CN111724741A - 覆晶薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了覆晶薄膜以及覆晶薄膜的制作方法，能够通过在COF的切割区形成的凹口对COF进行切割，减少切割区的金属走线边缘的金属碎屑的产生，降低因金属碎屑与金属走线相连而导致短路从而造成COF线路损伤，改善COF产品的性能。本申请实施例的覆晶薄膜包括：基板；金属层，所述金属层覆盖在所述基板的上表面，所述金属层由多条相互平行的金属走线构成；切割区，所述切割区的所述金属层的上表面有凹口，所述切割区的切割线的方向与所述金属走线的轴向相垂直。能够通过在切割区形成的凹口对覆晶薄膜进行切割，减少切割区的金属走线边缘的金属碎屑的产生，降低因金属碎屑与金属走线相连而导致短路从而造成覆晶薄膜线路损伤。

Description

覆晶薄膜及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种覆晶薄膜(Chip on flex,COF)及其制备方法。
背景技术
近两年在全屏幕手机需求的带动下，手机屏幕窄边框已经成为面板设计的市场主流，为了满足市场需求，显示屏例如有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)显示屏需要用覆晶薄膜以满足窄边框设计。
覆晶薄膜技术是指在驱动电路中，覆晶薄膜的金属层的一端电连接至印制电路板(Printed circuit board,PCB)，负责接收印制电路板上驱动集成电路(Integratedcircuit,IC)传输过来的数据信号，覆晶薄膜的金属层的另一端连接显示面板，用于将驱动IC输出的数据信号传输到显示面板上，以驱动显示面板进行显示。
参见图1，图1是市售的覆晶薄膜的立体结构图，覆晶薄膜包括基板1、覆盖在基板1的上表面的金属层2以及设于金属层2的切割区3，金属层2由多条相互平行的细金属走线构成，切割区3的切割线的方向与金属走线的轴向相垂直。参见图2，图2是基于图1的覆晶薄膜结构的主视图。冲切刀具5的尖端位于金属层2上的切割区3处。
目前，在覆晶薄膜制作过程中，由于覆晶薄膜材料很薄，在沿切割区3冲切覆晶薄膜后，覆晶薄膜的切割区3的金属走线边缘经常会残留金属碎屑，而覆晶薄膜的金属走线布局极为精密，金属走线之间的间距很窄，覆晶薄膜的切割区3处残留的金属碎屑就容易在覆晶薄膜跟显示面板、印制电路板压合后造成短路，从而导致产品功能不良。参见图3，图3是市售的覆晶薄膜沿切割线切割后的俯视图，金属碎屑4是在覆晶薄膜切割后残留下来的。由图3可见，金属碎屑4的两端与金属层2的两条金属走线相接触，从而会导致在覆晶薄膜压合后造成短路。
发明内容
本申请实施例提供了一种覆晶薄膜以及覆晶薄膜的制备方法，能够通过在覆晶薄膜的切割区形成的凹口对覆晶薄膜进行切割，减少切割区的金属走线边缘的金属碎屑的产生，降低因金属碎屑与金属走线相连而导致短路从而造成覆晶薄膜线路的损伤，改善覆晶薄膜产品的性能。
本申请实施例提供了一种覆晶薄膜，包括：
基板；
金属层，所述金属层覆盖在所述基板的上表面，所述金属层包括多条相互平行的金属走线，所述金属层上设有切割区，所述切割区的所述金属层的上表面有凹口，所述切割区的切割线的方向与所述金属走线的轴向相垂直。
可选地，所述凹口可以为V形、长方形或半圆形。
可选地，所述凹口的深度可以小于所述金属层的厚度。
可选地，所述金属层上设有至少一个所述切割区，所述切割区之间的间隔大于显示面板的厚度。
可选地，所述凹口的宽度可以为200um-300um。
可选地，所述切割区的宽度可以为500um-1500um。
可选地，所述基板为柔性基板。
可选地，所述柔性基板由铜箔与聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜复合而成的材料制成。
可选地，所述凹口顶部的宽度大于冲切刀尖的宽度。
本申请实施例提供了一种覆晶薄膜的制作方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成金属层，所述金属层覆盖在所述基板的上表面，所述金属层包括多条相互平行的金属走线；
在所述金属层设置切割区，并在所述切割区的所述金属层上形成凹口，所述切割区的切割线的方向与所述金属走线的轴向相垂直。
可选地，在所述切割区的金属层上形成凹口的步骤包括：
可以利用光刻工艺在所述切割区的所述金属层上形成凹口。
可选地，所述利用光刻工艺在所述切割区的所述金属层上形成凹口可以包括：
在所述金属层上涂布正性光刻胶；
在切割区外的金属层覆盖光掩膜版，对所述切割区的上正性光刻胶进行曝光；
对所述正性光刻胶进行显影，形成所述凹口的图案；
对所述正性光刻胶进行烘干；
根据所述图案在所述切割区刻蚀出所述凹口；
去除所述正性光刻胶。
本申请实施例中，覆晶薄膜包括基板、金属层以及切割区，该金属层覆盖在基板的上表面，该金属层包括多条相互平行的金属走线，该切割区的金属层的上表面有凹口，切割区的切割线的方向与金属走线的轴向相垂直，这样在沿切割线冲切覆晶薄膜时，由于冲切的金属层变薄，覆晶薄膜的切割区的金属走线边缘因切割而产生并残留下来的金属碎屑就会大量减少，所以在覆晶薄膜压合后不容易因金属走线之间的金属碎屑与金属走线相连而导致短路，避免造成覆晶薄膜线路损伤，提升了覆晶薄膜产品的性能。
附图说明
图1为现有的覆晶薄膜的立体结构示意图；
图2为现有的覆晶薄膜的主视结构示意图；
图3为现有的覆晶薄膜沿切割线切割后的立体结构示意图；
图4为本申请一实施例的覆晶薄膜的主视结构示意图；
图5为本申请一实施例的切割后形成的单块的覆晶薄膜的立体结构示意图；
图6为本申请一实施例的覆晶薄膜的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种覆晶薄膜以及覆晶薄膜的制备方法，能够通过在覆晶薄膜的切割区形成的凹口对覆晶薄膜进行切割，减少切割区的金属走线边缘的金属碎屑的产生，降低因金属碎屑与金属走线相连而导致短路从而造成覆晶薄膜线路损伤，改善覆晶薄膜产品的性能。
下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
请参阅图4，图4为本申请一实施例的覆晶薄膜的立体结构示意图。由图4可知，本实施例中的覆晶薄膜包括基板10、覆盖在基板10的上表面的金属层20、切割区30以及切割区30的金属层的上表面的V形凹口60，金属层20包括多条相互平行的细金属走线构成，切割区30的切割线的方向与金属走线的轴向相垂直，V形凹口60位于切割区30的切割线处。
需要说明的是，本申请实施例中位于切割区30的金属层的上的凹口60，不仅可以为图4中的V形，也可以为长方形或者半圆形，具体此处不做限定。
本实施例中，对于一块覆晶薄膜，可以设有至少一个切割区30，切割区30之间的间隔可以大于显示面板的厚度，金属层20的一端与显示面板电连接，用于将信号传输到显示面板上，金属层20的另一端与印制电路板电连接，用于接收印制电路板上传输过来的信号。切割区30之间的间隔可以相等。本实施例中，凹口60的宽度可以为200um-300um。
本实施例中，凹口60顶部的宽度可以大于冲切刀尖的宽度，凹口60位于切割线处，这样当用冲切刀沿切割区30的切割线冲切出单块的覆晶薄膜时，在覆晶薄膜的切割区30处只会产生很少的金属碎屑，甚至没有金属碎屑产生。其他实施例中，凹口60顶部的宽度可以等于或小于冲切刀尖的宽度，图5为本申请一实施例的切割后的单块覆晶薄膜的主视结构示意图，从图5可以看出，切割出来的单块覆晶薄膜没有金属碎屑。图5展示的可以是凹口60顶部的宽度等于或小于冲切刀尖的宽度时切割出来的单块覆晶薄膜，所以金属层的末端是垂直的，如果凹口60顶部的宽度大于冲切刀尖的宽度，金属层的末端可能会形成一定坡度。
本实施例中，由图4可知，凹口60的深度小于金属层20的厚度，这样，当用冲切刀沿切割区的切割线冲切覆晶薄膜时，因凹口60位于切割线处，因此冲切的金属层很薄，覆晶薄膜的切割区30的金属走线边缘就不会因切割而产生大量的金属碎屑残留在金属走线边缘，即使产生，金属碎屑的量也会大大减小；此外，由于凹口60的深度小于金属层20的厚度，且覆晶薄膜原本就很薄，因此可以进一步减小覆晶薄膜断裂的风险。需要说明的是，本实施例中，深度方向是指沿金属层20厚度的方向。
需要说明的是，在其他实施例中，如图4所示，凹口60的深度也可以等于金属层20的厚度，甚至可以大于金属层20的厚度，具体此处不做限定。
本实施例中，切割区30的宽度可以为500um-1500um。
此外，覆晶薄膜的基板10可以是柔性基板，更有利于实现窄边框。进一步地，柔性基板可以由铜箔与聚酰亚胺薄膜复合而成的材料制成，也可以铜箔与由聚酯薄膜复合而成的材料制成。
综上，本申请实施例中，覆晶薄膜包括基板、金属层以及切割区，该金属层覆盖在基板的上表面，该金属层由多条相互平行的金属走线构成，该切割区的金属层的上表面有凹口，切割区的切割线的方向与金属走线的轴向相垂直，这样在沿切割线冲切覆晶薄膜时，由于冲切的金属层变薄，覆晶薄膜的切割区的金属走线边缘因切割而产生并残留下来的金属碎屑就会大量减少，所以在覆晶薄膜压合后不容易因金属走线之间的金属碎屑与金属走线相连而导致短路，避免造成覆晶薄膜线路损伤，提升了覆晶薄膜产品的性能，此外，凹口的深度小于金属层的厚度，因此可以进一步减小覆晶薄膜断裂的风险。
以上对本申请实施例中覆晶薄膜的结构进行了详细的描述，以下对本申请实施例中覆晶薄膜的制作方法进行描述。
参见图6，图6为本申请实施例中覆晶薄膜的制作方法的流程示意图。该制作方法可以用于制备具有前述结构的覆晶薄膜，为便于描述，下面结合前述覆晶薄膜对所述制作方法进行描述。
本申请实施例中，基于覆晶薄膜的制作方法的实施例为：
601、提供基板10；
602、在所述基板10上形成金属层20，金属层20覆盖在基板10的上表面，金属层20由多条相互平行的金属走线构成；
603、在金属层20设置切割区30，切割区30的切割线的方向与金属走线的轴向相垂直；
604、在切割区的金属层20上形成凹口60。
需要说明的是，凹口60可以为V形，也可以为长方形或半圆形，具体此处不做限定。
本实施例中，凹口60的深度可以小于金属层20的厚度。
本实施例中，由于在切割区的金属层的上表面形成凹口60，凹口60位于切割线处，这样在沿切割线冲切覆晶薄膜时，由于冲切的金属层变薄，覆晶薄膜的切割区的金属走线边缘因切割而产生并残留下来的金属碎屑就会大量减小，所以在覆晶薄膜压合后不容易因金属走线之间的金属碎屑与金属走线相连而导致短路，避免造成覆晶薄膜线路损伤，提升了覆晶薄膜产品的性能，此外，凹口的深度小于金属层的厚度还可以减小覆晶薄膜断裂的风险。
需要说明的是，本实施例中，凹口60的深度还可以等于或者大于金属层20的厚度。
进一步地，本实施例中，可以利用光刻工艺在切割区30的金属层的上表面形成凹口60。该步骤具体可以包括：
S1：在金属层上涂布正性光刻胶；
本实施例中，首先，将正性光刻胶涂布在金属层上。正性光刻胶是相对不可溶的，在用适当的光能量曝光后，光刻胶转变成可溶状态。完成光刻胶的涂布之后，需要进行软烘干操作，也可称作前烘。
S2：在切割区外的金属层覆盖光掩膜版，对切割区30上的光刻胶进行曝光；
在这一步中，使用特定波长的光对覆盖在切割区30的上表面的光刻胶进行选择性的照射。光刻胶中的感光剂会发生化学反应，从而使正性光刻胶被照射区域(感光区域)的化学成分发生变化。
也就是说，本实施例中，特定波长的光通过光掩膜版对切割区30进行照射，切割区30以外的部位上方由于覆盖有光掩膜版，因此只有切割区30的部位接受了曝光。
S3：对光刻胶进行显影，形成凹口60的图案；
在曝光过程结束后将覆晶薄膜加入显影液，这样，正性光刻胶的感光区，即切割区会溶解于显影液中。显影完成后，光刻胶层中的图形就可以显现出来。
S4：对光刻胶进行烘干；
光刻胶显影完成后，图案就基本确定，然后，为了使光刻胶的性质更为稳定，还需要进行硬烘干。在硬烘干过程中，利用高温处理，可以出去光刻胶中剩余的溶剂、增强光刻胶对切割区30上表面的附着力，同时提高光刻胶在随后形成凹口过程中的抗蚀性能力。
S5：根据图案在切割区刻蚀出凹口；
本步骤中，可以根据图案用刻蚀方式在切割区30形成凹口。刻蚀是通过溶液、反应离子或其他机械方式来蚀刻、去除切割区的材料。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀，本实施例中优选使用湿法刻蚀。
S6：去除光刻胶。
在用刻蚀方式在切割区30形成凹口之后，已经不再需要光刻胶作保护层，可以将光刻胶去除，简称去胶。
通过以上步骤，就可以在切割区30处完成设置凹口60的操作流程。
在另一个实施例中，如果在金属层上涂布负性光刻胶，光掩膜版则是覆盖切割区30，其他步骤同理正性光刻胶，不再赘述。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。
即，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
另外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在以上描述中，为了解释的目的而列出了各个细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其他实施例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

Claims (10)

1.一种覆晶薄膜，其特征在于，所述覆晶薄膜包括：
基板；
金属层，所述金属层覆盖在所述基板的上表面，所述金属层包括多条相互平行的金属走线，所述金属层上设有切割区，所述切割区的所述金属层的上有凹口，所述切割区的切割线的方向与所述金属走线的轴向相垂直。
2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述凹口为V形、长方形或半圆形。
3.根据权利要求2所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述凹口的深度小于所述金属层的厚度。
4.根据权利要求2或3所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述金属层上设有至少一个所述切割区，任意相邻所述切割区之间的间隔大于显示面板的厚度。
5.根据权利要求3所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述基板为柔性基板。
6.根据权利要求5所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述柔性基板由铜箔与聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜复合而成的材料制成。
7.根据权利要求3所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述凹口顶部的宽度大于冲切刀尖的宽度。
8.一种覆晶薄膜的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板上形成金属层，所述金属层覆盖在所述基板的上表面，所述金属层包括多条相互平行的金属走线；
在所述金属层设置切割区，并在所述切割区的所述金属层上形成凹口，所述切割区的切割线的方向与所述金属走线的轴向相垂直。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述切割区的金属层上形成凹口的步骤包括：
利用光刻工艺在所述切割区的所述金属层上形成凹口。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述利用光刻工艺在所述切割区的所述金属层上形成凹口的步骤包括：
在所述金属层上涂布正性光刻胶；
在切割区外的金属层覆盖光掩膜版，对所述切割区的正性光刻胶进行曝光；
对所述正性光刻胶进行显影，形成所述凹口的图案；
对所述正性光刻胶进行烘干；
根据所述图案在所述切割区刻蚀出所述凹口；
去除所述正性光刻胶。
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