JP2004165567A - プリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
プリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004165567A JP2004165567A JP2002332245A JP2002332245A JP2004165567A JP 2004165567 A JP2004165567 A JP 2004165567A JP 2002332245 A JP2002332245 A JP 2002332245A JP 2002332245 A JP2002332245 A JP 2002332245A JP 2004165567 A JP2004165567 A JP 2004165567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- package
- manufacturing
- resin
- mold package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
【課題】リードフレームと樹脂との密着性は確保でき、かつ樹脂封止される以外の部分に樹脂が付着しても、その除去が容易なプリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法、並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレーム１０を用い、使用にあっては、パッケージ１８内に露出するリードフレーム１０のダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面が鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止されるリードフレーム１０の表面領域は粗面状に形成されている。プリモールドパッケージにはこのように形成されたリードフレーム１０が使用され、樹脂バリが容易に剥離できる。
【選択図】 図１
【解決手段】導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレーム１０を用い、使用にあっては、パッケージ１８内に露出するリードフレーム１０のダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面が鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止されるリードフレーム１０の表面領域は粗面状に形成されている。プリモールドパッケージにはこのように形成されたリードフレーム１０が使用され、樹脂バリが容易に剥離できる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子（ダイ）を封入するプリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、リードフレームと封止樹脂の密着性を向上させる方法として、例えば特許文献１に記載されているように、リードフレームの樹脂封止部分を化学エッチングにより粗面化処理を施し、リードフレームの表面を凹凸にすることが知られている。粗面化処理は通常、リードフレームの樹脂封止領域内のみに限られず、リードフレームの全面に施す場合も多い。特に近年のようにＩＣのパッケージサイズが小型化するほどリードフレームと樹脂との密着性の向上を図ることが困難となってきているため、リードフレームの粗面化処理が注目されている。
ところが、粗面化処理をリードフレーム全面に施すと、樹脂との密着性は向上する一方で、完成樹脂成形体の半分程度を予め封止樹脂で成形する例えば特許文献２に示すような所謂プリモールドパッケージにおいては、プリモールドによる樹脂封止の際に樹脂封止領域外（ダイパッドやインナーリード部先端領域の表面）に樹脂バリが発生する。この付着した樹脂バリは例えば特許文献３に記載されているような方法によって除去している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−４６１１６号公報（第３頁）
【特許文献２】
特開平６−６９３６６号公報（図１）
【特許文献３】
特開平４−９６２３８号公報（第３頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、粗面化処理が施されたリードフレームの場合、樹脂との密着性が特に高いため、特許文献３に記載の方法による技術を適用しても、樹脂バリが容易に除去できないという問題が発生している。
この問題の対策として、例えばリードフレームの粗面化処理の際に非樹脂封止領域を予めマスキングし、粗面化を防ぐことも可能ではあるが、非樹脂封止領域が狭い範囲であるため、正確なマスキングが困難であり、また、マスキングによる作業性、生産性の低下を招くという問題が新たに発生する。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、リードフレームと樹脂との密着性は確保でき、かつ樹脂封止される以外の部分に樹脂が付着しても、その除去が容易なプリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う第１の発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレームは、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたプリモールドパッケージ用リードフレームにおいて、使用にあってはパッケージ内に露出するダイパッド及びインナーリード部の表面は鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止される領域は、粗面状に形成されている。
【０００６】
また、第２の発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法は、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法において、リードフレームの全面に粗面化処理を施す工程と、ダイパッド及びインナーリード部の領域をプレス加工によって押し曲げる工程とを有し、前記押し曲げる工程の際又はその直後に、使用にあってはパッケージ内に露出する前記ダイパッド及びインナーリード部の表面を鏡面加工している。
【０００７】
第３の発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法は、第２の発明に係る方法において、前記押し曲げる工程に使用し前記鏡面加工する前記ダイパッド及びインナーリード部に当接するパンチ又はダイの面が予め鏡面処理されて、前記鏡面加工が行われている。
【０００８】
第４の発明に係るプリモールドパッケージは、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレームを用いたプリモールドパッケージにおいて、パッケージ内に露出するダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止される前記リードフレームの表面領域は粗面状に形成されている。
【０００９】
第５の発明に係るプリモールドパッケージの製造方法は、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレームを用いたプリモールドパッケージの製造方法において、リードフレームの全面に粗面化処理を施す工程と、ダイパッド及びインナーリード部の領域をプレス加工によって押し曲げる工程とを有し、前記押し曲げる工程の際又はその直後に、パッケージ内に露出する前記ダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面加工されている。
【００１０】
第１〜第５の発明においては、ダイパッド（素子搭載部）及びその周囲に配置されるインナーリード部の表面が鏡面加工されている。これによって、仮にこのリードフレームのプリモールドの過程において、樹脂バリがインナーリード部やダイパッドの表面に付着しても、これらの表面が鏡面加工されているので、樹脂との接合力が弱く、容易に剥離できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１は本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造工程を示す断面図、図２（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【００１２】
導電性材料の一例である銅又は銅合金を基材とする薄い条材から、スタンピング加工（即ち、プレス加工）又はエッチング加工によって所望の形状にパターニングされたリードフレーム１０を製造する。このリードフレーム１０（図１参照、特許文献１の図１参照）は中央にダイパッド１１を、その周囲にリード１２を有し、リード１２の内側先部にはインナーリード部１３が形成されている。
このリードフレーム１０の表面に化学エッチング（特許文献１の実施の形態参照）やブラスト処理を行って、リードフレーム１０の全面に粗面化処理を施す。
【００１３】
次に、図１に示すように、リードフレーム１０を金型（プレス加工装置）に入れてダイパッド１１及びインナーリード部１３の押し曲げ加工を施す。この際、曲げ加工のためのダイ（固定状態の金型ダイ）１４の底面部１５を鏡面仕上げ（鏡面処理）にしておくことで、押し曲げ加工されたダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面が鏡面状となる。なお、ダイ１４の底面部１５の鏡面加工は電解研磨、バフ研磨等の周知の方法が用いられる。また、図１において１６はパンチ（移動可能な金型）を示す。以上の工程によって完成したリードフレーム１０が製造される。なお、リードフレームによっては、パンチの面が予め鏡面処理されている場合もある。また、ダイパッド１１及びインナーリード部１３の鏡面加工は、押し曲げる工程の直後に（即ち、押し曲げ加工とは別に）、行ってもよい。
【００１４】
次に、この製造されたリードフレーム１０を用いてプリモールドパッケージ型半導体装置１７を製造する方法を図２（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら説明する。
まず、押し曲げ加工されたリードフレーム１０を樹脂封止金型に入れて、封止樹脂を注入し図２（Ａ）に示すような樹脂封止を行い、パッケージ（モールド枠）１８にリードフレーム１０を固定する。この場合、鏡面加工されたダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面はパッケージ１８内に露出させているが、鏡面加工は、インナーリード部１３が封止樹脂１９の内部に多少（１ｍｍ以内）食い込む部分まで行うのが好ましい。この理由は、仮にパッケージ１８内の一部（特に周囲）に鏡面加工されない部分が残ると、その部分に樹脂が付着して不用な樹脂の除去が困難となるからである。
【００１５】
この後、ダイパッド１１及びインナーリード部１３上に付着した樹脂を、酸洗やウォータージェットにより除去する。ダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面が鏡面となっているので、樹脂の付着力が弱く容易に付着した樹脂の除去ができる。
次に、図２（Ｂ）に示すように、パッケージ１８より露出するダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面にニッケル下地めっきを行い、更にその上に薄い金めっきを施す。なお、パッケージ１８から外部に露出するアウターリード部２０に同一のめっきを行ってもよい。これによって一応プリモールドパッケージ本体２１は完成する。なお、このプリモールドパッケージ本体２１と蓋２２とでプリモールドパッケージとなる。また、図２において２１ａはニッケルと金のめっき層を示す。
【００１６】
以上の方法によって製造されたプリモールドパッケージ本体２１内のダイパッド１１上に、図２（Ｃ）に示すように、ＩＣチップ２３等を接着ペースト等により固着載置させる。そして、このＩＣチップ２３とインナーリード部１３とをボンディングワイヤ２４で接続し、プリモールドパッケージ本体２１の上に蓋２２を被せて、プリモールドパッケージ型半導体装置１７が完成する。なお、図２（Ｄ）において２５は中空部を示す。
【００１７】
前記実施の形態においては、単独のプリモールドパッケージ用リードフレームを用いて一つのプリモールドパッケージ型半導体装置を製造する場合について説明したが、複数のプリモールドパッケージ用リードフレームを基材に所定間隔で格子状又は直線状に形成し、同時に複数のプリモールドパッケージ型半導体装置を製造する場合についても当然適用できる。
また、前記実施の形態においては、図１に示すように、ダイ１４を下にパンチ１６を上にし、パンチ１６を押し下げてリードフレーム１０の押し曲げ加工を行っているが、ダイ（即ち、固定金型）を上にしパンチ（即ち、移動金型）を下にし、パンチを押し上げてリードフレーム１０の押し曲げ加工を行う場合にも本発明は適用される。
【００１８】
【発明の効果】
本発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法は、以上の説明からも明らかなように、ダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面となるように形成されているので、樹脂が付着しても容易に除去することができる。
そして、リードフレームのダイパッド及びインナーリード部の鏡面状となっている以外の部分は粗面化されているので、封止樹脂との密着性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造工程を示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１０：リードフレーム、１１：ダイパッド、１２：リード、１３：インナーリード部、１４：ダイ、１５：底面部、１６：パンチ、１７：プリモールドパッケージ型半導体装置、１８：パッケージ、１９：封止樹脂、２０：アウターリード部、２１：プリモールドパッケージ本体、２１ａ：めっき層、２２：蓋、２３：ＩＣチップ、２４：ボンディングワイヤ、２５：中空部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子（ダイ）を封入するプリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、リードフレームと封止樹脂の密着性を向上させる方法として、例えば特許文献１に記載されているように、リードフレームの樹脂封止部分を化学エッチングにより粗面化処理を施し、リードフレームの表面を凹凸にすることが知られている。粗面化処理は通常、リードフレームの樹脂封止領域内のみに限られず、リードフレームの全面に施す場合も多い。特に近年のようにＩＣのパッケージサイズが小型化するほどリードフレームと樹脂との密着性の向上を図ることが困難となってきているため、リードフレームの粗面化処理が注目されている。
ところが、粗面化処理をリードフレーム全面に施すと、樹脂との密着性は向上する一方で、完成樹脂成形体の半分程度を予め封止樹脂で成形する例えば特許文献２に示すような所謂プリモールドパッケージにおいては、プリモールドによる樹脂封止の際に樹脂封止領域外（ダイパッドやインナーリード部先端領域の表面）に樹脂バリが発生する。この付着した樹脂バリは例えば特許文献３に記載されているような方法によって除去している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−４６１１６号公報（第３頁）
【特許文献２】
特開平６−６９３６６号公報（図１）
【特許文献３】
特開平４−９６２３８号公報（第３頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、粗面化処理が施されたリードフレームの場合、樹脂との密着性が特に高いため、特許文献３に記載の方法による技術を適用しても、樹脂バリが容易に除去できないという問題が発生している。
この問題の対策として、例えばリードフレームの粗面化処理の際に非樹脂封止領域を予めマスキングし、粗面化を防ぐことも可能ではあるが、非樹脂封止領域が狭い範囲であるため、正確なマスキングが困難であり、また、マスキングによる作業性、生産性の低下を招くという問題が新たに発生する。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、リードフレームと樹脂との密着性は確保でき、かつ樹脂封止される以外の部分に樹脂が付着しても、その除去が容易なプリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う第１の発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレームは、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたプリモールドパッケージ用リードフレームにおいて、使用にあってはパッケージ内に露出するダイパッド及びインナーリード部の表面は鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止される領域は、粗面状に形成されている。
【０００６】
また、第２の発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法は、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法において、リードフレームの全面に粗面化処理を施す工程と、ダイパッド及びインナーリード部の領域をプレス加工によって押し曲げる工程とを有し、前記押し曲げる工程の際又はその直後に、使用にあってはパッケージ内に露出する前記ダイパッド及びインナーリード部の表面を鏡面加工している。
【０００７】
第３の発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法は、第２の発明に係る方法において、前記押し曲げる工程に使用し前記鏡面加工する前記ダイパッド及びインナーリード部に当接するパンチ又はダイの面が予め鏡面処理されて、前記鏡面加工が行われている。
【０００８】
第４の発明に係るプリモールドパッケージは、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレームを用いたプリモールドパッケージにおいて、パッケージ内に露出するダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止される前記リードフレームの表面領域は粗面状に形成されている。
【０００９】
第５の発明に係るプリモールドパッケージの製造方法は、導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレームを用いたプリモールドパッケージの製造方法において、リードフレームの全面に粗面化処理を施す工程と、ダイパッド及びインナーリード部の領域をプレス加工によって押し曲げる工程とを有し、前記押し曲げる工程の際又はその直後に、パッケージ内に露出する前記ダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面加工されている。
【００１０】
第１〜第５の発明においては、ダイパッド（素子搭載部）及びその周囲に配置されるインナーリード部の表面が鏡面加工されている。これによって、仮にこのリードフレームのプリモールドの過程において、樹脂バリがインナーリード部やダイパッドの表面に付着しても、これらの表面が鏡面加工されているので、樹脂との接合力が弱く、容易に剥離できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１は本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造工程を示す断面図、図２（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【００１２】
導電性材料の一例である銅又は銅合金を基材とする薄い条材から、スタンピング加工（即ち、プレス加工）又はエッチング加工によって所望の形状にパターニングされたリードフレーム１０を製造する。このリードフレーム１０（図１参照、特許文献１の図１参照）は中央にダイパッド１１を、その周囲にリード１２を有し、リード１２の内側先部にはインナーリード部１３が形成されている。
このリードフレーム１０の表面に化学エッチング（特許文献１の実施の形態参照）やブラスト処理を行って、リードフレーム１０の全面に粗面化処理を施す。
【００１３】
次に、図１に示すように、リードフレーム１０を金型（プレス加工装置）に入れてダイパッド１１及びインナーリード部１３の押し曲げ加工を施す。この際、曲げ加工のためのダイ（固定状態の金型ダイ）１４の底面部１５を鏡面仕上げ（鏡面処理）にしておくことで、押し曲げ加工されたダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面が鏡面状となる。なお、ダイ１４の底面部１５の鏡面加工は電解研磨、バフ研磨等の周知の方法が用いられる。また、図１において１６はパンチ（移動可能な金型）を示す。以上の工程によって完成したリードフレーム１０が製造される。なお、リードフレームによっては、パンチの面が予め鏡面処理されている場合もある。また、ダイパッド１１及びインナーリード部１３の鏡面加工は、押し曲げる工程の直後に（即ち、押し曲げ加工とは別に）、行ってもよい。
【００１４】
次に、この製造されたリードフレーム１０を用いてプリモールドパッケージ型半導体装置１７を製造する方法を図２（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら説明する。
まず、押し曲げ加工されたリードフレーム１０を樹脂封止金型に入れて、封止樹脂を注入し図２（Ａ）に示すような樹脂封止を行い、パッケージ（モールド枠）１８にリードフレーム１０を固定する。この場合、鏡面加工されたダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面はパッケージ１８内に露出させているが、鏡面加工は、インナーリード部１３が封止樹脂１９の内部に多少（１ｍｍ以内）食い込む部分まで行うのが好ましい。この理由は、仮にパッケージ１８内の一部（特に周囲）に鏡面加工されない部分が残ると、その部分に樹脂が付着して不用な樹脂の除去が困難となるからである。
【００１５】
この後、ダイパッド１１及びインナーリード部１３上に付着した樹脂を、酸洗やウォータージェットにより除去する。ダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面が鏡面となっているので、樹脂の付着力が弱く容易に付着した樹脂の除去ができる。
次に、図２（Ｂ）に示すように、パッケージ１８より露出するダイパッド１１及びインナーリード部１３の表面にニッケル下地めっきを行い、更にその上に薄い金めっきを施す。なお、パッケージ１８から外部に露出するアウターリード部２０に同一のめっきを行ってもよい。これによって一応プリモールドパッケージ本体２１は完成する。なお、このプリモールドパッケージ本体２１と蓋２２とでプリモールドパッケージとなる。また、図２において２１ａはニッケルと金のめっき層を示す。
【００１６】
以上の方法によって製造されたプリモールドパッケージ本体２１内のダイパッド１１上に、図２（Ｃ）に示すように、ＩＣチップ２３等を接着ペースト等により固着載置させる。そして、このＩＣチップ２３とインナーリード部１３とをボンディングワイヤ２４で接続し、プリモールドパッケージ本体２１の上に蓋２２を被せて、プリモールドパッケージ型半導体装置１７が完成する。なお、図２（Ｄ）において２５は中空部を示す。
【００１７】
前記実施の形態においては、単独のプリモールドパッケージ用リードフレームを用いて一つのプリモールドパッケージ型半導体装置を製造する場合について説明したが、複数のプリモールドパッケージ用リードフレームを基材に所定間隔で格子状又は直線状に形成し、同時に複数のプリモールドパッケージ型半導体装置を製造する場合についても当然適用できる。
また、前記実施の形態においては、図１に示すように、ダイ１４を下にパンチ１６を上にし、パンチ１６を押し下げてリードフレーム１０の押し曲げ加工を行っているが、ダイ（即ち、固定金型）を上にしパンチ（即ち、移動金型）を下にし、パンチを押し上げてリードフレーム１０の押し曲げ加工を行う場合にも本発明は適用される。
【００１８】
【発明の効果】
本発明に係るプリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法は、以上の説明からも明らかなように、ダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面となるように形成されているので、樹脂が付着しても容易に除去することができる。
そして、リードフレームのダイパッド及びインナーリード部の鏡面状となっている以外の部分は粗面化されているので、封止樹脂との密着性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージ用リードフレームの製造工程を示す断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一実施の形態に係るプリモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１０：リードフレーム、１１：ダイパッド、１２：リード、１３：インナーリード部、１４：ダイ、１５：底面部、１６：パンチ、１７：プリモールドパッケージ型半導体装置、１８：パッケージ、１９：封止樹脂、２０：アウターリード部、２１：プリモールドパッケージ本体、２１ａ：めっき層、２２：蓋、２３：ＩＣチップ、２４：ボンディングワイヤ、２５：中空部
Claims (5)
- 導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたプリモールドパッケージ用リードフレームにおいて、
使用にあってはパッケージ内に露出するダイパッド及びインナーリード部の表面は鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止される領域は、粗面状に形成されていることを特徴とするプリモールドパッケージ用リードフレーム。 - 導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法において、
リードフレームの全面に粗面化処理を施す工程と、
ダイパッド及びインナーリード部の領域をプレス加工によって押し曲げる工程とを有し、
前記押し曲げる工程の際又はその直後に、使用にあってはパッケージ内に露出する前記ダイパッド及びインナーリード部の表面を鏡面加工することを特徴とするプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法。 - 請求項２記載の製造方法において、前記押し曲げる工程に使用し前記鏡面加工する前記ダイパッド及びインナーリード部に当接するパンチ又はダイの面が予め鏡面処理されて、前記鏡面加工が行われていることを特徴とするプリモールドパッケージ用リードフレームの製造方法。
- 導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレームを用いたプリモールドパッケージにおいて、
パッケージ内に露出するダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面状に形成され、それ以外の少なくとも樹脂封止される前記リードフレームの表面領域は粗面状に形成されていることを特徴とするプリモールドパッケージ。 - 導電性材料を基材とし、所望の形状にパターニングされたリードフレームを用いたプリモールドパッケージの製造方法において、
リードフレームの全面に粗面化処理を施す工程と、
ダイパッド及びインナーリード部の領域をプレス加工によって押し曲げる工程とを有し、
前記押し曲げる工程の際又はその直後に、パッケージ内に露出する前記ダイパッド及びインナーリード部の表面が鏡面加工されていることを特徴とするプリモールドパッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002332245A JP4180352B2 (ja) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | プリモールドパッケージ用リードフレーム及びプリモールドパッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002332245A JP4180352B2 (ja) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | プリモールドパッケージ用リードフレーム及びプリモールドパッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004165567A true JP2004165567A (ja) | 2004-06-10 |
| JP4180352B2 JP4180352B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=32809378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002332245A Expired - Fee Related JP4180352B2 (ja) | 2002-11-15 | 2002-11-15 | プリモールドパッケージ用リードフレーム及びプリモールドパッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4180352B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006061274A1 (de) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Robert Bosch Gmbh | Chipmodul und verfahren zu dessen herstellung |
| JP2007234629A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ部品とこれを用いた半導体装置 |
| WO2012102266A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム |
| JP2022016475A (ja) * | 2017-04-20 | 2022-01-21 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気検出装置、電流検出装置、磁気検出装置の製造方法、及び電流検出装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-11-15 JP JP2002332245A patent/JP4180352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006061274A1 (de) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Robert Bosch Gmbh | Chipmodul und verfahren zu dessen herstellung |
| JP2007234629A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージ部品とこれを用いた半導体装置 |
| WO2012102266A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム |
| JP5861943B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2016-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにリードフレーム |
| US9461220B2 (en) | 2011-01-27 | 2016-10-04 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-attached lead frame, method for manufacturing the same, and lead frame |
| KR101760545B1 (ko) * | 2011-01-27 | 2017-07-21 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 수지 부착 리드 프레임 및 그 제조 방법, 및 리드 프레임 |
| US9806241B2 (en) | 2011-01-27 | 2017-10-31 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-attached lead frame and semiconductor device |
| JP2022016475A (ja) * | 2017-04-20 | 2022-01-21 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気検出装置、電流検出装置、磁気検出装置の製造方法、及び電流検出装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4180352B2 (ja) | 2008-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4857594B2 (ja) | 回路部材、及び回路部材の製造方法 | |
| JP2006319109A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置用パッケージとその製造方法 | |
| US8114713B2 (en) | Method of manufacturing a lead frame with a nickel coating | |
| JP4892033B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP4180352B2 (ja) | プリモールドパッケージ用リードフレーム及びプリモールドパッケージの製造方法 | |
| JP5678980B2 (ja) | 回路部材の製造方法 | |
| JP4620584B2 (ja) | 回路部材の製造方法 | |
| JP2009099871A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2009147094A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5299411B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP5376540B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JP2006237187A (ja) | 樹脂封止型半導体パッケージの製造方法 | |
| JP6191664B2 (ja) | 半導体装置の多面付け体および半導体装置 | |
| JP2018081967A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3583403B2 (ja) | Ｌｏｃ用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP3569642B2 (ja) | 半導体装置用キャリア基板及びその製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100828490B1 (ko) | 리드프레임 제조방법 | |
| JP2017022267A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH0828449B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3007891B1 (ja) | 半導体中空パッケ―ジ及びその製造方法 | |
| JPH0823062A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP5610450B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2007123571A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよび半導体装置用パッケージならびに半導体装置用パッケージの製造方法 | |
| JP2018037535A (ja) | リードフレームの面粗化方法及びそれを用いた粗化面を有するリードフレームの製造方法 | |
| JP2008306085A (ja) | 半導体装置の製造方法とその製造に用いる半導体装置製造用基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050921 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070620 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070829 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080819 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080827 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4180352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |