JP2002314139A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

Info

Publication number
JP2002314139A
JP2002314139A JP2001110675A JP2001110675A JP2002314139A JP 2002314139 A JP2002314139 A JP 2002314139A JP 2001110675 A JP2001110675 A JP 2001110675A JP 2001110675 A JP2001110675 A JP 2001110675A JP 2002314139 A JP2002314139 A JP 2002314139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
resin
emitting element
silicone resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001110675A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002314139A5 (ja
Inventor
Kenji Shimomura
健二 下村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18962398&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2002314139(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001110675A priority Critical patent/JP2002314139A/ja
Priority to TW091106884A priority patent/TW552722B/zh
Priority to US10/119,413 priority patent/US6710377B2/en
Priority to CNB02106198XA priority patent/CN1262023C/zh
Priority to EP02007380.5A priority patent/EP1249875B2/en
Priority to DE60239173T priority patent/DE60239173D1/de
Publication of JP2002314139A publication Critical patent/JP2002314139A/ja
Publication of JP2002314139A5 publication Critical patent/JP2002314139A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体発光素子を樹脂で封止した発光装置に
おいて、封止樹脂のストレスを低減し信頼性や長期的安
定性を向上させた発光装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 半導体発光素子（１０６）と、前記発
光素子を覆うように設けられたシリコーン樹脂（１１
１）と、を備え、前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳ
Ａ値で５０以上とすることにより、エポキシ樹脂に生じ
ることがあった、クラックや剥離、あるいはワイアの断
線などの可能性を低減することができ、耐候性及び耐光
性を改善することもできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光装置に関し、特
に、半導体発光素子を樹脂に封止した構造を有する発光
装置に関する。
【従来の技術】ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダ
イオード）などの半導体発光素子を搭載した発光装置
は、各種のインジケータ、光源、平面型表示装置、ある
いは液晶ディスプレイのバックライトなどとして広く用
いられている。
【０００２】これらの発光装置においては、通常、半導
体発光素子を外気雰囲気や機械的な衝撃などから保護す
るために、樹脂に封止して用いている。
【０００３】図１０は、このような従来の発光装置の概
略構成を例示する断面図である。すなわち、同図に表し
た発光装置は、「表面実装型」などと称されるものであ
り、パッケージ（樹脂ステム）８００と、半導体発光素
子８０２と、封止体としてのエポキシ樹脂８０４とを有
する。
【０００４】樹脂ステム８００は、リードフレームから
成形した一対のリード８０５、８０６を熱可塑性樹脂か
らなる樹脂部８０３によりモールドした構造を有する。
そして、樹脂部８０３には開口部８０１が形成されてお
り、その中に半導体発光素子８０２が載置されている。
そして、半導体発光素子８０２を包含するようにエポキ
シ樹脂８０４により封止されている。
【０００５】半導体発光素子８０２は、リード８０６の
上にマウントされている。そして、半導体発光素子８０
２の電極（図示せず）とリード８０５とが、ワイア８０
９により接続されている。２本のリード８０５、８０６
を通して半導体発光素子８０２に電力を供給すると発光
が生じ、その発光がエポキシ樹脂８０４を通して光取り
出し面８１２から取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者の検
討の結果、図１０に例示したような発光装置は、信頼性
や長期的安定性の点で改善の余地があることが判明し
た。
【０００７】すなわち、このような発光装置に対して、
−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で７００サイクルの温
度サイクル試験を実施すると、図１１に例示した如くエ
ポキシ樹脂８０４にクラックＣが発生したり、また、樹
脂ステム８００との界面Ｉにおいて剥離が生じたりする
現象が見出された。また、半導体発光素子８０２に「割
れ」が生じたり、半導体発光素子８０２がマウント面か
ら剥離したり、あるいはワイア８０９に断線が生ずる場
合もあった。
【０００８】図１０に例示したような発光装置の場合、
通常の民生用として要求されている温度サイクル試験の
レベルは、１００サイクルであり、車載用としても３０
０サイクルであることから、現行の要求は満たしてるこ
ととなるが、今後、さらなる信頼性の向上を目指すため
には、根本的な対処が必要である。
【０００９】そして、同様の事情は図１０に例示した発
光装置に限らず、半導体素子をエポキシ樹脂で封止した
構造のものに共通して存在する。
【００１０】本発明者は、これらの原因を詳細に調べた
結果、エポキシ樹脂８０４が物性的に硬くて脆く、硬化
時のストレスが大きく、さらに外囲器である熱可塑性樹
脂の樹脂部８０３との密着性にも改善の余地があること
を知得した。
【００１１】本発明は、かかる課題の認識に基づいてな
されたものである。すなわち、その目的は、半導体発光
素子を樹脂で封止した発光装置において、封止樹脂のス
トレスを低減し信頼性や長期的安定性を向上させた発光
装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の発光装置は、半導体発光素子と、前記半導
体発光素子を覆うように設けられたシリコーン樹脂と、
を備え、前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値で５
０以上であることを特徴とする。
【００１３】このような独特のシリコーン樹脂を封止体
として用いることにより、信頼性を大幅に向上させた発
光装置を実現できる。
【００１４】また、前記シリコーン樹脂の硬度を、ＪＩ
ＳＡ値で９０以下とすると特に好適である。
【００１５】また、前記シリコーン樹脂は、硬化前の粘
度が１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲にあるも
のとすることができる。
【００１６】また、前記半導体発光素子に接続されたワ
イアをさらに備え、前記シリコーン樹脂は、前記ワイア
も覆うように設けられたものとすれば、ワイアの断線や
変形を抑制することができる。
【００１７】また、一対のリードと、前記一対のリード
の少なくとも一部を埋め込む樹脂部と、を有する樹脂ス
テムをさらに備え、前記半導体発光素子は、前記一対の
リードのうちの一方にマウントされてなるものとすれ
ば、汎用性のある発光装置に適用することができる。
【００１８】また、前記樹脂部は、開口部を有し、前記
半導体発光素子は、前記開口部の底において前記一対の
リードのうちの一方にマウントされてなり、前記シリコ
ーン樹脂は、前記開口部の中に設けられたものとすれ
ば、表面実装型などの各種の発光装置に適用することが
できる。
【００１９】ここで、前記樹脂部は、熱可塑性樹脂から
なるものとすれば、汎用性のあるパッケージを用いるこ
とができる。
【００２０】また、前記開口部の内部側壁は、開口端に
向けて傾斜し、前記樹脂部は、前記可視光を反射する材
料を含有してなるものとすれば、反射面を構成して光取
り出し効率を向上させることができる。
【００２１】なお、本願において「シリコーン樹脂」と
は、アルキル基やアリール基などの有機基をもつケイ素
原子が酸素原子と交互に結合した構造を骨格として有す
る樹脂をいう。もちろん、この骨格に他の添加元素が付
与されたものも「シリコーン樹脂」に含むものとする。
【発明の実施の形態】本発明は、半導体発光素子を封止
する樹脂として従来のエポキシ樹脂に代わって比較的高
い硬度を有するシリコーン樹脂を用いることにより、信
頼性や長期的安定性が飛躍的に向上した発光装置を提供
するものである。
【００２２】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形
態について説明する。図１は、本発明の実施の形態にか
かる発光装置の要部構成を模式的に例示する断面図であ
る。
【００２３】すなわち、同図に例示した本実施形態の発
光装置１Ａは、樹脂ステム１００と、その上にマウント
された半導体発光素子１０６と、素子１０６を覆うよう
に設けられた封止体１１１と、を有する。
【００２４】封止樹脂ステム１００は、リードフレーム
から形成したリード１０１、１０２と、これと一体的に
成形されてなる樹脂部１０３と、を有する。樹脂部１０
３は、典型的には、熱可塑性樹脂からなる。熱可塑性樹
脂としては、例えば、ナイロン系のもので、不活性な結
合基を有するものを用いることができる。
【００２５】熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリ
マ（ＬＣＰ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：
熱可塑性プラスチック）、シンジオタクチックポリスチ
レン（ＳＰＳ：結晶性ポリスチレン）などの高耐熱性樹
脂を用いることができる。また、樹脂部１０３の外形の
平面形状は、例えば、２．０ｍｍ×２．０ｍｍ〜６．０
ｍｍ×６．０ｍｍ程度の略正方形、または２．０ｍｍ×
３．０ｍｍ〜５．０ｍｍ×７．０ｍｍ程度の略長方形な
どとすることができる。
【００２６】リード１０１、１０２は、それぞれの一端
が近接対向するように配置されている。リード１０１、
１０２の他端は、互いに反対方向に延在し、樹脂部１０
３から外部に導出されている。
【００２７】樹脂部１０３には開口部１０５が設けら
れ、半導体発光素子１０６は、その底面にマウントされ
ている。開口部１０５の平面形状は、例えば略楕円形あ
るいは円形などとすることができる。開口部１０５は、
底面が狭く、上端における開口が広く、発光素子１０６
からの光を反射する傾斜した反射面１０４が底面から上
端開口にわたって形成されている。
【００２８】発光素子１０６は、凹部１０５の底面の中
心から外れるように配置されている。このように発光素
子を中心から外したのはボンディングワイヤの領域を確
保するため及び発光素子１０６の側面近くに反射面１０
４を形成し反射効率を高め高輝度を実現するためであ
る。発光素子１０６は、銀（Ａｇ）ペーストなどの接着
剤１０７によって、開口部１０５の底面のリード１０１
上にマウントされている。発光素子１０６は、表面に電
極（図示せず）を有し、金（Ａｕ）線などのボンディン
グワイヤ１０９によって、リード１０２と接続されてい
る。
【００２９】ここで、本発明においては、開口部１０５
内に充填された封止体１１１として、従来のエポキシ樹
脂の代わりに、シリコーン樹脂を用いている。
【００３０】すなわち、シリコーン樹脂は、エポキシ樹
脂と比較すると、脆性が低く、クラックが生じにくい。
また、本発明のシリコーン樹脂は、熱可塑性樹脂などか
らなる樹脂部１０３との付着強度も強く、耐湿性が高く
温度ストレスによるクラックや剥離も少ない。また、シ
リコーン樹脂を充填することにより周囲の温度変化によ
る発光素子１０６およびＡｕワイヤ１０９に対する樹脂
ストレスを著しく軽減させることができる。
【００３１】本発明者は、この観点からさらに検討を進
めた結果、シリコーン樹脂の中でも、硬度が高い「ゴム
状」のシリコーン樹脂を用いると優れた結果が得られる
ことを見出した。すなわち、シリコーン樹脂としては、
通常は、ＪＩＳ規格の硬度であるＪＩＳＡ硬度値がおよ
そ３０〜４０のものが広く知られている。これは、「ゲ
ル状」に近い物性を有し、物理的に柔らかいものであ
る。以下、このシリコーン樹脂を「ゲル状シリコーン樹
脂」と称する。
【００３２】これに対して、「ゴム状シリコーン樹脂」
は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある。ち
なみに、従来の発光装置の封止体材料として広く用いら
れているエポキシ樹脂は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ９５前
後である。
【００３３】本発明者は、「ゴム状シリコーン樹脂」と
「ゲル状シリコーン樹脂」とを独自に比較検討した結
果、以下の知見を得た。
【００３４】（１）図１に例示したような発光装置は、
所定領域に半田が被覆された実装基板に対して、リード
１０１、１０２の外部に突出した部分（「アウターリー
ド」などと称される）を固定する際に、「リフロー」と
称される半田溶融の工程を経ることが多い。しかし、ゲ
ル状シリコーン樹脂の場合、加熱すると軟化し、樹脂部
１０３との界面において剥離などが生ずる場合があっ
た。
【００３５】これに対して、ゴム状シリコーン樹脂の場
合は、このような現象は見られず、１１０℃を越える条
件においても、発光装置が安定した動作を示した。
【００３６】（２）ゲル状シリコーン樹脂は柔らかいた
め、発光素子１０６やワイア１０９に与えるストレスは
小さい反面、外力に対して弱いという欠点を有する。す
なわち、図１に例示したような発光装置は、例えば「表
面実装型」のランプとして用いられ、アセンブリ装置に
より実装基板などにマウントされることが多い。この際
に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表
面に圧接される場合が多い。ＪＩＳＡ硬度が３０〜４０
のゲル状シリコーン樹脂を用いた場合には、吸着コレッ
トを押し当てることにより、封止体１１１が変形し、こ
れに伴ってワイア１０９が変形、断線したり、発光素子
１０６にストレスが与えられる場合がある。
【００３７】これに対して、ＪＩＳＡ硬度が５０〜９０
のゴム状シリコーン樹脂を用いた場合には、発光装置の
選別やアセンブリ時における選別装置やアセンブリ装置
によるシリコーン樹脂の変形を防止できる。
【００３８】以上（１）及び（２）に説明したように、
シリコーン樹脂の中でも、ゴム状シリコーン樹脂を用い
ることにより、発光特性、信頼性、機械的強度などをさ
らに改善できる。
【００３９】シリコーン樹脂の硬度を上げる方法のひと
つとしては、チクソ性付与剤を添加する方法を挙げるこ
とができる。
【００４０】また、シリコーン樹脂を充填する際には、
開口の狭いノズルを通して、樹脂ステム１００の開口部
１０５にマウントされた発光素子１０６の上に滴下す
る。しかる後に、硬化させて形成する。この際に、特に
硬化前の粘度が１００ｃｐ〜１００００ｃｐのシリコー
ン樹脂を用いると、発光素子１０６やワイア１０９に過
度のストレスを与えることなく、狭い開口部にもくまな
く充填でき、また硬化の際の残留ストレスも十分に低い
範囲に抑制できることが分かった。
【００４１】以上説明した知見に基づいて本発明者が行
った一実施例によれば、硬化前の粘度が１０００ｃｐで
硬化後のＪＩＳＡ硬度値が７０のゴム状シリコーン樹脂
を用いて図１の発光装置を試作し、−４０℃〜＋１１０
℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１
５００サイクルでも、シリコーン樹脂１１１のクラック
や剥離、発光素子１０６の割れや剥離、ワイア１０９の
断線などの問題は全く生じなかった。
【００４２】すなわち、シリコーン樹脂、特にゴム状シ
リコーン樹脂を用いることにより、従来のエポキシ樹脂
に生じることがあった、クラックや剥離、あるいはワイ
アの断線などの可能性を低減することができることが確
認された。
【００４３】ところで、シリコーン樹脂を用いると、半
導体発光素子１０６から放出される光あるいは発光装置
の外部から侵入する光に対する耐久性も改善されるとい
う効果も得られる。すなわち、エポキシ樹脂の場合、光
の照射により変色が生じ、当初は透明であっても、長期
間の使用のより光透過率が低下するという問題があっ
た。
【００４４】この現象は、光の波長が短いほど顕著とな
り、例えば、紫外線が照射された場合には、当初は透明
なエポキシ樹脂が変色し、黄色から茶褐色さらには黒色
になる。その結果として、光の取り出し効率が大幅に低
下するという問題が生ずることがある。このような紫外
線は、発光装置の外部から侵入する場合もある。
【００４５】これに対して、本発明者は、独自の試作検
討の結果、シリコーン樹脂を用いると極めて良好な結果
が得られることを知得した。すなわち、シリコーン樹脂
を用いた場合、紫外線などの短波長光を長期間照射して
も、変色などの劣化は殆ど生じない。その結果として、
耐光性あるいは耐候性に優れた発光装置を実現できる。
【００４６】なお、図１に例示した発光装置において、
樹脂部１０３に、光反射性を付与することもできる。例
えば、樹脂部１０３を、６５重量％以上の熱可塑性樹脂
と充填量３５重量％以下の充填剤とにより形成する。そ
して、充填剤が、酸化チタニウム（ＴｉＯ２）、酸化シ
リコン、酸化アルミニウム、シリカ、アルミナ等の高反
射性の材料を含有し、例えば、酸化チタニウムの含有量
を１０〜１５重量％とする。このように光を反射させる
拡散材を添加した樹脂部により反射面１０４を構成する
ことにより、素子１０６からの光を上方に反射し、発光
装置の高輝度が実現できる。また、反射面１０４の形状
を回転放物線形状などとすると、さらに高出力、高品質
の発光装置を提供できる。
【００４７】以上、図１を参照しつつ本発明の実施の形
態について説明した。しかし、本発明は、この具体例に
限定されるものではなく、半導体発光素子を樹脂で封止
した構造を有する全ての発光装置に適用して同様の効果
を得ることができる。
【００４８】以下、本発明を適用した発光装置の他の具
体例のいくつかを図面を参照しつつ紹介する。
【００４９】（第２の具体例）図２は、本発明による発
光装置の第２の具体例を模式的に表す断面図である。同
図については、図１に関して前述したものと同様の要素
には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５０】本実施形態の発光装置１Ｂも、樹脂ステム
１００と、その上にマウントされた半導体発光素子１０
６と、素子１０６を覆うように設けられたシリコーン樹
脂からなる封止体１１１と、を有する。
【００５１】但し、本実施形態においては、封止体１１
１は、発光素子１０６の周囲のみを覆い、その外側に
は、光透過性樹脂からなる第２の封止体２１３が設けら
れている。
【００５２】第２の封止体２１３の材料としては、エポ
キシ系樹脂やシリコーン系樹脂などの各種の材料を用い
ることが可能である。また、第２の封止体２１３に着色
しても良い。この場合にも、色素や着色剤に対する適応
性の良い材料を自由に選択することが可能である。
【００５３】さらに、第２の封止体２１３に光を散乱す
る拡散材を分散させても良い。このようにすれば、光を
拡散させ、ブロードな配光特性を得ることができる。
【００５４】また、第２の封止体２１３としてシリコー
ン樹脂を用いれば、封止体１１１との密着性が増し耐湿
性が向上する。
【００５５】なお、本具体例においては、シリコーン樹
脂からなる封止体１１１がＡｕワイヤ１０９の全体を包
囲しているので、樹脂ストレスによる断線がなく信頼性
の高い発光装置が実現できる。すなわち、ワイアの一部
が第２の封止体２１３まで突出していると、封止体１１
１と２１３との界面で生ずるストレスにより断線などが
生じやすくなる。これに対して、本具体例においては、
ワイア１０９の全体が封止体１１１に包含されているの
で、断線の心配がない。
【００５６】（第３の具体例）次に、本発明の第３の具
体例について説明する。
【００５７】図３は、本発明による発光装置の第３の具
体例を模式的に表す断面図である。同図についても、図
１乃至図２に関して前述したものと同様の要素には同一
の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５８】本具体例の発光装置１Ｃも、樹脂ステム１
００と、その上にマウントされた半導体発光素子１０６
と、素子１０６を覆うように設けられた封止体１１１
と、を有する。
【００５９】そして、第２具体例と同様に、封止体１１
１は、発光素子１０６の周囲のみを覆っている。但し、
本具体例においては、封止体１１１の外側は、開放空間
とされ、さらなる封止体は設けられていない。
【００６０】本具体例においても、開口部１０５の底面
にマウントされた発光素子１０６の近傍のみを、封止体
１１１で包囲することにより、発光部分のサイズを小さ
くすることにより、輝度が上昇し、さらに、反射面１０
４による集光作用もさらに高くなる。
【００６１】特に、本具体例においては、略半球状の封
止体１１１が発光点となり、その周囲を反射面１０４が
取り囲む構成とされているので、従来のランプと同様の
光学的な集光効果が得られる。
【００６２】さらに、第２具体例と同様に、封止体１１
１がＡｕワイヤ１０９の全体を包囲しているので、樹脂
ストレスによる断線がなく高い信頼性も確保することが
できる。
【００６３】（第４の具体例）次に、本発明の第４の具
体例について説明する。
【００６４】図４は、本発明の発光装置の第４の具体例
を模式的に表す断面図である。同図についても、図１乃
至図３に関して前述したものと同様の要素には同一の符
号を付して詳細な説明は省略する。
【００６５】本具体例の発光装置１Ｄは、第１具体例の
ものと同様に、樹脂ステム１００と、その上にマウント
された半導体発光素子１０６と、素子１０６を覆うよう
に設けられた封止体１１１と、を有する。
【００６６】そして、本具体例においては、封止体１１
１の上に、凸状の透光体４１３が設けられている。この
ような凸状透光体４１３によって集光作用が得られる。
透光体４１３の材料としては、例えば、樹脂を用いるこ
とができる。特に、シリコーン樹脂を用いると、封止体
１１１との屈折率の差を小さくすることができ、封止体
１１１との界面での反射による損失を低減できる。
【００６７】また、透光体４１３の凸状形状は球面状に
は限定されず、必要とされる集光率あるいは光度分布に
応じて適宜決定することができる。
【００６８】（第５の具体例）次に、本発明の第５の具
体例について説明する。
【００６９】図５は、本発明の発光装置の第５の具体例
を模式的に表す断面図である。同図についても、図１乃
至図４に関して前述したものと同様の要素には同一の符
号を付して詳細な説明は省略する。
【００７０】本具体例の発光装置１Ｅも、第１具体例の
ものと同様に、樹脂ステム１００と、その上にマウント
された半導体発光素子１０６と、素子１０６を覆うよう
に設けられた封止体１１１と、を有する。
【００７１】但し、本具体例においては、封止体１１１
の周囲には樹脂部１０３の側壁が設けられていない。こ
のようにすると、発光素子１０６からの発光は、上方の
みでなく横方向にも放出され、広い光度分布を実現でき
る。従って、幅広い視野角度や幅広い放射角度が要求さ
れるような用途に応用して好適である。
【００７２】なお、本具体例における封止体１１１や樹
脂ステム１００の形状は図示した具体例には限定されな
い。例えば、図６に例示したように、封止体１１１を略
半球状とし、また、樹脂ステム１００において、樹脂部
１０３がリード１０１、１０２を埋め込んで素子周囲に
低い側壁を有するものでも良い。
【００７３】（第６の具体例）次に、本発明の第６の具
体例について説明する。
【００７４】図７は、本発明の発光装置の第６の具体例
を模式的に表す断面図である。同図についても、図１乃
至図６に関して前述したものと同様の要素には同一の符
号を付して詳細な説明は省略する。
【００７５】本具体例の発光装置１Ｆも、リードフレー
ムから形成した一対のリード１０１、１０２を有する。
但し、第１のリード１０１の先端にはカップ部６０１が
設けられ、発光素子１０６はカップ部６０１の底にマウ
ントされている。そして、発光素子１０６からリード１
０２にワイア１０９が接続されている。さらに、これら
を包囲するように封止体１１１が設けられている。
【００７６】カップ部６０１の内壁側面は、反射面とし
て作用し、発光素子１０６から放出される発光を上方に
反射する。また、透光体７１３の上面がレンズ状の集光
作用を有し、収束光を取り出すことも可能となる。
【００７７】本具体例の発光装置は、従来のランプ型半
導体発光装置に代わるものであり、比較的広い放射角度
を有し、汎用性の高い発光装置となる。
【００７８】（第７の具体例）次に、本発明の第７の具
体例について説明する。
【００７９】図８は、本発明の発光装置の第７の具体例
を模式的に表す断面図である。同図についても、図１乃
至図７に関して前述したものと同様の要素には同一の符
号を付して詳細な説明は省略する。
【００８０】本具体例の発光装置１Ｇは、第６具体例の
発光装置１Ｆと類似した構成を有する。すなわち、発光
装置１Ｇも、第１のリード１０１の先端にカップ部６０
１を有し、この底に発光素子１０６がマウントされてい
る。そして、発光素子１０６からリード１０２にワイア
１０９が接続されている。さらに、これらを包囲するよ
うに封止体１１１が設けられている。
【００８１】但し、本具体例においては、封止体１１１
は小さく形成され、それを包囲するように透光体７１３
が設けられている。
【００８２】封止体１１１を小さく形成することによ
り、発光部分を小さくして輝度を高くすることができ
る。そして、透光体７１３の上面がレンズ状の集光作用
を有し、収束光を取り出すことも可能となる。
【００８３】また、透光体７１３によって封止体１１１
を取り囲むことにより、湿気や腐食性雰囲気に対する耐
久性をさらに向上させることが可能である。透光体７１
３の材料としては樹脂を用いることができる。シリコー
ン樹脂を用いると、封止体１１１との密着性も良好とな
り、優れた耐候性、機械的強度が得られる。
【００８４】なお、本具体例も図示した具体例には限定
されない。例えば、図９に例示したように、封止体１１
１をカップ部６０１の上に限定しても良い。このように
すると、さらに発光部分が小さくなり、輝度が上昇する
場合がある。この場合に、ワイア１０９が封止体１１１
と透光体７１３との界面を貫通することとなるが、封止
体１１１と透光体７１３の材料を類似したものとすれ
ば、界面でのストレスを抑制して断線を防止することも
可能である。
【００８５】以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の
形態について説明した。しかし、本発明のこれらの具体
例に限定されるものではない。すなわち、本発明は、半
導体発光素子を樹脂で封止した構造を有する全ての発光
装置に適用して同様の効果が得られる。
【００８６】例えば、シリコーン樹脂からなる封止体１
１１に光を散乱させる拡散在分散させれば、光の拡散効
果が得られる。
【００８７】また、発光素子の具体的な構造や材質、リ
ードや封止体１１１の形状、各要素の寸法関係などに関
しては、当業者が適宜設計変更したものも本発明の範囲
に含まれる。
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体発光素子を封止する樹脂として、従来のエポキシ
樹脂に代わってシリコーン樹脂を用いることにより、従
来のエポキシ樹脂に生じることがあった、クラックや剥
離、あるいはワイアの断線などの可能性を低減すること
ができ、耐候性及び耐光性を改善することもできる。
【００８８】さらに、本発明によれば、シリコーン樹脂
の中でも、ゴム状シリコーン樹脂を用いることにより、
発光特性、信頼性、機械的強度などをさらに改善できる
すなわち、本発明によれば、各種の発光色の安定した発
光が得られる発光装置を提供することが可能となり、産
業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる発光装置の要部構
成を模式的に表す断面図である。
【図２】本発明の発光装置の第２の具体例の要部構成を
模式的に表す断面図である。
【図３】本発明の発光装置の第３の具体例の要部構成を
模式的に表す断面図である。
【図４】本発明の発光装置の第４の具体例の要部構成を
模式的に表す断面図である。
【図５】本発明の発光装置の第５の具体例の要部構成を
模式的に表す断面図である。
【図６】本発明の第５の具体例の変型例を表す断面図で
ある。
【図７】本発明の発光装置の第６の具体例の要部構成を
模式的に表す断面図である。
【図８】本発明の発光装置の第７の具体例の要部構成を
模式的に表す断面図である。
【図９】本発明の発光装置の第７の具体例の変型例を表
す断面図である。
【図１０】従来の発光装置の概略構成を表す断面図であ
る。
【図１１】従来の発光装置の概略構成を表す断面図であ
る。
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｇ 発光装置 １００ 樹脂ステム １０１、１０２ リード １０３ 樹脂部 １０４ 反射面 １０５ 開口部 １０６、１０６Ａ〜１０６Ｃ 半導体発光素子 １０７ 接着剤 １０８、１０９ ボンディングワイヤ １１１ 封止体（シリコーン樹脂） １２１ 光取り出し面 ２１３ 第２の封止体

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体発光素子と、 前記半導体発光素子を覆うように設けられたシリコーン
    樹脂と、 を備え、 前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値で５０以上で
    あることを特徴とする発光装置。
  2. 【請求項２】前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値
    で９０以下であることを特徴とする請求項１記載の発光
    装置。
  3. 【請求項３】前記シリコーン樹脂は、硬化前の粘度が１
    ００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲にあることを特
    徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 【請求項４】前記半導体発光素子に接続されたワイアを
    さらに備え、 前記シリコーン樹脂は、前記ワイアも覆うように設けら
    れたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記
    載の発光装置。
  5. 【請求項５】一対のリードと、前記一対のリードの少な
    くとも一部を埋め込む樹脂部と、を有する樹脂ステムを
    さらに備え、 前記半導体発光素子は、前記一対のリードのうちの一方
    にマウントされてなることを特徴とする請求項１〜４の
    いずれか１つに記載の発光装置。
  6. 【請求項６】前記樹脂部は、開口部を有し、 前記半導体発光素子は、前記開口部の底において前記一
    対のリードのうちの一方にマウントされてなり、 前記シリコーン樹脂は、前記開口部の中に設けられたこ
    とを特徴とする請求項５記載の発光装置。
  7. 【請求項７】前記樹脂部は、熱可塑性樹脂からなること
    を特徴とする請求項５または６に記載の発光装置。
  8. 【請求項８】前記開口部の内部側壁は、開口端に向けて
    傾斜し、 前記樹脂部は、前記可視光を反射する材料を含有してな
    ることを特徴とする請求項６または７に記載の発光装
    置。
JP2001110675A 2001-04-09 2001-04-09 発光装置 Pending JP2002314139A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001110675A JP2002314139A (ja) 2001-04-09 2001-04-09 発光装置
TW091106884A TW552722B (en) 2001-04-09 2002-04-04 Light emitting device
US10/119,413 US6710377B2 (en) 2001-04-09 2002-04-09 Light emitting device having a silicone resin
CNB02106198XA CN1262023C (zh) 2001-04-09 2002-04-09 发光器件
EP02007380.5A EP1249875B2 (en) 2001-04-09 2002-04-09 Light emitting device
DE60239173T DE60239173D1 (de) 2001-04-09 2002-04-09 Lichtemittierende Vorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001110675A JP2002314139A (ja) 2001-04-09 2001-04-09 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002314139A true JP2002314139A (ja) 2002-10-25
JP2002314139A5 JP2002314139A5 (ja) 2005-07-07

Family

ID=18962398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001110675A Pending JP2002314139A (ja) 2001-04-09 2001-04-09 発光装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6710377B2 (ja)
EP (1) EP1249875B2 (ja)
JP (1) JP2002314139A (ja)
CN (1) CN1262023C (ja)
DE (1) DE60239173D1 (ja)
TW (1) TW552722B (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314138A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314142A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6806509B2 (en) 2003-03-12 2004-10-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light-emitting semiconductor potting composition and light-emitting semiconductor device
JP2004343059A (ja) * 2003-04-24 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005042099A (ja) * 2003-07-09 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム組成物並びに発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
WO2006059828A1 (en) * 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
JP2006269531A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
JP2006294804A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Sharp Corp 発光ダイオード
JP2007194401A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Showa Denko Kk 化合物半導体発光素子を用いたｌｅｄパッケージ
US7276562B2 (en) 2004-04-30 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device
JP2008034833A (ja) * 2006-06-27 2008-02-14 Mitsubishi Chemicals Corp 照明装置
JP2008041917A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008513983A (ja) * 2004-09-22 2008-05-01 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス用ケーシング、オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法
US7498085B2 (en) 2003-11-20 2009-03-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy/silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device
US7521813B2 (en) 2003-07-09 2009-04-21 Shin-Estu Chemical Co., Ltd. Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device
JP2010529645A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト 発光体を有するシリコン成形部材
KR20100133898A (ko) 2009-06-12 2010-12-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 광반도체 소자 밀봉용 수지 조성물
CN101521256B (zh) * 2004-09-10 2011-04-13 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装
JP2011233923A (ja) * 2005-02-23 2011-11-17 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
US8188492B2 (en) 2006-08-29 2012-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light
US8319242B2 (en) 2010-07-08 2012-11-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, mounted substrate, and fabrication method thereof
US8710158B2 (en) 2010-04-07 2014-04-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy composition for encapsulating an optical semiconductor element
US8710741B2 (en) 2006-06-27 2014-04-29 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating device
US8759840B2 (en) 2005-02-23 2014-06-24 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device member, method for manufacturing such semiconductor light emitting device member and semiconductor light emitting device using such semiconductor light emitting device member
JP2014120515A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 光学半導体装置用基板とその製造方法、集合基板、及び光学半導体装置とその製造方法
EP3076443A1 (en) 2015-03-30 2016-10-05 Dow Corning Toray Co., Ltd. Silicone material, curable silicone composition, and optical device

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
DE10307800A1 (de) * 2003-02-24 2004-09-02 Vishay Semiconductor Gmbh Halbleiterbauteil
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US7276782B2 (en) * 2003-10-31 2007-10-02 Harvatek Corporation Package structure for semiconductor
JP4150980B2 (ja) * 2003-11-04 2008-09-17 信越半導体株式会社 発光素子
US7329904B2 (en) * 2004-01-30 2008-02-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED lamp device
US20050280016A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Mok Thye L PCB-based surface mount LED device with silicone-based encapsulation structure
US20060006791A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Chia Chee W Light emitting diode display that does not require epoxy encapsulation of the light emitting diode
US20060046327A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Nan Ya Plastics Corporation High heat dissipation LED device and its manufacturing method
DE102005043928B4 (de) * 2004-09-16 2011-08-18 Sharp Kk Optisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI405349B (zh) 2004-10-07 2013-08-11 Seoul Semiconductor Co Ltd 側照明透鏡以及使用此透鏡的發光元件
CN100382287C (zh) * 2004-10-12 2008-04-16 宏齐科技股份有限公司 一种半导体的封装结构
US20060092644A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Mok Thye L Small package high efficiency illuminator design
JP4634810B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型ｌｅｄ
CN100377376C (zh) * 2005-03-21 2008-03-26 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管反射盖制造方法
US20060270808A1 (en) * 2005-05-24 2006-11-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy-silicone mixed resin composition, cured article thereof, and light-emitting semiconductor device
DE102005034122A1 (de) * 2005-07-21 2007-02-08 Wacker Chemie Ag Siliconharzverguss von Leuchtdioden
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
KR100691440B1 (ko) * 2005-11-15 2007-03-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
DE102006030003A1 (de) 2006-05-11 2007-11-15 Wacker Chemie Ag Siliconharzbeschichtung für elektronische Bauteile
US20080049445A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Backlight Using High-Powered Corner LED
KR100828900B1 (ko) * 2006-09-04 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5380774B2 (ja) 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
KR101119172B1 (ko) * 2007-02-05 2012-03-21 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 표시 장치
JP5052326B2 (ja) * 2007-10-31 2012-10-17 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
DE102008014122A1 (de) 2007-11-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
JP5136963B2 (ja) * 2008-03-24 2013-02-06 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP2010031149A (ja) 2008-07-29 2010-02-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物
EP2340569B1 (en) * 2008-10-17 2018-03-14 Lumileds Holding B.V. Light emitting device
TWI384591B (zh) * 2008-11-17 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體電路板
JP5333758B2 (ja) * 2009-02-27 2013-11-06 東芝ライテック株式会社 照明装置および照明器具
US20100289055A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Silicone leaded chip carrier
JP5354191B2 (ja) * 2009-06-30 2013-11-27 東芝ライテック株式会社 電球形ランプおよび照明器具
JP2011049527A (ja) 2009-07-29 2011-03-10 Toshiba Lighting & Technology Corp Ｌｅｄ照明装置
US8678618B2 (en) 2009-09-25 2014-03-25 Toshiba Lighting & Technology Corporation Self-ballasted lamp having a light-transmissive member in contact with light emitting elements and lighting equipment incorporating the same
JP5257622B2 (ja) 2010-02-26 2013-08-07 東芝ライテック株式会社 電球形ランプおよび照明器具
KR101626412B1 (ko) 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102011100028A1 (de) 2011-04-29 2012-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
KR101830717B1 (ko) * 2011-06-30 2018-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP5682497B2 (ja) * 2011-07-29 2015-03-11 信越化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
CN102623623A (zh) * 2012-03-26 2012-08-01 李海涛 一种软胶保护内芯的表面贴装式led装置
JP5721668B2 (ja) * 2012-06-29 2015-05-20 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および表示装置用バックライト
CN105316564B (zh) * 2015-06-08 2017-05-17 天津达祥精密工业有限公司 采用喂丝球化处理的高镍奥氏体球墨铸铁生产工艺
JP6679306B2 (ja) * 2015-12-28 2020-04-15 シャープ株式会社 発光素子の製造方法
EP3888140B1 (en) * 2018-11-29 2022-08-24 Lumileds LLC Light-emitting device and method of packaging the same
US11600754B2 (en) 2018-11-29 2023-03-07 Lumileds Llc Light-emitting device and method of packaging the same

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05222165A (ja) * 1992-02-13 1993-08-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 光透過性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JPH07111343A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Matsushita Electron Corp 光電装置
JPH07263722A (ja) * 1994-03-22 1995-10-13 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体素子用コーテイング材
JPH07278438A (ja) * 1994-04-14 1995-10-24 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物および電子部品
JP3034363U (ja) * 1996-05-01 1997-02-18 武雄 稲垣 発光素子を内蔵した表示灯
JPH09246423A (ja) * 1996-03-13 1997-09-19 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH10261821A (ja) * 1997-01-15 1998-09-29 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2000022217A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2000183405A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6254974A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Mitsubishi Electric Corp 光結合半導体装置
JPH065742A (ja) * 1992-06-22 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、その封止に用いられる樹脂および半導体装置の製造方法
EP0658933B1 (en) * 1993-12-16 2001-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing light-emitting semiconductor devices
US5832600A (en) * 1995-06-06 1998-11-10 Seiko Epson Corporation Method of mounting electronic parts
JP3393247B2 (ja) * 1995-09-29 2003-04-07 ソニー株式会社 光学装置およびその製造方法
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
TW414924B (en) * 1998-05-29 2000-12-11 Rohm Co Ltd Semiconductor device of resin package

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05222165A (ja) * 1992-02-13 1993-08-31 Shin Etsu Chem Co Ltd 光透過性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JPH07111343A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Matsushita Electron Corp 光電装置
JPH07263722A (ja) * 1994-03-22 1995-10-13 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体素子用コーテイング材
JPH07278438A (ja) * 1994-04-14 1995-10-24 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物および電子部品
JPH09246423A (ja) * 1996-03-13 1997-09-19 Hitachi Ltd 半導体装置
JP3034363U (ja) * 1996-05-01 1997-02-18 武雄 稲垣 発光素子を内蔵した表示灯
JPH10261821A (ja) * 1997-01-15 1998-09-29 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2000022217A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2000183405A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314138A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314142A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6806509B2 (en) 2003-03-12 2004-10-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light-emitting semiconductor potting composition and light-emitting semiconductor device
JP2010174250A (ja) * 2003-03-12 2010-08-12 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
JP2004343059A (ja) * 2003-04-24 2004-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4599857B2 (ja) * 2003-04-24 2010-12-15 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2005033194A (ja) * 2003-06-20 2005-02-03 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
JP2005042099A (ja) * 2003-07-09 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーンゴム組成物並びに発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
JP4586967B2 (ja) * 2003-07-09 2010-11-24 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
US7521813B2 (en) 2003-07-09 2009-04-21 Shin-Estu Chemical Co., Ltd. Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device
US7498085B2 (en) 2003-11-20 2009-03-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy/silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device
US7276562B2 (en) 2004-04-30 2007-10-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy-silicone mixed resin composition and light-emitting semiconductor device
WO2006059828A1 (en) * 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
CN101521256B (zh) * 2004-09-10 2011-04-13 首尔半导体株式会社 具多模造树脂的发光二极管封装
US7855395B2 (en) 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
JP2008512867A (ja) * 2004-09-10 2008-04-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
US7737463B2 (en) 2004-09-10 2010-06-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package with a heat sink support ring and having multiple molding resins, wherein secondary molding resin with higher hardness than primary molding resin and which covers primary molding resin that covers LED die
JP2008513983A (ja) * 2004-09-22 2008-05-01 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス用ケーシング、オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法
US8227821B2 (en) 2004-09-22 2012-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Housing for an optoelectronic component, optoelectronic component and method for the production of an optoelectronic component
US8759840B2 (en) 2005-02-23 2014-06-24 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device member, method for manufacturing such semiconductor light emitting device member and semiconductor light emitting device using such semiconductor light emitting device member
JP2011233923A (ja) * 2005-02-23 2011-11-17 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2006269531A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
US7598532B2 (en) 2005-04-08 2009-10-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting diode
JP2006294804A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Sharp Corp 発光ダイオード
US7964886B2 (en) 2005-04-08 2011-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting diode
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
JP2007194401A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Showa Denko Kk 化合物半導体発光素子を用いたｌｅｄパッケージ
JP2008034833A (ja) * 2006-06-27 2008-02-14 Mitsubishi Chemicals Corp 照明装置
US8710741B2 (en) 2006-06-27 2014-04-29 Mitsubishi Chemical Corporation Illuminating device
JP2008041917A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US8188492B2 (en) 2006-08-29 2012-05-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light
US8674380B2 (en) 2006-08-29 2014-03-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plural light emitting diodes and plural phosphors for emitting different wavelengths of light
JP2010529645A (ja) * 2007-06-01 2010-08-26 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト 発光体を有するシリコン成形部材
KR20100133898A (ko) 2009-06-12 2010-12-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 광반도체 소자 밀봉용 수지 조성물
US8710158B2 (en) 2010-04-07 2014-04-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy composition for encapsulating an optical semiconductor element
US8319242B2 (en) 2010-07-08 2012-11-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, mounted substrate, and fabrication method thereof
JP2014120515A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 光学半導体装置用基板とその製造方法、集合基板、及び光学半導体装置とその製造方法
EP3076443A1 (en) 2015-03-30 2016-10-05 Dow Corning Toray Co., Ltd. Silicone material, curable silicone composition, and optical device
KR20160117318A (ko) 2015-03-30 2016-10-10 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 실리콘 재료, 경화성 실리콘 조성물, 및 광학 장치
US9550916B2 (en) 2015-03-30 2017-01-24 Dow Corning Toray Co., Ltd. Silicone material, curable silicone composition, and optical device

Also Published As

Publication number Publication date
US6710377B2 (en) 2004-03-23
CN1380704A (zh) 2002-11-20
EP1249875B1 (en) 2011-02-16
DE60239173D1 (de) 2011-03-31
CN1262023C (zh) 2006-06-28
EP1249875A2 (en) 2002-10-16
EP1249875B2 (en) 2019-02-20
EP1249875A3 (en) 2007-12-19
TW552722B (en) 2003-09-11
US20020145152A1 (en) 2002-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002314139A (ja) 発光装置
TWI323519B (en) Light emitting device with a lens of silicone
US6881980B1 (en) Package structure of light emitting diode
JP5119917B2 (ja) 発光装置
KR100514609B1 (ko) 발광장치
JP3492178B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
US8304799B2 (en) Optoelectronic component and package for an optoelectronic component
TWI606616B (zh) 發光裝置封裝件
JP5391468B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2004343059A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2007250817A (ja) Ｌｅｄ
JP2004235337A (ja) 発光ダイオード
JP2007329502A (ja) 発光装置
JP5455720B2 (ja) 光半導体パッケージおよび光半導体装置
TWI597865B (zh) Optical semiconductor device
JP2004088004A (ja) 発光ダイオード
JP6048471B2 (ja) 発光装置
KR101334314B1 (ko) 발광 다이오드 램프 및 그것을 제조하는 방법
CN215988814U (zh) Led支架及led灯珠
CN210576011U (zh) 一种抗折断的宽角度led灯珠和led灯具
KR101309758B1 (ko) 발광 다이오드 램프 및 그것을 제조하는 방법
KR200370479Y1 (ko) 발광다이오드의 구조
JP5855554B2 (ja) 発光装置
KR101096786B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR200456087Y1 (ko) 발광 다이오드의 개량된 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041108

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071203

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071226