CN103348499B - 带树脂的引线框和其制造方法、以及引线框 - Google Patents

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Abstract

带树脂的引线框10具备引线框主体11，所述引线框主体11具有多个芯片座(LED元件载置部)25、和与各芯片座25分隔开而配置的多个引线部26，并且，在各芯片座25和各引线部26的表面上形成了LED元件载置区域14。以将引线框主体11的各LED元件载置区域14包围起来的方式设置了反射树脂部23。在引线框主体11的各LED元件载置区域14的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层12。

Description

带树脂的引线框和其制造方法、以及引线框
技术领域
本发明涉及用于载置LED元件的带树脂的引线框和其制造方法、以及引线框。
背景技术
近年来，光器件、特别是LED器件，作为手机电话的照明、液晶用背光源的用途不断扩大，最近其用途扩大到代替白炽灯的普通照明领域。但通常LED器件具有在相同器件内的光发出效率变动大的倾向。此外，要想将LED器件用于普通照明中，发光效率还相当低，必须在1个LED器件内安装多个LED元件。
作为这种LED器件的组件，存在以下类型：在玻璃环氧等的有机基板上搭载LED元件，进行引线接合，然后用环氧系的透明树脂密封，其后分成一个一个的片。或、在陶瓷基板上成型出由PPA等的白色树脂形成的反射板(反射树脂部)，然后在其上搭载LED元件，进行引线接合，然后用透明树脂密封，分成一个一个的片。或此外还有以下类型：在引线框上由PPA等的白色树脂成型出反射板，然后在其上搭载LED元件，进行引线接合，然后用透明树脂密封，分成一个一个的片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-136379号公报
如上所述，为了提高LED组件的光取出效率(光束)，作为用于搭载LED元件的基板，使用了在引线框上预先由合成树脂成型出反射板的基板。此外，一直以来，引线框，考虑到其反射效率，使用对其整个面实施镀银加工的引线框。但，根据构成反射板的合成树脂不同，有时LED元件发出的紫外线会造成反射板劣化、黄变，光取出效率时效性降低。此外，引线框的镀银存在以下问题：与空气中的硫化氢反应、随时间推移而变褐色。
本发明考虑到这些方面而完成，其目的在于提供含有LED元件的半导体装置中的、能够提高由LED元件发出的光的取出效率、并且防止引线框的时效劣化的带树脂的引线框、和其制造方法、以及引线框。
发明内容
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，具备引线框主体和反射树脂部，所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，所述反射树脂部以将所述引线框主体的各所述LED元件载置区域包围起来的方式而设置，在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，具备引线框主体和反射树脂部，所述引线框主体具有LED元件载置部、和与所述LED元件载置部分隔开而配置的引线部，并且，在所述LED元件载置部和所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，所述反射树脂部以将所述引线框主体的所述LED元件载置区域包围起来的方式而设置，在所述引线框主体的所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，所述铝蒸镀层或所述铝溅射层还设置在所述反射树脂部的内壁上。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，所述引线框主体的所述多个LED元件载置区域沿纵向和横向配置。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，所述引线框主体由铜、铜合金、或42合金构成，所述引线框主体中的至少所述LED元件载置区域的表面被镜面加工过，具有该LED元件载置区域的算术平均高度Sa为0.01μm～0.10μm、且粗糙度曲线要素平均长度Sm为2μm～18μm的粗糙度。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，在所述引线框主体的所述LED元件载置部和所述引线部的背面设置有银镀层。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，在所述引线框主体的表面上形成有用于提高所述引线框主体与所述反射树脂部的紧密附着性的槽。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，在所述反射树脂部的上面设置有反射金属层。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，在所述反射树脂部的上表面中的将要通过分割被切削的部分，所述反射树脂部露出来。
本发明是一种带树脂的引线框，其特征在于，在所述反射树脂部的上表面形成有向内凹入的凹部。
本发明是一种引线框，其特征在于，具备引线框主体，所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层。
本发明是一种引线框，其特征在于，具备引线框主体，所述引线框主体具有LED元件载置部、和与所述LED元件载置部分隔开而配置的引线部，并且，在所述LED元件载置部和所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，在所述引线框主体的所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层。
本发明是一种带树脂的引线框的制造方法，其特征在于，包含以下工序：准备引线框主体的工序，所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域；在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面上设置铝蒸镀层或铝溅射层的工序；以及、以将所述引线框主体的各所述LED元件载置区域包围起来的方式设置反射树脂部的工序。
本发明是一种带树脂的引线框的制造方法，其特征在于，包含以下工序：准备引线框主体的工序，所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，以将所述引线框主体的各所述LED元件载置区域包围起来的方式设置反射树脂部的工序，以及、在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面和所述反射树脂部的内壁上设置铝蒸镀层或铝溅射层的工序。
通过本发明，在引线框主体的各LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层。通过这样，能够使由LED元件发出的光有效地反射，提高由LED元件发出的光的取出效率，并且防止引线框的时效劣化。
附图说明
图1是显示本发明的第1实施方式的引线框的截面图(图2的I-I线截面图)。
图2是显示本发明的第1实施方式的引线框的俯视图。
图3是显示本发明的第1实施方式的带树脂的引线框的截面图(图4的III-III线截面图)。
图4是显示本发明的第1实施方式的带树脂的引线框的俯视图。
图5是显示本发明的第1实施方式的半导体装置的截面图(图6的V-V线截面图)。
图6是显示本发明的第1实施方式的半导体装置的俯视图。
图7(a)-(g)是显示本发明的第1实施方式的引线框的制造方法的图。
图8(a)-(c)是显示本发明的第1实施方式的带树脂的引线框的制造方法的图。
图9(a)-(f)是显示本发明的第1实施方式的半导体装置的制造方法的截面图。
图10是显示在配线基板上配置半导体装置的状态的截面图。
图11是显示本发明的第2实施方式的带树脂的引线框的截面图(图12的XI-XI线截面图)。
图12是显示本发明的第2实施方式的带树脂的引线框的俯视图。
图13是显示本发明的第2实施方式的半导体装置的截面图(图14的XIII-XIII线截面图)。
图14是显示本发明的第2实施方式的半导体装置的俯视图。
图15(a)-(f)是显示本发明的第2实施方式的引线框的制造方法的图。
图16(a)-(d)是显示本发明的第2实施方式的带树脂的引线框的制造方法的图。
图17是显示本发明的第2实施方式的带树脂的引线框的变形例的截面图。
图18是显示本发明的第2实施方式的带树脂的引线框的变形例的截面图。
图19是显示本发明的第2实施方式的带树脂的引线框的变形例的截面图。
图20是显示本发明的第2实施方式的带树脂的引线框的变形例的截面图。
具体实施方式
第1实施方式
下面参照图1～图10来的说明本发明的第1实施方式。
引线框的构造
首先，通过图1和图2来对本实施方式的LED元件用的引线框的概略情况予以说明。图1和图2是显示本实施方式的引线框的图。
图1和图2所示的引线框15具备引线框主体11和金属层12，所述引线框主体11具有多个LED元件载置区域14，所述金属层12设置在引线框主体11的各LED元件载置区域14的表面上，发挥将由LED元件21发出的光进行反射的反射层功能。
其中，引线框主体11由金属板制成。作为构成引线框主体11的金属板的材料可以列举出例如铜、铜合金、42合金(即、含42%Ni的Fe合金)等。该引线框主体11的厚度根据半导体装置的构造而异，但优选为0.1mm～0.5mm。
此外，如图2所示，引线框主体11具有外框13，多个LED元件载置区域14在该外框13内沿纵向和横向配置。此外、引线框主体11具有多个芯片座(LED元件载置部)25、和与各芯片座25分隔开而配置的多个引线部26，各LED元件载置区域14在各自的芯片座25和引线部26上形成。在芯片座25和引线部26之间形成有用于填充反射树脂部23的空间17。此外、各芯片座25和各引线部26分别通过棒状的连接杆16与相邻的其它芯片座25、相邻的其它引线部26、或外框13连接。
如图1所示，在芯片座25的背面形成有第1外引线部27，在引线部26的背面形成有第2外引线部28。这些第1外引线部27和第2外引线部28上分别设置了用于提高与焊料的接触性的银镀层29。需说明的是，镀层29的厚度优选设定在2μm～10μm。
另一方面，金属层12也可以通过例如蒸镀或溅射形成，作为其材料，可以列举出铝、银、铑、钯、铂、铜等。下面，以金属层12为铝蒸镀层或铝溅射层的情况为例进行说明(下文中也简称作“铝蒸镀层”或“铝溅射层12”)。该铝蒸镀层或铝溅射层12发挥将由LED元件21发出的光进行反射的反射层功能，位于引线框15的最表面侧。该铝蒸镀层或铝溅射层12是由铝(Al)通过蒸镀或溅射形成的。铝蒸镀层或铝溅射层12，其厚度形成地极薄，具体优选为0.1μm～1μm。需说明的是，铝蒸镀层或铝溅射层12可以在引线框主体11上直接形成，但也可以例如介由由银(Ag)镀层构成的接合层在引线框主体11上形成。
此外，虽然在本实施方式中，铝蒸镀层或铝溅射层12设置在包含外框13和连接杆16的引线框主体11的所有表面上，但只要至少在引线框主体11表面上的各LED元件载置区域14上设置即可。换而言之，这是由于，LED元件载置区域14是引线框主体11中的不被反射树脂部23(后面将讲述)覆盖的区域，是有助于将由LED元件21发出的光进行反射的区域。
例如，在引线框主体11表面上，也可以在将要进行引线接合的部分不设置铝蒸镀层或铝溅射层12。
此外，例如，也可以在引线框主体11表面上的将要搭载LED元件21的部分不设置铝蒸镀层或铝溅射层12。
此外，例如，也可以在引线框主体11表面上介由由银镀层形成的接合层(图中未示出)设置铝蒸镀层或铝溅射层12，且在引线框主体11表面上的将要进行引线接合的部分上不设置铝蒸镀层或铝溅射层12。
进而此外，也可以例如，在引线框主体11表面上介由由银镀层形成的接合层(图中未示出)设置铝蒸镀层或铝溅射层12，且在引线框主体11表面上的将要搭载LED元件21的部分不设置铝蒸镀层或铝溅射层12。
此外，优选引线框主体11中的至少各LED元件载置区域14的表面，在设置铝蒸镀层或铝溅射层12前预先进行镜面加工。这种情况中、各LED元件载置区域14的表面粗糙度优选为：使用菱化システム公司制非接触表面·层截面形状计测体系VertScan2.0测定出的LED元件载置区域14的算术平均高度Sa为0.01μm～0.10μm、粗糙度曲线要素平均长度Sm为2μm～18μm。通过这样，能够提高在各LED元件载置区域14的表面上形成的铝蒸镀层或铝溅射层12的反射率，更有效地反射由LED元件21发出的光。
进而，在引线框主体11的表面上形成有用于提高引线框主体11与反射树脂部23的紧密附着性的槽18。该槽18(除空间17以外)具有平面矩形形状，其沿着引线框主体11表面上的LED元件载置区域14的外周缘而设置。
需说明的是，图2中，符号S(双点划线)表示引线框15中的与后述半导体装置20(图5和图6)相对应的区域。
需说明的是，本实施方式中，引线框主体11具有多个芯片座25、和与各芯片座25分隔开而配置的多个引线部26，但并不限于此，只要引线框主体11具有芯片座25和引线部26各1个以上即可。
带树脂的引线框的构造
接下来，通过图3和图4来对本实施方式的LED元件用的带树脂的引线框的概略情况予以说明。图3和图4是显示本实施方式的带树脂的引线框的图。需说明的是，图3和图4中，对与图1和图2相同的部分标记相同的符号。
图3和图4所示的带树脂的引线框10是为了载置LED元件21(参照图5和图6)而使用的。这种带树脂的引线框10具备引线框15、和设置在引线框15上的将LED元件载置区域14包围起来的反射树脂部23。
其中的引线框15具有引线框主体11，该引线框主体11具有多个芯片座25、和与各芯片座25分隔开而配置的多个引线部26。各芯片座25和各引线部26的表面上形成有LED元件载置区域14。此外，在引线框主体11的各LED元件载置区域14的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层12。图4中，以斜线表示该铝蒸镀层或铝溅射层12。需说明的是，引线框15的构造与上述图1和图2所示的构造同样，所以这里省略了具体说明。
另一方面，反射树脂部23与引线框15一体化形成，具有将LED元件21包围起来的平面为大致矩形形状的凹部23a。此外，在凹部23a的内侧形成内壁23b。此外，在芯片座25和引线部26之间的空间17填充有反射树脂部23。需说明的是，反射树脂部23的详情将在后面叙述。
需说明的是，本实施方式中，引线框主体11具有多个芯片座25、和与各芯片座25分隔开而配置的多个引线部26，但并不限于这样，只要引线框主体11具有芯片座25和引线部26各1个以上即可。
半导体装置的构造
接下来，通过图5和图6来对使用图2和图3所示的带树脂的引线框制作出的半导体装置予以说明。图5和图6是显示本实施方式的半导体装置(SON型)的图。需说明的是，图5和图6中，对与图1～图4相同的部分使用相同符号。
如图5和图6所示，半导体装置20具备具有引线框主体11和铝蒸镀层或铝溅射层12的(被分成一个一个的片)引线框15、载置在引线框15的芯片座25上的LED元件21、和将引线框15的引线部26和LED元件21电连接的接合线(导电部)22。需说明的是，图6中，以斜线表示铝蒸镀层或铝溅射层12。
此外，以将LED元件21包围起来的方式设置了具有凹部23a的反射树脂部23。进而，LED元件21和接合线22被透光性的密封树脂24密封。该密封树脂24填充在反射树脂部23的凹部23a内。需说明的是，引线框主体11表面上的设置密封树脂24的区域对应于上述LED元件载置区域14。
下面对构成半导体装置20的各构成部件依次予以说明。
引线框15如上所述，具备具有芯片座25和引线部26的引线框主体11、和设置在引线框主体11上的、用于发挥将由LED元件21发出的光进行反射的反射层功能的铝蒸镀层或铝溅射层12。
另一方面，LED元件21，通过适当选择由例如GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP、或InGaN等的化合物半导体单晶形成的材料作为发光层，能够选择从紫外光到红外光的发光波长。作为这种LED元件21可以使用以往通常使用的LED元件。
此外LED元件21，借助焊料或芯片粘合糊固定安装在反射树脂部23的凹部23a内的芯片座25上(铝蒸镀层或铝溅射层12上)。需说明的是，在使用芯片粘合糊时，可以选择由具有耐光性的环氧树脂或硅氧烷树脂形成的芯片粘合糊。
接合线22由例如金等导电性好的材料形成，其一端与LED元件21的端子部21a连接，同时另一端连接在引线框主体11的引线部26表面上(铝蒸镀层或铝溅射层12上)。
反射树脂部23通过例如在带树脂的引线框10上将热塑性树脂进行例如注射成型，或将热固性树脂进行例如注射成型或传递成型而形成。反射树脂部23的形状，能够通过注射成型或传递成型中使用模具的设计来以各种各样的形状实现。例如，可以使反射树脂部23的整体形状如图5和图6所示、形成长方体，或形成圆筒形或锥形等形状。此外凹部23a的底面可以形成为矩形、圆形、椭圆形或多角形等。凹部23a的内壁23b的截面形状既可以如图5那样由直线构成，也可以由曲线构成。
反射树脂部23中使用的热塑性树脂或热固性树脂，尤其是选择耐热性、耐气候性和机械强度优异的为宜。作为热塑性树脂的种类，可以使用聚酰胺、聚邻苯二酰胺(PPA)、聚苯硫醚、液晶聚合物、聚醚砜、聚醚酰亚胺和聚对苯二甲酸丁二酯、聚烯烃、环聚烯烃等、作为热固性树脂可以使用硅氧烷树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等。此外，通过在这些树脂中进而添加作为光反射剂的二氧化钛、二氧化锆、钛酸钾、氮化铝和氮化硼中的任一种，能够增大凹部23a的底面和内壁23b上的由发光元件发出的光的反射率，增大半导体装置20整体的光取出效率。
作为密封树脂24，为了提高光的取出效率，选择相对于半导体装置20的发光波长、光透射率高、且折射率高的材料为宜。因此，作为满足耐热性、耐气候性、和机械强度高这些特性的树脂，可以选择环氧树脂、硅氧烷树脂。特别是，在作为LED元件21使用高亮度LED时，由于密封树脂24被暴露在强光下，所以优选密封树脂24由具有高耐气候性的硅氧烷树脂形成。
引线框和带树脂的引线框的制造方法
接下来，使用图7(a)-(g)和图8(a)-(c)来说明图1和图2所示的引线框15、以及图3和图4所示的带树脂的引线框10的制造方法。
首先，如图7(a)所示，准备平板状的金属基板31。作为该金属基板31，可以使用上述那样的由铜、铜合金、或42合金(即、含42%Ni的Fe合金)等形成的金属基板。此外，金属基板31优选使用对其两面进行脱脂等处理、并实施清洗处理的金属基板。
此外，优选对金属基板31的表面31a预先进行镜面加工，使其算术平均高度Sa为0.01μm～0.1μm、且粗糙度曲线要素平均长度Sm为2μm～18μm。需说明的是，作为这种镜面加工，可以列举出例如在材料的最终辊轧时使用镜面加工辊轧辊，或、进行两面镜面镀铜加工。
接下来，在金属基板31的整个正面和背面上分别涂布感光性抗蚀剂32a、33a，将其干燥(图7(b))。再者，作为感光性抗蚀剂32a、33a可以使用以往公知的。
接着，隔着光掩模对该金属基板31进行曝光，然后显影，由此形成具有所希望的开口部32b、33b的蚀刻用抗蚀剂层32、33(图7(c))。
接下来，以蚀刻用抗蚀剂层32、33作为耐腐蚀膜，用腐蚀液对金属基板31实施蚀刻(图7(d))。腐蚀液可以按照所使用的金属基板31的材质来适当选择，例如，在作为金属基板31使用铜时，通常、可以使用氯化铁水溶液，通过喷雾蚀刻从金属基板31的两面进行蚀刻。
接下来，剥离除去蚀刻用抗蚀剂层32、33。通过这样，就得到了具有芯片座25、和与芯片座25分隔开的引线部26的引线框主体11(图7(e))。此外，此时通过半蚀刻在引线框主体11的表面上形成槽18。
接下来，通过对引线框主体11的背面实施电解镀，使金属(银)在第1外引线部27和第2外引线部28上析出，形成能够提高与焊料的接触性的银镀层29(图7(f))。这种情况中，通过依次经历例如电解脱脂工序、酸洗工序、化学研磨工序、打底镀铜工序、水洗工序、中性脱脂工序、氰化物清洗工序、和镀银工序，从而在第1外引线部27和第2外引线部28上形成银镀层29。作为该电解镀用的镀液，可以列举出例如以氰化银作为主成分的银镀液。在实际的工序中，在各工序间可以根据需要适当地加入水洗工序。
接下来，通过对引线框主体11的表面实施蒸镀或溅射，使铝附着在引线框主体11上。通过这样，能够使包含LED元件载置区域14在内的引线框主体11的所有表面上形成发挥反射层功能的铝蒸镀层或铝溅射层12(图7(g))。
铝蒸镀层或铝溅射层的形成，具体地说，但不局限于这样，在蒸镀的情形、能够以真空达到度9×10-6torr、速率1.5nm/秒这样的条件在引线框主体11上形成铝蒸镀层12。此外，在溅射的情形、能够以真空达到度4×10-6torr、成膜真空度5×10-3torr、功率900W(靶尺寸5英寸×18英寸的情形)的条件在引线框主体11上形成铝溅射层12。
通过这样，得到了具有引线框主体11和在引线框主体11上形成的铝蒸镀层或铝溅射层12的引线框15(图7(g))。
接下来，在引线框15的铝蒸镀层或铝溅射层12上形成反射树脂部23。在下文中，进一步对这些各工序进行说明。
首先将通过上述工序(图7(a)-(g))得到的引线框15安装到注射成型机或传递成型机(图中未示出)的模具35内(图8(a))。在模具35内形成有与反射树脂部23的形状相对应的空间35a。
接下来，通过注射成型机或传递成型机的树脂供给部(图中未示出)向模具35内注入热固性树脂，然后使其固化，由此在引线框15表面上的LED元件载置区域14以外的部分形成反射树脂部23(图8(b))。此时向芯片座25和引线部26之间的空间17也填充反射树脂部23。
接下来，将形成有反射树脂部23的引线框15从模具35内取出。这样就得到了反射树脂部23和引线框15形成一体的带树脂的引线框10(图3和图4)(图8(c))。
半导体装置的制造方法
接下来，使用图9(a)-(f)来对图5和图6所示的半导体装置20的制造方法予以说明。
首先、通过上述工序(图7(a)-(g)和图8(a)-(c))来制作具备引线框15和反射树脂部23的带树脂的引线框10(图9(a))。
接下来，在引线框15的芯片座25上搭载LED元件21。这种情况中、使用焊料或芯片粘合糊将LED元件21载置、固定在引线框15的芯片座25上(铝蒸镀层或铝溅射层12上)(芯片接合工序)(图9(b))。
接下来，借助接合线22将LED元件21的端子部21a、和引线框15的引线部26的表面彼此电连接(引线连接工序)(图9(c))。
然后，向反射树脂部23的凹部23a内填充密封树脂24，通过密封树脂24将LED元件21和接合线22密封(图9(d))。
接下来，通过对各LED元件21间的反射树脂部23进行分割，按照各LED元件21将引线框15进行分离(图9(e))。此时，首先将引线框15载置、固定在分割带37上，然后，例如通过由金刚石磨石等制成的刀片38将各LED元件21间的反射树脂部23沿着垂直方向切断。
通过这样能够得到图5和图6所示的半导体装置20。
本实施方式的作用效果
接下来，使用图10来说明具有这种构造的本实施方式的作用。图10显示的是本实施方式的半导体装置配置在配线基板上的状态的截面图。
如图10所示，将本实施方式的半导体装置20配置在配线基板41上。这种配线基板41具有基板主体42和在基板主体42上形成的配线端子部43、44。其中一个配线端子部43介由一个连接焊料部45与第1外引线部27连接。此外另一配线端子部44介由另一连接焊料部46与第2外引线部28连接。
在将半导体装置20如此配置在配线基板41上、并且在一对配线端子部43、44间通电流时，芯片座25上的LED元件21被通电，LED元件21亮灯。
此时，由LED元件21发出的光透过密封树脂24，由密封树脂24的表面放出，或通过被反射树脂部23的凹部23a的内壁23b反射，从而从密封树脂24的表面放出。或、由LED元件21发出的光通过被铝蒸镀层或铝溅射层12的表面反射，而从密封树脂24的表面放出。
本实施方式中，在引线框主体11的LED元件载置区域14的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层12。通过这样，能够使由LED元件21发出的光有效地被反射，提高由LED元件21发出的光的取出效率。此外，构成铝蒸镀层或铝溅射层12的铝不会因空气中的硫化氢而发生劣化，所以能够防止引线框15的时效劣化。
如以上说明那样，通过本实施方式，在引线框主体11的各LED元件载置区域14表面上设置了铝蒸镀层或铝溅射层12。通过这样，能够使由LED元件21发出的光有效地被反射，提高由LED元件21发出的光的取出效率，并且，防止引线框15的时效劣化。
此外，本实施方式，通过设置铝蒸镀层或铝溅射层12，能够提高引线框15和密封树脂24的紧密附着性。而且、接合线22的引线连接性和LED元件21的芯片接合性也能够保持良好。
在介由由银镀层形成的接合层设置铝蒸镀层或铝溅射层12时，在进行引线接合的部分，打破薄薄的铝而形成了基底的银(银镀层)和引线的合金，所以焊接性变得更好，能够进一步提高引线连接强度。
当在进行引线接合的部分未设置铝蒸镀层或铝溅射层12时，在引线接合之际就不需要用于打破铝的氧化膜的能量，所以能够使焊接温度和超声波等的条件变缓和。
在搭载LED元件21的部分上不设置铝蒸镀层或铝溅射层12时，介由芯片座25释放热量的路径变短，结果能够提高放热性。
例如，在介由由银镀层形成的接合层设置铝蒸镀层或铝溅射层12、且在将要进行引线接合的部分上不设置铝蒸镀层或铝溅射层12的情形，与以往同样、可以在银镀层上直接接合引线，所以与例如金制的接合线22的接合强度能够保持较高。
例如，在介由由银镀层形成的接合层设置铝蒸镀层或铝溅射层12、且在将要搭载LED元件21的部分上不设置铝蒸镀层或铝溅射层12的情形，例如在通过焊料接合LED元件21之际，该部分的焊料润湿性良好，所以不会在焊料内产生孔隙，能够切实地搭载LED元件21的整个面。
第2实施方式
接下来，参照图11～图16来对本发明的第2实施方式予以说明。图11～图16是显示本发明的第2实施方式的图。图11～图16所示的第2实施方式，将铝蒸镀层或铝溅射层12还设置在反射树脂部23的内壁23b上，这一点不同，其它构造与上述第1实施方式基本相同。图11～图16中，对与图1～图10所示的实施方式中相同的部分使用相同的符号，并省略对其具体说明。
带树脂的引线框的构造
首先通过图11和图12来对本实施方式的带树脂的引线框的概略情况予以说明。图11和图12是显示本实施方式的带树脂的引线框的图。
如图11和图12所示，本实施方式的带树脂的引线框10A具备引线框15和反射树脂部23。
其中的引线框15具有引线框主体11，引线框主体11具有多个芯片座25、和与各芯片座25分隔开而配置的多个引线部26。此外，在各芯片座25和各引线部26的表面上形成有LED元件载置区域14。另一方面，反射树脂部23以将引线框主体11的各LED元件载置区域14包围起来的方式设置。
本实施方式中，金属层(这种情形是铝蒸镀层或铝溅射层)12，除了设置在引线框主体11的各LED元件载置区域14的表面以外，还设置在反射树脂部23的内壁23b上。即铝蒸镀层或铝溅射层12从LED元件载置区域14的表面沿着反射树脂部23的内壁23b连续延伸。需说明的是，图12中，以斜线表示铝蒸镀层或铝溅射层12。在LED元件载置区域14的表面和反射树脂部23的内壁23b上形成的金属层12并不局限于铝蒸镀层或铝溅射层，还还可以由银、铑、钯、铂、铜等的层形成。
这种情形、与图3和图4所示的带树脂的引线框10不同，铝蒸镀层或铝溅射层12没有设置在引线框主体11和反射树脂部23之间，仅设置在引线框主体11表面上的各LED元件载置区域14上。
此外，如图12所示，为了使芯片座25和引线部26之间不短路，在反射树脂部23的内壁23b中的与空间17相邻的部分不设置铝蒸镀层或铝溅射层12。
除此以外，图11和图12所示的带树脂的引线框10A的构造与图3和图4所示的带树脂的引线框10大致相同，所以这里省略了具体说明。
需说明的是，本实施方式中，引线框主体11具有多个芯片座25、和与各芯片座25分隔开而配置的多个引线部26，但并不局限于这样，只要引线框主体11具有芯片座25和引线部26各1个以上即可。
图17显示的是本实施方式的一变形例的带树脂的引线框10A。在图17所示的带树脂的引线框10A中，在反射树脂部23的上表面23c设置有反射金属层51。反射金属层51可以由铝蒸镀层或铝溅射层构成，也可以由其它种类的金属层(例如银、铑、钯、铂、铜等)构成。通常，在半导体装置20被组装到照明装置之际，有时由LED元件21发出的光的一部分在照明装置内反射，返回到半导体装置20的上部，但通过这样设置反射金属层51，能够防止返回到半导体装置20的上部的光被半导体装置20吸收。
图18显示的是另一变形例的带树脂的引线框10A。图18所示的带树脂的引线框10A，与图17所示的形态不同，在反射树脂部23的上表面23c中的、将要通过分割(图9(e)参照)被切削的部分23d上不设置反射金属层51，使反射树脂部23露出。另一方面，在反射树脂部23的上表面23c中的、通过分割被切削的部分23d以外的区域上设置有反射金属层51。需说明的是，露出反射树脂部23的部分23d，既可以是反射树脂部23的上表面23c的大致中央部分，也可以是沿着水平方向从上表面23c的中央部分偏移的位置。这种情况中、分割时的切削屑中不含有导电性好的铝等的金属粉，所以能够防止切削后残留的金属异物造成短路。
图19显示的是另一变形例的带树脂的引线框10A。图19所示的带树脂的引线框10A，与图17所示的形态不同，在反射树脂部23的上表面23c的大致中央部上形成向内凹入的凹部52。图19中，在凹部52内的(包括底面52a)所有区域设置有反射金属层51。通常、由于在通过分割被切削的部分不存在反射金属层51，所以该部分具有可吸收光的性质。此外，在将半导体装置20组装到照明装置之际，由LED元件21发出的光的一部分有时会在照明装置内反射，返回到半导体装置20的上部。图19中，通过使可吸收光的区域(将要通过分割被切削的部分)变小，能够防止返回到半导体装置20的上部的光被半导体装置20吸收。
图20显示出另一变形例的带树脂的引线框10A。图20所示的带树脂的引线框10A，与图19所示的形态不同，在凹部52中，在作为将会通过分割(图9(e)参照)被切削的部分的底面52a上不设置反射金属层51，使反射树脂部23露出。另一方面，在凹部52中的底面52a以外的区域上设置反射金属层51。这种情况中、能够防止返回到半导体装置20的上部的光被半导体装置20吸收。此外、由于在分割时的切削屑中不含有导电性好的铝等的金属粉，所以能够防止切削后残留的金属异物造成短路。
半导体装置的构造
接下来，通过图13和图14来对使用图11和图12所示的带树脂的引线框制作出的半导体装置予以说明。图13和图14是显示半导体装置(SON型)的图。
如图13和图14所示，半导体装置20A具备：具有引线框主体11、和铝蒸镀层或铝溅射层12的(被分成一个一个的片的)引线框15，载置在引线框15的芯片座25上的LED元件21，以及将引线框15的引线部26和LED元件21电连接的接合线(导电部)22。
此外，以将LED元件21包围起来的方式还设置有反射树脂部23。进而，LED元件21和接合线22被透光性的密封树脂24密封。
图13和图14中，铝蒸镀层或铝溅射层12除了设置在引线框主体11的各LED元件载置区域14的表面以外，还设置在反射树脂部23的内壁23b上。需说明的是，图14中以斜线表示铝蒸镀层或铝溅射层12。
此外，由于图13和图14所示的半导体装置20A的构造与图5和图6所示半导体装置20大致相同，所以这里省略了对其具体说明。
带树脂的引线框的制造方法
接下来，使用图15(a)-(f)和图16(a)-(d)来对图11和图12所示的带树脂的引线框10A的制造方法进行说明。在下文中，以上述图7(a)-(g)和图8(a)-(c)所示工序的区别点为中心进行说明。
首先、与图7(a)-(e)所示工序同样，制作具有芯片座25、和与芯片座25分隔开而配置的引线部26的引线框主体11(图15(a)-(e))。
接下来，通过对引线框主体11的背面实施电解镀，来在第1外引线部27和第2外引线部28上分别形成银镀层29。通过这样就得到了引线框15(图15(f))。或、此时也可以对引线框主体11的整个面实施镀银。
接下来，在引线框主体11的表面形成反射树脂部23，从而使引线框15和反射树脂部23构成一体(图16(a)-(c))。形成该反射树脂部23的工序(图16(a)-(c))，除了在形成铝蒸镀层或铝溅射层12之前形成反射树脂部23这一点以外，与上述图8(a)-(c)所示工序大致相同。
接下来，通过蒸镀或溅射在引线框主体11的LED元件载置区域14、和反射树脂部23的内壁23b上形成铝蒸镀层或铝溅射层12(图16(d))。这样就得到了图11和图12所示的带树脂的引线框10A。
需说明的是，使用这样得到的带树脂的引线框10A制作图13和图14所示的半导体装置20A的方法，与上述图9(a)-(f)所示的方法基本相同，所以这里省略了具体说明。
像这样，通过本实施方式能够提高由LED元件21发出的光的取出效率，并且，能够防止引线框15的时效劣化。
此外，通过本实施方式，铝蒸镀层或铝溅射层12还设置在反射树脂部23的内壁23b上。由于构成铝蒸镀层或铝溅射层12的铝不会通过由LED元件21发出的紫外线发生劣化，所以能够防止反射树脂部23通过紫外线发生时效劣化。

Claims (13)

1.一种带树脂的引线框，其特征在于，具备引线框主体和反射树脂部，
所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，
所述反射树脂部以将所述引线框主体的各所述LED元件载置区域包围起来的方式而设置，
在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层，
在所述引线框主体的表面上形成有用于提高所述引线框主体与所述反射树脂部的紧密附着性的槽，
所述槽形成在所述LED元件载置部和所述引线部这两者上。
2.一种带树脂的引线框，其特征在于，具备引线框主体和反射树脂部，
所述引线框主体具有LED元件载置部、和与所述LED元件载置部分隔开而配置的引线部，并且，在所述LED元件载置部和所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，
所述反射树脂部以将所述引线框主体的所述LED元件载置区域包围起来的方式而设置，
在所述引线框主体的所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层，
在所述引线框主体的表面上形成有用于提高所述引线框主体与所述反射树脂部的紧密附着性的槽，
所述槽形成在所述LED元件载置部和所述引线部这两者上。
3.如权利要求1或2所述的带树脂的引线框，其特征在于，所述铝蒸镀层或所述铝溅射层还设置在所述反射树脂部的内壁上。
4.如权利要求1或2所述的带树脂的引线框，其特征在于，所述槽沿着引线框主体表面中的LED元件载置区域的外周缘而设置。
5.如权利要求1或2所述的带树脂的引线框，其特征在于，所述引线框主体由铜、铜合金、或42合金构成，所述引线框主体中的至少所述LED元件载置区域的表面被镜面加工过，而具有该LED元件载置区域的算术平均高度Sa为0.01μm～0.10μm、且粗糙度曲线要素平均长度Sm为2μm～18μm的粗糙度。
6.如权利要求1或2所述的带树脂的引线框，其特征在于，在所述引线框主体的所述LED元件载置部和所述引线部的背面设置有银镀层。
7.如权利要求1或2所述的带树脂的引线框，其特征在于，在所述反射树脂部的上面设置有反射金属层。
8.如权利要求7所述的带树脂的引线框，其特征在于，所述反射树脂部的上表面中的将要通过分割被切削的部分为，所述反射树脂部露出来的。
9.如权利要求7所述的带树脂的引线框，其特征在于，在所述反射树脂部的上表面形成有向内凹入的凹部。
10.一种引线框，其特征在于，具备引线框主体，所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，
在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层，
在所述引线框主体的表面上形成有用于提高所述引线框主体与反射树脂部的紧密附着性的槽，
所述槽形成在所述LED元件载置部和所述引线部这两者上。
11.一种引线框，其特征在于，具备引线框主体，所述引线框主体具有LED元件载置部、和与所述LED元件载置部分隔开而配置的引线部，并且，在所述LED元件载置部和所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，
在所述引线框主体的所述LED元件载置区域的表面上设置有铝蒸镀层或铝溅射层，
在所述引线框主体的表面上形成有用于提高所述引线框主体与反射树脂部的紧密附着性的槽，
所述槽形成在所述LED元件载置部和所述引线部这两者上。
12.一种带树脂的引线框的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
准备引线框主体的工序，所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域；
在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面上设置铝蒸镀层或铝溅射层的工序；以及
以将所述引线框主体的各所述LED元件载置区域包围起来的方式设置反射树脂部的工序，
在所述引线框主体的表面上形成有用于提高所述引线框主体与所述反射树脂部的紧密附着性的槽，
所述槽形成在所述LED元件载置部和所述引线部这两者上。
13.一种带树脂的引线框的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
准备引线框主体的工序，所述引线框主体具有多个LED元件载置部、和分别与各所述LED元件载置部分隔开而配置的多个引线部，并且，在各所述LED元件载置部和各所述引线部的表面上形成有LED元件载置区域，
以将所述引线框主体的各所述LED元件载置区域包围起来的方式设置反射树脂部的工序，以及
在所述引线框主体的各所述LED元件载置区域的表面上和所述反射树脂部的内壁上设置铝蒸镀层或铝溅射层的工序，
在所述引线框主体的表面上形成有用于提高所述引线框主体与所述反射树脂部的紧密附着性的槽，
所述槽形成在所述LED元件载置部和所述引线部这两者上。
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