JP4169733B2 - 電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電界発光ディスプレイ装置に係り、より詳しくは、外部電気要素と基板との接触力を増大させるための構造のパッド部を有する電界発光ディスプレイ装置とその製造方法に関する。

液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子又は無機電界発光ディスプレイ素子など平板ディスプレイ装置は、その駆動方式により、受動駆動方式のパッシブマトリックス（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＰＭ）型と、能動駆動方式のアクティブマトリックス（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）型とに大別される。ＰＭ型は、単純にアノードとカソードとがそれぞれカラムとロウとに配列されて、カソードにはロウ駆動回路からスキャニング信号が供給され、この際、複数のロウ中一つのロウのみが選択される。また、カラム駆動回路には各画素にデータ信号が入力される。一方、ＡＭ型は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いて各画素当たり入力される信号を制御するものであり、膨大な量の信号を処理するのに適していて動映像を具現するためのディスプレイ装置として広く使用されている。

一方、平板ディスプレイ装置のうち有機電界発光ディスプレイ装置は、アノード電極とカソード電極との間に有機物より成った有機発光層を有する。この有機電界発光ディスプレイ装置は、これら電極にアノード及びカソード電圧がそれぞれ印加されることにより、アノード電極から注入された正孔が正孔輸送層を経由して有機発光層に移動され、電子は、カソード電極から電子輸送層を経由して有機発光層に注入されて、この有機発光層で電子とホールとが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化されることにより、有機発光層の蛍光性分子が発光することにより、画像を形成する。フルカラー有機電界発光ディスプレイ装置の場合には、有機電界発光素子として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色を発光する画素を備えさせることによりフルカラーを具現する。

図１Ａには、通常的な平板ディスプレイ装置、特に有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図が示されている。基板１（図２Ｂ参照）一面上の画素で形成されるディスプレイ領域１０と、ディスプレイ領域１０の少なくとも一側周辺には、パッド部２０が配置される。

パッド部２０は、例えば図１Ａの線Ａ−Ａに沿って取った図１Ｂに示されたように、基板１の一面上には、パッド部の端子２が形成され、その上部に水平駆動回路部１４のようなＣＯＧ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）及びＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ）が配置されるが、その間に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）１５を配置してこれらを圧着させることにより、基板１と水平駆動回路部１４とが付着される。しかし、図１Ｃで分かるように、従来の技術によると、基板のパッド部２０と水平駆動回路部１４の突出された端子２，１４ａとの間に互いに突き合う構造を取ることにより、これらの間に配置された異方性導電フィルム１５との接触面積は、ほとんどの場合、点線表示された部分に限定されるか、或いは突出された端子の隣接部が異方性導電フィルムと接触するとしても、両者の突出された形状により非接触空間が発生する。

将来的に平板ディスプレイ装置、特に電界発光ディスプレイ装置の場合、携帯及び作動の容易性を増大させるため、基板自体についてのフレキシビリティが設計仕様として要求されるが、従来技術によると、基板１に曲げ力が加えられる場合、基板に付着される外部電気要素間の接触が維持されず剥離する恐れがあるという問題点が伴った。

特許文献１には、ＦＰＣのような電気要素に曲げ力が加えられる場合、基板との分離を防止するために接触力を増大させようとＦＰＣに開放領域を形成した液晶パネルが開示されている。

また、特許文献２には、隣接パッド端子間のショートを防止するために異方性導電膜をパターニングして形成する方法が開示されている。

前述した従来技術には、基板と外部電気要素との接合時、これら隣接端子間のショートを防止するための構造のパッド部は開示されているが、基板自体に曲げ力が加えられる場合、外部電気要素との接合力を増大させるための仕様を充足させることができなかった。
大韓民国公開特許公報第１９９９−３１９８４号 大韓民国公開特許公報第１９９７−１３０００号

本発明の技術的課題は、パッド部端子と外部電気要素の端子間の通電性は確保し、基板と外部電気要素との接触力を増大させて基板に加えられる外部曲げ力による両者間の剥離現象を防止する電界発光ディスプレイ装置を提供するところにある。

前述した技術的課題を達成するために、本発明の一面によると、基板一面の上部に形成された第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、一つ以上の端子から構成され、ディスプレイ領域の外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置であって、基板の一面上には、外部電気要素の端子を収容する凹溝部が備えられ、パッド部端子の少なくとも一部は凹溝部内に配置され、異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通されることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置を提供する。

本発明の電界発光ディスプレイ装置によると、パッド部端子の少なくとも一部は、一つ以上の層で形成される上部端子導電層及び下部端子導電層で構成されることもある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置によると、上部端子導電層は、ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層中一つ以上の層と同一の材料で形成されることもある。

本発明の他の一面によると、下部端子導電層には、ディスプレイ領域のソース／ドレーンの電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることもある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置によると、下部端子導電層には、ディスプレイ領域のゲート電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることもある。

本発明の他の一面によると、基板の一面上に配置されたＴＦＴ層、ＴＦＴ層の上部に形成された一つ以上の層を有する第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、一つ以上の端子から構成され、ディスプレイ領域外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置であって、ディスプレイ領域に形成される一つ以上の絶縁層は、パッド部の領域まで延びて形成され、基板及び延びた一つ以上の絶縁層中少なくとも一つ以上の絶縁層には、外部電気要素の端子を収容する凹溝部が形成され、パッド部端子の少なくとも一部は、凹溝部内に配置され、異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通されることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置を提供する。

本発明の電界発光ディスプレイ装置によると、パッド部端子の少なくとも一部は、一つ以上の層で形成される上部端子導電層及び下部端子導電層から構成されることもある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置によると、上部端子導電層は、ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層中一つ以上の層と同一の材料で形成されることもある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置によると、下部端子導電層には、ディスプレイ領域のソース／ドレーン電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることもある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置によると、下部端子導電層には、ディスプレイ領域のゲート電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることもある。

本発明のさらに他の一面によると、基板一面の上部に形成された、第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、一つ以上の端子から構成され、ディスプレイ領域の外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置を製造する方法であって、パッド部形成段階は、基板一面上に外部電気要素の端子を収容する凹溝部を形成する段階と、パッド部端子の、少なくとも異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通される一部を凹溝部内に配置する段階と、を含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、パッド部端子を形成する段階は、一つ以上の層で形成される上部及び下部端子導電層を形成する段階を含むこともある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、上部端子導電層の形成段階は、ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層中少なくともいずれか一つの層の形成と同時に成される段階を含むこともある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、下部端子導電層の形成段階は、ディスプレイ領域のソース／ドレーン電極形成と同時に成される段階を含むこともある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、下部端子導電層の形成段階は、ディスプレイ領域のゲート電極形成と同時に成される段階を含むこともある。

本発明の他の一面によると、基板の一面上に配置されたＴＦＴ層、ＴＦＴ層の上部に形成された一つ以上の層を有する第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、一つ以上の端子から構成され、ディスプレイ領域の外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置を製造する方法であって、パッド部の形成段階は、ディスプレイ領域に形成された一つ以上の絶縁層をパッド部の領域まで延びて形成させる段階と、基板及び延びた一つ以上の絶縁層中少なくとも一つ以上の絶縁層に外部電気要素の端子を収容する凹溝部を形成する段階と、パッド部端子の、少なくとも異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通される一部を凹溝部内に配置する段階と、を含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、パッド部端子を形成する段階は、一つ以上の層で形成される上部及び下部端子導電層を形成する段階を含むこともある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、上部端子導電層の形成段階は、ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層中少なくともいずれか一つの層の形成と同時に成される段階を含むこともある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、下部端子導電層の形成段階は、ディスプレイ領域のソース／ドレーン電極形成と同時に成される段階を含むこともある。

本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によると、下部端子導電層の形成段階は、ディスプレイ領域のゲート電極形成と同時に成される段階を含むこともある。

前述したような構成の本発明によると、異方性導電フィルムのような要素などを使用してパッド部端子と外部電気要素端子とを接触させる場合、これらが噛み合う場合、これらの間に形成される空間を最小化して接触面積を増大させることにより、電界発光ディスプレイ装置が曲げ力を受ける場合、端子の間の剥離現象を減らすことにより、製品の不良率を低減させるだけではなく、作動時接触不良による誤動作を防止することができる。また、パッド部端子は、一つ以上の導電層を備えることにより、より円滑な通電性を確保することができる。

以下、添付した図面に基づき本発明に係る望ましい実施形態を詳細に説明する。

図２Ａには、本発明の一実施形態による電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図が示されている。基板１１０（図２Ｃ参照）の一面の上部には一つ以上の画素（参照、図２Ｃの“１９４”は副画素）から構成されるディスプレイ領域１００が形成され、ディスプレイ領域１００の外郭に少なくとも一側には、一つ以上の端子から構成されるパッド部２００が配置される。

また、図２Ａに示されたようにディスプレイ領域１００は、密封部３００で囲まれ、ディスプレイ領域１００は、密封部３００により密封されるが、密封部３００による密封領域には、ディスプレイ領域１００の第２の電極層１９３（図２Ｃ参照）と通電される電極電源供給ライン１０１，１０３が介在され、画素の第１の電極層１９０（図２Ｃ参照）に電気的信号を印加するためのＴＦＴのソース電極１７０ａと連結される駆動電源供給ライン（図示せず）も介在され、場合によってはディスプレイ領域１００の個々の画素に走査信号を印加するための垂直駆動回路部１０２も介在されうる。ディスプレイ領域１００の個々の画素にデータ信号を印加するための水平駆動回路部１０４がパッド部２００に配置されることもある。図２Ａに示された各種配線及び回路部のレイアウトは、本発明を説明するための一例であり、本発明がこれに限定されるものではない。

ディスプレイ領域１００の図面符号“Ｂ”と指称された部分の概略的な部分拡大図が図２Ｂに示され、ここではスイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ及び１つのキャパシタを備える構造を有しているが、本発明はこれに限られるものではない。スキャンラインを通じて入力された走査信号によってスイッチング薄膜トランジスタが作動することにより、データラインからの電気的信号はキャパシタを通じて駆動薄膜トランジスタに伝達され、駆動薄膜トランジスタの作動いかんによって駆動電源ラインからの電気的信号が第１電極に伝達される。図２Ｃには、図２Ｂの線Ｉ−Ｉに沿って取った断面図が示されている。基板１１０の一面上には、バッファ層１２０が介在される。バッファ層１２０は、ＳｉＯ_２などで約３０００A程度の厚さに形成される。

バッファ層１２０の一面上には、半導体活性層１３０が形成されるが、半導体活性層１３０は、非晶質シリコン層又は多結晶質シリコン層で形成されうる等いずれか一つの類型に限定されるものではない。図面で詳細に示されていないが、半導体活性層１３０は、Ｎ^＋型又はＰ^＋型のドーパントにドーピングされるソース及びドレーン領域と、チャンネル領域とから構成される。

半導体活性層１３０の一面の上部には、ゲート電極１５０が形成されるが、図２Ｃに示されたようにスキャンラインを通じて他のＴＦＴが通電される場合、データラインからの信号がキャパシタを経てゲート電極１５０に印加される信号の有無に応じてチャンネル領域の通電いかんが決定され、これを通じてソース及びドレーン領域の接続が制御される。ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦層、そして加工性などを考慮して、例えばＭｏＷなどのような物質で形成される。半導体活性層１３０とゲート電極１５０との絶縁性を確保するために、例えばプラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）を通じてＳｉＯ_２から構成されるゲート絶縁層１４０が半導体活性層１３０とゲート電極１５０との間に介在される。

ゲート電極１５０の上部には、中間層１６０が形成されるが、中間層は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ_ｘなどの物質で単層形成されるか、又は二重層の形態から構成されることもある。中間層１６０の上部には、ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂが形成される。ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂは、中間層１６０とゲート絶縁層１４０とに形成されるコンタクトホールを通じて半導体活性層のソース領域及びドレーン領域とそれぞれ電気的に接続される。

ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂの上部には、保護層（パッシベーション層及び／又は平坦化層）１８０が形成されて、下部の薄膜トランジスタを保護し平坦化させる。本発明の一実施形態による保護層１８０は、多様な形態から構成されうるが、無機物又は有機物で形成されることもあり、単層で形成されるか、又は下部にＳｉＮ_ｘ層を備え、上部に例えば、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）又はアクリルなどのような有機物層を備える二重層から構成されることもある。

保護層１８０の一面上には、第１の電極層１９０が配設されるが、第１の電極の一端は、保護層１８０に形成されたビアホール１８１を通じて下部のドレーン電極１７０ａ，１７０ｂと接触する。第１の電極層１９０の一面上には、無機／有機電界発光素子が配置される。

有機電界発光部１９２は、低分子又は高分子有機膜から構成されうるが、低分子有機膜を使用する場合にホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、ホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、有機発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが単一或いは、複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ´−ジ（ナフタリン−１−イル）−Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様な材料を適用することができる。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。

高分子有機膜の場合には、ほぼホール輸送層（ＨＴＬ）及び有機発光層（ＥＭＬ）で備えられた構造を有することができ、この際、ホール輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し、発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系など高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成することができる。

有機電界発光部１９２の一面の上部には、第２の電極層１９３が全面蒸着されるが、第２の電極層１９３はこうした全面蒸着形態に限定されるものではない。ディスプレイ領域１００の外側に配置される電極電源供給ライン１０１，１０３（図２Ａ参照）が配置され、第２の電極層１９３と電極電源供給ライン１０１，１０３とは電気的に接続されうる。

一方、図２Ａの線Ｃ−Ｃに沿って取った図２Ｄ乃至図２Ｆには、ＦＰＣ及びＣＯＧのような電気要素と導通されるパッド部端子の断面が示されている。基板１１０の一面にパッド部領域には、凹溝部２１０が備えられる。凹溝部２１０内、例えば凹溝部２１０の下面には、パッド部端子が配置される。パッド部端子は、ディスプレイ領域１００の下部に配置される多様な導電層で形成されうる。

一例として、図２Ｅに示されたように、パッド部端子は、ディスプレイ領域１００の第１の電極層１９０と同一な層１９０’に、すなわち第１の電極層１９０の形成と同時に形成されうる。この際、第１の電極層１９０は、多様な形態で形成されうるが、前面発光型の場合、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｍｇ：Ａｇ又はこれらの合金などで薄い反射電極１９０ａと仕事関数が大きいＩＴＯ，ＩＺＯなどのような透明金属酸化物層１９０ｂとの二重層で形成されることもでき、背面発光型の場合、仕事関数が大きいＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明金属酸化物層の単一層が備えられることもある。従って、第１の電極層と同一な層１９０’も一つ以上の層を備える第１の電極層１９０といずれも同一であるか、又は選別的に同一な層が形成されることがある。しかし、工程の簡素化のために、第１の電極層と同一な層１９０’から構成されるパッド部端子は、第１の電極層１９０のいずれの層とも同一に形成されることが望ましい。しかし、本発明はこれに限定されず、例えばパッド部端子は、第２の電極層１９３の形成と同時に形成されることもある。

図２Ｅは、図２Ｄの点線部分を拡大した図面である。下部には、凹溝部２１０が形成された基板１１０が配置されるが、凹溝部２１０の下面には、パッド部の端子導電層としての第１の電極層１９０と同一な層１９０’が形成される。上部には、例えばＣＯＧのような水平駆動回路部１０４が示されており、水平駆動回路部１０４と基板１１０との間には、異方性導電フィルム１５が示されている。これらの間に外力が加えられれば、図２Ｆに示されたように、水平駆動回路部１０４は、基板１１０に付着されると同時に、水平駆動回路部１０４の端子１０４ａは、基板１１０の凹溝部２１０の下面に配置された端子導電層１９０と電気的に接続されて水平駆動回路部１０４と電界発光ディスプレイ装置との間に電気的信号をやり取りする。図１Ｃに示された従来技術とは違って、両者間に接触面積の増大による接触力が増大されたことによって、基板１１０に曲げ力が加えられた場合にも基板１１０と水平駆動回路部１０４との剥離は容易には起こらない。

前述した実施形態では、パッド端子部として、第１の電極層１９０と同一な層１９０’のみを使用した場合について説明されたが、本発明はこれに限定されるものではない。図２Ｇ及び図２Ｈに示されたように、パッド部端子の端子導電層を一つ以上の層から構成し、上部端子導電層と下部端子導電層とに大別されるように形成されることもある。すなわち、図２Ｇに示されたように、パッド部端子の下部端子導電層としてディスプレイ領域１００のソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂと同一な層１７０’、すなわちソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂと同時に形成される層１７０’が形成された後に、第１の電極層１９０と同一な層１９０’が上部端子導電層として形成されうる。また、図２Ｈに示されたように下部端子導電層として、ディスプレイ領域１００のゲート電極１５０と同一な層１５０’、すなわち下部端子導電層としてゲート電極１５０と同時に形成される層１５０’が形成された後に、第１の電極層１９０と同一な層１９０’が上部端子導電層として形成されうる。

一方、本発明の他の実施形態によると、ＣＯＧのような外部電気要素の端子部と噛み合うための凹溝部は、ディスプレイ領域から延びて形成された一つ以上の絶縁層、例えば保護層に形成されることもある。

図３Ａで下部には、パッド部が形成された基板１１０が、上部には、端子１０４ａを有する、ＣＯＧのような水平駆動回路部１０４が示されており、これらの間には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）１５が示されている。基板１１０の一面上には、ディスプレイ領域１００（図２Ａ参照）のバッファ層１２０が延びて介在され、バッファ層１２０上には、ゲート絶縁層１４０が、そしてゲート絶縁層１４０の一面上には、中間層１６０が延びて形成されている。中間層１６０の一面上には、下部端子導電層として、ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂと同一な層１７０’が形成されるが、その上には、ディスプレイ領域１００のソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂの上部に配置される保護層１８０が延びて介在される。

その後、水平駆動回路部１０４の端子１０４ａを収容するための凹溝部２１０が保護層１８０の一面に形成される。凹溝部２１０は、ディスプレイ領域１００の第１の電極層１９０をドレーン電極１７０ｂと接続させるためのビアホール１８１を形成すると同時に形成されることもあり、場合によっては、別途の工程で行われることもある。

その後、凹溝部２１０の下面には、上部端子導電層として、第１の電極層１９０と同一な層１９０’が形成される。上部端子導電層としての第１の電極層と同一な層１９０’と、下部端子導電層としてのソース／ドレーン電極と同一な層１７０’とは、両層間で伸延して介在される保護層１８０に形成されたビアホール１８１’を通じて導通される。

その後、基板１１０に異方性導電フィルム１５と水平駆動回路部１０４とを配置し、基板１１０と水平駆動回路部１０４との間に外力が加えられれば、図３Ｂに示されたように、異方性導電フィルム１５を通じた水平駆動回路部１０４と基板１１０との接触面積を増大させることにより、両者間の接触力を増大させることができる構造の電界発光ディスプレイ装置を製造することができる。

前述した実施形態は、本発明を説明するための一例として、本発明はこれに限定されない。すなわち、図３Ｂで上部端子導電層と下部端子導電層との間には、ビアホールを通じて導通されたが、図３Ｄに示されたように上部端子導電層としての第１の電極層１９０と同一な層１９０’と、下部端子導電層としてのソース／ドレーン電極と同一な層１７０’とが互いに密着することもあり、下部端子導電層としてディスプレイ領域１００のゲート電極１５０と同時に形成される同一な層１５０’がさらに介在されうる。また、前述した実施形態で、上部端子導電層として第１の電極層１９０と同一な層１９０’について記述したが、本発明はこれに限定されず、上部端子導電層を第２の電極層に形成することもあり、有機電界発光ディスプレイ装置以外に無機電界発光ディスプレイ装置にも、そしてＡＭ型以外にＰＭ型にも適用され、凹溝部は、基板と保護層いずれにも形成されることもあり、場合によっては、保護層及び中間層、ゲート絶縁層にも形成され、一つの凹溝部内に数個の端子が備えられることもある等多様な変形例を導出することができる。

本発明は、添付した図面に示された一実施形態を参考に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野で当業者ならこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の保護範囲は特許請求の範囲によってのみ定められるべきものである。

本発明の電界発光ディスプレイ装置及びこの製造方法は、例えば平板ディスプレイ装置の製造において効果的な適用が可能である。

有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図である。 図１Ａの線Ａ−Ａに沿って取った、従来技術によるパッド部の一断面図である。 図１Ｂの部分拡大図である。 本発明の一実施形態による有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図である。 図２ＡのＢについての部分拡大図である。 図２Ｂの線Ｉ−Ｉに沿って取った一断面図である。 図２Ａの線Ｃ−Ｃに沿って取った、パッド部の一断面図である。 本発明に係るパッド部と外部電気要素の付着過程を示す断面図である。 本発明に係るパッド部と外部電気要素の付着過程を示す断面図である。 本発明に係る他の類型のパッド部断面図である。 本発明に係る他の類型のパッド部断面図である。 本発明の他の実施形態によるパッド部と外部電気要素の付着過程を示す断面図である。 本発明の他の実施形態によるパッド部と外部電気要素の付着過程を示す断面図である。 本発明に係る他の類型のパッド部断面図である。 本発明に係る他の類型のパッド部断面図である。

符号の説明

１５ 異方性導電フィルム、
１００ ディスプレイ領域、
１０４ 水平駆動回路部、
１１０ 基板、
１２０ バッファ層、
１３０ 半導体活性層、
１４０ ゲート絶縁層、
１５０ ゲート電極、
１５０´ ゲート電極同一層、
１６０ 中間層、
１７０ａ，１７０ｂ ソース／ドレーン電極、
１７０´ ソース／ドレーン電極同一層、
１８０ 保護層、
１９０，１９０ａ，１９０ｂ 第１の電極層、
１９０´ 第１の電極層同一層、
１９２ 有機電界発光部、
１９３ 第２の電極層、
２１０ 凹溝部。

Claims (20)

1. 基板一面の上部に形成された、第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、
   一つ以上の端子から構成され、前記ディスプレイ領域の外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置であって、
   前記基板の一面上には、外部電気要素の端子を収容する凹溝部が備えられ、前記パッド部端子の少なくとも一部は前記凹溝部内に配置され、異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通されることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。
2. 前記パッド部端子の少なくとも一部は、一つ以上の層で形成される上部端子導電層及び下部端子導電層から構成されることを特徴とする請求項１に記載の電界発光ディスプレイ装置。
3. 前記上部端子導電層は、前記ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層の内一つ以上の層と同一の材料で形成されることを特徴とする請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
4. 前記下部端子導電層には、前記ディスプレイ領域のソース／ドレーンの電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることを特徴とする請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
5. 前記下部端子導電層には、前記ディスプレイ領域のゲート電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることを特徴とする請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
6. 基板の一面上に配置されたＴＦＴ層、前記ＴＦＴ層の上部に形成された一つ以上の層を有する第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、
   一つ以上の端子から構成され、前記ディスプレイ領域の外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置であって、
   前記ディスプレイ領域に形成される一つ以上の絶縁層は、前記パッド部の領域まで延びて形成され、前記基板及び前記延びた一つ以上の絶縁層の内少なくとも前記一つ以上の絶縁層には、外部電気要素の端子を収容する凹溝部が形成され、前記パッド部端子の少なくとも一部は前記凹溝部内に配置され、異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通されることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。
7. 前記パッド部端子の少なくとも一部は、一つ以上の層で形成される上部端子導電層及び下部端子導電層から構成されることを特徴とする請求項６に記載の電界発光ディスプレイ装置。
8. 前記上部端子導電層は、前記ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層の内一つ以上の層と同一の材料で形成されることを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。
9. 前記下部端子導電層には、前記ディスプレイ領域のソース／ドレーン電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。
10. 前記下部端子導電層には、前記ディスプレイ領域のゲート電極と同一の材料で形成される端子導電層が含まれることを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。
11. 基板一面の上部に形成された、第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、
    一つ以上の端子から構成され、前記ディスプレイ領域の外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置を製造する方法であって、
    前記パッド部の形成段階は、
    前記基板の一面上に外部電気要素の端子を収容する凹溝部を形成する段階と、
    前記パッド部端子の、少なくとも異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通される一部を前記凹溝部内に配置する段階と、を含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
12. 前記パッド部端子を形成する段階は、一つ以上の層で形成される上部端子導電層及び下部端子導電層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
13. 前記上部端子導電層の形成段階は、前記ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層の内少なくともいずれか一つの層の形成と同時に成される段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
14. 前記下部端子導電層の形成段階は、前記ディスプレイ領域のソース／ドレーン電極形成と同時に成される段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
15. 前記下部端子導電層の形成段階は、前記ディスプレイ領域のゲート電極形成と同時に成される段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
16. 基板の一面上に配置されたＴＦＴ層、前記ＴＦＴ層の上部に形成された一つ以上の層を有する第１及び第２の電極層、これら電極の間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域と、
    一つ以上の端子から構成され、前記ディスプレイ領域外郭に配置されるパッド部とを有する電界発光ディスプレイ装置を製造する方法であって、
    前記パッド部形成段階は、
    前記ディスプレイ領域に形成された一つ以上の絶縁層を前記パッド部の領域まで延びて形成させる段階と、
    前記基板及び前記延びた一つ以上の絶縁層の内少なくとも前記一つ以上の絶縁層に外部電気要素の端子を収容する凹溝部を形成する段階と、
    前記パッド部端子の、少なくとも異方性導電フィルムを介して前記外部電気要素の端子と導通される一部を前記凹溝部内に配置する段階と、を含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
17. 前記パッド部端子を形成する段階は、一つ以上の層で形成される上部端子導電層及び下部端子導電層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
18. 前記上部端子導電層の形成段階は、前記ディスプレイ領域の第１及び第２の電極層の内少なくともいずれか一つの層の形成と同時に成される段階を含むことを特徴とする請求項１７に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
19. 前記下部端子導電層の形成段階は、前記ディスプレイ領域のソース／ドレーン電極形成と同時に成される段階を含むことを特徴とする請求項１７に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
20. 前記下部端子導電層の形成段階は、前記ディスプレイ領域のゲート電極形成と同時に成される段階を含むことを特徴とする請求項１７に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。

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