DE102005043928B4 - Optisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

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Abstract

Optisches Halbleiterbauteil mit: – einem Leiterrahmen (1; 101; 201); – einem optischen Halbleiterelement (2; 102; 202), das auf dem Leiterchnitt (13), der das optische Halbleiterbauelement bedeckt; wobei der Siliconharzabschnitt (13) über einen Abschnitt verfügt, der über dem Lichtempfangs- oder Lichtemissionsabschnitt des optischen Halbleiterelements liegt; – einem ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514), der das optische Halbleiterelement und den Siliconharzabschnitt mindestens bis auf den Abschnitt einschließt; und – einem zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) mit Lichtdurchlässigkeit, der den ersten Gießharzabschnitt einschliesst; – wobei der erste Gießharzabschnitt über einen Linearexpansionskoeffizienten verfügt, der kleiner als der des zweiten Gießharzabschnitts gemacht ist, wobei der Siliconharzabschnitt über ein Transmissionsvermögen verfügt, das größer ist als dasjenige des ersten Gießharzabschnitts, so dass das Streuen von Licht oberhalb des Lichtempfangs- oder Lichtemissionsabschnitts im ersten Gießharzabschnitt reduziert wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft optische Halbleiterbauteile mit optischen Halbleiterelementen, und sie betrifft, insbesondere, ein optisches Halbleiterbauteil, das für eine optische Kommunikationseinrichtung verwendet werden kann, die optische Signale mittels eines optischen Übertragungsmediums in Form einer optischen Faser oder dergleichen sendet und empfängt.
  • Das erfindungsgemäße optische Halbleiterbauteil wird für elektronische Einrichtungen verwendet, wie digitale TV(Fernseh)-Geräte, digitale BS(Broadcasting Satellite)-Tuner, CS(Communication Satellite)-Tuner, DVD(Digital Versatile Disc)-Spieler, CD(Compact Disc)-Spieler, AV(Audiovisuelle)-Verstärker, Audiogeräte, persönliche Computer (nachfolgend als PCs bezeichnet), PC-Peripheriegeräte, tragbare Telefone sowie PDA(Personal Digital Assistant)-Geräte. Darüber hinaus kann das optische Halbleiterbauteil auch für elektronische Einrichtungen wie Kraftfahrzeug-Bordgeräte in Form von Farzeug-Audiogeräten, Fahrzeugnavigationsgeräten und Sensoren, Sensoren von Robotern in Fabriken und Steuerungsanlagen, wobei diese in Umgebungen mit großen Betriebstemperaturbereich verwendet werden, verwendet werden.
  • Herkömmlicherweise ist ein optisches Halbleiterbauteil bekannt, das optische Halbleiterelemente in Form einer Leuchtdiode (LED) und einer Fotodiode (PD) mit einem optischen Faserkabel verbindet, das für optische Kommunikationsvorgänge zwischen Geräten sowie in Haushalten und Kraftfahrzeugen verwendet wird.
  • Als derartige optische Halbleiterbauteile werden, wie es in der 31 dargestellt ist, solche in weitem Umfang verwendet, die unter Verwendung eines Spritzpressverfahrens mit einem transparenten Harz hergestellt werden. Beim in der 31 dargestellten optischen Halbleiterbauteil ist ein optisches Halbleiterelement 102, das durch eine leitende Klebepaste 103 mit einem Leiterrahmen 101 verbunden ist, durch ein transparentes Harz 106 eingeschlossen, und das optische Halbleiterelement 102 und das optische Faserkabel 111 sind durch eine aus dem durchscheinenden Harz gebildeten Linse 110 optisch miteinander verbunden. Das optische Halbleiterelement 102 ist durch einen Draht 104 elektrisch mit dem Leiterrahmen 101 verbunden. Darüber hinaus ist ein Chip 105 mit einem integrierten Schaltkreis zum Kontrollieren der Ansteuerung des optischen Halbleiterelements 102 mit der leitenden Klebepaste 103 auf den Leiterrahmen 101 geklebt.
  • Im Allgemeinen besteht beim transparenten Harz, wie es für ein optisches Halbleiterbauteil, wie es oben beschrieben ist, verwendet wird, ein Problem dahingehend, dass sein Linearexpansionskoeffizient durch die Verwendung des transparenten Harzes erhöht ist, in das kein Füllstoff eingefüllt ist, der stark zu den optischen Eigenschaften beiträgt, was zu einem Problem hinsichtlich der Beständigkeit gegen äußere Einflüsse führte (Wärmeschockbeständigkeit, Wärmeabfuhr usw.).
  • Daher ist ein optisches Halbleiterbauteil (in der 32 dargestellt) offenbart (siehe z. B. JP-2000-173947 A ), das mit einem Gießharz eingeschlossen werden kann, in das ein Füllstoff eingefüllt ist, was durch Planen der Konstruktion des optischen Halbleiterbauteils möglich ist. Beim in der 32 dargestellten optischen Halbleiterbauteil wird eine Glaslinse 212 nur auf den optischen Teil eines optischen Halbleiterelements 202 aufgeklebt, das Element wird durch eine leitende Klebepaste 203 an einem Leiterrahmen 201 montiert, und eine Elektrode, die sich am Umfang des optischen Teils des optischen Halbleiterelements 202 befindet, wird über einen Draht 204 elektrisch mit dem Leiterrahmen 201 verbunden. Anschließend können, durch Spritzformen mit einem mit einem Füllstoff gefüllten Gießharz, das optische Halbleiterelement 202 und der Draht 203 durch einen Gießharzabschnitt 207 eingeschlossen werden, ohne dass ein optischer Pfad versperrt würde, durch den Licht in das optische Halbleiterelement 202 eintritt und aus ihm austritt.
  • Darüber hinaus ist als Technik zum Einschließen eines Halbleiterbauteils mit einem Harz, wie es durch die 33 veranschaulicht ist, eine Harzeinschließtechnik mit Folgendem offenbart (siehe z. B. JP-04-92459 A ): Anbringen eines ersten einschließenden Harzabschnitts 308, der die Hauptkörperbestandteile einschließlich eines Leiterrahmens 301, eines Halbleiterelements 302, das durch eine leitende Klebepaste 303 auf den Leiterrahmen 301 geklebt ist, und eines Bonddrahts 304, der diese Elemente verbindet, integral einschließt, sowie eines zweiten einschließenden Harzabschnitts 309, der so hergestellt wird, dass er zumindest einen Teil des Außenumfangsabschnitts des ersten einschließenden Harzabschnitts 308 bedeckt, und Auswählen des ersten und des zweiten einschließenden Harzabschnitts 308 und 309 in solcher Weise, dass der Linearexpansionskoeffizient des zweiten einschließenden Harzabschnitts 309 kleiner als derjenige des ersten einschließenden Harzabschnitts 308 ist.
  • Da das herkömmliche optische Halbleiterbauteil durch Spritzpressen mit einem transparenten Harz ohne Füllstoff hergestellt wird, bestehen hinsichtlich des Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem transparenten Harz, dem Leiterrahmen, dem optischen Halbleiterelement und dem Bonddraht große Unterschiede, und dies führt zu einem Problem dahingehend, dass Schwierigkeiten sich ablösender Drähte, Gehäuserisse usw. aufgrund thermischer Spannungen auftreten. Es besteht ein weiteres Problem dahingehend, dass das transparente Harz eine Wärmeleitfähigkeit von ungefähr 0,17 W/m·K zeigt, was viel kleiner als diejenige eines Metalls ist (z. B. verfügt ein Kupfermaterial über eine Wärmeleitfähigkeit von 365 W/m·K, und dies erschwert es, im optischen Halbleiterelement erzeugte Wärme abzuführen, was den Betriebsbereich bei hohen Temperaturen einschränkt. Aufgrund dieser Probleme ist es sehr schwierig, ein hoch zuverlässiges optisches Halbleiterbauteil herzustellen.
  • Darüber hinaus ist es bekannt, dass der Linearexpansionskoeffizient und die Wärmeleitfähigkeit durch Füllen eines Gießharzes mit einem Füllstoff eingestellt werden können. Da es jedoch aufgrund einer Verringerung der Lichttransmission bei einem optischen Halbleiterbauteil, auf dessen optische Eigenschaften Wert gelegt wird, schwierig ist, ein Füllen mit Füllstoff zu erzielen (oder es nur zulässig ist, ein Füllen mit einer kleinen Menge an Füllstoff auszuführen), bestand ein Problem beim Herstellen eines hoch zuverlässigen optischen Halbleiterbauteils. Daher, um nämlich ein mit einem Füllstoff gefülltes Gießharz zu verwenden, kann, wie es in der 32 dargestellt ist, eine Konstruktion in Betracht gezogen werden, bei der eine Glaslinse im Lichtempfangsabschnitt eines optischen Halbleiterelements angebracht ist und sie teilweise, umfangsmäßig durch ein Harz eingeschlossen ist. Jedoch kann bei dieser Konstruktion eine Glaslinse tatsächlich im optischen Teil dann platziert werden, wenn ein optische Halbleiterelement mit vergleichsweise großen Abmessungen vorliegt (einige Millimeter bis einige 10 Millimeter im Quadrat) wie bei einem CCD. Im Gegensatz hierzu muss bei einem optischen Halbleiterelement mit sehr geringer Größe (einige hundert Mikrometer im Quadrat), wie bei einer LED, eine sehr kleine Glaslinse verwendet werden, da der optische Teil sehr klein ist, und es bestehen Probleme dahingehend, dass:
    • (i) es schwierig ist, eine winzige Glaslinse herzustellen;
    • (ii) es schwierig ist, eine wechselseitige Verbindung und Ausrichtung zwischen dem optischen Teil und der Glaslinse zu erzielen; und
    • (iii) aufgrund eines Unterschieds der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem Glas und dem Gießharz aufgrund thermischer Spannungen eine Grenzflächentrennung auftritt.
  • Darüber hinaus besteht ein Problem dahingehend, dass kein Drahtbonden ausgeführt werden kann, wenn eine Glaslinse, die größer als der optische Teil des optischen Halbleiterelements ist, verwendet ist, da die Glaslinse mit der Elektrode überlappt, die angrenzend an den optischen Teil des optischen Halbleiterelements vorhanden ist. Darüber hinaus ist auch ein anderes Verfahren für eine Konstruktion in Betracht gezogen, bei dem ein Halbleiterbauteil, das durch einen Bonddraht elektrisch mit einem Leiterrahmen verbunden ist, mit einem ersten einschließenden Harz bedeckt wird, wobei ferner der Umfangsabschnitt des ersten einschließenden Harzes durch ein zweites einschließendes Harz bedeckt wird, wie es in der 33 offenbart ist, wobei der Linearexpansionskoeffizient des zweiten einschließenden Harzes kleiner als derjenige des ersten einschließenden Harzes ist, um eine Trennung zwischen den einschließenden Harzen aufgrund von thermischen Spannungen zu verringern. Da jedoch der Linearexpansionskoeffizient des ersten einschließenden Harzes größer als derjenige des zweiten einschließenden Harzes ist, tritt ein Problem dahingehend auf, dass das erste einschließende Harz aufgrund der Wärme beim Herstellen des zweiten einschließenden Harzes in einem gequollenen Zustand ausgebildet ist und die Kontraktion des ersten einschließenden Harzes beim Abkühlen nach der Herstellung größer als die des zweiten einschließenden Harzes wird, was zu einer Abtrennung an der Harzgrenzfläche und einer Verringerung der Zuverlässigkeit der Feuchtigkeitsbeständigkeit usw. führt.
  • Die US 2002/0088985 A1 offenbart in der in 41 jener Druckschrift gezeigten Ausführungsform ein Beispiel einer lichtemittierenden Vorrichtung, welche aus einer LED mit Leiterrahmen aufgebaut ist. Das lichtemittierende Halbleiterelement ist auf dem Leiterrahmen angebracht und wird von einem ersten Gießharzabschnitt und einem zweiten darüber liegenden Gießharz umschlossen. Jedoch sind in dieser Druckschrift keinerlei Aussagen über die Linearexpansionskoeffizienten der verschiedenen Gießharze gemacht.
  • Die JP 040 92459 A beschreibt eine weitere Halbleitervorrichtung, welche eine Lichtquelle aufweist, die von einem ersten Gießharzabschnitt umhüllt ist, welcher wiederum von einem zweiten Gießharzabschnitt umgeben ist.
  • Ferner ist in der US 6,170,996 B1 ein optisches Modul angegeben, das in einem Harz eingeschlossen ist. Schließlich ist in der US 5,300,459 A eine weitere Konfiguration eines Halbleitermoduls gezeigt.
  • Im Zusammenhang mit den in der folgenden Beschreibung angegebenen Zahlenwerten für den Linearexpansionskoeffizienten ist anzumerken, dass diese sich stets auf die übliche Einheit K–1 beziehen.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein kompaktes, billiges optisches Halbleiterbauteil, bei dem ein optisches Halbleiterelement mit kleiner Chipgröße, wie eine LED, eine PD oder dergleichen, verwendet werden kann, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit verfügt, und ein Verfahren zum Herstellen dieses optischen Halbleiterbauteils zu schaffen.
  • Um diese Aufgabe zu lösen, ist das erfindungsgemäße Halbleiterbauteil mit Folgendem versehen:
    • – einem Leiterrahmen;
    • – einem optischen Halbleiterelement, das auf dem Leiterrahmen platziert ist;
    • – einem ersten Gießharzabschnitt, der das optische Halbleiterelement einschließt; und
    • – einem zweiten Gießharzabschnitt mit Lichtdurchlässigkeit, der zumindest einen Teil des ersten Gießharzabschnitts einschließt;
    • – wobei der erste Gießharzabschnitt über einen Linearexpansionskoeffizienten verfügt, der kleiner als der des zweiten Gießharzabschnitts gemacht ist.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil mit diesem Aufbau kann dadurch, dass der Linearexpansionskoeffizient des ersten Gießharzabschnitts kleiner als derjenige des zweiten Gießharzabschnitts gemacht wird, die Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt und dem Leiterrahmen sowie dem optischen Halbleiterelement verringert werden. Bei dieser Anordnung tritt keine Ablösung des Bonddrahts, eine Gehäuserissbildung usw. aufgrund thermischer Spannungen auf, und daher kann ein optisches Halbleiterbauteil mit hoher Zuverlässigkeit und zufriedenstellender Qualität der optischen Transmission kompakt und billig hergestellt werden.
  • Darüber hinaus verfügt beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform der erste Gießharzabschnitt über hohe Lichtdurchlässigkeit.
  • Darüber hinaus verfügt, beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform, der erste Gießharzabschnitt über ein Transmissionsvermögen, das kleiner als das des zweiten Gießharzabschnitts ist.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform ist das Transmissionsvermögen des ersten Gießharzabschnitts kleiner als dasjenige des zweiten Gießharzabschnitts, und daher kann eine Brechung von externem, störendem Licht am ersten Gießharzabschnitt verringert werden, und es kann das Signal/Rauschsignal-Verhältnis verbessert werden.
  • Darüber hinaus kann das Streuen von Licht im ersten Gießharzabschnitt verringert werden, und es kann die Effizienz beim Empfangen oder Senden verbessert werden.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform, bei dem für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem Füllstoff gefülltes Gießharz verwendet ist und die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des Leiterrahmens und demjenigen des ersten Gießharzabschnitts auf 0 bis 6,0 × 10–5 eingestellt.
  • Entsprechend dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann durch Einstellen der Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des Leiterrahmens und demjenigen des ersten Gießharzabschnitts auf 0 bis 6,0 × 10–5 ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, mit dem die Schwierigkeiten des Ablösens des Bonddrahts, der Chipablösung usw. verringert werden können, wie sie durch die Abtrennung zwischen dem Leiterrahmen und dem Gießharz aufgrund von thermischen Spannungen hervorgerufen werden, und das über höhere Zuverlässigkeit verfügt.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des ersten Gießharzabschnitts und demjenigen des zweiten Gießharzabschnitts auf 0 bis 6,0 × 10–5 eingestellt.
  • Entsprechend dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem Schwierigkeiten hinsichtlich der Feuchtigkeitsbeständigkeit usw., wie sie der Harzgrenzflächenablösung aufgrund eines Unterschieds der thermischen Kontraktion zwischen dem ersten Gießharzabschnitt und dem zweiten Gießharzabschnitt zuzuschreiben sind, verringert werden können, und das hohe Zuverlässigkeit aufweist.
  • Darüber hinaus ist bei einem optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform ein Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung für den ersten Gießharzabschnitt und den zweiten Gießharzabschnitt verwendet. In diesem Fall bedeutet ”Epoxyharz mit Phenolhärtung” ein härtendes Epoxyharz, das eine Phenolverbindung enthält, und ”Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung” bedeutet ein härtendes Epoxyharz, das ein Säureanhydrid als Härtungsmittel verwendet.
  • Entsprechend dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil kompakt und billig hergestellt werden, bei dem der Linearexpansionskoeffizient, die Wärmeleitfähigkeit und das Transmissionsvermögen dadurch leicht kontrolliert werden können, dass das Epoxyharz mit Phenolhärtung oder das Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung für den ersten Gießharzabschnitt und den zweiten Gießharzabschnitt verwendet werden, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit verfügt.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung für den ersten Gießharzabschnitt verwendet, und ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung ist für den zweiten Gießharzabschnitt verwendet.
  • Entsprechend dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil kompakt und billig hergestellt werden, das über einen zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und eine hohe Zuverlässigkeit verfügt, wenn das mit einem transparenten Füllstoff gefüllte Epoxyharz mit Phenolhärtung für den ersten Gießharzabschnitt verwendet wird und das Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung für den zweiten Gießharzabschnitt verwendet wird.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung für den zweiten Gießharzabschnitt verwendet.
  • Entsprechend dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem die Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt und dem zweiten Gießharzabschnitt verringert werden kann und Schwierigkeiten hinsichtlich der Feuchtigkeitsbeständigkeit usw. verringert werden können, zu denen es durch die Harzgrenzflächentrennung aufgrund thermischer Spannungen kommt, wenn das mit dem transparenten Füllstoff gefüllte Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung für den zweiten Gießharzabschnitt verwendet wird, und das eine höhere Zuverlässigkeit aufweist.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung für den ersten Gießharzabschnitt verwendet und
    • – für den zweiten Gießharzabschnitt ist ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet, wobei das Füllgewicht kleiner als das beim ersten Gießharzabschnitt ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem die Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt und dem zweiten Gießharzabschnitt weiter verringert werden kann und das Auftreten einer Harzgrenzflächentrennung aufgrund thermischer Spannungen verringert werden kann, indem für den zweiten Gießharzabschnitt das Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet wird, bei dem das Füllgewicht eines transparenten Füllstoffs kleiner als das beim ersten Gießharzabschnitt ist, wobei die Einschließzeit verkürzt werden kann, da das Epoxyharz mit Phenolhärtung des ersten und des zweiten Gießharzabschnitts eine Härtbarkeit aufweist, die höher als diejenige eines Epoxyharzes mit Säureanhydridhärtung ist, und das hohe Zuverlässigkeit aufweist.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, und
    • – für den zweiten Gießharzabschnitt ist ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung ohne Füllstoff verwendet.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil kompakt und billig hergestellt werden, das über eine zufriedenstellendere Qualität der optischen Transmission und eine hohe Zuverlässigkeit verfügt, indem für den ersten Gießharzabschnitt das mit einem transparenten Füllstoff gefüllte Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet wird und für den zweiten Gießharzabschnitt das Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung ohne Füllstoff verwendet wird.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung für den ersten und den zweiten Gießharzabschnitt verwendet.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem die Differenz der linearen Expansionskoeffizienten zwischen dem ersten und dem zweiten Gießharzabschnitt verringert werden kann und Schwierigkeiten bei der Feuchtigkeitsbeständigkeit usw. verringert werden können, wie sie durch eine Harzgrenzflächenabtrennung aufgrund thermischer Spannungen verursacht werden, indem für den ersten Gießharzabschnitt das mit einem transparenten Füllstoff gefüllte Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet wird und für den zweiten Gießharzabschnitt das mit einem transparenten Füllstoff gefüllte Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet wird.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, und
    • – für den zweiten Gießharzabschnitt ist ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet, wobei das Füllgewicht kleiner als das beim ersten Gießharzabschnitt ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem die Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten und dem zweiten Gießharzabschnitt verringert werden kann und das Auftreten einer Harzgrenzflächentrennung aufgrund thermischer Spannungen verringert werden kann, indem für den zweiten Gießharzabschnitt das Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet wird, bei dem das Füllgewicht eines transparenten Füllstoffs kleiner als das beim ersten Gießharzabschnitt ist, wobei die Einschließzeit verkürzt werden kann, da das Epoxyharz mit Phenolhärtung des ersten und des zweiten Gießharzabschnitts über eine schnellere Härtbarkeit verfügt als das Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung, und das eine hohe Zuverlässigkeit aufweist.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, und
    • – der erste Gießharzabschnitt ist mit einem transparenten Füllstoff mit einem Füllgewicht von 20 bis 80 Gewichtsprozent gefüllt.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil kompakt und billig hergestellt werden, bei dem der Linearexpansionskoeffizient des ersten Gießharzabschnitts verringert werden kann, wobei ein hohes Transmissionsvermögen erhalten bleibt und die Wärmeleitfähigkeit erhöht werden kann, indem dafür gesorgt wird, dass das Füllgewicht eines transparenten Füllstoffs auf 20 bis 40 Gew.-% eingestellt wird, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit verfügt.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, und
    • – der transparente Füllstoff verfügt über einen Brechungsindex, der ungefähr demjenigen des Epoxyharzes mit Phenolhärtungs oder des Epoxyharzes mit Säureanhydridhärtungs entspricht.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann, da der Brechungsindex des transparenten Füllstoffs ungefähr demjenigen des mit ihm zu füllenden Epoxyharzes entspricht, ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem die Schwächung des optischen Signals aufgrund eines Streuens im Gießharz verringert werden kann, und das eine zufriedenstellendere Qualität der optischen Transmission aufweist.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, und
    • – der transparente Füllstoff verfügt über Kugelform.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, das den Transmissionspfad eines optischen Signals durch den kugelförmigen, transparenten Füllstoff stabilisieren kann und Spannungsschäden (Füllstoffeinwirkung) am optischen Halbleiterbauteil aufgrund des Füllstoffs verringern kann, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit verfügt. Darüber hinaus kann die Korngröße des kugelförmigen Füllstoffs vorzugsweise vergleichmäßigt sein.
  • Darüber hinaus enthält beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform der erste und/oder der zweite Gießharzabschnitt einen Farbstoff, der Licht mit kürzerer Wellenlänge als einer Lichtempfangswellenlänge oder einer Lichtemissionswellenlänge des optischen Halbleiterelements ausblendet.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem optische Störungen von außen durch den Farbstoff verringert werden können, wie er im ersten und/oder zweiten einschließenden Gießharz enthalten ist, und das eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission frei von Fehlfunktionen zeigt.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil gemäß einer Ausführungsform für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, und
    • – der erste Gießharzabschnitt verfügt über eine Dicke, die kleiner als die seines anderen Abschnitts über einem Abschnitt ist, der den Lichtempfang und/oder die Lichtemission des optischen Halbleiterelements ausführt.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, das das Streuen von Licht aufgrund des Füllstoffs im ersten Gießharzabschnitt dadurch verringern kann, dass der Pfad verkürzt ist, durch den das optische Signal im ersten Gießharzabschnitt läuft, da die Dicke desselben kleiner als die des anderen Abschnitts gemacht ist, und es verfügt über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil gemäß einer Ausführungsform im ersten Gießharzabschnitt über dem Abschnitt, der den Lichtempfang und/oder die Lichtemission des optischen Halbleiterelements ausführt, eine Vertiefung ausgebildet; und
    • – an einer Seitenwand der Vertiefung ist eine Verjüngung zum Sammeln von Licht ausgebildet.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, das Sendelicht oder Empfangslicht durch die Verjüngung zum Sammeln von Licht an der Seitenwand der Vertiefung des Gießharzabschnitts effizient sammeln kann und das über eine zufriedenstellendere Qualität der optischen Transmission verfügt.
  • Darüber hinaus verfügt beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform das Halbleiterbauteil über einen Siliconharzabschnitt, der über Kältebeständigkeit verfügt und vorhanden ist, um das optische Halbleiterelement zu bedecken; und
    • – das mit dem Siliconharz bedeckte optische Halbleiterelement ist betreffend den ersten und den zweiten Gießharzabschnitt durch zumindest den zweiten Gießharzabschnitt eingeschlossen.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem die auf den Bonddraht bei niedriger Temperatur wirkenden Spannungen dadurch verringert werden können, dass es mit dem Siliconharz bedeckt wird, das über hohe Kältebeständigkeit und hohe Zuverlässigkeit verfügt.
  • Darüber hinaus verfügt, beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform der Siliconharzabschnitt über einen Abschnitt, der über demjenigen Abschnitt liegt, der das Empfangen oder Senden von Licht betreffend das optische Halbleiterelement ausführt und der nicht durch den ersten Gießharzabschnitt sondern den zweiten Gießharzabschnitt eingeschlossen ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, das zu keinem Streuen des optischen Signals im ersten Gießharzabschnitt führt, da es nicht durch das Innere desselben läuft, und das eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission zeigt.
  • Darüber hinaus verfügt beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform der Siliconharzabschnitt über ein Transmissionsvermögen, das größer als dasjenige des ersten Gießharzabschnitts und dasjenige des zweiten Gießharzabschnitts ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform ist das Transmissionsvermögen des Siliconharzabschnitts größer als dasjenige des ersten Gießharzabschnitts und dasjenige des zweiten Gießharzabschnitts. Daher zeigt der Siliconharzabschnitt eine hervorragende Lichtdurchlässigkeit gegenüber dem ersten und dem zweiten Gießharzabschnitt, und er kann die Verluste an Lichtmenge verringern.
  • Darüber hinaus sind beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform der Leiterrahmen und das optische Halbleiterelement über einen Draht mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife elektrisch miteinander verbunden.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform sind der Leiterrahmen und das optische Halbleiterelement über den Draht mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife elektrisch miteinander verbunden, und daher kann ein Anstieg des Drahts in der vertikalen Richtung in Bezug auf den Leiterrahmen im Siliconharzabschnitt verringert werden. Daher, nämlich durch Untenhalten des Siliconharzabschnitts durch die Metallform zum Herstellen des ersten Gießharzabschnitts im Herstellstadium des optischen Halbleiterbauteils, und das Knicken des Drahts kann selbst dann verhindert werden, wenn eine mechanische Spannung auf den Siliconharzabschnitt einwirkt.
  • Darüber hinaus verfügt, beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform, der Draht über einen parallelen Abschnitt, der sich ausgehend von einem am optischen Halbleiterelement liegenden Kontakthöckerabschnitt erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen verläuft.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform verfügt der Draht über einen parallelen Abschnitt, der sich ausgehend vom am optischen Halbleiterelement liegenden Kontakthöckerabschnitt erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen verläuft. Daher kann der Draht zuverlässig mit dem optischen Halbleiterelement verbunden werden, und der Draht kann leicht mit kleinem Ansteigen hergestellt werden.
  • Darüber hinaus weist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform der Draht Folgendes auf:
    • – einen Kugelabschnitt, der sich am optischen Halbleiterelement befindet;
    • – einen gebogenen Abschnitt, der sich ausgehend vom Kugelabschnitt erstreckt; und
    • – einen parallelen Abschnitt, der sich ausgehend vom gebogenen Abschnitt erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen verläuft.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform verfügt der Draht über den sich am optischen Halbleiterelement befindenden Kugelabschnitt, den sich ausgehend von diesem erstreckenden gebogenen Abschnitt und den sich ausgehend vom gebogenen Abschnitt erstreckenden parallelen Abschnitt mit ungefähr parallelem Verlauf zum Leiterrahmen. Daher kann der Draht, der zuverlässig mit dem optischen Halbleiterelement verbunden werden kann und nur wenig ansteigt, leicht hergestellt werden.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform die Höhe des gebogenen Abschnitts ausgehend vom optischen Halbleiterelement niedriger als die Höhe des parallelen Abschnitts ausgehend vom optischen Halbleiterelement.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform ist die Höhe des gebogenen Abschnitts ausgehend vom optischen Halbleiterelement niedriger als die Höhe des parallelen Abschnitts ausgehend vom optischen Halbleiterelement. Daher kann das Ansteigen des gebogenen Abschnitts verringert werden und ein Knicken des Drahts kann zuverlässig verhindert werden.
  • Darüber hinaus verfügt, beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform, der Draht über einen parallelen Abschnitt, der sich ausgehend vom optischen Halbleiterelement erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen verläuft.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform verfügt der Draht über einen parallelen Abschnitt, der sich ausgehend vom optischen Halbleiterelement erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen verläuft. Daher kann das Ansteigen des Drahts im Wesentlichen vermieden werden und ein Knicken desselben kann zuverlässig verhindert werden.
  • Darüber hinaus verfügt, beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform, das Bauteil über einen Chip eines integrierten Schaltkreises, der am Leiterrahmen angebracht ist und durch den ersten Gießharzabschnitt eingeschlossen ist, und der die Ansteuerung des optischen Halbleiterelements kontrolliert; und
    • – der Leiterrahmen und der Chip des integrierten Schaltkreises sind über den Draht mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife elektrisch miteinander verbunden.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform sind der Leiterrahmen und der Chip des integrierten Schaltkreises über den Draht mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife elektrisch miteinander verbunden. Daher kann die Dicke des ersten Gießharzabschnitts durch eine Wechselwirkung mit dem Draht mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife, der mit dem optischen Halbleiterelement verbunden ist, verringert werden, und die Größe und die Dicke des Gehäuses können verkleinert werden.
  • Darüber hinaus ist, beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform, ein transparenter, leitender Film, der zumindest einen Bereich, der über dem optischen Halbleiterelement liegt, einer Fläche des ersten Gießharzabschnitts bedeckt, hergestellt; und
    • – das optische Halbleiterelement, der erste Gießharzabschnitt und der transparente, leitende Film sind durch den zweiten Gießharzabschnitt eingeschlossen.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, das elektronische Störsignale von außen aufgrund eines hohen Transmissionsvermögens verringern kann, wie es der transparente, leitende Film aufweist, der so ausgebildet ist, dass er den Bereich der Oberfläche des ersten Gießharzabschnitts zumindest über dem optischen Halbleiterelement bedeckt, und das eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission frei von Fehlfunktionen aufweist.
  • Darüber hinaus ist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform ein leitender Harzabschnitt, der einen Bereich einer Fläche des ersten Gießharzabschnitts bedeckt, der nicht ein Abschnitt ist, der den Empfang und/oder das Senden von Licht des optischen Halbleiterelements ausführt, ausgebildet; und
    • – das optische Halbleiterelement, der erste Gießharzabschnitt und der leitende Harzabschnitt sind durch den zweiten Gießharzabschnitt eingeschlossen.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, das elektronische Störsignale und optische Störsignale von außen durch den leitenden Harzabschnitt verringern kann, der so ausgebildet ist, dass er die Oberfläche des ersten Gießharzabschnitts im Bereich bedeckt, der nicht der Abschnitt ist, der das Senden und/oder Empfangen von Licht betreffend das optische Halbleiterelement ausführt, und das eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission frei von Fehlfunktionen zeigt.
  • Darüber hinaus verfügt, beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform dieses Bauteil über einen Siliconharzabschnitt, der zumindest einen Abschnitt bedeckt, der den Lichtempfang oder die Lichtemission des optischen Halbleiterelements ausführt;
    • – der erste Gießharzabschnitt über einen Lochabschnitt, der einen Teil des Siliconharzabschnitts freilegt und den anderen Abschnittsteil desselben und das optische Halbleiterelement einschließt; und
    • – der zweite Gießharzabschnitt den Teil des Siliconharzabschnitts und zumindest einen Teil des ersten Gießharzabschnitts einschließt.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil dieser Ausführungsform kann durch Einschließen des Teils des Siliconharzabschnitts nicht durch den ersten Gießharzabschnitt sondern nur durch den zweiten Gießharzabschnitt das Streuen von Licht im ersten Gießharzabschnitt verringert werden. D. h., dass ein optischer Pfad erzeugt werden kann, der nicht durch den ersten Gießharzabschnitt verläuft.
  • Darüber hinaus kann, da der erste Gießharzabschnitt über den Lochabschnitt verfügt, die Größe des Teils des Siliconharzabschnitts durch den Lochabschnitt definiert werden. Dann kann, durch vorab erfolgendes Einstellen einer festen Größe und Form der Öffnung des Lochabschnitts, eine Variation der Öffnung jeweiliger Lochabschnitte verkleinert werden, wenn mehrere optische Halbleiterbauteile hergestellt werden. D. h., dass die Variation der Größe des Teils des gegenüber dem Lochabschnitt freiliegenden Teils des Siliconharzabschnitts verkleinert wird, und beim Senden oder Empfangen kann eine vorgegebene Lichtmenge erhalten werden.
  • Darüber hinaus beinhaltet das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils das Folgende:
    • – einen ersten Schritt zum Bedecken eines Abschnitts, der den Lichtempfang oder die Lichtemission eines optischen Halbleiterelements ausführt, auf einem Leiterrahmen durch einen Siliconharzabschnitt;
    • – einen zweiten Schritt zum Herstellen eines Lochabschnitts, der einen Teil des Siliconharzabschnitts freilegt und gleichzeitig den anderen Teil desselben und das optische Halbleiterelement mit einem ersten Gießharzabschnitt einschließt; und
    • – einen dritten Schritt zum Einschließen des Teils des Siliconharzabschnitts und zumindest eines Teils des ersten Gießharzabschnitts durch einen zweiten Gießharzabschnitt.
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils werden, während der Lochabschnitt ausgebildet wird, der den Teil des Siliconharzabschnitts freilegt, der andere Teil des Siliconharzabschnitts und das optische Halbleiterelement durch den ersten Gießharzabschnitt eingeschlossen. Daher kann die Größe des Teils des Siliconharzabschnitts durch den Lochabschnitt definiert werden. Dann kann, durch vorab erfolgendes Einstellen einer festen Größe und Form der Öffnung des Lochabschnitts, eine Variation der Öffnung aller Lochabschnitte verkleinert werden, wenn mehrere optische Halbleiterbauteile hergestellt werden. D. h., dass eine Variation der Größe des Teils des durch den Lochabschnitt freigelegten Siliconharzabschnitts verkleinert wird und beim Senden oder Empfangen eine vorgegebene Lichtmenge erhalten werden kann.
  • Darüber hinaus kann, da der Teil des Siliconharzabschnitts nicht durch den ersten Gießharzabschnitt sondern nur den zweiten Gießharzabschnitt eingeschlossen ist, das Streuen von Licht im ersten Gießharzabschnitt verringert werden. D. h., es kann ein optischer Pfad erzeugt werden, der nicht durch den ersten Gießharzabschnitt verläuft.
  • Darüber hinaus weist beim optischen Halbleiterbauteil einer Ausführungsform der Leiterrahmen Folgendes auf:
    • – einen Kopfabschnitt, an dem das optische Halbleiterelement angebracht ist; und
    • – einen Durchlassabschnitt, in dem ein Durchlassbereich zum Einfüllen eines Harzes von außerhalb in einen Bereich, in dem ein innerer Harzabschnitt und ein äußerer Harzabschnitt, die den Kopfabschnitt einschließen, ausgebildet sind, ausgebildet ist;
    • – wobei der Durchlassabschnitt eine Doppelstruktur mit zwei ersten Durchlasselementen, die den Durchlassbereich mit einem vorgegebenen Intervall umgeben, und zwei zweite Durchlasselemente, die weiter die zwei ersten Durchlasselemente an einer Außenseite umgeben, aufweist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der Ausführungsform wird es möglich, den inneren Harzabschnitt dadurch herzustellen, dass das Primärharz aus dem Durchlassbereich eingefüllt wird, der zwischen die ersten Durchlasselemente und den Durchlassbereich eingefügt ist, und anschließend den äußeren Harzabschnitt dadurch herzustellen, dass das Sekundärharz aus dem Durchlassbereich eingefüllt ist, der zwischen die zweiten Durchlasselemente des Durchlassabschnitts eingefügt ist, in dem beim Herstellen des den Kopfabschnitt umgehenden inneren Harzabschnitts die ersten Durchlasselemente entfernt werden. Daher kann ein Leiterrahmen bereitgestellt werden, bei dem sich das Primärharz im äußeren Harzabschnitt in der Nachbarschaft des Durchlassabschnitts selbst dann nicht aufrollt, wenn ein Gehäuse vorliegt, das kein Einschließen mit Harz gemäß dem Durchlasstyp erlaubt, und der für ein optisches Halbleiterbauteil für optische Kommunikationsvorgänge optimal ist.
  • Darüber hinaus ist ein nicht zur Erfindung gehöriger Leiterrahmen mit Folgendem versehen:
    • – einem Kopfabschnitt, an dem das optische Halbleiterelement angebracht ist; und
    • – einem Durchlassabschnitt, in dem ein Durchlassbereich zum Einfüllen eines Harzes von außerhalb in einen Bereich, in dem ein innerer Harzabschnitt und ein äußerer Harzabschnitt, die den Kopfabschnitt einschließen, ausgebildet sind, ausgebildet ist;
    • – wobei der Durchlassabschnitt eine Doppelstruktur mit zwei ersten Durchlasselementen, die den Durchlassbereich mit einem vorgegebenen Intervall umgeben, und zwei zweite Durchlasselemente, die weiter die zwei ersten Durchlasselemente an einer Außenseite umgeben, aufweist.
  • Gemäß diesem Leiterrahmen wird es möglich, den inneren Harzabschnitt dadurch herzustellen, dass das Primärharz vom Durchlassbereich her eingefüllt ist, der zwischen die ersten Durchlasselemente des Durchlassbereichs eingefügt ist, und danach den äußeren Harzabschnitt dadurch herzustellen, dass das Sekundärharz vom Durchlassbereich her eingefüllt ist, der zwischen die zweiten Durchlasselemente des Durchlassabschnitts eingefügt ist, in dem beim Herstellen des den Kopfabschnitt umgebenden inneren Harzabschnitts die ersten Durchlasselemente entfernt werden. Daher kann ein Leiterrahmen bereitgestellt werden, bei dem sich das Primärharz im äußeren Harzabschnitt in der Nachbarschaft des Durchlassabschnitts selbst dann nicht aufrollt, wenn ein Gehäuse vorliegt, das kein Einschließen mit Harz gemäß dem Durchlasstyp erlaubt, und der für ein optisches Halbleiterbauteil für optische Kommunikationsvorgänge optimal ist.
  • Darüber hinaus ist der Leiterrahmen mit Folgendem versehen:
    • – einem ersten Verbindungssteg, der so vorhanden ist, dass er einen ersten Gießbereich umgibt, wo der innere Harzabschnitt ausgebildet ist, mit Ausnahme des aus dem Durchlassabschnitt bestehenden Durchlassbereichs; und
    • – einem zweiten Verbindungssteg, der so vorhanden ist, dass er einen zweiten Gießbereich umgibt, wo der äußere Harzabschnitt ausgebildet ist, der eine Außenseite des ersten Verbindungsstegs und den inneren Harzabschnitt umgibt.
  • Gemäß diesem Leiterrahmen ist der zweite Gießbereich, in dem der den Kopfabschnitt umgebende innere Harzabschnitt hergestellt wird, durch den ersten Verbindungssteg umgeben, so dass verhindert werden kann, dass an den Zuleitungsanschlüssen, den Rippenabschnitten usw. beim Herstellen des inneren Harzabschnitts ein Harzspritzer auftritt, und es kann verhindert werden, dass das Primärharz um die zweiten Verbindungsstege, die Zuleitungsanschlüsse, die Rippenabschnitte usw. fließt, wenn der äußere Harzabschnitt hergestellt wird. Der gesamte Umfang des ersten Gießbereichs ist nicht durch nur den ersten Verbindungssteg umgeben, sondern er ist durch den ersten Verbindungssteg, die Zuleitungsanschlüsse und die Rippenabschnitte, die einen zusammenhängenden Bereich bilden, umgeben. Darüber hinaus ist der Gesamtumfang des zweiten Gießbereichs nicht durch nur den zweiten Verbindungssteg umgeben, sondern der zweite Gießbereich ist durch den zweiten Verbindungssteg, die Zuleitungsanschlüsse und die Rippenabschnitte, die einen kontinuierlichen Bereich bilden, umgeben.
  • Darüber hinaus weist der Leiterrahmen Folgendes auf:
    • – einen Stützstift, der den Kopfabschnitt und/oder den inneren Leiterabschnitt mit dem ersten Verbindungssteg verbindet.
  • Gemäß dem Leiterrahmen kann der Kopfabschnitt und/oder der innere Leiterabschnitt durch den Stützstift gehalten werden, so dass dieser Abschnitt beim Diebonden oder Drahtbonden an den Kopfabschnitt des Halbleiterelements nicht verformbar gemacht werden kann.
  • Darüber hinaus ist ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils vom Doppelvergusstyp unter Verwendung eines der oben beschriebenen Leiterrahmens, das Folgendes beinhaltet:
    • – einen Schritt zum Anbringen des optischen Halbleiterelements am Kopfabschnitt des Leiterrahmens; einen Primärgießprozess zum Herstellen des inneren Harzabschnitts, der den Kopfabschnitt bedeckt, an dem das optische Halbleiterelement angebracht ist, durch Einfüllen eines Harzes aus dem Durchlassbereich, der zwischen die ersten Durchlasselemente des Leiterrahmens eingefügt ist;
    • – einen Entfernungsschritt zum Entfernen eines Harzgrats des inneren Harzabschnitts und der ersten Durchlasselemente des Leiterrahmens nach dem Primärgießprozess; und
    • – einen Sekundärgießprozess zum Herstellen des äußeren Harzabschnitts, der den inneren Harzabschnitt umgibt, durch Einfüllen eines Harzes aus dem Durchlassbereich, der zwischen die zweiten Durchlasselemente des Leiterrahmens eingefügt ist, nach dem Entfernungsschritt.
  • Gemäß dem Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils entsprechend dieser Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem das Auftreten eines Harzspritzers oder dergleichen an den äußeren Anschlüssen und den Rippenabschnitten verhindert werden kann, und bei dem sich das Primärharz im Sekundärgießabschnitt selbst beim Vorliegen eines Gehäuses nicht aufrollt, das kein Einschließen mit Harz durch den Durchlasstyp oder dergleichen ermöglicht, und das für optische Kommunikationsvorgänge geeignet ist.
  • Darüber hinaus wird beim Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer Ausführungsform der Leiterrahmen mit einem ersten Verbindungssteg in solcher Weise versehen, dass ein Primärgießbereich umgeben ist, in dem der innere Harzabschnitt hergestellt wird, unter Ausschluss des aus dem Durchlassabschnitt bestehenden Durchlassbereichs; und
    • – wobei das Verfahren einen Schritt beinhaltet, gemäß dem der erste Verbindungssteg des Leiterrahmens nach dem Primärgießprozess und vor dem Sekundärgießprozess ausgestanzt wird.
  • Gemäß dem Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils entsprechend dieser Ausführungsform kann durch Ausstanzen des ersten Verbindungsstegs des Leiterrahmens nach dem Primärgießprozess und vor dem Sekundärgießprozess ein beim Primärgießprozess auftretender Harzspritzer gemeinsam mit dem ersten Verbindungssteg entfernt werden.
  • Darüber hinaus wird beim Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer Ausführungsform ein Stützstift, der den Kopfabschnitt mit dem ersten Verbindungssteg verbindet, im Schritt des Ausstanzens des ersten Verbindungsstegs des Leiterrahmens ausgestanzt.
  • Gemäß dem Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils entsprechend dieser Ausführungsform liegt der Stützstift nicht ausgehend vom äußeren Harzabschnitt nach außen hin frei, wenn der Sekundärgießprozess abgeschlossen ist, und daher dringen keine Feuchtigkeit und dergleichen vom freigelegten Abschnitt her ein, und die Zuverlässigkeit kann verbessert werden.
  • Darüber hinaus weist eine nicht zur Erfindung gehörige elektronische Einrichtung Folgendes auf:
    • – das optische Halbleiterbauteil unter Verwendung des Leiterrahmens oder das durch das Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils hergestellte optische Halbleiterbauteil.
  • Gemäß dieser elektronischen Einrichtung kann eine elektronische Einrichtung mit hoher Leistungsfähigkeit und hoher Zuverlässigkeit dadurch geschaffen, dass das optische Halbleiterbauteil mit zufriedenstellenden Eigenschaften unter Verwendung des Leiterrahmens verwendet wird.
  • Darüber hinaus ist die elektronische Einrichtung dadurch gekennzeichnet, dass sie eines der optischen Halbleiterbauteile enthält.
  • Gemäß der elektronischen Einrichtung kann eine billige elektronische Einrichtung hoher Qualität unter Verwendung des optischen Halbleiterbauteils mit hoher Zuverlässigkeit und einer zufriedenstellenden Qualität der optischen Transmission hergestellt werden.
  • Die Erfindung wird aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen, die nur zur Veranschaulichung angegeben werden und demgemäß die Erfindung nicht einschränken sollen, vollständiger verständlich werden. In den Figuren ist Folgendes dargestellt:
  • 1 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer fünften Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 3 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 4 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer siebten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 5 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer achten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 6 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer neunten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 7 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer zehnten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 8 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer dreizehnten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 9 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer fünfzehnten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 10 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer sechzehnten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 11 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer siebzehnten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 12 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer achtzehnten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 13 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer neunzehnten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 14 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer zwanzigsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 15 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer einundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 16 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer zweiundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 17 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer dreiundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 18 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer vierundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 19 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer fünfundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 20 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Ausführungsform eines optischen Halbleiterbauteils gemäß einer sechsundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 21A ist eine Schnittansicht eines anderen optischen Halbleiterbauteils;
  • 21B ist eine Draufsicht eines ersten Gießharzabschnitts;
  • 22A ist eine Schnittansicht eines anderen optischen Halbleiterbauteils;
  • 22B ist eine Draufsicht eines ersten Gießharzabschnitts;
  • 23A ist eine Skizze eines Leiterrahmens;
  • 23B ist eine Skizze des Leiterrahmens;
  • 24A ist ein erstes Prozessdiagramm zum Erläutern eines Verfahrens zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils unter Verwendung des Leiterrahmens;
  • 24B ist ein zweiten Prozessdiagramm zum Erläutern eines Verfahrens zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils unter Verwendung des Leiterrahmens;
  • 24C ist ein drittes Prozessdiagramm zum Erläutern eines Verfahrens zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils unter Verwendung des Leiterrahmens;
  • 24D ist ein viertes Prozessdiagramm zum Erläutern eines Verfahrens zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils unter Verwendung des Leiterrahmens;
  • 25 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24A dargestellten Herstellprozesses;
  • 26 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24B dargestellten Herstellprozesses;
  • 27 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24C dargestellten Herstellprozesses;
  • 28 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24D dargestellten Herstellprozesses;
  • 29A ist eine Skizze eines optischen Halbleiterelements mit einer Montagerippe;
  • 29B ist eine Skizze eines optischen Halbleiterbauteils mit zwei Montagerippen;
  • 30 ist ein Blockdiagramm, das eine elektronische Einrichtung zeigt;
  • 31 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils zeigt, das ein herkömmliches, typisches transparentes Harz verwendet;
  • 32 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils zeigt, das ein herkömmliches typisches Harz mit eingeschlossenem Füllstoff verwendet; und
  • 33 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch den Aufbau eines optischen Halbleiterbauteils zeigt, das eine herkömmliche typische Harzeinschließtechnik verwendet.
  • Nachfolgend werden erfindungsgemäße optische Halbleiterbauteile mittels den in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen beschrieben.
  • ERSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 1 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der ersten Ausführungsform der Erfindung.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der ersten Ausführungsform, wie es in der 1 dargestellt ist, werden ein optisches Halbleiterelement 2 und ein Chip 5 eines integrierten Schaltkreises zum Kontrollieren der Ansteuerung des optischen Halbleiterelements 2 durch eine leitende Klebepaste 3 durch Ankleben auf einem Leiterrahmen 1 montiert. Dann wird das optische Halbleiterelement 2 mit einem Siliconharz mit Kältebeständigkeit beschichtet, um einen Siliconharzabschnitt 13 auszubilden. Das optische Halbleiterelement 2, der Siliconharzabschnitt 13 und der Chip 5 eines integrierten Schaltkreises werden durch einen ersten Gießharzabschnitt 14 aus einem durchscheinenden Gießharz eingeschlossen, und der Außenumfangsabschnitt des ersten Gießharzabschnitts 14 wird durch einen zweiten Gießharzabschnitt 15 aus einem durchscheinenden Gießharz mit hohem Transmissionsvermögen, abweichend vom ersten Gießharzabschnitt, eingeschlossen. Durch diese Anordnung bildet das optische Halbleiterbauteil eine zweischichtige Gießstruktur. Das optische Halbleiterelement 2 und ein optisches Faserkabel 11 werden durch eine im zweiten Gießharzabschnitt 15 ausgebildete Linse 10 optisch miteinander gekoppelt. Darüber hinaus werden das optische Halbleiterelement 2 und der Leiterrahmen 1 über einen Draht 4 elektrisch miteinander verbunden.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der ersten Ausführungsform ist der Linearexpansionskoeffizient α1 des ersten Gießharzabschnitts 14 kleiner als der Linearexpansionskoeffizient α2 des zweiten Gießharzabschnitts 15 gemacht. Bei dieser Anordnung kann der Unterschied der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 14, dem Leiterrahmen 1 und dem optischen Halbleiterelement 2 verringert werden, und Schwierigkeiten einer Abtrennung des Bonddrahts und einer Gehäuserissbildung und dergleichen aufgrund thermischer Spannungen können durch eine einfache Konstruktion verhindert werden. Daher kann ein hoch zuverlässiges optisches Halbleiterbauteil mit zufriedenstellender Qualität der optischen Transmission kompakt und billig hergestellt werden.
  • Darüber hinaus kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem die auf den angebondeten Draht wirkenden Spannungen dank der Elastizität des Siliconharzabschnitts 13 verringert werden können, wobei diese Elastizität selbst bei niedriger Temperatur erhalten bleibt, da das optische Halbleiterelement 2 mit dem Siliconharzabschnitt 13 bedeckt ist, der über eine hohe Kältebeständigkeit verfügt, und es zeigt eine höhere Zuverlässigkeit.
  • Darüber hinaus ist das Transmissionsvermögen des ersten Gießharzabschnitts 14 kleiner als dasjenige des zweiten Gießharzabschnitts 15. Daher kann die Brechung von äußerem Störungslicht im ersten Gießharzabschnitt 14 verringert werden, und das Signal/Rauschsignal-Verhältnis kann verbessert werden. Darüber hinaus kann das Streuen von Licht im ersten Gießharzabschnitt 14 verringert werden, und die Effizienz des Empfangs oder Sendens kann verbessert werden.
  • Darüber hinaus ist das Transmissionsvermögen des Siliconharzabschnitts 13 größer als dasjenige des ersten Gießharzabschnitts 14 und dasjenige des zweiten Gießharzabschnitts 15. Daher zeigt der Siliconharzabschnitt 13 eine hervorragende Lichtdurchlässigkeit (Durchscheineigenschaft oder Transparenz), und er zeigt ferner verringerte Verluste hinsichtlich der Lichtmenge im Vergleich zum ersten Gießharzabschnitt 14 und zum zweiten Gießharzabschnitt 15.
  • ZWEITE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Als Nächstes verfügt das optische Halbleiterbauteil der zweiten Ausführungsform der Erfindung über denselben Aufbau wie das optische Halbleiterbauteil der ersten Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten Gießharzabschnitts, weswegen entsprechend auf die 1 Bezug zu nehmen ist.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der zweiten Ausführungsform ist für den ersten Gießharzabschnitt 14 ein mit einem Füllstoff (z. B. spezielles Siliciumoxid) gefülltes Gießharz verwendet, und das Füllgewicht des Füllstoffs des zu verwendenden Gießharzes wird so eingestellt, dass die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des Leiterrahmens 1 und dem Linearexpansionskoeffizienten α1 des ersten Gießharzabschnitts 14 0 bis 6,0 × 10–5 wird.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der zweiten Ausführungsform kann ein optische Halbleiterbauteil hergestellt werden, das die Schwierigkeiten der Abtrennung des Drahts 4 und der Abtrennung des optischen Halbleiterelements 2 und des Chips 5 des integrierten Schaltkreises, hervorgerufen durch die Abtrennung zwischen dem Leiterrahmen 1 und dem Gießharzabschnitt 14 aufgrund thermischer Spannungen, verringern kann, und das eine höhere Zuverlässigkeit zeigt.
  • Die Bedingung, dass die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des Leiterrahmens 1 und dem Linearexpansionskoeffizienten α1 des ersten Gießharzabschnitts 14 beim optischen Halbleiterbauteil der zweiten Ausführungsform auf 0 bis 6,0 × 10–5 eingestellt wird, kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der dritten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • DRITTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Als Nächstes verfügt das optische Halbleiterbauteil der dritten Ausführungsform der Erfindung über denselben Aufbau wie das optische Halbleiterbauteil der ersten Ausführungsform, mit Ausnahme des zweiten Gießharzabschnitts, und daher sollte entsprechend auf die 1 Bezug genommen werden.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der dritten Ausführungsform wird die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten α1 des ersten Gießharzabschnitts 14 und dem Linearexpansionskoeffizienten α2 des zweiten Gießharzabschnitts 15 auf 0 bis 6,0 × 10–5 eingestellt.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der dritten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, das die Schwierigkeiten der Feuchtigkeitsbeständigkeit usw. aufgrund einer Harzgrenzflächenabtrennung verringern kann, die durch eine Differenz der Wärmekontraktion zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 14 und dem zweiten Gießharzabschnitt 15 hervorgerufen wird, und das über hohe Zuverlässigkeit verfügt.
  • Die Bedingung, dass die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des ersten Gießharzabschnitts und demjenigen des zweiten Gießharzabschnitts beim optischen Halbleiterbauteil der dritten Ausführungsform auf 0 bis 6,0 × 10–5 eingestellt wird, kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der zweiten und vierten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • VIERTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Als Nächstes verfügt das optische Halbleiterbauteil der vierten Ausführungsform der Erfindung über denselben Aufbau wie die erste Ausführungsform, mit Ausnahme der Materialien des ersten und des zweiten Gießharzabschnitts, und es sollte entsprechend auf die 1 Bezug genommen werden.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der vierten Ausführungsform ist als durchscheinendes Gießharz für den ersten und den zweiten Gießharzabschnitt 14 und 15 ein Epoxyharz mit Phenolhärtung mit hoher Glasübergangstemperatur Tg und schneller Härtung verwendet.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der vierten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil kompakt und billig hergestellt werden, das den Linearexpansionskoeffizienten, die Wärmeleitfähigkeit und das Transmissionsvermögen leicht kontrollieren kann, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission sowie hohe Zuverlässigkeit verfügt.
  • Für den ersten und den zweiten Gießharzabschnitt kann anstelle des Epoxyharzes mit Phenolhärtung ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet werden, und auch in diesem Fall kann ein ähnlicher Effekt erzeugt werden. Darüber hinaus kann das optische Halbleiterbauteil der vierten Ausführungsform bei den optischen Halbleiterbauteilen der zweiten und dritten Ausführungsform angewandt werden.
  • FÜNFTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 2 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der fünften Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der fünften Ausführungsform der Erfindung verfügt über denselben Aufbau wie die erste Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten und des zweiten Gießharzabschnitts, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass für sie eine Beschreibung erfolgen würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der fünften Ausführungsform ist, wie es in der 2 dargestellt ist, für einen ersten Gießharzabschnitt 16 ein Epoxyharz mit Phenolhärtung mit einem kleinen Linearexpansionskoeffizienten α1 und hohem Transmissionsvermögen, gefüllt mit einem transparenten Füllstoff 18, verwendet, und für einen zweiten Gießharzabschnitt 17 ist ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, das über hohes Transmissionsvermögen verfügt und nicht mit einem Füllstoff gefüllt ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der fünften Ausführungsform kann ein optische Halbleiterbauteil mit zufriedenstellender Qualität der optischen Transmission und hoher Zuverlässigkeit kompakt und billig hergestellt werden.
  • Das optische Halbleiterbauteil der fünften Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der zweiten und der dritten Ausführungsform angewandt werden.
  • SECHSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 3 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der sechsten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der sechsten Ausführungsform der Erfindung weist denselben Aufbau wie die fünfte Ausführungsform auf, mit Ausnahme des zweiten Gießharzabschnitts, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass dafür eine Beschreibung angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der sechsten Ausführungsform ist, wie es in der 3 dargestellt ist, für den ersten Gießharzabschnitt 16 ein Epoxyharz mit Phenolhärtung mit hohem Transmissionsvermögen und einem kleinen Linearexpansionskoeffizienten α1, gefüllt mit einem transparenten Füllstoff 18, verwendet, und für einen zweiten Gießharzabschnitt 19 ist ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung mit hohem Transmissionsvermögen und einem kleinen Linearexpansionskoeffizienten, gefüllt mit einem transparenten Füllstoff 18' verwendet.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der sechsten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, das Schwierigkeiten hinsichtlich der Feuchtigkeitsbeständigkeit usw., hervorgerufen durch eine Harzgrenzflächenabtrennung aufgrund thermischer Spannungen durch Verringern der Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 16 und dem zweiten Gießharzabschnitt 19, verringern kann und das über eine höhere Zuverlässigkeit verfügt.
  • SIEBTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 4 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der siebten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der siebten Ausführungsform der Erfindung verfügt über denselben Aufbau wie die sechste Ausführungsform, mit Ausnahme des zweiten Gießharzabschnitts, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass dafür eine Beschreibung erfolgen würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der siebten Ausführungsform ist, wie es in der 4 dargestellt ist, für den zweiten Gießharzabschnitt 20 ein Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet, bei dem das Füllgewicht des transparenten Füllstoffs 18' kleiner als das im ersten Gießharzabschnitt 16 ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der siebten Ausführungsform kann die Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 16 und dem zweiten Gießharzabschnitt 20 weiter verringert werden, und das Auftreten einer Harzgrenzflächenabtrennung aufgrund thermischer Spannungen kann unter Verwendung eines Epoxyharzes mit Phenolhärtung für den ersten Gießharzabschnitt 16 verringert werden, wobei dieses Harz über ein hohes Transmissionsvermögen und einen kleinen Linearexpansionskoeffizienten α1 verfügt und es mit dem transparenten Füllstoff 18 gefüllt ist. Darüber hinaus verfügt das für den ersten und den zweiten Gießharzabschnitt 16 und 20 verwendete Epoxyharz mit Phenolhärtung über eine Härtungsgeschwindigkeit, die höher als die eines Epoxyharzes mit Phenolhärtung ist. Daher kann ein optisches Halbleiterbauteil, bei dem die Einschließzeit verkürzt werden kann und das eine hohe Zuverlässigkeit aufweist, billig hergestellt werden.
  • ACHTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 5 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der achten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der achten Ausführungsform der Erfindung verfügt über denselben Aufbau wie die fünfte Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten Gießharzabschnitts, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, und es erfolgt keine Beschreibung zu ihnen.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der siebten Ausführungsform ist, wie es in der 5 dargestellt ist, für den ersten Gießharzabschnitt 21 ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, das über ein hohes Transmissionsvermögen und einen kleinen Linearexpansionskoeffizienten α1 verfügt und das mit einem transparenten Füllstoff 18 gefüllt ist, und für den zweiten Gießharzabschnitt 17 ist ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet, das über ein hohes Transmissionsvermögen verfügt und nicht mit einem Füllstoff gefüllt ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der achten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil mit einer zufriedenstellenden Qualität des optischen Transmissionsvermögens sowie hoher Zuverlässigkeit kompakt und billig hergestellt werden.
  • Das optische Halbleiterbauteil der achten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten und dritten Ausführungsform angewandt werden.
  • NEUNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 6 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der neunten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der neunten Ausführungsform der Erfindung verfügt über denselben Aufbau wie die sechste Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten Gießharzabschnitts, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, und es erfolgt keine Beschreibung zu ihnen.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der neunten Ausführungsform ist, wie es in der 6 dargestellt ist, für den zweiten Gießharzabschnitt 19 ein mit einem transparenten Füllstoff 18' gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet. Das Füllgewicht des Füllstoffs, mit dem der zweite Gießharzabschnitt 19 gefüllt ist, ist auf 75% oder weniger desjenigen des Füllstoffs, mit dem der erste Gießharzabschnitt 21 gefüllt ist, eingestellt.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der neunten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem die Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 21 und dem zweiten Gießharzabschnitt 19 verringert werden kann und Schwierigkeiten der Feuchtigkeitsbeständigkeit usw. verringert werden können, zu denen es durch eine Harzgrenzflächenabtrennung aufgrund thermischer Spannungen kommt, und das über eine höhere Zuverlässigkeit verfügt, da für den ersten Gießharzabschnitt 21 das Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist, das über ein hohes Transmissionvermögen und einen kleinen Linearexpansionskoeffizienten α1 verfügt und mit dem transparenten Füllstoff 18 gefüllt ist.
  • ZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 7 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der zehnten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der zehnten Ausführungsform der Erfindung verfügt über denselben wie die neunte Ausführungsform, mit Ausnahme des zweiten Gießharzabschnitts, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass für sie eine Beschreibung angegeben wird.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der zehnten Ausführungsform ist, wie es in der 6 dargestellt ist, für den zweiten Gießharzabschnitt 20 ein Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet, bei dem das Füllgewicht des transparenten Füllstoffs 18' kleiner als das im ersten Gießharzabschnitt 21 ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der zehnten Ausführungsform ist die Differenz der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 21 und dem zweiten Gießharzabschnitt 20 verringert, und das Auftreten einer Harzgrenzflächenabtrennung aufgrund thermischer Spannungen kann dadurch verringert werden, dass für den ersten Gießharzabschnitt 21 das Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet wird, das über ein hohes Transmissionsvermögen und einen kleinen Linearexpansionskoeffizienten α1 verfügt und mit dem transparenten Füllstoff gefüllt ist.
  • Darüber hinaus kann, da die Härtung des für den zweiten Gießharzabschnitt 20 verwendeten Epoxyharzes mit Phenolhärtung schneller als die des Epoxyharzes mit Säureanhydridhärtung abläuft, ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem die Einschließzeit verkürzt werden kann und das über hohe Zuverlässigkeit verfügt.
  • ELFTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Als Nächstes verfügt das optische Halbleiterbauteil der elften Ausführungsform der Erfindung über denselben Aufbau wie das optische Halbleiterbauteil der fünften Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten Gießharzabschnitts, und es sollte entsprechend auf die 2 Bezug genommen werden.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der elften Ausführungsform wird das Füllgewicht des transparenten Füllstoffs, mit dem der erste Gießharzabschnitt 16 gefüllt ist, auf den Bereich von 20 bis 80 Gewichtsprozent kontrolliert.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der elften Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil kompakt und billig hergestellt werden, bei dem der Linearexpansionskoeffizient α1 des ersten Gießharzabschnitts 16 verringert sein kann, die Wärmeleitfähigkeit bei hohem Transmissionsvermögen aufrecht erhalten ist, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit verfügt.
  • Die Bedingung des Füllgewichts des transparenten Füllstoffs des optischen Halbleiterbauteils der elften Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der sechsten bis zehnten Ausführungsform sowie der zwölften bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • ZWÖLFTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Als Nächstes verfügt das optische Halbleiterbauteil der zwölften Ausführungsform der Erfindung über denselben Aufbau wie das optische Halbleiterbauteil der fünften Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten Gießharzabschnitts, und es sollte entsprechend auf die 2 Bezug genommen werden.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der zwölften Ausführungsform ist ein transparenter Füllstoff verwendet, dessen Brechungsindex nahe an den des ersten Gießharzabschnitts 16, der mit dem Füllstoff zu füllen ist, gebracht ist.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der zwölften Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil hergestellt werden, bei dem die Schwächung eines optischen Signals aufgrund einer Streuung verringert werden kann, die dem transparenten Füllstoff im Gießharz zuzuschreiben ist, und das über eine zufriedenstellendere Qualität der optischen Transmission verfügt.
  • Der transparente Füllstoff des optischen Halbleiterbauteils der zwölften Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der sechsten bis elften Ausführungsform sowie der dreizehnten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • DREIZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 8 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der dreizehnten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform der Erfindung verfügt über denselben Aufbau wie die neunte Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten und des zweiten Gießharzabschnitts, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, wobei für sie keine Beschreibung angegeben ist.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform sind, wie es in der 8 dargestellt ist, die Formen der transparenten Füllstoffe 22 und 22', mit denen der erste bzw. der zweite Gießharzabschnitt 16 und 19 gefüllt sind, kugelförmig gemacht.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform können die optischen Signalübertragungspfade im ersten und zweiten Gießharzabschnitt 16 und 19 durch die kugelförmigen, transparenten Füllstoffe 22 und 22' stabilisiert werden, und Spannungsschäden (Füllstoffeinwirkungen) am Halbleiterbauteil aufgrund der Füllstoffe können verringert werden. Daher kann ein optisches Halbleiterbauteil mit einer zufriedenstellenden Qualität des optischen Transmissionsvermögens und mit hoher Zuverlässigkeit hergestellt werden.
  • Darüber hinaus ist es wünschenswerter, die Korngröße der kugelförmigen Füllstoffe zu vereinheitlichen.
  • Das optische Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der sechsten bis achten sowie der zehnten bis zwölften Ausführungsform und der vierzehnten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden, und es kann auch beim ersten Gießharzabschnitt der fünften Ausführungsform angewandt werden.
  • VIERZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Als Nächstes verfügt das optische Halbleiterbauteil der vierzehnten Ausführungsform der Erfindung über denselben Aufbau wie das optische Halbleiterbauteil der ersten Ausführungsform, mit Ausnahme des ersten und des zweiten Gießharzabschnitts, und es sollte entsprechend auf die 1 Bezug genommen werden.
  • Das optische Halbleiterbauteil der vierzehnten Ausführungsform der Erfindung beruht auf dem optische Halbleiterbauteil der ersten Ausführungsform, bei dem der erste und der zweite Gießharzabschnitt 14 und 15 einen Farbstoff enthalten, der Licht mit kürzerer Wellenlänge (nicht länger als 400 nm) ausblendet, als es der Lichtempfangswellenlänge oder der Lichtemissionswellenlänge des optischen Halbleiterelements 2 entspricht. In diesem Fall bedeutet ”Farbstoff” ein Licht absorbierendes Mittel, das Licht einer speziellen Wellenlänge absorbiert.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der vierzehnten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem optische Störsignale von außen durch den im ersten und zweiten Gießharzabschnitt 14 und 16 enthaltenen Farbstoff verringert werden können, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit, frei von Fehlfunktionen, verfügt.
  • Es ist akzeptierbar, dafür zu sorgen, dass vom ersten und zweiten Gießharzabschnitt 14 und 15 mindestens einer einen Farbstoff enthält, der Licht mit der kürzeren Wellenlänge (nicht länger als 400 nm) ausblendet. Darüber hinaus können der erste und der zweite Gießharzabschnitt, die den Farbstoff beim optischen Halbleiterbauteil der vierzehnten Ausführungsform enthalten, bei den optischen Halbleiterbauteilen der zweiten bis dreizehnten Ausführungsform sowie der fünfzehnten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • FÜNFZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 9 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der fünfzehnten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der fünfzehnten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 8 dargestellte optische Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform, mit Ausnahme einer Vertiefung 23, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass für sie eine Beschreibung angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der fünfzehnten Ausführungsform der Erfindung ist, wie es in der 9 dargestellt ist, die Vertiefung 23 im ersten Gießharzabschnitt 16 über den Lichtempfangsabschnitt des optischen Halbleiterelements 2 vorhanden. Bei dieser Anordnung ist die Dicke des ersten Gießharzabschnitts 16 über dem Lichtempfangsabschnitt des optischen Halbleiterelements 2 so dünn wie möglich in Bezug auf den anderen Abschnitt gemacht (die Dicke des ersten Gießharzabschnitt 16 ist nicht größer als 200 μm).
  • Normalerweise beträgt die Höhe des an das optische Halbleiterelement gebondeten Drahts 4 ungefähr 100 bis 200 μm. Daher ist, wenn die Herstelldicke der Metallform für den ersten Gießharzabschnitt 16 insgesamt nicht größer als 200 μm gemacht ist, zu bedenken, dass der Draht 4 in nachteiliger Weise mit der Metallform in Kontakt gelangt und verformt und abgetrennt wird. Jedoch können Eigenschaften einer höheren Qualität der optischen Transmission dann erzielt werden, wenn die Dicke des ersten Gießharzabschnitts 16 so dünn wie möglich gemacht wird. Daher kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem die Streuung von Licht aufgrund des Füllstoffs im ersten Gießharzabschnitt 16 dadurch verringert werden kann, dass die Dicke nur des Abschnitts über dem Lichtempfangsabschnitt, wo der Draht 4 nicht vorhanden ist, so dünn wie möglich gemacht wird (nicht größer als 200 μm), und das eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission und hohe Zuverlässigkeit aufweist.
  • Der Aufbau, bei dem die Dicke des ersten Gießharzabschnitts des optischen Halbleiterbauteils der fünfzehnten Ausführungsform dadurch verringert ist, dass diese Vertiefung angebracht ist, kann bei der fünften bis zwölften sowie der vierzehnten Ausführungsform, bei denen der erste Gießharzabschnitt mit dem Füllstoff gefüllt ist, und bei der sechsten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • SECHZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 10 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der sechzehnten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der sechzehnten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 9 dargestellte optische Halbleiterbauteil der fünfzehnten Ausführungsform, mit Ausnahme der Seitenwand der Vertiefung 23, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, und für sie wird keine Beschreibung angegeben.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der fünfzehnten Ausführungsform der Erfindung ist an der Seitenwand der Vertiefung 23, die im ersten Gießharzabschnitt 16 über dem Lichtempfangsabschnitt oder dem Lichtemissionsabschnitt des optischen Halbleiterelements 2 vorhanden ist, eine Verjüngung 24 vorhanden.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der sechzehnten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, das auf effiziente Weise Sendelicht oder Empfangslicht durch die Verjüngung 24 sammeln kann, die an der Seitenwand der Vertiefung 23 des ersten Gießharzabschnitts 16 vorhanden ist, und das über eine zufriedenstellendere Qualität der optischen Transmission verfügt.
  • SIEBZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 11 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der siebzehnten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der siebzehnten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 8 dargestellte optische Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform, mit der Ausnahme des Siliconharzabschnitts 13, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass eine Beschreibung für sie angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der siebzehnten Ausführungsform der Erfindung ist der Siliconharzabschnitt 13, mit dem das optische Halbleiterelement 2 beschichtet ist, nicht durch den ersten Gießharzabschnitt 16 eingeschlossen, sondern er ist durch den zweiten Gießharzabschnitt 19 eingeschlossen. D. h., dass der Siliconharzabschnitt 13 und der zweite Gießharzabschnitt 19 durch einen Klebeabschnitt 25 eng aneinander haften.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der siebzehnten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem im ersten Gießharzabschnitt 16 keine Streuung eines optischen Signals auftritt, da kein optisches Signal durch das Innere des ersten Gießharzabschnitts 16 läuft, und es verfügt über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission. Darüber hinaus wird es möglich, das Füllgewicht des transparenten Füllstoffs 22 im ersten Gießharzabschnitt 16 zu erhöhen.
  • Das optische Halbleiterbauteil der siebzehnten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis sechzehnten Ausführungsform sowie der achtzehnten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • ACHTZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 12 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der achtzehnten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der achtzehnten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 8 dargestellte optische Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform, mit Ausnahme eines transparenten, leitenden Films 26, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass eine Beschreibung für sie angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der achtzehnten Ausführungsform der Erfindung ist zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 16 und dem zweiten Gießharzabschnitt 19 ein transparenter, leitender Film 26 (TiO2, In2O3 oder dergleichen) ausgebildet.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der achtzehnten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, bei dem elektronische Störsignale von außen her durch den transparenten, leitenden Film 26 mit hohem Transmissionsvermögen verringert werden können, und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission, frei von Fehlfunktionen verfügt.
  • Der transparente, leitende Film des optischen Halbleiterbauteils der achtzehnten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis siebzehnten Ausführungsform sowie der neunzehnten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • NEUNZEHNTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 13 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der neunzehnten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der neunzehnten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 8 dargestellte optische Halbleiterbauteil der dreizehnten Ausführungsform, mit Ausnahme eines Licht ausblendenden, leitenden Harzabschnitts 27, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, ohne dass eine Beschreibung für sie angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der neunzehnten Ausführungsform der Erfindung werden ein Graben 21 zum Zuführen des Licht ausblendenden, leitenden Harzes sowie ein Loch 32 für Kontakt mit dem Leiterrahmen 1 hergestellt, wenn der erste Gießharzabschnitt 16 gegossen wird, und ein Oberflächenabschnitt des ersten Gießharzabschnitts 16, mit Ausnahme des Lichtempfangs- oder des Lichtemissionsabschnitts des optischen Halbleiterelements 2 wird mit dem Licht ausblendenden, leitenden Harzabschnitt 27 beschichtet und danach durch den zweiten Gießharzabschnitt 19 eingeschlossen. Es wird darauf hingewiesen, dass eine Wand 28 zum Stoppen des Harzes am ersten Gießharzabschnitt 16 so vorhanden ist, dass der Oberflächenabschnitt des Lichtempfangs- oder des Lichtemissionsabschnitts des optischen Halbleiterelements 2 nicht durch den Licht ausblendenden, leitenden Harzabschnitt 27 bedeckt wird.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der neunzehnten Ausführungsform kann ein optisches Halbleiterbauteil billig hergestellt werden, das elektronische Störsignale und optische Störsignale von außerhalb durch den Licht abschirmenden, leitenden Harzabschnitt 27 verringern kann und das über eine zufriedenstellende Qualität der optischen Transmission, frei von Fehlfunktionen, verfügt.
  • Der Licht abschirmende, leitende Harzabschnitt des optischen Halbleiterbauteils der neunzehnten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis zwölften Ausführungsform, der vierzehnten bis achtzehnten Ausführungsform sowie bei den optischen Halbleiterbauteilen der zwanzigsten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben werden, angewandt werden.
  • ZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 14 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der zwanzigsten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der zwanzigsten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 11 dargestellte optische Halbleiterbauteil der siebzehnten Ausführungsform, mit Ausnahme des Siliconharzabschnitts 13 und des Drahts 40, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass eine Beschreibung für sie angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der zwanzigsten Ausführungsform der Erfindung sind der Leiterrahmen 1 und das optische Halbleiterelement 2 über den Draht 40 mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife elektrisch miteinander verbunden. Der Draht 40 verfügt über einen parallelen Abschnitt 40a ungefähr parallel zur Fläche des Leiterrahmens 1 auf der Seite des optischen Halbleiterelements 2. D. h., dass der Draht 40 im Siliconharzabschnitt 13 über den paralellen Abschnitt 40a verfügt. Der Draht 40 wird dadurch hergestellt, dass z. B. das optische Halbleiterelement 2 einem Primärbondvorgang unterzogen wird und der Leiterrahmen 1 einem Sekundärbondvorgang unterzogen wird.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der zwanzigsten Ausführungsform kann ein Ansteigen des Drahts 40 in vertikaler Richtung in Bezug auf den Leiterrahmen 1 im Siliconharzabschnitt 13 verkleinert werden. Daher wird, wenn dieses optische Halbleiterbauteil hergestellt wird, der Siliconharzabschnitt 13 durch eine Metallform zum Herstellen des ersten Gießharzabschnitts 16 gehalten, und eine Beschädigung des Drahts 40 kann dadurch verhindert werden, dass ein Knicken desselben selbst dann verhindert wird, wenn mechanische Spannungen auf den Siliconharzabschnitt 13 einwirken.
  • Darüber hinaus sind der Leiterrahmen 1 und der Chip 5 des integrierten Schaltkreises über einen anderen Draht 40 elektrisch miteinander verbunden. Daher kann die Dicke B des ersten Gießharzabschnitts 16 durch eine Wechselwirkung mit dem Draht 40, der das optische Halbleiterelement 2 anschließt, dünn gemacht werden, und die Größe und die Dicke des Gehäuses können verringert werden. Es wird darauf hingewiesen, dass der Draht zum Anschließen des Chips 5 des integrierten Schaltkreises nicht ein Draht 40 mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife sein muss.
  • Das optische Halbleiterbauteil der zwanzigsten Ausführungsform kann beim optischen Halbleiterbauteil der ersten bis sechzehnten Ausführungsform sowie der achtzehnten und neunzehnten Ausführungsform und bei den optischen Halbleiterbauteilen der sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben wird, angewandt werden.
  • EINUNDZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 15 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der einundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der einundzwanzigsten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 14 dargestellte optische Halbleiterbauteil der zwanzigsten Ausführungsform, mit Ausnahme eines Drahts 41, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass eine Beschreibung für sie angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der einundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung erstreckt sich ein Draht 41 mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife ausgehend von einem am optischen Halbleiterelement 2 vorhandenen Kontakthöckerabschnitt 41a, und er verfügt über einen parallelen Abschnitt 41b ungefähr parallel zum Leiterrahmen 1.
  • Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des Drahts 41 beschrieben. Zuallererst wird der kugelförmige Kontakthöckerabschnitt 41a an die Elektrode des optischen Halbleiterelements 2 gebondet. Anschließend wird der Leiterrahmen 1 einem Primärbonden unterzogen, und der Kontakthöckerabschnitt 41a wird einem Sekundärbonden unterzogen, um den Draht 41 auszubilden.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der einundzwanzigsten Ausführungsform kann der Draht 41, da er über den Kontakthöckerabschnitt 41a und den parallelen Abschnitt 41b verfügt, zuverlässig mit dem optischen Halbleiterelement 2 verbunden werden, so dass der Draht 41 auf einfache Weise mit kleinem Anstieg hergestellt werden kann. Darüber hinaus kann der parallele Abschnitt 41b des Drahts 41 leicht in einer niedrigen Position (Position nahe dem optischen Halbleiterelement 2) ausgebildet werden.
  • Darüber hinaus toleriert das Bauteil 500 Zyklen oder weniger, wenn der Draht 41 für ein normales optisches Halbleiterbauteil verwendet wird und er einem Wärmezyklustest unter Temperaturbedingungen von –40°C bis +85°C unterzogen wird. Im Gegensatz hierzu kann das Bauteil eine Zuverlässigkeit nicht unter 500 Zyklen gewährleisten, wenn der Draht 41 für das optische Halbleiterbauteil gemäß der Erfindung verwendet wird und es einem Wärmezyklustest bei schwereren Temperaturbedingungen von –40°C bis +105°C unterzogen wird.
  • Das optische Halbleiterbauteil der einundzwanzigsten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis sechzehnten Ausführungsform sowie der achtzehnten und neunzehnten Ausführungsform und dem optischen Halbleiterbauteil der sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben wird, angewandt werden.
  • ZWEIUNDZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 16 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der zweiundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung. Das optische Halbleiterbauteil der zweiundzwanzigsten Ausführungsform verfügt über denselben Aufbau wie das in der 14 dargestellte optische Halbleiterbauteil der zweiundzwanzigsten Ausführungsform, mit Ausnahme eines Drahts 42, und gleiche Komponenten sind mit den gleichen Bezugszahlen gekennzeichnet, ohne dass dafür eine Beschreibung angegeben würde.
  • Beim optischen Halbleiterbauteil der zweiundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung verfügt der Draht 42 mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife über einen am optischen Halbleiterelement 2 liegenden Kugelabschnitt 42a, einen gebogenen Abschnitt 42b, der sich ausgehend vom Kugelabschnitt 42a erstreckt, sowie einen parallelen Abschnitt 42c, der sich ausgehend vom gebogenen Abschnitt 42b erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen 1 verläuft.
  • Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des Drahts 42 beschrieben. Zuallererst wird die Elektrode des optischen Halbleiterelements 2 einem Primärbonden unterzogen, um den Kugelabschnitt 42a auszubilden. Anschließend wird der gebogene Abschnitt 42b hergestellt, ohne dass der Draht zugeschnitten würde, der Draht wird teilweise an der Oberseite des Kugelabschnitts 42a platziert und zusammengedrückt, und der Leiterrahmen 1 wird einem Sekundärbonden unterzogen, um den Draht 42 auszubilden.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der zweiundzwanzigsten Ausführungsform kann, da der Draht 42 über den Kugelabschnitt 42a, den gebogenen Abschnitt 42b und den parallelen Abschnitt 42c verfügt, derselbe zuverlässig mit dem optischen Halbleiterelement 2 verbunden werden, und der Draht 42 kann leicht mit kleinem Ansteigen ausgebildet werden.
  • Das optische Halbleiterbauteil der zweiundzwanzigsten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis sechzehnten Ausführungsform sowie der achtzehnten und neunzehnten Ausführungsform und beim optischen Halbleiterbauteil der sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben wird, angewandt werden.
  • DREIUNDZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 17 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der dreiundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung. Betreffend einen Punkt, der gegenüber dem in der 16 dargestellten optischen Halbleiterbauteil der zweiundzwanzigsten Ausführungsform verschieden ist, ist die Höhe des gebogenen Abschnitts 42b ausgehend vom optischen Halbleiterelement 2 kleiner als die Höhe des parallelen Abschnitts 42c ausgehend vom optischen Halbleiterelement 2 beim optischen Halbleiterbauteil der dreiundzwanzigsten Ausführungsform.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der dreiundzwanzigsten Ausführungsform kann, da die Höhe des gebogenen Abschnitts 42b niedriger als diejenige das parallelen Abschnitts 42c ist, das Ansteigen des gebogenen Abschnitts 42b verringert werden, und ein Knicken des Drahts 42 kann zuverlässig verhindert werden.
  • Das optische Halbleiterbauteil der dreiundzwanzigsten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis sechzehnten Ausführungsform sowie der achtzehnten und neunzehnten Ausführungsform und dem optischen Halbleiterbauteil der sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben wird, angewandt werden.
  • VIERUNDZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 18 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der vierundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung. Betreffend einen Punkt, der gegenüber dem in der 17 dargestellten optischen Halbleiterbauteil der dreiundzwanzigsten Ausführungsform verschieden ist, verfügt der Draht 42 über einen gebogenen Abschnitt 42d, der für den Leiterrahmen 1 beim optischen Halbleiterbauteil der vierundzwanzigsten Ausführungsform vorhanden ist.
  • Nun wird ein Verfahren zum Herstellen des gebogenen Abschnitts 42d beschrieben. Nachdem der Leiterrahmen dem Sekundärbondvorgang unterzogen wurde, wird ohne Zuschneiden des Drahts eine Schleife gebildet, und der Draht wird an der Sekundärbondposition teilweise eingedrückt, um den gebogenen Abschnitt 42d zu bilden.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der vierundzwanzigsten Ausführungsform kann, da der Draht 42 über den gebogenen Abschnitt 42d verfügt, die Bondfestigkeit des Drahts 42 am Leiterrahmen 1 verbessert werden.
  • Das optische Halbleiterbauteil der vierundzwanzigsten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis sechzehnten Ausführungsform sowie der achtzehnten und neunzehnten Ausführungsform und dem optischen Halbleiterbauteil der sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben wird, angewandt werden.
  • FÜNFUNDZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 19 ist eine schematische Aufbauansicht des optischen Halbleiterbauteils der fünfundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung. Betreffend einen Punkt, der vom in der 15 dargestellten optischen Halbleiterbauteil der einundzwanzigsten Ausführungsform verschieden ist, verfügt der Draht 41 über einen parallelen Abschnitt 41b, der sich ausgehend vom optischen Halbleiterelement 2 erstreckt und beim optischen Halbleiterbauteil der fünfundzwanzigsten Ausführungsform ungefähr parallel zum Leiterrahmen 1 verläuft. D. h., dass der Draht 41 nicht über den Kontakthöckerabschnitt 41a verfügt.
  • Gemäß einem Verfahren zum Herstellen des Drahts 41 wird der Leiterrahmen 1 einem Primärbonden unterzogen, und das optische Halbleiterelement 2 wird einem Sekundärbonden unterzogen, wobei der Draht 41 ausgebildet wird.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil der fünfundzwanzigsten Ausführungsform kann, da der Draht 41 über den parallelen Abschnitt 41b verfügt, der sich ausgehend vom optischen Halbleiterelement 2 ungefähr parallel zum Leiterrahmen 1 erstreckt, ein Ansteigen des Drahts 41 im Wesentlichen beseitigt werden, und ein Knicken desselben kann zuverlässig verhindert werden.
  • Das optische Halbleiterbauteil der fünfundzwanzigsten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis sechzehnten Ausführungsform sowie der achtzehnten und neunzehnten Ausführungsform und dem optischen Halbleiterbauteil der sechsundzwanzigsten Ausführungsform, die später beschrieben wird, angewandt werden.
  • SECHSUNDZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 20 zeigt eine schematische Schnittansicht des optischen Halbleiterbauteils der sechsundzwanzigsten Ausführungsform der Erfindung. Beim in der 20 dargestellten optischen Halbleiterbauteil werden ein optisches Halbleiterelement 502 und ein Chip 505 eines integrierten Schaltkreises zum Kontrollieren der Ansteuerung des optischen Halbleiterelements 502 durch Bonden auf den Leiterrahmen 501 mit einer leitenden Klebepaste 503 montiert. Darüber hinaus werden das optische Halbleiterelement 502 und der Chip 505 eines integrierten Schaltkreises über einen Draht 504 elektrisch mit dem Leiterrahmen 501 verbunden.
  • Dann wird das optische Halbleiterelement 502 mit einem Siliconharz mit Kältebeständigkeit beschichtet, um einen Siliconharzabschnitt 513 zu bilden. Es wird darauf hingewiesen, dass der Siliconharzabschnitt 513 nur zumindest einen Abschnitt bedecken muss, der den Empfang und das Senden von Licht betreffend das optische Halbleiterelement 502 ausführt.
  • Der andere Abschnitt des Siliconharzabschnitts 513, ausschließlich des Teils des Siliconharzabschnitts 513, des optischen Halbleiterelements 503 und des Chips 505 eines integrierten Schaltkreises werden durch einen ersten Gießharzabschnitt 514 einer ersten Schicht eingeschlossen. D. h., dass der erste Gießharzabschnitt 514 über einen Lochabschnitt 516 verfügt, der den Teil des Siliconharzabschnitts 513 freilässt.
  • Der erste Gießharzabschnitt 514 wird z. B. aus einem Epoxyharz mit niedriger Transparenz und einem kleinen Linearexpansionskoeffizienten hergestellt. Genauer gesagt, wird der erste Gießharzabschnitt 514 aus einem einen Füllstoff enthaltenden Phenol-Epoxyharz hergestellt.
  • Der Teil des Siliconharzabschnitts 513 und der Außenumfangsabschnitt des ersten Gießharzabschnitts 514 werden durch einen zweiten Gießharzabschnitt 515 einer zweiten Schicht eingeschlossen. Der zweite Gießharzabschnitt 515 verfügt über einen Linearexpansionskoeffizienten, der größer als derjenige des ersten Gießharzabschnitts 514 ist, und er verfügt über Lichtdurchlässigkeit (Durchscheinvermögen oder Transparenz). Der zweite Gießharzabschnitt 515 besteht z. B. aus einem Säureanhydrid-Epoxyharz, das einen Füllstoff hoher Transparenz enthält. D. h., dass das optische Halbleiterbauteil eine zweischichtige Gießstruktur bildet.
  • Auf dem zweiten Gießharzabschnitt 515 ist eine Linse 510 ausgebildet. Ein optisches Faserkabel 511 ist so platziert, dass es der Linse 510 zugewandt ist. Dann existiert der erste Gießharzabschnitt 514 nicht auf der optischen Achse, die das optische Halbleiterelement 502 mit dem optischen Faserkabel 511 verbindet, wohingegen der Siliconharzabschnitt 513 und der zweite Gießharzabschnitt 515 (Linse 510) vorhanden sind.
  • Gemäß dem optischen Halbleiterbauteil mit diesem Aufbau können dadurch, dass der Linearexpansionskoeffizient des ersten Gießharzabschnitts 514 kleiner als derjenige des zweiten Gießharzabschnitts 515 gemacht wird, die Differenzen der Linearexpansionskoeffizienten zwischen dem ersten Gießharzabschnitt 514 und dem Leiterrahmen 501 sowie dem optischen Halbleiterelement 502 verkleinert werden. Durch diesen Aufbau treten eine Ablösung des Bonddrahts, eine Rissbildung im Gehäuse usw. aufgrund thermischer Spannungen nicht auf.
  • Darüber hinaus wird durch Bedecken des optischen Halbleiterelements 502 mit dem Siliconharzabschnitt 513 mit Kältebeständigkeit die Elastizität des Siliconharzabschnitts 513 sogar bei niedriger Temperatur aufrecht erhalten, wodurch auf den angebondeten Draht 504 wirkende mechanische Spannungen verringert werden können.
  • Darüber hinaus kann durch Einschließen eines Teils des Siliconharzabschnitts 513 nicht mit dem ersten Gießharzabschnitt 514 sondern nur mit dem zweiten Gießharzabschnitt 515 die Streuung von Licht im ersten Gießharzabschnitt 514 verringert werden. D. h., es kann ein optischer Pfad gebildet werden, der sich nicht durch den ersten Gießharzabschnitt 514 erstreckt.
  • Darüber hinaus kann, da der erste Gießharzabschnitt 514 über den Lochabschnitt 516 verfügt, die Größe des Teils des Siliconharzabschnitts 513 durch den Lochabschnitt 516 definiert werden. Dann kann durch vorab erfolgendes Einstellen einer festen Größe und Form der Öffnung des Lochabschnitts 516 eine Variation der Öffnung aller Lochabschnitte 516 herabgedrückt werden, wenn mehrere optische Halbleiterbauteile hergestellt werden. D. h., dass beim Senden oder Empfangen eine vorgegebene Lichtmenge dadurch erzielt werden kann, dass die Variation der Größe des Teils des Siliconharzabschnitts 513, der durch den Lochabschnitt 516 freigelegt ist, herabgedrückt wird.
  • Daher kann ein optisches Halbleiterbauteil mit hoher Zuverlässigkeit und zufriedenstellender Qualität der optischen Transmission kompakt und billig hergestellt werden.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass der erste Gießharzabschnitt 514 über Lichtausblendeigenschaften verfügen kann. Da das optische Halbleiterelement 502 durch den ersten Gießharzabschnitt 514 eingeschlossen ist, kann die Brechung von äußerem Störungslicht am optischen Halbleiterelement 502 verringert werden, und es kann das Signal/Rauschsignal-Verhältnis verbessert werden.
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des optischen Halbleiterbauteils beschrieben.
  • Zuallererst werden die Abschnitte zum Ausführen des Empfangens oder Sendens von Licht betreffend das optische Halbleiterelement 502 auf dem Leiterrahmen 501 durch den Siliconharzabschnitt 513 bedeckt.
  • Anschließend werden, während der Lochabschnitt 516 hergestellt (ausgespart) wird, der den Teil des Siliconharzabschnitts 513 freilegt, der andere Abschnitt des Siliconharzabschnitts 513 ausschließlich des Teils desselben sowie das optische Halbleiterelement 502 durch den ersten Gießharzabschnitt 514 eingeschlossen.
  • Dann werden der Teil des Siliconharzabschnitts 513 und zumindest der Teil des ersten Gießharzabschnitts 514 durch den zweiten Gießharzabschnitt 515 eingeschlossen.
  • Demgemäß werden der andere Abschnitt des Siliconharzabschnitts 513 und das optische Halbleiterelement 502 durch den ersten Gießharzabschnitt 514 eingeschlossen, während der Lochabschnitt 516 hergestellt wird, der den Teil des Siliconharzabschnitts 513 freilegt, und daher kann die Größe des Teils des Siliconharzabschnitts 513 durch den Lochabschnitt 516 definiert werden.
  • Durch vorab erfolgendes Einstellen einer festen Größe und einer festen Form der Öffnung des Lochabschnitts 516 kann eine Variation der Größe des Teils des Siliconharzabschnitts 513 in allen optischen Halbleiterbauteilen herabgedrückt werden.
  • Zum Beispiel wird, wie es in der 21A dargestellt ist, wenn der Umfang des Siliconharzabschnitts 513, durch den das optische Halbleiterelement 502 bedeckt ist, klein ist, die Tiefe des Lochabschnitts 516 vergrößert. Andererseits wird, wie es in der 22A dargestellt ist, wenn der Umfang des Siliconharzabschnitts 513, durch den das optische Halbleiterelement 502 bedeckt ist, groß ist, die Tiefe des Lochabschnitts 516 flacher ausgebildet.
  • Jedoch ist die Größe des Öffnungsdurchmessers des Lochabschnitts 516, wenn der Umfang des Siliconharzabschnitts 513 klein ist (21A), wie es in der 21B dargestellt ist, dieselbe wie die Größe des Öffnungsdurchmessers des Lochabschnitts 516, wenn der Umfang des Siliconharzabschnitts 513 groß ist (22A), wie es in der 22B dargestellt ist.
  • Daher, da nämlich die Größe des Öffnungsdurchmessers des Lochabschnitts 516 unabhängig vom Umfang des Siliconharzabschnitts 513 einen festen Wert erhalten kann, kann ein optischer Pfad fester Größe ausgebildet werden, und es kann eine feste Lichtmenge erzielt werden, wenn mehrere optische Halbleiterbauteile hergestellt werden.
  • Kurz gesagt, hängt die Lichtmenge vom optischen Halbleiterelement 502 zum optischen Faserkabel 511 oder die Lichtmenge von diesem zum optischen Halbleiterelement 502 von der Größe und der Form des Siliconharzabschnitts 513 ab, wenn dieser lediglich durch den ersten Gießharzabschnitt 514 (oder den zweiten Gießharzabschnitt 515) bedeckt ist.
  • Jedoch hängt, durch Einschließen des anderen Abschnitts des Siliconharzabschnitts 513, unter Ausschluss des Teils des Siliconharzabschnitts 513 mit dem ersten Gießharzabschnitt 514, während für den Lochabschnitt 516 gesorgt ist, bei der Erfindung, die Lichtmenge vom optischen Halbleiterelement 502 zum optischen Faserkabel 511 oder die Lichtmenge von diesem zum optischen Halbleiterelement 502 nicht von der Größe und der Form des Siliconharzabschnitts 513 sondern der Größe und der Form der Öffnung des Lochabschnitts 516 ab.
  • Das optische Halbleiterbauteil der sechsundzwanzigsten Ausführungsform kann bei den optischen Halbleiterbauteilen der ersten bis fünfundzwanzigsten Ausführungsform angewandt werden.
  • Die 23A zeigt eine Skizze eines Leiterrahmens 601 mit zwei Bügelabschnitten 608 und 608, die ungefähr parallel zueinander mit regelmäßigem Intervall angeordnet sind, Montagerippen 602 und 603, einem Kopfabschnitt 604, einem Leitungsanschluss 605, einem zweiten Verbindungssteg 606, der die Leitungsanschlüsse 605 miteinander verbindet, und einem zweiten Verbindungssteg 607, der gleichzeitig als Halterahmen dient. Ferner sind ein Durchlassabschnitt 609 zum Einfüllen eines Harzes und ein erster Verbindungssteg 610 zum Dämmen eines Primärharzes bei einem Primärgießprozess vorhanden.
  • Wie es in der 23B dargestellt ist, ist der erste Leiterrahmen 601 so aufgebaut, dass ein innerer Harzabschnitt aus dem Primärharz in einem Primärgießbereich S1 ausgebildet ist und ein äußerer Harzabschnitt aus einem Sekundärharz in einem zweiten Gießbereich S2 ausgebildet ist.
  • Die 24A bis 24D zeigen Ansichten zum Erläutern eines Verfahrens zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils unter Verwendung des Leiterrahmens 601.
  • Wie es in den 24A bis 24D dargestellt ist, sind die Montagerippen an der rechten und linken Seite (oben und unten in den 24A bis 24D) eines Bereichs vorhanden, der zu einem Gehäuse wird, und daher wird das Harz vom Durchlassabschnitt 609 in der 24A eingefüllt, wenn ein Einschließen mit Harz erfolgt.
  • Zuallererst wird ein innerer Harzabschnitt 620 durch Ausführen des Primärgießprozesses in der 24A hergestellt, und in der 24B wird ein primärer Verbindungssteg-Abschneidprozess ausgeführt. Anschließend wird ein äußerer Harzabschnitt 630 dadurch hergestellt, dass in der 24C ein Sekundärgießprozess ausgeführt wird und in der 24D ein zweiter Durchlasselement-Abschneidprozess ausgeführt wird.
  • Die 25 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24A dargestellten Herstellprozesses. Die 26 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24B dargestellten Herstellprozesses. Die 27 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24B dargestellten Herstellprozesses. Die 28 ist eine vergrößerte Ansicht des wesentlichen Teils des in der 24D dargestellten Herstellprozesses.
  • In der 25 verfügt der Durchlassabschnitt 609 zum Einfüllen des Harzes über eine Doppelstruktur mit zwei ersten Durchlasselementen 612 und 613, die den Durchlassbereich mit vorgegebenem Intervall zwischen sich einschließen, und zwei zweite Durchlasselemente 614 und 615, die die zwei ersten Durchlasselemente 612 und 613 an der Außenseite zwischen sich einschließen. Der erste Verbindungssteg 610 besteht aus Abschnitten 610a bis 610f, die so vorhanden sind, dass sie den Primärgießbereich S1 umgeben, der zum inneren Harzabschnitt 620 wird. Die Abschnitte 610a bis 610f, die zwischen den Abschnitten liegenden Leitungsanschlüsse 605, die zweiten Durchlasselemente 614 und 615 sowie die Montagerippe 603 werden zusammenhängend, unter Ausschluss des Durchlassbereichs des Durchlassabschnitts 609, wodurch das Primärharz abgedämmt wird.
  • Im Fall des Doppelgießtyps wird, wie es in der 24A dargestellt ist, das Primärharz durch Spritzpressen aus einem Einfüllabschnitt (Pfeil R1), der den inneren Harzabschnitt 620 bildet, eingefüllt. Dabei wird, wie es in der 25 dargestellt ist, das Harz, das aus dem aus den Durchlasselementen 612 und 613 gebildeten Durchlassbereich eingefüllt wird, durch den ersten Verbindungssteg 610 aufgestaut, und in einem Hohlraum zwischen dem ersten Verbindungssteg 610 und dem inneren Harzabschnitt 620 bildet sich ein dicker Grat 611. Jedoch fließt das Primärharz nicht um die Leitungsanschlüsse 605 und die Montagerippen 602 und 603 herum.
  • Ferner werden, wie es in der 26 dargestellt ist, der dicke Grat 611 und der erste Verbindungssteg 610, wie sie in der 25 dargestellt sind, durch eine Metallform beseitigt, wodurch die zweiten Durchlasselemente 614 und 615 verbleiben. Beim primären Verbindungssteg-Abschneidprozess bleibt der Stützstift dadurch nicht mehr außen freigelegt, dass alle mit dem inneren Leitungsabschnitt verbundenen Stützstifte (z. B. 616 in der 25) abgeschnitten werden, so dass eine weitere Verbesserung der Zuverlässigkeit erzielt werden kann. Wenn die Stützstifte nach außen freiliegen, wenn der Sekundärgießprozess der 24C abgeschlossen ist, dringen aus diesen Abschnitten leicht Feuchtigkeit und dergleichen ein.
  • Das Sekundärharz wird durch Spritzpressen im in der 26 dargestellten Zustand aus dem durch die zweiten Durchlasselemente 614 und 615 gebildeten Durchlassbereich eingefüllt, wodurch der äußere Harzabschnitt 630 gebildet wird, der den inneren Harzabschnitt 620 umgibt, wie es in der 27 dargestellt ist. Dabei wird das Sekundärharz durch die zweiten Verbindungsstege 606 und 607 aufgestaut. Darüber hinaus, da nämlich das Primärharz nicht am Leitungsanschluss 605 und den Montagerippen 602 und 603 anhaftet, rollt das Sekundärharz das Primärharz nicht auf. Ferner kann auch, da der Durchlassabschnitt 609 über die Doppelstruktur mit den ersten und zweiten Durchlasselementen 612 bis 615 verfügt, auch verhindert werden, dass das Primärharz aus diesem Abschnitt herausfließt.
  • Dann werden, wie es in der 28 dargestellt ist, die zweiten Durchlasselemente 614 und 615 (in der 27 dargestellt) abgeschnitten.
  • Im Ergebnis kann ein optisches Halbleiterbauteil mit hoher Transparenz und zufriedenstellenden Eigenschaften geschaffen werden.
  • Wenn ein optisches Halbleiterbauteil für optische Kommunikationsvorgänge unter Verwendung des Herstellverfahrens für ein optisches Halbleiterbauteil gemäß dieser Ausführungsform hergestellt wird, werden ein Licht emittierendes Element und ein Licht empfangendes Element (die nicht dargestellt sind) einzeln durch Diebonden (durch Ankleben) am Kopfabschnitt des Leiterrahmens 601 befestigt.
  • Dann wird ein Drahtbonden zum Verbinden der Elektroden des Licht emittierenden Elements und des Licht empfangenden Elements mit den Leitungsanschlüssen über Golddrähte ausgeführt, und danach werden das Licht emittierende Element und das Licht empfangende Element mit einem Siliconharz beschichtet. Durch diese Prozesse ist nach dem Primärgießprozess ein Fenster gebildet, das Licht durchlässt.
  • Anschließend wird ein Primärgießen mit einem durchscheinenden Epoxyharz als einem Beispiel für das Primärharz ausgeführt und danach wird ein Spritzpressen des gesamten Körpers mit einem durchscheinenden Epoxyharz als einem Beispiel des Sekundärharzes ausgeführt.
  • Dann wird das optische Halbleiterbauteil, das dem Spritzpressvorgang unterzogen wurde, Prozessen einer äußeren Plattierungsherstellung, einer Zuleitungsherstellung (Verarbeitung einer äußeren Zuleitung), einer Untersuchung elektrischer Eigenschaften (Messung verschiedener elektrischer Eigenschaften), einer Markierung, einer visuellen Untersuchung sowie einem Verpackungsvorgang unterzogen, und es wird zu einem Produkt. Als Gießmaßnahme kann in diesem Fall Spritzgießen oder Formgießen für das Gießerzeugnis, außer dem Spritzpressen, verwendet werden.
  • Bei diesem optischen Halbleiterbauteil für optische Kommunikationsvorgänge werden ein Harzspritzer und dicke Grate zwischen den Leitungen sowie dicke Grate zwischen den Hohlräumen, wie sie erzeugt werden, wenn das Einschließen mit dem Primärharz ausgeführt wird, gemeinsam mit der Attrappenleitung durch eine Metallform entfernt.
  • Die 29A zeigt eine Skizze eines optischen Halbleiterbauteils 651 mit einer Montagerippe, die durch ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils hergestellt wurde. Die 29B zeigt eine Skizze eines optischen Halbleiterbauteils 652 mit zwei Montagerippen rechts und links am Gehäuse.
  • Gemäß dem Leiterrahmen 601 mit diesem Aufbau wird das Primärharz vom zwischen den ersten Durchlasselementen 612 und 613 des Durchlassabschnitts 609 liegenden Durchlassbereich eingefüllt, wodurch der innere Harzabschnitt 620 gebildet ist, der den Kopfabschnitt 604 umgibt. Anschließend werden die ersten Durchlasselemente 612 und 613 entfernt, und das Sekundärharz wird aus dem zwischen den zweiten Durchlasselementen 614 und 615 des Durchlassabschnitts 609 liegenden Durchlassbereich eingefüllt, wodurch der äußere Harzabschnitt 630 ausgebildet werden kann. Daher ist ein Leiterrahmen geschaffen, bei dem sich das Primärharz im äußeren Harzabschnitt 630 in der Nachbarschaft des Durchlassabschnitts 609 selbst bei einem Gehäuse nicht aufrollt, das kein Einschließen mit Harz aufgrund eines Durchlasssystems oder dergleichen erlaubt, und der zur Verwendung bei einem optischen Halbleiterbauteil für optische Kommunikationsvorgänge optimal ist.
  • Darüber hinaus ist der zweite Gießbereich, wo der innere Harzabschnitt 620 ausgebildet ist, der den Kopfabschnitt 604 umgibt, durch den ersten Verbindungssteg 610 umgeben, so dass das Auftreten eines Harzspritzers an den Leitungsanschlüssen, den Rippenabschnitten usw. verhindert werden kann, wenn der innere Harzabschnitt 620 hergestellt wird, und es kann verhindert werden, dass das Harz um die zweiten Verbindungsstege 606 und 607, die Leitungsanschlüsse, die Rippenabschnitte usw. herum fließt, wenn der äußere Harzabschnitt 630 hergestellt wird.
  • Darüber hinaus kann der innere Leitungsabschnitt durch den Stützstift 616 festgehalten werden, und es kann eine Verformung desselben beim Diebonden und Drahtbonden verhindert werden. Darüber hinaus gilt dasselbe für den Fall, bei dem der Stützstift mit dem Kopfabschnitt verbunden ist.
  • Darüber hinaus kann durch das Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils ein optisches Halbleiterbauteil geschaffen werden, bei dem verhindert werden kann, dass an den äußeren Anschlüssen, den Rippenabschnitten usw. ein Harzspritzer auftritt, und bei dem sich das Primärharz im zweiten Gießabschnitt selbst dann nicht aufrollt, wenn ein Gehäuse vorliegt, das kein Einschließen mit Harz mittels des Durchlasstyps oder dergleichen zulässt, und das für optische Kommunikationsvorgänge geeignet ist.
  • Darüber hinaus kann, durch Ausstanzen des ersten Verbindungsstegs 610 des Leiterrahmens nach dem Primärgießprozess und vor dem Sekundärgießprozess ein beim Primärgießprozess auftretender Harzspritzer gemeinsam mit dem ersten Verbindungssteg 610 entfernt werden.
  • Darüber hinaus dringen, da der Stützstift nicht nach außen freiliegt, wenn der Sekundärgießprozess abgeschlossen ist, keine Feuchtigkeit und dergleichen aus dem Abschnitt ein, und die Zuverlässigkeit kann verbessert werden.
  • Obwohl bei der Ausführungsform ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils unter Verwendung des Leiterrahmens beschrieben wurde, kann der Leiterrahmen bei einem anderen Halbleiterbauteil vom Doppelvergusstyp angewandt werden, ohne dass eine Einschränkung auf ein optisches Halbleiterbauteil bestünde (z. B. die optischen Halbleiterbauteile der ersten bis sechsundzwanzigsten Ausführungsform).
  • SIEBENUNDZWANZIGSTE AUSFÜHRUNGSFORM
  • Die 30 ist ein Blockdiagramm eines Bereichssensors als ein Beispiel einer erfindungsgemäßen elektronischen Einrichtung. Der Bereichssensor verfügt über zwei optische Halbleiterbauteile, wie sie bei einer der Ausführungsformen eins bis sechsundzwanzig beschrieben sind. Es wird darauf hingewiesen, dass ein optisches Halbleiterbauteil 401 ein Licht emittierendes Element als optisches Halbleiterelement verwendet, während das andere optische Halbleiterbauteil 402 ein Licht empfangendes Element als optisches Halbleiterelement verwendet. Ferner verfügt der Bereichssensor über einen Operationenausführabschnitt 403.
  • Durch Aufstrahlen von Licht auf ein Objekt, das durch das optische Halbleiterbauteil 401 zu erfassen ist, das das Licht emittierende Element enthält, durch Empfangen von Licht, das am zu erfassenden Objekt reflektiert wird, durch das optische Halbleiterbauteil 402, das das Licht empfangende Element enthält, und durch Berechnen des Lichtempfangssignals durch den Operationenausführabschnitt 403 wird der Abstand zum zu erfassenden Objekt erhalten.
  • Gemäß dieser elektronischen Einrichtung kann eine billige elektronische Einrichtung hoher Qualität unter Verwendung des optischen Halbleiterbauteils mit hoher Zuverlässigkeit und zufriedenstellender Qualität der optischen Transmission hergestellt werden.
  • In den letzten Jahren war die Kosten-Wettbewerbsfähigkeit elektronischer Einrichtungen, die mit einem optischen Halbleiterelement versehen sind (Digital-TV, digitaler BS-Tuner, CS-Tuner, DVD-Spieler, CD-Spieler, AV-Verstärker, Audiogerät, PC, PC-Peripheriegeräte, tragbares Telefon, PDA usw.) groß, und es wird immer schwerer, den Forderungen zu genügen, die Preise der zu montierenden Komponenten zu senken.
  • Darüber hinaus wurde eine zunehmende Anzahl optischer Halbleiterbauteile in elektronische Geräte eingesetzt, für die die Betriebstemperaturbereiche streng sind, für Fahrzeugaudio sowie Fahrzeugnavigation an Bord, Sensoren, Steuerungsvorrichtungen, Robotersensoren zu Fabrikautomatisierungszwecken, Steuerungsvorrichtungen usw.
  • Die Erfindung, durch die ein hoch zuverlässiges optisches Halbleiterbauteil mit zufriedenstellender Qualität der optischen Transmission für eine elektronische Einrichtung geschaffen werden kann, ermöglicht es daher, eine billige elektronische Einrichtung hoher Qualität herzustellen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1, 101, 201, 301
    Leiterrahmen
    2, 102, 202, 302
    optisches Halbleiterelement
    3, 103, 203, 303
    leitende Klebepaste
    4, 104, 204, 304
    Draht
    5, 105
    Chip eines integrierten Schaltkreises
    106
    transparentes Harz
    10
    Linse
    11, 111, 211
    optisches Faserkabel
    13
    Siliconharzabschnitt
    14
    erster Gießharzabschnitt
    15
    zweiter Gießharzabschnitt
    16
    erster Gießharzabschnitt
    17
    zweiter Gießharzabschnitt
    18, 18'
    transparenter Füllstoff
    19
    zweiter Gießharzabschnitt
    20
    zweiter Gießharzabschnitt
    21
    erster Gießharzabschnitt
    22, 22'
    kugelförmiger, transparenter Füllstoff
    23
    Vertiefung
    24
    Verjüngung
    25
    Klebeabschnitt
    26
    transparenter, leitender Film
    27
    Licht ausblendender, leitender Harzabschnitt
    28
    Wand
    31
    Graben
    32
    Loch
    40, 41, 42
    Draht
    40a
    paralleler Abschnitt
    41a
    Kontakthöckerabschnitt
    41b
    paralleler Abschnitt
    42a
    Kugelabschnitt
    42b
    gebogener Abschnitt
    42c
    paralleler Abschnitt
    207
    Gießharzabschnitt
    212
    Glaslinse
    308
    erster einschließender Harzabschnitt
    309
    zweiter einschließender Harzabschnitt
    401
    optisches Halbleiterbauteil
    402
    optisches Halbleiterbauteil
    403
    Operationenausführabschnitt
    501
    Leiterrahmen
    502
    optisches Halbleiterelement
    503
    leitende Klebepaste
    504
    Draht
    505
    Chip eines integrierten Schaltkreises
    510
    Linse
    511
    optisches Faserkabel
    513
    Siliconharzabschnitt
    514
    erster Gießharzabschnitt
    515
    zweiter Gießharzabschnitt
    516
    Lochabschnitt
    601
    Leiterrahmen
    602, 603
    Montagerippe
    604
    Kopfabschnitt
    605
    Leitungsanschluss
    606, 607
    zweiter Verbindungssteg
    608
    Bügelabschnitt
    609
    Durchlassabschnitt
    610
    erster Verbindungssteg
    611
    dicker Grat
    612, 613
    erstes Durchlasselement
    614, 615
    zweites Durchlasselement
    616
    Stützstift
    620
    innerer Harzabschnitt
    630
    äußerer Harzabschnitt
    S1
    Primärgießbereich
    S2
    Sekundärgießbereich

Claims (29)

  1. Optisches Halbleiterbauteil mit: – einem Leiterrahmen (1; 101; 201); – einem optischen Halbleiterelement (2; 102; 202), das auf dem Leiterrahmen platziert ist; – einem Siliconharzabschnitt (13), der das optische Halbleiterbauelement bedeckt; wobei der Siliconharzabschnitt (13) über einen Abschnitt verfügt, der über dem Lichtempfangs- oder Lichtemissionsabschnitt des optischen Halbleiterelements liegt; – einem ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514), der das optische Halbleiterelement und den Siliconharzabschnitt mindestens bis auf den Abschnitt einschließt; und – einem zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) mit Lichtdurchlässigkeit, der den ersten Gießharzabschnitt einschliesst; – wobei der erste Gießharzabschnitt über einen Linearexpansionskoeffizienten verfügt, der kleiner als der des zweiten Gießharzabschnitts gemacht ist, wobei der Siliconharzabschnitt über ein Transmissionsvermögen verfügt, das größer ist als dasjenige des ersten Gießharzabschnitts, so dass das Streuen von Licht oberhalb des Lichtempfangs- oder Lichtemissionsabschnitts im ersten Gießharzabschnitt reduziert wird.
  2. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der erste Gießharzabschnitt (14; 16; 514) über Lichtdurchlässigkeit verfügt.
  3. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem der erste Gießharzabschnitt (14; 16; 514) über ein Transmissionsvermögen verfügt, das kleiner als das des zweiten Gießharzabschnitts (15; 17; 515) ist.
  4. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) ein mit einem Füllstoff gefülltes Gießharz verwendet ist und die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des Leiterrahmens und demjenigen des ersten Gießharzabschnitts auf 0 bis 6,0 × 10–5 K–1 eingestellt ist.
  5. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 4, bei dem die Differenz zwischen dem Linearexpansionskoeffizienten des ersten Gießharzabschnitts (14; 16; 514) und demjenigen des zweiten Gießharzabschnitts (15; 17; 515) auf 0 bis 6,0 × 10–5 K–1 eingestellt ist.
  6. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) und den zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) ein Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist.
  7. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) und ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung für den zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) verwendet ist.
  8. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 7, bei dem für den zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist.
  9. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem: – für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung verwendet ist; und – für den zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung mit einem Füllgewicht verwendet ist, das kleiner als das beim ersten Gießharzabschnitt ist.
  10. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem – für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist; und – für den zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) ein Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung ohne Füllstoff verwendet ist.
  11. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) und den zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist.
  12. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem – für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist; und – für den zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung mit einem Füllgewicht verwendet ist, das kleiner als das beim ersten Gießharzabschnitt ist.
  13. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem – für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist; und – der erste Gießharzabschnitt mit einem transparenten Füllstoff mit einem Füllgewicht von 20 bis 80 Gew.-% gefüllt ist.
  14. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem – für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist; und – der transparente Füllstoff über einen Brechungsindex verfügt, der ungefähr demjenigen des Epoxyharzes mit Phenolhärtung oder des Epoxyharzes mit Säureanhydridhärtung entspricht.
  15. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem – für den ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist; und – der transparente Füllstoff über Kugelform verfügt.
  16. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem vom ersten Gießharzabschnitt (14; 16; 514) und zweiten Gießharzabschnitt (15; 17; 515) mindestens einer einen Farbstoff enthält, der Licht mit kürzerer Wellenlänge als einer Lichtempfangswellenlänge oder einer Lichtemissionswellenlänge des optischen Halbleiterelements ausblendet.
  17. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem – für den ersten Gießharzabschnitt ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Phenolhärtung oder ein mit einem transparenten Füllstoff gefülltes Epoxyharz mit Säureanhydridhärtung verwendet ist, und die Dicke eines ersten Bereichs des ersten Gießharzabschnitts (14; 16; 514), welcher erste Bereich oberhalb des Lichtempfangsabschnitts oder Lichtemissionsabschnitts des optischen Halbleiterelements vorhanden ist, kleiner ist als die Dicke eines zweiten Bereichs des ersten Gießharzabschnitts, wobei der zweite Bereich oberhalb eines Chips (5) vorhanden ist.
  18. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 17, bei dem – im ersten Gießharzabschnitt über dem Lichtempfangsabschnitt eine Vertiefung (23) ausgebildet ist; und – an einer Seitenwand der Vertiefung eine Verjüngung (24) zum Sammeln von Licht ausgebildet ist.
  19. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Siliconharzabschnitt (13; 513) über eine Kältebeständigkeit verfügt.
  20. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Leiterrahmen (1; 101; 201) und das optische Halbleiterelement (2; 102; 202) über einen Draht (40; 41; 42) mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife elektrisch miteinander verbunden sind.
  21. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 20, bei dem der Draht (41) über einen parallelen Abschnitt (41b) verfügt, der sich ausgehend von einem am optischen Halbleiterelement liegenden Kontakthöckerabschnitt (41a) erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen verläuft.
  22. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 21, bei dem der Draht (42) Folgendes aufweist: – einen Kugelabschnitt (42a), der sich am optischen Halbleiterelement befindet; – einen gebogenen Abschnitt (42b), der sich ausgehend vom Kugelabschnitt erstreckt; und – einen parallelen Abschnitt (42c), der sich ausgehend vom gebogenen Abschnitt erstreckt und ungefähr parallel zum Leiterrahmen verläuft.
  23. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 22, bei dem die Höhe des gebogenen Abschnitts (24b) ausgehend vom optischen Halbleiterelement niedriger als die Höhe des parallelen Abschnitts (42c) ausgehend vom optischen Halbleiterelement ist.
  24. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 23, bei dem der Draht über einen parallelen Abschnitt (41b) verfügt, der sich ausgehend vom optischen Halbleiterelement erstreckt und parallel zum Leiterrahmen verläuft.
  25. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 24, – das über einen Chip (505) eines integrierten Schaltkreises verfügt, der am Leiterrahmen (501) angebracht ist und durch den ersten Gießharzabschnitt (514) bedeckt ist und die Ansteuerung des optischen Halbleiterelements kontrolliert; und – der Leiterrahmen und der Chip des integrierten Schaltkreises über den Draht mit der Konfiguration einer niedrigen Schleife elektrisch miteinander verbunden sind.
  26. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, bei dem – ein transparenter, leitender Film (26) vorhanden ist, der zumindest einen Bereich, der über dem optischen Halbleiterelement liegt, mit einer Fläche des ersten Gießharzabschnitts bedeckt; und – das optische Halbleiterelement, der erste Gießharzabschnitt und der transparente, leitende Film durch den zweiten Gießharzabschnitt eingeschlossen sind.
  27. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 26, – das über einen Siliconharzabschnitt (513) verfügt, der zumindest einen Abschnitt bedeckt, der den Lichtempfang oder die Lichtemission des optischen Halbleiterelements ausführt; – der erste Gießharzabschnitt über einen Lochabschnitt (516) verfügt, der einen Teil des Siliconharzabschnitts freilegt und den anderen Abschnittsteil desselben und das optische Halbleiterelement einschließt; und – der zweite Gießharzabschnitt den Teil des Siliconharzabschnitts und zumindest einen Teil des ersten Gießharzabschnitts einschließt.
  28. Optisches Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Leiterrahmen (601) Folgendes aufweist: – einen Kopfabschnitt (604), an dem das optische Halbleiterelement angebracht ist; und – einen Durchlassabschnitt (609), in dem ein Durchlassbereich zum Einfüllen eines Harzes von außerhalb in einen Bereich, in dem ein innerer Harzabschnitt und ein äußerer Harzabschnitt, die den Kopfabschnitt einschließen, ausgebildet sind, ausgebildet ist; – wobei der Durchlassabschnitt (609) eine Doppelstruktur mit zwei ersten Durchlasselementen (612; 613), die den Durchlassbereich mit einem vorgegebenen Intervall umgeben, und zwei zweite Durchlasselemente (614; 615), die weiter die zwei ersten Durchlasselemente an einer Außenseite umgeben, aufweist.
  29. Verfahren zum Herstellen eines optischen Halbleiterbauteils, das Folgendes beinhaltet: – einen ersten Schritt zum Bedecken mindestens eines Abschnitts, der den Lichtempfang oder die Lichtemission eines optischen Halbleiterelements ausführt, auf einem Leiterrahmen durch einen Siliconharzabschnitt; – einen zweiten Schritt zum Herstellen eines Lochabschnitts, der einen Teil des Siliconharzabschnitts freilegt und gleichzeitig den anderen Teil desselben und das optische Halbleiterelement mit einem ersten Gießharzabschnitt einschließt; und – einen dritten Schritt zum Einschließen des Teils des Siliconharzabschnitts und zumindest eines Teils des ersten Gießharzabschnitts durch einen zweiten Gießharzabschnitt, wobei der erste Gießharzabschnitt über einen Linearexpansionskoeffizienten verfügt, der kleiner als der des zweiten Gießharzabschnitts gemacht ist, wobei der Siliconharzabschnitt über ein Transmissionsvermögen verfügt, das größer ist als dasjenige des ersten Gießharzabschnitts, so dass das Streuen von Licht oberhalb des Lichtempfangs- oder Lichtemissionsabschnitts im ersten Gießharzabschnitt reduziert wird.
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1484802B1 (de) * 2003-06-06 2018-06-13 Stanley Electric Co., Ltd. Optische Halbleitervorrichtung
JP4094515B2 (ja) * 2003-09-26 2008-06-04 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4274935B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 トキコーポレーション株式会社 発光ユニット用ケースおよび発光ユニット製造方法
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
JP5091421B2 (ja) * 2006-04-07 2012-12-05 株式会社東芝 半導体発光装置
US7795632B2 (en) * 2006-06-26 2010-09-14 Osram Sylvania Inc. Light emitting diode with direct view optic
KR100883075B1 (ko) * 2007-03-02 2009-02-10 엘지전자 주식회사 전계발광소자
JP2008300554A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Nec Electronics Corp 半導体装置
US7728399B2 (en) * 2008-07-22 2010-06-01 National Semiconductor Corporation Molded optical package with fiber coupling feature
JP5543724B2 (ja) * 2008-08-28 2014-07-09 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP5280818B2 (ja) * 2008-11-28 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置
JP2010141111A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Sharp Corp 太陽電池装置、その製造方法、並びに電子機器
EP2224486A3 (de) * 2009-02-25 2012-09-12 Everlight Electronics Co., Ltd. QNF-Gehäusestruktur für Chip
TW201032319A (en) * 2009-02-25 2010-09-01 Everlight Electronics Co Ltd Semiconductor optoelectronic device and quad flat non-leaded optoelectronic device
DE102009026804A1 (de) * 2009-06-08 2010-12-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauteile
US9640467B2 (en) 2009-08-05 2017-05-02 Continental Teves Ag & Co. Ohg Sensor arrangement and chip comprising additional fixing pins
CN102194714B (zh) * 2010-03-05 2013-02-27 铜陵三佳科技股份有限公司 一种带树脂上料光电检测装置的半导体封装设备
TWI445139B (zh) * 2010-06-11 2014-07-11 Advanced Semiconductor Eng 晶片封裝結構、晶片封裝模具與晶片封裝製程
DE102010063048A1 (de) * 2010-12-14 2012-06-21 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe mit Formkörper
KR101626412B1 (ko) * 2010-12-24 2016-06-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101766297B1 (ko) * 2011-02-16 2017-08-08 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN202434493U (zh) * 2011-10-20 2012-09-12 新宝电机(东莞)有限公司 一种电路封装结构
CN102548312B (zh) * 2011-12-23 2015-09-23 西安奇维科技股份有限公司 一种高过载记录仪局部分割灌封的方法
DE102013202904A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6392654B2 (ja) * 2014-02-04 2018-09-19 エイブリック株式会社 光センサ装置
WO2016051595A1 (ja) * 2014-10-03 2016-04-07 三菱電機株式会社 リードフレーム、半導体装置の製造方法
JP6385234B2 (ja) * 2014-10-16 2018-09-05 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6325471B2 (ja) * 2015-03-02 2018-05-16 株式会社東芝 光結合装置および絶縁装置
KR102076961B1 (ko) 2015-04-10 2020-02-13 햄린 일렉트로닉스 (쑤저우) 코. 엘티디. 캡슐화된 전기 장치 및 제조 방법
CN106463481B (zh) 2015-04-28 2019-11-08 新电元工业株式会社 半导体模块以及半导体模块的制造方法
WO2017034515A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Circuit package
JP6472568B2 (ja) * 2016-03-07 2019-02-20 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6738020B2 (ja) * 2016-12-09 2020-08-12 豊田合成株式会社 電子装置
JP2019012735A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 株式会社東芝 光結合装置
US20210296852A1 (en) * 2018-08-22 2021-09-23 Shenzhen Raysees Technology Co., Ltd. Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) array package and manufacturing method
JP7087996B2 (ja) * 2018-12-26 2022-06-21 三菱電機株式会社 半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置
US11024616B2 (en) * 2019-05-16 2021-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and method of manufacturing the same
US11139268B2 (en) * 2019-08-06 2021-10-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and method of manufacturing the same
TWI761737B (zh) * 2019-12-02 2022-04-21 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 光學模組的製造方法
CN112992698B (zh) * 2019-12-02 2024-07-19 光宝科技新加坡私人有限公司 光学模块的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0492459A (ja) * 1990-08-07 1992-03-25 Nippondenso Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
US5300459A (en) * 1989-12-28 1994-04-05 Sanken Electric Co., Ltd. Method for reducing thermal stress in an encapsulated integrated circuit package
JP2000173947A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Tokai Rika Co Ltd プラスティックパッケージ
US6170996B1 (en) * 1998-10-02 2001-01-09 Fujitsu Limited Optical module encapsulated with resin and manufacturing method therefor
US20020088985A1 (en) * 1997-09-01 2002-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2523512B2 (ja) 1986-07-04 1996-08-14 日東電工株式会社 光半導体装置
JPH02152285A (ja) 1988-12-02 1990-06-12 Nec Corp 光伝送リンク用内部光素子
JPH0372641A (ja) 1989-05-09 1991-03-27 Citizen Watch Co Ltd Ｉｃ実装構造及びその実装方法
JPH03183139A (ja) 1989-12-12 1991-08-09 Nippon Steel Corp ワイヤボンディング方法
JPH056946A (ja) 1991-06-27 1993-01-14 Nitto Denko Corp 光半導体装置
JPH07111342A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Toshiba Corp 光送信モジュ−ル
JPH0927573A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0951011A (ja) 1995-08-10 1997-02-18 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体チップのワイヤボンディング方法
DE19535775C2 (de) 1995-09-26 2000-06-21 Siemens Ag Verfahren zum elektrischen Verbinden eines Kontaktfeldes eines Halbleiterchips mit zumindest einer Kontaktfläche sowie danach hergestellte Chipkarte
JPH09232475A (ja) * 1996-02-22 1997-09-05 Nitto Denko Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3153149B2 (ja) 1996-05-22 2001-04-03 富士電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP3637809B2 (ja) 1999-05-26 2005-04-13 松下電工株式会社 赤外線データ通信モジュール
JP2001168398A (ja) 1999-12-13 2001-06-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及び製造方法
JP2002076445A (ja) 2000-09-01 2002-03-15 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP4275890B2 (ja) 2001-02-13 2009-06-10 株式会社カネカ 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002314139A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2003277473A (ja) 2002-03-26 2003-10-02 Japan Epoxy Resin Kk Ｌｅｄ封止材用エポキシ樹脂組成物及びｌｅｄ装置
JP2004172477A (ja) 2002-11-21 2004-06-17 Kaijo Corp ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法及び半導体製造装置
JP3830485B2 (ja) 2003-11-06 2006-10-04 株式会社カイジョー ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300459A (en) * 1989-12-28 1994-04-05 Sanken Electric Co., Ltd. Method for reducing thermal stress in an encapsulated integrated circuit package
JPH0492459A (ja) * 1990-08-07 1992-03-25 Nippondenso Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
US20020088985A1 (en) * 1997-09-01 2002-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US6170996B1 (en) * 1998-10-02 2001-01-09 Fujitsu Limited Optical module encapsulated with resin and manufacturing method therefor
JP2000173947A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Tokai Rika Co Ltd プラスティックパッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
DE102005043928A1 (de) 2006-06-01
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US20060054901A1 (en) 2006-03-16

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