JPS62174980A - 光フアイバ通信用発光装置 - Google Patents
光フアイバ通信用発光装置Info
- Publication number
- JPS62174980A JPS62174980A JP61017241A JP1724186A JPS62174980A JP S62174980 A JPS62174980 A JP S62174980A JP 61017241 A JP61017241 A JP 61017241A JP 1724186 A JP1724186 A JP 1724186A JP S62174980 A JPS62174980 A JP S62174980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- optical fiber
- emitting device
- diode element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光ファイバ通信の光源に適した光ファイバ通信
用発光装置に関する。
用発光装置に関する。
〈従来の技術〉
光ファイバ通信に用いられるプラスチック光ファイバの
伝送損失は、伝送光の波長が略０．５７μｍ及び０．６
５μｍのところで極小値をとる。波長が０゜６５μｍの
光は、赤色発光にあたる。従来の赤色発光の発光ダイオ
ード素子（中心波長： ０．６６〜０．６７μｍ）は、
従来より表示用として広（用いられている。そこで、従
来、この種のプラスチック光ファイバの光源としては、
表示用の赤色発光ダイオード素子を用いている。
伝送損失は、伝送光の波長が略０．５７μｍ及び０．６
５μｍのところで極小値をとる。波長が０゜６５μｍの
光は、赤色発光にあたる。従来の赤色発光の発光ダイオ
ード素子（中心波長： ０．６６〜０．６７μｍ）は、
従来より表示用として広（用いられている。そこで、従
来、この種のプラスチック光ファイバの光源としては、
表示用の赤色発光ダイオード素子を用いている。
ところで、表示用の発光ダイオードの特性として重要視
されるのは、その用途からして発光輝度であり、その中
心発光波長の若干の差異や発光波長スペクトル幅は大き
な問題とならないのが通常である。
されるのは、その用途からして発光輝度であり、その中
心発光波長の若干の差異や発光波長スペクトル幅は大き
な問題とならないのが通常である。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、プラスチック光ファイバの伝送損失が極
小値をとる発光中心波長は、前記従来の発光ダイオード
素子のそれよりも０．０１〜０．０２μｍ程だけ短波長
側にある。また、プラスチック光フ□ァイバの伝送損失
が極小値をとる発光波長範囲は、従来の赤色発光ダイオ
ードの半値幅よりも狭くなっている。そのため、従来、
プラスチック光ファイバの光源として用いられていた赤
色発光ダイオードの発光出力のうちの多くが、伝送損失
となって消失していた。このように、従来、光ファイバ
通信用発光装置としての赤色発光ダイオード素子は、中
心発光波長がプラスチック光ファイバの低損失域より外
れており、さらにまた半値幅も広いために、伝送損失が
多くなるという問題点があった。
小値をとる発光中心波長は、前記従来の発光ダイオード
素子のそれよりも０．０１〜０．０２μｍ程だけ短波長
側にある。また、プラスチック光フ□ァイバの伝送損失
が極小値をとる発光波長範囲は、従来の赤色発光ダイオ
ードの半値幅よりも狭くなっている。そのため、従来、
プラスチック光ファイバの光源として用いられていた赤
色発光ダイオードの発光出力のうちの多くが、伝送損失
となって消失していた。このように、従来、光ファイバ
通信用発光装置としての赤色発光ダイオード素子は、中
心発光波長がプラスチック光ファイバの低損失域より外
れており、さらにまた半値幅も広いために、伝送損失が
多くなるという問題点があった。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、中心発光波長がプラスチック光ファイバの低損失域
に設定されており、しかも、半値幅を狭くして、プラス
チック光ファイバ内を伝送されるときの損失を小さくす
ることができる光ファイバ通信用発光装置を提供するこ
とを主たる目的としている。
て、中心発光波長がプラスチック光ファイバの低損失域
に設定されており、しかも、半値幅を狭くして、プラス
チック光ファイバ内を伝送されるときの損失を小さくす
ることができる光ファイバ通信用発光装置を提供するこ
とを主たる目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。
な構成をとる。
即ち、本発明は、光照射方向に広がった反射面を発光ダ
イオード素子の周囲に形成し、前記反射面と境界面を共
通にする樹脂製レンズを備えた光ファイバ通信用発光装
置であって、 前記発光ダイオード素子は、ＧａＡｓ１板と、前記基板
上にエピタキシャル成長され、前記基板と同極のｃ ａ
Ａ ｓ Ａ ！ｌ （’Ｊｉ斜層と、前記ＣａＡＩＡ
Ｓ ｆｌＪ？斜層の上にエピタキシャル成長され、前記
基板と同極性で、厚さが０．３〜５μｍのＧａ、□Ａ１
、Ａｓ活性層（組成比ｘ ＝０．２〜０．５ ）と、前
記活性層の上にエピタキシャル成長され、前記基板と異
極性のＧａＡｌＡｓ層とからなることを特徴としている
。
イオード素子の周囲に形成し、前記反射面と境界面を共
通にする樹脂製レンズを備えた光ファイバ通信用発光装
置であって、 前記発光ダイオード素子は、ＧａＡｓ１板と、前記基板
上にエピタキシャル成長され、前記基板と同極のｃ ａ
Ａ ｓ Ａ ！ｌ （’Ｊｉ斜層と、前記ＣａＡＩＡ
Ｓ ｆｌＪ？斜層の上にエピタキシャル成長され、前記
基板と同極性で、厚さが０．３〜５μｍのＧａ、□Ａ１
、Ａｓ活性層（組成比ｘ ＝０．２〜０．５ ）と、前
記活性層の上にエピタキシャル成長され、前記基板と異
極性のＧａＡｌＡｓ層とからなることを特徴としている
。
〈実施例〉
第１図は本発明の実施例に係る光ファイバ通信用発光装
置の断面構造図である。
置の断面構造図である。
コバール材からなるステム電極ｌの上面には、すりばち
状の反射機構２が形成されている。この反射機構２は、
光照射方向に広がった反射面を備えている。このような
反射機構２が設けられたステム電極１は、金メッキ処理
が施されている。
状の反射機構２が形成されている。この反射機構２は、
光照射方向に広がった反射面を備えている。このような
反射機構２が設けられたステム電極１は、金メッキ処理
が施されている。
ステム電極１の反射機構２の底部に発光ダイオード素子
３が導電性のエポキシ樹脂でグイポンディングされてい
る。この発光ダイオード素子３の構造を第２図に示す。
３が導電性のエポキシ樹脂でグイポンディングされてい
る。この発光ダイオード素子３の構造を第２図に示す。
発光ダイオード素子３は、例えば厚さが８０μｍのＰ型
のＧａＡｓ基板３１の上に、格子整合をとるためのＰ型
のＧａＡｌＡｓ傾斜層３２がエピタキシャル成長されて
いる。この傾斜層３２の組成比は、Ｇ ａ Ｏ，３Ａ
Ｉ。、フＡｓになっている。
のＧａＡｓ基板３１の上に、格子整合をとるためのＰ型
のＧａＡｌＡｓ傾斜層３２がエピタキシャル成長されて
いる。この傾斜層３２の組成比は、Ｇ ａ Ｏ，３Ａ
Ｉ。、フＡｓになっている。
傾斜層３２の上に、Ｐ型のＧ ａ ＋−ｘ Ａ ｌ ｘ
Ａ Ｓ活性層３３がエピタキシャル成長されている。
Ａ Ｓ活性層３３がエピタキシャル成長されている。
活性層３３の組成比Ｘは０．２〜０．５に設定されてい
る。活性層３の厚さは、従来の発光ダイオード素子のそ
れよりも薄くなる範囲、即ち、０．３〜５μｍに設定さ
れ、好ましくは、０．５〜１．５μｍ、さらに好ましく
は、０．８〜１．２ μｍに設定される。
る。活性層３の厚さは、従来の発光ダイオード素子のそ
れよりも薄くなる範囲、即ち、０．３〜５μｍに設定さ
れ、好ましくは、０．５〜１．５μｍ、さらに好ましく
は、０．８〜１．２ μｍに設定される。
本実施例では、活性層３の厚さを１．０μｍに設定した
。なお、活性層３の厚さは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ
）によって測定した。
。なお、活性層３の厚さは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ
）によって測定した。
前記活性層３の上に、Ｎ型のＧａｏ、ｚ Ａ Ｉｏ、ｙ
Ａｓ層４がエピタキシャル成長されている。このＧａＡ
ｌＡｓ層４の厚さは、例えば２２μｍに設定されている
。
Ａｓ層４がエピタキシャル成長されている。このＧａＡ
ｌＡｓ層４の厚さは、例えば２２μｍに設定されている
。
また、前記ＧａＡｌＡｓ層４の上にＡＩまたはＡｕを蒸
着して形成した表電極（ワイヤポンディングパッド）３
５ａが、基板１の裏面に裏面電極３５ｂがそれぞれ形成
されている。
着して形成した表電極（ワイヤポンディングパッド）３
５ａが、基板１の裏面に裏面電極３５ｂがそれぞれ形成
されている。
前記基板１の上にエピタキシャル成長されたＧａＡｌＡ
ｓ層３２．３３．３４の側面部は、メサエッチングされ
て湾曲面を形成している。
ｓ層３２．３３．３４の側面部は、メサエッチングされ
て湾曲面を形成している。
第１図にもどって、ステム電極ｌの底面には、リード端
子４ａが接続されている。また、ステム電極１に開設さ
れた小孔には、もう一つのリード端子４ｂが挿入されて
いる。リード端子４ｂと前記小孔との間隙部分には、ガ
ラス材５が充填されており、前記リード端子４ｂとステ
ム電極ｌとを電気的に絶縁している。
子４ａが接続されている。また、ステム電極１に開設さ
れた小孔には、もう一つのリード端子４ｂが挿入されて
いる。リード端子４ｂと前記小孔との間隙部分には、ガ
ラス材５が充填されており、前記リード端子４ｂとステ
ム電極ｌとを電気的に絶縁している。
反射機構２の底部にダイボンディングされた発光ダイオ
ード素子３の表面電極３５ａとリード端子４ｂとの間は
、極細の金線６によってワイヤボンディングされている
。
ード素子３の表面電極３５ａとリード端子４ｂとの間は
、極細の金線６によってワイヤボンディングされている
。
発光ダイオード素子３がワイヤボンディングされのち、
反射機構２の凹部に透過性のエポキシ樹脂が滴下され、
硬化することによって、樹脂製レンズ７が形成される。
反射機構２の凹部に透過性のエポキシ樹脂が滴下され、
硬化することによって、樹脂製レンズ７が形成される。
この樹脂製レンズ７は、その境界面を前記反射機構２の
反射面と共通している。樹脂製レンズ７を形成するのに
使用されるエポキシ樹脂は、光の散乱を少なくして多く
の光出力を取り出すために、純度が９９．９９％以上（
固形不純が０．０１％以下）の透明色のものが用いられ
る。
反射面と共通している。樹脂製レンズ７を形成するのに
使用されるエポキシ樹脂は、光の散乱を少なくして多く
の光出力を取り出すために、純度が９９．９９％以上（
固形不純が０．０１％以下）の透明色のものが用いられ
る。
樹脂製レンズ７が形成されたのち、このレンズから導出
されて部分的に露出している金ｖＡ６を保護するために
、この部分にエポキシ樹脂が滴下され、これを硬化する
ことによって、金線保護用の樹脂部８が形成される。
されて部分的に露出している金ｖＡ６を保護するために
、この部分にエポキシ樹脂が滴下され、これを硬化する
ことによって、金線保護用の樹脂部８が形成される。
下表は上述した実施例に係る光ファイバ通信用発光装置
の特性を、従来装置の特性と比較して示したものである
。測定条件は、全長２ｍのプラスチック光ファイバの一
端を、樹脂製レンズ７の上部に密着させて、２０ｍＡの
駆動電流を流した場合に、前記プラスチック光ファイバ
の他端から取り出される光の出力を測定したものである
。
の特性を、従来装置の特性と比較して示したものである
。測定条件は、全長２ｍのプラスチック光ファイバの一
端を、樹脂製レンズ７の上部に密着させて、２０ｍＡの
駆動電流を流した場合に、前記プラスチック光ファイバ
の他端から取り出される光の出力を測定したものである
。
表
第３図は、前記実施例の発光波長スペクトル分布を従来
例の発光波長スペクトル分布と比較して示した図である
。同図より明らかなように、本実施例の発光波長スペク
トル分布は、従来装置よりも急峻な分布になっている。
例の発光波長スペクトル分布と比較して示した図である
。同図より明らかなように、本実施例の発光波長スペク
トル分布は、従来装置よりも急峻な分布になっている。
なお、上述の実施例では、Ｐ型の基板３１の上にＰ型の
傾斜Ｎ３２及び活性層３３をエピタキシャル成長させ、
さらにその上からＮ型のＧａＡｌＡｓ層３４をエピタキ
シャル成長させた。しかし、本発明はこれに限られるも
のでな（、不純物の極性が逆のものであってもよい。
傾斜Ｎ３２及び活性層３３をエピタキシャル成長させ、
さらにその上からＮ型のＧａＡｌＡｓ層３４をエピタキ
シャル成長させた。しかし、本発明はこれに限られるも
のでな（、不純物の極性が逆のものであってもよい。
また、実施例で説明した発光ダイオード素子３は、Ｐ型
のＧａＡｓ基板３１を備えているが、この基板３１は、
その上に上述した各エピタキシャル層を成長したのち、
エツチング処理によって除去してもよい。このように基
板３１を除去することにより、基板３１による光の吸収
を少なくすることができるので、発光出力をさらに高め
ることができる。
のＧａＡｓ基板３１を備えているが、この基板３１は、
その上に上述した各エピタキシャル層を成長したのち、
エツチング処理によって除去してもよい。このように基
板３１を除去することにより、基板３１による光の吸収
を少なくすることができるので、発光出力をさらに高め
ることができる。
〈発明の効果〉
本発明に係る光ファイバ通信用発光装置は、上述したよ
うな薄い活性層の発光ダイオード素子を備えているから
、発光中心波長がプラスチック光ファイバの低損失域に
あり、しかも、半値幅が狭い発光を得ることができる。
うな薄い活性層の発光ダイオード素子を備えているから
、発光中心波長がプラスチック光ファイバの低損失域に
あり、しかも、半値幅が狭い発光を得ることができる。
したがって、本発明に係る光ファイバ通信用発光装置に
よれば、プラスチック光ファイバを伝送するときの光伝
送損失を小さくすることができる。
よれば、プラスチック光ファイバを伝送するときの光伝
送損失を小さくすることができる。
また、実施例の構成のように、樹脂製レンズを、純度が
９９．９９％以上の透過性のエポキシ樹脂で形成すると
、樹脂製レンズ内の光損失が少なくなり、そのため、高
い発光出力が得られるという別異の効果を奏する。
９９．９９％以上の透過性のエポキシ樹脂で形成すると
、樹脂製レンズ内の光損失が少なくなり、そのため、高
い発光出力が得られるという別異の効果を奏する。
第１図は本発明の実施例に係る光ファイバ通信用発光装
置の断面構造図、第２図は第１図に示した実施例に用い
られる発光ダイオード素子の断面構造図、第３図は実施
例の光ファイバ通信用発光装置のスペクトル分布図であ
る。 １・・・ステム電極、２・・・反射機構、３・・・発光
ダイオード素子、７・・・樹脂製レンズ、３１・・・Ｐ
型ＧａＡｓ基板、３２ ・Ｐ型ＧａＡｌＡｓ傾斜層、３
３＝−Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、３４−Ｎ型ＧａＡ］Ａ
ｓ層
置の断面構造図、第２図は第１図に示した実施例に用い
られる発光ダイオード素子の断面構造図、第３図は実施
例の光ファイバ通信用発光装置のスペクトル分布図であ
る。 １・・・ステム電極、２・・・反射機構、３・・・発光
ダイオード素子、７・・・樹脂製レンズ、３１・・・Ｐ
型ＧａＡｓ基板、３２ ・Ｐ型ＧａＡｌＡｓ傾斜層、３
３＝−Ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、３４−Ｎ型ＧａＡ］Ａ
ｓ層
Claims (2)
- （１）光照射方向に広がった反射面を発光ダイオード素
子の周囲に形成し、前記反射面と境界面を共通にする樹
脂製レンズを備えた光ファイバ通信用発光装置であって
、 前記発光ダイオード素子は、ＧａＡｓ基板と、前記基板
上にエピタキシャル成長され、前記基板と同極のＧａＡ
ｌＡｓ傾斜層と、前記ＧａＡｌＡｓ傾斜層の上にエピタ
キシャル成長され、前記基板と同極性で、厚さが０．３
〜５μｍのＧａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ活性層（組成
比ｘ＝０．２〜０．５）と、前記活性層の上にエピタキ
シャル成長され、前記基板と異極性のＧａＡｌＡｓ層と
からなることを特徴とする光ファイバ通信用発光装置。 - （２）前記樹脂製レンズは、純度が９９．９９％以上の
透過性エポキシ樹脂からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光ファイバ通信用発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017241A JPS62174980A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 光フアイバ通信用発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017241A JPS62174980A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 光フアイバ通信用発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174980A true JPS62174980A (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=11938448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017241A Pending JPS62174980A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | 光フアイバ通信用発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62174980A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229545U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| EP0827214A1 (de) * | 1996-08-06 | 1998-03-04 | STM Sensor Technologie München GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Linsen mikrooptischer Systeme sowie Lichtsender/Lichtempfängersysteme |
| EP0976589A1 (en) * | 1997-03-18 | 2000-02-02 | Obschestvo S Ogranichennoy Otvetstvennostju "Korvet Lights" | Luminescent diode |
| WO2002084750A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
| US6657238B2 (en) * | 2001-01-25 | 2003-12-02 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode and illuminator using the same |
| KR100822340B1 (ko) | 2007-04-09 | 2008-04-16 | 충남대학교산학협력단 | 전기적으로 격리된 금속 포스트를 갖춘 금속판을 이용하는반도체 발광장치의 제조 방법 |
| JP2009135381A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-06-18 | Sharp Corp | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP61017241A patent/JPS62174980A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229545U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| EP0827214A1 (de) * | 1996-08-06 | 1998-03-04 | STM Sensor Technologie München GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Linsen mikrooptischer Systeme sowie Lichtsender/Lichtempfängersysteme |
| US5945041A (en) * | 1996-08-06 | 1999-08-31 | Stm Sensor Technologie Munchen Gmbh | Method and device for producing lenses of microoptical systems and optical emitter/receiver system |
| EP0976589A1 (en) * | 1997-03-18 | 2000-02-02 | Obschestvo S Ogranichennoy Otvetstvennostju "Korvet Lights" | Luminescent diode |
| EP0976589A4 (en) * | 1997-03-18 | 2006-11-08 | Acol Technologies S A | LUMINESCENT DIODE |
| US6657238B2 (en) * | 2001-01-25 | 2003-12-02 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode and illuminator using the same |
| WO2002084750A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
| US6874910B2 (en) | 2001-04-12 | 2005-04-05 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using LED, and method of producing same |
| KR100822340B1 (ko) | 2007-04-09 | 2008-04-16 | 충남대학교산학협력단 | 전기적으로 격리된 금속 포스트를 갖춘 금속판을 이용하는반도체 발광장치의 제조 방법 |
| JP2009135381A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-06-18 | Sharp Corp | チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5798536A (en) | Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US8097896B2 (en) | Light emitting device package and method for manufacturing the same | |
| US7956364B2 (en) | Thin film light emitting diode | |
| US6462358B1 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| US6784463B2 (en) | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices | |
| US8338848B2 (en) | LED structure | |
| US20060001035A1 (en) | Light emitting element and method of making same | |
| JP2002280608A (ja) | 半導体発光デバイスおよびその作製方法 | |
| US20100025702A1 (en) | Substrate-free flip chip light emitting diode | |
| KR20190021028A (ko) | 솔더 범프를 구비한 반도체 발광소자 패키지 | |
| JP3505353B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| GB2426123A (en) | Substrate-free flip chip light emitting diode | |
| JPS62174980A (ja) | 光フアイバ通信用発光装置 | |
| JPH11298035A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US20220158040A1 (en) | Light-emitting diode | |
| KR20200114133A (ko) | 발광 다이오드 칩 | |
| JP3211870B2 (ja) | 発光素子及びそれを用いた発光ダイオード | |
| KR100407773B1 (ko) | ＧａＮ 발광 소자 및 그 패키지 | |
| JPH11177146A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS61184889A (ja) | 半導体発光装置 | |
| WO2023019540A1 (zh) | 微发光二极管及制备方法和显示面板 | |
| KR20010027791A (ko) | Ⅲ-Ｖ족 ＧａＮ 반도체 광소자 |