JP2007234629A - 半導体装置用パッケージ部品とこれを用いた半導体装置 - Google Patents

半導体装置用パッケージ部品とこれを用いた半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007234629A
JP2007234629A JP2006050587A JP2006050587A JP2007234629A JP 2007234629 A JP2007234629 A JP 2007234629A JP 2006050587 A JP2006050587 A JP 2006050587A JP 2006050587 A JP2006050587 A JP 2006050587A JP 2007234629 A JP2007234629 A JP 2007234629A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
lead
housing
package component
sealing resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006050587A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4783647B2 (ja
Inventor
Satoyuki Yamada
智行 山田
Takahiro Fukunaga
隆博 福永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2006050587A priority Critical patent/JP4783647B2/ja
Publication of JP2007234629A publication Critical patent/JP2007234629A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4783647B2 publication Critical patent/JP4783647B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】封止樹脂のアウターリード部への流出を防止できる半導体装置用パッケージ部品と、これを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】アウターリード部(10b)を有するリード(10)と、リード(10)のアウターリード部(10b)を除く領域に設けられた筐体(11)とを含み、筐体(11)には、半導体素子を収容するための収容部(111a)が設けられており、筐体(11)の外周とリード(10)との境界(T)の近傍におけるリード(10)上には平滑部材(12)が配置されており、平滑部材(12)は、表面の比表面積が１．１５以下である半導体装置用パッケージ部品(1)とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置用パッケージ部品と、これを用いた半導体装置に関する。
従来の半導体装置では、リードを粗面化処理したり、リードに粗面化めっき膜を形成したりしてリードと封止樹脂との密着性を向上させていた（例えば、特許文献１、特許文献２等参照）。
特開２００２−８３９１７号公報 特開２００４−３４９４９７号公報
しかしながら、前記従来の構成では、封止樹脂が、リード表面又はリード上の粗面化めっき膜表面に設けられた凹凸の凹部に沿って毛細管現象により流れ出し、電気的接続部となるアウターリード部が封止樹脂で被覆されて導通が取れなくなるおそれがあった。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、封止樹脂のアウターリード部への流出を防止できる半導体装置用パッケージ部品と、これを用いた半導体装置を提供する。
本発明の第１の半導体装置用パッケージ部品は、アウターリード部を有するリードと、前記リードの前記アウターリード部を除く領域に設けられた筐体とを含む半導体装置用パッケージ部品であって、
前記筐体には、半導体素子を収容するための収容部が設けられており、
前記筐体の外周と前記リードとの境界近傍における前記リード上には平滑部材が配置されており、
前記平滑部材は、表面の比表面積が１．１５以下であることを特徴とする。
本発明の第２の半導体装置用パッケージ部品は、アウターリード部を有するリードと、前記リードの前記アウターリード部を除く領域に設けられた筐体とを含む半導体装置用パッケージ部品であって、
前記筐体には、半導体素子を収容するための収容部が設けられており、
前記筐体の外周と前記リードとの境界近傍における前記リード表面が平滑面であり、
前記平滑面は、比表面積が１．１５以下であることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、上述した第１又は第２の半導体装置用パッケージ部品と、前記半導体装置用パッケージ部品の前記収容部に収容された半導体素子と、前記収容部に充填され、かつ前記半導体素子を封止する封止樹脂層とを含む。
本発明の半導体装置用パッケージ部品及び半導体装置によれば、封止樹脂層を構成する封止樹脂のアウターリード部への流出を防止できる。これにより、アウターリード部と外部機器との電気的接続を良好に維持することができる。
本発明の第１の半導体装置用パッケージ部品は、アウターリード部を有するリードと、上記リードの上記アウターリード部を除く領域に設けられた筐体とを含む。そして、上記筐体には、半導体素子を収容するための収容部が設けられている。
上記リードは、例えば半導体装置用のリードフレーム等が使用でき、その構成材料としては、例えば銅や銅合金等の金属が使用できる。また、銅や銅合金を基材とし、この基材表面の一部又は全面が導電性被膜で覆われたリードを使用してもよい。上記導電性被膜を構成する材料としては、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、半田等の金属が使用できる。
上記筐体を構成する材料は特に限定されず、樹脂、セラミック、金属等が使用できる。特に、ポリフタルアミド樹脂等の熱可塑性樹脂を使用すると、成形性が良好なため所望の形状の筐体を容易に形成することができる上、低コスト化が可能となる。通常、熱可塑性樹脂を用いて上記筐体を上記リードに設けると、熱可塑性樹脂の熱収縮によって上記筐体と上記リードとの間に空隙が発生する。従来の半導体装置用パッケージ部品では、半導体素子を封止する封止樹脂が、毛細管現象により上記空隙を通過してアウターリード部へと流出するおそれがあった。しかし、本発明によれば、後述するように封止樹脂のアウターリード部への流出を防止することができる。
そして、本発明の第１の半導体装置用パッケージ部品は、上記筐体の外周と上記リードとの境界近傍における上記リード上に平滑部材が配置されており、この平滑部材は、表面の比表面積が１．１５以下（好ましくは１．０５以下）である。本発明の第１の半導体装置用パッケージ部品によれば、筐体とリードとの境界から封止樹脂が流出した場合でも、上記平滑部材によって、毛細管現象による封止樹脂のアウターリード部への流出を防止できる。これにより、アウターリード部と外部機器との電気的接続を良好に維持することができる。特に、上記平滑部材が、上記筐体の外側において、上記境界から少なくとも５００μｍ（好ましくは１ｍｍ）までの範囲の上記リード上に配置されていると、毛細管現象による封止樹脂の流出を確実に防止できるため好ましい。なお、本明細書における比表面積は、測定領域における実際の表面積と、測定領域の投影面積との比であり、原子間力顕微鏡（ａｔｏｍｉｃｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＡＦＭ）により測定することができる。
上記平滑部材が導電性被膜からなる場合は、上記平滑部材が上記リードにおける上記筐体との接触面を除く略全面に設けられていることが好ましい。毛細管現象による封止樹脂の流出を防止できる上、半導体素子とリード（インナーリード部）との間、及びアウターリード部と外部機器との間の電気的接続が良好となるからである。インナーリード部上に設けることができる上記導電性被膜としては、Ｒｈ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ等からなる金属膜が使用できる。これらの金属膜は光の反射率が高いため、光半導体素子を使用する場合に、発光効率又は受光効率を向上させることができる。アウターリード部上に設けることができる上記導電性被膜としては、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、半田等からなる金属膜が使用できる。アウターリード部と外部機器との接続材料として半田を使用する場合にこれらの金属膜を使用すると、アウターリード部の半田濡れ性が向上する。なお、上述した金属膜は、例えばめっき、スパッタリング、蒸着等により形成できる。
本発明の第１の半導体装置用パッケージ部品では、上記リードにおける上記筐体との接触面が凹凸加工されていることが好ましい。封止樹脂が毛細管現象によって上記凹凸の凹部に流れ込み、上記リードと上記筐体との密着性が良好となるからである。この場合、上記リードにおける上記筐体との接触面は、例えば比表面積が１．１５（好ましくは１．４０）より大きくなるように凹凸加工されていればよい。凹凸加工の方法は特に限定されず、ブラスト処理等による機械的エッチングや、マイクロエッチング剤処理等による化学的エッチング、あるいは電解エッチング等の手段を用いればよい。または、上記リード表面の所望の箇所に粗面化めっき膜（例えば針状めっき膜）を形成して凹凸を形成してもよい。なお、上述したように、上記平滑部材によって、毛細管現象による封止樹脂のアウターリード部への流出については防止できる。
次に、本発明の第２の半導体装置用パッケージ部品について説明する。なお、以下の説明において、上述した本発明の第１の半導体装置用パッケージ部品と重複する内容については、その説明を省略する場合がある。
本発明の第２の半導体装置用パッケージ部品は、アウターリード部を有するリードと、上記リードの上記アウターリード部を除く領域に設けられた筐体とを含む。そして、上記筐体には、半導体素子を収容するための収容部が設けられている。また、上記筐体の外周と上記リードとの境界近傍における上記リード表面が平滑面であり、この平滑面は、比表面積が１．１５以下（好ましくは１．０５以下）である。これにより、筐体とリードとの境界から封止樹脂が流出した場合でも、上記平滑面によって、毛細管現象による封止樹脂のアウターリード部への流出を防止できるため、アウターリード部と外部機器との電気的接続を良好に維持することができる。特に、上記筐体の外側において、上記境界から少なくとも５００μｍ（好ましくは１ｍｍ）までの範囲の上記リード表面が上記平滑面である場合は、毛細管現象による封止樹脂の流出を確実に防止できるため好ましい。なお、本発明の第２の半導体装置用パッケージ部品では、上記リードにおける上記筐体との接触面を除く略全面が上記平滑面であってもよい。
上記平滑面の形成方法は特に限定されない。例えば、ブラスト処理等による機械的エッチングや、マイクロエッチング剤処理等による化学的エッチング、あるいは電解エッチング等の手段を用いればよい。または、上記リード表面の所望の箇所をプレス加工して上記平滑面を形成してもよい。
本発明の第２の半導体装置用パッケージ部品では、上記リードにおける上記筐体との接触面が凹凸加工されていることが好ましい。封止樹脂が毛細管現象によって上記凹凸の凹部に流れ込み、上記リードと上記筐体との密着性が良好となるからである。この場合、上記リードにおける上記筐体との接触面は、例えば比表面積が１．１５より大きく（好ましくは１．４０より大きく）なるように凹凸加工されていればよい。凹凸加工の方法は特に限定されず、ブラスト処理等による機械的エッチングや、マイクロエッチング剤処理等による化学的エッチング、あるいは電解エッチング等の手段を用いればよい。または、上記リード表面の所望の箇所に粗面化めっき膜（例えば針状めっき膜）を形成して凹凸を形成してもよい。なお、上述したように、上記平滑面によって、毛細管現象による封止樹脂のアウターリード部への流出については防止できる。
次に、本発明の半導体装置について説明する。なお、以下の説明において、上述した本発明の第１及び第２の半導体装置用パッケージ部品と重複する内容については、その説明を省略する場合がある。
本発明の半導体装置は、上記第１又は第２の半導体装置用パッケージ部品と、この半導体装置用パッケージ部品の上記収容部に収容された半導体素子と、上記収容部に充填され、かつ上記半導体素子を封止する封止樹脂層とを含む。本発明の半導体装置は、上記第１又は第２の半導体装置用パッケージ部品を使用しているため、上述したように毛細管現象による封止樹脂のアウターリード部への流出を防止できる。これにより、アウターリード部と外部機器との電気的接続を良好に維持することができる。
上記半導体素子としては、例えば発光ダイオード、受光ダイオード、レーザーダイオード等の光半導体素子を使用することができる。
上記封止樹脂層を構成する封止樹脂としては、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が使用できる。なかでもシリコーン樹脂は耐光性が高いため、光半導体素子を使用する場合に、上記封止樹脂層の劣化を防止できる。また、シリコーン樹脂は弾性率が比較的低いため、半導体素子とリードとの間の電気的接続箇所（ワイヤ、バンプ等）に加わる応力を緩和することもできる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、参照する図面においては、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の符号で示し、重複する説明を省略する場合がある。
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品について図１を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品の断面図である。
図１に示すように、半導体装置用パッケージ部品１は、対をなすインナーリード部１０ａと、対をなすアウターリード部１０ｂとを有するリードフレーム１０と、インナーリード部１０ａを囲うように設けられた筐体１１とを含む。この筐体１１は、後述する半導体素子２０（図２Ａ参照）を収容するための収容部１１１ａを有する収容体１１１と、基体１１２とを含む。また、リードフレーム１０と筐体１１との接触面を除くリードフレーム１０の略全面に、導電性被膜からなる平滑部材１２が設けられている。そして、この平滑部材１２は、表面の比表面積が１．１５以下である。このように構成された半導体装置用パッケージ部品１によれば、後述する半導体装置２（図２Ａ参照）を作製する際に、筐体１１の外周とリードフレーム１０との境界Ｔから封止樹脂が流出した場合でも、平滑部材１２によって、毛細管現象による封止樹脂のアウターリード部１０ｂへの流出を防止できる。これにより、アウターリード部１０ｂと外部機器（図示せず）との電気的接続を良好に維持することができる。
半導体装置用パッケージ部品１では、上述したように、平滑部材１２が、リードフレーム１０における筐体１１との接触面を除く略全面に設けられている。これにより、毛細管現象による封止樹脂の流出を防止できる上、後述する半導体素子２０（図２Ａ参照）とインナーリード部１０ａとの間、及びアウターリード部１０ｂと外部機器（図示せず）との間の電気的接続が良好となる。
半導体装置用パッケージ部品１では、リードフレーム１０と筐体１１との接触面を含むリードフレーム１０の略全面が凹凸加工されている。これにより、後述する半導体装置２（図２Ａ参照）を作製する際に、封止樹脂が毛細管現象によって上記凹凸の凹部１０ｃに流れ込むため、リードフレーム１０と筐体１１との密着性が良好となる。なお、半導体装置用パッケージ部品１を作製する際は、例えば、トランスファーモールドによって熱可塑性樹脂からなる筐体１１をリードフレーム１０に設けた後、めっき等の手段によって、筐体１１の外周とリードフレーム１０との境界Ｔの近傍１０ｄを含むリードフレーム１０の表面に平滑部材１２を設ければよい。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体装置について図２Ａ，Ｂを参照して説明する。図２Ａは、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の断面図である。また、図２Ｂは、図２ＡのＷ部の拡大図である。なお、本発明の第２実施形態に係る半導体装置は、上述した本発明の第１実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品１（図１参照）を含む半導体装置である。
図２Ａに示すように、半導体装置２は、第１実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品１と、半導体装置用パッケージ部品１の収容部１１１ａに収容された半導体素子２０と、収容部１１１ａに充填され、かつ半導体素子２０を封止する封止樹脂層２１とを含む。半導体素子２０は、ワイヤ２２を介してインナーリード部１０ａに設けられた平滑部材１２（導電性被膜）上に実装されている。半導体装置２は、半導体装置用パッケージ部品１を使用しているため、上述したように、封止樹脂層２１を構成する封止樹脂が毛細管現象によってアウターリード部１０ｂへ流出することを防止できる。これにより、アウターリード部１０ｂと外部機器（図示せず）との電気的接続を良好に維持することができる。
また、半導体装置２では、リードフレーム１０と筐体１１との接触面を含むリードフレーム１０の略全面が凹凸加工されている。これにより、半導体装置２を作製する際に、封止樹脂が毛細管現象によって上記凹凸の凹部１０ｃに流れ込むため、リードフレーム１０と筐体１１との密着性が良好となる（図２Ｂ参照）。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品について図３を参照して説明する。図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品の断面図である。
図３に示すように、半導体装置用パッケージ部品３は、対をなすインナーリード部１０ａと、対をなすアウターリード部１０ｂとを有するリードフレーム１０と、インナーリード部１０ａを囲うように設けられた筐体１１とを含む。この筐体１１は、後述する半導体素子２０（図４Ａ参照）を収容するための収容部１１１ａを有する収容体１１１と、基体１１２とを含む。インナーリード部１０ａ上には、半導体素子２０を実装するための端子３０が設けられている。また、筐体１１の外周とリードフレーム１０との境界Ｘの近傍１０ｄを含むアウターリード部１０ｂの表面が平滑面である。そして、この平滑面は、比表面積が１．１５以下である。このように構成された半導体装置用パッケージ部品３によれば、後述する半導体装置４（図４Ａ参照）を作製する際に、筐体１１の外周とリードフレーム１０との境界Ｘから封止樹脂が流出した場合でも、上記平滑面によって、毛細管現象による封止樹脂のアウターリード部１０ｂへの流出を防止できる。これにより、アウターリード部１０ｂと外部機器（図示せず）との電気的接続を良好に維持することができる。
半導体装置用パッケージ部品３では、アウターリード部１０ｂの表面（平滑面）を除くリードフレーム１０の表面が凹凸加工されている。これにより、後述する半導体装置４（図４Ａ参照）を作製する際に、封止樹脂が毛細管現象によって上記凹凸の凹部１０ｃに流れ込むため、リードフレーム１０と筐体１１との密着性が良好となる。なお、半導体装置用パッケージ部品３を作製する際は、例えば、マイクロエッチング剤処理等によって表面が凹凸加工されたリードフレーム１０、又はリードフレーム基材の表面に針状めっき膜を形成したリードフレーム１０を用意し、トランスファーモールドによって熱可塑性樹脂からなる筐体１１をリードフレーム１０に設けた後、プレス加工やブラスト処理等の手段を用いてアウターリード部１０ｂの表面を平滑化すればよい。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係る半導体装置について図４Ａ，Ｂを参照して説明する。図４Ａは、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の断面図である。また、図４Ｂは、図４ＡのＹ部の拡大図である。なお、本発明の第４実施形態に係る半導体装置は、上述した本発明の第３実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品３（図３参照）を含む半導体装置である。
図４Ａに示すように、半導体装置４は、第３実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品３と、半導体装置用パッケージ部品３の収容部１１１ａに収容された半導体素子２０と、収容部１１１ａに充填され、かつ半導体素子２０を封止する封止樹脂層２１とを含む。半導体素子２０は、ワイヤ２２を介してインナーリード部１０ａに設けられた端子３０上に実装されている。半導体装置４は、半導体装置用パッケージ部品３を使用しているため、上述したように、封止樹脂層２１を構成する封止樹脂が毛細管現象によってアウターリード部１０ｂへ流出することを防止できる。これにより、アウターリード部１０ｂと外部機器（図示せず）との電気的接続を良好に維持することができる。
また、半導体装置４では、アウターリード部１０ｂの表面（平滑面）を除くリードフレーム１０の表面が凹凸加工されている。これにより、半導体装置４を作製する際に、封止樹脂が毛細管現象によって上記凹凸の凹部１０ｃに流れ込むため、リードフレーム１０と筐体１１との密着性が良好となる（図４Ｂ参照）。
本発明は、例えば発光装置や受光装置等の光半導体装置に有用である。
本発明の第１実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品の断面図である。 Ａは本発明の第２実施形態に係る半導体装置の断面図であり、ＢはＡのＷ部の拡大図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置用パッケージ部品の断面図である。 Ａは本発明の第４実施形態に係る半導体装置の断面図であり、ＢはＡのＹ部の拡大図である。
符号の説明
１，３ 半導体装置用パッケージ部品
２，４ 半導体装置
１０ リードフレーム(リード)
１０ａ インナーリード部
１０ｂ アウターリード部
１０ｃ 凹部
１０ｄ 近傍
１１ 筐体
１２ 平滑部材
２０ 半導体素子
２１ 封止樹脂層
２２ ワイヤ
３０ 端子
１１１ 収容体
１１１ａ 収容部
１１２ 基体

Claims (12)

  1. アウターリード部を有するリードと、前記リードの前記アウターリード部を除く領域に設けられた筐体とを含む半導体装置用パッケージ部品であって、
    前記筐体には、半導体素子を収容するための収容部が設けられており、
    前記筐体の外周と前記リードとの境界近傍における前記リード上には平滑部材が配置されており、
    前記平滑部材は、表面の比表面積が１．１５以下であることを特徴とする半導体装置用パッケージ部品。
  2. 前記平滑部材は、前記筐体の外側において、前記境界から少なくとも５００μｍまでの範囲の前記リード上に配置されている請求項１に記載の半導体装置用パッケージ部品。
  3. 前記平滑部材は、導電性被膜からなり、かつ前記リードにおける前記筐体との接触面を除く略全面に設けられている請求項１に記載の半導体装置用パッケージ部品。
  4. 前記リードは、前記筐体との接触面が凹凸加工されている請求項１に記載の半導体装置用パッケージ部品。
  5. 前記筐体は、熱可塑性樹脂からなる請求項１に記載の半導体装置用パッケージ部品。
  6. アウターリード部を有するリードと、前記リードの前記アウターリード部を除く領域に設けられた筐体とを含む半導体装置用パッケージ部品であって、
    前記筐体には、半導体素子を収容するための収容部が設けられており、
    前記筐体の外周と前記リードとの境界近傍における前記リード表面が平滑面であり、
    前記平滑面は、比表面積が１．１５以下であることを特徴とする半導体装置用パッケージ部品。
  7. 前記筐体の外側において、前記境界から少なくとも５００μｍまでの範囲の前記リード表面が前記平滑面である請求項６に記載の半導体装置用パッケージ部品。
  8. 前記リードは、前記筐体との接触面が凹凸加工されている請求項６に記載の半導体装置用パッケージ部品。
  9. 前記筐体は、熱可塑性樹脂からなる請求項６に記載の半導体装置用パッケージ部品。
  10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置用パッケージ部品と、前記半導体装置用パッケージ部品の前記収容部に収容された半導体素子と、前記収容部に充填され、かつ前記半導体素子を封止する封止樹脂層とを含む半導体装置。
  11. 前記封止樹脂層を構成する封止樹脂は、熱硬化性樹脂である請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 前記熱硬化性樹脂は、シリコーン樹脂である請求項１１に記載の半導体装置。
JP2006050587A 2006-02-27 2006-02-27 半導体装置用パッケージ部品を用いた半導体装置 Expired - Fee Related JP4783647B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006050587A JP4783647B2 (ja) 2006-02-27 2006-02-27 半導体装置用パッケージ部品を用いた半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006050587A JP4783647B2 (ja) 2006-02-27 2006-02-27 半導体装置用パッケージ部品を用いた半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007234629A true JP2007234629A (ja) 2007-09-13
JP4783647B2 JP4783647B2 (ja) 2011-09-28

Family

ID=38554954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006050587A Expired - Fee Related JP4783647B2 (ja) 2006-02-27 2006-02-27 半導体装置用パッケージ部品を用いた半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4783647B2 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199166A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Panasonic Corp 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法
JP2011077188A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
WO2012036281A1 (ja) * 2010-09-17 2012-03-22 ローム株式会社 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置
WO2012053260A1 (ja) * 2010-10-22 2012-04-26 パナソニック株式会社 表面実装型発光装置
JP2012190991A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP5083472B1 (ja) * 2012-01-25 2012-11-28 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージの製造方法
WO2013111253A1 (ja) * 2012-01-25 2013-08-01 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄ発光素子及びそれらの製造方法
KR101367380B1 (ko) * 2007-09-28 2014-02-27 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2014096430A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Panasonic Corp Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄ発光素子及びそれらの製造方法
KR20140079111A (ko) * 2012-12-18 2014-06-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2015181203A (ja) * 2015-07-07 2015-10-15 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、半導体装置および照明装置
JP2015207743A (ja) * 2014-04-23 2015-11-19 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
JP2016015527A (ja) * 2008-10-17 2016-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光装置
JP2016154255A (ja) * 2011-02-28 2016-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017118059A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社三井ハイテック Ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法
JP2018073641A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 株式会社日立製作所 二次電池、及び二次電池の製造方法
EP2369652B1 (en) * 2010-03-25 2019-02-20 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system having the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61269339A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Vlsi Eng Corp 半導体装置
JP2002184926A (ja) * 2000-12-18 2002-06-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置
JP2004165567A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Mitsui High Tec Inc プリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61269339A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Vlsi Eng Corp 半導体装置
JP2002184926A (ja) * 2000-12-18 2002-06-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置
JP2004165567A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Mitsui High Tec Inc プリモールドパッケージ用リードフレーム及びその製造方法並びにプリモールドパッケージ及びその製造方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101367380B1 (ko) * 2007-09-28 2014-02-27 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2016015527A (ja) * 2008-10-17 2016-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 発光装置
JP2010199166A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Panasonic Corp 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法
JP2011077188A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
EP2369652B1 (en) * 2010-03-25 2019-02-20 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system having the same
US10593846B2 (en) 2010-09-17 2020-03-17 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device
US9224915B2 (en) 2010-09-17 2015-12-29 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device
JPWO2012036281A1 (ja) * 2010-09-17 2014-02-03 ローム株式会社 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置
US9608187B2 (en) 2010-09-17 2017-03-28 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device
WO2012036281A1 (ja) * 2010-09-17 2012-03-22 ローム株式会社 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置
WO2012053260A1 (ja) * 2010-10-22 2012-04-26 パナソニック株式会社 表面実装型発光装置
JP2016154255A (ja) * 2011-02-28 2016-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012190991A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP5083472B1 (ja) * 2012-01-25 2012-11-28 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージの製造方法
WO2013111253A1 (ja) * 2012-01-25 2013-08-01 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄ発光素子及びそれらの製造方法
JP2014096430A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Panasonic Corp Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄ発光素子及びそれらの製造方法
KR20140079111A (ko) * 2012-12-18 2014-06-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102075109B1 (ko) * 2012-12-18 2020-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2015207743A (ja) * 2014-04-23 2015-11-19 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
JP2015181203A (ja) * 2015-07-07 2015-10-15 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、半導体装置および照明装置
JP2017118059A (ja) * 2015-12-25 2017-06-29 株式会社三井ハイテック Ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法
JP2018073641A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 株式会社日立製作所 二次電池、及び二次電池の製造方法
CN108023127A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 株式会社日立制作所 二次电池和二次电池的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4783647B2 (ja) 2011-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4783647B2 (ja) 半導体装置用パッケージ部品を用いた半導体装置
JP5710128B2 (ja) 樹脂付リードフレームの製造方法
JP2006222406A (ja) 半導体装置
WO2004084319A1 (ja) 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置
JP5624697B1 (ja) 電子部品パッケージおよびその製造方法
JP3737769B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP5871174B2 (ja) Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法
JP2008187045A (ja) 半導体装置用リードフレームとその製造方法、半導体装置
US7911041B2 (en) Semiconductor device with gold coatings, and process for producing it
JP2009043765A (ja) 電子装置
JP6115836B2 (ja) 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
JP2013236113A (ja) 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
JP6025026B2 (ja) Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2010206034A (ja) 光半導体装置用リードフレーム，光半導体装置用パッケージ，光半導体装置，光半導体装置用リードフレームの製造方法，光半導体装置用パッケージの製造方法および光半導体装置の製造方法
JP2017076806A (ja) 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
JP2017076809A (ja) 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置
JP2006226989A (ja) 圧力センサの製造方法
JP2009246032A (ja) 半導体装置
JP6618745B2 (ja) 電子部品
JP2008034680A (ja) 半導体素子収納用樹脂製中空パッケージ及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体装置
JP5908874B2 (ja) 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
JP2007287800A (ja) 配線とこれを用いた半導体装置用パッケージ部品及び配線基板
JP2005235926A (ja) リードフレーム
JP6056914B2 (ja) 樹脂付リードフレーム、半導体装置および照明装置
JP2008060133A (ja) 面実装タイプ樹脂製中空パッケージ及びそれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090226

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110412

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110628

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110711

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees