KR20130140097A - 수지 부착 리드 프레임 및 그 제조 방법, 및 리드 프레임 - Google Patents

수지 부착 리드 프레임 및 그 제조 방법, 및 리드 프레임 Download PDF

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Abstract

본 발명의 수지 부착 리드 프레임(10)은 복수의 다이패드(LED 소자 적재부)(25)와, 각 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부(26)를 갖는 동시에, 각 다이패드(25) 및 각 리드부(26)의 표면에 LED 소자 적재 영역(14)이 형성된 리드 프레임 본체(11)를 구비하고 있다. 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14)을 둘러싸도록 반사 수지부(23)가 설치되어 있다. 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14) 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)이 설치되어 있다.

Description

수지 부착 리드 프레임 및 그 제조 방법, 및 리드 프레임 {RESIN-ATTACHED LEAD FRAME, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND LEAD FRAME}
본 발명은 LED 소자를 적재하기 위하여 사용되는 수지 부착 리드 프레임 및 그 제조 방법, 및 리드 프레임에 관한 것이다.
최근, 광 디바이스, 특히 LED 디바이스는 휴대 전화의 조명이나 액정용 백라이트로서 용도를 확대하고 있으며, 최근에는 백열구를 대신하는 일반 조명 분야까지 그 용도는 확대되고 있다. 그러나 일반적으로, LED 디바이스는 동일 웨이퍼 내의 광 발행 효율의 편차가 큰 경향이 있다. 또한, LED 디바이스를 일반 조명에 사용하기 위해서는 발광 효율이 아직도 낮아, 1개의 LED 디바이스 내에 복수개의 LED 소자를 탑재해야만 한다.
이러한 LED 디바이스의 패키징으로서는, 유리 에폭시 등의 유기 기판에 LED 소자를 탑재하고, 와이어 본딩한 후, 에폭시계의 투명 수지로 밀봉하고, 그 후 개편화한 것이 존재한다. 또는, 세라믹 기판 위에 PPA 등의 백색 수지를 포함하여 이루어지는 반사판(반사 수지부)을 성형하고, 그 후 이에 LED 소자를 탑재하고, 와이어 본딩한 후, 투명 수지로 밀봉하고, 개편화하는 것도 존재한다. 또는, 리드 프레임 위에 PPA 등의 백색 수지로 반사판을 성형하고, 그 후 이것에 LED 소자를 탑재하고, 와이어 본딩한 후, 투명 수지로 밀봉하고, 개편화하는 것도 있다.
일본 특허 공개 제2005-136379호 공보
상술한 바와 같이, LED 패키지의 광 취출 효율(광속)을 향상시키기 위해서, LED 소자를 탑재하는 기판으로서, 리드 프레임 위에 합성 수지를 포함하여 이루어지는 반사판을 미리 성형한 것이 사용되고 있다. 또한 종래, 리드 프레임은 그 반사 효율을 고려하여, 모든 면에 은 도금 가공을 한 것을 사용하고 있다. 그러나 반사판을 구성하는 합성 수지에 따라서는, LED 소자로부터 발하는 자외선에 의해 열화되어 황변하고, 광 취출 효율이 시간이 흐름에 따라 저하되는 경우가 있다. 또한, 리드 프레임의 은 도금은 공기 중의 황화수소와 반응하여, 시간에 흐름에 따라 갈색으로 변색된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, LED 소자를 포함하는 반도체 장치에 있어서, LED 소자로부터의 빛의 취출 효율을 높이는 동시에, 리드 프레임의 시간의 흐름에 따른 열화를 방지할 수 있는, 수지 부착 리드 프레임 및 그 제조 방법, 및 리드 프레임을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체와, 상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 설치된 반사 수지부를 구비하고, 상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 LED 소자 적재부와, 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 리드부를 갖는 동시에, 상기 LED 소자 적재부 및 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체와, 상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 설치된 반사 수지부를 구비하고, 상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 알루미늄 증착층 또는 상기 알루미늄 스퍼터층은 또한 상기 반사 수지부의 내벽에도 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 리드 프레임 본체의 상기 복수의 LED 소자 적재 영역은 종횡으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 리드 프레임 본체는 구리, 구리 합금 또는 42 합금을 포함하여 이루어지고, 상기 리드 프레임 본체 중 적어도 상기 LED 소자 적재 영역의 표면은 경면 가공되어, 당해 LED 소자 적재 영역의 산술 평균 높이(Sa)가 0.01㎛ 내지 0.10㎛가 되고, 조도 곡선 요소 평균 길이(Sm)가 2㎛ 내지 18㎛가 되는 조도를 갖는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재부 및 상기 리드부의 이면에 은 도금층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 리드 프레임 본체의 표면에, 상기 리드 프레임 본체와 상기 반사 수지부의 밀착성을 높이는 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 반사 수지부의 상면에 반사 금속층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 반사 수지부의 상면 중 다이싱에 의해 절삭되는 부분은, 상기 반사 수지부가 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 반사 수지부의 상면에 내측을 향하여 오목해지는 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은 복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 구비하고, 상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은 LED 소자 적재부와, 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 리드부를 갖는 동시에, 상기 LED 소자 적재부 및 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 구비하고, 상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법에 있어서, 복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 준비하는 공정과, 상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치하는 공정과, 상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 반사 수지부를 설치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법이다.
본 발명은 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법에 있어서, 복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 준비하는 공정과, 상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 반사 수지부를 설치하는 공정과, 상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면 및 상기 반사 수지부의 내벽에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법이다.
본 발명에 따르면, 리드 프레임 본체의 각 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치하고 있다. 이에 의해, LED 소자로부터의 빛을 효율적으로 반사시켜, LED 소자로부터의 빛의 취출 효율을 높이는 동시에, 리드 프레임의 시간의 흐름에 따른 열화를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임을 도시한 단면도(도 2의 I-I선 단면도).
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임을 도시한 평면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임을 도시한 단면도(도 4의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도).
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임을 도시한 평면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 반도체 장치를 도시한 단면도(도 6의 V-V선 단면도).
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 반도체 장치를 도시한 평면도.
도 7의 (a)-(g)는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 제조 방법을 도시한 도면.
도 8의 (a)-(c)는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법을 도시한 도면.
도 9의 (a)-(f)는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 도시한 단면도.
도 10은 반도체 장치가 배선 기판 위에 배치되어 있는 상태를 도시한 단면도.
도 11은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임을 도시한 단면도(도 12의 XI-XI선 단면도).
도 12는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임을 도시한 평면도.
도 13은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 반도체 장치를 도시한 단면도(도 14의 XⅢ-XⅢ선 단면도).
도 14는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 반도체 장치를 도시한 평면도.
도 15의 (a)-(f)는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 제조 방법을 도시한 도면.
도 16의 (a)-(d)는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법을 도시한 도면.
도 17은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임의 변형예를 도시한 단면도.
도 18은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임의 변형예를 도시한 단면도.
도 19는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임의 변형예를 도시한 단면도.
도 20은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임의 변형예를 도시한 단면도.
제1 실시 형태
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서, 도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한다.
리드 프레임의 구성
우선, 도 1 및 도 2에 의해, 본 실시 형태에 의한 LED 소자용의 리드 프레임의 개략에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2는 본 실시 형태에 의한 리드 프레임을 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2에 도시한 리드 프레임(15)은 복수의 LED 소자 적재 영역(14)을 갖는 리드 프레임 본체(11)와, 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14) 표면에 설치되고, LED 소자(21)로부터의 빛을 반사하기 위한 반사층으로서 기능을 하는 금속층(12)을 구비하고 있다.
이 중 리드 프레임 본체(11)는 금속판을 포함하여 이루어져 있다. 리드 프레임 본체(11)를 구성하는 금속판의 재료로서는, 예를 들어 구리, 구리 합금, 42 합금(Ni 42%의 Fe 합금) 등을 들 수 있다. 이 리드 프레임 본체(11)의 두께는, 반도체 장치의 구성에도 의존하지만, 0.1㎜ 내지 0.5㎜로 하는 것이 바람직하다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 리드 프레임 본체(11)는 외측 프레임(13)을 갖고 있으며, 복수의 LED 소자 적재 영역(14)은 이 외측 프레임(13) 내에서 종횡으로 배치되어 있다. 또한, 리드 프레임 본체(11)는 복수의 다이패드(LED 소자 적재부)(25)와, 각 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부(26)를 갖고 있으며, 각 LED 소자 적재 영역(14)은 각각의 다이패드(25) 및 리드부(26) 위에 형성되어 있다. 다이패드(25)와 리드부(26) 사이에는, 반사 수지부(23)가 충전되는 공간(17)이 형성되어 있다. 또한 각 다이패드(25) 및 각 리드부(26)는 각각 막대 형상의 타이바(16)에 의해, 인접하는 다른 다이패드(25), 인접하는 다른 리드부(26) 또는 외측 프레임(13)에 연결되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 다이패드(25)의 이면에는 제1 아우터 리드부(27)가 형성되고, 리드부(26)의 이면에는 제2 아우터 리드부(28)가 형성되어 있다. 이들 제1 아우터 리드부(27) 및 제2 아우터 리드부(28)에는, 각각 땜납과의 접촉성을 높이는 은 도금층(29)이 설치되어 있다. 또한, 도금층(29)의 두께는 2㎛ 내지 10㎛로 되어 있는 것이 바람직하다.
한편, 금속층(12)은, 예를 들어 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되어 있어도 되고, 그 재료로서는 알루미늄, 은, 로듐, 팔라듐, 백금, 구리 등을 들 수 있다. 이하에 있어서는, 금속층(12)이 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층으로 이루어지는 경우를 예로 들어서 설명한다[이하, 간단히 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)이라고도 함]. 이 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 LED 소자(21)로부터의 빛을 반사하기 위한 반사층으로서 기능을 하는 것이며, 리드 프레임(15)의 최표면측에 위치하고 있다. 이 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 알루미늄(Al)을 증착 또는 스퍼터링함으로써 형성된 것이다. 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 그 두께가 매우 얇게 형성되어 있으며, 구체적으로는 0.1㎛ 내지 1㎛로 되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 리드 프레임 본체(11) 위에 직접 형성되어도 되지만, 예를 들어 은(Ag) 도금층을 포함하여 이루어지는 접합층을 개재하여 리드 프레임 본체(11) 위에 형성되어 있어도 된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 외측 프레임(13) 및 타이바(16)를 포함하는 리드 프레임 본체(11)의 표면 전체에 설치되어 있지만, 적어도 리드 프레임 본체(11) 표면 중 각 LED 소자 적재 영역(14)에 설치되어 있으면 된다. 즉, LED 소자 적재 영역(14)은 리드 프레임 본체(11) 중 반사 수지부(23)(후술)에 의해 덮이지 않는 영역이며, LED 소자(21)로부터의 빛을 반사하는데 기여하는 영역이기 때문이다.
예를 들어, 리드 프레임 본체(11) 표면 중 와이어 본딩되는 부분에는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않아도 된다.
또한, 예를 들어 리드 프레임 본체(11) 표면 중 LED 소자(21)를 탑재하는 부분에는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않아도 된다.
또한, 예를 들어 리드 프레임 본체(11) 표면에, 은 도금층을 포함하여 이루어지는 접합층(도시하지 않음)을 개재하여 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하고, 또한 리드 프레임 본체(11) 표면 중 와이어 본딩되는 부분에는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않아도 된다.
또한, 예를 들어 리드 프레임 본체(11) 표면에, 은 도금층을 포함하여 이루어지는 접합층(도시하지 않음)을 개재하여 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하고, 또한 리드 프레임 본체(11) 표면 중 LED 소자(21)를 탑재하는 부분에는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않아도 된다.
또한, 리드 프레임 본체(11) 중 적어도 각 LED 소자 적재 영역(14)의 표면은, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하기 전에 미리 경면 가공되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 각 LED 소자 적재 영역(14)의 표면 조도는, 료까 시스템사 제조, 비접촉 표면·층 단면 형상 계측 시스템, VertScan 2.0을 사용하여 측정한 LED 소자 적재 영역(14)의 산술 평균 높이(Sa)가 0.01㎛ 내지 0.10㎛가 되고, 조도 곡선 요소 평균 길이(Sm)가 2㎛ 내지 18㎛가 되는 조도를 갖는 것이 바람직하다. 이에 의해, 각 LED 소자 적재 영역(14)의 표면에 형성된 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)의 반사율이 높게 되어, LED 소자(21)로부터의 빛을 더욱 효율적으로 반사할 수 있다.
또한, 리드 프레임 본체(11)의 표면에는 리드 프레임 본체(11)와 반사 수지부(23)의 밀착성을 높이기 위한 홈(18)이 형성되어 있다. 이 홈(18)은, [공간(17)을 제외하고] 평면 직사각 형상을 가지고 있으며, 리드 프레임 본체(11) 표면 중 LED 소자 적재 영역(14)의 외주연을 따라서 설치되어 있다.
또한, 도 2에 있어서, 부호 S(이점 쇄선)는 리드 프레임(15) 중 후술하는 반도체 장치(20)(도 5 및 도 6)에 대응하는 영역을 도시하고 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 리드 프레임 본체(11)는 복수의 다이패드(25)와, 각 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부(26)를 갖고 있지만, 이에 한정되지 않으며, 리드 프레임 본체(11)가 다이패드(25) 및 리드부(26)를 각각 1개 이상 갖고 있으면 된다.
수지 부착 리드 프레임의 구성
이어서, 도 3 및 도 4에 의해, 본 실시 형태에 의한 LED 소자용의 수지 부착 리드 프레임의 개략에 대하여 설명한다. 도 3 및 도 4는 본 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임을 도시한 도면이다. 또한, 도 3 및 도 4에 있어서, 도 1 및 도 2와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고 있다.
도 3 및 도 4에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10)은 LED 소자(21)(도 5 및 도 6 참조)를 적재하기 위하여 사용되는 것이다. 이러한 수지 부착 리드 프레임(10)은 리드 프레임(15)과, 리드 프레임(15) 위에 설치되어 LED 소자 적재 영역(14)을 둘러싸는 반사 수지부(23)를 구비하고 있다.
이 중 리드 프레임(15)은 리드 프레임 본체(11)를 갖고 있으며, 이 리드 프레임 본체(11)는 복수의 다이패드(25)와, 각 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부(26)를 갖고 있다. 각 다이패드(25) 및 각 리드부(26)의 표면에는 LED 소자 적재 영역(14)이 형성되어 있다. 또한, 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14)의 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)이 설치되어 있다. 도 4에 있어서, 이 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 사선으로 표시하고 있다. 또한, 리드 프레임(15)의 구성은, 상술한 도 1 및 도 2에 도시한 것과 마찬가지이며, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
한편, 반사 수지부(23)는 리드 프레임(15)과 일체화되어 있으며, LED 소자(21)를 둘러싸는 평면 대략 직사각 형상의 오목부(23a)를 갖고 있다. 또한, 오목부(23a)의 내측에 내벽(23b)이 형성되어 있다. 또한, 다이패드(25)와 리드부(26) 사이의 공간(17)에도, 반사 수지부(23)가 충전되어 있다. 또한, 반사 수지부(23)의 상세한 것은 후술한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 리드 프레임 본체(11)는 복수의 다이패드(25)와, 각 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부(26)를 갖고 있지만, 이에 한정되지 않으며, 리드 프레임 본체(11)가 다이패드(25) 및 리드부(26)를 각각 1개 이상 갖고 있으면 된다.
반도체 장치의 구성
이어서, 도 5 및 도 6에 의해, 도 2 및 도 3에 도시한 수지 부착 리드 프레임을 사용하여 제작된 반도체 장치에 대하여 설명한다. 도 5 및 도 6은 본 실시 형태에 의한 반도체 장치(SON 타입)를 도시한 도면이다. 또한, 도 5 및 도 6에 있어서, 도 1 내지 도 4와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고 있다.
도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(20)는 리드 프레임 본체(11)와 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 갖는(개편화됨) 리드 프레임(15)과, 리드 프레임(15)의 다이패드(25) 위에 적재된 LED 소자(21)와, 리드 프레임(15)의 리드부(26)와 LED 소자(21)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(도전부)(22)를 구비하고 있다. 또한, 도 6에 있어서, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 사선으로 표시하고 있다.
또한, LED 소자(21)를 둘러싸도록 오목부(23a)를 갖는 반사 수지부(23)가 설치되어 있다. 또한, LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)는, 투광성의 밀봉 수지(24)에 의해 밀봉되어 있다. 이 밀봉 수지(24)는 반사 수지부(23)의 오목부(23a) 내에 충전되어 있다. 또한, 리드 프레임 본체(11) 표면 중 밀봉 수지(24)가 설치되는 영역이, 상술한 LED 소자 적재 영역(14)에 대응한다.
이하, 반도체 장치(20)를 구성하는 각 구성 부재에 대해서, 차례로 설명한다.
리드 프레임(15)은 상술한 바와 같이, 다이패드(25)와 리드부(26)를 갖는 리드 프레임 본체(11)와, 리드 프레임 본체(11) 위에 설치되어 LED 소자(21)로부터의 빛을 반사하기 위한 반사층으로서 기능을 하는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 가지고 있다.
한편, LED 소자(21)는 발광층으로서, 예를 들어 GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP 또는 InGaN 등의 화합물 반도체 단결정으로 이루어지는 재료를 적절히 선택함으로써, 자외광으로부터 적외광에 걸친 발광 파장을 선택할 수 있다. 이러한 LED 소자(21)로서는, 종래 일반적으로 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다.
또한 LED 소자(21)는 땜납 또는 다이본딩 페이스트에 의해, 반사 수지부(23)의 오목부(23a) 내에 있어서 다이패드(25) 위[알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12) 위]에 고정 실장되어 있다. 또한, 다이본딩 페이스트를 사용할 경우, 내광성이 있는 에폭시 수지나 실리콘 수지를 포함하여 이루어지는 다이본딩 페이스트를 선택하는 것이 가능하다.
본딩 와이어(22)는, 예를 들어 금 등의 도전성이 좋은 재료를 포함하여 이루어지고, 그 일단부가 LED 소자(21)의 단자부(21a)에 접속되는 동시에, 그 타단부가 리드 프레임 본체(11)의 리드부(26) 표면 위[알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12) 위]에 접속되어 있다.
반사 수지부(23)는, 예를 들어 수지 부착 리드 프레임(10) 위에 열가소성 수지를, 예를 들어 사출 성형하고, 또는 열경화성 수지를, 예를 들어 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형함으로써 형성된 것이다. 반사 수지부(23)의 형상은, 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형에 사용하는 금형의 설계에 의해, 다양하게 실현하는 것이 가능하다. 예를 들어, 반사 수지부(23)의 전체 형상을, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 직육면체로 해도 되고, 혹은 원통형 또는 뿔형 등의 형상으로 하는 것도 가능하다. 또한, 오목부(23a)의 저면은 직사각형, 원형, 타원형 또는 다각형 등으로 할 수 있다. 오목부(23a)의 내벽(23b)의 단면 형상은, 도 5와 같이 직선으로 구성되어 있어도 되고, 또는 곡선으로 구성되어 있어도 된다.
반사 수지부(23)에 사용되는 열가소성 수지 또는 열경화성 수지에 대해서는, 특히 내열성, 내후성 및 기계적 강도가 우수한 것을 선택하는 것이 바람직하다. 열가소성 수지의 종류로서는, 폴리아미드, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리페닐렌설파이드, 액정 중합체, 폴리에테르술폰, 폴리에테르이미드 및 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 시클로폴리올레핀 등, 열경화성 수지로서는, 실리콘, 에폭시, 폴리이미드 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들의 수지 중에 광 반사제로서, 이산화티타늄, 이산화지르코늄, 티타늄산칼륨, 질화알루미늄 및 질화붕소 중 어느 하나를 첨가함으로써, 오목부(23a)의 저면 및 내벽(23b)에 있어서, 발광 소자로부터의 빛의 반사율을 증대시켜, 반도체 장치(20) 전체의 광 취출 효율을 증대시키는 것이 가능해진다.
밀봉 수지(24)로서는, 빛의 취출 효율을 향상시키기 위해서, 반도체 장치(20)의 발광 파장에 있어서 광 투과율이 높고, 또한 굴절률이 높은 재료를 선택하는 것이 바람직하다. 따라서 내열성, 내후성 및 기계적 강도가 높은 특성을 만족하는 수지로서, 에폭시 수지나 실리콘 수지를 선택하는 것이 가능하다. 특히, LED 소자(21)로서 고휘도 LED를 사용할 경우, 밀봉 수지(24)가 강한 빛에 노출되기 때문에, 밀봉 수지(24)는 높은 내후성을 갖는 실리콘 수지를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
리드 프레임 및 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법
이어서, 도 1 및 도 2에 도시한 리드 프레임(15) 및 도 3 및 도 4에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10)의 제조 방법에 대해서, 도 7의 (a)-(g) 및 도 8의 (a)-(c)를 이용하여 설명한다.
우선, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 평판 형상의 금속 기판(31)을 준비한다. 이 금속 기판(31)으로서는, 상술한 바와 같이 구리, 구리 합금, 42 합금(Ni 42%의 Fe 합금) 등을 포함하여 이루어지는 금속 기판을 사용할 수 있다. 또한 금속 기판(31)은, 그 양면에 대하여 탈지 등을 행하고, 세정 처리를 한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 금속 기판(31)의 표면(31a)에 대하여 미리 경면 가공을 해 두고, 그 산술 평균 높이(Sa)가 0.01㎛ 내지 0.1㎛, 조도 곡선 요소 평균 길이(Sm)가 2㎛ 내지 18㎛가 되도록 해 두는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 경면 가공으로서는, 예를 들어 재료의 최종 압연 시에 경면 가공 압연 롤러를 사용하는 것이나, 또는 양면 경면 구리 도금 가공을 들 수 있다.
이어서, 금속 기판(31)의 표리 전체에 각각 감광성 레지스트(32a, 33a)를 도포하고, 이것을 건조시킨다[도 7의 (b)]. 또한 감광성 레지스트(32a, 33a)로서는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다.
계속해서, 이 금속 기판(31)에 대하여 포토마스크를 개재하여 노광하고, 현상함으로써, 원하는 개구부(32b, 33b)를 갖는 에칭용 레지스트층(32, 33)을 형성한다[도 7의 (c)].
이어서, 에칭용 레지스트층(32, 33)을 내부식막으로서 금속 기판(31)에 부식액으로 에칭을 실시한다[도 7의 (d)]. 부식액은, 사용하는 금속 기판(31)의 재질에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 금속 기판(31)으로서 구리를 사용할 경우, 통상, 염화제2철 수용액을 사용하여, 금속 기판(31)의 양면으로부터 스프레이 에칭에 의해 행할 수 있다.
계속해서, 에칭용 레지스트층(32, 33)을 박리하여 제거한다. 이와 같이 하여, 다이패드(25)와, 다이패드(25)로부터 이격한 리드부(26)를 갖는 리드 프레임 본체(11)가 얻어진다[도 7의 (e)]. 또한 이때, 하프 에칭에 의해 리드 프레임 본체(11)의 표면에 홈(18)이 형성된다.
이어서, 리드 프레임 본체(11)의 이면에 전해 도금을 실시함으로써, 제1 아우터 리드부(27) 및 제2 아우터 리드부(28)에 금속(은)을 석출시켜, 땜납과의 접촉성을 높이는 은 도금층(29)을 형성한다[도 7의 (f)]. 이 경우, 예를 들어 전해 탈지 공정, 산 세정 공정, 화학 연마 공정, 구리 스트라이크 공정, 물 세정 공정, 중성 탈지 공정, 시안 세정 공정 및 은 도금 공정을 차례로 거침으로써, 제1 아우터 리드부(27) 및 제2 아우터 리드부(28)에 은 도금층(29)을 형성한다. 이 전해 도금용의 도금액으로서는, 예를 들어 시안화은을 주성분으로 한 은 도금액을 들 수 있다. 실제 공정에서는, 각 공정 사이에 필요에 따라서 적절히 물 세정 공정을 추가한다.
이어서, 리드 프레임 본체(11)의 표면에 증착 또는 스퍼터링을 실시함으로써, 리드 프레임 본체(11) 위에 알루미늄을 부착시킨다. 이에 의해, LED 소자 적재 영역(14)을 포함하는 리드 프레임 본체(11)의 표면 전체에, 반사층으로서 기능을 하는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 형성한다[도 7의 (g)].
알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층의 형성은, 구체적으로는 이에 한정되는 것은 아니지만, 증착의 경우, 진공 도달도 9×10-6torr, 레이트 1.5㎚/초라고 하는 조건에 의해, 리드 프레임 본체(11) 위에 알루미늄 증착층(12)을 형성할 수 있다. 또한, 스퍼터링의 경우, 진공 도달도 4×10-6torr, 성막 진공도 5×10-3torr, 파워 900W(타깃 크기 5인치×18인치인 경우)라고 하는 조건에 의해, 리드 프레임 본체(11) 위에 알루미늄 스퍼터층(12)을 형성할 수 있다.
이와 같이 하여, 리드 프레임 본체(11)와, 리드 프레임 본체(11) 위에 형성된 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 갖는 리드 프레임(15)이 얻어진다[도 7의 (g)].
이어서, 리드 프레임(15)의 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12) 위에 반사 수지부(23)를 형성한다. 이하, 이들의 각 공정에 대하여 더 설명한다.
우선, 상술한 공정[도 7의 (a)-(g)]에 의해 얻어진 리드 프레임(15)을, 사출 성형기 또는 트랜스퍼 성형기(도시하지 않음)의 금형(35) 내에 장착한다[도 8의 (a)]. 금형(35) 내에는, 반사 수지부(23)의 형상에 대응하는 공간(35a)이 형성되어 있다.
이어서, 사출 성형기 또는 트랜스퍼 성형기의 수지 공급부(도시하지 않음)에 의해 금형(35) 내에 열경화성 수지를 부어 넣고, 그 후 경화시킴으로써, 리드 프레임(15) 표면 중 LED 소자 적재 영역(14) 이외의 부분에 반사 수지부(23)를 형성한다[도 8의 (b)]. 이때, 다이패드(25)와 리드부(26) 사이의 공간(17)에도 반사 수지부(23)를 충전한다.
계속해서, 반사 수지부(23)가 형성된 리드 프레임(15)을 금형(35) 내로부터 취출한다. 이와 같이 하여, 반사 수지부(23)와 리드 프레임(15)이 일체로 형성된 수지 부착 리드 프레임(10)(도 3 및 도 4)이 얻어진다[도 8의 (c)].
반도체 장치의 제조 방법
이어서, 도 5 및 도 6에 도시한 반도체 장치(20)의 제조 방법에 대해서, 도 9의 (a)-(f)를 이용하여 설명한다.
우선, 상술한 공정에 의해 [도 7의 (a)-(g) 및 도 8의 (a)-(c)], 리드 프레임(15)과, 반사 수지부(23)를 구비한 수지 부착 리드 프레임(10)을 제작한다[도 9의 (a)].
이어서, 리드 프레임(15)의 다이패드(25) 위에 LED 소자(21)를 탑재한다. 이 경우, 땜납 또는 다이본딩 페이스트를 사용하여, LED 소자(21)를 리드 프레임(15)의 다이패드(25) 위[알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12) 위]에 적재하여 고정한다(다이 어태치 공정)[도 9의 (b)].
이어서, LED 소자(21)의 단자부(21a)와 리드 프레임(15)의 리드부(26) 표면을, 본딩 와이어(22)에 의해 서로 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정)[도 9의 (c)].
그 후, 반사 수지부(23)의 오목부(23a) 내에 밀봉 수지(24)를 충전하고, 밀봉 수지(24)에 의해 LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)를 밀봉한다[도 9의 (d)].
이어서, 각 LED 소자(21) 사이의 반사 수지부(23)를 다이싱함으로써, 리드 프레임(15)을 각 LED 소자(21)마다 분리한다[도 9의 (e)]. 이때, 우선 리드 프레임(15)을 다이싱 테이프(37) 위에 적재하여 고정하고, 그 후, 예를 들어 다이아몬드 지석 등을 포함하여 이루어지는 블레이드(38)에 의해, 각 LED 소자(21) 사이의 반사 수지부(23)를 수직 방향으로 절단한다.
이와 같이 하여, 도 5 및 도 6에 도시한 반도체 장치(20)를 얻을 수 있다[도 9의 (f)].
본 실시 형태의 작용 효과
이어서, 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시 형태의 작용에 대해서, 도 10을 이용하여 설명한다. 도 10은 본 실시 형태에 의한 반도체 장치가 배선 기판 위에 배치되어 있는 상태를 도시한 단면도이다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 반도체 장치(20)를 배선 기판(41) 위에 배치한다. 이러한 배선 기판(41)은 기판 본체(42)와, 기판 본체(42) 위에 형성된 배선 단자부(43, 44)를 가지고 있다. 이 중 한쪽의 배선 단자부(43)는 한쪽의 접속 땜납부(45)를 개재하여, 제1 아우터 리드부(27)에 접속되어 있다. 또한 다른 쪽의 배선 단자부(44)는 다른 쪽의 접속 땜납부(46)를 개재하여, 제2 아우터 리드부(28)에 접속되어 있다.
이와 같이 하여, 반도체 장치(20)를 배선 기판(41) 위에 배치하는 동시에, 한 쌍의 배선 단자부(43, 44) 사이에 전류를 흐르게 한 경우, 다이패드(25) 위의 LED 소자(21)에 전류가 가해져, LED 소자(21)가 점등한다.
이때, LED 소자(21)로부터의 빛은 밀봉 수지(24)를 통과하여 밀봉 수지(24)의 표면으로부터 방출되거나 또는 반사 수지부(23)의 오목부(23a)의 내벽(23b)에서 반사됨으로써, 밀봉 수지(24)의 표면으로부터 방출된다. 또는, LED 소자(21)로부터의 빛은, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)의 표면에서 반사됨으로써 밀봉 수지(24)의 표면으로부터 방출된다.
본 실시 형태에 있어서는, 리드 프레임 본체(11)의 LED 소자 적재 영역(14)의 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하고 있다. 이에 의해, LED 소자(21)로부터의 빛을 효율적으로 반사시켜, LED 소자(21)로부터의 빛의 취출 효율을 높일 수 있다. 또한, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 구성하는 알루미늄은, 공기 중의 황화수소에 의해 열화되는 일이 없으므로, 리드 프레임(15)의 시간의 흐름에 따른 열화를 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 의하면, 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14) 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하고 있다. 이에 의해, LED 소자(21)로부터의 빛을 효율적으로 반사시켜, LED 소자(21)로부터의 빛의 취출 효율을 높이는 동시에, 리드 프레임(15)의 시간의 흐름에 따른 열화를 방지할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치함으로써, 리드 프레임(15)과 밀봉 수지(24)의 밀착성을 높일 수 있다. 게다가, 본딩 와이어(22)에 의한 와이어 본딩성이나 LED 소자(21)의 다이 어태치성도 양호하게 유지할 수 있다.
은 도금층을 포함하여 이루어지는 접합층을 개재하여 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치한 경우, 와이어 본딩되는 부분에는, 얇은 알루미늄을 찢어서 밑바탕인 은(은 도금층)과 와이어의 합금도 형성되므로, 본딩성이 더욱 좋아져, 와이어 본딩 강도를 훨씬 높일 수 있다.
와이어 본딩되는 부분에 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않은 경우, 와이어 본딩 시에 알루미늄의 산화막을 찢는 에너지가 불필요해지므로, 본딩 온도 및 초음파 등의 조건을 완화할 수 있다.
LED 소자(21)를 탑재하는 부분에 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않은 경우, 다이패드(25)를 거친 방열 경로가 짧아져, 결과적으로 방열성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 은 도금층을 포함하여 이루어지는 접합층을 개재하여 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하고, 또한 와이어 본딩되는 부분에는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않은 경우, 종래와 마찬가지로 은 도금층 위에 직접 와이어 본딩할 수 있으므로, 예를 들어 금으로 된 본딩 와이어(22)와의 접합 강도를 높게 유지할 수 있다.
예를 들어, 은 도금층을 포함하여 이루어지는 접합층을 개재하여 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하고, 또한 LED 소자(21)를 탑재하는 부분에 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않은 경우, 예를 들어 LED 소자(21)를 땜납으로 접합할 때에, 그 부분의 땜납의 젖음이 좋기 때문에, 땜납 내에 보이드를 발생시키지 않고, 또한 LED 소자(21)의 전체면을 확실하게 탑재할 수 있다.
제2 실시 형태
이어서, 도 11 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 11 내지 도 16은 본 발명의 제2 실시 형태를 도시한 도면이다. 도 11 내지 도 16에 도시한 제2 실시 형태는, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 반사 수지부(23)의 내벽(23b)에도 설치한 점이 다른 것이며, 다른 구성은 상술한 제1 실시 형태와 대략 동일하다. 도 11 내지 도 16에 있어서, 도 1 내지 도 10에 도시한 실시 형태와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고 상세한 설명은 생략한다.
수지 부착 리드 프레임의 구성
우선, 도 11 및 도 12에 의해, 본 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임의 개략에 대하여 설명한다. 도 11 및 도 12는, 본 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임을 도시한 도면이다.
도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 수지 부착 리드 프레임(10A)은, 리드 프레임(15)과 반사 수지부(23)를 구비하고 있다.
이 중 리드 프레임(15)은 리드 프레임 본체(11)를 가지고 있으며, 리드 프레임 본체(11)는 복수의 다이패드(25)와, 각 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부(26)를 갖고 있다. 또한, 각 다이패드(25) 및 각 리드부(26)의 표면에는, LED 소자 적재 영역(14)이 형성되어 있다. 한편, 반사 수지부(23)는 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14)을 둘러싸도록 설치되어 있다.
본 실시 형태에 있어서, 금속층(이 경우에는 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층)(12)은, 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14)의 표면에, 또한 반사 수지부(23)의 내벽(23b)에도 설치되어 있다. 즉 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 LED 소자 적재 영역(14)의 표면으로부터 반사 수지부(23)의 내벽(23b)을 따라서 연속적으로 연장되어 있다. 또한, 도 12에 있어서, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 사선으로 표시하고 있다. LED 소자 적재 영역(14)의 표면 및 반사 수지부(23)의 내벽(23b)에 형성되는 금속층(12)은, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층에 한정되는 것은 아니며, 은, 로듐, 팔라듐, 백금, 구리 등의 층으로 이루어져 있어도 된다.
이 경우, 도 3 및 도 4에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10)과 달리, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 리드 프레임 본체(11)와 반사 수지부(23) 사이에는 설치되어 있지 않고, 리드 프레임 본체(11) 표면 중 각 LED 소자 적재 영역(14)에만 설치되어 있다.
또한, 도 12에 도시한 바와 같이, 다이패드(25)와 리드부(26)가 단락하지 않도록 하기 위해, 반사 수지부(23)의 내벽(23b) 중 공간(17)에 인접하는 부분에는, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 설치하지 않도록 하고 있다.
이 외에, 도 11 및 도 12에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10A)의 구성은, 도 3 및 도 4에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10)과 대략 동일하므로, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 리드 프레임 본체(11)는 복수의 다이패드(25)와, 각 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부(26)를 갖고 있지만, 이에 한정되지 않고, 리드 프레임 본체(11)가 다이패드(25) 및 리드부(26)를 각각 1개 이상 갖고 있으면 된다.
도 17은 본 실시 형태의 하나의 변형예에 의한 수지 부착 리드 프레임(10A)을 도시하고 있다. 도 17에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10A)에 있어서, 반사 수지부(23)의 상면(23c)에 반사 금속층(51)이 설치되어 있다. 반사 금속층(51)은 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층으로 이루어져 있어도 되고, 다른 종류의 금속층(예를 들어 은, 로듐, 팔라듐, 백금, 구리 등)으로 이루어져 있어도 된다. 일반적으로, 반도체 장치(20)가 조명 장치에 내장되었을 때, LED 소자(21)로부터 나온 빛의 일부는 조명 장치 내를 반사하여, 반도체 장치(20)의 상부로 되돌아오는 경우가 있지만, 이렇게 반사 금속층(51)을 설치함으로써, 반도체 장치(20)의 상부로 되돌아온 빛이 반도체 장치(20)에 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
도 18은 다른 변형예에 의한 수지 부착 리드 프레임(10A)을 도시하고 있다. 도 18에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10A)에 있어서, 도 17에 도시한 형태와 달리, 반사 수지부(23)의 상면(23c) 중 다이싱[도 9의 (e) 참조]에 의해 절삭되는 부분(23d)에는, 반사 금속층(51)이 설치되지 않고 반사 수지부(23)가 노출되어 있다. 한편, 반사 수지부(23)의 상면(23c) 중 다이싱에 의해 절삭되는 부분(23d) 이외의 영역에는 반사 금속층(51)이 설치되어 있다. 또한, 반사 수지부(23)가 노출되는 부분(23d)은 반사 수지부(23)의 상면(23c)의 대략 중앙 부분이라도 되고, 상면(23c)의 중앙 부분으로부터 수평 방향으로 어긋난 위치라도 된다. 이 경우, 다이싱 시의 절삭 부스러기에, 도전성이 좋은 알루미늄 등의 금속 가루가 포함되지 않으므로, 절삭 후에 남은 금속 이물질에 의한 쇼트를 방지할 수 있다.
도 19는 다른 변형예에 의한 수지 부착 리드 프레임(10A)을 도시하고 있다. 도 19에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10A)에 있어서, 도 17에 도시한 형태와 달리, 반사 수지부(23)의 상면(23c)의 대략 중앙부에 내측을 향하여 오목해지는 오목부(52)가 형성되어 있다. 도 19에 있어서, 오목부(52) 내의 [저면(52a)을 포함함] 전역에 반사 금속층(51)이 설치되어 있다. 일반적으로, 다이싱에 의해 절삭된 부분에는 반사 금속층(51)이 존재하지 않으므로, 이 부분이 빛을 흡수하는 성질이 있다. 또한, 반도체 장치(20)가 조명 장치에 내장되었을 때, LED 소자(21)로부터 나온 빛의 일부는 조명 장치 내를 반사하여, 반도체 장치(20)의 상부로 되돌아오는 경우가 있다. 도 19에 있어서, 빛을 흡수하는 영역(다이싱에 의해 절삭되는 부분)을 작게 함으로써, 반도체 장치(20)의 상부로 되돌아 온 빛이 반도체 장치(20)에 흡수되는 것을 방지할 수 있다.
도 20은 다른 변형예에 의한 수지 부착 리드 프레임(10A)을 도시하고 있다. 도 20에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10A)에 있어서, 도 19에 도시한 형태와 달리, 오목부(52) 중 다이싱[도 9의 (e) 참조]에 의해 절삭되는 부분인 저면(52a)에는, 반사 금속층(51)이 설치되지 않고 반사 수지부(23)가 노출되어 있다. 한편, 오목부(52) 중 저면(52a) 이외의 영역에는 반사 금속층(51)이 설치되어 있다. 이 경우, 반도체 장치(20)의 상부로 되돌아 온 빛이 반도체 장치(20)에 흡수되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 다이싱 시의 절삭 부스러기에, 도전성이 좋은 알루미늄 등의 금속 가루가 포함되지 않으므로, 절삭 후에 남은 금속 이물질에 의한 쇼트를 방지할 수 있다.
반도체 장치의 구성
이어서, 도 13 및 도 14에 의해, 도 11 및 도 12에 도시한 수지 부착 리드 프레임을 사용하여 제작된 반도체 장치에 대하여 설명한다. 도 13 및 도 14는, 반도체 장치(SON 타입)를 도시한 도면이다.
도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(20A)는 리드 프레임 본체(11)와 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 갖는(개편화됨) 리드 프레임(15)과, 리드 프레임(15)의 다이패드(25) 위에 적재된 LED 소자(21)와, 리드 프레임(15)의 리드부(26)와 LED 소자(21)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(도전부)(22)를 구비하고 있다.
또한, LED 소자(21)를 둘러싸도록 반사 수지부(23)가 설치되어 있다. 또한, LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)는, 투광성의 밀봉 수지(24)에 의해 밀봉되어 있다.
도 13 및 도 14에 있어서, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)은 리드 프레임 본체(11)의 각 LED 소자 적재 영역(14)의 표면에, 또한 반사 수지부(23)의 내벽(23b)에도 설치되어 있다. 또한, 도 14에 있어서, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 사선으로 표시하고 있다.
이 외에, 도 13 및 도 14에 도시한 반도체 장치(20A)의 구성은, 도 5 및 도 6에 도시한 반도체 장치(20)와 대략 동일하므로, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
수지 부착 리드 프레임의 제조 방법
이어서, 도 11 및 도 12에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10A)의 제조 방법에 대해서, 도 15의 (a)-(f) 및 도 16의 (a)-(d)를 이용하여 설명한다. 이하, 상술한 도 7의 (a)-(g) 및 도 8의 (a)-(c)에 도시한 공정과의 차이점을 중심으로 설명한다.
우선, 도 7의 (a)-(e)에 도시한 공정과 마찬가지로, 다이패드(25)와, 다이패드(25)로부터 이격하여 배치된 리드부(26)를 갖는 리드 프레임 본체(11)를 제작한다[도 15의 (a)-(e)].
이어서, 리드 프레임 본체(11)의 이면에 전해 도금을 행함으로써, 제1 아우터 리드부(27) 및 제2 아우터 리드부(28)에, 각각 은 도금층(29)을 형성한다. 이에 의해 리드 프레임(15)이 얻어진다[도 15의 (f)]. 또는, 이때 리드 프레임 본체(11)의 전체면에 은 도금을 해도 된다.
이어서, 리드 프레임 본체(11)의 표면에 반사 수지부(23)를 형성함으로써, 리드 프레임(15)과 반사 수지부(23)를 일체로 구성한다[도 16의 (a)-(c)]. 이 반사 수지부(23)를 형성하는 공정[도 16의 (a)-(c)]은, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 형성하기 전에 반사 수지부(23)를 형성하고 있는 점을 제외하고, 상술한 도 8의 (a)-(c)에 도시한 공정과 대략 마찬가지이다.
이어서, 리드 프레임 본체(11)의 LED 소자 적재 영역(14)과, 반사 수지부(23)의 내벽(23b)에, 증착 또는 스퍼터링을 실시함으로써, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 형성한다[도 16의 (d)]. 이와 같이 하여, 도 11 및 도 12에 도시한 수지 부착 리드 프레임(10A)이 얻어진다.
또한, 이와 같이 하여 얻어진 수지 부착 리드 프레임(10A)을 사용하여, 도 13 및 도 14에 도시한 반도체 장치(20A)를 제작하는 방법은, 상술한 도 9의 (a)-(f)에 도시한 방법과 대략 마찬가지이므로, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
이와 같이 본 실시 형태에 의하면, LED 소자(21)로부터의 빛의 취출 효율을 높이는 동시에, 리드 프레임(15)의 시간의 흐름에 따른 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 의하면, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)이 반사 수지부(23)의 내벽(23b)에도 설치되어 있다. 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층(12)을 구성하는 알루미늄은, LED 소자(21)로부터의 자외선에 의해 열화되는 일이 없으므로, 반사 수지부(23)가 자외선에 의해 시간의 흐름에 따라 열화되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (14)

  1. 복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체와,
    상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 설치된 반사 수지부를 구비하고,
    상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  2. LED 소자 적재부와, 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 리드부를 갖는 동시에, 상기 LED 소자 적재부 및 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체와,
    상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 설치된 반사 수지부를 구비하고,
    상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 알루미늄 증착층 또는 상기 알루미늄 스퍼터층은 또한 상기 반사 수지부의 내벽에도 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임 본체의 상기 복수의 LED 소자 적재 영역은 종횡으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 리드 프레임 본체는 구리, 구리 합금 또는 42 합금을 포함하여 이루어지고, 상기 리드 프레임 본체 중 적어도 상기 LED 소자 적재 영역의 표면은 경면 가공되어, 당해 LED 소자 적재 영역의 산술 평균 높이(Sa)가 0.01㎛ 내지 0.10㎛가 되고, 조도 곡선 요소 평균 길이(Sm)가 2㎛ 내지 18㎛가 되는 조도를 갖는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재부 및 상기 리드부의 이면에 은 도금층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 리드 프레임 본체의 표면에, 상기 리드 프레임 본체와 상기 반사 수지부의 밀착성을 높이는 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 수지부의 상면에 반사 금속층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반사 수지부의 상면 중 다이싱에 의해 절삭되는 부분은, 상기 반사 수지부가 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  10. 제8항에 있어서, 상기 반사 수지부의 상면에 내측을 향하여 오목해지는 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  11. 복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 구비하고,
    상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  12. LED 소자 적재부와, 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 리드부를 갖는 동시에, 상기 LED 소자 적재부 및 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 구비하고,
    상기 리드 프레임 본체의 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치한 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  13. 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법에 있어서,
    복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 준비하는 공정과,
    상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치하는 공정과,
    상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 반사 수지부를 설치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법.
  14. 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법에 있어서,
    복수의 LED 소자 적재부와, 각각 각 상기 LED 소자 적재부로부터 이격하여 배치된 복수의 리드부를 갖는 동시에, 각 상기 LED 소자 적재부 및 각 상기 리드부의 표면에 LED 소자 적재 영역이 형성된 리드 프레임 본체를 준비하는 공정과,
    상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역을 둘러싸도록 반사 수지부를 설치하는 공정과,
    상기 리드 프레임 본체의 각 상기 LED 소자 적재 영역 표면 및 상기 반사 수지부의 내벽에, 알루미늄 증착층 또는 알루미늄 스퍼터층을 설치하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170048351A (ko) * 2014-08-26 2017-05-08 에스에이치 메테리얼스 코퍼레이션 리미티드 리드 프레임 및 그 제조방법
KR20190031087A (ko) * 2017-09-15 2019-03-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20190032022A (ko) * 2017-09-19 2019-03-27 엘지디스플레이 주식회사 복합 무기 발광 재료, 발광 필름, 이를 포함하는 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 발광장치

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
DE102012104882B4 (de) * 2012-06-05 2017-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI484670B (zh) * 2012-11-09 2015-05-11 Fusheng Electronics Corp 發光二極體的支架結構製作方法（四）
JP6111627B2 (ja) * 2012-12-05 2017-04-12 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
JP6111628B2 (ja) * 2012-12-05 2017-04-12 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体
US9748164B2 (en) * 2013-03-05 2017-08-29 Nichia Corporation Semiconductor device
JP2015056425A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 大日本印刷株式会社 光半導体装置、光半導体装置用リードフレーム、及びそれらの製造方法
US10242934B1 (en) * 2014-05-07 2019-03-26 Utac Headquarters Pte Ltd. Semiconductor package with full plating on contact side surfaces and methods thereof
US10177292B2 (en) 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
TWI553264B (zh) 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法
JP6501461B2 (ja) * 2014-07-30 2019-04-17 シチズン電子株式会社 メッキ膜の剥離防止方法、部品集合体および発光装置
JP6387787B2 (ja) * 2014-10-24 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
US9379087B2 (en) * 2014-11-07 2016-06-28 Texas Instruments Incorporated Method of making a QFN package
JP6362111B2 (ja) * 2014-12-01 2018-07-25 大口マテリアル株式会社 リードフレームの製造方法
JP6270052B2 (ja) * 2014-12-05 2018-01-31 Ｓｈマテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
US9590158B2 (en) 2014-12-22 2017-03-07 Nichia Corporation Light emitting device
US9859481B2 (en) * 2014-12-22 2018-01-02 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016207739A (ja) 2015-04-17 2016-12-08 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP6204610B2 (ja) * 2015-06-18 2017-09-27 京セラ株式会社 電子素子実装用基板および電子装置
JP6337859B2 (ja) 2015-09-08 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2017056321A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP2017157684A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 ローム株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6623108B2 (ja) * 2016-03-31 2019-12-18 古河電気工業株式会社 リードフレーム材料およびその製造方法
US20170294367A1 (en) * 2016-04-07 2017-10-12 Microchip Technology Incorporated Flat No-Leads Package With Improved Contact Pins
JP6644978B2 (ja) * 2016-07-25 2020-02-12 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP6825780B2 (ja) * 2016-07-27 2021-02-03 大口マテリアル株式会社 多列型ｌｅｄ用配線部材及びその製造方法
WO2018147325A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 株式会社アクアバンク 飲料殺菌ユニットおよびこれを備えた飲料水供給装置
US10700252B2 (en) 2017-04-18 2020-06-30 Bridgelux Chongqing Co., Ltd. System and method of manufacture for LED packages
CN108933185B (zh) * 2017-05-26 2021-01-05 黄国益 支撑结构、使用其的发光装置以及其加工方法
JP6969181B2 (ja) * 2017-07-03 2021-11-24 沖電気工業株式会社 光源用反射体、光源及び光源用反射体の製造方法
JP6829665B2 (ja) * 2017-07-10 2021-02-10 新光電気工業株式会社 リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法
JP7116881B2 (ja) * 2017-08-31 2022-08-12 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法
US10672954B2 (en) * 2017-09-01 2020-06-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR102641336B1 (ko) * 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
KR102401826B1 (ko) * 2017-09-15 2022-05-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
CN108321283A (zh) * 2018-04-03 2018-07-24 江苏鸿利国泽光电科技有限公司 一种高光效紫外led的封装支架及其封装方法
JP6819645B2 (ja) 2018-04-10 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法
JP7174240B2 (ja) * 2018-11-30 2022-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6947988B2 (ja) * 2019-01-28 2021-10-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN111724741A (zh) * 2020-06-09 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 覆晶薄膜及其制备方法
JP2022014288A (ja) * 2020-07-06 2022-01-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
TWM606836U (zh) * 2020-09-18 2021-01-21 長華科技股份有限公司 導線架
US11715678B2 (en) * 2020-12-31 2023-08-01 Texas Instruments Incorporated Roughened conductive components
CN113113321B (zh) * 2021-03-26 2022-02-11 昆山弗莱吉电子科技有限公司 半导体高密度引线框架及其制造工艺

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2632528B2 (ja) * 1988-02-08 1997-07-23 新光電気工業株式会社 リードフレーム
JP2000183407A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Rohm Co Ltd 光半導体装置
JP4180352B2 (ja) 2002-11-15 2008-11-12 株式会社三井ハイテック プリモールドパッケージ用リードフレーム及びプリモールドパッケージの製造方法
JP3940124B2 (ja) * 2003-01-16 2007-07-04 松下電器産業株式会社 装置
JP2005019688A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4493013B2 (ja) 2003-10-08 2010-06-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
TWI245437B (en) 2004-11-16 2005-12-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure of a surface mount device light emitting diode
JP2006156747A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
JP2006344925A (ja) * 2005-05-11 2006-12-21 Sharp Corp 発光素子搭載用フレームおよび発光装置
JP2007294631A (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Matsushita Electric Works Ltd 樹脂反射鏡及びこれを用いた照明器具
US7906794B2 (en) * 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
JP2008172125A (ja) 2007-01-15 2008-07-24 Citizen Electronics Co Ltd チップ型ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
TW200847478A (en) * 2007-05-30 2008-12-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd Light-emitting diode lead frame and manufacture method thereof
JP4758976B2 (ja) * 2007-12-03 2011-08-31 日立ケーブルプレシジョン株式会社 半導体発光素子搭載用リードフレーム及びその製造方法並びに発光装置
JP5217800B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
WO2010029872A1 (ja) * 2008-09-09 2010-03-18 昭和電工株式会社 発光装置、発光モジュール、表示装置
WO2010035944A2 (ko) * 2008-09-29 2010-04-01 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8288785B2 (en) * 2008-12-03 2012-10-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode
TWI393275B (zh) * 2009-02-04 2013-04-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝體及其製造方法
TWI485878B (zh) * 2009-04-01 2015-05-21 Lite On Technology Corp 形成發光二極體之透鏡結構之方法及其相關架構
JP5302117B2 (ja) 2009-06-22 2013-10-02 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置搭載用基板
WO2011125346A1 (ja) * 2010-04-07 2011-10-13 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
CN103190008B (zh) * 2010-11-02 2016-07-06 大日本印刷株式会社 Led元件搭载用引线框、附有树脂引线框、半导体装置的制造方法及半导体元件搭载用引线框
US9209373B2 (en) * 2011-02-23 2015-12-08 Intellectual Discovery Co., Ltd. High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink
US8846421B2 (en) * 2011-03-10 2014-09-30 Mds Co. Ltd. Method of manufacturing lead frame for light-emitting device package and light-emitting device package

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170048351A (ko) * 2014-08-26 2017-05-08 에스에이치 메테리얼스 코퍼레이션 리미티드 리드 프레임 및 그 제조방법
KR20190031087A (ko) * 2017-09-15 2019-03-25 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US11342487B2 (en) 2017-09-15 2022-05-24 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package
KR20190032022A (ko) * 2017-09-19 2019-03-27 엘지디스플레이 주식회사 복합 무기 발광 재료, 발광 필름, 이를 포함하는 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 발광장치

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