JP2023076897A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】はんだ実装時等に、リード電極の位置ずれを防止することができる発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、リード電極１２Ａ及びリード電極１２Ｂと、リード電極１２Ａ，１２Ｂの外側部及び離間部を覆うとともに、リード電極１２Ａ，１２Ｂを露出する開口部を有する樹脂製の枠体と、ＬＥＤを備えている。リード電極１２Ａに設けられた突出部Ａｓは、リード電極１２Ｂに設けられた包含部Ｂｔに嵌入され、入れ子構造をなしている。突出部Ａｓと包含部Ｂｔの対向する各々の隣接辺ｓ，ｔには抉り部ｓ４，ｔ４が設けられ、抉り部ｓ４と抉り部ｔ４とで囲まれた領域に樹脂の一部が充填され、アンカー柱１１Ｈが形成されている。【選択図】図６Ａ

Description

本発明は、半導体発光装置、特に発光素子を載置する電極としてリードフレームが用いられた半導体発光装置に関する。

従来、内部に半導体素子を封入して成る半導体装置が知られている。また、基板上に半導体発光素子が実装され、当該半導体発光素子が凹部を有する樹脂又はガラス等の透光性部材によって気密封止されて成る半導体発光装置もよく知られている。

特許文献１の表面実装型発光装置は、発光素子と、発光素子を載置する第１の樹脂成形体と、発光素子を被覆する第２の樹脂成形体とを有する。第１の樹脂成形体は、発光素子を載置するための第１のリードと、発光素子と電気的に接続される第２のリードとを含んで一体成形している。

第１のリード及び第２のリードに凹凸を設けることで、第１の樹脂成形体との接触面積を拡げている。これにより、第１の樹脂成形体から第１のリード及び第２のリードが抜脱するのを防止している（特許文献１／段落０１１０、図４)。

特許第４６０８２９４号

しかしながら、１本のワイヤが第１のリード上に載置された発光素子の電極と第２のリードの第２のインナーリード部とを接続しているため、第１のリードと第２のリードとが互いに離れる方向に位置ずれを起こすと、ワイヤが断線するという問題があった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、はんだ実装時等に、リード電極の位置ずれを防止することができる半導体発光装置を提供することを目的とする。

本発明の実施形態に係る半導体発光装置は、互いに所定の間隔で離間して矩形状に並置された板状の複数のリード電極と、前記複数のリード電極の外側部及び前記複数のリード電極間の離間部を覆うとともに、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する、樹脂からなる枠体と、前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された発光素子と、を備え、
前記複数のリード電極は、前記所定の間隔で離間する部分に凸状部が設けられた第１の隣接辺を有する１のリード電極と、前記１のリード電極の前記凸状部が嵌入する凹状部が設けられた第２の隣接辺を有する他のリード電極とを有し、前記１のリード電極及び前記他のリード電極は、前記１のリード電極の前記凸状部が前記他のリード電極の前記凹状部に嵌入されて入れ子構造をなし、前記第１の隣接辺と前記第２の隣接辺に、各々の隣接辺の双方に跨る所定形状の抉り部が設けられ、前記１のリード電極及び前記他のリード電極の各々の前記抉り部で囲まれた領域に前記枠体をなす樹脂の一部が充填されていることを特徴とする。

本発明の第１の実施形態の発光装置の斜視図である。 本発明の第１の実施形態の発光装置の上面図である。 被覆部材を外した状態の発光装置の上面図である。 図２の発光装置のＡ－Ａ線に沿った断面図である。 本発明の第１の実施形態の発光装置の裏面図である。 発光装置のリードフレームの上面図である。 発光装置のリードフレームの裏面図である。 図６Ａの領域Ｒの拡大図である。 図６ＡのリードフレームのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。 フリップチップ型発光素子（変更形態）の断面図である。 本発明の第１の実施形態の発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 製造方法の工程Ｓ１１を示す上面図である。 製造方法の工程Ｓ１２を示す上面図である。 製造方法の工程Ｓ１３を示す上面図である。 製造方法の工程Ｓ１４を示す上面図である。 製造方法の工程Ｓ１５を示す上面図である。 本発明の第２の実施形態の発光装置の上面図である。 本発明の第２の実施形態の発光装置の裏面図である。 図１１の発光装置のＣ－Ｃ線に沿った断面図である。 図１３の領域Ｓの拡大図である。 本発明の第２の実施形態の発光装置の製造方法を示すフローチャートである。

以下においては、本発明の好適な実施形態について説明するが、これらを適宜改変し、組合せてもよい。以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付して説明する。

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態の発光装置１０を模式的に示す斜視図である。また、図２は、発光装置１０の表面側を示す図である。各図面は、複数の図間で対応方向を示す便宜のため、３軸座標系を付記している。Ｚ軸方向は、発光装置１０の上下方向に対応し、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、それぞれリードフレーム１２の横方向及び縦方向に対応している。

本実施形態の発光装置１０は、当該発光装置１０の躯体となる枠体１１と一対のリードフレーム１２とからなる基板１５と、当該基板１５の開口部２０内に半導体発光素子であるＬＥＤ（Light Emitting Diode）２８及び蛍光体板１４と、当該ＬＥＤ２８及び蛍光体板１４の周囲を埋設する反射性の被覆部材１３を備えた半導体発光装置である。

図１において、発光装置１０（半導体発光装置）は矩形形状を有し、上側の矩形形状の枠体１１と下側のリードフレーム１２とからなる基板１５で構成されている。枠体１１の内側には被覆部材１３が設けられ、被覆部材１３の略中央部からは蛍光体板１４が露出している。

枠体１１は、熱硬化性樹脂によりリードフレーム１２上に形成されている。枠体１１は、シリコーン樹脂及び／又はエポキシ樹脂で形成され、酸化チタン粒子等の光反射性粒子が含まれている（以下、枠体樹脂という）。また、カーボンブラック等の光吸収材が含まれていてもよい。また、枠体１１は、枠体の内側領域である開口部２０を有し、開口部２０内に半導体発光装置であるＬＥＤ２８（蛍光体板１４の下部）が実装されている。

図３は、図２に示す発光装置１０の上面図から被覆部材１３を除いて開口部２０の内部を模式的に示す上面図である。また、図４は、図２に示す発光装置１０をＡ－Ａ線（一点鎖線）で切断した部分の模式的な断面図（自由断面図）である。

リードフレーム１２は、厚さが０．２～０．３ｍｍの板状電極であるリード電極１２Ａ（第１電極）とリード電極１２Ｂ（第２電極）とで構成されている。リード電極１２Ａ及びリード電極１２Ｂは銅（Ｃｕ）からなり、表面にはニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）がめっきされている。なお、Ｎｉ／Ａｕと表記した場合、Ｎｉが第１層、Ａｕが第２層であることを示す。リード電極１２Ａ及びリード電極１２Ｂは、略同一面上に、スリット３９（本発明の「離間部」）によって互いに離間して並置されている。

本実施形態のＬＥＤ２８は、例えば青色光を出射する半導体発光素子であるが、面発光型のレーザダイオード等の他の素子であってもよい。より詳細には、リード電極１２Ａはカソード電極、リード電極１２Ｂはアノード電極であり、リード電極１２Ａ上にＬＥＤ２８のｎ電極が接続されて載置され、ＬＥＤ２８のｐ電極がリード電極１２Ｂにボンディングワイヤで接続されている。

図４に示すように、ＬＥＤ２８の上面側に蛍光体板１４が設けられている。ＬＥＤ２８から上方に出射された青色光の一部は、蛍光体板１４を通過する際に、例えば黄色光に波長変換される。その結果、発光装置１０からの出射光は、蛍光体板１４により波長変換されず透過した青色光と黄色光との混色である白色光となる。

蛍光体板１４は特に限定されないが、例えばＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）、ＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）、ＧＹＡＧ（ガドリニウムアルミニウムガーネット）、α、βサイアロン、ＳＣＡＳＮ、ＣＡＳＮ、ＫＦＳ等の各種蛍光体を適宜用いることができる。なお、蛍光体板１４は、透光性のガラス又は配光制御板等の光学素子であってもよい。この場合、発光装置１０からの出射光は、ＬＥＤ２８の発光色となる。

枠体１１の開口部２０において、封止樹脂又は被覆樹脂である被覆部材１３によってＬＥＤ２８と蛍光体板１４の周囲の空間が充填されている。また、蛍光体板１４の表面（上面）は、被覆部材１３から露出している。被覆部材１３としては、シリコーン樹脂に酸化チタン粒子等が含有された光反射性の樹脂を例示することができるが、これに限定されない。

開口部２０から露出するリード電極１２Ａ及びリード電極１２Ｂ上には、ＬＥＤ２８と、ツェナーダイオードである保護素子４１が設けられている。保護素子４１はＬＥＤ２８に過電流が流れるのを防止できる素子であればよく、バリスタ、キャパシタ、抵抗、受光素子等を用いてもよい。

また、図３に示すように、枠体１１の開口部２０内には、Ｙ軸方向に延びる中心線（本発明の「リード電極の並置方向」）に対して対称の位置にアンカー柱１１Ｈが１つずつ設けられている。アンカー柱１１Ｈは、リード電極１２Ａとリード電極１２Ｂの各々の外周部に設けられた凹部を対向配置してできた領域が枠体樹脂で充填され、柱状の樹脂体として形成された部分である（詳細は後述する）。

図３及び図４に示すように、基板１５は枠体１１とリード電極１２Ａ，１２Ｂで画定された開口部２０を有し、その開口部２０は、底面が矩形である倒立型の四角錐台の形状を有している。基板１５の内部において、リード電極１２Ａ上にはＬＥＤ２８が実装され、ＬＥＤ２８上には蛍光体板１４が載置されている。また、ＬＥＤ２８及び蛍光体板１４の周囲は、被覆部材１３によって充填されている。

また、リードフレーム１２の上面端部は、枠体樹脂で充填されている。また、リード電極１２Ａとリード電極１２Ｂの裏面側の各端部（図４の右側のみ）は、ハーフエッチング加工による段差部を有している（詳細は後述する）。なお、本明細書において、リード電極１２Ａとリード電極１２Ｂの「裏面側」とは、下面側のことである。

次にリードフレーム１２の詳細について説明する。図５は、発光装置１０の裏面側を示す図である。図６Ａはリードフレーム１２の上面側を示す図であり、図６Ｂは下面側を示す図である。また、図７は、図６Ａの破線で囲んだ領域Ｒの拡大図である。

リードフレーム１２は、リード電極１２Ａ（本発明の「１のリード電極」）とリード電極１２Ｂ（本発明の「他のリード電極」）とで構成され、その間の領域がスリット３９である。スリット３９の幅（Ｘ軸方向のギャップ及びＹ軸方向のギャップ）はリード電極１２Ａ，１２Ｂの厚みと等しく、例えば０．２～０．３ｍｍ程度である。

図５及び図６Ａに示すように、スリット３９を挟んでリード電極１２Ａは突出部Ａｓ（本発明の「凸状部」）を有し、リード電極１２Ｂは包含部Ｂｔ（本発明の「凹状部」）を有している。また、突出部Ａｓが包含部Ｂｔに嵌入する入れ子構造をなしている。

具体的には、リード電極１２Ａのリード電極１２Ｂに隣接する側の第１の隣接辺ｓは、リード電極１２Ａの外側からリード電極１２Ｂ側へ突出する突出部Ａｓの基部に至る２つの基底辺ｓ１と、突出部Ａｓの頂部を形成する頂部辺ｓ２と、基底辺ｓ１と頂部辺ｓ２を結ぶ２つの突出辺ｓ３とで画定されている。

また、リード電極１２Ｂのリード電極１２Ａに隣接する側の第２の隣接辺ｔは、リード電極１２Ｂの外側からリード電極１２Ａの突出部Ａｓを包含する包含部Ｂｔの縁部に至る２つの基上辺ｔ１と、包含部Ｂｔの底部を形成する底部辺ｔ２と、基上辺ｔ１と底部辺ｔ２を結ぶ２つの包含辺ｔ３とで画定されている。

突出辺ｓ３と包含辺ｔ３は、中心線であるＢ－Ｂ線に対して平行にすることで、リード電極１２Ａ及びリード電極１２Ｂに働く外部応力が等価になるので好ましい。また、基底辺ｓ１と頂部辺ｓ２、及び底部辺ｔ２と基上辺ｔ１は、Ｂ－Ｂ線に対して直交させることで、リード電極１２Ａ，１２Ｂの形成が容易になる。

なお、リード電極１２Ａの突出部Ａｓ及びリード電極１２Ｂの包含部Ｂｔの形状は矩形に限られず、台形又は一部円形を含んでいてもよい。ただし、突出部Ａｓ及び包含部Ｂｔを構成する各辺がＹ軸（長軸）方向に延びていることは必須である。

スリット３９内には、枠体樹脂が充填されている。また、スリット３９内には、リード電極１２Ａとリード電極１２Ｂが並置された方向（Ｙ軸方向）に延びる中心線であるＢ－Ｂ線に対称に一対のアンカー柱１１Ｈ（破線部）が設けられている。

アンカー柱１１Ｈは、リード電極１２Ａ，１２Ｂの各々の突出辺ｓ３と包含辺ｔ３に設けられた対向した抉り部ｓ４，ｔ４で囲まれた柱状の樹脂体である。このように配置されたアンカー柱１１Ｈにより、リード電極１２Ａとリード電極１２Ｂの双方の位置を固定することができる。なお、アンカー柱１１Ｈは、１対以上設けられていればよく、対称又は非対称に複数個設けられていてもよい。

図６Ａは、リードフレーム１２（リード電極１２Ａ，１２Ｂ）の表面側を示している。リード電極１２Ａ，１２ＢのＸ軸方向の間隔（スリット幅）とＹ軸方向の間隔（スリット幅）は等しい。また、リード電極１２Ａとリード電極１２Ｂの各々の隣接辺ｓ，ｔに設けられた抉り部ｓ４，ｔ４が対向配置されており、充填された枠体樹脂によって、抉り部ｓ４，ｔ４で囲まれた領域にアンカー柱１１Ｈが形成されている。

図６Ｂは、リードフレーム１２の裏面側を示している。図示するように、リード電極１２Ａの突出部Ａｓ及びリード電極１２Ｂの包含部Ｂｔは、その周縁（スリット３９全体）に沿ってリードフレーム１２の厚みを薄くして形成された各々の段差部１２Ｍ，１２Ｎを有している。段差部１２Ｍ及び１２Ｎによって裏面側が窪んだ溝部が形成され、当該溝部（１２Ｍ及び１２Ｎ）内にも、枠体樹脂が充填されている（図４参照）。

図７に示すように、抉り部ｓ４，ｔ４からなる円形のアンカー柱１１Ｈを形成する部分において、直線部分の線幅（Ｘ軸方向のギャップ）をＨ１とし、当該直線から円形の端部までの長さをＨ２，Ｈ３とする。このとき、Ｈ１≦Ｈ２≒Ｈ３の関係が成立することが好ましい。これにより、充填された枠体樹脂によって、アンカー柱１１Ｈを介してリード電極１２Ａとリード電極１２Ｂとが一体化され、位置ずれを防止することができる。

具体的には、リード電極１２Ａに対し、縦方向（Ｙ軸方向）に引き抜かれる力が働いた場合、アンカー柱１１Ｈを介してリード電極１２Ｂにも同様の力が働く。すなわち、一方のリード電極（１２Ａ又は１２Ｂ）に働く力であっても他方のリード電極（１２Ａ又は１２Ｂ）にも力が働くので、一方のリード電極が簡単に抜けることはない。また、アンカー柱１１Ｈによって、両リード電極（１２Ａ及び１２Ｂ）と一体化しているので、一方のリード電極（１２Ａ又は１２Ｂ）だけが抜けることはない。アンカー柱１１Ｈが円形の場合、リード電極（１２Ａ又は１２Ｂ）からアンカー柱１１Ｈに働く力が分散されるので好適である。

図８Ａは、図６Ａのリードフレーム１２のＢ－Ｂ線（一点鎖線）に沿ったスリット３９付近の断面図である。ＬＥＤ２８は、接合部材４０を介してリード電極１２Ａに実装されている。ＬＥＤ２８は、２本のボンディングワイヤ４３Ａ（図３参照）を用い、ＬＥＤ２８のｐ電極に設けたバンプ４５を介してリード電極１２Ｂに接続されている。リード電極１２Ａ，１２Ｂは、発光装置１０のそれぞれ陰極（カソード）及び陽極（アノード）であり、印加電圧が発光装置１０の外から供給される。

また、図８Ｂは、発光素子がフリップチップの場合の断面図を示している（変更形態）。図示するように、ＬＥＤ２９は、下部電極２９Ａを介してリード電極１２Ａとリード電極１２Ｂに跨るように実装されている。段差部１２Ｍ，１２Ｎの大きさ及び深さは、図８Ａの発光装置１０と同じであるが、スリット３９の幅は狭くなっている。フリップチップの場合、上述したようにアンカー柱１１Ｈを設けた態様とすることで、リード電極１２Ａとリード電極１２Ｂの位置ずれを防止できるので、ボンディング部の破断を防止することができる。

（製造方法）
以下では、発光装置１０の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。

図９は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。また、図１０Ａ～図１０Ｅは、各工程を示す上面図である。以下では、図１０Ａ～図１０Ｅを参照しつつ、発光装置１０の製造方法について説明する。

ステップＳ１１は、リードフレームのハーフエッチング、型抜き及びめっき工程である。図１０Ａに示すように、リードフレーム１２は、マトリクス状に配列された複数の単位区画１２Ｕを有している。より詳細には、リードフレーム１２は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に等間隔で配置された縦ダイシング線５１及び横ダイシング線５２（何れも破線で示す）により、複数の単位区画１２Ｕに区画されている。各単位区画１２Ｕは、１つの発光装置１０のリードフレーム１２に対応している。

このようなリードフレーム１２は、まず、リードフレーム１２となる銅板の裏面側に、ハーフエッチングによって所定の幅及び深さで削って段差部１２Ｍ，１２Ｎを形成する（図６Ｂ又は図８Ａ参照）。次に、型抜き（プレッシング）を行い、スリット３９及び切欠部１２Ｋを形成する。リードフレーム１２内に切欠部１２Ｋを多数設けておくことで、後述する個片化（ダイシング）の工程が容易になる。その後、リードフレーム１２の表面及び裏面にＮｉ／Ａｕめっきを施す。

ステップＳ１２は、枠体樹脂のインサート成形工程である。図１０Ｂに示すように、枠体樹脂のインサート成形を行い、成形樹脂体１１Ｆを形成する。より詳細には、リードフレーム１２を上金型及び下金型で挟み込み、酸化チタン粒子を含有したシリコーン樹脂からなる熱硬化性樹脂を注入して成形樹脂体１１Ｆを形成する。成形樹脂体１１Ｆは、単位区画１２Ｕの各々に対応して、枠体１１の内側領域の開口部２０、スリット３９及び切欠部１２Ｋの内部に充填される。

ステップＳ１３は、ダイボンディング、ワイヤボンディング、蛍光体板の接着工程である。図１０Ｃに示すように、ＬＥＤ２８（蛍光体板１４の下面側に存在）がリード電極１２Ａ上に接合部材４０（本実施形態では、金錫（ＡｕＳｎ）合金）を用いて実装される（ダイボンディング）。同様に、保護素子４１もリード電極１２Ｂに接合される。その後、ＬＥＤ２８及び保護素子４１の上面に設けられたリード電極１２Ｂ及びリード電極１２Ａに、各々金ワイヤによってワイヤボンディングされ、接続される。

次に、ＬＥＤ２８上に透光性のシリコーン接着剤を用いて蛍光体板１４が接着され、開口部２０の内部にＬＥＤ２８、蛍光体板１４、保護素子４１が載置される。

ステップＳ１４は、被覆部材充填及び硬化工程である。図１０Ｄに示すように、蛍光体板１４の表面が露出するように、枠体１１の開口部２０を、酸化チタン粒子を含有する光反射性のシリコーン樹脂によって被覆し、加熱、硬化して被覆部材１３を形成する。

ステップＳ１５は、個片化（ダイシング）工程である。図１０Ｅに示すように、縦ダイシング線５１及び横ダイシング線５２に沿ってダイシングする。すなわち、成形樹脂体１１Ｆを切断して個別の発光装置１０に分離する。

ステップＳ１６は、通電チェック工程である。最後に、各発光装置１０の通電チェック等、電気的特性の試験を行う。以上の工程により、発光装置１０の製造が完了する。

［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態の発光装置６０について説明する。第１の実施形態と同じ構成については同じ符号を付している。第２の実施形態の構造及び製造方法は第１の実施形態と略同一であるため、異なる部分のみを記載する。

図１１は、発光装置６０の上面図である。また、図１２は発光装置６０の裏面図（下面図）であり、図１３は図１１の発光装置６０のＣ－Ｃ線（一点鎖線）に沿った断面図（自由断面図）である。

第２の実施形態の発光装置６０は、第１の実施形態の発光装置１０に対して、リード電極１２Ｃ（第１電極）とリード電極１２Ｄ（第２電極）の枠体１１と接する部分の境界層の構造が異なるだけである。よって、上面図である図１１、裏面図である図１２の目視可能な部分、また、開口部２０に載置されたＬＥＤ２８、保護素子４１、蛍光体板１４の配置等も第１の実施形態と同一である。

図１４は、図１３の領域Ｓの拡大図である。

リード電極１２Ａ，１２Ｂと同様に（図４及び図６Ｂ参照）、リード電極１２Ｃの突出部Ａｓとリード電極１２Ｄの包含部Ｂｔは、その周縁（スリット３９全体）に沿ったハーフエッチング加工による段差部１２Ｍ，１２Ｎを有している。また、段差部１２Ｍ，１２Ｎからなる溝部（１２Ｍ及び１２Ｎ）が形成されている。

また、第２の実施形態の発光装置６０には、枠体樹脂とリードフレーム１２との界面に銅酸化膜である金属酸化膜Ｍが設けられている。金属酸化膜Ｍは、リード電極１２Ｃ，１２Ｄの芯材である銅材から連続する酸化膜であり、一体化している。これにより、アンカー柱１１Ｈによるリードフレーム１２の固定効果に加え、リードフレーム１２と枠体樹脂の接着力が向上し、枠体樹脂とリードフレーム１２が一体化した外部応力に対して高い強度の基板１５となる。

（製造方法）
以下では、発光装置６０の製造方法についてフローチャートを参照して詳細に説明する。

図１５は、発光装置６０の製造方法を示すフローチャートである。

ステップＳ２１は、リードフレームのハーフエッチング、型抜き及びリードフレームの酸化処理工程である。まず、リードフレーム１２となる銅板の裏面にハーフエッチングによって所定の幅及び深さで削って段差部１２Ｍ，１２Ｎを形成する（図１４参照）。次に、プレス成型機による型抜き（プレッシング）を行い、スリット３９及び切欠部１２Ｋを形成する。

次に、型抜きしたリードフレーム１２の表面（上面、下面及び側面）に対して酸化処理を施す。具体的には、型抜きを行ったリードフレーム１２の表面を酸素、窒素ガス雰囲気下（１５０℃、５分）にて酸化し、金属酸化膜Ｍを形成する。

ステップＳ２２は、枠体樹脂のインサート成形工程である。本工程は、金属酸化膜Ｍを施したリードフレーム１２を用いる以外は、第１の実施形態のステップＳ１２の枠体樹脂のインサート成形工程と同じである。

ステップＳ２３は、露出面のＮｉ／Ａｕめっき工程である。ステップＳ２２で形成した基板１５の枠体１１から露出したリードフレーム１２の表面の酸化銅からなる金属酸化膜Ｍを酸水溶液にて除去する。続いて、除去したリードフレーム１２の部分に電界めっきよってＮｉ／Ａｕ層を形成する。なお、枠体樹脂とリードフレーム１２との界面に存在する金属酸化膜Ｍはそのまま残る（図１４参照）。

続いて、以下の各工程を実行するが、第１の実施形態の製造方法（図９：ステップＳ１３～Ｓ１６）と同じであるため、具体的な説明は省略する。
ステップＳ２４：ダイボンディング、ワイヤボンディング、蛍光体板の接着工程
ステップＳ２５：被覆部材充填及び硬化工程
ステップＳ２６：個片化（ダイシング）工程
ステップＳ２７：通電チェック工程

以上の各工程により、発光装置６０の製造が完了する。以上で説明したように、本発明によれば、はんだ実装時等に、リード電極の位置ずれを防止可能な発光装置の製造方法を提供することができる。

本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態及び変更形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施することが可能である。

例えば、アンカー柱１１Ｈは、円形のものを例示したが、楕円柱（長円柱）等の円弧形状、四角柱、六角柱等の矩形柱又は多角柱形状を有していてもよい。また、縦方向（Ｙ方向）のスリット３９部に複数個設けることもできる。また、上記のリードフレーム１２の厚み、製造方法における処理温度等の数値等は例示に過ぎず、適宜変更して適用することができる。

１０…発光装置、１１…枠体、１１Ｈ…アンカー柱、１２…リードフレーム、１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ…リード電極、１２Ｋ…切欠部、１２Ｍ，１２Ｎ…段差部、１２Ｕ…単位区画、１３…被覆部材、１４…蛍光体板、１５…基板、２０…開口部、２８，２９…ＬＥＤ、２９Ａ…下部電極、３９…スリット、４０…接合部材、４１…保護素子、４３Ａ…ボンディングワイヤ、４５…バンプ、５１…縦ダイシング線、５２…横ダイシング線。

Claims (8)

1. 互いに所定の間隔で離間して矩形状に並置された板状の複数のリード電極と、
   前記複数のリード電極の外側部及び前記複数のリード電極間の離間部を覆うとともに、前記複数のリード電極を露出する開口部を有する、樹脂からなる枠体と、
   前記開口部から露出する前記複数のリード電極上に実装された発光素子と、を備え、
   前記複数のリード電極は、前記所定の間隔で離間する部分に凸状部が設けられた第１の隣接辺を有する１のリード電極と、前記１のリード電極の前記凸状部が嵌入する凹状部が設けられた第２の隣接辺を有する他のリード電極とを有し、
   前記１のリード電極及び前記他のリード電極は、前記１のリード電極の前記凸状部が前記他のリード電極の前記凹状部に嵌入されて入れ子構造をなし、
   前記第１の隣接辺と前記第２の隣接辺に、各々の隣接辺の双方に跨る所定形状の抉り部が設けられ、
   前記１のリード電極及び前記他のリード電極の各々の前記抉り部で囲まれた領域に前記枠体をなす樹脂の一部が充填されている半導体発光装置。
2. 前記抉り部が、前記１のリード電極と前記他のリード電極の並置方向に延びる前記枠体の中心線に対して対称の位置に１つずつ設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記１のリード電極及び前記他のリード電極は、裏面側に前記第１の隣接辺及び前記第２の隣接辺に沿って形成された段差部を有し、前記段差部に前記樹脂が充填されている、請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 前記発光素子の周囲を被覆するように前記開口部に充填された被覆部材を有する、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
5. 前記発光素子は、発光ダイオードと前記発光ダイオード上に載置された光学部材とを有している、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
6. 前記段差部の前記樹脂との界面が金属酸化膜で被覆されている、請求項３に記載の半導体発光装置。
7. 前記発光素子が前記１のリード電極及び前記他のリード電極の両方に跨るように載置されている、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
8. 前記抉り部で囲まれた領域は、円形、楕円形又は矩形の形状を有している、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。

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