CN102479907B - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构，包括发光二极管芯片，以及电性隔绝的第一导电块和第二导电块，发光二极管芯片具有极性相反的第一电极与第二电极，发光二极管芯片设置于第一导电块上，且发光二极管芯片的第一电极与第一导电块电性连接，发光二极管芯片的第二电极与第二导电块通过导线电性连接，第二导电块上设有凹槽，导线的一端连接发光二极管芯片的第二电极，导线的另一端连接该凹槽的底部。本发明中的导电块上设置有凹槽，且导线的一端连接固定在凹槽的底部。在同等打线技术水平的条件下，导线的最高点可下降一个凹槽的高度，从而可降低发光二极管封装结构的高度。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管的封装结构。
背景技术
一种常见的发光二极管封装结构中，采用导线将发光二极管晶粒电性连接至外部电极。为避免导线在后续过程中崩断，通常都需将导线制作成弯曲状，使其具有一定的延展性和抗拉性。然而，由于受到打线机台以及打线的技术水平的限制，往往使得导线弯曲超过预期的高度，导致封装结构的厚度无法有效地薄化。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种具有较小厚度的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，包括发光二极管芯片，以及电性隔绝的第一导电块和第二导电块，发光二极管芯片具有极性相反的第一电极与第二电极，发光二极管芯片设置于第一导电块上，且发光二极管芯片的第一电极与第一导电块电性连接，发光二极管芯片的第二电极与第二导电块通过导线电性连接，第二导电块上设置至少一个凹槽，导线的一端连接发光二极管芯片的第二电极，导线的另一端连接该至少一个凹槽的底部。
本发明中的导电块上设置有凹槽，且导线的一端连接固定在凹槽的底部。在同等的打线机台以及打线的技术水平的条件下，导线的最高点可下降一个凹槽的高度，从而可有效降低整个发光二极管封装结构的高度。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。
图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。
图3为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。
图4为本发明第四实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。主要元件符号说明
第一导电块            10、20
顶面                  101、121、201、221
底面                  102、122、202、222
第二导电块            12、22
凹槽                  124、204、224
发光二极管芯片        14、24
第一电极              141、241
第二电极              142、242
导线                  16、26、27
绝缘层                21
覆盖层                28
封装层                29
具体实施方式
请参考图1，本发明第一实施例的发光二极管封装结构包括第一导电块10、第二导电块12、发光二极管芯片14及导线16。
第一导电块10呈块状，具有顶面101与底面102。
第二导电块12亦呈块状，具有顶面121与底面122，且分别与第一导电块10的顶面101和底面102齐平。第二导电块12与第一导电块10电性隔绝。第二导电块12的顶面121上设有至少一个凹槽124，凹槽124的数量和位置可依导线16的数量及连接第二导电块12的位置而定。
发光二极管芯片14可以是氮化镓系发光二极管芯片。发光二极管芯片14具有极性相反的第一电极141与第二电极142，本实施例中，第一电极141位于发光二极管芯片14的底面，第二电极142位于发光二极管芯片14的顶面，也即本实施中的发光二极管芯片14为垂直式。发光二极管芯片14设置于第一导电块10的顶面101上且第一电极141直接与第一导电块10形成电连接。发光二极管芯片14的第二电极142与第二导电块12通过导线16形成电连接。其中，导线16的一端与第二电极142电连接，另一端与第二导电块12的凹槽124的底部电连接。第一、第二导电块10、12与外部电源导通后即可使发光二极管芯片14发光。
请参考图2，本发明第二实施例的发光二极管封装结构包括第一导电块20、第二导电块22、发光二极管芯片24及导线26、27。
第一导电块20呈块状，具有顶面201与底面202。顶面201上设有至少一个凹槽204，凹槽204的数量和位置可依导线26的数量及连接第一导电块20的位置而定。第一导电块20的顶面201上设有至少一个凹槽204，凹槽204的数量和位置可依导线26的数量及连接第一导电块20的位置而定。
第二导电块22亦呈块状，具有顶面221与底面222，且分别与第一导电块20的顶面201和底面202齐平。第二导电块22与第一导电块20电性隔绝。第二导电块22的顶面221上设有至少一个凹槽224，凹槽224的数量和位置可依导线27的数量及连接第二导电块22的位置而定。本实施例中，凹槽224的深度与凹槽204的深度一致。
发光二极管芯片24具有极性相反的第一电极241与第二电极242，本实施例中，第一电极241与第二电极242均位于发光二极管芯片24的顶面。发光二极管芯片24设置于第一导电块20的顶面201上。第一电极241与第一导电块20通过导线26形成电连接。其中，导线26的一端与第一电极241电连接，另一端与第一导电块20的凹槽204的底部电连接。第二电极242与第二导电块22通过导线27形成电连接。其中，导线27的一端与第二电极242电连接，另一端与第二导电块22的凹槽224的底部电连接。
导线26、27均呈弯曲状。导线26的最高点至发光二极管芯片24的顶面的距离为A，导线26的最高点至第一导电块20的顶面201的距离为B，第一导电块20的顶面201的距离至凹槽204的底部的距离，也即凹槽204的深度为C，其中A、B、C的关系为B＞C＞A。
本发明中的导电块上设置有凹槽，可使导线的连接位置下降至少一个凹槽的深度。也即在同等的打线机台以及打线的技术水平条件下，导线的最高点可下降一个凹槽的高度，从而可降低整个发光二极管封装结构的高度。
请参考图3，在凹槽204、224的底部还可设置有覆盖层28，用于包覆导线26、27与凹槽204、224的底部的连接处，以增加导线26、27与第一、第二导电块20、22间的接着力，避免脱线。覆盖层28的材质可以为各种金属或者银胶。
请再参考图4，该发光二极管封装结构还包括设置在第一导电块20和第二导电块22之间的绝缘层21，绝缘层21用于电性隔绝第一、第二导电块20、22。
在第一、第二导电块20、22和发光二极管芯片14上还设有封装层29用于保护发光二极管芯片14及导线26、27。
封装层29内或封装层29的表面还可进一步包括荧光粉，所述荧光粉包含石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉、氮氧化物基荧光粉和氮化物基荧光粉中的一种或多种。
可以理解的，上述不同实施例中的不同特征可以相互组合得到新的实施方式。例如，覆盖层28也可以形成在第一实施例中的凹槽124的底部用于加固导线16与第二导电块12的连接。第一实施例中同样可设置绝缘层21及封装层29等结构。

Claims (7)

1.一种发光二极管封装结构，包括发光二极管芯片，以及电性隔绝的第一导电块和第二导电块，发光二极管芯片具有极性相反的第一电极与第二电极，发光二极管芯片设置于第一导电块上，且发光二极管芯片的第一电极与第一导电块的顶面电性连接，发光二极管芯片的第二电极与第二导电块通过导线电性连接，其特征在于：第二导电块上设置至少一个凹槽，导线的一端连接发光二极管芯片的第二电极，导线的另一端连接该至少一个凹槽的底部，所述导线呈弯曲状，所述导线的最高点至第一导电块的顶面的距离大于第一导电块的顶面至所述至少一个凹槽的底部的距离，所述第一导电块的顶面至所述至少一个凹槽的底部的距离大于所述导线的最高点至发光二极管芯片的顶面的距离。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极与第二电极均位于发光二极管芯片的顶面，所述第一导电块上也设置至少一个凹槽，第一电极与第一导电块通过另一导线电性连接，且该另一导线的一端连接第一电极，该另一导线的另一端连接该第一导电块上的至少一个凹槽的底部。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述至少一个凹槽的底部设置有覆盖层用于包覆导线或另一导线与至少一个凹槽的底部的连接处。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述覆盖层的材质为金属或者银胶。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括封装层，所述封装层包覆在第一、第二导电块和发光二极管芯片上。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装层内或封装层的表面包括荧光粉，所述荧光粉包含石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉、氮氧化物基荧光粉和氮化物基荧光粉中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括设置在第一导电块和第二导电块之间的绝缘层用于电性隔绝第一、第二导电块。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102007404B1 (ko) * 2012-12-14 2019-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN105591010B (zh) * 2014-10-24 2018-12-21 比亚迪股份有限公司 Led芯片、led支架以及led芯片的封装方法
CN109119396A (zh) * 2018-09-14 2019-01-01 上海凯虹科技电子有限公司 引线框架及采用该引线框架的封装体
US10810932B2 (en) * 2018-10-02 2020-10-20 Sct Ltd. Molded LED display module and method of making thererof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101090144A (zh) * 2006-06-14 2007-12-19 宏齐科技股份有限公司 高功率发光元件封装的工艺及其结构
CN101465395A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
CN101488546A (zh) * 2007-10-31 2009-07-22 夏普株式会社 芯片部件式led及其制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042068B2 (en) * 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
WO2004071141A2 (en) 2003-02-07 2004-08-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Metal base wiring board for retaining light emitting elements, light emitting source, lighting apparatus, and display apparatus
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
US7985980B2 (en) 2007-10-31 2011-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101090144A (zh) * 2006-06-14 2007-12-19 宏齐科技股份有限公司 高功率发光元件封装的工艺及其结构
CN101488546A (zh) * 2007-10-31 2009-07-22 夏普株式会社 芯片部件式led及其制造方法
CN101465395A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管

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