JP5861943B2 - 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム - Google Patents

樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム Download PDF

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Description

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するために用いられる樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレームに関する。
近年、光デバイス、特にＬＥＤデバイスは携帯電話の照明や液晶用バックライトとして用途を拡大しており、最近では白熱球に代わる一般照明分野までその用途は拡大している。しかしながら、一般に、ＬＥＤデバイスは同一ウエハー内の光発行効率のばらつきが大きい傾向がある。また、ＬＥＤデバイスを一般照明に用いるには発光効率がまだまだ低く、１つのＬＥＤデバイス内に複数個のＬＥＤ素子を搭載しなければならない。
このようなＬＥＤデバイスのパッケージングとしては、ガラスエポキシ等の有機基板にＬＥＤ素子を搭載し、ワイヤーボンディングした後、エポキシ系の透明樹脂で封止し、その後個片化したものが存在する。あるいは、セラミック基板上にＰＰＡ等の白色樹脂からなる反射板（反射樹脂部）を成型し、その後これにＬＥＤ素子を搭載し、ワイヤーボンディングした後、透明樹脂で封止し、個片化するものも存在する。あるいはまた、リードフレーム上にＰＰＡ等の白色樹脂で反射板を成型し、その後これにＬＥＤ素子を搭載し、ワイヤーボンディングした後、透明樹脂で封止し、個片化するものもある。
特開２００５−１３６３７９号公報
上述したように、ＬＥＤパッケージの光取り出し効率（光束）を向上させるために、ＬＥＤ素子を搭載する基板として、リードフレーム上に合成樹脂からなる反射板を予め成型したものが用いられている。また従来、リードフレームは、その反射効率を考慮し、全面に銀めっき加工を施したものを用いている。しかしながら、反射板を構成する合成樹脂によっては、ＬＥＤ素子から発する紫外線により劣化して黄変し、光取り出し効率が経時的に低下する場合がある。また、リードフレームの銀めっきは、空気中の硫化水素と反応し、経時的に褐色に変色するという問題がある。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子を含む半導体装置において、ＬＥＤ素子からの光の取出し効率を高めるとともに、リードフレームの経時劣化を防止することが可能な、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレームを提供することを目的とする。
本発明は、複数のＬＥＤ素子載置部と、それぞれ各前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置された複数のリード部とを有するとともに、各前記ＬＥＤ素子載置部および各前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲んで設けられた反射樹脂部とを備え、前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設けたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置されたリード部とを有するとともに、前記ＬＥＤ素子載置部および前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体と、前記リードフレーム本体の前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲んで設けられた反射樹脂部とを備え、前記リードフレーム本体の前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設けたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記アルミ蒸着層または前記アルミスパッタ層は、更に前記反射樹脂部の内壁にも設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記リードフレーム本体の前記複数のＬＥＤ素子載置領域は、縦横に配置されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記リードフレーム本体は、銅、銅合金、または４２合金からなり、前記リードフレーム本体のうち少なくとも前記ＬＥＤ素子載置領域の表面は、鏡面加工されて、当該ＬＥＤ素子載置領域の算術平均高さＳａが０．０１μｍ〜０．１０μｍとなり、粗さ曲線要素平均長さＳｍが２μｍ〜１８μｍとなる粗さを有することを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記リードフレーム本体の前記ＬＥＤ素子載置部および前記リード部の裏面に、銀めっき層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記リードフレーム本体の表面に、前記リードフレーム本体と前記反射樹脂部との密着性を高める溝が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記反射樹脂部の上面に、反射金属層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記反射樹脂部の上面のうちダイシングにより切削される部分は、前記反射樹脂部が露出していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、前記反射樹脂部の上面に、内方に向けて凹む凹部が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
本発明は、複数のＬＥＤ素子載置部と、それぞれ各前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置された複数のリード部とを有するとともに、各前記ＬＥＤ素子載置部および各前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体を備え、前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設けたことを特徴とするリードフレームである。
本発明は、ＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置されたリード部とを有するとともに、前記ＬＥＤ素子載置部および前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体を備え、前記リードフレーム本体の前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設けたことを特徴とするリードフレームである。
本発明は、樹脂付リードフレームの製造方法において、複数のＬＥＤ素子載置部と、それぞれ各前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置された複数のリード部とを有するとともに、各前記ＬＥＤ素子載置部および各前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体を準備する工程と、前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設ける工程と、前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲むように反射樹脂部を設ける工程とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
本発明は、樹脂付リードフレームの製造方法において、複数のＬＥＤ素子載置部と、それぞれ各前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置された複数のリード部とを有するとともに、各前記ＬＥＤ素子載置部および各前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体を準備する工程と、前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲むように反射樹脂部を設ける工程と、前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域表面および前記反射樹脂部の内壁に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設ける工程とを備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
本発明によれば、リードフレーム本体の各ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設けている。このことにより、ＬＥＤ素子からの光を効率的に反射させて、ＬＥＤ素子からの光の取出し効率を高めるとともに、リードフレームの経時劣化を防止することができる。
図１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のＩ−Ｉ線断面図）。 図２は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。 図３は、本発明の第１の実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図（図４のIII−III線断面図）。 図４は、本発明の第１の実施の形態による樹脂付リードフレームを示す平面図。 図５は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図６のＶ−Ｖ線断面図）。 図６は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。 図７（ａ）−（ｇ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 図８（ａ）−（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。 図９（ａ）−（ｆ）は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。 図１０は、半導体装置が配線基板上に配置されている状態を示す断面図。 図１１は、本発明の第２の実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図（図１２のXI−XI線断面図）。 図１２は、本発明の第２の実施の形態による樹脂付リードフレームを示す平面図。 図１３は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図１４のXIII−XIII線断面図）。 図１４は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す平面図。 図１５（ａ）−（ｆ）は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 図１６（ａ）−（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。 図１７は、本発明の第２の実施の形態による樹脂付リードフレームの変形例を示す断面図。 図１８は、本発明の第２の実施の形態による樹脂付リードフレームの変形例を示す断面図。 図１９は、本発明の第２の実施の形態による樹脂付リードフレームの変形例を示す断面図。 図２０は、本発明の第２の実施の形態による樹脂付リードフレームの変形例を示す断面図。
第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図１０を参照して説明する。
リードフレームの構成
まず、図１および図２により、本実施の形態によるＬＥＤ素子用のリードフレームの概略について説明する。図１および図２は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
図１および図２に示すリードフレーム１５は、複数のＬＥＤ素子載置領域１４を有するリードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１の各ＬＥＤ素子載置領域１４表面に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する金属層１２とを備えている。
このうちリードフレーム本体１１は金属板からなっている。リードフレーム本体１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このリードフレーム本体１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
また、図２に示すように、リードフレーム本体１１は外枠１３を有しており、複数のＬＥＤ素子載置領域１４は、この外枠１３内で縦横に配置されている。またリードフレーム本体１１は、複数のダイパッド（ＬＥＤ素子載置部）２５と、各ダイパッド２５から離間して配置された複数のリード部２６とを有しており、各ＬＥＤ素子載置領域１４は、それぞれのダイパッド２５およびリード部２６上に形成されている。ダイパッド２５とリード部２６との間には、反射樹脂部２３が充填される空間１７が形成されている。また各ダイパッド２５および各リード部２６は、それぞれ棒状のタイバー１６により、隣接する他のダイパッド２５、隣接する他のリード部２６、または外枠１３に連結されている。
図１に示すように、ダイパッド２５の裏面には、第１のアウターリード部２７が形成され、リード部２６の裏面には、第２のアウターリード部２８が形成されている。これら第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８には、それぞれはんだとの接触性を高める銀めっき層２９が設けられている。なお、めっき層２９の厚みは、２μｍ〜１０μｍとされることが好ましい。
一方、金属層１２は、例えば蒸着またはスパッタリングにより形成されていても良く、その材料としては、アルミニウム、銀、ロジウム、パラジウム、白金、銅などを挙げることができる。以下においては、金属層１２が、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層からなる場合を例にとって説明する（以下、単にアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２ともいう）。このアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものであり、リードフレーム１５の最表面側に位置している。このアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着またはスパッタリングすることにより形成されたものである。アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．１μｍ〜１μｍとされることが好ましい。なお、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、リードフレーム本体１１上に直接形成されても良いが、例えば銀（Ａｇ）めっき層からなる接合層を介してリードフレーム本体１１上に形成されていても良い。
また、本実施の形態において、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、外枠１３およびタイバー１６を含むリードフレーム本体１１の表面全体に設けられているが、少なくとも、リードフレーム本体１１表面のうち、各ＬＥＤ素子載置領域１４に設けられていれば良い。すなわち、ＬＥＤ素子載置領域１４は、リードフレーム本体１１のうち反射樹脂部２３（後述）によって覆われない領域であり、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するのに寄与する領域だからである。
例えば、リードフレーム本体１１表面のうち、ワイヤーボンディングされる部分にはアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けなくても良い。
また、例えば、リードフレーム本体１１表面のうち、ＬＥＤ素子２１を搭載する部分にはアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けなくても良い。
また、例えば、リードフレーム本体１１表面に、銀めっき層からなる接合層（図示せず）を介してアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設け、かつリードフレーム本体１１表面のうち、ワイヤーボンディングされる部分にはアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けなくても良い。
さらにまた、例えば、リードフレーム本体１１表面に、銀めっき層からなる接合層（図示せず）を介してアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設け、かつリードフレーム本体１１表面のうち、ＬＥＤ素子２１を搭載する部分にはアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けなくても良い。
また、リードフレーム本体１１のうち、少なくとも各ＬＥＤ素子載置領域１４の表面は、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設ける前に予め鏡面加工されていることが好ましい。この場合、各ＬＥＤ素子載置領域１４の表面の粗さは、菱化システム社製、非接触表面・層断面形状計測システム、ＶｅｒｔＳｃａｎ２．０を用いて測定したＬＥＤ素子載置領域１４の算術平均高さＳａが、０．０１μｍ〜０．１０μｍとなり、粗さ曲線要素平均長さＳｍが２μｍ〜１８μｍとなる粗さを有することが好ましい。これにより、各ＬＥＤ素子載置領域１４の表面に形成されたアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２の反射率が高められ、ＬＥＤ素子２１からの光を更に効率的に反射することができる。
さらに、リードフレーム本体１１の表面には、リードフレーム本体１１と反射樹脂部２３との密着性を高めるための溝１８が形成されている。この溝１８は、（空間１７を除いて）平面矩形形状を有しており、リードフレーム本体１１表面のうちＬＥＤ素子載置領域１４の外周縁に沿って設けられている。
なお、図２において、符号Ｓ（二点鎖線）は、リードフレーム１５のうち、後述する半導体装置２０（図５および図６）に対応する領域を示している。
なお、本実施の形態において、リードフレーム本体１１は、複数のダイパッド２５と、各ダイパッド２５から離間して配置された複数のリード部２６とを有しているが、これに限らず、リードフレーム本体１１が、ダイパッド２５およびリード部２６をそれぞれ１つ以上有していればよい。
樹脂付リードフレームの構成
次に、図３および図４により、本実施の形態によるＬＥＤ素子用の樹脂付リードフレームの概略について説明する。図３および図４は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す図である。なお、図３および図４において、図１および図２と同一部分には同一の符号を付してある。
図３および図４に示す樹脂付リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１（図５および図６参照）を載置するために用いられるものである。このような樹脂付リードフレーム１０は、リードフレーム１５と、リードフレーム１５上に設けられ、ＬＥＤ素子載置領域１４を取り囲む反射樹脂部２３とを備えている。
このうちリードフレーム１５は、リードフレーム本体１１を有しており、このリードフレーム本体１１は、複数のダイパッド２５と、各ダイパッド２５から離間して配置された複数のリード部２６とを有している。各ダイパッド２５および各リード部２６の表面には、ＬＥＤ素子載置領域１４が形成されている。また、リードフレーム本体１１の各ＬＥＤ素子載置領域１４の表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２が設けられている。図４において、このアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を斜線で表示している。なお、リードフレーム１５の構成は、上述した図１および図２に示すものと同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
一方、反射樹脂部２３は、リードフレーム１５と一体化されており、ＬＥＤ素子２１を取り囲む平面略矩形形状の凹部２３ａを有している。また、凹部２３ａの内側に内壁２３ｂが形成されている。また、ダイパッド２５とリード部２６との間の空間１７にも、反射樹脂部２３が充填されている。なお、反射樹脂部２３の詳細は後述する。
なお、本実施の形態において、リードフレーム本体１１は、複数のダイパッド２５と、各ダイパッド２５から離間して配置された複数のリード部２６とを有しているが、これに限らず、リードフレーム本体１１が、ダイパッド２５およびリード部２６をそれぞれ１つ以上有していればよい。
半導体装置の構成
次に、図５および図６により、図２および図３に示す樹脂付リードフレームを用いて作製された半導体装置について説明する。図５および図６は、本実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す図である。なお、図５および図６において、図１乃至図４と同一部分には同一の符号を付してある。
図５および図６に示すように、半導体装置２０は、リードフレーム本体１１とアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２とを有する（個片化された）リードフレーム１５と、リードフレーム１５のダイパッド２５上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１５のリード部２６とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。なお、図６において、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を斜線で表示している。
また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する反射樹脂部２３が設けられている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂２４によって封止されている。この封止樹脂２４は、反射樹脂部２３の凹部２３ａ内に充填されている。なお、リードフレーム本体１１表面のうち、封止樹脂２４が設けられる領域が、上述したＬＥＤ素子載置領域１４に対応する。
以下、半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。
リードフレーム１５は、上述したように、ダイパッド２５とリード部２６とを有するリードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２とを有している。
一方、ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。
またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、反射樹脂部２３の凹部２３ａ内においてダイパッド２５上（アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２上）に固定実装されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム本体１１のリード部２６表面上（アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２上）に接続されている。
反射樹脂部２３は、例えば樹脂付リードフレーム１０上に熱可塑性樹脂を例えば射出成形し、あるいは熱硬化性樹脂を例えば射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。反射樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射樹脂部２３の全体形状を、図５および図６に示すように直方体としても良く、あるいは円筒形または錐形等の形状とすることも可能である。また凹部２３ａの底面は、矩形、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部２３ａの内壁２３ｂの断面形状は、図５のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。
反射樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイミドおよびポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、シクロポリオレフィン等、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリイミド等を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面及び内壁２３ｂにおいて、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
封止樹脂２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂２４が強い光にさらされるため、封止樹脂２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
リードフレームおよび樹脂付リードフレームの製造方法
次に、図１および図２に示すリードフレーム１５および図３および図４に示す樹脂付リードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｇ）および図８（ａ）−（ｃ）を用いて説明する。
まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
また、金属基板３１の表面３１ａに対して予め鏡面加工を施しておき、その算術平均高さＳａが０．０１μｍ〜０．１μｍ、粗さ曲線要素平均長さＳｍが２μｍ〜１８μｍとなるようにしておくことが好ましい。なお、このような鏡面加工としては、例えば材料の最終圧延時に鏡面加工圧延ローラーを使用することや、または、両面鏡面銅めっき加工を挙げることができる。
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、ダイパッド２５と、ダイパッド２５から離間したリード部２６とを有するリードフレーム本体１１が得られる（図７（ｅ））。またこの際、ハーフエッチングによりリードフレーム本体１１の表面に溝１８が形成される。
次に、リードフレーム本体１１の裏面に電解めっきを施すことにより、第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８に金属（銀）を析出させて、はんだとの接触性を高める銀めっき層２９を形成する（図７（ｆ））。この場合、例えば電解脱脂工程、酸洗工程、化学研磨工程、銅ストライク工程、水洗工程、中性脱脂工程、シアン洗工程、および銀めっき工程を順次経ることにより、第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８に銀めっき層２９を形成する。この電解めっき用のめっき液としては、例えばシアン化銀を主成分とした銀めっき液を挙げることができる。実際の工程では、各工程間で必要に応じ適宜水洗工程を加える。
次に、リードフレーム本体１１の表面に蒸着またはスパッタリングを施すことにより、リードフレーム本体１１上にアルミニウムを付着させる。これにより、ＬＥＤ素子載置領域１４を含むリードフレーム本体１１の表面全体に、反射層として機能するアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を形成する（図７（ｇ））。
アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層の形成は、具体的には、これに限定されるものではないが、蒸着の場合、真空到達度９×１０−６ｔｏｒｒ、レート１．５ｎｍ／秒という条件により、リードフレーム本体１１上にアルミ蒸着層１２を形成することができる。また、スパッタリングの場合、真空到達度４×１０−６ｔｏｒｒ、成膜真空度５×１０−３ｔｏｒｒ、パワー９００Ｗ（ターゲットサイズ５インチ×１８インチの場合）という条件により、リードフレーム本体１１上にアルミスパッタ層１２を形成することができる。
このようにして、リードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１上に形成されたアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２とを有するリードフレーム１５が得られる（図７（ｇ））。
次に、リードフレーム１５のアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２上に反射樹脂部２３を形成する。以下、これらの各工程について更に説明する。
まず上述した工程（図７（ａ）−（ｇ））により得られたリードフレーム１５を、射出成形機またはトランスファ成形機（図示せず）の金型３５内に装着する（図８（ａ））。金型３５内には、反射樹脂部２３の形状に対応する空間３５ａが形成されている。
次に、射出成形機またはトランスファ成形機の樹脂供給部（図示せず）により金型３５内に熱硬化性樹脂を流し込み、その後硬化させることにより、リードフレーム１５表面のうち、ＬＥＤ素子載置領域１４以外の部分に反射樹脂部２３を形成する（図８（ｂ））。この際、ダイパッド２５とリード部２６との間の空間１７にも反射樹脂部２３を充填する。
次いで、反射樹脂部２３が形成されたリードフレーム１５を金型３５内から取り出す。このようにして、反射樹脂部２３とリードフレーム１５とが一体に形成された樹脂付リードフレーム１０（図３および図４）が得られる（図８（ｃ））。
半導体装置の製造方法
次に、図５および図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図９（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。
まず、上述した工程により（図７（ａ）−（ｇ）および図８（ａ）−（ｃ））、リードフレーム１５と、反射樹脂部２３とを備えた樹脂付リードフレーム１０を作製する（図９（ａ））。
次に、リードフレーム１５のダイパッド２５上にＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をリードフレーム１５のダイパッド２５上（アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２上）に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図９（ｂ））。
次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リードフレーム１５のリード部２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図９（ｃ））。
その後、反射樹脂部２３の凹部２３ａ内に封止樹脂２４を充填し、封止樹脂２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図９（ｄ））。
次に、各ＬＥＤ素子２１間の反射樹脂部２３をダイシングすることにより、リードフレーム１５を各ＬＥＤ素子２１毎に分離する（図９（ｅ））。この際、まずリードフレーム１５をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の反射樹脂部２３を垂直方向に切断する。
このようにして、図５および図６に示す半導体装置２０を得ることができる（図９（ｆ））。
本実施の形態の作用効果
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について、図１０を用いて説明する。図１０は、本実施の形態による半導体装置が配線基板上に配置されている状態を示す断面図である。
図１０に示すように、本実施の形態による半導体装置２０を配線基板４１上に配置する。このような配線基板４１は、基板本体４２と、基板本体４２上に形成された配線端子部４３、４４とを有している。このうち一方の配線端子部４３は、一方の接続はんだ部４５を介して、第１のアウターリード部２７に接続されている。また他方の配線端子部４４は、他方の接続はんだ部４６を介して、第２のアウターリード部２８に接続されている。
このようにして、半導体装置２０を配線基板４１上に配置するとともに、一対の配線端子部４３、４４間に電流を流した場合、ダイパッド２５上のＬＥＤ素子２１に電流が加わり、ＬＥＤ素子２１が点灯する。
この際、ＬＥＤ素子２１からの光は、封止樹脂２４を通過して封止樹脂２４の表面から放出され、または反射樹脂部２３の凹部２３ａの内壁２３ｂで反射することにより、封止樹脂２４の表面から放出される。あるいは、ＬＥＤ素子２１からの光は、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２の表面で反射することにより封止樹脂２４の表面から放出される。
本実施の形態においては、リードフレーム本体１１のＬＥＤ素子載置領域１４の表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けている。このことにより、ＬＥＤ素子２１からの光を効率的に反射させて、ＬＥＤ素子２１からの光の取出し効率を高めることができる。また、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を構成するアルミニウムは、空気中の硫化水素によって劣化することがないため、リードフレーム１５の経時劣化を防止することができる。
以上説明したように本実施の形態によれば、リードフレーム本体１１の各ＬＥＤ素子載置領域１４表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けている。このことにより、ＬＥＤ素子２１からの光を効率的に反射させて、ＬＥＤ素子２１からの光の取出し効率を高めるとともに、リードフレーム１５の経時劣化を防止することができる。
また本実施の形態によれば、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けたことにより、リードフレーム１５と封止樹脂２４との密着性を高めることができる。しかも、ボンディングワイヤ２２によるワイヤボンディング性やＬＥＤ素子２１のダイアタッチ性も良好に維持することができる。
銀めっき層からなる接合層を介してアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けた場合、ワイヤーボンディングされる部分には、薄いアルミを破って下地の銀（銀めっき層）とワイヤーとの合金も形成されるため、ボンディング性がさらに良くなり、ワイヤボンディング強度をより高くすることができる。
ワイヤーボンディングされる部分にアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けない場合、ワイヤーボンディングの際にアルミの酸化膜を破るエネルギーが不要となるため、ボンディング温度および超音波などの条件を緩和することが出来る。
ＬＥＤ素子２１を搭載する部分にアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けない場合、ダイパッド２５を介した放熱の経路が短くなり、結果として放熱性を向上させることが出来る。
例えば、銀めっき層からなる接合層を介してアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設け、かつワイヤーボンディングされる部分にはアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けない場合、従来と同様銀めっき層上に直接ワイヤーボンディングすることができるため、例えば金製のボンディングワイヤ２２との接合強度を高く保持することが出来る。
例えば、銀めっき層からなる接合層を介してアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設け、かつＬＥＤ素子２１を搭載する部分にアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けない場合、例えばＬＥＤ素子２１をはんだで接合する際に、その部分のはんだの濡れが良いため、はんだ内にボイドを発生させず、かつＬＥＤ素子２１の全面を確実に搭載することができる。
第２の実施の形態
次に、図１１乃至図１６を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図１１乃至図１６は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。図１１乃至図１６に示す第２の実施の形態は、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を、反射樹脂部２３の内壁２３ｂにも設けた点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１１乃至図１６において、図１乃至図１０に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
樹脂付リードフレームの構成
まず図１１および図１２により、本実施の形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。図１１および図１２は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す図である。
図１１および図１２に示すように、本実施の形態による樹脂付リードフレーム１０Ａは、リードフレーム１５と、反射樹脂部２３とを備えている。
このうちリードフレーム１５は、リードフレーム本体１１を有しており、リードフレーム本体１１は、複数のダイパッド２５と、各ダイパッド２５から離間して配置された複数のリード部２６とを有している。また、各ダイパッド２５および各リード部２６の表面には、ＬＥＤ素子載置領域１４が形成されている。一方、反射樹脂部２３は、リードフレーム本体１１の各ＬＥＤ素子載置領域１４を取り囲むように設けられている。
本実施の形態において、金属層（この場合はアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層）１２は、リードフレーム本体１１の各ＬＥＤ素子載置領域１４の表面に加え、更に反射樹脂部２３の内壁２３ｂにも設けられている。すなわちアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、ＬＥＤ素子載置領域１４の表面から反射樹脂部２３の内壁２３ｂに沿って連続的に延びている。なお、図１２において、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を斜線で表示している。ＬＥＤ素子載置領域１４の表面および反射樹脂部２３の内壁２３ｂに形成される金属層１２は、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層に限定されるものではなく、銀、ロジウム、パラジウム、白金、銅などの層からなっていても良い。
この場合、図３および図４に示す樹脂付リードフレーム１０と異なり、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、リードフレーム本体１１と反射樹脂部２３との間には設けられておらず、リードフレーム本体１１表面のうち各ＬＥＤ素子載置領域１４のみに設けられている。
また、図１２に示すように、ダイパッド２５とリード部２６とが短絡しないようにするため、反射樹脂部２３の内壁２３ｂのうち空間１７に隣接する部分には、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を設けないようにしている。
このほか、図１１および図１２に示す樹脂付リードフレーム１０Ａの構成は、図３および図４に示す樹脂付リードフレーム１０と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
なお、本実施の形態において、リードフレーム本体１１は、複数のダイパッド２５と、各ダイパッド２５から離間して配置された複数のリード部２６とを有しているが、これに限らず、リードフレーム本体１１が、ダイパッド２５およびリード部２６をそれぞれ１つ以上有していればよい。
図１７は、本実施の形態の一変形例による樹脂付リードフレーム１０Ａを示している。図１７に示す樹脂付リードフレーム１０Ａにおいて、反射樹脂部２３の上面２３ｃに、反射金属層５１が設けられている。反射金属層５１は、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層からなっていても良く、他の種類の金属層（例えば銀、ロジウム、パラジウム、白金、銅など）からなっていても良い。一般に、半導体装置２０が照明装置に組み込まれた際、ＬＥＤ素子２１から出た光の一部は照明装置内を反射し、半導体装置２０の上部に戻ることがあるが、このように反射金属層５１を設けたことにより、半導体装置２０の上部に戻った光が半導体装置２０に吸収されることを防止することが出来る。
図１８は、他の変形例による樹脂付リードフレーム１０Ａを示している。図１８に示す樹脂付リードフレーム１０Ａにおいて、図１７に示す形態と異なり、反射樹脂部２３の上面２３ｃのうち、ダイシング（図９（ｅ）参照）により切削される部分２３ｄには、反射金属層５１が設けられることなく、反射樹脂部２３が露出している。一方、反射樹脂部２３の上面２３ｃのうち、ダイシングにより切削される部分２３ｄ以外の領域には、反射金属層５１が設けられている。なお、反射樹脂部２３が露出する部分２３ｄは、反射樹脂部２３の上面２３ｃの略中央部分であっても良く、上面２３ｃの中央部分から水平方向にずれた位置であっても良い。この場合、ダイシング時の切削くずに、導電性の良いアルミ等の金属粉が含まれないため、切削後に残った金属異物によるショートを防ぐことが出来る。
図１９は、他の変形例による樹脂付リードフレーム１０Ａを示している。図１９に示す樹脂付リードフレーム１０Ａにおいて、図１７に示す形態と異なり、反射樹脂部２３の上面２３ｃの略中央部に、内方に向けて凹む凹部５２が形成されている。図１９において、凹部５２内の（底面５２ａを含む）全域に、反射金属層５１が設けられている。一般に、ダイシングにより切削された部分には反射金属層５１が存在しないため、この部分が光を吸収する性質がある。また、半導体装置２０が照明装置に組み込まれた際、ＬＥＤ素子２１から出た光の一部は、照明装置内を反射し、半導体装置２０の上部に戻ることがある。図１９において、光を吸収する領域（ダイシングにより切削される部分）を小さくしたことにより、半導体装置２０の上部に戻ってきた光が半導体装置２０に吸収されることを防止することが出来る。
図２０は、他の変形例による樹脂付リードフレーム１０Ａを示している。図２０に示す樹脂付リードフレーム１０Ａにおいて、図１９に示す形態と異なり、凹部５２のうち、ダイシング（図９（ｅ）参照）により切削される部分である底面５２ａには、反射金属層５１が設けられることなく、反射樹脂部２３が露出している。一方、凹部５２のうち底面５２ａ以外の領域には反射金属層５１が設けられている。この場合、半導体装置２０の上部に戻ってきた光が半導体装置２０に吸収されることを防止することが出来る。またダイシング時の切削くずに、導電性の良いアルミ等の金属粉が含まれないため、切削後に残った金属異物によるショートを防ぐことが出来る。
半導体装置の構成
次に、図１３および図１４により、図１１および図１２に示す樹脂付リードフレームを用いて作製された半導体装置について説明する。図１３および図１４は、半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す図である。
図１３および図１４に示すように、半導体装置２０Ａは、リードフレーム本体１１とアルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２とを有する（個片化された）リードフレーム１５と、リードフレーム１５のダイパッド２５上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１５のリード部２６とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように反射樹脂部２３が設けられている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂２４によって封止されている。
図１３および図１４において、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２は、リードフレーム本体１１の各ＬＥＤ素子載置領域１４の表面に加え、更に反射樹脂部２３の内壁２３ｂにも設けられている。なお、図１４において、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を斜線で表示している。
このほか、図１３および図１４に示す半導体装置２０Ａの構成は、図５および図６に示す半導体装置２０と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
樹脂付リードフレームの製造方法
次に、図１１および図１２に示す樹脂付リードフレーム１０Ａの製造方法について、図１５（ａ）−（ｆ）および図１６（ａ）−（ｄ）を用いて説明する。以下、上述した図７（ａ）−（ｇ）および図８（ａ）−（ｃ）に示す工程との相違点を中心に説明する。
まず、図７（ａ）−（ｅ）に示す工程と同様に、ダイパッド２５と、ダイパッド２５から離間して配置されたリード部２６とを有するリードフレーム本体１１を作製する（図１５（ａ）−（ｅ））。
次に、リードフレーム本体１１の裏面に電解めっきを施すことにより、第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８に、それぞれ銀めっき層２９を形成する。これによりリードフレーム１５が得られる（図１５（ｆ））。あるいは、このときリードフレーム本体１１の全面に銀めっきを施してもよい。
次に、リードフレーム本体１１の表面に反射樹脂部２３を形成することにより、リードフレーム１５と反射樹脂部２３とを一体に構成する（図１６（ａ）−（ｃ））。この反射樹脂部２３を形成する工程（図１６（ａ）−（ｃ））は、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を形成する前に反射樹脂部２３を形成している点を除き、上述した図８（ａ）−（ｃ）に示す工程と略同様である。
次に、リードフレーム本体１１のＬＥＤ素子載置領域１４と、反射樹脂部２３の内壁２３ｂとに、蒸着またはスパッタリングを施すことにより、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を形成する（図１６（ｄ））。このようにして、図１１および図１２に示す樹脂付リードフレーム１０Ａが得られる。
なお、このようにして得られた樹脂付リードフレーム１０Ａを用いて、図１３および図１４に示す半導体装置２０Ａを作製する方法は、上述した図９（ａ）−（ｆ）に示す方法と略同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
このように本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子２１からの光の取出し効率を高めるとともに、リードフレーム１５の経時劣化を防止することができる。
また、本実施の形態によれば、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２が反射樹脂部２３の内壁２３ｂにも設けられている。アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層１２を構成するアルミニウムは、ＬＥＤ素子２１からの紫外線によって劣化することがないので、反射樹脂部２３が紫外線によって経時劣化することを防止することができる。

Claims (12)

  1. 外枠と、前記外枠内に配置された複数のＬＥＤ素子載置部と、それぞれ各前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置された複数のリード部とを有するとともに、各前記ＬＥＤ素子載置部および各前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体と、
    前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲んで設けられた反射樹脂部とを備え、
    前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設け、
    各ＬＥＤ素子載置部および各リード部は、タイバーにより、隣接する他のＬＥＤ素子載置部、隣接する他のリード部、または前記外枠に連結され、
    前記アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層が前記タイバーにも設けられ、
    断面視において、前記タイバーは、前記反射樹脂部により上下方向から挟持されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。
  2. 外枠と、前記外枠内に配置されたＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置されたリード部とを有するとともに、前記ＬＥＤ素子載置部および前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体と、
    前記リードフレーム本体の前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲んで設けられた反射樹脂部とを備え、
    前記リードフレーム本体の前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設け、
    前記ＬＥＤ素子載置部および前記リード部は、タイバーにより前記外枠に連結され、
    前記アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層が前記タイバーにも設けられ、
    断面視において、前記タイバーは、前記反射樹脂部により上下方向から挟持されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。
  3. 前記アルミ蒸着層または前記アルミスパッタ層は、更に前記反射樹脂部の内壁にも設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂付リードフレーム。
  4. 前記リードフレーム本体の前記複数のＬＥＤ素子載置領域は、縦横に配置されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂付リードフレーム。
  5. 前記リードフレーム本体は、銅、銅合金、または４２合金からなり、前記リードフレーム本体のうち少なくとも前記ＬＥＤ素子載置領域の表面は、鏡面加工されて、当該ＬＥＤ素子載置領域の算術平均高さＳａが０．０１μｍ〜０．１０μｍとなり、粗さ曲線要素平均長さＳｍが２μｍ〜１８μｍとなる粗さを有することを特徴とする請求項１または２記載の樹脂付リードフレーム。
  6. 前記リードフレーム本体の前記ＬＥＤ素子載置部および前記リード部の裏面に、銀めっき層が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂付リードフレーム。
  7. 前記リードフレーム本体の表面に、前記リードフレーム本体と前記反射樹脂部との密着性を高める溝が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂付リードフレーム。
  8. 前記反射樹脂部の上面に、反射金属層が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂付リードフレーム。
  9. 前記反射樹脂部の上面のうちダイシングにより切削される部分は、前記反射樹脂部が露出していることを特徴とする請求項８記載の樹脂付リードフレーム。
  10. 前記反射樹脂部の上面に、内方に向けて凹む凹部が形成されていることを特徴とする請求項８記載の樹脂付リードフレーム。
  11. 樹脂付リードフレームの製造方法において、
    外枠と、前記外枠内に配置された複数のＬＥＤ素子載置部と、それぞれ各前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置された複数のリード部とを有するとともに、各前記ＬＥＤ素子載置部および各前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体を準備する工程と、
    前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域表面に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設ける工程と、
    前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲むように反射樹脂部を設ける工程とを備え、
    各ＬＥＤ素子載置部および各リード部は、タイバーにより、隣接する他のＬＥＤ素子載置部、隣接する他のリード部、または前記外枠に連結され、
    前記アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層が前記タイバーにも設けられ、
    断面視において、前記タイバーは、前記反射樹脂部により上下方向から挟持されていることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。
  12. 樹脂付リードフレームの製造方法において、
    外枠と、前記外枠内に配置された複数のＬＥＤ素子載置部と、それぞれ各前記ＬＥＤ素子載置部から離間して配置された複数のリード部とを有するとともに、各前記ＬＥＤ素子載置部および各前記リード部の表面にＬＥＤ素子載置領域が形成されたリードフレーム本体を準備する工程と、
    前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域を取り囲むように反射樹脂部を設ける工程と、
    前記リードフレーム本体の各前記ＬＥＤ素子載置領域表面および前記反射樹脂部の内壁に、アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層を設ける工程とを備え、
    各ＬＥＤ素子載置部および各リード部は、タイバーにより、隣接する他のＬＥＤ素子載置部、隣接する他のリード部、または前記外枠に連結され、
    前記アルミ蒸着層またはアルミスパッタ層が前記タイバーにも設けられ、
    断面視において、前記タイバーは、前記反射樹脂部により上下方向から挟持されていることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。
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