CN103474561B - 一种oled器件的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及封装技术领域，公开了一种OLED器件的封装结构，包括相对设置的上基板和下基板，在下基板上设置有OLED器件，并在OLED器件上设置有封装薄膜；下基板的边缘与上基板的边缘通过挡墙密封连接，下基板朝向上基板一面的边缘具有凹槽，挡墙与下基板连接的一端位于下基板的凹槽内，并将封装薄膜的周边密封于下基板的凹槽内。封装薄膜的周边位于下基板边缘设置的凹槽内，并通过挡墙密封在凹槽内，并且通过在上基板与封装薄膜之间的容腔内填充氮气、惰性气体、树脂、或干燥剂等，减少与封装薄膜接触的水汽和氧，进而降低水汽和氧对OLED器件的影响，延长OLED器件的使用寿命。

Description

一种OLED器件的封装结构
技术领域
本发明涉及封装技术领域，特别涉及一种OLED器件的封装结构。
背景技术
OLED器件是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的器件。OLED器件具有较多的优点，在显示领域有着光明的前景。OLED器件对水汽和氧气非常敏感，渗透进入OLED器件内部的水汽和氧气是影响OLED器件寿命的主要因素；因此，OLED器件多采用封装结构进行封装，以对氧气和水汽的起到阻隔作用。
薄膜封装（Thin film encapsulation，TFE）是OLED器件的一种封装方式，在追求轻与薄的大尺寸OLED器件领域以及柔性OLED器件领域受到广泛的关注。
现有技术中薄膜封装结构如图1所示，在衬底基板01上制作OLED器件02，并在OLED器件02上覆盖至少一层封装薄膜03。封装薄膜03的作用是防止水汽和氧进入OLED器件02中对OLED器件02产生影响。
但是，薄膜封装结构中阻隔水汽和氧对封装薄膜03材料本身的性质有很高的要求，并且水汽和氧可能通过各层封装薄膜03之间的间隙、以及封装薄膜03与衬底基板01之间的缝隙进入OLED器件02，或者直接通过各层封装薄膜03渗透到OLED器件02内，进而影响OLED器件02的使用寿命。
发明内容
本发明提供了一种OLED器件封装结构，提高对OLED器件的封装效果，提高OLED器件的使用寿命。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种OLED器件的封装结构，包括相对设置的上基板和下基板，在所述下基板朝向所述上基板的一面设置有OLED器件，在所述OLED器件上设置有封装薄膜；所述下基板的边缘与所述上基板的边缘通过挡墙密封连接，所述下基板朝向所述上基板一面的边缘具有凹槽，所述挡墙与所述下基板连接的一端位于所述下基板的凹槽内，并将所述封装薄膜的周边密封于所述下基板的凹槽内。
上述OLED器件的封装结构中，封装薄膜将OLED器件封装在下基板上，且封装薄膜的周边位于下基板边缘设置的凹槽内，并通过挡墙将封装薄膜的周边密封在凹槽内，降低水汽和氧从各层封装薄膜之间、以及封装薄膜与下基板之间的间隙进入OLED器件的概率，并且可以通过上基板阻隔与封装薄膜接触的水汽和氧，减少通过封装薄膜渗透到OLED器件内的水汽和氧，降低水汽和氧对OLED器件的影响，延长OLED器件的使用寿命。
优选地，为了进一步减少通过封装薄膜渗透到OLED器件内的水汽和氧，所述上基板和所述封装薄膜之间填充有氮气、惰性气体、树脂、或干燥剂。
可选地，所述挡墙为经过UV固化的封框胶。
可选地，所述挡墙为激光烧结的玻璃挡墙。
优选地，所述封装薄膜包括多层有机薄膜、或者多层无机薄膜、或者多层交替叠加的有机薄膜和无机薄膜。
优选地，所述有机薄膜为由聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺酸、聚丙烯酸、聚酯、聚乙烯、或聚丙烯制备的有机薄膜；
所述无机薄膜为由SiOx、SiNx、SiCxNy、SiOxNy、AlOx、SnO2、AlN、MgF2、CaF2、In2O3、或ITO制备的无机薄膜。
优选地，所述上基板和所述下基板为玻璃基板、或者挠性基板。
优选地，为了增大挡墙与上基板之间连接的强度，所述上基板朝向所述下基板的一面具有与所述下基板上的凹槽对应的凹槽，所述挡墙与所述上基板连接的一端位于所述上基板的凹槽内。
优选地，所述下基板朝向所述上基板一面上，所述下基板的凹槽与所述OLED器件之间还具有至少一个凹陷部，所述封装薄膜陷入所述凹陷部形成曲折路径。封装薄膜陷入凹陷部形成曲折路径可进一步延缓水汽和氧通过各层薄膜渗透到OLED器件中。
优选地，所述凹槽的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形；
每一个所述凹陷部的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形。
附图说明
图1为现有技术中一种OLED器件的薄膜封装结构的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的第一种OLED器件封装结构的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的第二种OLED器件封装结构的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的第三种OLED器件封装结构的结构示意图；
图5a～图5f为本发明提供的OLED器件封装结构中下基板上设置的凹槽及凹陷部的形状示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图2，本发明实施例提供的OLED器件的封装结构包括相对设置的上基板4和下基板1，下基板1朝向上基板4的一面设置有OLED器件2，在OLED器件2上设置有封装薄膜3；下基板1的边缘与上基板4的边缘设置有挡墙5，挡墙5可以用来粘结上基板4和下基板1，并且能起到密封的作用。下基板1朝向上基板4一面的边缘具有凹槽11，挡墙5与下基板1连接的一端位于下基板1的凹槽11内，并将封装薄膜3的周边密封于下基板1的凹槽11内。
上述OLED器件2的封装结构中，在封装OLED器件2时，将封装薄膜3设置在下基板1的OLED器件2上，封装薄膜3的周边位于下基板1边缘设置的凹槽11内，然后在凹槽11内形成挡墙5将封装薄膜3的周边密封在凹槽11内，进而防止外界的水汽和氧通过封装薄膜3与下基板1之间的间隙进入OLED器件2，进而对OLED器件2造成影响，如果封装薄膜3具有多层薄膜时，挡墙5会将多层薄膜的周边交叠处密封在凹槽11内，防止水汽和氧从各层薄膜之间的间隙进入OLED器件2，进而对OLED器件2造成影响；而且，上基板4的周边和下基板1的周边通过挡墙5密封连接，可以通过上基板4阻隔外界中的水汽和氧与封装薄膜3接触，减少通过封装薄膜3渗透到OLED器件2内的水汽和氧，降低水汽和氧对OLED器件2的影响，延长OLED器件2的使用寿命。
所以，本发明提供的OLED器件的封装结构对OLED器件的封装效果较好，可以提高OLED器件的使用寿命。
如图2所示，上基板4、封装薄膜3以及挡墙5之间可以形成一容腔6，优选地，为了进一步减少通过封装薄膜3渗透到OLED器件2内的水汽和氧，上基板4和封装薄膜3之间的容腔6内填充有氮气、惰性气体、树脂、或干燥剂等。上基板4与封装薄膜3之间的容腔6内填充有氮气、惰性气体或者树脂之后，使封装薄膜3处于无氧环境中，进而减少与封装薄膜3接触的水汽和氧，减少通过封装薄膜3渗透入OLED器件2内的水汽和氧；上基板4与封装薄膜3之间的容腔6内填充干燥剂之后能够减少通过封装薄膜3渗透入OLED器件2内的水汽和氧。
一种优选实施方式中，上基板4和下基板1之间的挡墙可以为经过UV固化的封框胶。
另一种优选实施方式中，上基板4和下基板1支架内的挡墙还可以为激光烧结的玻璃挡墙。
一种优选实施方式中，上述封装薄膜3可以有多种选择，上述封装薄膜3可以为一层薄膜或多层薄膜叠加而成，当封装薄膜3为多层薄膜叠加而成的薄膜时，封装薄膜3可以为多层有机薄膜叠加而成的薄膜，还可以为多层无机薄膜叠加而成的薄膜、还可以为多层交替叠加的有机薄膜和无机薄膜。
优选地，上述封装薄膜3中的有机薄膜为由聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺酸、聚丙烯酸、聚酯、聚乙烯、或聚丙烯制备的有机薄膜；
上述封装薄膜3中的无机薄膜为由SiOx、SiNx、SiCxNy、SiOxNy、AlOx、SnO2、AlN、MgF2、CaF2、In2O3、或ITO制备的无机薄膜。
一种优选实施方式中，上述上基板4和下基板1的材质可以有多种选择方式，如上述上基板4和下基板1可以为玻璃基板、或者挠性基板，以适应轻与薄的大尺寸OLED器件领域或柔性OLED器件领域的需求。
请参考图3，优选地，为了增大挡墙5与上基板4之间连接的强度，上基板4朝向下基板1的一面具有与下基板1上的凹槽11对应的凹槽41，挡墙5与上基板4连接的一端位于上基板4的凹槽41内。
挡墙5与上基板4连接的一端位于上基板4的凹槽41内，能够增大挡墙5与上基板4之间的接触面积，进而增大挡墙5与上基板4之间的粘结力，进而增大挡墙5与上基板4之间连接的强度。
请参考图4，一种优选实施方式中，优选地，下基板1朝向上基板4的一面上，下基板1的凹槽11与OLED器件2之间还具有至少一个凹陷部12，封装薄膜3陷入凹陷部12中形成曲折路径，增大了封装薄膜3的周边与OLED器件2之间的距离，增大了水汽和氧通过封装薄膜3与下基板1之间的间隙、以及封装薄膜3内各层薄膜之间的间隙进入封装薄膜3与OLED器件2的路径，进一步延缓水汽和氧进入到OLED器件2中的时间，提高OLED器件2的使用寿命。
一种优选实施方式中，如图5a所示，下基板1上的凹槽11的横截面的形状可以为弧形；
如图5b所示，下基板1上的凹槽11的横截面的形状可以为矩形；
如图5c所示，下基板1上的凹槽11的横截面的形状可以为三角形；
下基板1上的凹槽11的横截面的形状还可以为梯形。
当然，下基板1上的凹槽11的形状还可以为其他形状，只要能够实现采用挡墙5将封装薄膜3的周边密封在凹槽11内即可，这里不再一一赘述。
如图5d、图5e、图5f所示，为便于下基板1的制备，下基板1上每一个凹陷部12的横截面的形状与下基板1中的凹槽11的横截面形状可以相同也可以不同，具体可以为弧形、三角形、矩形、或者梯形。同时在下基板1上也可以设置多个凹陷部，用于增加水汽和氧走行的曲折路径。
当然，上基板4上的凹槽41同样可以为弧形、三角形、矩形或者梯形，这里不再赘述。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (7)

1.一种OLED器件的封装结构，其特征在于，包括相对设置的上基板和下基板，在所述下基板朝向所述上基板的一面设置有OLED器件，在所述OLED器件上设置有封装薄膜；所述下基板的边缘与所述上基板的边缘通过挡墙密封连接，所述下基板朝向所述上基板一面的边缘具有凹槽，所述挡墙与所述下基板连接的一端位于所述下基板的凹槽内，并将所述封装薄膜的周边密封于所述下基板的凹槽内；所述上基板和所述封装薄膜之间填充有氮气、惰性气体、树脂、或干燥剂；所述封装薄膜包括多层有机薄膜、或者多层无机薄膜、或者多层交替叠加的有机薄膜和无机薄膜；所述凹槽的横截面的形状为弧形、三角形、或者梯形。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述挡墙为经过UV固化的封框胶。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述挡墙为激光烧结的玻璃挡墙。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述有机薄膜为由聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺酸、聚丙烯酸、聚酯、聚乙烯、或聚丙烯制备的有机薄膜；
所述无机薄膜为由SiOx、SiNx、SiCxNy、SiOxNy、AlOx、SnO2、AlN、MgF2、CaF2、In2O3、或ITO制备的无机薄膜。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上基板和所述下基板为玻璃基板、或者挠性基板。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上基板朝向所述下基板的一面具有与所述下基板上的凹槽对应的凹槽，所述挡墙与所述上基板连接的一端位于所述上基板的凹槽内。
7.根据权利要求1～6任一项所述的封装结构，其特征在于，所述下基板朝向所述上基板的一面上，所述下基板的凹槽与所述OLED器件之间还具有至少一个凹陷部，所述封装薄膜陷入所述凹陷部形成曲折路径。
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