JP4302653B2 - 電界発光ディスプレイ装置 - Google Patents

Description

本発明は、電界発光ディスプレイ装置に係り、より詳細には、封止領域をより効果的に封じて耐久年限を延長させる構造を有する電界発光ディスプレイ装置に関する。

液晶ディスプレイ装置、有機電界発光ディスプレイ装置、無機電界発光ディスプレイ装置など平板ディスプレイ装置は、その駆動方式により、受動駆動方式のパッシブマトリックス（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ；ＰＭ）型と能動駆動方式のアクティブマトリックス（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ；ＡＭ）型とに大別される。パッシブマトリクス型は、単純にアノードとカソードがそれぞれカラム（ｃｏｌｕｍｎ）とロー（ｒｏｗ）に配列されて、カソードには、ロー駆動回路からスキャンニング信号が供給され、この際複数のロー中一つのローのみが選択される。また、カラム駆動回路には、各画素へデータ信号が入力される。一方、前記アクティブマトリクス型は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を用いて各画素当たり入力される信号を制御するものであり、膨大な量の信号を処理するのに適して動映像を実現するためのディスプレイ装置として広く使用されている。

一方、前記平板ディスプレイ装置のうち有機電界発光ディスプレイ装置は、アノード電極とカソード電極との間に有機物より成る有機発光層を有する。この有機電界発光ディスプレイ装置は、これら電極にアノード及びカソード電圧がそれぞれ印加されることによって、アノード電極から注入された正孔が正孔輸送層を経由して有機発光層に移動され、電子は、カソード電極から電子輸送層を経由して有機発光層に注入されて、この有機発光層で電子とホールが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化されることにより、有機発光層の蛍光性分子が発光することによって画像を形成する。フルカラー有機電界発光ディスプレイ装置の場合には、前記有機電界発光素子として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色を発光する画素を備えるようにすることによってフルカラーを実現する。

従来の技術としては、乾燥剤層と包装ガラス基板との熱膨張差異による乾燥剤層の損傷を防止するために応力緩和層を備える電界発光表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

他の従来の技術としては、有機発光素子の封止のために光硬化性樹脂を通じて基板と包装部材とを接合させ、ガラス剤の包装部材を使用して、金属などの包装部材を使用した場合に発生可能な製造上の難易点を解消させた有機電界発光ディスプレイ装置の封止構造が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

しかし、これら従来の技術では、接着剤などの封止材を通じて基板と包装部材を単純に接合させている。電界発光ディスプレイ装置の酸素透過や透湿による劣化の相当部分は、封止材としての接着剤と基板と包装部材との境界面を通じた浸透現象により発生するが、これら従来の技術にはこれについて全く開示されていない。
特開第２００４−０５５３６５号公報 特開第２００２−２９９０４３号公報

本発明のが解決しようとする課題は、より効果的な封止機能を備えて耐久年限を延長させる構造の電界発光ディスプレイ装置を提供するところにある。

このような課題を解決するために、本発明の特徴は、電界発光ディスプレイ装置であって、表示領域と、パッド部と、前記表示領域の周縁外側に配置された封止部と、を備える基板と、前記基板と共に前記封止部の封止材を通じて、少なくとも前記表示領域を密封する封止基板と、を備える電界発光ディスプレイ装置において、前記基板側に、前記封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が形成され、前記表示領域の上部には封止層がさらに備えられ、前記封止層は、少なくとも前記凹溝部にも介在されることを要旨とする。

また、本発明の他の特徴は、電界発光ディスプレイ装置であって、表示領域と、パッド部と、前記表示領域の外側に配置された封止部と、を備える基板と、前記基板と共に前記封止部の封止材を通じて、少なくとも前記表示領域を密封する封止基板と、を備える電界発光ディスプレイ装置において、前記基板側に、前記封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が形成され、前記凹溝部は、前記基板の一面上に形成され、前記表示領域の上部には封止層がさらに備えられ、前記封止層は、少なくとも前記凹溝部にも介在されることを要旨とする。

さらに、本発明の他の特徴は、電界発光ディスプレイ装置であって、表示領域と、パッド部と、前記表示領域の外側に配置された封止部と、を備える基板と、前記基板と共に前記封止部の封止材を通じて、少なくとも前記表示領域を密封する封止基板と、を備える電界発光ディスプレイ装置において、前記基板側に、前記封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が形成され、前記基板の一面上には、一つ以上の絶縁層が備えられ、前記凹溝部は、前記絶縁層の少なくとも一部に形成され、前記表示領域の上部には封止層がさらに備えられ、前記封止層は、少なくとも前記凹溝部にも介在されることを要旨とする。

本発明によれば、次の通りの効果を得ることができる。

第一に、本発明によれば、基板側に封止部対応位置の少なくとも一部に凹溝部を備えることによって、湿気及び酸素が封止領域に流入される経路を増大させて透湿及び透酸素をより効果的に実現して封止寿命の増大に耐久年限を相当に延ばせる。

第二に、本発明によれば、封止部に形成された凹溝部により、封止材との接触面積が増大することによって基板と封止基板との接合力を強化させることもできる。

第三に、本発明によれば、凸凹状の凹溝部を構成することによって、封止寿命及び接合力をさらに強化させることもできる。

第四に、本発明によれば、凹溝部が閉曲線を成すことによって、封止領域のより確実な封止機能を遂行することもできる。

第五に、本発明によれば、表示領域の全面をカバーする封止層をさらに備えることによって、封止領域をより効果的に封じさせることもでき、凹溝部の深さを封止層の厚さ以上に形成することによって、封止層と封止材との境界面を通じた透湿及び透酸素をより効果的に阻止することもできる。

以下、本発明の実施の形態に係る電界発光ディスプレイ装置の詳細を図面に基づいて説明する。

図１は、本発明の実施の形態に係る電界発光ディスプレイ装置の概略的な斜視図である。図１に示すように、基板１１０の一面の上には、一つ以上の画素から構成される表示領域２００が形成され、この表示領域２００の外郭の少なくとも一側方には、一つ以上の端子から構成されるパッド部６００が配置される。表示領域２００とパッド部６００との間には、基板１１０と共に封止材３１０を通じて少なくとも表示領域２００を密封する封止部３００（図４参照）が配置される。

なお、有機電界発光表示領域２００に電気的信号を供給する電気素子、例えば表示領域２００を構成する画素にスキャン信号及び／又はデータ信号を伝達するスキャンドライバ／データドライバのような垂直／水平駆動回路部が、表示領域２００と封止部３００との間の封止領域に配置されることもあるが、本実施の形態では、図１に示すように、垂直水平駆動回路部５００を封止の外側に配置している。このような垂直／水平駆動回路部は、ＣＯＧ（Ｃｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）の形態や、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などを通じた外部電気要素から構成されることもあるなど、多様な構成を採用することができる。

図２は図１の符号Ａ部分についての一画素を拡大した概略拡大平面図である。ここでは、２個のトップゲート型薄膜トランジスタと、一個のキャパシタとを備える構造の一画素が示されている。なお、この構造は本発明の説明のための一例であり、本発明がこれに限定されるものではない。

画素の選択可否を決定する第１の薄膜トランジスタ１のゲート電極５５は、スキャン信号を印加するスキャンラインから延びる。スキャンラインにスキャン信号のような電気的信号が印加される場合、データラインを通じて入力されるデータ信号が第１の薄膜トランジスタ１のソース電極５７ａから、第１の薄膜トランジスタ１の半導体活性層５３を通じて第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレーン電極５７ｂに伝達される。

第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレーン電極５７ｂの延長部５７ｃは、キャパシタの第１の電極５８ａと連結され、キャパシタの第１の電極の他の一端は、駆動薄膜トランジスタとしての第２の薄膜トランジスタ２のゲート電極１５０を形成し、キャパシタの第２の電極は、駆動電源供給ライン（図示せず）と疎通される駆動ライン３１と電気的に接続される。

一方、図３は、図２の線Ｉ−Ｉに沿って切り取った部分断面図である。線Ｉ−Ｉの（ａ）−（ｅ）で表示された部分は、駆動薄膜トランジスタとしての第２の薄膜トランジスタ２が配置された部分の断面を示し、（ｅ）−（ｆ）部分は、画素開口部１９４を示し、（ｇ）−（ｈ）部分は、駆動ラインの断面３１を示す。第２の薄膜トランジスタ２において、基板１１０の一面上に形成されたバッファ層１２０の上には、第２の薄膜トランジスタ２の半導体活性層１３０が形成される。この半導体活性層１３０は、非晶質シリコン層から構成されるか、或いは多結晶シリコン層から構成されることもある。図面で詳細に示されていないが、半導体活性層１３０は、ｎ^＋型又はｐ^＋型のドーパント（不純物）がドーピングされたソース及びドレーン領域と、チャネル領域とから構成されるが、半導体活性層１３０は、有機半導体で構成してもよく、多用な構成を採用することが可能である。

半導体活性層１３０の上には、第２の薄膜トランジスタのゲート電極１５０が配置されるが、ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性そして加工性などを考慮して、例えばＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕなどのような物質で形成されることが望ましい。

ゲート電極１５０と半導体活性層１３０との間には、これらを絶縁させるためのゲート絶縁層１４０が配置されている。ゲート電極１５０及びゲート絶縁層１４０の上には、絶縁層としての中間層１６０が単一層及び／又は複数層として形成され、その上には、第２の薄膜トランジスタ２のソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂが形成される。ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂは、ＭｏＷなどのような金属で形成されることがあり、半導体活性層１３０とのより円滑なオーミックコンタクトを成すために追って熱処理してもよい。

ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂの上部には、保護の目的や平坦化させるためのパッシベーション層や平坦化層から構成される保護層１８０が形成されている。この保護層１８０上には、第１の電極層１９０が形成されている。この第１の電極層１９０は、保護層１８０に形成されたビアホール１８１を通じてソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂと電気的に導通する。第１の電極層１９０は、背面発光型である場合、インジウム−ティン−オキシド（ＩＴＯ）などの透明電極から構成され、前面発光型である場合、Ａｌ／Ｃａの反射電極とＩＴＯなどの透明電極で形成することができる。なお、電極材料は、これらに限定されるものではない。

また、本実施の形態では、第１の電極層１９０がアノード電極として作用する場合について適用したが、本発明はこれに限定されず、第１の電極層がカソード電極として構成されることもあるなど多様な構成が可能である。

ところで、本実施の形態では、保護層１８０は、多様な形態から構成されうるが、無機物又は有機物で形成されることもあり、単層で形成されるか、又は下部にＳｉＮｘ層を備え、上部に例えばＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）又はアクリルなどのような有機物層を備える二重層から構成されることもあるなど、多様な構成が可能である。

保護層１８０の上には、第１の電極層１９０に対応する領域である画素開口部１９４を除外し、画素を限定するための画素限定層１９１が形成される。画素開口部１９４の第１の電極層１９０の一面上には、発光層を含む有機電界発光部１９２が配置される。

有機電界発光部１９２は、低分子又は高分子有機膜から構成されうるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、ホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、有機発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）などが単一或いは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様な材料を適用することができる。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。

高分子有機膜の場合には、おおむねホール輸送層及び有機発光層で備えた構造を有することができ、この際、前記ホール輸送層としてＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を使用し、発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系など高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などに形成することもできるなど多様な構成が可能である。

有機電界発光部１９２の一面上部には、カソード電極としての第２の電極層２１９が全面蒸着されるが、第２の電極層２１０は、こうした全面蒸着形態に限定されるものではない。また、発光類型に応じてＡｌ／Ｃａ、ＩＴＯ、Ｍｇ−Ａｇなどのような材料で形成されることもあり、単一層ではない複数の層で形成されることもあり、ＬｉＦなどのようなアルカリ又はアルカリ土金属フルオライド層がさらに備えられることもあるなど、多様な類型から構成されうる。

本実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置は、封止部境界面を通じた透湿や透酸素を防止するために、基板側に封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が備えられる。

図４及び図５には、本発明により凹溝部を備える有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図が示されているが、説明を容易にするために封止材３１０及び封止基板４００などの一部構成要素は省略している。凹溝部３１１は、基板１１０側に封止部３００に対応する位置の少なくとも一部に形成される。図４に示すように、凹溝部３１１は、表示領域２００の外側に断続的に形成されることもあり、図５に示されたように封止領域への酸素及び湿気の浸透をより確実に遮断することができるように、凹溝部３１１は、周回してループ状となる閉曲線を成すようにしてもよい。

図６及び図７は、図５の線ＩＩ−ＩＩに沿って切り取った断面の一例として、本発明による凹溝部構造を示す。図６では、封止部３００で基板１１０の一面上には、凹溝部３１１が備えられる。こうした凹溝部３１１は、基板１１０に対して事前の加工処理で形成してもよいし、例えばエッチング、レーザ蝕刻などの多様な方法で形成してもよい。

基板１１０は、封止基板４００と共に封止部３００に配置される封止材３１０を通じて密封されている。この封止部３００の封止材３１０は、凹溝部３１１内にも充填される。凹溝部３１１の幅Ｗｇは、封止部３００の幅Ｗｓと同一であることもあるが、封止領域に侵入する湿気や酸素の大部分は、基板１１０と封止材３１０との境界面を通じて入り込むという点で、透湿や透酸素をより効果的に防止する観点から、凹溝部３１１の幅Ｗｇが封止材３１０が配置される封止部３００の幅Ｗｓより狭く形成することにより、透湿／透酸素経路の方向をできる限り変更させる構造を採ることが望ましい。

また、図７に示す本発明の他の実施の形態では、凹溝部を複数条の凸凹で形成している。図７に示すように、凸凹状の凹溝部３１１は、複数（本実施の形態では３つ）の凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃから構成されている。これら凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃの大きさは、相違することもあるが、工程上の便宜性を考慮して、同一であることが望ましい。凹溝の数が増えるほど封止部の封止材と基板との接触経路が増大されるが、封止部の幅は一定の制約があるため、凹溝３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃの幅を過度に縮めるときに、凹溝内に存在する気体や封止材の粘度などにより、封止材が凹溝に適切に密に充填できない場合は、効果的な封止構造を取ることもできない。また、凹溝部３１１が表示領域２００と端子部６００との間にも配置され（図５参照）る場合には、表示領域と電気的導通を成す配線が凹溝部を経由する場合、断線などによる製品不良が発生する点などを考慮して、凹溝部（凹溝）は、適切な幅と深さとを備えなければならない。

本発明のさらに他の実施の形態としては、基板側に形成される凹溝部は、基板の一面上に形成された一層以上の絶縁層に備えれる構成である。図８に示すように、基板１１０の一面上に少なくとも封止部に対応する領域まで薄膜トランジスタ層（図３参照）のバッファ層１２０が延びている。バッファ層１２０の一面上には、薄膜トランジスタ層の半導体活性層１３０とゲート電極１５０とを絶縁させるゲート絶縁層１４０が延びて形成されている。また、ゲート絶縁層１４０の一面上には、ゲート電極１５０とソース／ドレーン電極１７０とを絶縁させる中間層１６０が介在され、その上部には保護層１８０が配置される。

図８に示すように、本発明による凹溝部３１１は、保護層１８０に形成されることもあり、また、図９に示すように、下部絶縁層全てに形成してもよい。この実施の形態でも、上記の実施の形態と同様に、透湿や透酸素をより効果的に防止することができるように、凹溝部３１１は、その幅Ｗｇが封止材３１０が配置される封止部３００の幅Ｗｓより狭く形成されることが望ましい。

また、凹溝部は、凸凹状で形成されることもあり、図１０で凸凹状の凹溝部３１１は、数個の凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃから構成されるが、凹溝の大きさは、相違することもあるが、工程上の便宜性を考慮して凹溝の大きさは同一であることが望ましい。図１０に示すように、凹溝部３１１を構成する凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃは、３個から構成されたが、これに限定されず、上記の実施の形態と同様に凹溝の個数及び幅は、設計仕様により適切に選択されなければならない。

さらに、凹溝部は、基板の一面上に封止部に対応する位置に形成される一層以上の絶縁層中の少なくとも一部に選択的に形成されてもよい。すなわち、図１０に示すように、封止部３００の対応位置に基板１１０の一面上に形成された絶縁層１２０，１４０，１６０，１８０のうちいずれか一層以上の絶縁層１４０，１６０に選択的に形成してもよい。但し、この場合にも図８の場合と同様に、凹溝部３１１の幅Ｗｇは、封止部３００の幅Ｗｓより狭く形成されることが望ましい。

本発明に係る有機電界発光ディスプレイ装置は、表示領域の一面上に表示領域の封止をさらに強固にするための封止層をさらに備えることもある。図１１〜図１３には、封止層を形成工程の一例が概略的に示されている。先ず、図１１に示されたように、基板１１０の一面上の垂直水平駆動回路部５００と端子部６００が配置される部分にシャドウ層５００’，６００’を形成する。シャドウ層は、脱着可能なテープであることもあり、表示領域２００が発光層を含み、一層以上の有機物層を構成する有機電界発光部を含む場合、シャドウ層５００’，６００’に有機電界発光部の一層以上の有機物層を使用することもできる。

その後、図１２に示すように、表示領域２００及びシャドウ層５００’，６００’が形成された部分を含んだ全部分に封止層２２０を形成する。封止層２２０は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮｘなどの絶縁材料を蒸着工程を通じて形成されうる。封止層２２０を全面形成した後、図１３に示されたように、封止部３００に封止材３１０を形成し、封止基板４００と基板１１０を密封した後、シャドウ層５００’，６００’を除去し、適切な洗浄工程を経ることにより、垂直水平駆動回路部５００が配置される部分と端子部６００が配置される部分とが露出され、例えばＣＯＧ形態の垂直水平駆動回路部５００を配置させ得るようにしてもよい。本発明によって封止層をさらに備える場合、封止層の形成工程は、上記の一例以外にも多様な方法を用いて実施することができる。

図１４には、図１３の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切り取った概略的な部分断面が示されている。封止材３１０と保護層１８０に形成された凹溝部３１１との間には、表示領域２００の全面をカバーする封止層２２０が介在されて、封止領域内の空間と接する領域を遮断させることにより、より確実な封止機能を行うこともできる。

また、表示領域においてさらに強化された封止構造を取ることができるように、図１５〜図１７に示すように、封止層を備える構成としてもよい。なお、図１５は、他の実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な要部断面図が示されている。図１５は、基板１１０に凹溝部３１１が形成された場合である。ここで、封止層２２０は、少なくとも表示領域２００の全面をカバーし、封止層２２０の一部が少なくとも凹溝部３１１の下面に配置される。封止材３１０と封止層２２０との境界面を通じた、若しくは封止層を通じた透湿及び透酸素をより効果的に遮断するためには、透湿や透酸素の透過経路に沿った面が断続されるように形成することのが望ましい。すなわち、図１５で、基板１１０に形成された凹溝部３１１の深さｄｇは、封止層２２０の厚さｔｐ以上であるようにすることによって、封止材３１０と接する封止層２２０ができる限り断続されるようにすることが望ましい。

図１６に示す他の実施の形態は、凹溝部３１１が基板１１０の一面上に形成されたバッファ層を含んだ一層以上の絶縁層１２０，１４０，１６０，１８０に形成された場合であり、この場合にも表示領域２００を全面カバーする封止層２２０が少なくとも凹溝部３１１の下面に配置され、凹溝部３１１の深さｄｇは、封止層２００の厚さｔｐ以上であることが望ましい。

図１７に示す他の実施の形態は、凹溝部３１１が凸凹状から構成された場合であり、この場合にも表示領域２００を全面カバーする封止層２２０が少なくとも凹溝部３１１の下面、すなわち凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃの下面に配置され、凹溝部３１１の凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃの深さｄｇは、封止層２２０の厚さｔｐ以上であることが望ましい。

また、凹溝部は、基板の一面上に封止部に対応する位置に形成される一つ以上の絶縁層中の少なくとも一部に選択的に形成されることもある。すなわち、図１７に示すように、封止部３００の対応位置に基板１１０の一面上に形成された絶縁層１２０，１４０，１６０，１８０のうちいずれか一層以上の絶縁層１４０，１６０に選択的に形成されることもある。但し、この場合にも、図１５の場合と同様に、基板１１０に形成された凹溝部３１１の深さｄｇは、封止層２２０の厚さｔｐ以上であるようにすることによって、封止材３１０と接する封止層２２０ができる限り断続されるようにすることが望ましい。

上述のの各実施の形態は、本発明を説明するための一例であり、本発明がこれに限定されるものではない。例えば、上述した各実施の形態では、アクティブマトリクス駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置について本発明を適用して説明したが、無機電界発光ディスプレイ装置及びパッシブマトリクス駆動型にも適用されうるなど、多様な変形例を含むことは云うまでもない。

上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。

本発明に係る電界発光ディスプレイ装置は、封止機能増大及び低廉な製造コストが要求される平板ディスプレイ装置製造分野で使用されうる。

本発明の一実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な斜視図である。 図１の図面符号Ａについての概略的な拡大要部平面図である。 図２の線Ｉ−Ｉに沿って切断された概略的な要部断面図である。 本発明の一実施の形態における凹溝部を備える有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図である。 本発明の他の実施の形態による凹溝部を備える有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図である。 本発明の他の実施の形態を示し、図５のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った場合の概略的な平面図である。 本発明のさらに他の実施の形態を示し、図５のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った場合の概略的な平面図である。 本発明のさらに他の実施の形態を示し、図５の線ＩＩ−ＩＩに沿って取った場合の断面の一例を示す断面図である。 本発明のさらに他の実施の形態を示し、図５の線ＩＩ−ＩＩに沿って取った場合の断面の一例を示す断面図である。 本発明のさらに他の実施の形態を示し、図５の線ＩＩ−ＩＩに沿って取った場合の断面の一例を示す断面図である。 本発明によって封止層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を示す平面図である。 本発明によって封止層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を示す平面図である。 本発明によって封止層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を示す平面図である。 図１３の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って取った概略的な断面図である。 本発明のさらに他の一実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な部分断面図である。 本発明のさらに他の一実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な部分断面図である。 本発明のさらに他の一実施の形態による有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な部分断面図である。

符号の説明

１１０ 基板
２００ 表示領域
３００ 封止部
３１０ 封止材
３１１ 凹溝部
６００ 封止基板

Claims (11)

1. 表示領域と、パッド部と、前記表示領域の周縁外側に配置された封止部と、を備える基板と、前記基板と共に前記封止部の封止材を通じて、少なくとも前記表示領域を密封する封止基板と、を備える電界発光ディスプレイ装置において、
   前記基板上の、前記封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が形成され、
   前記表示領域を覆って封止層がさらに備えられ、
   前記封止層は、前記基板上に形成された少なくとも前記凹溝部にも介在され、
   よって前記封止部の対応位置の少なくとも一部では、前記基板上に形成された前記凹溝部と前記封止材との間に前記封止層が介在されることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。
2. 表示領域と、パッド部と、前記表示領域の外側に配置された封止部と、を備える基板と、前記基板と共に前記封止部の封止材を通じて、少なくとも前記表示領域を密封する封止基板と、を備える電界発光ディスプレイ装置において、
   前記基板上の、前記封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が形成され、
   前記凹溝部は、前記基板の一面上に形成され、
   前記表示領域を覆って封止層がさらに備えられ、
   前記封止層は、前記基板上に形成された少なくとも前記凹溝部にも介在され、
   よって前記封止部の対応位置の少なくとも一部では、前記基板上に形成された前記凹溝部と前記封止材との間に前記封止層が介在されることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。
3. 前記凹溝部は、閉曲線をなすことを特徴とする請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
4. 前記凹溝部は、前記封止部内に位置することを特徴とする請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
5. 前記凹溝部の深さは、前記封止層の厚さ以上であることを特徴とする請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
6. 前記凹溝部は、凹凸状であることを特徴とする請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
7. 表示領域と、パッド部と、前記表示領域の外側に配置された封止部と、を備える基板と、
   前記基板と共に前記封止部の封止材を通じて、少なくとも前記表示領域を密封する封止基板と、を備える電界発光ディスプレイ装置において、
   前記基板上の、前記封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が形成され、
   前記基板の一面上には、一つ以上の絶縁層が備えられ、
   前記凹溝部は、前記絶縁層の少なくとも一部に形成され、
   前記表示領域を覆って封止層がさらに備えられ、
   前記封止層は、前記基板上に形成された少なくとも前記凹溝部にも介在され、
   よって前記封止部の対応位置の少なくとも一部では、前記基板上に形成された前記凹溝部と前記封止材との間に前記封止層が介在されることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。
8. 前記凹溝部は、閉曲線を成すことを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。
9. 前記凹溝部は、前記封止部内に位置することを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。
10. 前記凹溝部は、少なくとも前記封止層まで形成され、
    前記凹溝部の深さは、前記封止層の厚さ以上であることを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。
11. 前記凹溝部は、凹凸状であることを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。

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