CN203325966U - 发光二极管装置和导线架料片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及发光二极管装置和导线架料片。所述发光二极管装置包含导线架、胶体，以及发光二极管。所述导线架包含两个导体件，其中两个导体件为开槽所分隔。各导体件包含上表面和下表面，其中上表面与下表面是相对的。所述胶体填充所述开槽，并部分覆盖各导体件的上表面和下表面。发光二极管设置于一个导体件的上表面，并电性连接所述两个导体件。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管装置和导线架料片。
背景技术
图1显示现有发光二极管装置1。如图1所示，发光二极管装置1包含两个电极11。所述两个电极11分开一段间隔，绝缘胶12填充于间隔中，固定两个电极11。发光二极管13固定在一个电极11上，并电性连接两个电极11。反射杯14形成于两个电极11上，环绕发光二极管13，以向外反射发光二极管13的发光。反射杯14内填充了透明胶15，而透明胶15内可添加萤光材料。
通常，电极11不厚，使得绝缘胶12与电极11间的接合面积小，如此两个电极11无法牢固，受力后容易脱离。此外，如图1所示，电极11与绝缘胶12间的接合界面延伸至电极11的底面上，从而提供外界水气进入发光二极管装置1的通道。由于从电极11的底面至电极11的顶面间的接合界面的长度较短，容易让水气进入发光二极管装置1，而影响发光二极管装置1的性能。
实用新型内容
有鉴于前述问题，本实用新型揭示一种新的发光二极管装置和导线架料片。
本实用新型一实施例揭示一种发光二极管装置。所述发光二极管装置包含导线架、胶体，以及发光二极管。导线架包含两个导体件，其中所述两个导体件为开槽所分隔。各导体件包含上表面和下表面，其中上表面与下表面是相对的。胶体填充开槽，并部分覆盖各导体件的上表面和下表面。发光二极管设置于一个导体件的上表面，并电性连接所述两个导体件。
本实用新型一实施例揭示的导线架料片。导线架料片包含多个导线架。各导线架包含两个导体件和一胶体。两个导体件为开槽所分隔。各导体件包含上表面和下表面，其中上表面与下表面是相对的。胶体填充于各导线架的两个导体件间的开槽，并部分覆盖各导线架的各导体件的上表面和下表面。
本实用新型实施例揭示的发光二极管装置与导线架料片，其导线架与粘接导线架的胶体间具有较佳的粘接性或可进一步加长水气进入路径。
附图说明
图1显示现有发光二极管装置；
图2为本实用新型一实施例的发光二极管装置的示意图；
图3为本实用新型另一实施例的发光二极管装置的示意图；
图4为本实用新型一实施例的导体件的上表面上的凹部的示意图；
图5为本实用新型另一实施例的导体件的上表面上的凹部的示意图；
图6为本实用新型另一实施例的导体件的下表面上的凹部的示意图；
图7为本实用新型一实施例的导线架料片的示意图；
图8是沿图7割面线8-8的截面图；
图9为本实用新型另一实施例的导线架料片的截面示意图；
图10为本实用新型另一实施例的导线架料片的示意图；
图11是沿图10割面线11-11的截面图；以及
图12本实用新型另一实施例的导线架料片的截面示意图。
具体实施方式
以下配合图式详述本实用新型的实施例。
图2为本实用新型一实施例的发光二极管装置2的示意图。如图2所示，发光二极管装置2包含导线架21、胶体22，以及发光二极管23。导线架21可包含两个导体件211，所述两个导体件211为开槽212所分隔，以避免两者电性相连，造成短路。胶体22可包含高分子材料。胶体22可填充于开槽212内，以粘接两个导体件211。发光二极管23设置于一个导体件211上，并分别与两个导体件211电性连接。
在一实施例中，发光二极管23可利用导线24与两个导体件211电性连接。在另一实施例中，发光二极管23可利用凸块与两个导体件211电性连接。在又一实施例中，发光二极管23设置于一个导体件211上并直接与所述导体件211电性连接，且利用导线与另一导体件211电性连接。
在一实施例中，两个导体件211用来从发光二极管装置2的外部提供发光二极管23电能。在一实施例中，两个导体件211中的一者被形成以可承载发光二极管23。
在一实施例中，导线架21具有较高的导热系数，以促进发光二极管23的散热。在一实施例中，导线架21的导热系数可大于400W/mK。在一实施例中，导线架21的导热系数介于300W/mK至400W/mK之间。在一实施例中，当散热并非关键时，导线架21的导热系数可小于300W/mK。
导线架21可以是金属板经蚀刻或冲压制作而得。导线架21可为导体。在一实施例中，导线架21包含金属。在一实施例中，导线架21包含合金。在一实施例中，导线架21包含镍铁合金(nickel iron alloy)或铜合金(copper alloy)。在一实施例中，导线架21包含覆盖层材料(clad materials)，例如铜包不锈钢(copper clad stainless steel)或其它类似者。在一实施例中，导线架21包含镀金属材料，包含铜镀银或其它类似者。此外，导线架21另外可以金属以外的材料制作。在一实施例中，导线架21包含硅。
胶体22用于粘接两个导体件211。在一实施例中，胶体22可利用埋设(insert-molded)、射出成型(injection molding)、转移成型(transfer molding)、加压成型(compression molding)等工艺粘接两个导体件211。
各导体件211包含下表面2111和上表面2112，其中下表面2111和上表面2112可相对，且发光二极管23设置于导体件211的上表面2112。胶体22填充开槽212，向两个导体件211延伸，并部分覆盖各导体件211的下表面2111和上表面2112。胶体22延伸粘接在下表面2111和上表面2112上，可增加胶体22与导线架21间的粘接面积，提高胶体22和导线架21间的粘接力，从而可降低胶体22和导线架21间分离的可能性。胶体22粘接上表面2112更可避免当导线架21被向上弯曲时，胶体22与界定开槽212的导体件211的边缘面2113间的分离。此外，胶体22延伸粘接在下表面2111和上表面2112上，增长接合界面的长度，让外界的水气不易沿接合界面扩散入发光二极管装置2，影响发光二极管装置2的性能。
如图2所示，在一实施例中，胶体22被形成以凸出导体件211的上表面2112。在一实施例中，胶体22凸出导体件211的上表面2112的厚度H不小于10微米。在一实施例中，胶体22凸出导体件211的上表面2112的厚度H可介于25微米至35微米之间。在一实施例中，胶体22凸出导体件211的上表面2112的厚度H不低于30微米。胶体22凸出导体件211的上表面2112数十微米，如此凸出部分较不易在后续工艺中受损坏。
再参照图2所示，胶体22从开槽212的上方朝向导体件211的上表面2112延伸，并部分覆盖各导体件211的上表面2112。在一实施例中，胶体22从开槽212所在之处朝上表面2112的延伸距离d不小于1微米。在一实施例中，胶体22从开槽212所在之处朝上表面2112的延伸距离d不小于5微米。
胶体22用于保持导线架21的形状。胶体22被形成以具有预定形状。在本实施例中，胶体22的截面为I形。
胶体22可覆盖大范围的下表面2111，以增大附着力。在一实施例中，各导体件211的下表面2111上形成有凹部2115，覆盖下表面2111的胶体22填充所述凹部2115。
在一实施例中，胶体22可为绝缘材料。胶体22可具高反射率(reflectivity)，以反射来自发光二极管23的发光。胶体22可为白色。在一实施例中，胶体22可包含树脂。在一实施例中，胶体22可包含硅酮(silicone)。在一实施例中，胶体22可为液晶聚合物(liquid crystal polymer)、聚亚酰胺高分子材料(polyimide based polymer)或其它类似者。
复参图2所示，发光二极管装置2可进一步包含反光件(reflector)25，反光件25可让发光二极管23的发光向外传递。反光件25设置于导线架21上，环绕发光二极管23。反光件25可使用具高反射率的白色树脂制作。在一实施例中，反光件25可为白色。在一实施例中，反光件25可包含树脂。在一实施例中，反光件25可包含硅酮(silicone)。在一实施例中，反光件25可包含液晶聚合物(liquid crystal polymer)、聚亚酰胺高分子材料(polyimide based polymer)或其它类似者。在一实施例中，反光件25可包含其它树脂或陶瓷材料。
反光件25界定一收容空间，树脂26填充于收容空间内，覆盖发光二极管23。树脂26用于保护发光二极管23与导线24。树脂26可让光无阻碍(resistance)或无漫射(diffusion)地通过，或者些微阻碍(resistance)或些微漫射(diffusion)地通过。树脂26可透明。树脂26可具任何形状，包含透镜形状。在一实施例中，树脂26内可混有让光漫射的材料。在一实施例中，树脂26内可混有产生互补光的材料，如此发光二极管装置2可发出混合光。
图3为本实用新型另一实施例的发光二极管装置2a的示意图。图3实施例的发光二极管装置2a类似图2实施例的发光二极管装置2，主要不同之处在于发光二极管装置2a的导线架21a的结构不同。参照图3所示，导线架21a包含两个导体件211a，两个导体件211a为开槽212所分隔。各导体件211a包含下表面2111和上表面2112。各导体件211a的下表面2111上形成有凹部2115，而各导体件211a的上表面2112也形成有凹部2117。胶体22填充开槽212和两个凹部2115和2117，如此胶体22可覆盖部分的上表面2112和部分的下表面2111。
参照图4所示，凹部2117可沿开槽212延伸。此外，如图3所示，在一实施例中，在从开槽212向对应导体件211a延伸的方向上的凹部2117的宽度W可不小于1微米。在一实施例中，在从开槽212向各导体件211a延伸的方向上的凹部2117的宽度W可不小于5微米。在一实施例中，凹部2117的深度D不小于10微米。在一实施例中，凹部2117的深度D可不小于10微米。在一实施例中，凹部2117的深度D可介于25微米至35微米之间。在实施例中，凹部2117的深度可为30微米。在一实施例中，由于位于凹部2117内，使得位在导线架21a的上表面2112的胶体22不易被破坏，因此凹部2117的深度可小于30微米。
图5为本实用新型另一实施例的各导体件211b的上表面2112上的凹部2117a的示意图。各导体件的上表面上的凹部可被形成以具有任意形状。在一实施例中，各导体件的上表面上的凹部包含曲线。在一实施例中，各导体件的上表面上的凹部包含圆弧。在一些实施例中，任意形状的凹部可在上表面占有较大面积，如此除可增进导线架与胶体的附着外，还可使在导线架上、下表面上的胶体量较接近，从而可改善胶体成型后的翘曲问题。在一实施例中，在各导体件211b的上表面2112上的凹部2117a可包含前段部21171和颈部21172，其中前段部21171利用颈部21172连通，如此胶体可从开槽212，经由颈部21172填充前段部21171。
在一实施例中，颈部21172从开槽212往上表面2112内延伸，前段部21171可横向于颈部21172的延伸方向延伸。
前段部21171可具任意形状。在一实施例中，前段部21171可具有长条形状。在一实施例中，凹部2117a具有T形形状。在一实施例中，凹部2117a具有L形形状。
在一实施例中，导线架的两个导体件的上表面上可分别形成具相同形状的凹部。在另一实施例中，导线架的两个导体件的上表面上可分别形成具不同形状的凹部。
图6为本实用新型另一实施例的各导体件211c的下表面2111上的凹部2115a的示意图。类似地，各导体件211c的下表面2111上的凹部2115a可形成以具有任意形状。在一实施例中，各导体件211c的下表面2111上的凹部2115a可包含前段部21151和颈部21152，其中颈部21152连接前段部21151与开槽212。在一实施例中，前段部21151可横向于颈部21152的延伸方向延伸。
前段部21151可具任意形状。在一实施例中，前段部21151可具有长条形状。在一实施例中，凹部2115a具T形形状。在一实施例中，凹部2115a具L形形状。
图7为本实用新型一实施例的导线架料片7的示意图。如图7所示，导线架料片7包含多个导线架71。各导线架71可包含两个导体件711，其中一个导体件711作为发光二极管的一个电极，而另一导体件711可承载发光二极管且作为发光二极管的另一电极。
如图7与图8所示，两个导体件711为开槽712所分隔。胶体22填充开槽712，并部分覆盖下表面7111与上表面7112，其中下表面7111与上表面7112是相对的。
胶体22可被形成以凸出导线架71的上表面7112。在一实施例中，胶体22凸出上表面7112的厚度H不小于10微米。在一实施例中，胶体22凸出上表面7112的厚度H可介于25微米至35微米之间。在一实施例中，胶体22凸出导线架71的上表面7112的厚度H不低于30微米。
再参照图7所示，在一实施例中，胶体22可覆盖住导体件711的每一边缘地带(edgeregion)。在一实施例中，当粘接强度足够时，胶体22可覆盖导体件711的部分边缘地带。在一实施例中，胶体22可仅覆盖若让水气进入时会造成较为严重后果的导体件711的部分边缘地带。
如图8所示，胶体22从开槽712的所在处朝向导线架71延伸，部分覆盖各导体件711的上表面7112。在一实施例中，胶体22从开槽712向上表面7112的延伸距离d不小于1微米。在一实施例中，胶体22从开槽712向上表面7112的延伸距离d不小于5微米。
如图8所示，各导体件711的下表面7111上可形成有凹部7113，覆盖各导体件711的下表面7111的胶体22填充于凹部7113。如前所述，凹部7113可具有任意形状。在一实施例中，凹部7113可包含曲线。在一实施例中，凹部7113可包含圆弧。在一实施例中，凹部7113为矩形。在一实施例中，凹部7113包含前段部和颈部，其中颈部连接前段部与开槽712。在一实施例中，凹部7113为T形。在一实施例中，凹部7113为L形。在一实施例中，在一个导线架71中，两个导体件711的下表面7111上的凹部7113可具有相同形状。在一实施例中，在一个导线架71中，两个导体件711的下表面7111上的凹部7113可具有不同形状。
图9为本实用新型另一实施例的导线架料片7a的示意图。如图9所示，导线架料片7a包含多个导线架71a，各导线架71a可包含两个导体件711a，各导体件711a包含下表面7111和上表面7112。凹部7113形成于各导体件711a的下表面7111，而凹部7114形成于各导体件711a的上表面7112。胶体22填充两个导体件711a间的开槽712，并延伸填充凹部7113和凹部7114。
凹部7114可具有任意形状。在一实施例中，凹部7114可包含曲线。在一实施例中，凹部7114可包含圆弧。在一实施例中，凹部7114可具矩形形状。在一实施例中，凹部7114包含前段部和颈部，其中颈部连接前段部与开槽712。在一实施例中，凹部7114为T形。在一实施例中，凹部7114为L形。在一实施例中，在一个导线架71a中，两个导体件711a的凹部7114可具有相同形状。在一实施例中，在一个导线架71a中，两个导体件711的凹部7114可具有不同形状。
图10为本实用新型另一实施例的导线架料片10的示意图。如图10所示，导线架料片10是冲压成型的。导线架料片10可包含多个导线架101。各导线架101可包含两个导体件1011，其中两个导体件1011可作为发光二极管的电极。
如图10与图11所示，两个导体件1011可为开槽1012所分隔。胶体22填充开槽1012，并部分覆盖下表面10111与上表面10112，其中下表面10111与上表面10112是相对的。
胶体22可被形成以凸出导线架101的上表面10112。在一实施例中，胶体22凸出上表面10112的厚度H不小于10微米。在一实施例中，胶体22凸出上表面10112的厚度H可介于25微米至35微米之间。在一实施例中，胶体22凸出导线架101的上表面10112的厚度H不低于30微米。
再参照图10所示，在一实施例中，胶体22可覆盖住导体件1011的每一边缘地带(edge region)。在一实施例中，当粘接强度足够时，胶体22可覆盖导体件1011的部分边缘地带。在一实施例中，胶体22可仅覆盖若让水气进入时会造成较为严重后果的导体件1011的部分边缘地带。
如图11所示，胶体22从开槽1012的所在处朝向导线架101延伸，部分覆盖导体件1011的上表面10112。在一实施例中，胶体22从开槽1012向上表面10112的延伸距离d不小于1微米。在一实施例中，胶体22从开槽1012向上表面10112的延伸距离d不小于5微米。
如图11所示，各导体件1011的下表面10111上可形成有凹部10113。凹部10113可具有任意形状。在一实施例中，凹部10113可包含曲线。在一实施例中，凹部10113可包含圆弧。在一实施例中，凹部10113为矩形。在一实施例中，凹部10113包含前段部和颈部，其中颈部连接前段部与开槽1012。在一实施例中，凹部10113为T形。在一实施例中，凹部10113为L形。在一实施例中，在一个导线架101中，两个导体件1011的下表面10111上的凹部10113可具有相同形状。在一实施例中，在一个导线架101中，两个导体件1011的下表面10111上的凹部10113可具有不同形状。
图12为本实用新型另一实施例的导线架料片10a的示意图。导线架料片10a是冲压成型的。如图12所示，导线架料片10a包含多个导线架101a，各导线架101a可包含两个导体件1011a，各导体件1011a包含下表面10111和上表面10112。凹部10113形成于各导体件1011a的下表面10111，而凹部10114形成于各导体件1011a的上表面10112。胶体22填充两个导体件1011a间的开槽1012，并延伸填充凹部10113与凹部10114。
凹部10114可具有任意形状。在一实施例中，凹部10114可包含曲线。在一实施例中，凹部10114可包含圆弧。在一实施例中，凹部10114可具矩形形状。在一实施例中，凹部10114包含前段部和颈部，其中颈部连接前段部与开槽1012。在一实施例中，凹部10114为T形。在一实施例中，凹部10114为L形。在一实施例中，在一个导线架101a中，两个导体件1011a的凹部10114可具有相同形状。在一实施例中，在一个导线架101a中，两个导体件1011的凹部10114可具有不同形状。
本实用新型的技术内容和技术特点已揭示如上，然而所属领域的技术人员仍可能基于本实用新型的教示和揭示而作种种不背离本实用新型精神的替换及修饰。因此，本实用新型的保护范围应不限于实施例所揭示者，而应包括各种不背离本实用新型的替换及修饰，并为以下的权利要求书所涵盖。
Claims (29)
1.一种发光二极管装置，包含：
导线架，包含两个导体件，所述两导体件为开槽所分隔，各所述导体件包含上表面和下表面，其中所述上表面与所述下表面是相对的；
胶体，填充于所述开槽，并部分覆盖各所述导体件的所述上表面和所述下表面；以及
发光二极管，设置于所述两个导体件中的一者的所述上表面上，并电性连接所述两个导体件。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述胶体凸出各所述导体件的所述上表面的厚度不小于10微米。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述胶体凸出各所述导体件的所述上表面的厚度介于25微米至35微米之间。
4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述胶体凸出各所述导体件的所述上表面的厚度不低于30微米。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述胶体从所述开槽所在之处向所述上表面的延伸距离不小于1微米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述胶体从所述开槽所在之处向所述上表面的延伸距离不小于5微米。
7.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述上表面包含凹部，其中所述胶体位于所述上表面上的部分填充于所述凹部。
8.根据权利要求7所述的发光二极管装置，其中所述凹部沿所述开槽延伸。
9.根据权利要求7所述的发光二极管装置，其中所述凹部包含前段部和颈部，其中所述颈部连接所述前段部与所述开槽。
10.根据权利要求7所述的发光二极管装置，其中所述凹部具T形形状。
11.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述下表面包含凹部，其中所述胶体位于所述下表面上的部分填充于所述下表面的所述凹部。
12.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中所述下表面的所述凹部包含前段部和颈部，其中所述颈部连接所述前段部与所述开槽。
13.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中所述下表面的所述凹部具T形形状。
14.根据权利要求1所述的发光二极管装置，更包含反光件，其中所述反光件设置于所述导线架上。
15.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中所述胶体包含树脂或硅酮。
16.一种导线架料片，包含：
多个导线架，各所述导线架包含：
两个导体件，为开槽所分隔，各所述导体件包含上表面和下表面，其中所述上表面与所述下表面是相对的；以及
胶体，填充于各所述导线架的所述两个导体件间的所述开槽，并部分覆盖各所述导线架的各所述导体件的所述上表面和所述下表面。
17.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述胶体凸出各所述导体件的所述上表面的厚度不小于10微米。
18.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述胶体凸出各所述导体件的所述上表面的厚度介于25微米至35微米之间。
19.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述胶体凸出各所述导体件的所述上表面的厚度不低于30微米。
20.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述胶体从所述开槽所在之处向所述上表面的延伸距离不小于1微米。
21.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述胶体从所述开槽所在之处向所述上表面的延伸距离不小于5微米。
22.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述上表面包含凹部，其中所述胶体位于所述上表面上的部分填充于所述凹部。
23.根据权利要求22所述的导线架料片，其中所述凹部沿所述开槽延伸。
24.根据权利要求22所述的导线架料片，其中所述凹部包含前段部和颈部，其中所述颈部连接所述前段部与所述开槽。
25.根据权利要求22所述的导线架料片，其中所述凹部具T形形状。
26.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述下表面包含凹部，其中所述胶体位于所述下表面上的部分填充于所述下表面的所述凹部。
27.根据权利要求26所述的导线架料片，其中所述下表面的所述凹部包含前段部和颈部，其中所述颈部连接所述前段部与所述开槽。
28.根据权利要求26所述的导线架料片，其中所述下表面的所述凹部具T形形状。
29.根据权利要求16所述的导线架料片，其中所述胶体包含树脂或硅酮。
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