JP2016207739A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016207739A
JP2016207739A JP2015084952A JP2015084952A JP2016207739A JP 2016207739 A JP2016207739 A JP 2016207739A JP 2015084952 A JP2015084952 A JP 2015084952A JP 2015084952 A JP2015084952 A JP 2015084952A JP 2016207739 A JP2016207739 A JP 2016207739A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
layer
light emitting
metal plate
semiconductor light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015084952A
Other languages
English (en)
Inventor
祐季 赤松
Yuki Akamatsu
祐季 赤松
野口　吉雄
Yoshio Noguchi
吉雄 野口
小串　昌弘
Masahiro Ogushi
昌弘 小串
輝雄 竹内
Teruo Takeuchi
輝雄 竹内
敏宏 黒木
Toshihiro Kuroki
敏宏 黒木
秀徳 江越
Hidenori Ekoshi
秀徳 江越
崇 荒川
Takashi Arakawa
崇 荒川
一裕 井上
Kazuhiro Inoue
一裕 井上
俊宏 米屋
Toshihiro Yoneya
俊宏 米屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2015084952A priority Critical patent/JP2016207739A/ja
Priority to US15/060,534 priority patent/US9853195B2/en
Priority to EP16779854.5A priority patent/EP3285307B1/en
Priority to PCT/JP2016/057667 priority patent/WO2016167062A1/ja
Priority to CN201610141800.4A priority patent/CN106058005A/zh
Priority to TW105107637A priority patent/TWI593143B/zh
Publication of JP2016207739A publication Critical patent/JP2016207739A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】生産性を高めることが可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１金属部材と、半導体発光素子と、絶縁層と、を含む。前記第１金属部材は、銅を含む第１金属板と、銀を含む第１金属層と、を含む。前記半導体発光素子と前記第１金属板との間に前記第１金属層が配置される。前記絶縁層は、酸化シリコンを含む。前記第１金属板は、前記第１金属層から前記半導体発光素子に向かう第１方向に対して垂直な平面と交差する第１金属板側面を有する。前記絶縁層は、前記第１金属板側面と接する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
半導体発光装置において、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）などの半導体発光素子が、リードフレームなどの部材の上に実装される。半導体発光装置において、高い生産性が求められる。
特開２０１２−２３４９５５号公報
本発明の実施形態は、生産性を高めることが可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、半導体発光装置は、第１金属部材と、半導体発光素子と、絶縁層と、を含む。前記第１金属部材は、銅を含む第１金属板と、銀を含む第１金属層と、を含む。前記半導体発光素子と前記第１金属板との間に前記第１金属層が配置される。前記絶縁層は、酸化シリコンを含む。前記第１金属板は、前記第１金属層から前記半導体発光素子に向かう第１方向に対して垂直な平面と交差する第１金属板側面を有する。前記絶縁層は、前記第１金属板側面と接する。
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。 図２は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置を例示する模式的断面図である。 図３は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置を例示する模式的断面図である。 図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、実施形態に係る別の半導体発光装置の一部を例示する模式的断面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。
図１（ａ）は、斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の矢印ＡＲに沿って見たときの、半導体発光装置の一部を例示する平面図である。図１（ｂ）において、一部の要素を破線で表示している。図１（ｃ）は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すＡ１−Ａ２線の断面図である。図１（ｄ）は、半導体発光装置の一部を例示する断面図である。
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置１１０は、半導体発光素子１０と、第１金属部材５１と、絶縁層４０と、を含む。この例では、半導体発光装置１１０は、第２金属部材５２をさらに含む。
図１（ｃ）においては、図を見やすくするために、半導体発光素子１０の厚さを拡大して描いてある。
図１（ｃ）に示すように、第１金属部材５１は、第１金属板５１ｃと、第１金属層５１ａと、を含む。この例では、第１金属部材５１は、第１下金属層５１ｂをさらに含む。第１金属層５１ａと第１下金属層５１ｂとの間に、第１金属板５１ｃが設けられる。第１金属板５１ｃは、銅（Ｃｕ）を含む。第１金属板５１ｃは、例えば銅板である。第１金属層５１ａは、例えば銀（Ａｇ）を含む。第１金属層５１ａは、例えば、銀層である。第１下金属層５１ｂは、例えば銀を含む。第１下金属層５１ｂは、例えば、銀層である。
例えば、第１金属板５１ｃの表面に銀層がめっきにより形成される。これにより、第１金属層５１ａ（及び第１下金属層５１ｂ）が形成される。銀層は、蒸着により形成されても良い。
半導体発光素子１０と第１金属板５１ｃとの間に、第１金属層５１ａが配置される。半導体発光素子１０は、例えばＬＥＤチップである。
第１金属層５１ａから半導体発光素子１０に向かう第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。第１金属層５１ａと第１金属板５１ｃとの間の界面（後述する第１下面５１ａｌに対応する面）は、Ｘ−Ｙ平面に対して平行である。
第２金属部材５２は、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する方向において、第１金属部材５１と並ぶ。
第２金属部材５２は、第２金属板５２ｃと、第２金属層５２ａと、を含む。第２金属層５２ａは、第１方向において第２金属板５２ｃの少なくとも一部と重なる。この例では、第２金属部材５２は、第２下金属層５２ｂをさらに含む。第２金属層５２ａと第２下金属層５２ｂとの間に、第２金属板５２ｃが設けられる。第２金属板５２ｃは、銅を含む。第２金属層５２ａは、例えば銀を含む。第２下金属層５２ｂは、例えば銀を含む。例えば、第２金属板５２ｃの表面に銀層がめっきにより形成され、第２金属層５２ａ（及び第２下金属層５２ｂ）が形成される。銀層は、蒸着により形成されても良い。
この例では、第３金属部材５３がさらに設けられる。第３金属部材５３は、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する方向において、第１金属部材５１と並ぶ。この例では、第３金属部材５３と第２金属部材５２との間に、第１金属部材５１が配置される。
第３金属部材５３は、第３金属板５３ｃと、第３金属層５３ａと、を含む。第３金属層５３ａは、第１方向において第３金属板５３ｃの少なくとも一部と重なる。この例では、第３金属部材５３は、第３下金属層５３ｂをさらに含む。第３金属層５３ａと第３下金属層５３ｂとの間に、第３金属板５３ｃが設けられる。第３金属板５３ｃは、銅を含む。第３金属層５３ａは、例えば銀を含む。第３下金属層５３ｂは、例えば銀を含む。例えば、第３金属板５３ｃの表面に銀層がめっきにより形成され、第３金属層５３ａ（及び第３下金属層５３ｂ）が形成される。銀層は、蒸着により形成されても良い。
図１（ｂ）は、第１金属部材５１、第２金属部材５２及び第３金属部材５３を例示している。図１（ｂ）に示すように、第２金属部材５２は、第１金属部材５１から離間している。第２金属部材５２は、第２金属部材５１から電気的に絶縁されている。この例では、接続部材５３ｘが設けられる。接続部材５３ｘにより、第３金属部材５３は、第１金属部材５１と電気的に接続される。これらの金属部材は、例えば、リードフレームである。
絶縁層４０は、第１金属部材５１の少なくとも一部の上に設けられる。絶縁層４０は、酸化シリコン４１を含む。この例では、絶縁層４０は、複数の粒子４２をさらに含む。複数の粒子４２は、例えば、酸化亜鉛及び酸化チタンの少なくともいずれかを含む。絶縁層４０は、例えば、光反射性である。絶縁層４０の光反射率は、例えば、第１金属板５１ｃの光反射率よりも高い。
絶縁層４０は、例えば、第１金属部材５１及び第２金属部材５２を保持する。絶縁層４０は、例えば、第１金属部材５１を第２金属部材５２と接続する。絶縁層４０は、第１金属部材５１に対する、第２金属部材５２の位置を固定する。絶縁層４０は、第１金属部材５１と第２金属部材５２との間を電気的に絶縁しつつ、第１金属部材５１及び第２金属部材５２を保持する。絶縁層４０は、第１金属部材５１と第２金属部材５２との間を電気的に絶縁しつつ、第１金属部材５１を第２金属部材５２と接続する。
図１（ｃ）に示すように、第１金属板５１ｃは、第１金属板側面５１ｃｓを有する。第１金属板側面５１ｃｓは、Ｘ−Ｙ平面（第１方向に対して垂直な平面）と交差する。第１金属層５１ａは、第１金属層側面５１ａｓを有する。第１金属層側面５１ａｓは、Ｘ−Ｙ平面と交差する。第１下金属層５１ｂは、第１下金属層側面５１ｂｓを有する。第１下金属層側面５１ｂｓは、Ｘ−Ｙ平面と交差する。
第２金属板５２ｃは、第２金属板側面５２ｃｓを有する。第２金属板側面５２ｃｓは、Ｘ−Ｙ平面と交差する。第２金属層５２ａは、第２金属層側面５２ａｓを有する。第２金属層側面５２ａｓは、Ｘ−Ｙ平面と交差する。第２下金属層５２ｂは、第２下金属層側面５２ｂｓを有する。第２下金属層側面５２ｂｓは、Ｘ−Ｙ平面と交差する。
本実施形態においては、絶縁層４０は、第１金属板側面５１ｃｓと接する。この例では、絶縁層４０は、第１金属層側面５１ａｓと接する。絶縁層４０は、第１下金属層側面５１ｂｓと接する。絶縁層４０は、第２金属板側面５２ｃｓと接する。絶縁層４０は、第２金属層側面５２ａｓと接する。絶縁層４０は、第２下金属層側面５２ｂｓと接する。
このような半導体発光装置１１０においては、高い生産性が得られる。
例えば、第１金属板５１ｃの第１金属板側面５１ｃｓが銀層で覆われている参考例がある。例えば、金属板となる銅板を所定の形状に加工して金属板を形成し、この金属板の表面に銀層をめっきなどにより形成することで、この参考例の構成が得られる。この参考例においては、銅の金属板の表面は、銀層により覆われる。この場合、絶縁層４０は、銀層に接し、銅の金属板の表面には接しない。このような参考例において、絶縁層４０にクラックなどが生じる場合があることが分かった。絶縁層４０は、金属部材のコーナー部に接する部分を有している。この部分に、クラックは、生じやすい。
例えば、半導体発光装置の製造過程において、複数の（２つの）金属部材を保持する絶縁層４０が設けられる。この後、この２つの金属部材に、互いに異なる方向の応力が加わる場合がある。このとき、この応力が絶縁層４０に加わり、絶縁層４０にクラックが生じる。絶縁層４０と金属部材との間に、剥がれが生じる場合もある。このため、２つの金属部材の位置が所定の位置ではなくなる場合があり、不良となる。２つの金属部材の間の絶縁性が劣化する。これにより、例えば、信頼性が低下する場合もある。例えば、高温高湿動作試験での寿命が低下する場合もある。
このような問題は、絶縁層４０が、光反射性を有しつつ、高い機械的強度を有する場合に、特に生じやすいことが分かった。半導体発光装置においては、半導体発光素子１０から放出された光が、絶縁層４０で反射して、外部に出射する。高い光反射性を得るために、例えば、複数の粒子４２が絶縁層４０に設けられる。複数の粒子４２の周りに設けられるマトリクス（母体）には、光吸収性が低いことが求められる。さらに、マトリクスには、半導体発光素子１０からの高強度の光が照射される。このため、マトリクスには、高い耐光性が求められる。これに加えて、絶縁層４０には、高い機械的強度が求められる。これにより、２つの金属部材を安定して保持できる。例えば、絶縁層４０のマトリクスとして、柔軟性の高い材料を用いると、高い機械的な強度を得ることが困難になる。
このため、互いに離間した２つの金属部材（リードフレーム）を絶縁層４０で保持する構成において、絶縁層４０に用いられる材料の選択範囲が制限される。絶縁層４０に用いられる材料の変更によって、絶縁層４０のクラックや剥がれを抑制することには限界がある。
このような問題は、半導体発光素子１０と、複数の金属部材と、を用い、高い光反射率を得つつ、複数の金属部材を絶縁層で安定して保持する構成において、特別に生じる問題である。本願発明者は、このような新たな課題を解決する方法を検討した。
本願発明者は、リードフレームの製造工程を変更する実験を行った。すなわち、銅板の表面に銀層を形成し、その後、銀層及び銅板を所定の形状に加工する。このような工程により得られた構成において、絶縁層４０のクラックや剥がれが抑制できることが分かった。
このような構成においては、銅板の側面が銀層に覆われていない。このため、銅板の側面が露出する。絶縁層４０は、銅板の側面と接する。銅の表面エネルギーは、銀の表面エネルギーよりも高いため、絶縁層４０と銅との間の密着力は、絶縁層４０と銀との間の密着力よりも高いことが考えられる。
本願発明者の実験によると、銅層の上に絶縁層４０を形成したときのシェア強度は、約３３５ｇｆ／ｍｍ２であることが分かった。一方、銀層の上に絶縁層４０を形成したときのシェア強度は、約１２ｇｆ／ｍｍ２であることが分かった。このように、絶縁層４０と銅との間の密着力は、高い。
実施形態においては、絶縁層４０は、第１金属板側面５１ｃｓと接する。これにより、絶縁層４０と第１金属板側面５１ｃｓとの間において、高い密着性が得られる。さらに、絶縁層４０は、第２金属板側面５２ｃｓと接することにより、絶縁層４０と第２金属板側面５２ｃｓとの間において、高い密着性が得られる。これにより、絶縁層４０におけるクラックなどが抑制できる。これにより、歩留まりが向上する。高い生産性が得られる。
例えば、半導体発光装置に応力を加えることで、パッケージ強度が、測定される。例えば、絶縁層４０に応力を加えると、２つの金属部材の位置が変化し、絶縁層４０が破壊される。このようなパッケージ強度試験において、実施形態に係る半導体発光装置１１０のパッケージ強度は、約５Ｎ（ニュートン）（４．４Ｎ以上５．６Ｎ以下）である。一方、上記の参考例（銅板の表面の全体が銀層で覆われている）においては、パッケージ強度は、約４Ｎ（３．３Ｎ以上４．６Ｎ以下）である。このように、実施形態においては、高いパッケージ強度が得られる。
実施形態によれば、高い信頼性が得られる。
図１（ｄ）に示すように、第１金属板５１ｃは、第１方向（Ｚ軸方向）に沿った厚さ（厚さｔｃ）を有する。第１金属層５１ａは、第１方向に沿った厚さ（厚さｔａ）を有する。第１下金属層５１ｂは、第１方向に沿った厚さ（厚さｔｂ）を有する。
厚さｔｃは、厚さｔａよりも厚く、厚さｔｂよりも厚い。これにより、密着力が高い第１金属板５１ｃと、絶縁層４０と、の間の接触面積を大きくできる。
例えば、第１金属板５１ｃの第１方向に沿った厚さｔｃは、例えば、第１金属層５１ａの第１方向に沿った厚さｔａの５００倍以上５０００倍以下である。厚さｔｃが厚さｔａの５００倍未満のとき、例えば、密着力が不十分になる場合がある。厚さｔｃが厚さｔａの５０００倍を超えると、例えば、第１金属層５１ａが過度に薄く、所望の反射特性が得にくくなる場合がある。または、例えば、第１金属板５１ｃが過度に厚くなり、装置の全体の厚さが厚くなる。同様に、厚さｔｃは、例えば、厚さｔｂの５００倍以上５０００倍以下である。
例えば、第１金属層５１ａの厚さｔａは、２マイクロメートル（μｍ）以上１０μｍ以下である。厚さｔａが２μｍ未満の場合、例えば、均一な高い反射率が得にくくなる場合がある。厚さｔａが、１０μｍを超えると、例えば、第１金属層５１ａにクラックが生じやすくなる場合がある。さらに、製造コストが上昇する。
例えば、第１金属板５１ｃの厚さｔｃは、０．２ミリメートル（ｍｍ）以上１（ｍｍ）以下である。厚さｔｃが０．２ｍｍ未満の場合、例えば、機械的強度が低くなる。厚さｔｃが、１ｍｍを超えると、半導体発光装置の厚さが厚くなる。さらに、製造コストが上昇する。
図１（ｄ）に示すように、第１金属板５１ｃは、第１領域５１ｃｃと、第２領域５１ｃｏと、を含んでも良い。第１領域５１ｃｃは、銅を含む。第１領域５１ｃｃは、例えば、銅を含有する板である。第２領域５１ｃｏは、第１領域５１ｃｃと絶縁層４０との間に設けられる。第２領域５１ｃｏにおける酸素の濃度は、第１領域５１ｃｃにおける酸素の濃度よりも高い。第２領域５１ｃｏは、例えば、銅の酸化物を含む。第２領域５１ｃｏは、例えば、第１領域５１ｃｃの表面（側面）の一部に設けられた銅酸化膜である。この場合、第１金属板５１ｃの第１金属板側面５１ｃｓは、第２領域５１ｃｏの側面となる。
例えば、第１金属板側面５１ｃｓが銅酸化物を含む場合、絶縁層４０と銅酸化物との間に科学結合（例えば水素結合）が、形成される場合がある。これにより、第１金属板側面５１ｃｓと絶縁層４０との間の密着力がより向上する。これにより、生産性がより向上する。信頼性がより向上する。
実施形態において、絶縁層４０中における酸化シリコン４１の含有率は、例えば、４０％以上である。酸化シリコン４１の含有率は、５０％以上でも良い。酸化シリコン４１の含有率は、例えば７０％以下である。酸化シリコン４１の含有率は、６０％以下でも良い。
絶縁層４０中における複数の粒子４２の含有率は、２０％以上である。複数の粒子４２の含有率は、３０％以上でも良い。複数の粒子４２の含有率は、例えば、５０％以下である。複数の粒子４２の含有率は、４０％以下でも良い。
絶縁層４０は、有機物をさらに含んでも良い。絶縁層４０は、カップリング剤をさらに含んでも良い。これにより、密着性が向上する。絶縁層４０は、炭化水素基を含んでも良い。絶縁層４０は、不飽和結合を含む基（例えば不飽和炭化水素基など）を含んでも良い。絶縁層４０は、例えば、シロキサン化合物を含んでも良い。絶縁層４０の柔軟性が向上する。これにより、応力が緩和され易くなり、クラックなどが抑制される。
図１（ｃ）に示すように、第１金属層５１ａは、第１上面５１ａｕと、第１下面５１ａｌと、を有する。第１下面５１ａｌは、第１金属板５１ｃと対向する。第１上面５１ａｕは、第１下面５１ａｌとは反対側の面である。第１上面５１ａｕ及び第１下面５１ａｌは、Ｘ−Ｙ平面に沿う。絶縁層４０は、第１上面５１ａｕの少なくとも一部と接しても良い。第１上面５１ａｕは、半導体発光素子１０と対向する。
第２金属層５２ａは、第２上面５２ａｕと、第２下面５２ａｌと、を有する。第２下面５２ａｌは、第２金属板５２ｃと対向する。第２上面５２ａｕは、第２下面５２ａｌとは反対側の面である。第２上面５２ａｕ及び第２下面５２ａｌは、Ｘ−Ｙ平面に沿う。絶縁層４０は、第２上面５２ａｕの少なくとも一部と接しても良い。
第３金属層５３ａは、第３上面５３ａｕと、第３下面５３ａｌと、を有する。第３下面５３ａｌは、第３金属板５３ｃと対向する。第３上面５３ａｕは、第３下面５３ａｌとは反対側の面である。第３上面５３ａｕ及び第３下面５３ａｌは、Ｘ−Ｙ平面に沿う。絶縁層４０は、第３上面５３ａｕの少なくとも一部と接しても良い。
絶縁層４０がこれらの上面と接することで、絶縁層４０は、金属部材をさらに強固に保持できる。これにより、生産性がさらに向上する。信頼性がさらに向上する。
半導体発光装置１１０の例においては、第２金属部材５２の下面５２ｌｆは、第１金属部材５１の下面５１ｌｆの少なくとも一部が含まれる面（Ｘ−Ｙ平面）内に、実質的に位置する。第３金属部材５３の下面５３ｌｆは、第１金属部材５１の下面５１ｌｆの少なくとも一部が含まれる面（Ｘ−Ｙ平面）内に、実質的に位置する。絶縁層４０の下面４０ｌｆは、第１金属部材５１の下面５１ｌｆの少なくとも一部が含まれる面（Ｘ−Ｙ平面）内に、実質的に位置する。
これらの下面が、同じ平面内に位置することで、半導体発光装置１１０の実装において、これらの金属部材との電気的接続が容易になる。信頼性の高い接続が得られる。
以下、半導体発光装置１１０の例についてさらに説明する。
図１（ｃ）に示すように、半導体発光素子１０は、第１半導体層１１と、第２半導体層１２と、第３半導体層１３と、を含む。第１半導体層１１は、例えば、第１導電形である。第２半導体層１２は、第１半導体層１１と第１金属部材５１との間に設けられる、第２半導体層１２は、例えば、第２導電形である。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形で、第２導電形がｎ形でも良い。第３半導体層１３は、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられる。第３半導体層１３は、例えば、発光層である。第１半導体層１１、第２半導体層１２及び第３半導体層１３は、例えば、窒化物半導体を含む。
例えば、第１金属部材５１は、第２半導体層１２と電気的に接続される。第２金属部材５２は、第１半導体層１１と電気的に接続される。
半導体発光素子１０は、パッド部１１ｐを含む。パッド部１１ｐは、第１半導体層１１と電気的に接続される。この例では、第１電極１１ｅが設けられる。第１電極１１ｅは、第１半導体層１１及びパッド部１１ｐと電気的に接続される。第１電極１１ｅは、例えば細線電極である。
半導体発光素子１０は、基体１５及び第２電極１２ｅをさらに含む。第２電極１２ｅの上に基体１５が設けられる。基体１５の上に、第２半導体層１２が設けられる。第２半導体層１２の上に第３半導体層１３が設けられる。第３半導体層１３の上に第１半導体層１１が設けられる。第１半導体層１１の一部の上に、第１電極１１ｅ及びパッド部１１ｐが設けられる。基体１５は、例えば、導電性である。基体１５は、例えば、第２半導体層１２とのオーミック接触を有する金属を含む。第２電極１２ｅとパッド部１１ｐとの間に電圧を印加する。これにより、第３半導体層１３に電流が流れ、第３半導体層１３から光が放出される。半導体発光素子１０は、例えば、ＬＥＤである。
第３半導体層１３から放出される光のピーク波長は、例えば、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である。実施形態において、ピーク波長は任意である。光の強度は、ピーク波長において最高となる。
第１金属部材５１と半導体発光素子１０との間に、接合層２２が設けられる。接合層２２は、例えば、はんだである。接合層２２により、第１金属部材５１上において、半導体発光素子１０が固定される。第１金属部材５１は、第２電極１２ｅと電気的に接続される。第１金属部材５１は、第２半導体層１２と電気的に接続される。
半導体発光装置１１０は、配線２１を含む。配線２１の一端は、パッド部１１ｐと電気的に接続される。配線２１の他端は、第２金属部材５２と電気的に接続される。第１金属部材５１と、第２金属部材５２と、の間に電圧を印加することで、半導体発光素子１０に電圧が印加され、発光が生じる。
この例では、光透過層２３がさらに設けられる。光透過層２３の少なくとも一部と、第１金属部材５１と、の間に、半導体発光素子１０が配置される。光透過層２３は、例えば、レンズとして機能する。光透過層２３は、波長変換機能を有しても良い。この例では、光透過層２３と半導体発光素子１０との間に波長変換層２４が設けられている。波長変換層２４は、半導体発光素子１０から放出された第１光の一部を吸収し、第２光を放出する。第２光のピーク波長は、第１光のピーク波長とは異なる。第１光は、例えば、青色であり、第２光は、例えば、黄色（赤色を含んでも良い）などである。第１光及び第２光の合成光が半導体発光装置１１０の光となる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、この例では、電気素子７０（例えばツェナーダイオードなど）が設けられる。電気素子７０の一端は、第３金属部材５３と電気的に接続される。すなわち、電気素子７０の一端は、第１金属部材５１と電気的に接続される。電気素子７０の他端は、第２金属部材５２と電気的に接続される。電気素子７０を設けることにより、半導体発光素子１０に逆電圧が加わることが抑制できる。
図２は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置を例示する模式的断面図である。
図２は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すＡ１−Ａ２線の断面に対応する図である。
図２に示すように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１１においては、金属部材の一部が、第１方向において、絶縁層４０の間に位置している。そして、絶縁層４０の厚さが変化している。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様なので説明を省略する。
例えば、第１金属部材５１の一部は、第１方向において、絶縁層４０の一部と、絶縁層４０の別の一部と、の間に配置される。第２金属部材５２の一部は、第１方向において、絶縁層４０の一部と、絶縁層４０の別の一部と、の間に配置される。第３金属部材５３の一部は、第１方向において、絶縁層４０の一部と、絶縁層４０の別の一部と、の間に配置されても良い。これにより、金属部材は、上下方向から絶縁層４０に挟まれる。強固な保持が得られる。
半導体発光装置１１１においては、絶縁層４０の一部により金属部材を挟みつつ、絶縁層４０の下面４０ｌｆは、第１金属部材５１の下面５１２ｌｆの少なくとも一部が含まれる面（Ｘ−Ｙ平面）内に、実質的に位置する。強固な保持と共に、確実な電気的接続が得られる。
絶縁層４０の一部の高さが、絶縁層４０の他の部分よりも高い。例えば、半導体発光素子１０の周りの絶縁層４０の部分の高さを高くすることで、例えば、半導体発光素子１０を覆う樹脂（例えば波長変換層２４など）の形状の制御が容易になる。
図３は、第１の実施形態に係る別の半導体発光装置を例示する模式的断面図である。
図３は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すＡ１−Ａ２線の断面に対応する図である。
図３に示すように、本実施形態に係る別の半導体発光装置１１２においては、第１金属板５１ｃの第１上面５１ａｕのうちの第１金属板側面５１ｃｓに近い部分が、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している。一方、第１上面５１ａｕのうちの、Ｚ軸方向において半導体発光素子１０と重なる部分は、Ｘ−Ｙ平面に実質的に沿っている（平行である）。これ以外は、半導体発光装置１１０と同様なので説明を省略する。図３においては、光透過層２３及び波長変換層２４が省略されている。
第１上面５１ａｕのうちの第１金属板側面５１ｃｓに近い部分が、Ｘ−Ｙ平面に対して傾斜している形状は、例えば、第１金属部材５１の成型工程において形成される。例えば、第１下金属層５１ｂから第１金属層５１ａに向かう方向に沿って、金属部材となる材料を切断すると、このような形状（例えば「バリ」）が形成される。
例えば、第１金属板側面５１ｃｓは、半導体発光素子１０の側の端５１ｃｓｅを有する。第１金属板５１ｃは、上面５１ｃｕを有する。上面５１ｃｕは、第１金属層５１ａと対向する。上面５１ｃｕは、第１方向（Ｚ軸方向）において半導体発光素子１０と重なる部分５１ｃｕｅを有する。端５１ｃｓｅの第１方向における位置は、部分５１ｃｕｅの第１方向における位置と、半導体発光素子１０の第１方向における位置と、の間に設けられる。
例えば、第１金属層５１ａの第１金属層側面５１ａｓは、半導体発光素子１０の側の端５１ａｓｅを有する。第１金属層５１ａは、半導体発光素子１０の側の上面５１ａｕを有する。上面５１ａｕは、第１方向（Ｚ軸方向）において半導体発光素子１０と重なる部分５１ａｕｅを有する。端５１ａｓｅの第１方向における位置は、部分５１ａｕｅの第１方向における位置と、半導体発光素子１０の第１方向における位置と、の間に設けられる。
半導体発光装置１１２においては、第１金属板５１ｃの一部が、第１金属層５１ａと絶縁層４０との間に位置する。第２金属板５２ｃの一部が、第２金属層５２ａと絶縁層４０との間に位置する。第３金属板５３ｃの一部が、第３金属層５３ａと絶縁層４０との間に位置する。
このような構成においては、例えば、絶縁層４０と第１金属部材５１との接触面積が大きくできる。例えば、端５１ａｓｅの近傍において、絶縁層４０は、第１金属部材５１（バリ部分）をＺ軸方向と交差する方向において挟む。これにより、絶縁層４０による第１金属部材５１の保持がより確実になる。
例えば、上記の参考例（銅板の表面の全体が銀層で覆われている）においては、金属板を形成した後に、金属板の表面の全体に銀層が設けられる。参考例においては、金属板の「バリ」の表面に銀層が設けられるため、「バリ」が平滑化される。このため、絶縁層４０がバリ部分をＺ軸方向と交差する方向において挟むことが困難になる。
これに対して、実施形態においては、バリを利用することで保持の強度がより高まる。
（第２の実施形態）
本実施形態は、半導体発光装置の製造方法に係る。
図４（ａ）〜図４（ｅ）は、第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
これらの図は、半導体発光装置１１０の製造方法の例を示している。
図４（ａ）に示すように、銅を含む金属板５０ｃｘを用意する。
図４（ｂ）に示すように、金属板５０ｃｘの表面に、銀を含む膜５０ａｘを形成する。これにより、母体５５が形成される。母体５５は、銅を含む金属板５０ｃｘと、金属板５０ｃｘの表面に設けられた銀を含む膜５０ａｘと、を含む。
図４（ｃ）に示すように、母体５５を切断して、第１金属部材５１を形成する。この例では、第２金属部材５２及び第３金属部材５３も形成される。
第１金属部材５１は、金属板５０ｃｘから得られ第１金属板側面５１ｃｓを有する第１金属板５１ｃと、上記の膜５０ａｘから得られる第１金属層５１ａと、を含む。この例では、第１金属部材５１は、上記の膜５０ａｘから得られる第１下金属層５１ｂをさらに含む。
第２金属部材５２は、金属板５０ｃｘから得られ第２金属板側面５２ｃｓを有する第２金属板５２ｃと、上記の膜５０ａｘから得られる第２金属層５２ａと、を含む。この例では、第２金属部材５１は、上記の膜５０ａｘから得られる第２下金属層５２ｂをさらに含む。
第３金属部材５３は、金属板５０ｃｘから得られ第３金属板側面５３ｃｓを有する第３金属板５３ｃと、上記の膜５０ａｘから得られる第３金属層５３ａと、を含む。この例では、第３金属部材５３は、上記の膜５０ａｘから得られる第３下金属層５３ｂをさらに含む。
図４（ｄ）に示すように、酸化シリコンを含む絶縁層４０を形成する。例えば、型４５を用いて絶縁層４０の成型を行う。絶縁層４０は、第１金属板側面５１ｃｓに接する。絶縁層４０は、第２金属板側面５２ｃｓ及び第３金属板側面５３ｃｓに接しても良い。絶縁層４０は、第１金属層側面５１ａｓ、第２金属層側面５２ａｓ及び第３金属層側面５３ａｓに接しても良い。絶縁層４０は、第１下金属層側面５１ｂｓ、第２下金属層側面５２ｂｓ及び第３下金属層側面５３ｂｓに接しても良い。
図４（ｅ）に示すように、第１金属層５１ａの上に半導体発光素子１０を配置する。必要に応じて、配線２１による接続を行う。
これにより、半導体発光装置１１０が作製される。この製造方法においては、生産性を高めることが可能な半導体発光装置を製造できる。
第１金属板側面５１ｃｓの銅（または銅酸化物）と絶縁層４０とが接する構成において、高温低温の温度ストレスが半導体発光装置１１０に加わった際、例えば、低密着性の銀（例えば第１金属層５１ａなど）が、絶縁層４０の熱膨張等に起因するストレスを低減する。これにより、信頼性が向上する。
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、実施形態に係る別の半導体発光装置の一部を例示する模式的断面図である。
図５（ａ）に示すように、第１金属板側面５１ｃｓに銀を含む領域（第１銀含有領域５１ａｐ）が設けられても良い。第２金属板側面５２ｃｓに銀を含む領域（第２銀含有領域５２ａｐ）が設けられても良い。例えば、金属部材の加工の際において、銀を含む金属層から形成された銀を含むチップが、金属板側面に付着する場合がある。このような場合に、金属板側面に銀含有領域が形成される。この例の場合、第１金属板側面５１ｃｓは、銅を含む領域と、銀を含む領域と、を含む。分析の条件によっては、第１金属板側面５１ｃｓが、銅と酸素とを含む場合がある。
図５（ｂ）に示すように、第１金属板側面５１ｃｓの近傍の第２領域５１ｃｏに、第１銀含有領域５１ａｐが設けられても良い。この場合は、第１金属板側面５１ｃｓは、銅と酸素とを含む領域と、銀を含む領域と、を含む。分析の条件によっては、第１金属板側面５１ｃｓが、銅と酸素と銀とを含む場合がある。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した例においても、例えば、絶縁層４０のクラックが抑制され、高い歩留まりが得られ、高い生産性が得られる。高い信頼性が得られる。
上記の実施形態によれば、生産性を高めることが可能な半導体発光装置及びその製造方法が提供できる。
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光装置に含まれる半導体発光素子、半導体層、電極、金属部材、金属板、金属層、絶縁層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…半導体発光素子、 １１…第１半導体層、 １１ｅ…第１電極、 １１ｐ…パッド部、 １２…第２半導体層、 １２ｅ…第２電極、 １３…第３半導体層、 １５…基体、 ２１…配線、 ２２…接合層、 ２３…光透過層、 ２４…波長変換層、 ４０…絶縁層、 ４０ｌｆ…下面、 ４１…酸化シリコン、 ４２…粒子、 ４５…型、 ５０ａｘ…膜、 ５０ｃｘ…金属板、 ５１…第１金属部材、 ５１ａ……第１金属層、 ５１ａｌ…第１下面、 ５１ａｐ…第１銀含有領域、 ５１ａｓ…第１金属層側面、 ５１ａｓｅ…端、 ５１ａｕ…第１上面、 ５１ａｕｅ…部分、 ５１ｂ…第１下金属層、 ５１ｂｓ…第１下金属層側面、 ５１ｃ…第１金属板、 ５１ｃｃ…第１領域、 ５１ｃｏ…第２領域、 ５１ｃｓ…第１金属板側面、 ５１ｃｓｅ…端、 ５１ｃｕ…上面、 ５１ｃｕｅ…部分、 ５１ｌｆ…下面、 ５２…第２金属部材、 ５２ａ…第２金属層、 ５２ａｌ…第２下面、 ５２ａｐ…第２銀含有領域、 ５２ａｓ…第２金属層側面、 ５２ａｕ…第２上面、 ５２ｂ…第２下金属層、 ５２ｂｓ…第２下金属層側面、 ５２ｃ…第２金属板、 ５２ｃｓ…第２金属板側面、 ５２ｌｆ…下面、 ５３…第３金属部材、 ５３ａ…第３金属層、 ５３ａｌ…第３下面、 ５３ａｓ…第３金属層側面、 ５３ａｕ…第３上面、 ５３ｂ…第３下金属層、 ５３ｂｓ…第３下金属層側面、 ５３ｃ…第３金属板、 ５３ｃｓ…第３金属板側面、 ５３ｌｆ…下面、 ５３ｘ…接続部材、 ５５…母体、 ７０…電気素子、 １１０〜１１２…半導体発光装置、 ＡＲ…矢印、 ｔａ、ｔｂ、ｔｃ…厚さ

Claims (9)

  1. 銅を含む第１金属板と、
    銀を含む第１金属層と、
    を含む第１金属部材と、
    半導体発光素子であって、前記半導体発光素子と前記第１金属板との間に前記第１金属層が配置された前記半導体発光素子と、
    酸化シリコンを含む絶縁層と、
    を備え、
    前記第１金属板は、前記第１金属層から前記半導体発光素子に向かう第１方向に対して垂直な平面と交差する第１金属板側面を有し、
    前記絶縁層は、前記第１金属板側面と接する、半導体発光装置。
  2. 前記第１金属層は、前記平面と交差する第１金属層側面を有し、
    前記絶縁層は、前記第１金属層側面と接する、請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 銅を含む第２金属板と、
    前記第１方向において前記第２金属板の少なくとも一部と重なり銀を含む第２金属層と、
    を含む第２金属部材をさらに備え、
    前記第２金属部材は、前記第１方向と交差する方向において前記第１金属部材と並び、
    前記第２金属板は、前記平面と交差する第２金属板側面を有し、
    前記絶縁層は、前記第２金属板側面と接する、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
  4. 前記半導体発光素子は、
    第１導電形の第１半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第１金属部材との間に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第３半導体層と、
    を含み、
    前記第１金属部材は、前記第２半導体層と電気的に接続され、
    前記第２金属部材は、前記第１半導体層と電気的に接続される、請求項３記載の半導体発光装置。
  5. 前記絶縁層中における前記酸化シリコンの含有率は、４０％以上である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  6. 前記絶縁層は、酸化亜鉛を含む複数の粒子をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  7. 前記第１金属板の前記第１方向に沿った厚さは、前記第１金属層の前記第１方向に沿った厚さの５００倍以上５０００倍以下である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  8. 前記第１金属板は、
    銅を含む第１領域と、
    前記第１領域と前記絶縁層との間に設けられた第２領域と、
    を含み、
    前記第２領域における酸素の濃度は、前記第１領域における酸素の濃度よりも高い、請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  9. 銅を含む金属板と、前記金属板の表面に設けられた銀を含む膜と、を含む母体を切断して、前記金属板から得られ第１金属板側面を有する第１金属板と、前記膜から得られる第１金属層と、を含む第１金属部材を形成し、
    前記第１金属板側面に接し酸化シリコンを含む絶縁層を形成し、
    前記第１金属層の上に半導体発光素子を配置する、半導体発光装置の製造方法。
JP2015084952A 2015-04-17 2015-04-17 半導体発光装置及びその製造方法 Pending JP2016207739A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015084952A JP2016207739A (ja) 2015-04-17 2015-04-17 半導体発光装置及びその製造方法
US15/060,534 US9853195B2 (en) 2015-04-17 2016-03-03 Semiconductor light-emitting device and method for producing the same
EP16779854.5A EP3285307B1 (en) 2015-04-17 2016-03-10 Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
PCT/JP2016/057667 WO2016167062A1 (ja) 2015-04-17 2016-03-10 半導体発光装置及びその製造方法
CN201610141800.4A CN106058005A (zh) 2015-04-17 2016-03-11 半导体发光装置及其制造方法
TW105107637A TWI593143B (zh) 2015-04-17 2016-03-11 Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015084952A JP2016207739A (ja) 2015-04-17 2015-04-17 半導体発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016207739A true JP2016207739A (ja) 2016-12-08

Family

ID=57126778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015084952A Pending JP2016207739A (ja) 2015-04-17 2015-04-17 半導体発光装置及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9853195B2 (ja)
EP (1) EP3285307B1 (ja)
JP (1) JP2016207739A (ja)
CN (1) CN106058005A (ja)
TW (1) TWI593143B (ja)
WO (1) WO2016167062A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6210767B2 (ja) * 2013-07-17 2017-10-11 オリンパス株式会社 光源装置
JP2023076897A (ja) * 2021-11-24 2023-06-05 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4991173B2 (ja) * 2005-04-27 2012-08-01 京セラ株式会社 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置
US20070298268A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Gelcore Llc Encapsulated optoelectronic device
JP2010106243A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物
US8207547B2 (en) * 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
JP2011187586A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Seiko Instruments Inc 発光デバイス及びその製造方法
JP2012134295A (ja) 2010-12-21 2012-07-12 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP5736770B2 (ja) * 2010-12-27 2015-06-17 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ用基板とその製造方法および半導体装置
TW201250964A (en) 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
TW201236228A (en) * 2011-02-18 2012-09-01 Bridge Semiconductor Corp Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader and asymmetric posts
KR101995599B1 (ko) * 2011-03-16 2019-07-02 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 광 반사성 이방성 도전 접착제 및 발광 장치
JP2012234955A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
KR101086014B1 (ko) * 2011-06-27 2011-11-22 (주)포인트엔지니어링 고방열성 광소자용 기판 및 그 제조방법
JP5950563B2 (ja) * 2011-12-14 2016-07-13 古河電気工業株式会社 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置
JP2013133429A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Kaneka Corp 表面実装型発光装置用樹脂成形体およびそれを用いた発光装置
JP2013251384A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Seika Sangyo Kk 発光装置
WO2013183693A1 (ja) 2012-06-07 2013-12-12 株式会社Ｓｔｅｑ Ｌｅｄ照明モジュールおよびｌｅｄ照明装置
JP5988782B2 (ja) * 2012-09-04 2016-09-07 パナソニック デバイスＳｕｎｘ竜野株式会社 Ｌｅｄパッケージ及びｌｅｄ発光素子
CN103035819B (zh) * 2012-11-29 2015-09-09 芜湖德豪润达光电科技有限公司 封装基板及其制造方法及基于该封装基板的led封装结构
JP6048880B2 (ja) 2013-01-25 2016-12-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP6221403B2 (ja) * 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6279868B2 (ja) * 2013-10-01 2018-02-14 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム基板の製造方法及び発光装置の製造方法
US20160079217A1 (en) 2014-09-12 2016-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and lead frame
JP6653119B2 (ja) 2014-09-12 2020-02-26 アルパッド株式会社 半導体発光装置及びリードフレーム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI593143B (zh) 2017-07-21
US20160308099A1 (en) 2016-10-20
WO2016167062A1 (ja) 2016-10-20
EP3285307A1 (en) 2018-02-21
EP3285307A4 (en) 2018-12-05
TW201639196A (zh) 2016-11-01
US9853195B2 (en) 2017-12-26
CN106058005A (zh) 2016-10-26
EP3285307B1 (en) 2021-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8748200B2 (en) Method for manufacturing LED package
US20130307014A1 (en) Semiconductor light emitting device
US10727385B2 (en) Light emitting device, light emitting element and method for manufacturing the light emitting element
EP2704541A2 (en) Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board
JP2020123740A (ja) 発光装置
US10651336B2 (en) Light-emitting device
EP2466659B1 (en) Light emitting device
US10283686B2 (en) Optoelectronic semiconductor component, optoelectronic arrangement and method of producing an optoelectronic semiconductor component
US10062820B2 (en) Interposer
JP2016207739A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2014093318A (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP2017174956A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2011198902A (ja) 発光装置
JP2015185685A (ja) 発光装置の製造方法及び照明装置
JP2013183067A (ja) 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP7116308B2 (ja) 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置
US10515882B2 (en) Semiconductor device package including electrode solder pads and additional solder pads
JP2014075518A (ja) 発光装置
JP6398541B2 (ja) リードフレーム及び発光装置
TWI616002B (zh) 發光晶片
JP2016119464A (ja) 発光装置
JP5433798B2 (ja) 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2013120874A (ja) 発光装置
KR20130044772A (ko) 개선된 광추출 효율을 가진 발광다이오드 및 그 제조방법
TW201834275A (zh) 異向性導電接著劑