KR101211708B1 - 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법을 개시한다. 상기 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법은 절연필름의 일 면 상에 전도성 잉크를 이용하여 전도성 잉크층을 형성하며; 상기 전도성 잉크층이 일 면 상에 형성된 상기 절연필름을 고온 소결하며; 상기 절연필름에 비아홀을 형성하고; 및 상기 절연필름의 다른면 상에 금속층을 형성하고, 상기 비아홀에 의해 노출된 상기 금속층의 부분에 광소자를 실장하는 것을 포함한다. 본 발명에 따르면, 절연필름 상에 전도성 잉크층을 형성함으로써 신뢰성이 높은 고반사율 광소자 패키지를 구성할 수 있다.

Description

필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법{FILM TYPE OPTICAL COMPONENT PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 광소자 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(diode)는 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이다. LED(Light Emitting Diode, 엘이디) 라고도 불린다. 발광 원리는 전계 발광 효과를 이용하고 있다. 또한, 수명도 백열전구보다 상당히 길다. 발광색은 사용되는 재료에 따라서 다르며 자외선 영역에서 가시광선, 적외선 영역까지 발광하는 것을 제조할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지는 비아홀이 형성된 절연층(10), 상기 절연층(10)의 일 면 상에 형성된 솔더 레지스트층(20), 상기 솔더 레지스트층(20)이 형성된 면에 대향하는 상기 절연층(10)의 다른 면 상에 형성된 접착층(30), 상기 접착층(30) 상에 부착된 금속층(40) 및 상기 비아홀에 의해 외부에 노출된 금속층(40)의 부분에 발광소자(50)을 실장하고 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 절연층(10)의 일 면 상에 솔더 레지스트층(20)이 형성되어 있기 때문에, 고열 분위기에서 솔더 레지스트층(20)에 황 변색이 발생하거나 솔더 레지스트층(20)의 표면에 균열(crack) 또는 박리가 발생할 수도 있다. 또한, 이러한 솔더 레지스트층(20)은 반사율이 높지 않아 발광 다이오드 패키지의 광 효율을 감소시키는 원인이 된다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 솔더 레지스트층을 사용하지 않은 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
전술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 필름 타입의 광소자 패키지 제조방법은 절연층의 일 면 상에 접착층을 형성하며; 상기 접착층 상에 반사층을 형성하며; 상기 절연층에 비아홀을 형성하고; 상기 절연층의 다른면 상에 금속층을 형성하고, 상기 비아홀에 의해 노출된 상기 금속층의 부분에 광소자를 실장하는 것을 포함한다.
상기 금속층을 형성하는 것은 상기 금속층 상에 회로 패턴을 형성함으로써 회로패턴층을 형성하고; 및 상기 회로 패턴층을 은(Ag)으로 도금하는 것을 포함할 수 있다.
상기 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법은 와이어를 이용하여 상기 광소자와 상기 회로 패턴층을 전기적으로 연결하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법은 상기 광소자 및 상기 와이어를 몰딩함으로써 몰딩부를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
상기 접착층은 크롬계 또는 티타늄계 금속을 이용하여 0.1 내지 10 ㎛의 범위 내의 두께로 형성될 수 있다.
상기 반사층은 니켈(Ni) 및 니켈 합금(Ni Alloy)를 포함하는 니켈계의 금속을 이용하여 0.1 내지 10 ㎛의 범위 내의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 필름 타입의 광소자 패키지는 일 면 상에 접착층이 형성되고 상기 접착층 상에 반사층이 형성된 절연층; 상기 절연층의 다른면 상에 형성된 금속층; 및 상기 비아홀에 의해 노출된 상기 금속층의 부분에 실장되는 광소자를 포함한다.
상기 절연필름은 폴리이미드로 제조될 수 있다.
상기 금속층은 그 위에 인쇄된 회로 패턴층을 포함할 수 있다.
상기 회로 패턴층은 은(Ag)으로 도금될 수 있다.
상기 광소자 패키지는 상기 광소자와 상기 회로 패턴층을 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함할 수 있다.
상기 접착층 및 반사층은 각각 0.1 내지 10 ㎛의 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
상기 광소자 패키지는 상기 광소자 및 상기 와이어를 몰딩함으로써 형성된 몰딩부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의해, 절연층 상에 반사층을 형성함으로써 신뢰성이 높은 고반사율 광소자 패키지를 구성할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 필름 타입의 광소자 패키지의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 광소자 패키지의 절연층 상에 반사층을 형성하는 공정을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 필름 타입의 광소자 패키지의 단면도를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에에 따른 광소자 패키지의 사시도를 나타낸 도면이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 일 실시형태에 따른 필름 타입의 광소자 패키지 및 그 제조 방법에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 실시형태를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.
또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
제1 실시예
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 필름 타입의 광소자 패키지의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 광소자 패키지는 솔더 레지스트층 대신에 반사층을 포함한다. 이를 위해, 절연층(100)의 일 면 상에 접착층(110)을 도포한다. 이 접착층(110)은 솔더 레지스트층 대신에 광소자 패키지에 포함되는 반사층(120)을 절연층(100)에 접착시키기 위한 것이다. 그리고, 접착층(110) 상에 반사층(120)을 형성한다. 절연층(10)의 재료는 폴리이미드(polyimide)인 것이 바람직하다.
절연층(100) 상에 반사층(120)을 형성하는 공정을 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 광소자 패키지의 절연층 상에 반사층을 형성하는 공정을 나타낸 도면이다.
도 3(a)를 참조하면, 롤 투 롤 공정에 따라 절연층(100)의 일면 상에 미리 정해진 두께로 접착층(110)을 형성한다. 미리 정해진 두께는 0.1 내지 10 ㎛의 범위에서 결정된다. 그리고, 접착층(110)의 재료는 금속이며, 바람직하게는 크롬계 또는 티타늄계 금속이다. 구체적으로 접착층(110)의 재료는 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈-크롬 합금(Ni-Cr), 니켈(Ni) 중 어느 하나일 수 있다.
본 실시예에서 접착층(110)은 롤 투 롤 공정에 의해 형성될 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 스퍼터링(sputtering) 및 증착(evaporation) 방법을 포함하는 당업자에게 가능한 모든 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 3(b)를 참조하면, 절연층(100) 상에 접착층(110)이 형성된 후, 접착층(110) 상에 반사층(120)을 미리 정해진 두께로 반사층(120)을 형성한다. 미리 정해진 두께는 0.1 내지 10 ㎛의 범위에서 결정된다. 그리고, 반사층(120)의 재료는 니켈계의 금속인 것이 바람직하며 예컨대, 니켈(Ni), 니켈 합금(Ni Alloy) 중 어느 하나일 수 있다. 니켈 합금은 코발트(Co), 텅스텐(W), 인(P) 등을 포함한다.
본 실시예에서 반사층(120)은 롤 투 롤 공정에 의해 형성될 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 무전해 도금법, 스퍼터링(sputtering) 및 증착(evaporation) 방법을 포함하는 당업자에게 가능한 모든 방법에 의해 형성될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 절연층(110) 상에 접착층(110) 및 반사층(120)을 형성한 후에, 비아홀들(130)을 형성한다(S2). 비아홀들은 광소자(160)를 수용하기 위한 비아홀(132) 외에도, 각 층 간의 전기적 연결을 위한 바이홀, 열 확산을 용이하게 하기 위한 열 비아홀(thermal via hole), 각 층들을 정렬하는 기준이 되는 비아홀 등(131,133)을 포함할 수 있다.
그리고 금속층(140)을 절연필름의 다른면 상에 라미네이트하는데 상기 금속층(140)은 구리(Cu)인 것이 바람직하다(S3). 이후, 여러 약품 처리를 통해 표현을 활성화시킨 후, 포토 레지스트를 도포하고 노광 및 현상 공정을 수행한다. 현상공정이 완료된 후, 에칭 공정을 통해 필요한 회로를 형성하고 포토레지스트를 박리함으로써 회로 패턴층(도시생략)을 형성한다(S3).
도 3에서는 금속층(140)이 패턴을 갖는 것을 표시함으로써 회로 패턴층이 형성됨을 표시하였다(S3).
이어서, 금속층(140)을 은(Ag)으로 도금하여 은 도금된 금속층(150)을 형성한다(S4). 은 도금에 의해 광소자(160)으로부터의 광이 금속층(150)으로부터 더 잘 반사될 수 있다.
상기 광소자(160)를 수용하기 위한 비아홀(132)에 의해 노출된 금속층(150)의 부분 상에 광소자(160)를 실장한다. 이어서 광소자(160)를 와이어(170)을 통해 금속층(150)에 전기적으로 연결한다(S6). 최종적으로, 광소자(160) 및 와이어(170)를 몰딩함으로써 몰딩부(180)를 형성한다. 몰딩부(160)는 볼록 렌즈 형상으로 이루어져 형광체 및 투명 레진(Resin)을 포함하며 상기 투명 레진은 실리콘(Si)인 것이 바람직하다.
제2 실시예
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 필름 타입의 광소자 패키지의 단면도를 나타낸 도면이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 광소자 패키지는 절연층(100)의 일 면 상에 접착층(110)을 도포한 후 접착층(110) 상에 반사층(120)을 형성하였다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광소자 패키지는 절연층(100) 상에 미리 정해진 두께로 반사층(190)를 형성한다. 미리 정해진 두께는 0.1 내지 10 ㎛의 범위에서 결정된다. 이 반사층(190)은 제1 실시예에 따른 반사층(120)과 달리 접착층의 역할을 수행한다. 반사층(190)의 재료는 니켈계의 금속인 것이 바람직하며 예컨대, 니켈(Ni), 니켈 합금(Ni Alloy) 중 어느 하나일 수 있다. 니켈 합금은 코발트(Co), 텅스텐(W), 인(P) 등을 포함한다.
본 실시예에서 반사층(190)은 무전해 도금법, 스퍼터링(sputtering) 및 증착(evaporation deposition) 방법을 포함하는 당업자에게 가능한 모든 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에에 따른 광소자 패키지의 사시도를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 절연층(100) 상에 미리 정해진 두께로 접착층(110)이 형성되고, 반사층(120)이 형성되어 있다. 그에 따라 광소자(160)로부터 방출되는 광은 반사층(120)에 의해 반사되어 광소자 패키지의 광 반사율이 향상된다. 예컨대, 기존의 절연층(100) 상에 화이트 솔더 레지스트(white solder resist)층이 형성된 광소자 패키지에 비해 대략 10-20% 광 반사율이 향상된다.
이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
110: 절연층 120: 접착층
131,132,133: 비아홀 140 금속층
150: 은 도금된 금속층 160: 광소자
170: 와이어 180: 몰딩부

Claims (13)

  1. 절연층의 일 면 상에 접착층을 형성하며;
    상기 접착층 상에 반사층을 형성하며;
    상기 절연층에 비아홀을 형성하고;
    상기 절연층의 다른면 상에 금속층을 형성하고, 상기 비아홀에 의해 노출된 상기 금속층의 부분에 광소자를 실장하는 것을 포함하는 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속층을 형성하는 것은
    상기 금속층 상에 회로 패턴을 형성함으로써 회로패턴층을 형성하고; 및
    상기 회로 패턴층을 은(Ag)으로 도금하는 것을 포함하는 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    와이어를 이용하여 상기 광소자와 상기 회로 패턴층을 전기적으로 연결하는 것을 더 포함하는 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광소자 및 상기 와이어를 몰딩함으로써 몰딩부를 형성하는 것을 더 포함하는 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접착층은 크롬계 또는 티타늄계 금속을 이용하여 0.1 내지 10 ㎛의 범위 내의 두께로 형성되는 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사층은 니켈(Ni) 및 니켈 합금(Ni Alloy)를 포함하는 니켈계의 금속을 이용하여 0.1 내지 10 ㎛의 범위 내의 두께로 형성되는 필름 타입의 광소자 패키지 제조 방법.
  7. 비아홀을 가지며 일 면 상에 접착층이 형성되고 상기 접착층 상에 반사층이 형성된 절연층;
    상기 절연층의 다른면 상에 형성된 금속층; 및
    상기 비아홀에 의해 노출된 상기 금속층의 부분에 실장되는 광소자를 포함하는 필름 타입의 광소자 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 절연층은 폴리이미드로 제조되는 필름 타입의 광소자 패키지.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 금속층은 패턴을 갖는 회로 패턴층인 필름 타입의 광소자 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 회로 패턴층은 은(Ag)으로 도금되는 필름 타입의 광소자 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광소자와 상기 회로 패턴층을 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함하는 필름 타입의 광소자 패키지.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 접착층 및 반사층은 각각 0.1 내지 10 ㎛의 범위 내의 두께를 갖는 필름 타입의 광소자 패키지.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 광소자 및 상기 와이어를 몰딩함으로써 형성된 몰딩부를 더 포함하는 필름 타입의 광소자 패키지.
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