CN101488546A - 芯片部件式led及其制造方法 - Google Patents
芯片部件式led及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101488546A CN101488546A CNA2008101908827A CN200810190882A CN101488546A CN 101488546 A CN101488546 A CN 101488546A CN A2008101908827 A CNA2008101908827 A CN A2008101908827A CN 200810190882 A CN200810190882 A CN 200810190882A CN 101488546 A CN101488546 A CN 101488546A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shrinkage pool
- chip
- transparent resin
- metal fine
- sheet metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 220
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 220
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 168
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 168
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 208000034699 Vitreous floaters Diseases 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N Aesculin Natural products OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1Oc2cc3C=CC(=O)Oc3cc2O PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种芯片部件式LED，在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔和金属细线连接用的第二凹孔的绝缘基板的包含第一凹孔的部分形成作为第一布线图案的金属薄板，在包含第二凹孔的部分形成作为第二布线图案的金属薄板。在第一凹孔内的金属薄板上安装LED芯片，该LED芯片通过金属细线电连接于第二凹孔内的金属薄板，包含第一凹孔的LED芯片和包含第二凹孔的所述金属细线被含有荧光体的第一透明树脂密封。包含第一透明树脂的绝缘基板的表面被第二透明树脂密封。
Description
技术领域
本发明涉及表面安装用的芯片部件式LED及其制造方法，被用作各种显示面板、液晶显示装置的背光、照射光开关等的光源。
背景技术
作为各种显示面板、液晶显示装置的背光、照射光开关等的光源，以往使用芯片部件式LED。
图12表示一例这样的以往的芯片部件式LED的结构。
以往的芯片部件式LED是如下结构：将绝缘基板81、82形成为双层结构，在上部的绝缘基板82中形成通孔83，延伸设置到该通孔83内的底部为止(即，下层的绝缘基板81的上表面)而形成一布线图案84，在通孔83内的所述布线图案84上安装LED芯片85，用金属细线(Au线等)87连接该LED芯片85和另一布线图案86，进而用透明树脂88密封包含LED芯片85和金属细线87在内的绝缘基板82的表面。顺便说明一句，作为这样结构的芯片部件式LED，例如记载在日本特开2001—160629号公报、日本特开2006—190764号公报中。
但是，根据上述以往结构的芯片部件式LED，需要两张绝缘基板81、82，并且由于将LED芯片85安装在下层的绝缘基板82上，所以绝缘基板82需要有能够安装的最低限度的厚度，因此存在难以薄型化，而且还有成本较高的问题。
作为解决这种问题的方案，有在日本特开平07—235696号公报中展示的半导体装置的布线结构及其形成方法。根据该日本特开平07—235696号公报，如下形成半导体装置：将薄的铜板粘合在绝缘树脂基板的正反两面，如此形成整体的厚度薄的铜粘合基板，在这样的铜粘合基板上从一方的表面侧形成通孔，将LED芯片搭载在表面露出在通孔内的下侧的铜板上，并用一层树脂层密封以覆盖通孔。
在日本特开平07—235696号公报中所记载的薄型的半导体装置中，未记载有关用于使其发白色光的技术。为了发白色光，只要使上述一层的密封树脂层中含有黄色荧光体就可以，作为该密封树脂形成方法，有在半固化的薄片(tablet)树脂(传递模塑(transfer mould)用树脂)中加入荧光体，进行传递模塑获得白色芯片LED的方法。这种方法作业性好，面向批量生产。
但是，在传递模塑的特性上，荧光体的浓度的高低无论如何都因场所而显著地显现，避免不了作为白色LED来说非常重要的特性的色度的偏差。
此外，薄片树脂因制作方法的制约(每次制作的量较大的制约)而不能灵活地变更荧光体的配比。
此外，一般地，已知在LED芯片附近配置荧光体，最能够提高发光效率，但实施传递模塑时，荧光体不仅扩散到附近而且扩散到整个成形树脂中，相对于荧光体的使用量，发光效率降低。因荧光体的沉降的偏差等，容易产生颜色不匀。
此外，作为密封树脂材料，大多使用耐热性良好的硅酮树脂，但在传递模塑中使用半固化状态的树脂，所以用硅酮树脂进行模塑是不可能的。如硅酮树脂那样，在未固化的状态下可对液态的树脂进行传递模塑，但若是粘度较低的液态树脂，容易卷入气泡，需要配备防止这种情况的专用装置等，从而成为非常困难的技术。
而且，由于与环氧树脂相比，硅酮树脂的硬度较低，所以在密封树脂的周围没有保护反射材料等密封树脂的构件的芯片式LED的结构的情况下，密封树脂上带有裂纹，或形状发生变形，所以不适于将硅酮树脂使用为密封树脂(例如，上表面直接接触安装机等)。
但是，芯片附近的树脂，由于利用荧光体变换前的芯片发出的光(紫外光、近紫外光～蓝色光)造成的劣化较大，因此，应该用抗光性比环氧树脂好的硅酮树脂密封芯片附近。
发明内容
本发明为了解决这样的问题而提出，其目的在于，提供芯片部件式LED及其制造方法，在基板中形成通孔，用在通孔内搭载了LED芯片的薄型的芯片部件式LED，抑制荧光体的沉降偏差，发出颜色不匀较少的白色光、可见光。
为了解决上述课题，本发明的芯片部件式LED的特征在于，在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔和金属细线连接用的第二凹孔的绝缘基板的包含所述第一凹孔的部分形成作为第一布线图案的金属薄板，在包含所述第二凹孔的部分形成作为第二布线图案的金属薄板，在所述第一凹孔内的金属薄板上安装LED芯片，该LED芯片通过金属细线电连接于所述第二凹孔内的金属薄板，包含所述第一凹孔的LED芯片和包含所述第二凹孔的所述金属细线被含有荧光体的第一透明树脂密封，包含所述第一透明树脂的所述绝缘基板的表面被第二透明树脂密封。在该结构中，第一和第二透明树脂也可以通过不同的形成方法来密封。
此外，本发明的芯片部件式LED的特征在于，在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔和金属细线连接用的第二凹孔的绝缘基板的包含所述第一凹孔的部分形成作为第一布线图案的金属薄板，在包含所述第二凹孔的部分形成作为第二布线图案的金属薄板，在所述第一凹孔内的金属薄板上安装LED芯片，该LED芯片通过金属细线电连接于所述第二凹孔内的金属薄板，包含所述第一凹孔在内的LED芯片和所述金属细线的一部分被含有荧光体的第一透明树脂密封，所述第二凹孔和所述金属细线的一部分被第三透明树脂密封，包含所述第一透明树脂及所述第三透明树脂在内的所述绝缘基板的表面被第二透明树脂密封。在该结构中，第一及第三透明树脂与第二透明树脂也可以通过不同的形成方法来密封。
根据这样的结构，由于LED芯片的安装面和一端部连接到该LED芯片上的金属细线的另一端部的连接面被形成在金属薄板上，所以可以降低金属细线的高度。此外，将LED芯片直接安装在金属薄板(第一布线图案)上，所以不需要以往的基板，可进行该部分的薄型化，同时金属细线的高度也比以往的低，可进一步进行薄型化。
此外，通过除去金属薄板，可以容易地对安装了LED芯片的第一布线图案和连接了金属细线的另一端部的第二布线图案进行电性分离。而且，由于在各个凹孔内形成的布线图案和底面的金属薄板被直接电连接，所以不需要在绝缘基板的外周部分形成布线图案等，制造方法比以往的芯片部件式LED的制造方法容易。因此，还可降低制造成本。
这种情况下，安装所述LED芯片的所述第一凹孔的底面和电连接来自所述LED芯片的金属细线的所述第二凹孔的底面的高度位置形成为大致相同的高度。由此，由于不需要加工时的激光输出等的调整，所以凹孔加工容易。
此外，电连接来自所述LED芯片的金属细线的所述第二凹孔也可以至少形成两处以上。通过在两处以上形成，对于在表面侧形成了阳极、阴极电极的情况等中不将LED芯片的搭载面用于LED芯片的电极的引出而使用了金属细线的更复杂的布线，LED芯片的电极结构也可以应对于薄型化。
此外，本发明的芯片部件式LED优选是以下结构：在所述第一凹孔和所述第二凹孔之间的壁体的表面形成有用于对所述金属细线进行布线的槽部。通过这样形成槽部，在该槽部通过金属细线进行布线，可以进一步降低金属细线的配置高度，可以实现芯片部件式LED的进一步薄型化。
此外，在本发明中，优选是形成为所述透明树脂中含有荧光体的结构。而且，也可以是所述凹孔的内周面被形成为从所述绝缘基板的背面侧向表面侧逐渐扩展的倾斜面。由此，在将本芯片部件式LED用作各种显示面板、液晶显示装置的背光、照射光开关等的光源时的点亮时，面向侧面的光被倾斜面反射而朝向上方，所以可以提高向上方的反射效率。
这里，优选是使所述第一透明树脂为硅酮树脂，所述第二透明树脂为环氧树脂。通过使第一透明树脂为硅酮树脂，热应力得到缓和，LED芯片和金属细线之间的断线不良变少，此外，金属细线连接用的第二凹孔的金属表面和金属细线之间的断线不良也变少。优选是用环氧类树脂即第二透明树脂覆盖在所形成的第一透明树脂上，以覆盖作为LED芯片、金属细线以及金属细线连接部分的第二凹孔。这里，环氧类树脂是在粘性、透明性、耐气候性、强度上优良，适合作为密封树脂的树脂。
此外，通过用硅酮类树脂形成第三透明树脂，由于热膨胀系数小，所以能够降低金属细线的连接部的断线不良。而且，由于能够在LED芯片搭载用的第一凹孔、金属细线连接用的第二凹孔、以及绝缘基板表面的区域中使用分别不同的密封树脂，所以可以形成有充分的树脂选择性的封装结构。
此外，本发明的芯片部件式LED的制造方法的特征在于，包括：在绝缘基板的表面和背面形成金属薄板的步骤；除去所述绝缘基板表面侧的LED芯片搭载位置和金属细线连接位置的金属薄板的步骤；在除去了所述金属薄板的区域将第一凹孔及第二凹孔形成为直到所述绝缘基板的背面侧的金属薄板为止的深度的步骤；形成导电层使其延伸设置到所述凹孔的侧面和所述金属薄板上的底面的步骤；在所述导电层的表面通过蒸镀法形成含Au的层的步骤；形成绝缘区域的步骤；在所述第一凹孔的底面安装LED芯片的步骤；使用金属细线电连接所述LED芯片和所述第二凹孔的底面的步骤；通过浇注法用第一透明树脂密封第一凹孔和金属细线的一部分，以覆盖所述LED芯片的第一密封步骤；以及通过传递模塑法用第二透明树脂进行密封，以覆盖第一透明树脂的第二密封步骤。
即，根据本发明的制造方法，由于不需要在绝缘基板的外周部分形成布线图案等，所以相应地可以使制造方法容易，制造成本也可以降低。此外，若例如将激光照射到绝缘基板的LED芯片安装部分，从而形成第一及凹孔第二凹孔以达到背面的金属薄板为止，则在用激光除去绝缘基板的对象区域时，激光以从中心部分扩展的方式除去绝缘部分，所以可以将形成的第一凹孔及第二凹孔的内周面同时形成为倾斜面(弯曲面)。即，仅通过照射激光，就可以同时形成第一凹孔及第二凹孔和内周壁的倾斜面。
此外，根据本发明的制造方法，所述第二密封步骤也可以构成为密封所述第二凹孔和所述金属细线的一部分。此外，也可以构成为，所述方法还包括：覆盖所述第二凹孔，使用第三透明树脂密封金属细线的一部分的第三密封步骤，在所述第二密封步骤中，用第二透明树脂覆盖第一透明树脂和第三透明树脂。此外，也可以构成为，在所述第二密封步骤中，用第二透明树脂覆盖所述绝缘基板表面。这样，通过用第二透明树脂覆盖绝缘基板表面，可以保护基板表面的导电层。而且，在所述第二密封步骤中，也可以不用第二透明树脂覆盖所述第二凹孔。
这里，优选是所述第一透明树脂按照浇注法形成，所述第二透明树脂按照传递模塑法形成。即，在搭载了LED芯片的第一凹孔，由于难以均匀地加入荧光体，所以优选是按照浇注法形成第一透明树脂。此外，通过使用传递模塑法使第二透明树脂成为整体密封树脂，可以降低生产性成本，以及使每个封装(package)的特性均匀。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的芯片部件式LED的剖面图。
图2(a)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图2(b)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图2(c)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图2(d)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图2(e)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图2(f)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图2(g)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图2(h)是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图3是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的变形例1的剖面图。
图4是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的变形例2的剖面图。
图5是表示本发明实施方式1的芯片部件式LED的变形例3的剖面图。
图6是本发明实施方式2的芯片部件式LED的剖面图。
图7(a)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图7(b)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图7(c)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图7(d)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图7(e)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图7(f)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图7(g)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图7(h)是表示本发明实施方式2的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图8是本发明实施方式3的芯片部件式LED的剖面图。
图9是本发明实施方式3的芯片部件式LED的俯视图。
图10(a)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图10(b)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图10(c)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图10(d)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图10(e)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图10(f)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图10(g)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图10(h)是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的制造方法的说明图。
图11是表示本发明实施方式3的芯片部件式LED的变形例1的结构的剖面图。
图12是表示一例以往的芯片部件式LED的结构的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
<实施方式1>
图1是本实施方式1的芯片部件式LED10的剖面图。
该芯片部件式LED10在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔(通孔)3a和金属细线连接用的第二凹孔(通孔)3b的绝缘基板1的背面侧，以电性分离的状态形成有与各个凹孔对应的作为布线图案的金属(Cu)薄板2a、2b。此外，在绝缘基板1的表面侧，在包含第一凹孔3a的部分形成作为第一布线图案的金属薄板4a，在包含第二凹孔3b的部分形成作为第二布线图案的金属薄板4b。而且，在这样的布线结构中，成为了如下结构：在第一凹孔3a的底面部分的金属薄板4a上安装LED芯片5，该LED芯片5通过金属细线6电连接于第二凹孔3b的底面部分的金属薄板4b上，在这种状态下，包含LED芯片5和金属细线6的绝缘基板1的整个表面由透明树脂7密封。
这里，在本实施方式1中，该透明树脂7由第一透明树脂71和第二透明树脂72构成，第一透明树脂71将包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金属细线6的整体进行密封，第二透明树脂72将包含该第一透明树脂71的绝缘基板1的整个表面进行密封。在后面的制造方法中说明了细节，第一透明树脂71含有黄色荧光体(例如，α—SIALON等)，通过浇注法形成，第二透明树脂72只是透明树脂，通过传递(transfer)成形法形成。这样的结构和制造方法的理由是为了避免在传递成形中成为缺点的荧光体的偏差，通过浇注法形成含有荧光体的层，对光的取出产生影响的透明树脂7的外面形状、即第二透明树脂的外形形状是通过可稳定成形的传递成形进行密封的形状。
在本实施方式1中，第一透明树脂71由硅酮(silicone)类树脂形成，第二透明树脂72由环氧类树脂形成。此外，绝缘基板1由玻璃环氧树脂形成，其厚度约为50μm。此外，在背面侧形成的金属(Cu)薄板2a、2b形成为约20μm的厚度。而且，在本实施方式中，使LED芯片搭载用的第一凹孔3a的内径为φ470μm，使金属细线连接用的第二凹孔3b的内径为φ180μm。
这样，根据本实施方式1，LED芯片5的安装面和一端部连接到该LED芯片5上的金属细线6的另一端部的连接面形成在金属薄板2a、2b上，所以可以降低金属细线6的配置高度。此外，由于将LED芯片5直接安装在金属薄板4a、2a上，所以不需要以往的基板，可进行该部分的薄型化，同时金属细线6的高度也比以往低，可进一步进行薄型化。
下面，参照图2(a)～图2(h)说明上述结构的芯片部件式LED10的制造方法。
在最初的步骤中，在绝缘基板1的表面和背面分别形成金属薄板2、4(图2(a))。
在下个步骤，除去绝缘基板1的表面侧的LED芯片搭载位置41和金属细线连接位置42的金属薄板4(图2(b))。
在下个步骤，将通过对除去了金属薄板4的区域41、42进行激光加工而具有倾斜面的凹孔3a、3b形成到直至绝缘基板1的背面侧的金属薄板2为止的深度(图2(c))。在本实施方式1中，使LED芯片搭载用的第一凹孔3a的内径为φ470μm，使金属细线连接用的第二凹孔3b的内径为φ180μm。
在下个步骤，从绝缘基板1的表面侧，通过镀敷形成厚度20μm的Cu(铜)镀层45，以使其延伸设置到各个凹孔3a、3b的侧面和底面的金属薄板2上(图2(d))。这里，不需要镀铜的部位使用抗蚀剂(resist)而预先保护。
在下个步骤，在该电镀层45的表面，为了防止湿气造成的锈、氧化等实施表面保护，通过蒸镀(蒸着)形成厚度10μm的Ni/Au层。
在下个步骤，为了形成绝缘区域，除去绝缘基板1表面的不需要的Ni/Au层及Cu镀层45和金属薄板4(由标号46表示)，同时除去绝缘基板1背面的不需要的金属薄板2(由标号22表示)(图2(e))。由此，在绝缘基板1的表面，在绝缘状态下形成作为第一布线图案的金属薄板4a和成为第二布线图案的金属薄板4b，在绝缘基板1的背面，在绝缘状态下形成面对第一布线图案的金属薄板4a的金属薄板2a和面对第二布线图案的金属薄板4b的金属薄板2b。
在下个步骤，在LED芯片搭载用的凹孔3a的底面的金属薄板4a，使用银膏安装LED芯片5(图2(f))。
在下个步骤，将安装了的LED芯片5和金属细线连接用凹孔3b的底面的金属薄板4b使用金属细线6进行键合(bonding)而电连接(图2(g))。
在下个步骤，用透明树脂密封包含LED芯片5和金属细线6在内的绝缘基板1的整个表面(图2(h))。具体地说，将包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金属细线6的整体使用含有荧光体的硅酮类树脂通过键合法进行密封，从而形成第一透明树脂71，接着，将包含该第一透明树脂71的绝缘基板1的整个表面使用不含荧光体的环氧类树脂通过传递模塑法进行密封，从而形成第二透明树脂72。这里，将基于键合法的第一透明树脂71的固化条件及基于传递模塑法的第二透明树脂72的固化条件都设为150℃、1小时。
第一透明树脂71采用硅酮树脂的原因在于，多少也抑制在由荧光体变换的长波长化前的芯片发出的直接光下劣化的情况，第二透明树脂采用环氧树脂的原因在于，利用其硬度而使外形形状稳定。
此外，绝缘基板上设置的布线图案(Cu)受到Ni/Au保护，但为了提高光反射率，也可以至少包含第一、第二凹孔而对绝缘基板的表面侧镀Ag，这种情况下，期望用第二透明树脂覆盖绝缘基板的整个表面。第二透明树脂通过使用如环氧树脂那样气体遮断性好、吸湿性低的树脂，防止Ag镀层的腐蚀。
最后，通过切割(dicing)来制作宽度1.6mm、厚度0.8mm、高度0.2mm的疑似白色芯片部件式LED10(参照图1)。
再有，在本实施方式中，虽然在第一透明树脂71中添加了黄色荧光体，但也可以添加红色荧光体和绿色荧光体来取代黄色荧光体，这种情况下，与疑似白色相比，可发出现色性得到改善的高现色的白色光。这在下述实施方式中也同样。
(实施方式1的变形例1)
图3是表示本实施方式1的芯片部件式LED10的变形例1的结构的剖面图。
在本变形例1中，是将第一透明树脂71仅形成在包含LED芯片5及LED芯片5上所连接的金属细线6的一部分在内的第一凹孔3a的整体及其周边部分，不包含至第二凹孔3b的结构。此外，第一透明树脂71使用含有黄色荧光体的硅酮类树脂形成，第二透明树脂72使用不含有荧光体的环氧类树脂形成。由于其他的结构与上述实施方式1的图1所示的芯片部件式LED10的结构相同，所以这里省略说明。此外，关于制造方法，由于与参照图2(a)～图2(h)说明的上述制造方法相同，所以这里省略说明。
(实施方式1的变形例2)
图4是表示本实施方式1的芯片部件式LED10的变形例2的结构的剖面图。
在本变形例2中，成为如下结构：包含第一凹孔3a在内的LED芯片5和金属细线6的一部分被含有黄色荧光体的第一透明树脂71密封，第二凹孔3b和金属细线6的一部分被第三透明树脂73密封，包含第一透明树脂71和第三透明树脂73的绝缘基板1的整个表面被第二透明树脂72密封。这里，在本变形例2中，第一透明树脂71由硅酮类树脂形成，第二透明树脂72由环氧类树脂形成，第三透明树脂73由硅酮类树脂形成。通过用硅酮类树脂形成第三透明树脂73，从而热膨胀系数小，可以降低金属细线6的连接部的断线不良。此外，在本变形例2中，可以在LED芯片搭载用的第一凹孔3a、金属细线连接用的第二凹孔3b、以及绝缘基板表面的各区域中分别使用不同的密封树脂，所以可以形成树脂的选择度足够的封装结构。
此外，在本变形例2中，用透明树脂密封包含LED芯片5及金属细线6的绝缘基板1的整个表面的步骤与参照图2说明的上述制造方法不同。因此，这里只说明该不同的步骤。
即，将包含第一凹孔3a在内的LED芯片5和金属细线6的一部分用含有黄色荧光体的硅酮类树脂通过键合法进行密封，形成第一透明树脂71，接着，将第二凹孔3b和金属细线6的一部分用硅酮类树脂通过键合法进行密封，形成第三透明树脂73，接着将包含第一透明树脂71及第三透明树脂73在内的绝缘基板1的整个表面用环氧类树脂通过传递模塑法进行密封，形成第二透明树脂72。这里，将基于键合法的第一透明树脂71及第三透明树脂73的固化条件和基于传递模塑法的第二透明树脂72的固化条件都设为150℃、1小时。
(实施方式1的变形例3)
图5是表示本实施方式1的芯片部件式LED10的变形例3的结构的剖面图。
在本变形例3中，成为如下结构：将第二透明树脂72仅形成在包括第一透明树脂71的整体、并且第一凹孔3a的整体及其周边部分上，不包含至第二凹孔3b。由于其他的结构与上述实施方式1的变形例1的图3所示的芯片部件式LED10的结构相同，所以这里省略说明。此外，关于制造方法，由于与参照图2说明的上述制造方法相同，所以这里省略说明。
<实施方式2>
图6是本实施方式2的芯片部件式LED20的剖面图。但是，在以下的说明中，对与上述实施方式1相同(或具有相同功能)的构件标注相同标号。
该芯片部件式LED20在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔(通孔)3a和隔着该第一凹孔3a而在两侧的金属细线连接用的第二凹孔(通孔)3b及第三凹孔(通孔)3c的绝缘基板1的背面侧，在电性分离的状态下形成有对应于各个凹孔的作为布线图案的金属(Cu)薄板2a、2b、2c。此外，在绝缘基板1的表面侧，在包含第一凹孔3a的部分形成作为第一布线图案的金属薄板4a，在包含第二凹孔3b的部分形成作为第二布线图案的金属薄板4b，在包含第三凹孔3c的部分形成作为第三布线图案的金属薄板4c。而且，在这样的布线结构中，形成为如下构造：在第一凹孔3a的底面部分的金属薄板4a上安装LED芯片5，该LED芯片5通过金属细线6a而电连接于第二凹孔3b的底面部分的金属薄板4b，同时通过金属细线6b而电连接于第三凹孔3c的底面部分的金属薄板4c，在该状态下，包含LED芯片5及金属细线6a、6b在内的绝缘基板1的整个表面被透明树脂7密封。
这里，在本实施方式2中，该透明树脂7由第一透明树脂71和第二透明树脂72构成，第一透明树脂71对包含第一凹孔3a的LED芯片5、包含第二凹孔3b的金属细线6a、以及包含第三凹孔部3c的金属细线6b整体进行密封，第二透明树脂72对包含该第一透明树脂71的绝缘基板1的整个表面进行密封。此外，在本实施方式2中，第一透明树脂71由包含黄色荧光体的硅酮类树脂形成，第二透明树脂72由不含有荧光体的环氧类树脂形成。此外，绝缘基板1由玻璃环氧树脂形成，其厚度约为60μm。此外，在背面侧形成的金属(Cu)薄板2a、2b被形成为约25μm的厚度。而且，在本实施方式2中，使LED芯片搭载用的第一凹孔3a的内径为φ500μm，金属细线连接用的第二凹孔3b及第三凹孔3c的内径分别为φ200μm。
这样，根据本实施方式2，LED芯片5的安装面和一端部连接到该LED芯片5上的金属细线6a、6b的另一端部的连接面被形成在金属薄板2a、2b、2c上，所以可以降低金属细线6a、6b的配置高度。此外，由于将LED芯片5直接安装在金属薄板4a、2a上，所以不需要以往的基板，相应地可进行薄型化，同时金属细线6a、6b的高度也可以比以往的低，可进一步薄型化。
下面，参照图7(a)～图7(h)说明上述结构的芯片部件式LED20的制造方法。
在最初的步骤，在绝缘基板1的表面和背面分别形成金属薄板2、4(图7(a))。
在下个步骤，除去绝缘基板1的表面侧的LED芯片搭载位置41和金属细线连接位置42、43的金属薄板4(图7(b))。
在下个步骤，将通过对除去了金属薄板4的区域41、42、43进行激光加工而具有倾斜面的凹孔3a、3b、3c形成为直至绝缘基板1的背面侧的金属薄板2为止的深度(图7(c))。在本实施方式2中，使LED芯片搭载用的第一凹孔3a的内径为φ500μm，金属细线连接用的第二凹孔3b及第三凹孔3c的内径分别为φ200μm。
在下个步骤，从绝缘基板1的表面侧，通过镀敷形成厚度15μm的Cu镀层45，以使其延伸设置到各个凹孔3a、3b、3c的侧面和底面的金属薄板2上(图7(d))。这里，不需要镀Cu的部位预先用抗蚀剂进行保护。
在下个步骤，在该镀层45的表面上，通过蒸镀法(蒸着)形成厚度15μm的Ni/Au层。
在下个步骤，为了形成绝缘区域，除去绝缘基板1表面的不需要的Ni/Au层及Cu镀层45和金属薄板4(由标号46、47表示)，同时除去绝缘基板1背面的不需要的金属薄板2(由标号22、23表示)(图7(e))。由此，在绝缘基板1的表面，在绝缘状态下形成作为第一布线图案的金属薄板4a、成为第二布线图案的金属薄板4b和成为第三布线图案的金属薄板4c，在绝缘基板1的背面，在绝缘状态下形成面对第一布线图案的金属薄板4a的金属薄板2a、面对第二布线图案的金属薄板4b的金属薄板2b、以及面对第三布线图案的金属薄板4c的金属薄板2c。
在下个步骤，在LED芯片搭载用的凹孔3a的底面的金属薄板4a上，使用硅酮树脂安装LED芯片5(图7(f))。
在下个步骤，将安装的LED芯片5和金属细线连接用凹孔3b的底面的金属薄板4b使用金属细线6a进行键合而电连接，同时将LED芯片5和金属细线连接用凹孔3c的底面的金属薄板4c用金属细线6b进行键合而电连接(图7(g))。
在下个步骤，用透明树脂密封包含LED芯片5和金属细线6a、6b在内的绝缘基板1的整个表面(图7(h))。具体地说，将包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b及第三凹孔3c的两金属细线6a、6b的整体使用含有荧光体的硅酮类树脂通过键合法进行密封，从而形成第一透明树脂71，接着，将包含该第一透明树脂71的绝缘基板1的整个表面使用不含有荧光体的环氧类树脂通过传递模塑法进行密封，从而形成第二透明树脂72。这里，将基于键合法的第一透明树脂71的固化条件设为150℃、3小时，将基于传递模塑法的第二透明树脂72的固化条件设为120℃、1小时。
最后，通过切割来制作宽度1.5mm、厚度0.8mm、高度0.18mm的蓝色芯片部件式LED20(参照图7(a)～图7(h))。
<实施方式3>
图8及图9是本实施方式3的芯片部件式LED30的剖面图及俯视图。但是，在以下的说明中，对与上述实施方式1相同(或具有相同功能)的构件，标注相同标号。
该芯片部件式LED30在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔(通孔)3a和金属细线连接用的第二凹孔(通孔)3b的绝缘基板1的背面侧，在电性分离的状态下形成有对应于各个凹孔的作为布线图案的金属(Cu)薄板2a、2b。此外，在绝缘基板1的表面侧，在包含第一凹孔3a的部分形成作为第一布线图案的金属薄板4a，在包含第二凹孔3b的部分形成作为第二布线图案的金属薄板4b。这些金属薄板4a、4b通过形成一定宽度的缺口部分48而被绝缘，所述缺口部分48是在隔开第一凹孔3a和第二凹孔3b的隔壁部分1a的表面中央部除去了金属薄板4后形成的。此外，在隔壁部分1a的表面，在与该缺口部分48正交的方向上，即以跨越第一凹孔3a和第二凹孔3b的方式，形成有规定深度的凹槽部分11。
而且，在这样的布线结构中，在第一凹孔3a的底面部分的金属薄板4a上安装LED芯片5，该LED芯片5通过金属细线6而电连接于第二凹孔3b的底面部分的金属薄板4b。此时，金属细线6穿过隔壁部分1a的凹槽部分11内而被布线。即，以上方不露出到绝缘基板1的表面的方式来布线。而且，在该状态下，形成为包含LED芯片5和金属细线6在内的绝缘基板1的整个表面被透明树脂7密封的结构。
这里，在本实施方式3中，该透明树脂7由第一透明树脂71和第二透明树脂72构成，第一透明树脂71对包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金属细线6的整体进行密封，第二透明树脂72对包含该第一透明树脂71在内的绝缘基板1的整个表面进行密封。此外，在本实施方式3中，第一透明树脂71由含有荧光体(例如，CaAlSiN3:Eu、Ca3(Sc·Mg)2Si3O12:Ce等)的硅酮类的透明树脂形成，第二透明树脂72由不含有荧光体的环氧类的透明树脂形成。
在本实施方式3中，绝缘基板1由玻璃环氧树脂形成，其厚度约为55μm。此外，在背面侧形成的金属(Cu)薄板2a、2b被形成为约18μm的厚度。此外，在本实施方式3中，使LED芯片搭载用的第一凹孔3a的内径为φ400μm，金属细线连接用的第二凹孔3b的内径为φ150μm。而且，凹槽部分11的深度为25μm。
这样，根据本实施方式3，LED芯片5的安装面和一端部连接到该LED芯片5上的金属细线6的另一端部的连接面被形成在金属薄板2a、2b上，并且金属细线6穿过凹槽部分11内部而被布线，所以可以使金属细线6的配置高度比上述实施方式1、2的还低。此外，由于将LED芯片5直接安装在金属薄板4a、2a上，所以不需要以往的基板，可进行该部分的薄型化。
下面，参照图10(a)～图10(h)说明上述结构的芯片部件式LED30的制造方法。
在最初的步骤，在绝缘基板1的表面和背面分别形成金属薄板2、4(图10(a))。
在下个步骤，除去绝缘基板1的表面侧的LED芯片搭载位置41、金属细线连接位置42、金属细线6的布线位置(成为凹槽部分11的位置)的金属薄板4(图10(b))。
在下个步骤，将对除去了金属薄板4的区域41、42实施激光加工而具有倾斜面的凹孔3a、3b形成为直到绝缘基板1的背面侧的金属薄板2为止的深度。此时，在成为隔开所形成的凹孔3a、3b的隔壁部分1a的表面，同样通过激光加工而形成规定深度的凹槽部分11，以跨越这些凹孔3a、3b之间(图10(c)、图8、图9)。在本实施方式4中，使LED芯片搭载用的第一凹孔3a的内径为φ500μm，金属细线连接用的第二凹孔3b的内径为φ200μm，凹槽部分11的深度为25μm。
在下个步骤，从绝缘基板1的表面侧，通过镀敷形成厚度25μm的Cu镀层45，以使其延伸设置到各个凹孔3a、3b的侧面和底面的金属薄板2上(图10(d))。这里，不需要镀Cu的部位预先用抗蚀剂保护。
在下个步骤，在该镀层45的表面，通过蒸镀方式形成厚度10μm的Ni/Au层。
在下个步骤，为了形成绝缘区域，除去绝缘基板1表面的不需要的Ni/Au层及Cu镀层45和金属薄板4(由标号46表示)，同时除去绝缘基板1背面的不需要的金属薄板2(由标号22表示)(图10(e))。由此，在绝缘基板1的表面，在绝缘状态下形成作为第一布线图案的金属薄板4a和成为第二布线图案的金属薄板4b，在绝缘基板1的背面，在绝缘状态下形成面对第一布线图案的金属薄板4a的金属薄板2a和面对第二布线图案的金属薄板4b的金属薄板2b。再有，在本实施方式4中，在该步骤中，用于将金属细线6布线的凹槽部分11表面的Ni/Au层及Cu镀层45也被除去。即，凹槽部分11表面为绝缘基板1露出的状态。
在下个步骤，在LED芯片搭载用的凹孔3a的底面的金属薄板4a上，使用环氧树脂安装LED芯片5(图10(f))。
在下个步骤，将安装的LED芯片5和金属细线连接用凹孔3b的底面的金属薄板4b使用金属细线6进行键合而电连接(图10(g))。
在下个步骤，用透明树脂密封包含LED芯片5和金属细线6在内的绝缘基板1的整个表面(图10(h))。具体地说，将包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金属细线6和连通凹孔3a、3b的凹槽部分11的整体使用含有荧光体(CaAlSiN3:Eu、Ca3(Sc·Mg)2Si3O12:Ce)的硅酮类树脂通过键合法进行密封，从而形成第一透明树脂71，接着，将包含该第一透明树脂71在内的绝缘基板1的整个表面使用不含有荧光体的环氧类树脂通过传递模塑法进行密封，从而形成第二透明树脂72。这里，将基于键合法的第一透明树脂71的固化条件设为150℃、1小时，将基于传递模塑法的第二透明树脂72的固化条件设为150℃、3小时。
最后，通过切割来制作宽度1.65mm、厚度0.75mm、高度0.15mm的高现色芯片部件式LED30(参照图8)。
根据本实施方式3，由于可以形成金属细线6，以使其穿过在LED芯片搭载用凹孔3a和金属细线连接用凹孔3b之间形成的凹槽部分11内部，所以可以制作高度更低的0.15mm的芯片部件式LED30。
(实施方式3的变形例1)
图11是表示本实施方式3的芯片部件式LED30的变形例1的结构的剖面图。
在本变形例1中，是将第一透明树脂71仅形成在包含LED芯片5及LED芯片5所连接的金属细线6的一部分在内的第一凹孔3a的整体及其周边部分上，不包含至第二凹孔3b的结构。由于其他的结构与上述实施方式3的图8所示的芯片部件式LED10的结构相同，所以这里省略说明。此外，关于制造方法，由于与参照图10(a)～图10(h)说明的上述实施方式3的制造方法相同，所以这里省略说明。
再有，在上述各个实施方式1～3中，虽然对于绝缘基板形成了具有一对图案(pattem)的1芯片LED灯，但若用同样的方法形成多个图案，并使多个LED芯片连接，则可容易构成多色(多个LED芯片)发光的LED灯。此外，作为LED芯片5，除了蓝色LED芯片以外，还可以使用红色、黄色、绿色等各种LED芯片。
此外，本申请记载了有关发出白色光的发明，但通过将LED芯片选择为在从紫外光至蓝色光的范围内发出任一种波长的LED芯片，选择被该LED芯片激励，在蓝色～红色的可见光为止的范围内发出规定的颜色的光的荧光体，由此，可以提供发出规定的可见光的芯片部件式LED。例如，如果选择蓝色LED芯片和红色荧光体CaAlSiN3：Eu，则成为发出红色光的单色光源。
本发明在不脱离其精神或主要的特征的情况下可以用其他各种各样的方式来实施。因此，上述实施例在所有方面都只不过是简单的例示，而不是限定性地解释。本发明的范围由权利要求的范围来表示，在说明书正文中没有任何限制。而且，属于权利要求的范围的同等范围的变形或变更，都是在本发明的范围内的变形或变更。
本申请要求2007年10月31日于日本申请的特愿2007—284136以及2007年12月25日于日本申请的特愿2007—332943的优先权。上述提及的内容是将两优先权所有内容组合在本申请中而形成的。
Claims (16)
1.一种芯片部件式LED，其特征在于，
在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔和金属细线连接用的第二凹孔的绝缘基板的包含所述第一凹孔的部分形成作为第一布线图案的金属薄板，在包含所述第二凹孔的部分形成作为第二布线图案的金属薄板，在所述第一凹孔内的金属薄板上安装LED芯片，该LED芯片通过金属细线电连接于所述第二凹孔内的金属薄板，包含所述第一凹孔的LED芯片和包含所述第二凹孔的所述金属细线被含有荧光体的第一透明树脂密封，包含所述第一透明树脂的所述绝缘基板的表面被第二透明树脂密封。
2.一种芯片部件式LED，其特征在于，
在形成了LED芯片搭载用的第一凹孔和金属细线连接用的第二凹孔的绝缘基板的包含所述第一凹孔的部分形成作为第一布线图案的金属薄板，在包含所述第二凹孔的部分形成作为第二布线图案的金属薄板，在所述第一凹孔内的金属薄板上安装LED芯片，该LED芯片通过金属细线电连接于所述第二凹孔内的金属薄板，包含所述第一凹孔在内的LED芯片和所述金属细线的一部分被含有荧光体的第一透明树脂密封，所述第二凹孔和所述金属细线的一部分被第三透明树脂密封，包含所述第一透明树脂及所述第三透明树脂在内的所述绝缘基板的表面被第二透明树脂密封。
3.如权利要求1所述的芯片部件式LED，其特征在于，
所述第一透明树脂和第二透明树脂通过不同的形成方法密封。
4.如权利要求2所述的芯片部件式LED，其特征在于，
所述第一透明树脂及第三透明树脂与第二透明树脂用不同的形成方法密封。
5.如权利要求1或权利要求2所述的芯片部件式LED，其特征在于，
所述第一透明树脂为硅酮类树脂，所述第二透明树脂为环氧类树脂。
6.如权利要求2所述的芯片部件式LED，其特征在于，
所述第三透明树脂为硅酮类树脂。
7.如权利要求1或权利要求2所述的芯片部件式LED，其特征在于，
安装所述LED芯片的所述第一凹孔的底面和电连接来自所述LED芯片的金属细线的所述第二凹孔的底面的高度位置形成为大致相同的高度。
8.如权利要求1或权利要求2所述的芯片部件式LED，其特征在于，
电连接来自所述LED芯片的金属细线的所述第二凹孔至少形成有两处以上。
9.如权利要求1或权利要求2所述的芯片部件式LED，其特征在于，
在所述第一凹孔和所述第二凹孔之间的壁体的表面形成有用于对所述金属细线进行布线的槽部。
10.如权利要求1或权利要求2所述的芯片部件式LED，其特征在于，
所述凹孔的内周面被形成为从所述绝缘基板的背面侧向表面侧逐渐扩展的倾斜面。
11.一种芯片部件式LED的制造方法，其特征在于，包括：
在绝缘基板的表面和背面形成金属薄板的步骤；
除去所述绝缘基板表面侧的LED芯片搭载位置和金属细线连接位置的金属薄板的步骤；
在除去了所述金属薄板的区域将第一凹孔及第二凹孔形成为直到所述绝缘基板的背面侧的金属薄板为止的深度的步骤；
形成导电层使其延伸设置到所述凹孔的侧面和所述金属薄板上的底面的步骤；
在所述导电层的表面通过蒸镀法形成含Au的层的步骤；
形成绝缘区域的步骤；
在所述第一凹孔的底面安装LED芯片的步骤；
使用金属细线电连接所述LED芯片和所述第二凹孔的底面的步骤；
通过浇注法用第一透明树脂密封第一凹孔和金属细线的一部分，以覆盖所述LED芯片的第一密封步骤；以及
通过传递模塑法用第二透明树脂进行密封，以覆盖第一透明树脂的第二密封步骤。
12.如权利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法，其特征在于，
所述第一密封步骤用所述第一透明树脂还密封所述第二凹孔和所述金属细线的整体。
13.如权利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法，其特征在于，所述第二密封步骤密封所述第二凹孔和所述金属细线的一部分。
14.如权利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法，其特征在于，
所述制造方法还包括：覆盖所述第二凹孔，使用第三透明树脂密封金属细线的一部分的第三密封步骤，
在所述第二密封步骤中，用第二透明树脂覆盖第一透明树脂和第三透明树脂。
15.如权利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法，其特征在于，
在所述第二密封步骤中，用第二透明树脂覆盖所述绝缘基板表面。
16.如权利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法，其特征在于，
在所述第二密封步骤中，不用第二透明树脂覆盖所述第二凹孔。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007284136 | 2007-10-31 | ||
| JP2007-284136 | 2007-10-31 | ||
| JP2007284136 | 2007-10-31 | ||
| JP2007-332943 | 2007-12-25 | ||
| JP2007332943 | 2007-12-25 | ||
| JP2007332943A JP5052326B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-12-25 | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101488546A true CN101488546A (zh) | 2009-07-22 |
| CN101488546B CN101488546B (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=40866970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101908827A Expired - Fee Related CN101488546B (zh) | 2007-10-31 | 2008-10-29 | 芯片部件式led及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5052326B2 (zh) |
| CN (1) | CN101488546B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101997076A (zh) * | 2009-08-18 | 2011-03-30 | 三星Led株式会社 | 发光二极管封装体 |
| CN102479907A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| CN102655142A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-09-05 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件 |
| CN105591010A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-18 | 比亚迪股份有限公司 | Led芯片、led支架以及led芯片的封装方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101051690B1 (ko) | 2010-04-28 | 2011-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101129002B1 (ko) | 2010-04-28 | 2012-03-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101128991B1 (ko) | 2010-04-29 | 2012-03-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 사이드 뷰 광 패키지 및 그 제조 방법 |
| DE102010050343A1 (de) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Chipintegrierte Durchkontaktierung von Mehrlagensubstraten |
| KR101211708B1 (ko) | 2011-04-04 | 2012-12-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101197779B1 (ko) | 2011-04-04 | 2012-11-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101211719B1 (ko) | 2011-04-04 | 2012-12-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP5770674B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2015-08-26 | 信越化学工業株式会社 | 光学半導体装置用基板及びその製造方法、並びに光学半導体装置 |
| JP6459880B2 (ja) | 2015-09-30 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6831624B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2021-02-17 | ローム株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| JP2017157684A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | ローム株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| WO2023156503A1 (en) * | 2022-02-21 | 2023-08-24 | Signify Holding B.V. | Leds with silicone potting |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3778685A (en) * | 1972-03-27 | 1973-12-11 | Nasa | Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same |
| JPS62174980A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光フアイバ通信用発光装置 |
| JP3137823B2 (ja) * | 1994-02-25 | 2001-02-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
| JP4409074B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2010-02-03 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2002299699A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP2002314139A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| US7429757B2 (en) * | 2002-06-19 | 2008-09-30 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness |
| CN2645244Y (zh) * | 2003-09-29 | 2004-09-29 | 上海金桥大晨光电科技有限公司 | 一种大功率发光二极管（led）器件 |
| JP5123466B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2013-01-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2006303458A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Naoya Yanase | 電子部品実装基板 |
| JP2007150233A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Trion:Kk | 色温度可変発光デバイス |
| JP4759381B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2011-08-31 | 山一電機株式会社 | 素子内蔵回路基板およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-25 JP JP2007332943A patent/JP5052326B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-29 CN CN2008101908827A patent/CN101488546B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101997076A (zh) * | 2009-08-18 | 2011-03-30 | 三星Led株式会社 | 发光二极管封装体 |
| CN101997076B (zh) * | 2009-08-18 | 2013-10-30 | 三星电子株式会社 | 发光二极管封装体 |
| CN102479907A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| US8519420B2 (en) | 2010-11-30 | 2013-08-27 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Light emitting diode package |
| CN102479907B (zh) * | 2010-11-30 | 2015-01-07 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| CN102655142A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-09-05 | 首尔半导体株式会社 | 发光二极管封装件 |
| CN105591010A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-18 | 比亚迪股份有限公司 | Led芯片、led支架以及led芯片的封装方法 |
| CN105591010B (zh) * | 2014-10-24 | 2018-12-21 | 比亚迪股份有限公司 | Led芯片、led支架以及led芯片的封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101488546B (zh) | 2012-05-23 |
| JP5052326B2 (ja) | 2012-10-17 |
| JP2009135381A (ja) | 2009-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101488546B (zh) | 芯片部件式led及其制造方法 | |
| US8206999B2 (en) | Chip-type LED and method for manufacturing the same | |
| CN102522485B (zh) | 半导体发光装置 | |
| EP3267494B1 (en) | Light emitting device and method for manufacturing a plurality of light emitting devices | |
| CN105378952B (zh) | 发光器件封装件及其制造方法以及包含该发光器件封装件的车灯和背光单元 | |
| CN100511732C (zh) | 发光器件 | |
| US7855389B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| CN101071839B (zh) | 发光装置 | |
| EP2378553B1 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
| KR101235460B1 (ko) | 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법 | |
| CN100411198C (zh) | 发光装置 | |
| US8450770B2 (en) | Light emitting package structure | |
| CN101728470B (zh) | 发光二极管装置及其制造方法 | |
| CN102479908A (zh) | Led封装 | |
| CN101140975B (zh) | 发光装置 | |
| JP5374876B2 (ja) | 発光装置 | |
| US20100012957A1 (en) | Light-emitting diode device and method for fabricating the same | |
| CN102270727A (zh) | 半导体发光装置及其制造方法 | |
| CN101145594A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| CN102569277A (zh) | Led 封装及其制造方法 | |
| JP2002252376A (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| CN102479910A (zh) | Led模块 | |
| US20120126265A1 (en) | Led package | |
| CN102478172A (zh) | 照明装置 | |
| US7999276B2 (en) | Chip-type LED package and light emitting apparatus having the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120523 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |