JP4620584B2

JP4620584B2 - 回路部材の製造方法

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Publication number: JP4620584B2
Application number: JP2005376581A
Authority: JP
Inventors: 健司松村; 洋島崎; 勝福地; 正親増田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2005-12-27
Filing date: 2005-12-27
Publication date: 2011-01-26
Anticipated expiration: 2025-12-27
Also published as: JP2007180247A

Description

本発明は、半導体装置に用いられる回路部材の製造方法に関し、さらに詳しくは、回路部材の製造コスト増加を抑え、生産効率を高める回路部材の製造方法に関するものである。

近年、半導体装置は、高機能化及び高集積化が進み、より多くの電子機器に搭載され、社会生活に便利さをもたらし、社会生活にとって必要不可欠な存在となっている。これらの半導体装置は、さまざまな電子機器に搭載されるため、半導体装置の使用環境も多様化し、またそれぞれの電子機器に対応した半導体装置の外形寸法が要求され、小型あるいは薄型の半導体装置のパッケージが開発されている。

このような半導体装置のパッケージには、ＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）やＳＯＰ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）のように半導体装置の側面から外部リード線が突出した構造、あるいはＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔＮｏｎ−ｌｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）やＳＯＮ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅＮｏｎ−ｌｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）のように外部リード線が外側に突出せず半導体装置の下面にリード線が露出するように埋設された構造、いわゆるノンリードタイプのパッケージ、などさまざまな種類のパッケージが開発されている。

前記の半導体装置のパッケージは、いずれもリードフレームのダイパッド部の上面に半導体チップを搭載し、半導体チップとリードフレームのリード部とをボンディングワイヤにて電気的に接続し、リードフレームのリード部の一部が突出、または露出するように、リードフレームと半導体チップとボンディングワイヤとを電気的絶縁性の樹脂で封止するタイプのパッケージで、このタイプのパッケージを備えた半導体装置は樹脂封止型半導体装置と呼ばれている。

しかし、この樹脂封止型の半導体パッケージを備えた半導体装置では、リードフレームのダイパッド部及びリード部の金属部分と樹脂封止の樹脂部分が接する界面が存在し、この界面における金属と樹脂の密着強度が問題となっている。

この問題を解決するために、本出願人は治具または保護フィルムでリードフレーム素材を部分的にマスキングし、マイクロエッチング液を用いてリードフレーム素材の封止樹脂領域の表面に粗面を形成し密着強度をあげる回路部材、その製造方法、およびそれを使用した半導体装置の発明を出願した。（例えば、特願２００５−１２８２５９および特願２００５−３４１３９９）
特願２００５−１２８２５９特願２００５−３４１３９９

上述した特許文献１および特許文献２に記載された回路部材の粗面の形成方法において、治具を用いる方法は、リードフレーム素材の樹脂封止領域の粗面化する領域以外がマイクロエッチング液に触れないようにマスキングする治具に保持し、マイクロエッチング液を噴射し、部分的に粗面を形成する。

しかしながら上述の方法は、部分的にマイクロエッチングされたリードフレームを治具から取り外す際に、マスキングされた平滑面を維持すべき樹脂封止領域の外側部分がマイクロエッチング液に触れると浅くエッチングされる。これを防ぐためマイクロエッチング液用のノズルのほかに水洗用のノズルを設ける必要がある。さらには廃液用の排水系統も別に設ける必要があり、大幅な設備コスト増となる。さらに治具を用いた場合、リードフレーム１枚ずつのバッチ処理となり、かつ１枚のエッチングに要する時間が長いため、生産効率が低いなどの問題がある。

上述した特許文献１および特許文献２に記載された回路部材の粗面の形成方法において、保護フィルムを用いる方法は、リードフレーム素材の樹脂封止領域の粗面化する領域以外がマイクロエッチング液に触れないように開口部を持った保護フィルムを粘着剤層を介してリードフレーム素材の上面と下面から貼り合わせ、マイクロエッチング液を噴霧またはマイクロエッチング液に浸漬し、部分的に粗面を形成する。

しかしながら上述の方法は、粗面化する領域と保護フィルムの前記粗面化する領域に対応する開口部との張り合わせの位置精度が不安定となる問題がある。さらに保護フィルムはマイクロエッチング処理が完了するまで剥離されず粘着されている必要があり、かつマイクロエッチング処理完了後剥離する必要がある。この保護フィルムの粘着力が弱いとマイクロエッチング中に保護フィルムが剥離し、またその粘着力が強いと保護フィルムをマイクロエッチングされたリードフレーム素材から剥離する際リードフレーム素材が変形する。このため保護フィルムおよび粘着剤の選定が非常に限定される問題がある。

そこで、本発明の目的は上記問題点を鑑み、回路部材の製造コスト増加を抑え、生産効率を高める回路部材の製造方法、特に本出願人が先に出願した特許文献１および特許文献２に記載された回路部材の製造方法を改良した回路部材の製造方法を提供することにある。

発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、Ａｇめっき層をマスキング材として利用できる点に着目し、本発明を完成するに至ったものである。より具体的には、リードフレーム素材と封止樹脂との密着強度を向上させるために、リードフレーム素材の樹脂封止領域にマイクロエッチング液を用いて粗面を形成する際、マスキング材としてＡｇめっき（銀めっきを意味し、以下同じ）層が極めて好適であることを知見し、本発明を完成させるに至ったものである。

なお、本発明では、板状の材料をエッチングまたはプレスにて所望の形状のリードフレームに加工したものを「リードフレーム素材」と表記し、そのリードフレーム素材の表面に粗面処理あるいはめっき層の形成されたものを「回路部材」と表記する。またリードフレームあるいは回路部材においてダイパッドに半導体チップを搭載する側の面を上面、該反対側を下面と表記する。

即ち、本発明による回路部材の製造方法は、圧延銅板または圧延銅合金板を所望の形状にエッチングまたはプレスにて加工され、半導体チップを搭載するダイパッド部と前記半導体チップと外部回路を電気的に接続するリード部と前記ダイパッド部および前記リード部を支持する外枠部からなるリードフレーム素材を作製する工程と、該リードフレーム素材の表面全面に電解めっき法によりＡｇめっき層からなる１層のめっき層を形成する工程と、前記全面にＡｇめっき層が形成されたリードフレーム素材を冶具に保持し、該リードフレーム素材の樹脂封止領域のＡｇめっき層を電解剥離法にて部分剥離する工程と、前記Ａｇめっき層が部分剥離されたリードフレーム素材の該Ａｇめっき層の部分剥離した部分にマイクロエッチング液を用いて粗面を形成する工程と、前記粗面が形成されたリードフレーム素材のＡｇめっき層を全面剥離する工程と、を備えることを特徴とするものである。

上記回路部材において、Ａｇめっき層が全面剥離された回路部材の全面にＮｉめっき（ニッケルめっきを意味し、以下同じ）層とＰｄ（パラジウムめっきを意味し、以下同じ）めっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき(金めっきを意味し、以下同じ）層を順次積層した３層のめっき層を形成する工程、または前記回路部材のダイパッド部上面とリード部のボンディングワイヤ接続部の上面とに、Ａｇめっき層からなる１層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層とを順次積層した３層のめっき層を形成する工程と、を備えることを特徴とするものである。

上記回路部材の製造方法において、前記リードフレーム素材の表面全面に形成されるＡｇめっき層の厚さは０．０５〜１μｍであることを特徴とするものである。

本発明の請求項１に係る回路部材の製造方法によれば、圧延銅板または圧延銅合金板を所望の形状にエッチングまたはプレスにて加工され、半導体チップを搭載するダイパッド部と前記半導体チップと外部回路を電気的に接続するリード部と前記ダイパッド部および前記リード部を支持する外枠部からなるリードフレーム素材を作製する工程と、該リードフレーム素材の表面全面に電解めっき法によりＡｇめっき層からなる１層のめっき層を形成する工程と、前記全面にＡｇめっき層が形成されたリードフレーム素材を冶具に保持し、該リードフレーム素材の樹脂封止領域のＡｇめっき層を電解剥離法にて部分剥離する工程と、前記Ａｇめっき層が部分剥離されたリードフレーム素材の該Ａｇめっき層の部分剥離した部分にマイクロエッチング液を用いて粗面を形成する工程と、前記粗面が形成されたリードフレーム素材のＡｇめっき層を全面剥離する工程と、を備えることにより部分的に粗面が形成された回路部材を製造することができる。

さらにマスキング材として使用した銀は、剥離し回収可能なため製造コストの増加を抑えることができる。また粗面を形成するマスクとしてＡｇめっき層を用いるため、治具をマスクとして使用した場合のような平滑面を維持すべき封止領域の外側部分をエッチングすることもなく不良率を低減でき、マイクロエッチング処理はリードフレーム素材にマイクロエッチング液を噴射しても良いがマイクロエッチング液に浸漬しても良いので設備コストも抑えることができる。さらにマイクロエッチング処理は連続処理が可能となるため、治具をマスクとして使用する場合に比べ、生産効率を高めることができる。

本発明の請求項２に係る回路部材の製造方法によれば、前記Ａｇめっき層が全面剥離された回路部材の全面にＮｉめっき層とＰｄめっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層を順次積層した３層のめっき層を形成する工程、または前記回路部材のダイパッド部上面とリード部のボンディングワイヤ接続部の上面とに、Ａｇめっき層からなる１層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層とを順次積層した３層のめっき層を形成する工程と、を備えることにより回路部材を製造することができる。

回路部材の全面にＮｉめっき層とＰｄめっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層を順次積層した３層のめっき層を形成することにより、回路部材の外部端子と半導体装置を搭載する実装基板（プリント配線版）のはんだ付け部分との密着性を向上させることができる。さらに、前記全面めっき層またはボンディングワイヤ接続部の上面の部分めっき層を形成することにより、リード部とボンディングワイヤとの密着性を向上することができる。

本発明の請求項３によれば、リードフレーム素材の表面全面に形成されるＡｇめっき層の厚さが０．０５〜１μｍと薄いため、全面めっきと該めっき層の部分剥離および全面剥離に要する時間が短く生産効率を高めることができる。

本発明によれば、回路部材の製造コストの増加を抑え、生産効率を高める回路部材の製造方法を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る回路部材の製造方法の詳細を図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的なものであり、各材料層の厚みやその比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明に係るＱＦＰタイプのリードフレーム素材の平面図である。図２〜図１２は図１のＡ−Ａの部分断面図であり、外部リード線があるタイプのリードフレームの製造方法を示す工程図であり、ＱＦＰタイプのリードフレームの製造方法に限定するものではなく、ＳＯＪタイプなどのリードフレームの製造方法にも適用できる。なお、図１は半導体装置１個に対応するリードフレームの１単位のパターンを示すが、リードフレームの製造においては複数単位の前記リードフレームパターンが面付けされた状態で連続して製造される。

このリードフレーム素材１は、概中央に配置された半導体チップを搭載するダイパッド部とダイパッド部３を囲むように半導体チップと外部回路を接続するためのリード部６と前記ダイパッド部３と前記リード部６を支持するための外枠２より構成される。ダイパッド部はタイバー７を介して外枠に支持され、リード部は複数のリード線から構成され、さらに該リード線は樹脂封止領域９に含まれる内部リード４と樹脂封止領域外側の外部リード５から構成され、ダムバー８によりとなりあったリード線が接続されている。該ダムバーは、半導体装置製造工程において樹脂封止後、外部リード先端部および外枠とともに切断される。

まず、リードフレーム素材を作製する工程は、細長い板状もしくはコイル状の圧延銅板または圧延銅合金板を、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング、あるいは金型を用いたプレスでの打ち抜きなどの周知の方法により、外形加工されたリードフレーム素材１を用意する。リードフレーム素材１の構成材料としては、導電性、プレス成形性、耐力などに優れた、板厚０．０５〜０．３ｍｍの圧延銅板または圧延銅合金板を用いればよい。該圧延銅板および圧延銅合金板の表面と裏面は平滑な面となっている。

全面のめっき層を形成する工程は、図２に示す前述の工程で準備されたリードフレーム素材の表面全面に電解めっき方によりめっき層１０を形成する（図３）。このめっき層１０は、後述するマイクロエッチングのマスクとなるものでＡｇめっき層が好ましい。さらにこのめっき層１０は、マイクロエッチングに耐える厚さがあれば良く、生産効率の面からは薄いほど良いため、Ａｇめっき層の厚さは０．０５〜１μｍと設定するのが好ましい。Ａｇめっき液はシアン化銀（ＡｇＣＮ）とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を主成分とする電解めっき液を用いれば良い。

次に全面めっき層を部分剥離する工程は、まず図４に示すように、全面にＡｇめっき層が形成されたリードフレーム素材１の樹脂封止領域の外側を治具１３を用いて電解剥離液に触れないように保持する。治具１３はリードフレーム素材の樹脂封止領域に対応する部分に開口が形成されており、リードフレーム素材の樹脂封止領域の上面と側面と下面は電解剥離液に触れ、該樹脂封止領域以外、すなわちダムバー８と外部リード５と外枠は電解剥離液が触れない構造となっている。その後、治具１３により保持されたリードフレーム素材１を電解剥離液１１に浸漬し通電を行い、リードフレーム素材１の樹脂封止領域のダイパッド部３の上面１５Ａと側面１５Ｂと下面１５Ｃおよび内部リード部４の上面１６Ａと側面１６Ｂと下面１６Ｃのめっき層１０を部分剥離する。前記めっき層１０を部分剥離した後に、電解剥離のための通電をとめてリードフレーム素材１を治具１３から取り外す（図５）。電解剥離液はＡｇめっき層を溶解、剥離し、リードフレーム素材の圧延銅板または圧延銅合金板は溶解しない電解剥離液であれば良い。たとえば、Ａｇめっき層を剥離するには、コハク酸イミドを主成分とする電解剥離液を用いれば電解剥離できる。

リードフレーム素材を治具に保持させる際、リードフレーム素材に複数の治具孔を設け、該治具孔に対応するガイドピン（図示しない）を治具に設け該ガイドピンを治具孔に挿入する、またはリードフレーム素材の端面を治具の位置あわせの突起（図示しない）に押し当てることにより、リードフレーム素材の樹脂封止領域と治具の開口部の位置精度を確保できる。さらに、電解剥離法によりめっき層を部分剥離するため、通電をとめた状態であれば電解剥離液に触れてもめっき層は剥離されず、樹脂封止領域外側のめっき層にはダメージを与えることなく治具からめっき層が部分剥離されたリードフレーム素材を取り外すことができる。このようにしてリードフレーム素材の治具への着脱が容易になり生産効率を高めることができる。

次に粗面を形成する工程は、めっき層１０が部分剥離されたリードフレーム素材をマイクロエッチング液１２を用いて、リードフレーム素材の樹脂封止領域の表面に粗面を形成する。本発明でのマイクロエッチング液１２とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。図６に示すように、めっき層が部分剥離されたリードフレーム素材をマイクロエッチング液１２に浸漬することにより粗面を形成することができる（図７）。またはマイクロエッチング液に浸漬する代わりにマイクロエッチング液をスプレーにより噴霧する方法でも良い（図示しない）。圧延銅板または圧延銅合金板の粗面化には過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液が好適あり、このマイクロエッチング液を用いて平均あらさＲａ＝０．３〜０．６μｍの粗面を形成する。平均あらさＲａは、ＪＩＳＢ０６０１で規定される算術平均あらさである。前記マイクロエッチング液は、Ａｇめっき層は溶解しないので、リードフレーム素材の表面に部分的な粗面を形成することができる。マイクロエッチングの条件としては、マイクロエッチング液の温度３５〜４５℃、マイクロエッチング時間１〜３分で平均あらさＲａ＝０．３〜０．６μｍの粗面を形成できる。このマイクロエッチング処理により、リードフレーム素材の樹脂封止領域の表面に針状のプロファイルが形成されリードフレーム素材と封止樹脂との密着強度を高めることができる。さらにリードフレーム素材の樹脂封止領域の外側の表面は、めっき層１０によりマスクされているため、マイクロエッチングされず平滑面を維持できる。

めっき層１０を全面剥離する工程は、樹脂封止領域の表面が粗化されたリードフレーム素材を前述の治具１３を用いずにめっき層１０の全面が電解剥離液に触れるようにし、前述の部分剥離と同様の方法で電解剥離を行なえばよい（図８）。めっき層１０は銀の高価な材料を使用するが、部分剥離および全面剥離の工程でマスク材として使用した材料を回収するため製造コストの増加を抑えることができる。

図８に示すように、ダイパッド部の上面１５Ａ、側面１５Ｂ，下面１５Ｃ、および内部リードの上面１６Ａ，側面１６Ｂ，下面１６Ｃに粗面が形成され、樹脂封止領域の外側は平滑面が維持されている。該平滑面が、半導体装置製造工程の樹脂封止の際、樹脂封止金型と接するため、樹脂封止金型と回路部材の密着性が保たれ、樹脂漏れや樹脂バリの発生を抑えることができる。

次に、図９に示すように部分的な粗面が形成されたリードフレーム素材１の上面と側面と下面の全面にめっき層２０を形成する。図１０は図９の粗面化された部分の拡大図であり、めっき層２０は図１０に示すようにリードフレーム素材１にＮｉめっき層２５とＰｄめっき層２６とを順次積層した２層のめっき層２０Ａである。さらに、図１１は図９の粗面化された部分の拡大図であり、図１１に示すように該２層のめっき層の表面にＡｕめっき層２７を積層しＮｉめっき層２５とＰｄめっき層２６とＡｕめっき層２７とを順次積層した３層のめっき層２０Ｂであっても良い。

前記の全面めっき層２０の替わりに図１２に示すようにダイパッド部３の上面と内部リード４のダイパッド部３側端部のボンディングワイヤ接続部の上面にめっき層２１を形成しても良い。めっき層２１はＡｇめっき層からなる１層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層とを順次積層した３層のめっき層で形成しても良い。ここで全面のめっき層２０、および部分めっき層２１の形成方法は、周知の電解めっき法あるいは無電解めっき法を用いめっき層を形成する。それぞれのめっき層の厚さは、Ｎｉめっき層２５の厚さが０．５〜２μｍ、Ｐｄめっき層２６の厚さが０．００５〜０．２μｍ、さらにＡｕめっき層２７の厚さが０．００３〜０．０１μｍとなるようにめっき層の成長を制御する。また部分めっき層２１がＡｇめっき層の場合、Ａｇめっき層の厚さは、１．５〜１２μｍとなるようにめっき層成長を制御する。

このようにして、半導体製造工程において使い勝手のよい回路部材を製造コストを抑え、生産効率を高め製造することができる。

〔第２の実施の形態〕
図１３〜図２２を用いて、本発明の第２の実施の形態を説明する。なお、本実施形態において前述の第１の実施の形態と同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。

図１３は、本発明に係るＱＦＮタイプのリードフレーム素材の平面図である。図１４〜図２２は図１３のＢ−Ｂの部分断面図であり、リード線が封止樹脂の外側に突出せす半導体装置の下面に露出するタイプのリードフレーム、いわゆるノンリードタイプのリードフレームの製造方法を示す工程図であり、ＱＦＮタイプのリードフレームリードフレームの製造方法に限定するものではなく、ＳＯＮタイプなどのリードフレームの製造方法にも適用できる。なお、図１と同様に図１３は半導体装置１個に対応するリードフレームの１単位のパターンを示すが、リードフレームの製造においては複数単位の前記リードフレームパターンが面付けされた状態で連続して製造される。

このリードフレーム素材１０１は、概中央に配置された半導体チップを搭載するダイパッド部とダイパッド部３を囲むように半導体チップと外部回路を接続するためのリード部６と前記ダイパッド部３と前記リード部６を支持するための外枠２より構成される。ダイパッド部３はタイバー７を介して外枠に支持され、リード部６は複数のリード線から構成される。樹脂封止領域９を点線で図示するが、樹脂封止領域はダイパッド部３と概タイバー７とリード部６を含み、タイバーとリード部の樹脂封止領域からはみ出す部分は、半導体装置製造工程で樹脂封止後、外枠２とともに切断される。

本実施形態に係る製造方法では、図１４に示すように、第１の実施の形態と同様の方法でリードフレーム素材１０１を作製し準備する。

図１５に示すように、全面のめっき層１０を形成する工程は第１の実施の形態と同様の方法で、Ａｇめっき層を形成することができる。

次に全面めっき層を部分剥離する工程は、まず図１６に示すように、全面にＡｇめっき層が形成されたリードフレーム素材１０１の樹脂封止領域の下面と外側とが治具１１３を用いて電解剥離液に触れないように保持する。なお、図１６においてリードフレーム素材の上面（ダイパッド上に半導体チップを搭載する面）を下向きに示してある。治具１１３はリードフレーム素材の下面と接する面は開口部が形成されておらず、リードフレーム素材の上面と接する面はリードフレーム素材の樹脂封止領域に対応する部分に開口が形成されており、リードフレーム素材の樹脂封止領域の上面と側面は電解剥離液に触れ、リードフレーム素材の下面全面と樹脂封止領域以外、すなわち外枠の上面は電解剥離液が触れない構造となっている。また、図１６に示すように、全面めっき層の電解部分剥離する工程において、リードフレーム素材の上面を下向きに示したが、該向きは上向きまたはリードフレーム素材を水平としないで、垂直あるいは斜めにしても良い。しかし、リードフレーム素材の上面を下向きにすると、電解剥離装置の構造が単純になり、さらに電解剥離液の使用量がより少なくなるので下向きにするのが好ましい。その後、治具１１３により保持されたリードフレーム素材１を電解剥離液１１に浸漬し通電を行い、図１７に示すように、リードフレーム素材１０１の樹脂封止領域のダイパッド部３の上面１５Ａと側面１５Ｂおよびリード部６の上面１１６Ａと側面１１６Ｂのめっき層１０を部分剥離する。全面めっき層を部分剥離する工程は、前述の使用する治具１１３およびリードフレーム素材の向きを除いては、第１の実施の形態と同様の方法で全面めっき層を部分剥離することができる。

次に粗面を形成する工程は、図１８に示すように、第１の実施の形態と同様の方法でめっき層１０が部分剥離されたリードフレーム素材をマイクロエッチング液を用いて、図１９に示すリードフレーム素材の樹脂封止領域の表面に粗面を形成する。

さらに、めっき層１０を全面剥離する工程は、第１の実施の形態と同じ方法により、図２０に示すように、樹脂封止領域の表面が粗化されたリードフレーム素材を電解剥離を行なえばよい。図２０に示すように、ダイパッド部の上面１５Ａ、側面１５Ｂ、およびリード部６の上面１６Ａ，側面１６Ｂに粗面が形成され、樹脂封止領域の外側の上面とリードフレーム素材の下面は平滑面が維持されている。

次に、第１の実施の形態と同様に、図２１に示すように全面めっき層２０、または図２２に示すように部分めっき層２１を形成し回路部材を製造することができる。なお、全面めっき層２０および部分めっき層２１は、第１の実施の形態と同じ構成であるので説明は省略する。

このようにして、半導体製造工程において使い勝手のよいノンリードタイプの回路部材を製造コストを抑え、生産効率を高め製造することができる。

以上のことから本発明によれば、樹脂封止領域に回路部材と封止樹脂の密着強度を高めるための粗面が形成され、かつ封止樹脂との接触面以外は平滑面が維持された回路部材を製造コストを抑え、生産効率の高い製造方法を提供することができ、本発明はきわめて有効な発明である。

本発明に係るＱＦＰタイプのリードフレーム素材の平面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。図９の部分拡大図。図９の部分拡大図。本発明の第１の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明に係るＱＦＮタイプのリードフレーム素材平面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。本発明の第２の実施形態に係る回路部材の製造方法を示す工程断面図。

符号の説明

１、１０１リードフレーム素材
２.外枠
３.ダイパッド部
４.内部リード
５.外部リード
６.リード部
７.タイバー
８.ダムバー
９.樹脂封止領域
１０.めっき層
１１.電解剥離液
１２.マイクロエッチング液
１３，１１３、治具
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，ダイパッド部粗面
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ、内部リード粗面
２０、全面めっき層
２１、部分めっき層
２５、Ｎｉめっき層
２６、Ｐｄめっき層
２７、Ａｕめっき層
１１６Ａ，１１６Ｂ，リード部粗面

Claims

圧延銅板または圧延銅合金板を所望の形状にエッチングまたはプレスにて加工され、半導体チップを搭載するダイパッド部と前記半導体チップと外部回路を電気的に接続するリード部と前記ダイパッド部および前記リード部を支持する外枠部からなるリードフレーム素材を作製する工程と、
該リードフレーム素材の表面全面に電解めっき法によりＡｇめっき層からなる１層のめっき層を形成する工程と、
前記全面にＡｇめっき層が形成されたリードフレーム素材を冶具に保持し、該リードフレーム素材の樹脂封止領域のＡｇめっき層を電解剥離法にて部分剥離する工程と、
前記Ａｇめっき層が部分剥離されたリードフレーム素材の該Ａｇめっき層の部分剥離した部分にマイクロエッチング液を用いて粗面を形成する工程と、
前記粗面が形成されたリードフレーム素材のＡｇめっき層を全面剥離する工程と、
を備える回路部材の製造方法。
請求項１において、Ａｇめっき層が全面剥離された回路部材の全面にＮｉめっき層とＰｄめっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層を順次積層した３層のめっき層を形成する工程、または前記回路部材のダイパッド部上面とリード部のボンディングワイヤ接続部の上面とに、Ａｇめっき層からなる１層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層を順次積層した２層のめっき層、またはＮｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層とを順次積層した３層のめっき層を形成する工程と、
を備える回路部材の製造方法。
請求項１において、前記リードフレーム素材の表面全面に形成されるＡｇめっき層の厚さは０．０５〜１μｍであることを特徴とする回路部材の製造方法。