TW552722B - Light emitting device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 109
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 109
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 50
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 9
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 17
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 17
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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552722 A7 B7 i、發明説明(1 【發明所屬技術領域】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於發光裝置,尤其,關於具有將半導體發 光元件封閉於樹脂構造之發光裝置。 【·以往技術】 搭載 L E D (Light Emitting Diode:發光二極體)等 的半導體發光元件之發光裝置,係廣泛使用做爲各種的指 示器,光源,平面型顯示裝置,或液晶顯示器之背光等。 於此等的發光裝置,通常,爲將半導體發光元件,自 外部氣體環境或機械性衝擊加以保護,封閉於樹脂中加以 使用。 第1 0圖係例示如此以往的發光裝置的槪略構成截面 圖。即,於同一圖所顯示之發光裝置\係所謂的「表面安 裝型」,具有封裝(樹脂管座)和半導體發光元 件8 0 2,和作爲封閉體的環氧樹脂8 0 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 樹脂管座8 0 I;/,係具有將自引線框所成形之一對的 引線8 0 5,8 0 6,經由熱塑性樹脂所成之樹脂部 8 0 3,加以模製之構造。然後,樹脂部8 0 3中,形成 開口部801 ,於此之中,載置半導體發光元件802。 然後,包含半導體發光元件8 0 2地,經由環氧樹脂 8 0 4加以封閉。 半導體發光元件8 0 2,係於引線8 0 6上,加以覆 蓋。然後,半導體發光元件8 0 2的電極(未圖示)與引 線8 0 5,則經由導線8 0 9加以連接。透過2條引線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 552722 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(^ 805,806,於半導體發光元件802供給電力時, 產生發光,該發光透過環氧樹脂8 0 4,自光取出面 8 1 2取出。 【發明所欲解決課題】 但,本發明者的檢討結果,如第1 0圖所示的發光裝 置,在於可靠性或長期的安定性上,有可改善的餘地。 即,對於如此發光裝置,於一4 0 °C〜+ 1 1 〇艺的 温度範圍,實施7 0 0周期的温度周期試驗時,如第1 1 圖所示,於環氧樹脂804,會有產生龜裂C,又,於與 樹脂管座8 0 0的界面I ,會有產生剝離現象。或,於半 導體發光元件8 0 2,產生「龜裂」半導體發光元件 802,自覆蓋面分離,或,於導線809,會有產生斷 線的情形。 如第1 0圖所示之發光裝置情形,作爲通常的民生用 所要求的温度周期試驗水平,爲1 〇 〇周期,即使作爲車 載用,亦爲3 0 0周期之故,可滿足現行的要求,但以後 ’爲了朝更高的可靠性之提升,必需有根本性的處理。 然後,相同的事情,不限定於如第1 0圖所示之發光 裝置,將半導體元件,封閉於環氧樹脂之構造,亦有相同 的狀況。 本發明人,詳細調查此等原因結果,環氧樹脂8 0 4 ’在物性上且硬且脆,在硬化時的疲勞亦大,更於與外圍 器之熱塑性樹脂之樹脂部8 0 3之緊密性上,亦有可改善 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 衣 訂 ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 552722 A7 _____ B7 五、發明説明(g 之餘地。 發明摘要 本發明’係根據相關課題之認識而成者。即,該目的 ,係將半導體發光元件,以樹脂封閉之發光裝置中,提供 減低封閉樹脂的疲勞,提升可靠性或長期的安定性之發光 裝置。 【爲解決課題之手段】 爲達成上述目的,本發明的發光裝置,係具備半導體 發光元件’和覆蓋前述半導體發光元件地加以設置之聚矽 氧烷樹脂,前述聚矽氧烷樹脂的硬度,係j I S A値爲 5 0以上爲特徵。 經由將如此獨特的聚矽氧烷樹脂,作爲封閉體加以使 用,可實現大幅提升可靠性之發光裝置。 又,前述聚氧烷樹脂的硬度,j I s A値爲9 0以下 時,尤其爲佳。 又,前述聚矽氧烷樹脂,硬化前的粘度,可爲1 〇 〇 cps以上,lOOOOcps以下的範圍。 又’更具備連接於前述半導體發光元件之導線,前述 聚砂氧院樹脂,係成爲覆蓋前述導線地加以設置時,可抑 制導線的斷線或變形。 又,更具備具有一對的引線,和埋入前述一對的引線 的至少一部份之樹脂部之樹脂管座,前述半導體發光元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公菱) 一 " "~ -6- ---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552722 A7 B7 五、發明説明(j ’係覆蓋於前述一對的引線中的一方的話,可適用於具通 用性之發光裝置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又’ 述樹脂部’係具有開口部,前述半導體發光元 件,係於前述開口部的底部,覆蓋於前述一對的引線中的 —方,前述聚砂氧院樹脂,係設置於前述開口部中的話, 可適用於表面安裝型等各種發光裝置。 於此’前述樹脂部,係自熱塑性樹脂所成者的話,可 使用具通用性之封裝。 又’前述開口部的內部側壁,係向開口端傾斜,前述 樹脂部,係包含有反射前述可視光材料的話,可構成反射 面,提升光線取出效率。 然而’於本案中’所謂「聚矽氧烷樹脂」,係所謂將 具院基或芳基等的有機基,砍原子與氧原子交互結合之構 造,作爲骨架之樹脂。當然,於此骨架,附予其他的添加 素者亦包含於「聚矽氧烷樹脂」者。 【發明效果】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如以上詳細所述,根據本發明,作爲封閉半導體發光 元件之樹脂,代替以往的環氧樹脂,經由使用聚矽氧烷樹 月旨,可減低在於以往的環氧樹脂曾產生之龜裂或剝離,或 導線的斷線等的可能性,亦可改善天耐候性及耐光性。 更且,根據本發明,即使於聚矽氧烷樹脂中,經由使 用橡膠狀聚砂氧院樹脂,更可改善發光特性,可靠性,機 械強度等。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " 552722 A7 B7 五、發明説明(g 即,根據本發明,可提供可得各種發光色安定發光之 發光裝置,在於產業上有很大的利益。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 【圖面的簡單說明】 第1圖係將關於本發明的實施形態之發光裝置的主要 部構成模式性顯示之截面圖。 第2 A圖係表示對於通電時間測定放出光的配光角度 變化之結果之圖表。 第2 B圖係將本發明發光裝置的第2具體例的主要部 構成模式性顯示之截面圖。 第3圖係將本發明的發光裝置的第3具體例主要部構 成模式性顯示之截面圖。 第4圖係將本發明的發光裝置的第4具體例的主要部 構成模式性顯示之截面圖。 第5圖係將本發明的發光裝置的第5具體例的主要部 構成模式性顯示之截面圖。 第6圖係顯示本發明的第5具體例變型例之截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第7圖係將本發明發光裝置的第6具體例的主要部構 成模式性顯示之截面圖。 第8圖係將本發明的發光裝置的第7具體例的主要部 構成模式性顯示之截面圖。 第9圖係顯示本發明的發光裝置的第7具體例的變型 例之截面圖。 第1 0圖係顯示以往發光裝置的槪略構成之截面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8- 552722 A7 B7 五、發明説明(g 第1 1圖係顯示以往的發光裝置的槪略構成之截面圖 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件符號 1 0 0 :樹脂管座 1 0 1,1 0 2 :引線 1 0 3 :樹脂部 1 0 4 :反射面 1 0 5 :開口部 1 0 6 :發光元件 1 0 7 :黏著劑 1 0 9 : A U 導線 1 〇 9 1 1 1 :封閉體 2 1 3 :第2封閉體 6 0 1 :杯體部 4 1 3,7 1 3 :透光體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 詳細說明 本發明係提供將作爲封閉半導體發光元件之樹脂,代 替以往的環氧樹脂,經由使用具有硬度比較高的聚矽氧烷 樹脂,突破性提升可靠性或長期安定性之發光裝置。 以下,對於參照圖面之本發明的實施形態,進行說明 〇 第1圖係將關於本發明的實施形態之發光裝置的主要 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇x297公釐) ~ -9 - 552722 A7 B7 五、發明説明() 部構成模式性加以例示之截面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 即,例示於同一圖之本實施形態的發光裝置1 A,係 具有樹脂管座1 〇 〇,和覆蓋於該上之半導體發光元件 1 〇 6,和覆蓋元件1 〇 6地加以設置之封閉體1 1 1。 封閉樹脂管座1 0 0,係具有自引線框形成之引線 1 〇 1,1 0 2,和與此一體成形之樹脂部1 0 3。樹脂 部1 〇 3,係典型而言,爲熱塑性樹脂所成。作爲熱塑性 樹脂中,例如,可使耐綸系者,可使用具有不活性之結合 基者。 作爲熱塑性樹脂,可使用例如液晶聚合物(L C P ) ’聚苯硫醚(P P S :熱塑性塑膠),間規聚苯乙烯(
S P S :結晶性聚苯乙烯)等的高耐熱性樹脂。又,樹脂 部1 0 3的外形之平面形狀,係可例如爲2 . 0 m m X 2 · Omm〜6 . Ommx 6 _ Omm程度的略正方形, 或 2 · 0mmx3 . 〇mm 〜5 · 0mmx7 . Omm 程度 的略長方形等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 引線1 0 1 ,1 0 2,係各自的一端接近對向地加以 配置。引線1 0 1,1 0 2的另一端,係延伸在於互爲相 反之方向,自樹脂部1 0 3向外部導出。 於樹脂部1 0 3中,設置開口部1 0 5,半導體發光 元件1 0 6,係覆蓋於該底面。開口部1 0 5的平面形狀 ,係例如可爲略橢圓形或圓形等。開口部1 0 5,係底面 爲窄,上端之開口寬廣,反射自發光元件1 0 6的光的傾 斜反射面1 0 4,則自底面於上端開口加以形成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -10- 552722 . A7 B7 五、發明説明(g (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發光元件1 0 6,係自凹部1 〇 5的底面中心偏離地 加以配置。如此將發光元件,自中心偏離,係爲確保接合 導線的範圍及爲於發光元件1 0 6的側面附近,形成反射 面1 0 4提高反射效率實現高亮度。 發光元件1 0 6,係經由銀(A g )糊等的黏著劑 1 0 7,覆蓋於開口部1 0 5的底面引線1 0 1上。發光 兀件1 0 6,係於表面具有電極(未圖示),經由金( A u )線等的接合導線1 〇 9,與引線1 0 2連接。 於此,於本發明,作爲塡充於開口部1 0 5內之封閉 體1 1 1,代替以往的環氧樹脂,使用聚矽氧烷樹脂。 即,聚矽氧烷樹脂,係與環氧樹脂比較時,脆性爲低 ,不易產生龜裂。又,本發明的聚矽氧烷樹脂,係與熱塑 性樹脂等所成的樹脂部1 0 3之附著強度爲強,耐濕性高 温度之疲勞,所造成龜裂或剝離亦少。又,經由塡充聚矽 氧烷樹脂,可明顯減輕周圍温度變化,所造成對於發光元 件1 0 6及A u導線1 〇 9樹脂之疲勞。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明人,係由此觀之進一步檢討結果,發現即使聚 矽氧烷樹脂中,使用硬度高的「橡膠狀」的聚矽氧烷樹脂 時,亦可得到好結果。即,作爲聚矽氧烷樹脂,平常眾知 爲J I S規格硬度之J I SA硬度値,爲30〜40者。 此等,係具有接近於「橡膠狀」之物性,物理性上爲柔軟 者。以下,將此聚矽氧烷樹脂,稱爲「凝膠狀聚矽氧烷樹 脂」° 對於此等,「橡膠狀聚矽氧烷樹脂」,係在於 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 552722 A7 B7 五、發明説明(^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J I SA硬度爲約5 0〜9 0的範圍。然而,作爲以往發 光裝置的封閉體材料廣爲使用的環氧樹脂,爲J I S A硬 度約9 5前後者。 本發明人,係獨自比較「橡膠狀聚矽氧烷樹脂」與「 凝膠狀聚矽氧烷樹脂」的檢討結果,可得以下之見解。 (1 )如第1圖所例示之發光裝置,係於所定範圍, 對於覆蓋銲錫之安裝基板,固定突出於引線1 0 1, 1 0 2的外部之部份時(爲所謂「外部引線」等),經由 爲稱「回流」銲錫熔融的工程多。但,凝膠狀聚矽氧烷樹 脂時,加熱時會軟化,於與樹脂部1 0 3的界面,會產生 剝離情形。 對於此等,橡膠狀聚矽氧烷樹脂時,未發現如此現象 ,即使超越1 1 0 °C條件,發光裝置顯示安定動作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2 )凝膠狀聚矽氧烷樹脂因爲柔軟,賦予發光元件 1 0 6或導線1 0 9之疲勞爲小,但相對地,有對於外力 ,脆弱之缺點。即,如例示於第1圖的發光裝置,係例如 作爲「表面安裝型」的燈光加以使用,經由組合裝置,覆 蓋安裝基板等爲多。此時,組合裝置的吸附套筒夾頭,壓 接於封閉體1 1 1的表面時爲多。使用J I S A硬度, 3 0〜4 0的凝膠狀聚矽氧烷樹脂時,經由押著吸附套筒 夾頭,變形封閉體1 1 1 ,伴隨此等,會有使導線1 0 9 變形,斷線,有對於發光元件1 0 6賦予疲勞之情形。 對於此等,使用J I S A硬度,5 0〜9 0的橡膠狀 聚矽氧烷樹脂時,經由發光裝置選擇或組合時之選擇裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 552722 A7 B7 五、發明説明( 或組合裝置,可防止聚矽氧烷樹脂的變形。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 說明以上(1 )及(2 ),於聚矽氧烷樹脂中,經由 使用橡膠狀聚矽氧烷樹脂,更可改善發光特性,可靠性, 機械的強度等。 作爲提升一聚矽氧烷樹脂的硬度方法,可列舉添加觸 變性賦予劑方法。 又,塡充聚矽氧烷樹脂時,透過開口狹小之噴嘴,滴 於覆蓋於樹脂管座1 0 0的開口部1 〇 5之發光元件 1 0 6上。之後,硬化形成。此時,尤其,使用硬化前粘 度,爲lOOcp〜lOOOOcp的聚矽氧烷樹脂時, 不於發光元件1 0 6或導線1 0 9,賦予過度的疲勞,亦 可順利塡充於狹小開口部,又可將硬化時殘留疲勞抑制於 充分低的範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據以上說明得知,根據本發明人所進行的實施例時 ’使用硬化前的粘度,爲1 0 0 〇 c p,硬化後的 J I S A硬度値,爲7 0橡膠狀聚矽氧烷樹脂,試作第1 圖的發光裝置,於—4 0 t:〜+ 1 1 0 t:的温度範圍,實 施温度周期試驗時,即使在1 5 0 0周期,完全不會產生 聚矽氧烷樹脂1 1 1的龜裂或剝離,發光元件1 〇 6的破 裂或剝離,導線1 〇 9的斷線等的問題。 即,經由使用聚矽氧烷樹脂,尤其,經由使用橡膠狀 聚矽氧烷樹脂,可減低以往的環氧樹脂,會產生之龜裂或 剝離,或導線的斷線等可能性。 又,使用聚矽氧烷樹脂時,亦可獲得提高光線取出效 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 552722 A7 ___ B7 五、發明説明(h (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 果。即’本發明人,係於本發明所使用的聚矽氧烷樹脂, 尤其’於橡膠狀聚矽氧烷樹脂中,亦可發現有透明者。如 此’使用透明的聚矽氧烷樹脂時,可提高向自發光元件 1 0 6所放出的光之外部的取出效率。即,可提供低成本 且明亮的發光裝置。 而且’使用聚矽氧烷樹脂時,可獲得改善對於自半導 體發光元件1 0 6所放出光線或自發光裝置外部侵入光線 之耐久性的效果。即,環氧樹脂之時,有經由光線照射產 生變色’起初爲透明,經由長期間的使用,光線透過率下 降的問題。 此現象’係光線波長愈短愈顯著,例如,當照射紫外 線時,起初透明的環氧樹脂則變色,自黃色到茶褐色,進 而爲黑色。結果,會產生大幅降低光線取出效率之問題。 如此紫外線,亦有自發光裝置的外部侵入的情形。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對於此等,本發明人係獨自的試作的檢討結果,使用 聚矽氧烷樹脂時,可得良好的結果。即,使用聚矽氧烷樹 脂時’即使將紫外線等短波長光線,長時間照射,幾乎不 會產生變色等的劣化。即,聚矽氧烷樹脂,係可維持當初 的透明狀態。就結果而言,可實現長時間維持耐光線性或 耐候性優,高外部取出效率之發光裝置。 即,於如第1圖所示之發光裝置,於樹脂部1 0 3, 亦可賦予光反射性。例如,將樹脂部1 0 3,經由6 5 % 重量以上的熱塑性樹脂與充塡量3 5 %重量以下的充塡劑 所形成。然後,充塡劑含有氧化鈦(T i〇2 ),氧化矽, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 552722 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(h 氧化鋁,矽石,氧化鋁等的高反射性材料,例如,將氧化 鈦的含有量成爲1 0〜1 5重量。如此經由添加反射光線 之擴散材料之樹脂部,構成反射面1 0 4,將來自元件 1 0 6的光線向上方反射,以實現發光裝置的高亮度。又 ,將反射面1 0 4的形狀,成爲旋轉抛物性形狀等時,可 更提供高輸出,高品質的發光裝置。 以上,參照第1圖,對於本發明的實施形態,進行說 明。但,本發明,係不限定於此具體例者,可適用於具有 將半導體發光元件以樹脂封閉之構造的所有發光裝置,而 得同樣的效果。 以下,將適用於本發明之發光裝置的其他具體例,參 照圖面,一一介紹。 (第2具體例) 第2圖係將本發明發光裝置的第2具體例的主要部構 成模式性顯示之截面圖。對於同圖中,關於第1圖,於與 前述同樣的要件,附上同一符號,省略詳細說明。 本實施形態的發光裝置1 B,亦具有樹脂管座1 〇 〇 ,和覆蓋於其上之半導體發光元件1 〇 6,覆蓋元件 1 0 6地加以設置之聚矽氧烷樹脂所成之封閉體1 1 1。 但,於本實施形態,封閉體1 1 1,係僅覆蓋發光元 件1 0 6的周圍,於該外側,設置自光線透過性樹脂所成 之第2封閉體2 1 3。 作爲第2封閉體2 1 3的材料,係可使用環氧樹脂或 c請先聞讀背面之法意事項存填寫本fo ir 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210><297公釐) -15-
552722 A7 ——_ 五、發明説明(& (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) @ _氧烷樹脂等的各種材料。又,著色於第2封閉體 2 1 3亦佳。此時,可自由選擇對於顏色或著色劑之適應 丨生好的材料。 更且,於第2封閉體2 1 3,分散散亂光線之擴散材 料亦佳。如此的話,可使光線擴散,得到寬域之配光特性 0 又,作爲第2封閉體2 1 3,使用聚矽氧烷樹脂的話 ’可增加與封閉體1 1 1的密著性,提升耐濕性。 然而,於本具體例,自聚矽氧烷樹脂所成之封閉體 1 1 1 ,包圍Au導線1 〇 9的全體之故,不會有樹脂疲 勞所成斷線,可實現可靠性的高發光裝置。即,導線的一 部份,突出至第2封閉體2 1 3時,經由於封閉體1 1 1 與2 1 3的界面,所產生疲勞,而易於產生斷線等。對於 此等,於本具體例中,將導線1 〇 9的整體,包含於封閉 體1 1 1之故,無斷線的憂慮。 (第3具體例) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著,對於本發明的第3具體例,進行說明。 第3圖係將本發明的發光裝置的第3具體例,模式性 顯示之截面圖。於同一圖中,關於第1圖至第2圖,與前 述者同樣的要件,則附上同一符號,省略詳細說明。 本具體例的發光裝置1C,具有樹脂管座1〇〇,和 覆蓋其上之半導體發光元件1 0 6,和覆蓋元件1 〇 6地 加以設置之封閉體1 1 1。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16 - 552722 A7 B7 五、發明説明()4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後,與第2具體例相同,封閉體1 1 1 ,係僅覆蓋 發光元件1 0 6的周圍。但,於本具體例,封閉體1 1 1 的外側,係成爲開放空間,未另外設置封閉體。 於本具體例,僅覆蓋於開口部1 〇 5的底面之發光元 件1 0 6的近旁,經由以封閉體1 1 1所包圍,藉由縮小 發光部份的尺寸,提升亮度,更且反射面1 〇 4所成之聚 光作用亦更爲提升。 尤其’本具體例,略半球狀的封閉體1 1 1爲發光點 ’將該周圍,包圍反射面1 〇 4地加以構成之故,可得與 以往的燈光相同的光學性聚光效果。 更且,與第2具體例相同,封閉體1 1 1包圍Au導 線1 0 9的全體之故,無樹脂管座所造成之斷線,可確保 高可靠性。 (第4具體例) 接著,對於本發明的第4具體例,進行說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第4圖係將本發明的發光裝置的第4具體例模式性顯 示之截面圖。於同一圖中,關於第1圖至第3圖,與前述 者同樣的要件,則附上同一符號,省略詳細說明。 本具體例的發光裝置1 D,係與第1具體例者相同, 具有樹脂管座1 0 0,和覆蓋其上之半導體發光元件 1 0 6,和覆蓋元件1 〇 6地加以設置之封閉體1 1 1。 然後,於本具體例中,於封閉體1 1 1上,設置凸狀 的透光體4 1 3。經由如此凸狀透光體4 1 3,獲得聚光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' 17- 552722 A7 _________B7 五、發明説明()5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 作用。作爲透光體4 1 3的材料,例如,可使用樹脂。尤 其’使用聚矽氧烷樹脂時,可縮小與封閉體1 1 1的折射 率的差別,減低與封閉體1 1 1的界面的反射,所造成之 損失。 又,透光體4 1 3的凸形狀係不限定於球面狀,可對 應於所需之聚光率或光度分布,適宜地加以決定。 (第5具體例) 接著,對於本發明的第5具體例,進行說明。 第5圖係將本發明的發光裝置的第5具體例模式性顯 示之截面圖。對於同一圖,關於第1圖至第4圖,與前述 者同樣的要件,則附上同一符號,省略詳細說明。 本具體例的發光裝置1 E,係第1具體例者相同,具 有樹脂管座1 0 0,和覆蓋其上之半導體發光元件1 0 6 ,和覆蓋元件1 0 6地加以設置之封閉體1 1 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但,於本具體例中,於封閉體1 1 1的周圍中,未設 置樹脂部1 0 3的側壁。如此進行時,自發光元件1 0 6 的發光,係不單是上方,横方向亦放出,因而可實現廣光 度分布。因此,可適於應用於要求寬度廣之視角或寬度廣 之放射角之用途。 然而,本具體例之封閉體1 1 1或樹脂管座1 〇 0的 形狀,係非限定於圖示具體例。例如,如第6圖所示,將 封閉體1 1 1作成略半球狀,又,於樹脂管座1 0 0中, 樹脂部1 0 3,埋入引線1 0 1 ,1 0 2,於元件周圍具 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~~ -18 - 552722 A7 B7 五、發明説明(& 有低側壁亦佳。 , (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (第6具體例) 接著,對於本發明的第6具體例,進行說明。 第7圖係將本發明發光裝置的第6具體例模式性顯示 之截面圖。對於同一圖,關於第1圖至第6圖,與前述者 同樣的要件,則附上同一符號,省略詳細說明。 本具體例的發光裝置1 F,係亦具有自引線框形成一 對的引線1 0 1 ,1 0 2。但,於第1引線1 0 1的前端 ,設置杯體部6 0 1,發光元件1 0 6,係覆蓋於杯體部 6 0 1的底部。然後,自發光元件1 〇 6自引線1 0 2, 連接導線1 0 9。更且,如包圍此等地,設置封閉體 1 1 1 〇 杯體部6 0 1的內壁側面,係作爲反射面加以作用, 將自發光元件1 0 6所放出的發光,反射至上方。又,透 光體7 1 3的上面,具有透鏡狀的聚光作用,可取出聚光 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本具體例的發光裝置,係可代替以往的燈光型半導體 發光裝置,具有較廣的放射角度,爲汎用性高之發光裝置 〇 (第7具體例) 接著,對於本發明的第7具體例,進行說明。 第8圖係將本發明的發光裝置的第7具體例模式性顯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19- 552722 A7 B7 五、發明説明( 示之截面圖。對於同一圖,關於第1圖至第7圖,與前述 者同樣的要件,則附上同一符號,省略詳細說明。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本具體例的發光裝置1 G,係具有與第6具體例的發 光裝置1 F類似之構成。即,發光裝置1 G,亦於第1引 線1 0 1的前端,具有杯體部6 0 1,於底部,覆蓋發光 元件1 0 6。然後,自發光元件1 〇 6向引線1 0 2,連 接導線1 0 9。更且,包圍此等地,設置封閉體1 1 1。 但,於本具體例,封閉體1 1 1係縮小地加以形成, 包圍此等地,設置有透光體7 1 3。 經由將封閉體1 1 1縮小地加以形成,可使發光部份 變小,可提高亮度。然後,透光體7 1 3的上面,具有透 鏡狀的聚光作用,可取出聚光。 又,經由透光體71 3,透過包圍封閉體1 1 1,更 可提升對於濕氣或腐鈾性氣氛之耐久性。作爲透光體 7 1 3的材料,可使用樹脂。使用聚砂氧烷脂時,與封閉 體1 1 1的密著性良好,可獲得優異的耐候性,機械性強 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而’本具體例亦未限定於圖示的具體例。例如,如 第9圖所示,將封閉體1 1 1 ,限定於杯體部6 〇 1上亦 佳。如此進行之時,更可縮小發光部份,可提升亮度。此 時,導線1 0 9,貫通封閉體1 1 1與透光體7 1 3的界 面,封閉體1 1 1與透光體7 1 3的材料爲類似的話,可 抑制界面之疲勞,亦可防止斷線。 以上,參照具體例,對於本發明的實施形態,進行說 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
-2CK 552722 A7 _ B7 — 一·~- — -丨_丨I·· , - 一 . — ... ---------------- - - 五、發明説明( 明。但’本發明並非限定於此等具體例。即,本發明,係 適用於具有將半導體的發光元件,以樹脂封閉之構造之所 有的發光裝置,而可獲得同樣的效果。 例如’於聚矽氧烷樹脂所成之封閉體1 1 1 ,擴散分 散散亂光的話,可獲得光的擴散效果。 又,關於發光元件的具體構造或材質,引線或封閉體 1 1 1的形狀,各要素的關係等,業者適切進行設計變更 者亦包含於本發明的範圍。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 -
Claims (1)
- 552722 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 · 一種發光裝置,其特徵係具備半導體發光元件, 和覆蓋前述半導體發光元件地加以設置之聚矽氧烷樹 脂, 前述聚矽氧烷樹脂的硬度,係J I S A値爲5 〇以上 〇 2 .如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置,其中 ,前述聚氧烷樹脂的硬度,JISA値爲90以下。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置,其中 ,前述聚矽氧烷樹脂,硬化前的粘度,爲1 0 0 c ρ· s以 上,lOOOOcps以下的範圍。 4 .如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置,其中 ,更具備連接於前述半導體發光元件之導線, 前述聚矽氧烷樹脂,係成爲覆蓋前述導線地加以設置 〇 5 .如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置,其中 ,更具備具有一對的引線,和埋入前述一對的引線的至少 一部份之樹脂部之樹脂管座, 前述半導體發光元件,係覆蓋於前述一對的引線中白勺 一方。 6 .如申請專利範圍第5項所記載之發光裝置,其中 ,前述樹脂部,係具有開口部, 前述半導體發光元件,係於前述開口部的底部,覆蓬 於前述一對的引線中的一方,前述聚矽氧烷樹脂,係設置 於前述開口部中。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) --------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 552722 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 7 .如申請專利範圍第5項所記載之發光裝置’其中 ,前述樹脂部,係自熱塑性樹脂所成者。 8 ·如申請專利範圍第6項所記載之發光裝置,其中 ,前述開口部的內部側壁,係向開口端傾斜, 前述樹脂部,係包含有反射前述可見光材料。 9 .如申請專利範圍第1項所記載之發光裝置,其中 ,前述聚矽氧烷樹脂,係爲實質透明的。 ---------------訂----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -23-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001110675A JP2002314139A (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW552722B true TW552722B (en) | 2003-09-11 |
Family
ID=18962398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091106884A TW552722B (en) | 2001-04-09 | 2002-04-04 | Light emitting device |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6710377B2 (zh) |
EP (1) | EP1249875B2 (zh) |
JP (1) | JP2002314139A (zh) |
CN (1) | CN1262023C (zh) |
DE (1) | DE60239173D1 (zh) |
TW (1) | TW552722B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |