素电极41的电极面的表面清洗为主要目的而进行。

但是，在像素电极41的表面清洗不充分的情况下，该像素电极41上形成的有机发光层40的平坦性降低，产生发光不均，会导致有机EL装置的显示品质降低。

因此，在上述等离子体处理中，希望尽量强化等离子体能量。

由于上述的由丙烯酸树脂形成的有机围堰50A的等离子体耐性低，因此有可能因等离子体处理而其一部分被破坏(蚀刻)。

另一方面，在第一实施方式涉及的有机EL装置1中，如上所述，有机围堰50A的表面由无机保护膜44覆盖。

这里，由无机材料构成的无机保护膜44对上述等离子体处理具备充分的耐性。

即，该无机保护膜44不会因上述等离子体处理而被破坏(蚀刻)。

因此，能良好地进行像素电极41的表面清洗，而不会给设置于该无机保护膜44的下层的有机围堰50A带来损伤。

(有机发光层的形成工序)

接着，如图5A所示，例如通过真空蒸镀法，在像素电极41和围堰构造50的整个面上形成有机发光层40。

此时，由于良好地进行了基于上述等离子体处理的表面清洗，因此，能在像素电极41上形成平坦性优异的有机发光层40。

还有，在构成围堰构造50的有机围堰50A的内侧面，如图2所示形成剖面观察呈锥形状的倾斜面。

因此，能使有机发光层40的形成材料沿着有机围堰50A的内侧面良好地附着。

在第一实施方式中，通过层叠空穴注入/输送层、发光层、电子注入/输送层，形成了有机发光层40。

此外，空穴注入/输送层、发光层、电子注入/输送层基于公知的蒸镀法对适合如上述的各层的蒸镀材料进行蒸镀来形成。

作为上述发光层的蒸镀材料，例如可使用蒽、芘、8-羟基喹啉铝、双苯乙烯基蒽衍生物、四苯基丁二烯衍生物、香豆素衍生物、二唑衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、吡咯并吡啶衍生物、ペリノン(perinone)衍生物、环戊二烯衍生物、噻二唑并吡啶衍生物，或者向这些低分子材料中注入红荧烯、喹吖啶酮衍生物、吩噁嗪酮衍生物、DCM、DCJ、ペリノン、苝衍生物、香豆素衍生物、二氮杂引达省(diazaindacene)衍生物等后使用。

还有，作为空穴注入/输送层的蒸镀材料，例如可使用星爆型胺(starburst amine)、胺低聚物(oligoamine)、三苯胺系聚合物等。

并且，作为电子注入/输送层的蒸镀材料，例如可利用噁二唑衍生物、噁唑衍生物、菲咯啉衍生物、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷(tetracyanoanthraquinodimethane)衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯(diphenyldicyanoethylene)衍生物、二苯基二氰基乙烯(diphenyldicyanoethylene)衍生物、二苯酚合苯醌(diphenoquinone)衍生物、羟基喹啉衍生物的金属配位化合物。

接着，如图5B所示，按照覆盖所述有机发光层40的方式在基板整个面上形成阴极54。

在阴极54的形成工序中，为了实现顶部发射构造，例如通过离子镀覆法等物理气相生长法，形成透明的ITO。

或者，也可通过蒸镀法形成铝的薄膜、镁银的薄膜来形成阴极54。

此时，由于有机发光层40沿着有机围堰50A的表面以均匀的膜厚形成，因此，在该有机发光层40上形成的阴极54也能以均匀的膜厚形成。

进而，为了防止由氧或水分的影响引起的有机EL元件的劣化，如图5C所示，在阴极54上形成由硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物等硅化合物等的无机化合物构成的阴极保护层45。

作为该阴极保护层45的形成方法，可列举CVD法、溅射法、蒸镀法等。

然后，在基板P上重叠滤色器基板25，使基板P与滤色器基板25贴合在一起，并借助密封树脂由密封基板27将两基板密封，从而完成有机EL装置1。

如上所述，根据第一实施方式的有机EL装置1，在形成有机发光层40时，即使在通过等离子体处理对像素电极41表面进行了清洗的情况下，也能由覆盖有机围堰50A的表面的无机保护膜44防止有机围堰50A受到损伤。

由此，像素电极41的表面不会受到污染。

因此，能在像素电极41上良好地形成有机发光层40，成为能在长时间内获得良好的发光特性的有机EL装置。

(第二实施方式)

接着，参照附图，对本发明的有机EL装置涉及的第二实施方式进行说明。

此外，对构成第二实施方式的有机EL装置的部件中与构成上述第一实施方式的有机EL装置1的部件公共的部件标注相同符号并省略说明。

第二实施方式的有机EL装置的无机保护膜与第一实施方式的无机保护膜44的构成不同。

(剖面构造)

如图6所示，无机围堰50B在所述像素电极41未覆盖的第二层间绝缘膜24上具有第一开口部51。所述第二层间绝缘膜24通过该第一开口部51而露出。

并且，设置在第二层间绝缘膜24上的有机围堰50A的一部分嵌入于第一开口部51内。

由此，通过第一开口部51，有机围堰50A与第二层间绝缘膜24接触。

还有，与第一实施方式同样，希望有机围堰50A的膜厚设定为2～3μm左右。

并且，按照覆盖有机围堰50A的表面的方式设置了由无机材料例如SiN构成的无机保护膜64。该无机保护膜64的膜厚及形成材料与第一实施方式的无机保护膜44相同。

在无机保护膜64上，形成有使有机围堰50A露出的第二开口部52。

具体而言，第二开口部52形成在与有机围堰50A的上表面对应的位置上。

图7是无机保护膜64上形成的第二开口部52的俯视图，是从基板P的铅直方向观察到的图。

如图7所示，第二开口部52是使划分像素区域71的长边侧的有机围堰50A露出的长方形形状的孔部。

还有，从所述基板P的铅直方向观察，优选第二开口部52形成在与所述第一开口部51的一部分重叠的位置(参照图6)。

例如，也可采用在第二开口部52的形成区域内包含第一开口部51的形成区域的构成，即，按照第二开口部52的面积比第一开口部51的面积大的方式形成第二开口部52。

但是，现有的有机EL装置中，在驱动有机发光层时会从有机材料构成的有机围堰或平坦化层内产生脱气(out gas)。并且，由于按照覆盖平坦化层的方式形成有无机围堰，因此发光层产生不良影响，有可能导致发光不良。

另一方面，第二实施方式涉及的有机EL装置2中，在形成有机发光层40时，会从第二层间绝缘膜24和有机围堰50A中产生脱气。

从第二层间绝缘膜24中产生的脱气脱离第一开口部51而进入到有机围堰50A中。然后，与有机围堰50A中产生的脱气一同通过第二开口部52释放到外部。

即，第二实施方式涉及的有机EL装置2具有将在制造工艺中从有机材料产生的脱气释放到外部的构成。因此，在驱动有机EL装置时不会产生脱气，能防止由脱气引起的发光不良等不良情况。

(有机EL装置的制造方法)

下面，参照图8A～图8D和图9A～图9C，对有机EL装置2的制造方法进行说明。

此外，在以下的说明中，关于形成驱动用TFT43和像素电极41等的工序，由于与公知的工序相同，因此对此后的工序进行详细说明。

首先，如图8A所示，在玻璃基板等的基板P上形成驱动用TFT43、第一层间绝缘膜23、第二层间绝缘膜24、接触孔39、像素电极41和无机围堰50B。图8A所示的工序与第一实施方式的图4A相同。

此时，在无机围堰50B上，在未覆盖所述像素电极41的部分形成使第二层间绝缘膜24露出的第一开口部51。

接着，如图8B所示，在上述无机围堰50B上形成有机围堰50A。有机围堰50A的形成工序与第一实施方式的图4B相同。

但是，如上所述，在无机围堰50B上形成了第一开口部51，在其内部第二层间绝缘膜24露出。因此，上述有机材料嵌入于第一开口部51。

因此，有机围堰50A形成为通过第一开口部51而与第二层间绝缘膜24接触。

(无机保护层的形成)

接着，如图8C所示，形成覆盖有机围堰50A的表面的无机保护膜64。

具体而言，利用具有与有机围堰50A的形成区域以及后述的第二开口部52的形成区域对应的开口部的掩模，通过CVD法、溅射法、蒸镀法等，选择性形成由SiN构成的无机膜，由此，可形成所述无机保护膜64。

在该无机保护膜64上，在与所述有机围堰50A的上表面对应的位置上(参照图6)形成第二开口部52。

此外，无机保护膜64的形成材料和膜厚与第一实施方式的无机保护膜44相同。

这里，在第二实施方式中，从基板P的铅直方向观察，优选第二开口部52形成在与第一开口部51的一部分重叠的位置。

具体而言，在第二实施方式中，按照在第二开口部52的形成区域内包含第一开口部51的形成区域的方式形成了第二开口部52(参照图6)。

接着，如图8D所示进行等离子体处理。

但是，等离子体处理优选对在围堰构造50所划分的开口区域(像素区域71)的底部露出的像素电极41的表面有选择地进行。但是，该情况下，不仅像素电极41的表面，有机围堰50A的内侧面的一部分也会暴露于等离子体中。

有机围堰50A如上所述由丙烯酸树脂形成，难以说其具备充分的等离子体耐性。

因此，有可能因上述等离子体处理而其一部分被破坏(蚀刻)，使得在像素电极41上附着异物，产生污染。

另一方面，在第二实施方式涉及的有机EL装置2中，如上所述，有机围堰50A的表面由无机保护膜64覆盖。

这里，由无机材料构成的无机保护膜64具备充分的等离子体耐性，因此，由该无机保护膜64覆盖的有机围堰50A不会因上述等离子体处理而被破坏(蚀刻)。

因此，能良好地进行像素电极41的表面清洗，而不会给设置于无机保护膜64的下层的有机围堰50A带来等离子体损伤。

此外，如上所述，在所述无机保护膜64上形成有使有机围堰50A露出的第二开口部52。因此，在第二开口部52内露出的有机围堰50A可能会暴露于等离子体处理中。

但是，在第二实施方式中，由于在等离子体处理的影响少的有机围堰50A上面形成有第二开口部52，因此，能防止在该第二开口部52内露出的有机围堰50A被蚀刻。

(有机发光层的形成工序)

接着，如图9A所示，在像素电极41和围堰构造50的整个面上形成有机发光层40。该工序与第一实施方式的图5A相同。

但是，在形成上述有机发光层40的真空蒸镀的工艺中，会从如丙烯酸树脂或聚酰亚胺等的有机材料构成的第二层间绝缘膜24和有机围堰50A中产生脱气。

此时，从第二层间绝缘膜24产生的脱气被释放到通过第一开口部51连接的有机围堰50A。

而且，在有机围堰50A中也同样产生脱气。

这里，在有机围堰50A的表面由无机保护膜64完全覆盖的情况下，脱气无法逸出。因此，例如，脱气会破坏无机保护膜64，使得无法获得如上述的等离子体耐性。

因此，在第二实施方式涉及的有机EL装置2中，通过在无机保护膜64形成第二开口部52，能使从第二层间绝缘膜24和有机围堰50A中产生的脱气可靠地释放到外部。

而且，如图6所示，由于从基板P的铅直方向观察，第二开口部52和第一开口部51重叠，因此，通过了第一开口部51的脱气能良好地从平面上与第一开口部51重叠的第二开口部52释放到外部，能有效地将脱气释放到外部。

接着，如图9B所示，按照覆盖所述有机发光层40的方式在基板整个面上形成阴极54。

进而，如图9C所示，形成阴极保护层45。

而且，第二实施方式中的阴极54和阴极保护层45的形成工序与第一实施方式的图5B和图5C相同。

最后，在基板P上重叠滤色器基板25，使基板P与滤色器基板25贴合在一起，并借助密封树脂由密封基板27将两基板密封，从而完成图6所示的有机EL装置2。

如上所述，根据第二实施方式的有机EL装置2，有机围堰50A的表面由无机保护膜64覆盖。因此，在形成有机发光层40时，即使在通过等离子体处理对像素电极41表面进行了清洗的情况下，也能防止有机围堰50A受到等离子体损伤。

因此，能防止有机围堰50A的形成材料的一部分因等离子体处理而被蚀刻使得其一部分作为异物附着在像素电极41的表面造成像素电极41受到污染。

因此，能在像素电极41上良好地形成有机发光层40，可提供能在长时间内获得良好的发光特性的有机EL装置2。

而且，在有机发光层40的形成工艺中，能使从第二层间绝缘膜24和有机围堰50A产生的脱气释放到外部，因此，在驱动时能防止由脱气引起的发光不良等不良情况，从而能实现可靠性高的有机EL装置2。

此外，本发明的有机EL装置2并不限于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内可进行适当变更。

例如，如图10所示，也可在有机围堰50A的上面形成为栅格状的有机围堰50A的各栅格点所对应的位置形成大致椭圆形状的第二开口部52。

该情况下，与图7所示的构成相比，能使第二开口部52与像素电极41分离，在进行上述的等离子体处理时，能降低对第二开口部52内露出的有机围堰50A带来等离子体损伤的可能性。

(电子设备)

接着，作为本发明的有机EL装置的其他应用例，对具备有机EL装置的电子设备进行说明。

图11是针对在移动电话的显示部应用了本发明的有机EL装置的例子的概略构成图。

图11所示的移动电话300将上述实施方式的有机EL装置作为小尺寸的显示部301而具备，并构成为包括多个操作按钮301、受话口303和送话口304。

根据该移动电话300，能防止如上述那样因等离子体处理而引起的像素电极的污染，并且，能防止由脱气引起的发光不良的产生，从而能将可在长时间内获得可靠性高的显示的有机EL装置作为显示部301而具备，因此，能提供高品质的移动电话300。

此外，上述各实施方式的有机EL装置不限定于上述移动电话，还适合用作电子书、投影仪、个人计算机、数字静态照相机、电视接收机、取景型或监控直视型的录像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事本、电脑、文字处理器、工作站、可视电话机、POS终端、具备触摸屏的设备等的图像显示单元。

Claims (11)

1、一种有机场致发光装置，包括：

基板；

隔壁构造，其包围形成在所述基板上的像素区域，该隔壁构造具有：由无机材料构成的无机隔壁和由有机材料构成的有机隔壁所构成的层叠构造、由无机材料构成并对所述有机隔壁的表面进行覆盖的无机保护膜；

像素电极，其与所述隔壁构造接触；

有机发光层，其配置在所述像素电极上；和

阴极，其覆盖所述有机发光层。

2、根据权利要求1所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述无机保护膜以SiO、SiO₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一种为主体而构成。

3、根据权利要求1所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述无机保护膜的膜厚在50nm以上200nm以下。

4、根据权利要求1所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述有机发光层由气相法形成。

5、根据权利要求1所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述有机隔壁的内侧面具有剖面观察呈锥形状的倾斜面。

6、一种有机场致发光装置，包括：

基板；

平坦化层，其形成在所述基板上，由有机材料构成；

像素电极，其设置在所述平坦化层上；

无机隔壁，其按照覆盖所述像素电极的上端部的方式设置于所述平坦化层上，形成有使所述平坦化层露出的第一开口部；

有机隔壁，其形成在所述无机隔壁上，通过所述第一开口部而与所述平坦化层接触，被具有第二开口部并由无机材料构成的无机保护膜覆盖，并通过所述第二开口部而露出；

有机发光层，其设置在所述像素电极上；和

阴极，其设置在所述有机发光层上。

7、根据权利要求6所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述第二开口部形成在与所述有机隔壁的上表面对应的位置。

8、根据权利要求6所述的有机场致发光装置，其特征在于，

从所述基板的铅直方向观察，所述第二开口部形成为与所述第一开口部的至少一部分重叠。

9、根据权利要求6所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述无机保护膜以SiO、SiO₂、SiON、SiN、AlO、AlN和Al₂O₃中的任一种为主体而构成。

10、根据权利要求6所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述无机保护膜的膜厚在50nm以上200nm以下。

11、根据权利要求6所述的有机场致发光装置，其特征在于，

所述有机发光层由气相法形成。

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