JPH0823062A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0823062A JPH0823062A JP15401294A JP15401294A JPH0823062A JP H0823062 A JPH0823062 A JP H0823062A JP 15401294 A JP15401294 A JP 15401294A JP 15401294 A JP15401294 A JP 15401294A JP H0823062 A JPH0823062 A JP H0823062A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- molding die
- semiconductor device
- subjected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属平板を圧延処理する工程１１と、金属平板表面
に金属メッキを施す工程１２と、金属メッキを施した金
属平板表面を圧延処理する工程１３と、金属平板を加工
しこれをリードフレームとする工程１４と、リードフレ
ーム上に半導体素子を搭載する工程１５と、半導体素子
を搭載したリードフレームを上側金型及び下側金型で覆
い樹脂封止する工程１６とを具備する。 【効果】 バリ取り工程を省略することが可能になる。
は、金属平板を圧延処理する工程１１と、金属平板表面
に金属メッキを施す工程１２と、金属メッキを施した金
属平板表面を圧延処理する工程１３と、金属平板を加工
しこれをリードフレームとする工程１４と、リードフレ
ーム上に半導体素子を搭載する工程１５と、半導体素子
を搭載したリードフレームを上側金型及び下側金型で覆
い樹脂封止する工程１６とを具備する。 【効果】 バリ取り工程を省略することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する。特に、樹脂封止後に不可避的に発
生していたバリの発生を抑止させた樹脂封止型半導体装
置の製造方法に関する。
の製造方法に関する。特に、樹脂封止後に不可避的に発
生していたバリの発生を抑止させた樹脂封止型半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、樹脂封止型半導体装置は図７
に示す工程を経て製造されていた。図７はペレット製造
工程については省略し、特に、リードフレームの製造工
程を中心に概略を示したものである。
に示す工程を経て製造されていた。図７はペレット製造
工程については省略し、特に、リードフレームの製造工
程を中心に概略を示したものである。
【０００３】始めに、０．２０ｍｍ（０．１５、０．２
５ｍｍでも可）の厚さの銅を主成分とする合金（Ｃｕ母
材）をやや強い圧力にて圧延する（３１）。続いて、プ
レス加工もしくはエッチング加工により、Ｃｕ母材をリ
ードフレーム形状に整形する（３２）。さらに、図示し
ないプロセスにより半導体素子を集積したペレットを準
備し、これをリードフレームのベッド上に搭載する（ダ
イマウント）。続いて、金細線等によりリードとペレッ
ト上のボンディングパッドとを電気的に接続する（ボン
ディング）（３３）。さらに、図示しない上側金型及び
下側金型によって当該リードフレーム、ペレット等を覆
い、樹脂封止部材を注入することにより樹脂モールドを
行う（３４）。
５ｍｍでも可）の厚さの銅を主成分とする合金（Ｃｕ母
材）をやや強い圧力にて圧延する（３１）。続いて、プ
レス加工もしくはエッチング加工により、Ｃｕ母材をリ
ードフレーム形状に整形する（３２）。さらに、図示し
ないプロセスにより半導体素子を集積したペレットを準
備し、これをリードフレームのベッド上に搭載する（ダ
イマウント）。続いて、金細線等によりリードとペレッ
ト上のボンディングパッドとを電気的に接続する（ボン
ディング）（３３）。さらに、図示しない上側金型及び
下側金型によって当該リードフレーム、ペレット等を覆
い、樹脂封止部材を注入することにより樹脂モールドを
行う（３４）。
【０００４】図８は樹脂モールド後のバリ３７の発生状
況を示している。３９はモールド部材、３８は外部リー
ドである。これは、金型の出来上がり寸法のばらつき、
装置の反り、金型同士の加圧力の不足等の要因が重なり
あうことにより生じていると思われる。しかし、このバ
リ３７の存在により、これに引き続く工程である、外部
リード３８の半田メッキ工程等において不具合が生じて
しまう。以下、これを具体的に説明する。図８には典型
的なバリの発生状況を図示したが、時折、リードの先端
までバリが到達してしまうことがある。この場合には、
リードの先端にも半田メッキがなされないこととなり、
完成半導体装置を実装する際に、半田付け不良を生じる
等の問題点を引き起こすこともあった。
況を示している。３９はモールド部材、３８は外部リー
ドである。これは、金型の出来上がり寸法のばらつき、
装置の反り、金型同士の加圧力の不足等の要因が重なり
あうことにより生じていると思われる。しかし、このバ
リ３７の存在により、これに引き続く工程である、外部
リード３８の半田メッキ工程等において不具合が生じて
しまう。以下、これを具体的に説明する。図８には典型
的なバリの発生状況を図示したが、時折、リードの先端
までバリが到達してしまうことがある。この場合には、
リードの先端にも半田メッキがなされないこととなり、
完成半導体装置を実装する際に、半田付け不良を生じる
等の問題点を引き起こすこともあった。
【０００５】したがって、従来はリード半田メッキを行
う前に、図７に示すように、バリ取り工程を挿入してい
た（３５）。このバリ取り工程は、一般に、酸性溶液に
リードを浸し、軽くエッチングすることによりバリ３７
を浮かし、引き続いて、高圧水によって、バリ３７を吹
き飛ばすことにより行う。
う前に、図７に示すように、バリ取り工程を挿入してい
た（３５）。このバリ取り工程は、一般に、酸性溶液に
リードを浸し、軽くエッチングすることによりバリ３７
を浮かし、引き続いて、高圧水によって、バリ３７を吹
き飛ばすことにより行う。
【０００６】バリ取り工程３５が終了した後、外部リー
ドの半田メッキ、リード切断・曲げ、樹脂封止部材表面
へのマーキング等の工程を行う（３６）。以上説明した
ように、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹
脂モールド工程後に、外部リードの表面にバリが不可避
的に発生してしまう。外部リード表面のバリは、これに
引き続く工程に於いて不具合を発生させる。従って、こ
れを取り除くため、上述のようなバリ取り工程を行う必
要があった。
ドの半田メッキ、リード切断・曲げ、樹脂封止部材表面
へのマーキング等の工程を行う（３６）。以上説明した
ように、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹
脂モールド工程後に、外部リードの表面にバリが不可避
的に発生してしまう。外部リード表面のバリは、これに
引き続く工程に於いて不具合を発生させる。従って、こ
れを取り除くため、上述のようなバリ取り工程を行う必
要があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂モール
ド工程後に、外部リードの表面にバリが不可避的に発生
してしまい、これを取り除くために、バリ取り工程を行
う必要があった。本発明は、上記欠点を除去し、バリ取
り工程を不要とした樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹脂モール
ド工程後に、外部リードの表面にバリが不可避的に発生
してしまい、これを取り除くために、バリ取り工程を行
う必要があった。本発明は、上記欠点を除去し、バリ取
り工程を不要とした樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、金属平板を圧延処理する工程と、金属
平板表面に金属メッキを施す工程と、金属メッキを施し
た金属平板表面を圧延処理する工程と、金属平板を加工
しこれをリードフレームとする工程と、リードフレーム
上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子を搭載し
たリードフレームを上側金型及び下側金型で覆い樹脂封
止する工程とを具備することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法を提供する。
に、本発明では、金属平板を圧延処理する工程と、金属
平板表面に金属メッキを施す工程と、金属メッキを施し
た金属平板表面を圧延処理する工程と、金属平板を加工
しこれをリードフレームとする工程と、リードフレーム
上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子を搭載し
たリードフレームを上側金型及び下側金型で覆い樹脂封
止する工程とを具備することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法を提供する。
【０００９】
【作用】本発明で提供する手段を用いると、金属メッキ
の硬度が金属平板の硬度よりも小さくなり、上側金型と
下側金型とによって挟み込んだときに、リードフレーム
に変形が生じ、金型の出来上がり寸法のばらつき、装置
の反り、金型同士の加圧力の不足等が生じていても、樹
脂封止材の流出を防止することが可能となる。この結
果、樹脂封止工程後のバリの発生を防ぐことが可能とな
り、従来工程のようなバリ取り工程を省略することが可
能になる。
の硬度が金属平板の硬度よりも小さくなり、上側金型と
下側金型とによって挟み込んだときに、リードフレーム
に変形が生じ、金型の出来上がり寸法のばらつき、装置
の反り、金型同士の加圧力の不足等が生じていても、樹
脂封止材の流出を防止することが可能となる。この結
果、樹脂封止工程後のバリの発生を防ぐことが可能とな
り、従来工程のようなバリ取り工程を省略することが可
能になる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の樹脂封止型
半導体装置の製造方法の詳細を説明する。図１に本発明
の樹脂封止型半導体装置の製造フローを示す。すなわ
ち、順に、Ｃｕ母材の圧延（１１）、Ｃｕメッキ処理
（１２）、圧延加工（１３）、プレス加工（１４）、ダ
イマウント・ボンディング等の工程（１５）、樹脂モー
ルド（１６）、リードの半田メッキ・リード切断、曲げ
・マーキング加工（１７）から構成される。以下、この
製造フローをふえんして説明する。
半導体装置の製造方法の詳細を説明する。図１に本発明
の樹脂封止型半導体装置の製造フローを示す。すなわ
ち、順に、Ｃｕ母材の圧延（１１）、Ｃｕメッキ処理
（１２）、圧延加工（１３）、プレス加工（１４）、ダ
イマウント・ボンディング等の工程（１５）、樹脂モー
ルド（１６）、リードの半田メッキ・リード切断、曲げ
・マーキング加工（１７）から構成される。以下、この
製造フローをふえんして説明する。
【００１１】Ｃｕ母材１８は、銅を主成分とする合金で
あり、厚さは約０．２５ｍｍである。これは、図２に示
すように、やや圧力を高めにして、圧延ローラー１９を
用いて圧延処理するものであり、この圧延処理は、母材
１８の表面の硬度を高め、平坦化するために行う。
あり、厚さは約０．２５ｍｍである。これは、図２に示
すように、やや圧力を高めにして、圧延ローラー１９を
用いて圧延処理するものであり、この圧延処理は、母材
１８の表面の硬度を高め、平坦化するために行う。
【００１２】続いて、図３に示すように、電解液２２を
満たした電解漕２０に、Ｃｕ母材１８を浸し、電源２１
より電流を供給することにより、銅メッキを施す。続い
て、図４に示すように、６００℃で１０分程度、熱処理
を施しながら再び圧延ローラー２３を用いて圧延処理を
施す。ここでは、主として、銅メッキの圧延を行い、そ
の目的は、銅メッキの硬度を調整し、平坦化するためで
ある。従って、図２に示した圧延工程と比較すると、圧
力はやや低めである。上述の工程により、リードフレー
ムは厚さ０．２０ｍｍの銅母材１８と厚さ５〜１０μｍ
の銅メッキ層とから積層形成する。銅母材の硬度は約１
６０〜１８０Ｈｖであり、銅メッキ層の硬度は６０〜７
０Ｈｖである。
満たした電解漕２０に、Ｃｕ母材１８を浸し、電源２１
より電流を供給することにより、銅メッキを施す。続い
て、図４に示すように、６００℃で１０分程度、熱処理
を施しながら再び圧延ローラー２３を用いて圧延処理を
施す。ここでは、主として、銅メッキの圧延を行い、そ
の目的は、銅メッキの硬度を調整し、平坦化するためで
ある。従って、図２に示した圧延工程と比較すると、圧
力はやや低めである。上述の工程により、リードフレー
ムは厚さ０．２０ｍｍの銅母材１８と厚さ５〜１０μｍ
の銅メッキ層とから積層形成する。銅母材の硬度は約１
６０〜１８０Ｈｖであり、銅メッキ層の硬度は６０〜７
０Ｈｖである。
【００１３】続いて、プレス加工もしくはエッチング加
工によって、Ｃｕ母材１８をリードフレーム形状に加工
する。図５に、このようにして加工されたリードフレー
ム２４を示す。
工によって、Ｃｕ母材１８をリードフレーム形状に加工
する。図５に、このようにして加工されたリードフレー
ム２４を示す。
【００１４】続いて、図示しないが、接着剤を用いて半
導体素子の集積された半導体ペレットをリードフレーム
２４のベッド上に搭載し、金細線等によりリードとペレ
ット上のボンディングパッドとを電気的に接続する。
導体素子の集積された半導体ペレットをリードフレーム
２４のベッド上に搭載し、金細線等によりリードとペレ
ット上のボンディングパッドとを電気的に接続する。
【００１５】続いて、樹脂モールド工程を行うが、この
時のリードフレーム等の断面図を図６に示す。すなわ
ち、リードフレーム２４のＣｕ母材２５には上述の工程
により、銅メッキ層２６が形成されている。上側金型２
８と下側金型２９とによりリードフレームは挟み込ま
れ、この上側金型２８及び下側金型２９によって覆われ
た空間にリードフレーム、ペレット等が保持され、ここ
に樹脂封止部材２７が注入される。ところが、本発明で
は、上述したように銅母材の硬度は約１６０〜１８０Ｈ
ｖであり、銅メッキ層の硬度は６０〜７０Ｈｖであるた
め、柔らかい銅メッキ層が金型の圧力により沈み（３
０）、樹脂封止部材２７の流出をくい止める。この結
果、バリの発生が抑制される。両金型の加圧を、２５〜
３０ｋｇ／ｍｍ2に設定し、リードフレームの硬度を上
述の硬度とすると、銅メッキ層の沈みは、約５μｍ程度
観測された。従って、バリを完全になくすためには、５
μｍ以上の銅メッキ層が必要となる。
時のリードフレーム等の断面図を図６に示す。すなわ
ち、リードフレーム２４のＣｕ母材２５には上述の工程
により、銅メッキ層２６が形成されている。上側金型２
８と下側金型２９とによりリードフレームは挟み込ま
れ、この上側金型２８及び下側金型２９によって覆われ
た空間にリードフレーム、ペレット等が保持され、ここ
に樹脂封止部材２７が注入される。ところが、本発明で
は、上述したように銅母材の硬度は約１６０〜１８０Ｈ
ｖであり、銅メッキ層の硬度は６０〜７０Ｈｖであるた
め、柔らかい銅メッキ層が金型の圧力により沈み（３
０）、樹脂封止部材２７の流出をくい止める。この結
果、バリの発生が抑制される。両金型の加圧を、２５〜
３０ｋｇ／ｍｍ2に設定し、リードフレームの硬度を上
述の硬度とすると、銅メッキ層の沈みは、約５μｍ程度
観測された。従って、バリを完全になくすためには、５
μｍ以上の銅メッキ層が必要となる。
【００１６】続いて、外部リードの半田メッキ、リード
切断・曲げ、樹脂封止部材表面へのマーキング等の工程
を行う。以上説明したように、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法によると、銅メッキの硬度が金属平板
（銅母材）の硬度よりも小さくなり、上側金型と下側金
型とによって挟み込んだときに、リードフレーム表面に
変形が生じ、金型の出来上がり寸法のばらつき、装置の
反り、金型同士の加圧力の不足等が生じていても、樹脂
封止材の流出を防止することが可能となる。この結果、
樹脂封止工程後のバリの発生を防ぐことが可能となり、
従来必要であったバリ取り工程を省略することが可能に
なる。なお、バリ取り工程を省略しないとしても、当該
バリ取り工程に要する工程時間をより低減することも可
能となる。
切断・曲げ、樹脂封止部材表面へのマーキング等の工程
を行う。以上説明したように、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法によると、銅メッキの硬度が金属平板
（銅母材）の硬度よりも小さくなり、上側金型と下側金
型とによって挟み込んだときに、リードフレーム表面に
変形が生じ、金型の出来上がり寸法のばらつき、装置の
反り、金型同士の加圧力の不足等が生じていても、樹脂
封止材の流出を防止することが可能となる。この結果、
樹脂封止工程後のバリの発生を防ぐことが可能となり、
従来必要であったバリ取り工程を省略することが可能に
なる。なお、バリ取り工程を省略しないとしても、当該
バリ取り工程に要する工程時間をより低減することも可
能となる。
【００１７】この結果、より安価に樹脂封止型半導体装
置を製造することも可能となる。なお、本発明の主旨を
逸脱しない限り種々の変更が可能であることは言うまで
もない。
置を製造することも可能となる。なお、本発明の主旨を
逸脱しない限り種々の変更が可能であることは言うまで
もない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置の製造方法によると、バリ取り工程を省略
することが可能になる。
型半導体装置の製造方法によると、バリ取り工程を省略
することが可能になる。
【図１】本発明の実施例を示した製造工程図である。
【図２】本発明の実施例を示した斜視図である。
【図３】本発明の実施例を示した斜視図である。
【図４】本発明の実施例を示した斜視図である。
【図５】本発明の実施例を示した斜視図である。
【図６】本発明の実施例を示した断面図である。
【図７】従来例を示した製造工程図である。
【図８】従来例を示した斜視図である。
１１ 銅母材の圧延工程 １２ 銅メッキ工程 １３ 圧延加工工程 １４ リードフレーム加工工程 １５ ダイマウント・ボンディング工程 １６ 樹脂モールド工程 １７ リード処理工程
Claims (1)
- 【請求項１】金属平板を圧延処理する工程と、 前記金属平板表面に金属メッキを施す工程と、 前記金属メッキを施した前記金属平板表面を圧延処理す
る工程と、 前記金属平板を加工しこれをリードフレームとする工程
と、 前記リードフレーム上に半導体素子を搭載する工程と、 前記半導体素子を搭載した前記リードフレームを上側金
型及び下側金型で覆い樹脂封止する工程とを具備するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15401294A JPH0823062A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15401294A JPH0823062A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823062A true JPH0823062A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15574983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15401294A Pending JPH0823062A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823062A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19745243B4 (de) * | 1996-10-11 | 2007-10-04 | Denso Corp., Kariya | Verfahren zum Herstellen eines mit Harz verschlossenen Halbleiterbauelements und Prägevorrichtung dafür |
| WO2017133941A1 (de) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Robert Bosch Gmbh | Moldmodul, verfahren zur herstellung eines moldmoduls und moldwerkzeug für die moldumspritzung eines moldmoduls |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15401294A patent/JPH0823062A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19745243B4 (de) * | 1996-10-11 | 2007-10-04 | Denso Corp., Kariya | Verfahren zum Herstellen eines mit Harz verschlossenen Halbleiterbauelements und Prägevorrichtung dafür |
| WO2017133941A1 (de) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Robert Bosch Gmbh | Moldmodul, verfahren zur herstellung eines moldmoduls und moldwerkzeug für die moldumspritzung eines moldmoduls |
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