CN201229954Y - 发光二极管支架结构 - Google Patents

Abstract

一种发光二极管支架结构，其是在各个导线架的固晶部的至少一侧形成埋置于胶座中的突起部，以增强胶座与导线架之间的结合度，并防止水气渗入至导线架的固晶部，借此以解决现有技术中导线架容易与胶座脱离，或是因导线架与胶座之间产生间隙而导致水气渗入至发光二极管支架结构内部的问题。如此一来，即可有效地提升发光二极管支架结构的制程良率，并延长配置于此发光二极管支架结构中的发光二极管的使用寿命。

Description

发光二极管支架结构

技术领域

本实用新型有关于一种发光二极管支架结构，且特别是有关于一种利用具有阶梯状突起部的导线架来增强导线架与胶座之间的结合度的发光二极管支架结构。

背景技术

近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求而制成极小或阵列式的元件，因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。

图1绘示为现有一种发光二极管支架结构的剖面示意图。请参照图1，发光二极管支架结构100包括胶座110、导线架120。其中，胶座110是包覆住导线架120，且胶座110的凹陷部112是暴露出导线架120的固晶部122。在后续制程中，发光二极管芯片(图未绘)即是配置于导线架120的固晶部122上，且发光二极管芯片在发光时所产生的热能是透过导线架120而散逸至外部。

然而，由于胶座110与导线架120的接触形式为单纯的平面接触，且导线架120与胶座110是由不同的材质所制成，因此往往会因为导线架120与胶座110的热涨冷缩程度不同，导致胶座110与导线架120之间产生间隙，使得外部水气渗入至导线架120的固晶部122内，造成发光二极管芯片的损坏。而且，胶座110亦容易与导线架120脱离，因而造成发光二极管支架结构制程不良率升高的问题。

现有解决上述问题的技术手段是透过增加胶座与导线架之间的接触面积来提高胶座与导线架之间的结合度，而使胶座不易与导线架脱离。以图2来说，发光二极管支架结构200是在导线架220的两侧冲压出凸缘224，以提升胶座110与导线架220之间的结合度，并借由凸缘224来抵挡水气从外部渗入至导线架220的固晶部222内。图3所绘示的发光二极管支架结构300则是将导线架320的固晶部322弯折成碗杯状，而与图2的导线架220具有相同的功用。

然而，在发光二极管支架结构200中，利用图2所示的凸缘224抵挡水气的实际效果并不佳，而使用图3所示的发光二极管支架结构300的碗杯状的固晶部322在制程上实有难以控制折弯尺寸精度的问题。

因此，目前仍亟需提出可有效提高胶座与导线架之间的结合度，并防止水气从胶座与导线架之间的接触面渗入至固晶部内的发光二极管支架结构。

实用新型内容

有鉴于现有技术存在无法有效提高胶座与导线架之间的结合度，并防止水气从胶座与导线架之间的接触面渗入至固晶部内的问题，本实用新型遂公开一种能够改善胶座与导线架之间的结合度，并防止水气渗入而影响发光二极管的发光效率的发光二极管支架结构。

本实用新型提供一种发光二极管支架结构，包括胶座及二导线架。其中，胶座具有凹陷部，而这些导线架是分别部分地埋置于胶座内，且各导线架分别具有固晶部、接脚部与多个突起部。这些突起部是埋置于胶座内，并连接至各固晶部的至少三侧边。另外，导线架的固晶部是暴露于胶座的凹陷部内而隔离于彼此，接脚部则是分别延伸出胶座的两侧。

本实用新型所公开的如上，与现有技术之间的差异在于本实用新型是在各个导线架的固晶部的三侧形成埋置于胶座中的突起部，以增强胶座与导线架之间的结合度，并防止水气渗入至导线架的固晶部。透过上述技术手段，本实用新型的发光二极管支架结构可以有效地提升发光二极管支架结构的制程良率，并延长配置于此发光二极管支架结构中的发光二极管的使用寿命。

附图说明

图1为现有一种发光二极管支架结构的剖面示意图。

图2为现有另一种发光二极管支架结构的剖面示意图。

图3为现有又一种发光二极管支架结构的剖面示意图。

图4A为本实用新型的发光二极管支架结构在实施例中的立体示意图。

图4B为本实用新型的发光二极管支架结构的导线架在实施例中的立体示意图。

图4C为本实用新型的发光二极管支架结构在图4A中沿I-I’线的剖面示意图。

【主要元件符号说明】

100     发光二极管支架结构

110     胶座

112     凹陷部

120     导线架

122     固晶部

200     发光二极管支架结构

220     导线架

222     固晶部

224     凸缘

300     发光二极管支架结构

320     导线架

322     固晶部

410     胶座

412     凹陷部

413     胶座底面

420a    导线架

420b    导线架

421a    固晶部顶面

421b    固晶部顶面

422a    固晶部

422b    固晶部

423a    固晶部底面

423b    固晶部底面

424a    接脚部

424b    接脚部

426a    突起部

426b    突起部

430     绝缘块

500     金属板

h1、h2  段差。

具体实施方式

以下将配合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，借此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

图4A绘示为本实用新型的发光二极管支架结构的立体示意图，图4B绘示为本实用新型的发光二极管支架结构的导线架在实施例中的立体示意图，图4C则绘示为本实用新型的发光二极管支架结构在图4A中沿I-I’线的剖面示意图。请同时参照图4A、图4B与图4C，发光二极管支架结构包括胶座410、导线架420a以及导线架420b。其中，胶座410具有凹陷部412，且胶座410的材质可以是聚邻苯二甲酰胺(polyphthalamide，PPA)，也可以是其它常用来作为发光二极管支架结构的胶座的热塑性树脂。而胶座410例如是以射出成型(insert molding)的方式来形成。

承上所述，由于胶座410的形成方法为射出成型，因此可将导线架420a与导线架420b分别部分地埋置于其内。其中，导线架420a与导线架420b分别具有暴露于胶座410的凹陷部412内并隔离于彼此的固晶部422a与固晶部422b、分别延伸出胶座410的两侧的接脚部424a与接脚部424b，以及多个埋置于胶座410内的突起部426a与多个突起部426b。在后续的发光二极管封装制程中，发光二极管芯片(未绘示)即是配置于导线架420a的固晶部422a或导线架420b的固晶部422b上，并电性连接于固晶部422a与固晶部422b。

在本实施例中，导线架420a与导线架420b的材质例如是铜、铁或其它导电性佳的金属或合金，且由于发光二极管芯片可以直接配置于金属材质的固晶部422a上，因此发光二极管芯片在作动时所产生的热能亦可借由导热性佳的固晶部422a散逸至发光二极管支架结构外，以避免内部所累积的热能对发光二极管芯片的发光效率造成不良的影响。

请继续参照图4A、图4B及图4C，配置于固晶部422a上的发光二极管芯片是借由接脚部424a与接脚部424b而与外部的电子装置(未绘示)电性连接。而且，在后续的发光二极管封装制程中，可将接脚部424a及接脚部424b朝向胶座410的底面413弯折180度，以缩小发光二极管封装结构的整体体积。

另外，这些突起部426a与突起部426b是分别连接至固晶部422a与固晶部422b的三侧边。详细来说，固晶部422a除了邻近固晶部422b的侧边之外，其余三侧边均连接有突起部426a。同样地，固晶部422b除了邻近固晶部422a的侧边之外，其余三侧边均连接有突起部426b。也就是说，这些突起部426a是分别连接至固晶部422a邻近接脚部424a的侧边，以及与邻近接脚部424a的侧边相邻的两侧边，因而围成「ㄇ」字形。另一方面，这些突起部426b则是分别连接至固晶部422b邻近接脚部424b的侧边，以及与邻近接脚部424b的侧边相邻的两侧边，因而同样在固晶部422b上围成「ㄇ」字形。

特别的是，这些突起部426a除了与固晶部422a的顶面421a有段差h1以外，其与固晶部422a的底面423a亦具有段差h2。同样地，突起部426b除了与固晶部422b的顶面421b之间有段差h1以外，其与固晶部422b的底面423b之间亦具有段差h2。而且，由于本实施例的胶座410是以埋入射出成型的方式所形成，因此胶座410于形成时便能够将段差h1及段差h2给填补，如图4C所示。

承上所述，在本实施例中，其例如是对导线架420a与导线架420b进行冲压打凹(downset)制程，以形成突起部426a与突起部426b，但本实用新型并未将突起部426a与突起部426b的形成方法限定于此。由此可知，段差h1可以等于段差h2。

值得一提的是，导线架420a与导线架420b的形成方法例如是先将其轮廓一体成型于金属板500上(如图4B所示)，后续再对金属板500多余部份予以切割(即图4B中虚线部份)。一般来说，通常是在发光二极管支架结构上完成发光二极管的封装制程后，才会执行金属板500的切割制程，但本实用新型并未对执行金属板500的切割制程的时间点做任何限制。

此外，由于本实用新型的胶座410是以射出成型的方式所形成，因此在胶座410的射出制程中，可以同时于导线架420a的固晶部422a与导线架420b的固晶部422b之间形成绝缘体430，以确保导线架420a与导线架420b彼此绝缘。其中，绝缘体430的材质即与胶座410相同。

以实例来说，本实用新型的发光二极管支架结构的制程步骤是先对导线架420a与导线架420b进行冲压形成段差(Down Set)，以于导线架420a的固晶部422a与导线架420b的固晶部422b的侧边分别形成突起部426a与突起部426b。接着，进行射出成型制程，以形成包覆住部分的导线架420a与部分的导线架420b的胶座410，并使突起部426a与突起部426b均埋置在胶座410中。其中，胶座410会填补突起部426a及突起部426b与导线架420a及导线架420b之间的段差h1与段差h2。

由图4C可知，突起部426a及突起部426b可用以增加导线架420a及导线架420b与胶座410之间的接触面积，并且使得导线架420a及导线架420b与胶座410之间接触面呈阶梯状，因而提升导线架420a及导线架420b与胶座410之间的结合度及可靠度。此外，导线架420a及导线架420b与胶座410之间的段差面亦可有效地防止水气渗入至固晶部422a与固晶部422b，以避免对后续配置于固晶部422a或固晶部422b的发光二极管芯片的发光效率造成不良的影响。

综上所述，本实用新型的发光二极管支架结构是在导线架的至少一侧边形成突起部，并且将这些突起部埋置于胶座中，使得胶座与导线架的接触面呈阶梯状，借此以解决现有发光二极管支架结构容易发生导线架与胶座脱离，或是因导线架与胶座之间产生间隙而导致水气渗入至发光二极管支架结构内部的问题。

因此，本实用新型可有效地增强发光二极管支架结构的导线架与胶座之间的结合度与可靠度，以避免胶座与导线架脱离或产生间隙，进而提升发光二极管支架结构的制程良率，并延长后续配置于此发光二极管支架结构中的发光二极管芯片的使用寿命。

虽然本实用新型所公开的实施方式如上，惟所述的内容并非用以直接限定本实用新型的专利保护范围。任何本实用新型所属技术领域中技术人员，在不脱离本实用新型所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作些许的更动。本实用新型的专利保护范围，仍须以所附的权利要求所界定者为准。

Claims (11)

1、一种发光二极管支架结构，其特征在于包括：

一胶座，具有一凹陷部；以及

二导线架，部分地埋置于该胶座内，各该导线架分别具有一固晶部、一接脚部以及多个突起部，其中该些突起部是埋置于该胶座内，并连接至各该固晶部的至少一侧边，而该些固晶部是暴露于该胶座的该凹陷部内并隔离于彼此，且该些接脚部是分别延伸出该胶座的两侧。

2、如权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于还包括一绝缘块，配置于该些固晶部之间。

3、如权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于各该导线架上的其中之一突起部，是连接于该固晶部相邻于该接脚部的侧边。

4、如权利要求3所述的发光二极管支架结构，其特征在于各该导线架上的其余该些突起部，是与该固晶部及该接脚部之间的该突起部相邻，而分别连接于该固晶部的两侧。

5、如权利要求2所述的发光二极管支架结构，其特征在于该绝缘块与该胶座的材质相同。

6、如权利要求2所述的发光二极管支架结构，其特征在于该绝缘块是于该胶座的制程中一并形成。

7、如权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该些突起部的顶面与该些固晶部的顶面之间具有一第一段差，且该些突起部的底面与该些固晶部的底面之间具有一第二段差。

8、如权利要求7所述的发光二极管支架结构，其特征在于该第一段差与该第二段差相等。

9、如权利要求8所述的发光二极管支架结构，其特征在于该胶座是包覆住该些突起部而填补该第一段差与该第二段差。

10、如权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该些突起部是该些导线架经冲压制程而形成。

11、如权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于各该导线架的该些突起部是分别连接至各该固晶部的三侧边。

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