WO2018179168A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置 - Google Patents

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置 Download PDF

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WO2018179168A1
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film
layer
manufacturing
slit pattern
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有希 安田
菅　勝行
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • a display device including an EL element a laminated body formed of a TFT layer, a light emitting element layer, a sealing layer and the like formed on a mother substrate is divided to obtain a plurality of display devices (individual pieces).
  • ⁇ Display device performance may be reduced due to cracks or the like that occur at the part where it is divided.
  • a display device is a display device in which a TFT layer including a plurality of inorganic insulating films, a light-emitting element layer, and a sealing layer are provided on an upper side of a support material.
  • a slit pattern penetrating at least one of the inorganic insulating films is formed outside the display region and inside the edge of the support member in plan view.
  • the performance of a display device can be ensured.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the display device manufacturing method (laser beam irradiation position) according to the first embodiment.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the structural example of the display device of this Embodiment 1.
  • FIG. It is a block diagram which shows the structure of the display device manufacturing apparatus of this embodiment. It is sectional drawing which shows the modification of the manufacturing method (parting line, cut line) of the display device concerning Embodiment 1.
  • FIG. It is a top view which shows the manufacturing method (parting line, cut line, etc.) of the display device of Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing the merit of Embodiment 2. It is sectional drawing which shows the modification of the manufacturing method (parting line, cut line) of the display device concerning Embodiment 2. FIG. It is sectional drawing which shows the further modification of the manufacturing method (parting line, cut line) of the display device concerning Embodiment 2, and the display device obtained by this.
  • FIG. 6 is a plan view illustrating a configuration of a display device according to a third embodiment. It is sectional drawing which shows the structure of the manufacturing method of the display device concerning Embodiment 4, and the display device obtained by this. It is sectional drawing which shows the structure of the manufacturing method of the other display device concerning Embodiment 4, and the display device obtained by this.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a display device manufacturing method.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a configuration example (display region) during the formation of the display device of the present embodiment.
  • the resin layer 12 is formed on a light-transmitting mother substrate (for example, a glass substrate) 50 (step S1).
  • the inorganic barrier film 3 is formed (step S2).
  • a TFT layer 4 including a plurality of inorganic insulating films 16, 18, and 20 is formed (step S3).
  • a light emitting element layer (for example, OLED element layer) 5 is formed (step S4).
  • the sealing layer 6 including the inorganic sealing films 26 and 28 and the organic sealing film 27 is formed (step S5).
  • the protective material 9 for example, PET film
  • the protective material 9 is affixed on the sealing layer 6 through the adhesive layer 8 (step S6).
  • step S7 laser light is irradiated on the lower surface of the resin layer 12 through the mother substrate 50 (step S7).
  • the resin layer 12 absorbs the laser light irradiated to the lower surface of the mother substrate 50 and transmitted through the mother substrate 50, so that the lower surface of the resin layer 12 (interface with the mother substrate 50) is altered by ablation, and the resin The bonding force between the layer 12 and the mother substrate 50 is reduced.
  • the mother substrate 50 is peeled from the resin layer 12 (step S8).
  • a support material 10 lower surface film, for example, a PET film
  • step S10 the laminate including the support material 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, the sealing layer 6 and the protective material 9 is divided and the protective material 9 is cut, and a plurality of display devices Is cut out (step S10).
  • step S11 the protective material 9 on the terminal portion of the TFT layer 4 is peeled off, and the terminal is taken out (step S11).
  • step S12 the functional film 39 is attached (step S12), and an electronic circuit board is mounted on the terminal portion using ACF or the like (step S13).
  • Each step is performed by a display device manufacturing apparatus.
  • Examples of the material for the resin layer 12 include polyimide, epoxy, and polyamide. Examples of the material of the support material (lower surface film) 10 include polyethylene terephthalate (PET).
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device is used.
  • the barrier layer 3 is formed by CVD, such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, Alternatively, a silicon oxynitride film or a laminated film thereof can be used.
  • the thickness of the inorganic barrier layer 3 is, for example, 50 nm to 1500 nm.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) formed above the semiconductor film 15, a gate electrode G formed above the gate insulating film 16, and the gate electrode G From the inorganic insulating film 18 formed on the upper side, the capacitive wiring C formed on the upper side of the inorganic insulating film 18, the inorganic insulating film 20 formed on the upper side of the capacitive wiring C, and the inorganic insulating film 20 The source line S and the drain line D, and the planarizing film 21 formed above the source line S and the drain line D are also formed.
  • a thin layer transistor is configured to include the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16 (gate insulating film), and the gate electrode G.
  • a terminal used for connection to an electronic circuit substrate such as an IC chip or FPC and a terminal wiring connected to the terminal are formed.
  • the terminal wiring is electrically connected to various wirings of the TFT layer 4.
  • the terminal and the terminal wiring are formed on the inorganic insulating film 18 or the inorganic insulating film 20, for example.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • the gate insulating film 16 can be constituted by, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the gate electrode G, the source wiring S, the drain wiring D, and the terminal are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper ( It is comprised by the metal single layer film or laminated film containing at least 1 of Cu).
  • the TFT having the semiconductor film 15 as a channel is shown as a top gate structure, but a bottom gate structure may be used (for example, when the TFT channel is an oxide semiconductor).
  • the inorganic insulating films 18 and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the planarizing film (interlayer insulating film) 21 can be made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an organic light emitting diode layer) includes an anode electrode 22 formed above the planarizing film 21 and a bank 23b that defines subpixels of the display area DA (area overlapping the light emitting element layer).
  • An EL (electroluminescence) layer 24 formed above the anode electrode 22, and a cathode electrode 25 formed above the EL layer 24, and the anode electrode 22, the EL layer 24, and the cathode electrode 25
  • a light emitting element (for example, an organic light emitting diode) is configured.
  • the convex body 23c and the convex body 23d that define the edge of the organic sealing film 27 are formed.
  • the convex body 23c is formed on the inorganic insulating film 20, for example, and functions as a liquid stopper when the organic sealing film 27 is applied by inkjet.
  • the convex body 23d functions as a preliminary liquid stopper.
  • the bank 23b, the convex body 23c, and the convex body 23d can be formed, for example, in the same process using a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide, epoxy, or acrylic.
  • the EL layer 24 is formed in a region (subpixel region) surrounded by the partition wall 23c by an evaporation method or an ink jet method.
  • the light emitting element layer 5 is an organic light emitting diode (OLED) layer
  • the EL layer 24 includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side. It is composed by doing.
  • the anode electrode (anode) 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag and has light reflectivity (detailed later).
  • the cathode electrode 25 can be made of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zincum Oxide).
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the EL layer 24 by the driving current between the anode electrode 22 and the cathode electrode 25, and the exciton generated thereby falls to the ground state.
  • Light is emitted. Since the cathode electrode 25 is translucent and the anode electrode 22 is light reflective, the light emitted from the EL layer 24 is directed upward and becomes top emission.
  • the light emitting element layer 5 is not limited to constituting an OLED element, and may constitute an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • the sealing layer 6 is translucent, and includes a first inorganic sealing film 26 that covers the cathode electrode 25, an organic sealing film 27 that is formed above the first inorganic sealing film 26, and an organic sealing film 27 and a second inorganic sealing film 28 covering 27.
  • Each of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 may be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film formed by CVD. it can.
  • the organic sealing film 27 is a light-transmitting organic film thicker than the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and is made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic. Can do.
  • an ink containing such an organic material is applied onto the first inorganic sealing film 26 by inkjet and then cured by UV irradiation.
  • the sealing layer 6 covers the light emitting element layer 5 and prevents penetration of foreign matters such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • the protective material 9 is affixed on the sealing layer 6 via the adhesive 8, and also functions as a support material when the mother substrate 50 is peeled off.
  • the material of the protective material 9 include PET (polyethylene terephthalate).
  • the support material 10 is for manufacturing a display device having excellent flexibility by being attached to the lower surface of the resin layer 12 after the mother substrate 50 is peeled off.
  • Examples of the material include PET.
  • the functional film has, for example, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • the electronic circuit board is, for example, an IC chip or a flexible printed board mounted on the plurality of terminals TM.
  • step S6 the process proceeds from step S6 to step S10 in FIG.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the display device of the first embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view illustrating a manufacturing method (parting line, cut line, etc.) of the display device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view (a) showing the X region of FIG. 4 and a cross-sectional view (b) showing the Y region.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the display device manufacturing method (laser beam irradiation position) according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the display device according to the first embodiment.
  • an inorganic barrier film 3 is formed (step S2), and then a plurality of inorganic insulating films 16, 18, and 20 of the TFT layer 4 are formed. (Step S3a).
  • the terminal TM and the terminal wiring TW are formed in the non-display area of the TFT layer 4 (step S3b).
  • the terminal TM and the terminal wiring TW are formed in a layer between the inorganic insulating film 18 and the inorganic insulating film 20, and the end face of the terminal TM is covered with the inorganic insulating film 20.
  • step S3c the portions of the inorganic barrier film 3 and the inorganic insulating films 16, 18, and 20 that overlap the dividing line DL are penetrated by, for example, photolithography (step S3c).
  • a groove-like slit pattern SP penetrating the inorganic insulating films 16, 18, 20 and the inorganic barrier film 3 is formed so as to surround the display area DA.
  • the slit pattern SP is formed on the dividing line DL.
  • step S3d the planarizing film 21 that is the base of the light emitting element layer 5 is formed.
  • the base portion of the laser light absorption film AS in the non-display area NA is formed with the planarizing film 21.
  • step S4a a bank (pixel partition wall) 23b of the light emitting element layer 5 is formed (step S4a).
  • the upper portion 23f of the laser light absorption film AS in the non-display area NA is formed.
  • the organic insulating film 23e and the upper portion 23f of the laser light absorption film AS are formed in the same layer and with the same material as the bank 23b.
  • the EL layer 24 is formed by vapor deposition (step S4b).
  • the sealing layer 6 (the inorganic sealing films 26 and 28 and the organic sealing film 27) is formed (step S5).
  • the inorganic sealing films 26 and 28 are patterned by performing CVD through a mask. That is, the edges of the inorganic sealing films 26 and 28 are formed outside the display area DA and inside the slit pattern SP.
  • a protective material 9 is pasted on the inorganic sealing film 28 via the adhesive 8 (step S6).
  • the mother substrate 50 is peeled off (step S8).
  • the support material 10 is attached to the lower surface via the adhesive 11 (step S9).
  • step S ⁇ b> 10 division by laser irradiation (individualization + partial cut of the protective material) is performed (step S ⁇ b> 10).
  • a laser irradiation apparatus to cut the protective material 9 and to cut the laminated material 7 (including the support material 10, the resin layer 12, the barrier layer 3, the TFT layer 4, the light emitting element layer 5, the sealing layer 6 and the protective material 9) is used. (Not shown).
  • the protective material 9 is cut along the plane CF including the cut line CL before the laminated body 7 is divided.
  • the cut line CL is a line for cutting only the protective material 9 (local cut for leading out the terminal)
  • the dividing line DL is a line for dividing the laminated body 7.
  • the cut line CL and the terminal wiring TW intersect each other, and the laser light absorption film AS formed by the steps S3d and S4a has an inorganic insulating portion overlapping the cut line CL of the terminal wiring TW. Cover through membrane 20.
  • the inorganic sealing films 26 and 28 formed on the upper surface of the laser light absorption film AS also overlap with the cut line CL.
  • the laser light absorption film AS is not particularly limited as long as it can absorb the laser light as much as possible without being totally transmitted.
  • a permeable resin material mixed with a coloring material such as a paint or a pigment can be used (mixing a pigment increases the light absorption of the resin material).
  • the protective material 9 and the adhesive 8 are cut by irradiation of the first laser Lx on the cut line CL and the dividing line DL, and the laminate 7 is cut from the upper surface to the middle. Then, the laminate 7 is cut from midway to the lower surface (the back surface of the support member 10) by irradiation of the second laser Ly onto the dividing line DL, and individual pieces of the display device are cut out.
  • the first laser Lx for example, a carbon dioxide laser can be used
  • the second laser Ly for example, a UV laser can be used.
  • step S11 of FIG. a part of the cut protective material 9 (portion on the terminal part 44) is hooked with a pin or the like and lifted and peeled off. Thereby, the display device 2 of FIG. 7 can be obtained.
  • the display device manufacturing apparatus 70 includes a film forming apparatus 76, a cutting apparatus 80 including a laser irradiation apparatus, and a controller 72 that controls these apparatuses.
  • the film forming apparatus 76 that has received this performs Steps S3c to S4a and Step S5 of FIG.
  • the slit pattern is formed by dividing (that is, laser light) through the inorganic sealing films 26, 28, the inorganic insulating films 16, 18, 20, and the inorganic barrier film 3 (removed). Therefore, the laminated body 7 can be easily divided by the laser beam. Therefore, cracks or the like are generated in the hard inorganic film at the time of division, and the possibility that this may adversely affect the function of the TFT layer 4 or the sealing layer 6 of the display device after separation is reduced.
  • the terminal wiring TW is arranged under the cut line CL via the laser light absorption film AS, even if the intensity of the first laser Lx is excessively high, the energy of the laser light absorption film AS is reduced. The possibility that the terminal wiring TW is affected by the laser beam (for example, is disconnected) can be reduced. Therefore, in the display device 2 of FIG. 7, a laser ablation mark can be formed on the upper surface of the laser light absorption film AS.
  • the terminal wiring TW is made of laser light. You can avoid the situation of being affected by.
  • the slit pattern SP that penetrates the inorganic insulating films 16, 18, and 20 and the barrier layer 3 is formed outside the display area DA and inside the edge 10 e of the support member 10 in plan view.
  • the edges of the inorganic sealing films 26 and 28 are formed outside the display area DA and inside the slit pattern SP.
  • the end face 2e of the display device 2 passes through the slit pattern SP, and the slit pattern SP is filled with the organic insulating film 23e.
  • the organic insulating film 23 e is made of the same material as the bank 23 b that covers the edge of the anode 22 of the light emitting element layer 5. Note that the organic insulating film 23e may be formed of a planarizing film.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a modification of the display device manufacturing method (parting line, cut line) according to the first embodiment.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 pass through a portion that overlaps the dividing line DL, but the inorganic barrier film 3 may not pass through.
  • portions of the inorganic insulating films 16, 18, and 20 that overlap with the dividing line DL can be penetrated by a process of forming a contact hole (see FIG. 2) in the display area DA.
  • the laser light absorbing film AS is formed only by the planarizing film, and the laser light absorbing film AS and the inorganic (of the TFT layer 4) are formed between the cut line CL and the terminal wiring TW.
  • a configuration in which the insulating film 20 is disposed (the inorganic sealing films 26 and 28 are not disposed) may be employed.
  • FIG. 10 is a plan view showing a method for manufacturing a display device (partition line, cut line, etc.) according to the second embodiment.
  • 11 is a cross-sectional view (a) showing the X region of FIG. 10 and a cross-sectional view (b) showing the Y region.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating the display device manufacturing method (laser beam irradiation position) according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the display device according to the second embodiment.
  • the slit pattern SP (rectangular in a plan view) formed in step S3c in FIG. 3 is aligned with the dividing line (that is, the laminated body 7 is divided on the surface passing through the slit pattern SP). ) Is not limited to this.
  • the dividing line DL can be set outside the slit pattern SP in a plan view.
  • the division of the laminated body 7 and the cutting of the protective material 9 are performed in the same manner as in the first embodiment.
  • the second laser Lz in FIG. 12 has a larger energy than the second laser Ly in FIG. In this way, the display device 2 shown in FIG. 13 can be obtained.
  • the slit pattern SP penetrating the inorganic insulating films 16, 18, 20 and the barrier layer 3 is formed outside the display area DA and inside the edge 10 e of the support member 10 in plan view.
  • the edges of the inorganic sealing films 26 and 28 are formed outside the display area DA and inside the slit pattern SP.
  • the slit pattern SP is formed in a groove shape surrounding the display area DA.
  • the end face 2e of the display device passes outside the slit pattern SP. That is, the inorganic insulating films 16, 18, 20 and the barrier layer 3 penetrated by the slit pattern SP exist between the slit pattern SP and the end face 2e of the display device, and the slit pattern SP is filled with the organic insulating film 23e. It has been.
  • the organic insulating film 23 e is made of the same material as the bank 23 b that covers the edge of the anode 22 of the light emitting element layer 5. Note that the organic insulating film 23e may be formed of a planarizing film.
  • the film configuration on the terminal wiring TW is the same as that of the display device of the first embodiment (FIG. 7).
  • the slit pattern SP penetrating the inorganic sealing films 26, 28, the inorganic insulating films 16, 18, 20 and the inorganic barrier film 3 is formed along the inner side (display area side) of the dividing plane. Therefore, even if a crack or the like occurs in a hard inorganic insulating film or the like when the laminated body is divided as shown in FIG. 14, it is trapped by the slit pattern SP, so that the TFT layer 4 or the sealing layer 6 of the display device after separation is separated. The risk of adverse effects on functions is reduced.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a modification of the method for manufacturing a display device (parting line, cut line) according to the first embodiment.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 penetrate through the portion overlapping the dividing line DL, but the inorganic barrier film 3 may not penetrate.
  • portions of the inorganic insulating films 16, 18, and 20 that overlap with the dividing line DL can be penetrated by a process of forming a contact hole (see FIG. 2) in the display area DA.
  • the laser light absorption film AS is formed only by the planarization film, and the laser light absorption film AS and the inorganic (of the TFT layer 4) are formed between the cut line CL and the terminal wiring TW.
  • a configuration in which the insulating film 20 is disposed (the inorganic sealing films 26 and 28 are not disposed) may be employed.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a further modification of the display device manufacturing method (parting line, cut line) according to the second embodiment and a display device obtained thereby.
  • a semiconductor film 15 overlapping the slit pattern SP can be formed in the non-display area of the TFT layer 4 to function as an etching stopper.
  • the semiconductor film 15 can be formed by the same process as the TFT (thin film transistor) in the display region.
  • a conductive film overlapping the slit pattern SP is formed (for example, in the same process as the gate electrode).
  • this can also function as an etching stopper.
  • FIG. 17 is a plan view illustrating a configuration of a display device according to the third embodiment.
  • the slit pattern SP can be configured by a plurality of island-shaped slits SL.
  • a plurality of island-shaped slits SL are arranged in a staggered manner, and the island-shaped slits SL exist between the dividing line DL and the display area DA in a plan view and between the dividing line DL and the terminal portion 44. desirable.
  • an organic insulating film 23e that fills the plurality of island slits SL may be provided, or for each island slit SL as shown in FIG. An organic insulating film 23e that fills this may be provided.
  • FIG. 18A is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a display device according to Embodiment 4, and FIG. 18B is a cross-sectional view illustrating the configuration of the display device obtained in FIG.
  • FIG. 19A is a cross-sectional view illustrating another method for manufacturing a display device according to the fourth embodiment, and FIG. 19B is a cross-sectional view illustrating the configuration of the display device obtained in FIG.
  • a groove-like slit pattern SP that penetrates the inorganic insulating films 16, 18, 20, the inorganic barrier film 3 and the resin layer 12 is formed so as to surround the display area DA.
  • the slit pattern SP is formed on the dividing line DL, and the cut line CL and the terminal wiring TW intersect.
  • the laser light absorption film AS in the non-display area NA covers an overlapping portion of the terminal wiring TW with the cut line CL.
  • the slit pattern SP penetrating the inorganic insulating films 16, 18, 20, the barrier layer 3 and the resin layer 12 is formed outside the display area DA and inside the edge 10e of the support member 10 in plan view.
  • the edges of the inorganic sealing films 26 and 28 are formed outside the display area DA and inside the slit pattern SP.
  • the end face 2e of the display device 2 passes through the slit pattern SP, and the slit pattern SP is filled with the organic insulating film 23e.
  • the organic insulating film 23 e is made of the same material as the bank 23 b that covers the edge of the anode 22 of the light emitting element layer 5. Note that the organic insulating film 23e may be formed of a planarizing film.
  • the display device 2 includes a terminal TM and a terminal wiring TW having one end connected to the terminal TM in the non-display area NA. Since the terminal TM and the terminal wiring TW are formed in the same process as the source wiring S and the like, they are formed in the same layer as the source wiring S and the like (on the inorganic insulating film 20) and from the same material.
  • the end face of the terminal TM is covered with the coating 21h, and the other end of the terminal wiring TW (the side opposite to the one end connected to the terminal TM) is covered with the laser light absorption film AS. Since the coating 21h and the laser light absorption film AS are formed in the same process as the planarization film 21, they are formed in the same layer and with the same material as the planarization film 21.
  • the terminal wiring TW is connected to the relay wiring LW through a contact hole Hf overlapping with the laser light absorption film AS.
  • the contact hole Hf penetrates the inorganic insulating film 20, and the relay wiring LW is formed in the same layer as the capacitor wiring C (that is, on the inorganic insulating film 18).
  • the relay line LW is connected to a lead line DW drawn from the display area DA of the TFT layer 4 through a contact hole Hz formed on the display area DA side with respect to the contact hole Hf.
  • the contact hole Hz penetrates the inorganic insulating film 20, and the lead-out wiring LW is formed in the same layer as the source wiring S and the drain wiring D (that is, on the inorganic insulating film 20).
  • a convex body Tz made of an organic material is provided in the non-display area NA, and the convex body Tz covers one end of the lead-out wiring DW.
  • the contact hole Hz is formed so as to overlap the convex body Tz. Since the lower part of the convex body Tz is formed in the same process as the planarizing film 21, it is formed in the same layer and with the same material as the planarizing film 21. Since the upper part of the convex body Tz is formed in the same process as the bank 23b covering the edge of the anode 22 of the light emitting element layer 5, it is formed in the same layer and the same material as the bank 23b.
  • the terminal TM and the terminal wiring TW have a multi-layer structure (for example, a structure in which Al is sandwiched by two layers of Ti), moisture easily travels in the extending direction of the wiring.
  • a multi-layer structure for example, a structure in which Al is sandwiched by two layers of Ti
  • moisture penetration can be suppressed.
  • the other end of the terminal wiring TW (opposite one end connected to the terminal TM) is covered with the laser light absorption film AS, and one end (non-display area NA side) of the lead-out wiring DW is covered with the convex body Tz. Can be further suppressed.
  • the slit pattern SP is formed on the dividing line DL in plan view, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 19A, the slit pattern SP may be formed outside the display area in plan view and inside the dividing line. In the display device 2 of FIG. 19B, the slit pattern SP penetrating the inorganic insulating films 16, 18, 20, the barrier layer 3 and the resin layer 12 is formed outside the display area DA and in the edge 10e of the support member 10 in plan view. Is formed inside.
  • the end face 2e of the display device passes outside the slit pattern SP. That is, the inorganic insulating films 16, 18, 20 penetrated by the slit pattern SP, the barrier layer 3 and the resin layer 12 exist between the slit pattern SP and the end face 2e of the display device, and the slit pattern SP is organically insulated. It is filled with the film 23e.
  • the support material 10 is, for example, a lower film (lower film)
  • the present invention is not limited to this, and the support material 10 may be a resin substrate such as a polyimide substrate (The resin layer 12 in this case may be omitted or provided as necessary.
  • the electro-optical element (electro-optical element whose luminance and transmittance are controlled by current) included in the display device according to the present embodiment is not particularly limited.
  • the display device according to the present embodiment includes, for example, an organic EL (Electro Luminescence) display including an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and an inorganic light-emitting diode as an electro-optical element.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • inorganic light-emitting diode as an electro-optical element.
  • Inorganic EL displays, and QLED displays equipped with QLEDs (Quantum dot emitting Light emitting diodes) as electro-optical elements are exemplified.
  • a display device in which a TFT layer including a plurality of inorganic insulating films, a light emitting element layer, and a sealing layer are provided on the upper side of the support material, wherein at least one of the plurality of inorganic insulating films
  • a display device in which a slit pattern penetrating the substrate is formed outside the display region in plan view and inside the edge of the support member.
  • Aspect 2 The display device according to Aspect 1, for example, wherein the slit pattern penetrates all of the plurality of inorganic insulating films.
  • Aspect 3 The display device according to Aspect 1 or 2, for example, including a barrier layer below the TFT layer, wherein the slit pattern penetrates the barrier layer.
  • the sealing layer includes an inorganic sealing film, and the edge of the inorganic sealing film is formed outside the display region and inside the slit pattern in a plan view.
  • the display device according to any one of the above.
  • Aspect 5 The display device according to any one of Aspects 1 to 4, for example, wherein an end face of the display device passes through the slit pattern.
  • Aspect 6 The display device according to any one of aspects 1 to 4, for example, wherein the one or more inorganic insulating films penetrated by the slit pattern are present between the slit pattern and an end face of the display device. .
  • Aspect 7 The display device according to Aspect 3, for example, including a resin layer below the barrier layer, wherein the slit pattern reaches the upper surface of the resin layer and does not penetrate the resin layer.
  • Aspect 8 The display device according to Aspect 6, for example, wherein a semiconductor film or a conductive film is provided so as to overlap the slit pattern.
  • Aspect 9 The display device according to any one of Aspects 1 to 8, for example, wherein the slit pattern is filled with an organic insulating film.
  • Aspect 10 The display device according to Aspect 9, for example, wherein at least a part of the organic insulating film is made of the same material as the bank covering the edge of the lower electrode of the light emitting element layer.
  • Aspect 11 The display device according to Aspect 9, for example, wherein at least a part of the organic insulating film is made of the same material as the planarization film that is a base of the light emitting element layer.
  • Aspect 12 The display device according to any one of aspects 1 to 11, for example, wherein the support material is a bottom film or a resin substrate.
  • Aspect 13 The display device according to any one of aspects 1 to 12, for example, wherein the slit pattern includes one or more groove-shaped slits or a plurality of island-shaped slits.
  • Aspect 14 The display device according to Aspect 13, for example, wherein the plurality of island-shaped slits are filled with an organic insulating film.
  • Aspect 15 The display device according to Aspect 14, for example, wherein one of the plurality of island-shaped slits and another one are filled with different island-shaped organic insulating films.
  • a display device comprising a TFT layer, a light emitting element layer, and a sealing layer, wherein a terminal, a terminal wiring connected to the terminal, and at least a part of the terminal wiring are covered in a non-display area
  • a display device provided with a laser light absorption film.
  • Aspect 17 The display device according to Aspect 16, for example, wherein at least a part of the laser light absorbing film is formed of the same material as the planarizing film that is a base of the light emitting element layer.
  • Aspect 18 The display device according to Aspect 16 or 17, for example, wherein at least a part of the laser light absorbing film is formed of the same material as the bank covering the edge of the lower electrode of the light emitting element layer.
  • Aspect 19 The display device according to any one of Aspects 16 to 18, for example, in which the laser light absorption film overlaps with the inorganic insulating film above the terminal wiring included in the TFT layer.
  • Aspect 20 The display device according to any one of Aspects 16 to 19, for example, wherein the laser light absorbing film overlaps with the inorganic sealing film included in the sealing layer.
  • Aspect 21 The display device according to any one of Aspects 16 to 20, for example, in which a laser ablation mark is formed on the upper surface of the laser light absorbing film.
  • Aspect 22 including a step of forming a TFT layer including a plurality of inorganic insulating films, a light emitting element layer, and a sealing layer above the mother substrate, and applying a protective material above the sealing layer
  • Aspect 23 The method for manufacturing a display device according to Aspect 22, for example, wherein the slit pattern penetrates all of the plurality of inorganic insulating films.
  • Aspect 24 The method for producing a display device according to Aspect 22 or 23, for example, in which a barrier layer is formed below the TFT layer, and the slit pattern penetrates the barrier layer.
  • Aspect 25 The display device manufacturing method according to Aspect 22 or 23, for example, in which the slit pattern is formed simultaneously with the contact hole of the TFT layer.
  • the sealing layer includes an inorganic sealing film, and the edge of the inorganic sealing film is formed outside the display region and inside the slit pattern in a plan view. For example, any one of the aspects 22 to 25 2.
  • Aspect 27 The display device manufacturing method according to Aspect 26, for example, in which the inorganic sealing film is formed by a CVD method using a mask.
  • Aspect 28 The display device manufacturing method according to Aspect 22, for example, in which the protective material is cut at a plane including a cut line located between the terminal portion and the display area in a plan view before the laminate is divided.
  • Aspect 29 The method for manufacturing a display device according to Aspect 28, for example, wherein the cut line and the terminal wiring of the TFT layer intersect in a plan view.
  • Aspect 30 The display device manufacturing method according to Aspect 29, for example, in which a laser light absorption film overlapping the cut line is formed above the terminal wiring.
  • Aspect 31 The display device manufacturing method according to Aspect 30, for example, wherein at least part of the laser light absorbing film is formed simultaneously with a planarizing film that is a base of the light emitting element layer.
  • Aspect 32 The display device manufacturing method according to Aspect 30, for example, wherein at least a part of the laser light absorbing film is formed simultaneously with a bank covering an edge of the lower electrode of the light emitting element layer.
  • Aspect 33 The display device manufacturing method according to any one of aspects 28 to 32, for example, in which the protective material is cut by irradiating the cut line with a first laser.
  • Aspect 34 The display device manufacturing method according to Aspect 33, for example, in which the laminate is cut from the upper surface to the middle by irradiation of the first laser to the dividing line.
  • Aspect 35 The display device manufacturing method according to Aspect 34, for example, in which the laminated body is cut from the midway to the lower surface by irradiation of the dividing line with a second laser.
  • Aspect 36 performing a step of forming a TFT layer including a plurality of inorganic insulating films, a light emitting element layer, and a sealing layer on the upper side of the mother substrate, and applying a protective material on the upper side of the sealing layer ,
  • a display device manufacturing apparatus for separating the laminate obtained in the step from the mother substrate and attaching the support material to the lower surface thereof, and then cutting the display device in a plane including a parting line,
  • Aspect 37 performing a step of forming a TFT layer including a plurality of inorganic insulating films, a light emitting element layer, and a sealing layer on the upper side of the mother substrate, and applying a protective material on the upper side of the sealing layer
  • the laminated body obtained in the step is included in a display device manufacturing apparatus that separates the laminate from the mother substrate and affixes a support material to the lower surface thereof, and then divides it on a surface including a parting line, and takes part of the step
  • a slit pattern penetrating at least one of the plurality of inorganic insulating films is formed on the dividing line in a plan view, or on the outside of the display region and the inside of the dividing line in a plan view.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

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Abstract

支持材（１０）と、複数の無機絶縁膜（１６・１８・２０）を含むＴＦＴ層（４）と、発光素子層（５）と、封止層（６）とを備える表示デバイス（２）であって、複数の無機絶縁膜（１６・１８・２０）を貫通するスリットパターン（ＳＰ）が、平面視における表示領域（ＤＡ）の外側かつ支持材のエッジ（１０ｅ）の内側に形成されている。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置
　本発明は表示デバイスに関する。
　ＥＬ素子を含む表示デバイスを製造する場合、マザー基材上に形成された、ＴＦＴ層、発光素子層、封止層等からなる積層体を分断し、複数の表示デバイス（個片）を得る。
特開２０１５－１９４６４２号公報（２０１５年１１月５日公開）
　分断箇所に生じたクラック等に起因して表示デバイスの性能が低下するおそれがある。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、支持材の上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とが設けられている表示デバイスであって、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンが、平面視における表示領域の外側かつ前記支持材のエッジの内側に形成されている。
　本発明の一態様によれば、表示デバイスの性能を担保することができる。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 （ａ）は、本実施形態の表示デバイスの形成途中の構成例（表示領域）を示す断面図である。 実施形態１の表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 実施形態１の表示デバイスの製造方法（分断線、カット線等）を示す平面図である。 図４のＸ領域を示す断面図（ａ）およびＹ領域を示す断面図（ｂ）である。 実施形態１の表示デバイスの製造方法（レーザ光照射位置）を示す断面図である。 本実施形態１の表示デバイスの構成例を示す断面図である。 本実施形態の表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。 実施形態１にかかる表示デバイスの製造方法（分断線、カット線）の変形例を示す断面図である。 実施形態２の表示デバイスの製造方法（分断線、カット線等）を示す平面図である。 図１０のＸ領域を示す断面図（ａ）およびＹ領域を示す断面図（ｂ）である。 実施形態２の表示デバイスの製造方法（レーザ光照射位置）を示す断面図である。 本実施形態２の表示デバイスの構成例を示す断面図である。 実施形態２のメリットを示す断面図である。 実施形態２にかかる表示デバイスの製造方法（分断線、カット線）の変形例を示す断面図である。 実施形態２にかかる表示デバイスの製造方法（分断線、カット線）のさらなる変形例およびこれにより得られる表示デバイスを示す断面図である。 実施形態３にかかる表示デバイスの構成を示す平面図である。 実施形態４にかかる表示デバイスの製造方法およびこれにより得られる表示デバイスの構成を示す断面図である。 実施形態４にかかる他の表示デバイスの製造方法およびこれにより得られる表示デバイスの構成を示す断面図である。
　図１は表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）は、本実施形態の表示デバイスの形成途中の構成例（表示領域）を示す断面図である。
　フレキシブルな表示デバイスを製造する場合、図１～図２に示すように、まず、透光性のマザー基板（例えば、ガラス基板）５０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、無機バリア膜３を形成する（ステップＳ２）。次いで、複数の無機絶縁膜１６・１８・２０を含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、無機封止膜２６・２８および有機封止膜２７を含む封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に接着層８を介して保護材９（例えば、ＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、マザー基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ７）。ここでは、マザー基板５０の下面に照射され、マザー基板５０を透過したレーザ光を樹脂層１２が吸収することで、樹脂層１２の下面（マザー基板５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびマザー基板５０間の結合力が低下する。次いで、マザー基板５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。次いで、図２（ｂ）に示すように、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して支持材１０（下面フィルム、例えばＰＥＴフィルム）を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、支持材１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６および保護材９を含む積層体を分断するとともに保護材９をカットし、複数の表示デバイスを切り出す（ステップＳ１０）。次いで、ＴＦＴ層４の端子部上の保護材９を剥離し、端子出しを行う（ステップＳ１１）。これにより、図２（ｂ）に示す表示デバイス２を得る。その後、機能フィルム３９を貼り付け（ステップＳ１２）、ＡＣＦ等を用いて端子部に電子回路基板を実装する（ステップＳ１３）。なお、前記各ステップは表示デバイスの製造装置が行う。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。支持材（下面フィルム）１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。無機バリア層３の厚さは、例えば、５０ｎｍ～１５００ｎｍである。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上側に形成される無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート絶縁膜１６よりも上側に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上側に形成される無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上側に形成される容量配線Ｃと、容量配線Ｃよりも上側に形成される無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上側に形成される、ソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄと、ソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄよりも上側に形成される平坦化膜２１とを含む。
　半導体膜１５、無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）、およびゲート電極Ｇを含むように薄層トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。ＴＦＴ層４の端部（非表示領域ＮＡ）には、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板との接続に用いられる端子と、これに接続される端子配線とが形成される。端子配線はＴＦＴ層４の各種配線と電気的に接続される。端子および端子配線は、例えば無機絶縁膜１８上あるいは無機絶縁膜２０上に形成される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース配線Ｓ、ドレイン配線Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　無機絶縁膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上側に形成されるアノード電極２２と、表示領域ＤＡ（発光素子層と重なる領域）のサブピクセルを規定するバンク２３ｂと、アノード電極２２よりも上側に形成されるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上側に形成されるカソード電極２５とを含み、アノード電極２２、ＥＬ層２４、およびカソード電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード）が構成される。
　非表示領域ＮＡ（発光素子層と重ならない領域）には、有機封止膜２７のエッジを規定する凸体２３ｃおよび凸体２３ｄが形成される。凸体２３ｃは、例えば無機絶縁膜２０上に形成され、有機封止膜２７をインクジェット塗付する際の液止めとして機能する。凸体２３ｄは、予備の液止めと
して機能する。バンク２３ｂ並びに凸体２３ｃおよび凸体２３ｄは、ポリイミド、エポキシ、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を用いて、例えば同一工程で形成することができる。
　ＥＬ層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、隔壁２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。
　アノード電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する（後に詳述）。カソード電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード電極２５が透光性であり、アノード電極２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　封止層６は透光性であり、カソード電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。
　第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　なお、保護材９は、接着剤８を介して封止層６上に貼り付けられ、マザー基板５０の剥離時には支持材としても機能する。保護材９の材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が挙げられる。
　支持材１０は、マザー基板５０を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた表示デバイスを製造するためのものであり、その材料としては、ＰＥＴ等が挙げられる。
　機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。電子回路基板は、例えば、複数の端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板である。
　以上、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合について説明したが、非フレキシブルな表示デバイスを製造する場合は、基板の付け替え等が不要であるため、例えば、図１のステップＳ６からステップＳ１０に移行する。
　〔実施形態１〕
　図３は、実施形態１の表示デバイスの製造方法を示すフローチャートである。図４は、実施形態１の表示デバイスの製造方法（分断線、カット線等）を示す平面図である。図５は、図４のＸ領域を示す断面図（ａ）およびＹ領域を示す断面図（ｂ）である。図６は、実施形態１の表示デバイスの製造方法（レーザ光照射位置）を示す断面図である。図７は、本実施形態１の表示デバイスの構成例を示す断面図である。
　図３～図５に示すように、実施形態１では、まず、無機バリア膜３を成膜する（ステップＳ２）、次いで、ＴＦＴ層４の複数の無機絶縁膜１６・１８・２０を成膜する（ステップＳ３ａ）。次いで、ＴＦＴ層４の非表示領域に、端子ＴＭと、端子ＴＭに接続する端子配線ＴＷ（端子ＴＭよりも表示領域ＤＡ側に位置する）とを形成する（ステップＳ３ｂ）。端子ＴＭおよび端子配線ＴＷは、無機絶縁膜１８および無機絶縁膜２０の間の層に形成され、端子ＴＭの端面は無機絶縁膜２０で覆われている。
　次いで、図２および図４～図５に示すように、例えば、フォトリソグラフィによって、無機バリア膜３および無機絶縁膜１６・１８・２０について、分断線ＤＬと重なる部分を貫く（ステップＳ３ｃ）。これより、無機絶縁膜１６・１８・２０および無機バリア膜３を貫通する溝状のスリットパターンＳＰが、表示領域ＤＡを取り囲むように形成される。平面視においては、分断線ＤＬ上にスリットパターンＳＰが形成される。
　次いで、発光素子層５の下地となる平坦化膜２１を形成する（ステップＳ３ｄ）。この工程では、非表示領域ＮＡのレーザ光吸収膜ＡＳのベース部分を平坦化膜２１で形成する。
　次いで、発光素子層５のバンク（画素隔壁）２３ｂを形成する（ステップＳ４ａ）。この工程では、非表示領域ＮＡのレーザ光吸収膜ＡＳの上側部分２３ｆを形成する。
　すなわち、有機絶縁膜２３ｅおよびレーザ光吸収膜ＡＳの上側部分２３ｆを、バンク２３ｂと同層にかつ同材料で形成する。
　次いで、蒸着によりＥＬ層２４を形成する（ステップＳ４ｂ）。次いで、封止層６（無機封止膜２６・２８および有機封止膜２７）を形成する（ステップＳ５）。ここでは、マスク越しにＣＶＤを行うことで無機封止膜２６・２８をパターン形成する。すなわち、無機封止膜２６・２８のエッジを、表示領域ＤＡの外側かつスリットパターンＳＰの内側に形成する。
　次いで、図２および図４～図５に示すように、無機封止膜２８上に接着剤８を介して保護材９を貼り付ける（ステップＳ６）。次いで、マザー基板５０を剥離する（ステップＳ８）。次いで、下面に接着剤１１を介して支持材１０を貼り付ける（ステップＳ９）。
　次いで、図６に示すように、レーザ照射による分断（個片化＋保護材の一部カット）を行う（ステップＳ１０）。積層体７（支持材１０、樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５、封止層６よび保護材９を含む）の分断および保護材９のカットにはレーザ照射装置（図示しない）を用いる。ここでは、図４～図６に示すように、積層体７の分断の前に、カット線ＣＬを含む面ＣＦで保護材９をカットする。ここで、カット線ＣＬとは保護材９のみをカット（端子出しのための局所カット）するためのラインであり、分断線ＤＬは積層体７を分断するためのラインである。
　平面視においては、カット線ＣＬと端子配線ＴＷとが交差しており、ステップＳ３ｄおよびステップＳ４ａによって形成されるレーザ光吸収膜ＡＳは、端子配線ＴＷのカット線ＣＬとの重なり部分を、無機絶縁膜２０を介して覆う。なお、レーザ光吸収膜ＡＳの上面に形成される無機封止膜２６・２８もカット線ＣＬと重なる。
　なお、レーザ光吸収膜ＡＳは、レーザー光を全透過せずに少しでも吸収し得るものであれば特に限定はされない。例えば、透過性樹脂材に塗料や顔料等の着色材を混入したものを用いることもできる（顔料を混入することで樹脂材の光吸収性が高くなる）。
　図６では、まず、カット線ＣＬ上および分断線ＤＬ上への第１レーザＬｘの照射によって、保護材９および接着剤８をカットするとともに、積層体７を上面から中途までカットする。そして、第２レーザＬｙの分断線ＤＬ上への照射によって積層体７を中途から下面（支持材１０の裏面）までカットし、表示デバイスの個片を切り出す。第１レーザＬｘには、例えば二酸化炭素レーザを用いることができ、第２レーザＬｙには、例えばＵＶレーザを用いることができる。
　さらに、図３のステップＳ１１で端子出しを行う。ここでは、カットした保護材９の一部（端子部４４上の部分）をピン等で引っ掛けて持ち上げ、剥離する。これにより、図７の表示デバイス２を得ることができる。
　なお、図８に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、レーザ照射装置を含む切断装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、コントローラ７２の制御を受けた成膜装置７６が図３のステップＳ３ｃ～ステップＳ４ａおよびステップＳ５を行う。
　実施形態１は、分断面（すなわち、レーザ光）が、無機封止膜２６・２８並びに無機絶縁膜１６・１８・２０および無機バリア膜３が貫かれて（除去されて）形成されたスリットパターンを通るため、レーザ光による積層体７の分断が容易になる。よって、分断時に固い無機膜にクラック等が生じ、これが個片化後の表示デバイスのＴＦＴ層４あるいは封止層６の機能に悪影響を及ぼすおそれが低減する。
　また、カット線ＣＬ下には、レーザ光吸収膜ＡＳを介して端子配線ＴＷが配されているるため、仮に第１レーザＬｘの強度が大き過ぎたとしても、そのエネルギーがレーザ光吸収膜ＡＳによって吸収され、端子配線ＴＷがレーザ光の影響を受ける（例えば、断線する）といったおそれを低減することができる。よって、図７の表示デバイス２では、レーザ光吸収膜ＡＳの上面にレーザアブレーション痕が形成されうる。
　さらに実施形態１では、カット線ＣＬと端子配線ＴＷとの間に、無機封止膜２６・２８、レーザ光吸収膜ＡＳ、および無機絶縁膜２０が配置されているため、端子配線ＴＷがレーザ光の影響を受ける事態を回避することができる。
　図７の表示デバイス２では、無機絶縁膜１６・１８・２０およびバリア層３を貫通するスリットパターンＳＰが、平面視における表示領域ＤＡの外側かつ支持材１０のエッジ１０ｅの内側に形成されている。また、平面視においては、無機封止膜２６・２８のエッジが表示領域ＤＡの外側かつスリットパターンＳＰの内側に形成されている。
　また、表示デバイス２の端面２ｅがスリットパターンＳＰを通り、スリットパターンＳＰが有機絶縁膜２３ｅで埋められている。有機絶縁膜２３ｅは発光素子層５の陽極２２のエッジを覆うバンク２３ｂと同一材料で構成されている。なお、有機絶縁膜２３ｅを平坦化膜で構成してもよい。
　図９は、実施形態１にかかる表示デバイスの製造方法（分断線、カット線）の変形例を示す断面図である。図９に示すように、無機絶縁膜１６・１８・２０について分断線ＤＬと重なる部分を貫くが、無機バリア膜３は貫かないことも可能である。この場合は、無機絶縁膜１６・１８・２０について、分断線ＤＬと重なる部分を、表示領域ＤＡのコンタクトホール（図２参照）を形成するプロセスで貫くことができる。
　また、図９（ａ）のように、レーザ光吸収膜ＡＳを平坦化膜のみで形成し、カット線ＣＬと端子配線ＴＷとの間に、レーザ光吸収膜ＡＳおよび（ＴＦＴ層４の）無機絶縁膜２０が配置される（無機封止膜２６・２８は配置されない）構成とすることもできる。
　〔実施形態２〕
　図１０は、実施形態２の表示デバイスの製造方法（分断線、カット線等）を示す平面図である。図１１は、図１０のＸ領域を示す断面図（ａ）およびＹ領域を示す断面図（ｂ）である。図１２は、実施形態２の表示デバイスの製造方法（レーザ光照射位置）を示す断面図である。図１３は、本実施形態２の表示デバイスの構成例を示す断面図である。
　実施形態１では、図３のステップＳ３ｃで形成されたスリットパターンＳＰ（平面視で矩形）を分断ラインに整合させている（すなわち、スリットパターンＳＰを通る面で積層体７の分断を行っている）が、これに限定されない。
　図１０・図１１に示すように、平面視において、スリットパターンＳＰの外側に分断ラインＤＬを設定することもできる。積層体７の分断および保護材の９のカットについては実施形態１と同様に行うが、図１２の第２レーザＬｚについては、図６の第２レーザＬｙよりも大きなエネルギーをもたせる。こうすれば、図１３に示す表示デバイス２を得ることができる。
　図１３の表示デバイス２では、無機絶縁膜１６・１８・２０およびバリア層３を貫通するスリットパターンＳＰが、平面視における表示領域ＤＡの外側かつ支持材１０のエッジ１０ｅの内側に形成されている。また、平面視においては、無機封止膜２６・２８のエッジが表示領域ＤＡの外側かつスリットパターンＳＰの内側に形成されている。スリットパターンＳＰは、表示領域ＤＡを取り囲む溝状に形成されている。
　また、表示デバイスの端面２ｅがスリットパターンＳＰの外側を通る。すなわち、スリットパターンＳＰで貫かれている無機絶縁膜１６・１８・２０およびバリア層３が、スリットパターンＳＰと表示デバイスの端面２ｅとの間に存在し、スリットパターンＳＰが有機絶縁膜２３ｅで埋められている。有機絶縁膜２３ｅは発光素子層５の陽極２２のエッジを覆うバンク２３ｂと同一材料で構成されている。なお、有機絶縁膜２３ｅを平坦化膜で構成してもよい。なお、端子配線ＴＷ上の膜構成は実施形態１の表示デバイス（図７）と同様である。
　実施形態２では、分断面の内側（表示領域側）に沿うように、無機封止膜２６・２８並びに無機絶縁膜１６・１８・２０および無機バリア膜３を貫通するスリットパターンＳＰが形成されているため、図１４のように積層体分断時に固い無機絶縁膜等にクラック等が生じてもスリットパターンＳＰによってトラップされるため、個片化後の表示デバイスのＴＦＴ層４あるいは封止層６の機能に悪影響がでるおそれが低減する。
　図１５は、実施形態１にかかる表示デバイスの製造方法（分断線、カット線）の変形例を示す断面図である。図１５に示すように、無機絶縁膜１６・１８・２０について分断線ＤＬと重なる部分を貫くが、無機バリア膜３は貫かないことも可能である。この場合は、無機絶縁膜１６・１８・２０について、分断線ＤＬと重なる部分を、表示領域ＤＡのコンタクトホール（図２参照）を形成するプロセスで貫くことができる。
　また、図１５（ａ）のように、レーザ光吸収膜ＡＳを平坦化膜のみで形成し、カット線ＣＬと端子配線ＴＷとの間に、レーザ光吸収膜ＡＳおよび（ＴＦＴ層４の）無機絶縁膜２０が配置される（無機封止膜２６・２８は配置されない）構成とすることもできる。
　図１６は、実施形態２にかかる表示デバイスの製造方法（分断線、カット線）のさらなる変形例およびこれにより得られる表示デバイスを示す断面図である。図１６に示すように、ＴＦＴ層４の非表示領域に、スリットパターンＳＰと重なる半導体膜１５を形成し、エッチングストッパとして機能させることもできる。この場合、半導体膜１５は表示領域のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と同じプロセスで形成することができる。
　なお、表示領域のＴＦＴをボトムゲート構造とするような場合（例えば、ＴＦＴのチャネルに酸化物半導体を用いる場合）には、スリットパターンＳＰと重なる導電膜を（例えばゲート電極と同じプロセスで）形成し、これをエッチングストッパとして機能させることもできる。
　〔実施形態３〕
　実施形態２（図１０等参照）のスリットパターンＳＰは、ひとつながりの溝状スリットにで構成されるがこれに限定されない。図１７は、実施形態３にかかる表示デバイスの構成を示す平面図である。図１７に示すように、スリットパターンＳＰを、複数の島状スリットＳＬで構成することもできる。この場合、複数の島状スリットＳＬを千鳥配置し、平面視における分断ラインＤＬと表示領域ＤＡとの間、および分断ラインＤＬと端子部４４との間に、島状スリットＳＬが存在する構成が望ましい。
　なお、図１７（ｂ）のように、複数の島状スリットＳＬに対してこれらを埋める有機絶縁膜２３ｅを設けてもよいし、図１７（ｃ）のように、島状スリットＳＬにごとにこれを埋める有機絶縁膜２３ｅを設けてもよい。
　〔実施形態４〕
　図１８（ａ）は実施形態４にかかる表示デバイスの製造方法を示す断面図であり、図１８（ｂ）は、（ａ）で得られる表示デバイスの構成を示す断面図である。図１９（ａ）は実施形態４にかかる他の表示デバイスの製造方法を示す断面図であり、図１９（ｂ）は、（ａ）で得られる表示デバイスの構成を示す断面図である。
　図１８（ａ）では、、無機絶縁膜１６・１８・２０、無機バリア膜３および樹脂層１２を貫通する溝状のスリットパターンＳＰを、表示領域ＤＡを取り囲むように形成する。平面視においては、分断線ＤＬ上にスリットパターンＳＰが形成され、カット線ＣＬと端子配線ＴＷとが交差する。非表示領域ＮＡのレーザ光吸収膜ＡＳは、端子配線ＴＷのカット線ＣＬとの重なり部分を覆っている。
　図１８（ｂ）では、無機絶縁膜１６・１８・２０、バリア層３および樹脂層１２を貫通するスリットパターンＳＰが、平面視における表示領域ＤＡの外側かつ支持材１０のエッジ１０ｅの内側に形成されている。また、平面視においては、無機封止膜２６・２８のエッジが表示領域ＤＡの外側かつスリットパターンＳＰの内側に形成されている。
　また、表示デバイス２の端面２ｅがスリットパターンＳＰを通り、スリットパターンＳＰが有機絶縁膜２３ｅで埋められている。有機絶縁膜２３ｅは発光素子層５の陽極２２のエッジを覆うバンク２３ｂと同一材料で構成されている。なお、有機絶縁膜２３ｅを平坦化膜で構成してもよい。
　図１８（ｂ）に示すように、表示デバイス２は、非表示領域ＮＡに、端子ＴＭと、一端が端子ＴＭに繋る端子配線ＴＷとを含む。端子ＴＭおよび端子配線ＴＷは、ソース配線Ｓ等と同一工程で形成されるため、ソース配線Ｓ等と同層に（無機絶縁膜２０上に）かつ同一材料で形成される。
　端子ＴＭの端面は被膜２１ｈで覆われ、端子配線ＴＷの他端（端子ＴＭに繋がる一端の反対側）はレーザ光吸収膜ＡＳで覆れている。被膜２１ｈおよびレーザ光吸収膜ＡＳは、平坦化膜２１と同一工程で形成されるため、平坦化膜２１と同層にかつ同一材料で形成される。
　端子配線ＴＷは、レーザ光吸収膜ＡＳと重なるコンタクトホールＨｆを介して、中継配線ＬＷに接続されている。コンタクトホールＨｆは無機絶縁膜２０を貫通し、中継配線ＬＷは容量配線Ｃと同層に（すなわち、無機絶縁膜１８上に）形成される。中継配線ＬＷは、コンタクトホールＨｆよりも表示領域ＤＡ側に形成されたコンタクトホールＨｚを介して、ＴＦＴ層４の表示領域ＤＡから引き出された引き出し配線ＤＷに接続されている。コンタクトホールＨｚは無機絶縁膜２０を貫通し、引き出し配線ＬＷはソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄと同層に（すなわち、無機絶縁膜２０上に）形成される。
　非表示領域ＮＡには有機材料で構成された凸体Ｔｚが設けられ、凸体Ｔｚは、引き出し配線ＤＷの一端を覆っている。コンタクトホールＨｚは、凸体Ｔｚと重なるように形成される。凸体Ｔｚの下部は、平坦化膜２１と同一工程で形成されるため、平坦化膜２１と同層にかつ同一材料で形成される。凸体Ｔｚの上部は、発光素子層５の陽極２２のエッジを覆うバンク２３ｂと同一工程で形成されるため、バンク２３ｂと同層にかつ同一材料で形成される。
　端子ＴＭおよび端子配線ＴＷを多層構造（例えば、Ａｌを２層のＴｉでサンドした構造）とした場合、配線の延伸方向に水分が走り易くなるが、図１８の構成によれば、下層の中継配線ＬＷに切り替えることで水分の浸透を抑制することが可能となる。また、端子配線ＴＷの他端（端子ＴＭに繋がる一端の反対側）をレーザ光吸収膜ＡＳで覆い、引き出し配線ＤＷの一端（非表示領域ＮＡ側）を凸体Ｔｚで覆うことで水分の浸透をさらに抑制することができる。
　図１８では、スリットパターンＳＰを、平面視における分断線ＤＬ上に形成しているがこれに限定されない。図１９（ａ）のように、スリットパターンＳＰを、平面視における表示領域の外側かつ前記分断線の内側に形成してもよい。図１９（ｂ）の表示デバイス２では、無機絶縁膜１６・１８・２０、バリア層３および樹脂層１２を貫通するスリットパターンＳＰが、平面視における表示領域ＤＡの外側かつ支持材１０のエッジ１０ｅの内側に形成されている。
　また、表示デバイスの端面２ｅがスリットパターンＳＰの外側を通る。すなわち、スリットパターンＳＰで貫かれている無機絶縁膜１６・１８・２０、バリア層３および樹脂層１２が、スリットパターンＳＰと表示デバイスの端面２ｅとの間に存在し、スリットパターンＳＰが有機絶縁膜２３ｅで埋められている。　
　前記実施形態の表示デバイス２では、支持材１０が例えば下面フィルム（下側のフィルム）である場合を説明しているがこれに限定されず、支持材１０がポリイミド基板等の樹脂基板でもよい（この場合の樹脂層１２については、除いてもよいし、必要に応じて設けてもよい）。
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　〔まとめ〕
　態様１：支持材の上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とが設けられている表示デバイスであって、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンが、平面視における表示領域の外側かつ前記支持材のエッジの内側に形成されている表示デバイス。
　態様２：前記スリットパターンは前記複数の無機絶縁膜のすべてを貫通する例えば態様１記載の表示デバイス。
　態様３：前記ＴＦＴ層よりも下側にバリア層を含み、前記スリットパターンは前記バリア層を貫通する例えば態様１または２記載の表示デバイス。
　態様４：前記封止層に無機封止膜が含まれ、平面視において、前記無機封止膜のエッジが、前記表示領域の外側かつスリットパターンの内側に形成されている例えば態様１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様５：前記表示デバイスの端面が前記スリットパターンを通る例えば態様１～４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様６：前記スリットパターンで貫かれている１以上の前記無機絶縁膜が、前記スリットパターンと前記表示デバイスの端面との間に存在する例えば態様１～４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様７：前記バリア層よりも下側に樹脂層を含み、前記スリットパターンは前記樹脂層の上面にまで達し、前記樹脂層を貫通しない例えば態様３に記載の表示デバイス。
　態様８：前記スリットパターンと重なるように半導体膜あるいは導電膜が設けられている例えば態様６に記載の表示デバイス。
　態様９：　前記スリットパターンが有機絶縁膜で埋められている例えば態様１～８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様１０：前記有機絶縁膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下側電極のエッジを覆うバンクと同一材料で構成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
　態様１１：前記有機絶縁膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下地である平坦化膜と同一材料で構成されている例えば態様９記載の表示デバイス。
　態様１２：前記支持材は、下面フィルムあるいは樹脂基板である例えば態様１～１１のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様１３：前記スリットパターンは、１以上の溝状スリットあるいは複数の島状スリットで構成される例えば態様１～１２のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様１４：前記複数の島状スリットが有機絶縁膜で埋められている例えば態様１３に記載の表示デバイス。
　態様１５：前記複数の島状スリットの１つと別の１つとが、別々の島状の有機絶縁膜で埋められている例えば態様１４に記載の表示デバイス。
　態様１６：ＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを備える表示デバイスであって、非表示領域に、端子と、前記端子に接続する端子配線と、前記端子配線の少なくとも一部を覆うレーザ光吸収膜とが設けられている表示デバイス。
　態様１７：前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下地である平坦化膜と同一材料で形成されている例えば態様１６記載の表示デバイス。
　態様１８：前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下側電極のエッジを覆うバンクと同一材料で形成されている例えば態様１６または１７に記載の表示デバイス。
　態様１９：前記レーザ光吸収膜は、前記ＴＦＴ層に含まれる、端子配線よりも上層の無機絶縁膜と重なる例えば態様１６～１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様２０：前記レーザ光吸収膜は、前記封止層に含まれる無機封止膜と重なる例えば態様１６～１９のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様２１：前記レーザ光吸収膜の上面にレーザアブレーション痕が形成されている例えば態様１６～２０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様２２：マザー基板よりも上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを形成し、前記封止層よりも上側に保護材を貼付する工程を含み、前記工程で得られる積層体を、前記マザー基板から分離し、その下面に支持材を貼付した後に分断線を含む面で分断する表示デバイスの製造方法であって、前記工程では、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンを、平面視における前記分断線上、あるいは平面視における表示領域の外側かつ前記分断線の内側に形成する表示デバイスの製造方法。
　態様２３：前記スリットパターンは複数の無機絶縁膜のすべてを貫通する例えば態様２２記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２４：前記ＴＦＴ層よりも下側にバリア層を形成し、前記スリットパターンは前記バリア層を貫通する例えば態様２２または２３記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２５：前記スリットパターンを、前記ＴＦＴ層のコンタクトホールと同時形成する例えば態様２２または２３に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２６：前記封止層に無機封止膜が含まれ、平面視において、前記無機封止膜のエッジを、前記表示領域の外側かつスリットパターンの内側に形成する例えば態様２２～２５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２７：前記無機封止膜を、マスクを用いたＣＶＤ法によって形成する例えば態様２６に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２８：前記積層体の分断の前に、平面視において端子部および表示領域間に位置するカット線を含む面で前記保護材をカットする例えば態様２２に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２９：平面視において、前記カット線と、前記ＴＦＴ層の端子配線とが交差する例えば態様２８に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３０：上記端子配線よりも上側に、前記カット線と重なるレーザ光吸収膜を形成する例えば態様２９に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３１：前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下地である平坦化膜と同時に形成される例えば態様３０記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３２：前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下側電極のエッジを覆うバンクと同時に形成される例えば態様３０記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３３：前記カット線への第１レーザの照射によって前記保護材をカットする例えば態様２８～３２のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３４：前記第１レーザの前記分断線への照射によって前記積層体を上面から中途までカットする例えば態様３３記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３５：第２レーザの前記分断線への照射によって前記積層体を前記中途から下面までカットする例えば態様３４記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３６：マザー基板よりも上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを形成し、前記封止層よりも上側に保護材を貼付する工程を行い、前記工程で得られる積層体を、前記マザー基板から分離し、その下面に支持材を貼付した後に分断線を含む面で分断する表示デバイスの製造装置であって、前記工程では、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンを、平面視における前記分断線上、あるいは平面視における表示領域の外側かつ前記分断線の内側に形成する表示デバイスの製造装置。
　態様３７：マザー基板よりも上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを形成し、前記封止層よりも上側に保護材を貼付する工程を行い、前記工程で得られる積層体を、前記マザー基板から分離し、その下面に支持材を貼付した後に分断線を含む面で分断する表示デバイスの製造装置に含まれ、前記工程の一部を担う成膜装置であって、前記工程では、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンを、平面視における前記分断線上、あるいは平面視における表示領域の外側かつ前記分断線の内側に形成する成膜装置。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　　表示デバイス
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１０　支持材
　１２　樹脂層
　１６　無機絶縁膜
　１８　無機絶縁膜
　２０　無機絶縁膜
　２１　平坦化膜
　２４　ＥＬ層
　２６　第１無機封止膜
　２７　有機封止膜
　２８　第２無機封止膜
　５０　マザー基板
　７０　表示デバイス製造装置
　７６　成膜装置
　ＴＭ　端子
　ＮＡ　非表示領域
　ＤＡ　表示領域

Claims (37)

  1. 　支持材の上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とが設けられている表示デバイスであって、
    　前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンが、平面視における表示領域の外側かつ前記支持材のエッジの内側に形成されている表示デバイス。
  2. 　前記スリットパターンは前記複数の無機絶縁膜のすべてを貫通する請求項１記載の表示デバイス。
  3. 　前記ＴＦＴ層よりも下側にバリア層を含み、
    　前記スリットパターンは前記バリア層を貫通する請求項１または２記載の表示デバイス。
  4. 　前記封止層に無機封止膜が含まれ、
    　平面視において、前記無機封止膜のエッジが、前記表示領域の外側かつスリットパターンの内側に形成されている請求項１～３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  5. 　前記表示デバイスの端面が前記スリットパターンを通る請求項１～４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  6. 　前記表示デバイスの端面が前記スリットパターンの外側を通る請求項１～４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  7. 　前記バリア層よりも下側に樹脂層を含み、
    　前記スリットパターンは前記樹脂層の上面にまで達し、前記樹脂層を貫通しない請求項３に記載の表示デバイス。
  8. 　前記スリットパターンと重なるように半導体膜あるいは導電膜が設けられている請求項６に記載の表示デバイス。
  9. 　前記スリットパターンが有機絶縁膜で埋められている請求項１～８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  10. 　前記有機絶縁膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下側電極のエッジを覆うバンクと同一材料で構成されている請求項９に記載の表示デバイス。
  11. 　前記有機絶縁膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下地である平坦化膜と同一材料で構成されている請求項９記載の表示デバイス。
  12. 　前記支持材は、下面フィルムあるいは樹脂基板である請求項１～１１のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  13. 　前記スリットパターンは、１以上の溝状スリットあるいは複数の島状スリットで構成される請求項１～１２のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  14. 　前記複数の島状スリットが有機絶縁膜で埋められている請求項１３に記載の表示デバイス。
  15. 　前記複数の島状スリットの１つと別の１つとが、別々の島状の有機絶縁膜で埋められている請求項１４に記載の表示デバイス。
  16. 　ＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを備える表示デバイスであって、
    　非表示領域に、端子と、前記端子に接続する端子配線と、前記端子配線の少なくとも一部を覆うレーザ光吸収膜とが設けられている表示デバイス。
  17. 　前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下地である平坦化膜と同一材料で形成されている請求項１６記載の表示デバイス。
  18. 　前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下側電極のエッジを覆うバンクと同一材料で形成されている請求項１６または１７に記載の表示デバイス。
  19. 　前記レーザ光吸収膜は、前記ＴＦＴ層に含まれる、端子配線よりも上層の無機絶縁膜と重なる請求項１６～１８のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  20. 　前記レーザ光吸収膜は、前記封止層に含まれる無機封止膜と重なる請求項１６～１９のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  21. 　前記レーザ光吸収膜の上面にレーザアブレーション痕が形成されている請求項１６～２０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  22. 　マザー基板よりも上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを形成し、前記封止層よりも上側に保護材を貼付する工程を含み、前記工程で得られる積層体を、前記マザー基板から分離し、その下面に支持材を貼付した後に分断線を含む面で分断する表示デバイスの製造方法であって、
    　前記工程では、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンを、平面視における前記分断線上、あるいは平面視における表示領域の外側かつ前記分断線の内側に形成する表示デバイスの製造方法。
  23. 　前記スリットパターンは複数の無機絶縁膜のすべてを貫通する請求項２２記載の表示デバイスの製造方法。
  24. 　前記ＴＦＴ層よりも下側にバリア層を形成し、
    　前記スリットパターンは前記バリア層を貫通する請求項２２または２３記載の表示デバイスの製造方法。
  25. 　前記スリットパターンを、前記ＴＦＴ層のコンタクトホールと同時形成する請求項２２または２３に記載の表示デバイスの製造方法。
  26. 　前記封止層に無機封止膜が含まれ、
    　平面視において、前記無機封止膜のエッジを、前記表示領域の外側かつスリットパターンの内側に形成する請求項２２～２５のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  27. 　前記無機封止膜を、マスクを用いたＣＶＤ法によって形成する請求項２６に記載の表示デバイスの製造方法。
  28. 　前記積層体の分断の前に、平面視において端子部および表示領域間に位置するカット線を含む面で前記保護材をカットする請求項２２に記載の表示デバイスの製造方法。
  29. 　平面視において、前記カット線と、前記ＴＦＴ層の端子配線とが交差する請求項２８に記載の表示デバイスの製造方法。
  30. 　上記端子配線よりも上側に、前記カット線と重なるレーザ光吸収膜を形成する請求項２９に記載の表示デバイスの製造方法。
  31. 　前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下地である平坦化膜と同時に形成される請求項３０記載の表示デバイスの製造方法。
  32. 　前記レーザ光吸収膜の少なくとも一部は、前記発光素子層の下側電極のエッジを覆うバンクと同時に形成される請求項３０記載の表示デバイスの製造方法。
  33. 　前記カット線への第１レーザの照射によって前記保護材をカットする請求項２８～３２のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  34. 　前記第１レーザの前記分断線への照射によって前記積層体を上面から中途までカットする請求項３３記載の表示デバイスの製造方法。
  35. 　第２レーザの前記分断線への照射によって前記積層体を前記中途から下面までカットする請求項３４記載の表示デバイスの製造方法。
  36. 　マザー基板よりも上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを形成し、前記封止層よりも上側に保護材を貼付する工程を行い、前記工程で得られる積層体を、前記マザー基板から分離し、その下面に支持材を貼付した後に分断線を含む面で分断する表示デバイスの製造装置であって、
    　前記工程では、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンを、平面視における前記分断線上、あるいは平面視における表示領域の外側かつ前記分断線の内側に形成する表示デバイスの製造装置。
  37. 　マザー基板よりも上側に、複数の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層と、発光素子層と、封止層とを形成し、前記封止層よりも上側に保護材を貼付する工程を行い、前記工程で得られる積層体を、前記マザー基板から分離し、その下面に支持材を貼付した後に分断線を含む面で分断する表示デバイスの製造装置に含まれ、前記工程の一部を担う成膜装置であって、
    　前記工程では、前記複数の無機絶縁膜の少なくとも１つを貫通するスリットパターンを、平面視における前記分断線上、あるいは平面視における表示領域の外側かつ前記分断線の内側に形成する成膜装置。
     
     
     
     
    　
    　
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