CN103035819B - 封装基板及其制造方法及基于该封装基板的led封装结构 - Google Patents
封装基板及其制造方法及基于该封装基板的led封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103035819B CN103035819B CN201210498797.3A CN201210498797A CN103035819B CN 103035819 B CN103035819 B CN 103035819B CN 201210498797 A CN201210498797 A CN 201210498797A CN 103035819 B CN103035819 B CN 103035819B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat sink
- copper
- tungsten
- electroplating layer
- sink plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 48
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 88
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 27
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 20
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 11
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种封装基板，包括：铜质热沉板，该铜质热沉板上嵌有两条绝缘带，该两条绝缘带将该铜质热沉板分隔为电极、焊接带、电极三个区域；固定LED芯片的钨铜合金凸台焊接于该焊接带上，在该钨铜合金凸台及两个电极的表面分别设有电镀层。本发明所揭露的封装基板结构简单，简化了封装基板的制造工艺流程，大大降低了LED封装基板的生产成本，钨铜合金凸台使得LED芯片在灯具的内的安装高度增加，因而LED芯片所发射出的光能更多的直射到封装透镜的工作面，解决了传统陶瓷基板中透镜粘结胶对出光率影响的问题，增加了LED灯珠的出光率。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，具体的说是一种封装基板及其制造方法及基于该封装基板的LED封装结构。
背景技术
LED(Light Emitting Diode)是一种固态半导体器件，可将电能转换为光能。具有耗电量小、聚光效果好、反应速度快、可控性强、能承受高冲击力、使用寿命长、环保等优点，LED正逐步替代传统光源，成为第四代光源。
LED虽然节能，但与一般白炽灯饰一样，一部分能量转化为光的过程中，另外一部分能量转化成热量，尤其是LED为点状发光光源，其所产生的热量也集中在极小的区域，若产生的热量无法及时散发出去，PN结的结温将会升高，加速芯片和封装材料的老化，还可能导致焊点融化，致使芯片失效，进而直接影响LED的使用寿命与发光性能，尤其是大功率LED,其发热量更大，对散热技术要求更高。
陶瓷基板具有高散热、低热阻、长寿命、使用温度宽、耐电压等优点，但是制备陶瓷散热基板需要具有较高的设备与技术，制造工艺相当复杂，需使用到如曝光、真空沉积、显影、蒸镀、溅镀电镀与无电镀等技术，使得陶瓷基板造价昂贵。另外，传统的陶瓷基板中，封装透镜和铜金属复合层的粘结胶会对LED芯片的出光有一定影响，这部分胶阻挡了LED芯片侧面所发出的一部分光，使得LED侧向光的利用率下降。对于这一问题，业界技术人员也提出了改进，如专利号为201220168404.8的中国专利，公开了一种LED芯片封装基板结构，虽然该方案解决了使用传统陶瓷基板导致LED芯片侧向出光率降低的问题，但是电路层和微米级超薄陶瓷绝缘层的设计，更加增加了工艺的复杂程度，另外专利中使用了带有凸台的钨铜合金嵌板，增加了材料成本，使得这种封装基板成本昂贵的问题仍然没有得以解决。
发明内容
本发明的其中一目的在于提供一种封装基板。
本发明的另一目的在于提供一种上述封装基板的制造方法。
本发明的再一目的在于提供一种基于上述封装基板的LED封装结构。
为了达到上述目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种封装基板，包括：铜质热沉板，该铜质热沉板上嵌有两条绝缘带，该两条绝缘带将该铜质热沉板分隔为电极、焊接带、电极三个区域；固定LED芯片的钨铜合金凸台焊接于该焊接带上，在该钨铜合金凸台及两个电极的表面分别设有电镀层。
作为本发明的优选技术方案：所述钨铜合金凸台的厚度为0.2-0.3mm。
作为本发明的优选技术方案：所述钨铜合金凸台通过银铜焊料层与焊接带焊接。
作为本发明的优选技术方案：所述电镀层由内至外设有镍电镀层与银电镀层两层或镍电镀层与金电镀层两层。
上述封装基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、提供一铜质热沉板，通过冲压或蚀刻工艺在铜质热沉板上开设两条通槽，该两条通槽将该铜质热沉板分隔为电极、焊接带、电极三个区域；
b、使用银铜焊料将固定LED芯片的钨铜合金凸台焊接在焊接带上，焊接温度为700-800℃；
c、在铜质热沉板的两条通槽内填入绝缘材料进行烧结，在该铜质热沉板上形成两条绝缘带；
d、对钨铜合金凸台及两个电极的表面进行电镀，在其表面形成电镀层：首先在钨铜合金凸台及两个电极的表面电镀一镍电镀层，然后再在镍电镀层上电镀一银电镀层，银电镀层覆盖在镍电镀层上；或者，首先在钨铜合金凸台及两个电极的表面电镀一镍电镀层，然后再在镍电镀层上电镀一金电镀层，金电镀层覆盖在镍电镀层上；
e、去除焊接带、两电极三者的两端相连接的区域。
作为本发明的优选技术方案：所述绝缘材料为氧化铝与玻璃的混合物，烧结温度为400-600℃。
基于上述封装基板的LED封装结构，包括LED芯片、金线、封装透镜，铜质热沉板，该铜质热沉板上嵌有两条绝缘带，该两条绝缘带将该铜质热沉板分隔为电极、焊接带、电极三个区域；固定LED芯片的钨铜合金凸台焊接于该焊接带上，在该钨铜合金凸台及两个电极的表面分别设有电镀层；所述LED芯片设置在钨铜合金凸台表面的电镀层上，其正、负极通过金线分别与铜质热沉板上的两电极导电连接。
作为本发明的优选技术方案：所述钨铜合金凸台的厚度为0.2-0.3mm。
作为本发明的优选技术方案：所述钨铜合金凸台通过银铜焊料层与焊接带焊接。
作为本发明的优选技术方案：所述电镀层由内至外设有镍电镀层与银电镀层两层或镍电镀层与金电镀层两层。
与现有技术相比，本发明所揭露的封装基板结构简单，简化了封装基板的制造工艺流程，大大降低了LED封装基板的生产成本，钨铜合金凸台使得LED芯片在灯具的内的安装高度增加，因而LED芯片所发射出的光能更多的直射到封装透镜的工作面（封装透镜的曲面），解决了传统陶瓷基板中透镜粘结胶对出光率影响的问题，增加了LED灯珠的出光率。同时，钨铜合金凸台综合了铜和钨的优点，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，更适用于做大功率器件的热沉材料。
附图说明
图1为本发明中的封装基板的结构示意图。
图2为本发明中的封装基板的制造方法的示意图。
图3为本发明中的基于该封装基板的LED封装结构的示意图。
具体实施方式
请参阅图1，图中所示的封装基板，包括：铜质热沉板101，该铜质热沉板101上嵌有两条绝缘带104，该两条绝缘带104将该铜质热沉板101分隔为电极102、焊接带103、电极102三个区域，焊接带103位于两个电极102之间；固定LED芯片的钨铜合金凸台105通过银铜焊料层（请参阅图3）焊接在焊接带103上，在该钨铜合金凸台105及两个电极102的表面分别设有电镀层106、107。较优的，该电镀层106、107由内至外设有镍电镀层（图未示）与银电镀层（图未示）两层，银电镀层覆盖在镍电镀层上；或者，镍电镀层（图未示）与金电镀层（图未示）两层，金电镀层覆盖在镍电镀层上。较优的，所述钨铜合金凸台105的厚度为0.2-0.3mm。
请参阅图2，制造上述封装基板包括以下步骤：
a、提供一铜质热沉板101，通过冲压或蚀刻工艺在铜质热沉板101上开设两条通槽108，该两条通槽108将该铜质热沉板101分隔为电极102、焊接带103、电极102三个区域。
b、使用银铜焊料将固定LED芯片的钨铜合金凸台105焊接在焊接带103上，焊接温度为700-800℃。较优的，该钨铜合金凸台105的厚度为0.2-0.3mm。
c、在铜质热沉板101的两条通槽108内填入绝缘材料进行烧结，在该铜质热沉板101上形成两条绝缘带104。较优的，填充的绝缘材料为氧化铝与玻璃的混合物，烧结温度为400-600℃。氧化铝与玻璃的混合物烧结后不仅有良好的绝缘性能，而且其强度较高，可提高铜质热沉板上电极102、焊接带103、电极102三个区域间的结合强度。
d、对钨铜合金凸台105及两个电极102的表面进行电镀，在其表面形成电镀层107：首先在钨铜合金凸台105及两个电极102的表面电镀一镍电镀层，然后再在镍电镀层上电镀一银电镀层，银电镀层覆盖在镍电镀层上；或者，首先在钨铜合金凸台105及两个电极102的表面电镀一镍电镀层，然后再在镍电镀层上电镀一金电镀层，金电镀层覆盖在镍电镀层上。
e、去除焊接带103、两电极102三者的两端相连接的区域，形成焊接带103、两电极102分别绝缘的结构。
请参阅图3，为基于上述封装基板的LED封装结构，图中所示包括LED芯片201、金线202、封装透镜203、铜质热沉板101。该铜质热沉板101上嵌有两条绝缘带104，该两条绝缘带104将该铜质热沉板101分隔为电极102、焊接带103、电极102三个区域，焊接带103位于两个电极102之间。
固定LED芯片201的钨铜合金凸台105通过银铜焊料层109焊接在焊接带103上，在该钨铜合金凸台105及两个电极102的表面分别设有电镀层106、107。较优的，该电镀层106、107由内至外设有镍电镀层（图未示）与银电镀层（图未示）两层，银电镀层覆盖在镍电镀层上；或者，镍电镀层（图未示）与金电镀层（图未示）两层，金电镀层覆盖在镍电镀层上。较优的，所述钨铜合金凸台105的厚度为0.2-0.3mm。
所述LED芯片201设置在钨铜合金凸台105表面的电镀层106上，其正、负极通过金线202分别与铜质热沉板101上的两电极102导电连接。LED芯片201设置在钨铜合金凸台105上，使得LED芯片201在灯具的内的安装高度增加，因而LED芯片201所发射出的光能更多的直射到封装透镜203的工作面（封装透镜的曲面），因此增加了LED灯珠的出光率。同时，钨铜合金凸台105综合了铜和钨的优点，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，更适用于做大功率器件的热沉材料。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；凡是依本发明所作的等效变化与修改，都被本发明权利要求书的范围所覆盖。
Claims (10)
1.一种封装基板，其特征在于，包括：铜质热沉板，该铜质热沉板上嵌有两条绝缘带，所述绝缘带沿所述铜质热沉板长度方向延伸并与所述铜质热沉板等长，该两条绝缘带将该铜质热沉板分隔为电极、焊接带、电极三个区域；固定LED芯片的钨铜合金凸台焊接于该焊接带上，在该钨铜合金凸台及两个电极的表面分别设有电镀层。
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于：所述钨铜合金凸台的厚度为0.2-0.3mm。
3.根据权利要求1或2所述的封装基板，其特征在于：所述钨铜合金凸台通过银铜焊料层与焊接带焊接。
4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于：所述电镀层由内至外设有镍电镀层与银电镀层两层或镍电镀层与金电镀层两层。
5.一种如权利要求1所述的封装基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、提供一铜质热沉板，通过冲压或蚀刻工艺在铜质热沉板上开设两条通槽，该两条通槽将该铜质热沉板分隔为电极、焊接带、电极三个区域；
b、使用银铜焊料将固定LED芯片的钨铜合金凸台焊接在焊接带上，焊接温度为700-800℃；
c、在铜质热沉板的两条通槽内填入绝缘材料进行烧结，在该铜质热沉板上形成两条绝缘带；
d、对钨铜合金凸台及两个电极的表面进行电镀，在其表面形成电镀层：首先在钨铜合金凸台及两个电极的表面电镀一镍电镀层，然后再在镍电镀层上电镀一银电镀层，银电镀层覆盖在镍电镀层上；或者，首先在钨铜合金凸台及两个电极的表面电镀一镍电镀层，然后再在镍电镀层上电镀一金电镀层，金电镀层覆盖在镍电镀层上；
e、去除焊接带、两电极三者的两端相连接的区域。
6.根据权利要求5所述的封装基板的制造方法，其特征在于：所述绝缘材料为氧化铝与玻璃的混合物，烧结温度为400-600℃。
7.一种基于如权利要求1所述的封装基板的LED封装结构，包括LED芯片、金线、封装透镜，其特征在于：铜质热沉板，该铜质热沉板上嵌有两条绝缘带，所述绝缘带沿所述铜质热沉板长度方向延伸并与所述铜质热沉板等长，该两条绝缘带将该铜质热沉板分隔为电极、焊接带、电极三个区域；固定LED芯片的钨铜合金凸台焊接于该焊接带上，在该钨铜合金凸台及两个电极的表面分别设有电镀层；所述LED芯片设置在钨铜合金凸台表面的电镀层上，其正、负极通过金线分别与铜质热沉板上的两电极导电连接。
8.根据权利要求7所述的基于封装基板的LED封装结构，其特征在于：所述钨铜合金凸台的厚度为0.2-0.3mm。
9.根据权利要求7或8所述的基于封装基板的LED封装结构，其特征在于：所述钨铜合金凸台通过银铜焊料层与焊接带焊接。
10.根据权利要求7所述的基于封装基板的LED封装结构，其特征在于：所述电镀层由内至外设有镍电镀层与银电镀层两层或镍电镀层与金电镀层两层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210498797.3A CN103035819B (zh) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 封装基板及其制造方法及基于该封装基板的led封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210498797.3A CN103035819B (zh) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 封装基板及其制造方法及基于该封装基板的led封装结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103035819A CN103035819A (zh) | 2013-04-10 |
| CN103035819B true CN103035819B (zh) | 2015-09-09 |
Family
ID=48022504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210498797.3A Expired - Fee Related CN103035819B (zh) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 封装基板及其制造方法及基于该封装基板的led封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103035819B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016207739A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101118939A (zh) * | 2006-08-02 | 2008-02-06 | 中强光电股份有限公司 | 发光体封装装置 |
| CN201174388Y (zh) * | 2008-01-22 | 2008-12-31 | 杭州创元光电科技有限公司 | 新型发光二极管支架 |
| CN101661980A (zh) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | 璨圆光电股份有限公司 | 具反射层的发光组件及其反射层的结构 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4991173B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-08-01 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基体ならびにこれを用いた発光装置 |
| TW200847467A (en) * | 2007-05-23 | 2008-12-01 | Tysun Inc | Light emitting diode lamp |
-
2012
- 2012-11-29 CN CN201210498797.3A patent/CN103035819B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101118939A (zh) * | 2006-08-02 | 2008-02-06 | 中强光电股份有限公司 | 发光体封装装置 |
| CN201174388Y (zh) * | 2008-01-22 | 2008-12-31 | 杭州创元光电科技有限公司 | 新型发光二极管支架 |
| CN101661980A (zh) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | 璨圆光电股份有限公司 | 具反射层的发光组件及其反射层的结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103035819A (zh) | 2013-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102272924B (zh) | 功率led散热基板与功率led的制造方法及其产品 | |
| TWI528508B (zh) | 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法 | |
| CN102610735B (zh) | 一种具有电热分离结构的发光器件及其制造方法 | |
| KR101049698B1 (ko) | Ｌｅｄ 어레이 모듈 및 이의 제조방법 | |
| CN100508186C (zh) | 贴片式发光二极管及制造方法 | |
| CN105226167A (zh) | 一种全角度发光的柔性led灯丝及其制造方法 | |
| CN203481273U (zh) | 一种基于AlSiC复合基板的LED光源模块 | |
| CN101614333A (zh) | 高效散热led照明光源及制造方法 | |
| JP2011035264A (ja) | 発光素子用パッケージ及び発光素子の製造方法 | |
| CN103022332B (zh) | 倒装基板及其制造方法及基于该倒装基板的led封装结构 | |
| CN203055978U (zh) | 倒装基板及基于该倒装基板的led封装结构 | |
| CN203503708U (zh) | 蓝宝石基led封装结构 | |
| CN105336834A (zh) | 一种带有电路结构的镜面金属基led模块、生产方法及其应用 | |
| CN203192836U (zh) | 集成led光源封装支架 | |
| CN211182793U (zh) | Ld白光装置 | |
| CN103956356A (zh) | 一种高效导热的大功率led集成封装结构 | |
| CN103035819B (zh) | 封装基板及其制造方法及基于该封装基板的led封装结构 | |
| US20120113630A1 (en) | Led energy-saving lamp | |
| CN103247742B (zh) | 一种led散热基板及其制造方法 | |
| CN105870113A (zh) | 一种led光源结构及其制备方法 | |
| CN206003823U (zh) | 提高散热性能的高功率led光源模组 | |
| TW201429009A (zh) | 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法 | |
| CN201412705Y (zh) | 高效散热led照明光源 | |
| CN103107264A (zh) | 集成led光源封装支架 | |
| CN104979441A (zh) | 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150909 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |