JPH07278438A - 電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物および電子部品 - Google Patents
電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物および電子部品Info
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- JPH07278438A JPH07278438A JP6102368A JP10236894A JPH07278438A JP H07278438 A JPH07278438 A JP H07278438A JP 6102368 A JP6102368 A JP 6102368A JP 10236894 A JP10236894 A JP 10236894A JP H07278438 A JPH07278438 A JP H07278438A
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- impregnating
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 含浸性および狭い隙間での硬化性が優れた電
子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物、お
よび０．０１〜５μｍの隙間を有する電子部品の隙間に
該組成物を含浸した後、該組成物を硬化してなる、耐湿
性が優れた電子部品を提供する。 【構成】 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子
結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、
(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原
子を含有するオルガノポリシロキサン｛(Ａ)成分中のア
ルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素結合水
素原子が０．５〜５モルとなる量｝、(Ｃ)白金または白
金化合物および(Ｄ)付加反応抑制剤｛本組成物中、重量
単位で５０〜８００ppmとなる量｝からなる組成物であ
り、該組成物の２５℃における粘度が５〜１，０００セ
ンチポイズであり、かつ該組成物の硬化物のＪＩＳ Ａ
硬度が１５〜８５であることを特徴とする電子部品。
子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物、お
よび０．０１〜５μｍの隙間を有する電子部品の隙間に
該組成物を含浸した後、該組成物を硬化してなる、耐湿
性が優れた電子部品を提供する。 【構成】 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子
結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、
(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原
子を含有するオルガノポリシロキサン｛(Ａ)成分中のア
ルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素結合水
素原子が０．５〜５モルとなる量｝、(Ｃ)白金または白
金化合物および(Ｄ)付加反応抑制剤｛本組成物中、重量
単位で５０〜８００ppmとなる量｝からなる組成物であ
り、該組成物の２５℃における粘度が５〜１，０００セ
ンチポイズであり、かつ該組成物の硬化物のＪＩＳ Ａ
硬度が１５〜８５であることを特徴とする電子部品。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品含浸用硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物および電子部品に関し、詳
しくは、含浸性および狭い隙間での硬化性が優れた電子
部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物、およ
び０．０１〜５μｍの隙間を有する電子部品の隙間に該
組成物を含浸した後、該組成物を硬化してなる、耐湿性
が優れた電子部品に関する。
ルガノポリシロキサン組成物および電子部品に関し、詳
しくは、含浸性および狭い隙間での硬化性が優れた電子
部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物、およ
び０．０１〜５μｍの隙間を有する電子部品の隙間に該
組成物を含浸した後、該組成物を硬化してなる、耐湿性
が優れた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ、ダイオード、コンデン
サ、コイル、ＬＳＩ、ＩＣ等の電子部品はエポキシ樹脂
等の封止樹脂により封止されて使用されているが、該封
止樹脂と電子部品もしくは電子部品のリードとの界面に
隙間が生じることがあり、該隙間から水、ナトリウムイ
オン、塩素イオン等の不純物が浸入し、該電子部品の信
頼性を著しく低下させるという問題があった。このよう
な電子部品の隙間を埋めるため、一般に硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物が用いられている（特開昭６０−
６３９３８号公報参照）。このような電子部品含浸用の
硬化性オルガノポリシロキサン組成物としては、例え
ば、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合ビニル
基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に少なく
とも２個のケイ素結合水素原子を有するオルガノポリシ
ロキサンおよび白金系化合物からなる電子部品含浸用硬
化性オルガノポリシロキサン組成物が提案されている
（特開平４−３７０１５１号公報参照）。
サ、コイル、ＬＳＩ、ＩＣ等の電子部品はエポキシ樹脂
等の封止樹脂により封止されて使用されているが、該封
止樹脂と電子部品もしくは電子部品のリードとの界面に
隙間が生じることがあり、該隙間から水、ナトリウムイ
オン、塩素イオン等の不純物が浸入し、該電子部品の信
頼性を著しく低下させるという問題があった。このよう
な電子部品の隙間を埋めるため、一般に硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物が用いられている（特開昭６０−
６３９３８号公報参照）。このような電子部品含浸用の
硬化性オルガノポリシロキサン組成物としては、例え
ば、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合ビニル
基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に少なく
とも２個のケイ素結合水素原子を有するオルガノポリシ
ロキサンおよび白金系化合物からなる電子部品含浸用硬
化性オルガノポリシロキサン組成物が提案されている
（特開平４−３７０１５１号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平４−３
７０１５１号により提案された電子部品含浸用硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物は、低粘度で含浸性に優れ
るが、封止樹脂と電子部品もしくは電子部品のリードと
の界面に生じた、０．０１〜５μｍの狭い隙間において
は、該組成物が完全には硬化せず、未硬化成分のにじみ
だしや、電子部品の耐湿性の低下を生じるという問題が
あった。
７０１５１号により提案された電子部品含浸用硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物は、低粘度で含浸性に優れ
るが、封止樹脂と電子部品もしくは電子部品のリードと
の界面に生じた、０．０１〜５μｍの狭い隙間において
は、該組成物が完全には硬化せず、未硬化成分のにじみ
だしや、電子部品の耐湿性の低下を生じるという問題が
あった。
【０００４】本発明らは上記問題を解決するため鋭意検
討した結果、本発明に到達した。すなわち、本発明の目
的は、含浸性および狭い隙間での硬化性が優れた電子部
品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を提供す
ることにあり、ひいては耐湿性が優れた電子部品を提供
することにある。
討した結果、本発明に到達した。すなわち、本発明の目
的は、含浸性および狭い隙間での硬化性が優れた電子部
品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を提供す
ることにあり、ひいては耐湿性が優れた電子部品を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段およびその作用】本発明
は、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合ア
ルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)一
分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含
有するオルガノポリシロキサン｛(Ａ)成分中のアルケニ
ル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素結合水素原子
が０．５〜５モルとなる量｝、(Ｃ)白金系触媒｛本組成
物中、(Ｃ)成分の白金金属が重量単位で２〜３０ppmと
なる量｝および(Ｄ)付加反応抑制剤｛本組成物中、重量
単位で５０〜８００ppmとなる量｝からなる組成物であ
り、該組成物の２５℃おける粘度が５〜１，０００セン
チポイズであり、かつ該組成物の硬化物のＪＩＳ Ｋ
６３０１に規定されるＪＩＳＡ硬度が１５〜８５である
ことを特徴とする電子部品含浸用硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物、および０．０１〜５μｍの隙間を有す
る電子部品の隙間に該組成物を含浸した後、該組成物を
硬化してなる電子部品に関する。
は、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合ア
ルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)一
分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含
有するオルガノポリシロキサン｛(Ａ)成分中のアルケニ
ル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素結合水素原子
が０．５〜５モルとなる量｝、(Ｃ)白金系触媒｛本組成
物中、(Ｃ)成分の白金金属が重量単位で２〜３０ppmと
なる量｝および(Ｄ)付加反応抑制剤｛本組成物中、重量
単位で５０〜８００ppmとなる量｝からなる組成物であ
り、該組成物の２５℃おける粘度が５〜１，０００セン
チポイズであり、かつ該組成物の硬化物のＪＩＳ Ｋ
６３０１に規定されるＪＩＳＡ硬度が１５〜８５である
ことを特徴とする電子部品含浸用硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物、および０．０１〜５μｍの隙間を有す
る電子部品の隙間に該組成物を含浸した後、該組成物を
硬化してなる電子部品に関する。
【０００６】はじめに、本発明の電子部品含浸用硬化性
オルガノポリシロキサン組成物について詳細に説明す
る。
オルガノポリシロキサン組成物について詳細に説明す
る。
【０００７】(Ａ)成分は本組成物の主剤であり、一分子
中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を含
有するオルガノポリシロキサンである。(Ａ)成分中のケ
イ素原子結合アルケニル基として具体的には、ビニル
基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基、ヘプテニル基が例示され、好ましくはビニル基であ
る。(Ａ)成分中のアルケニル基の結合位置は特に限定さ
れず、例えば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が
挙げられる。(Ａ)成分中のアルケニル基以外の有機基と
して具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアル
キル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラ
ルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、
３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキ
ル基が例示され、好ましくはメチル基、フェニル基であ
る。また、(Ａ)成分の分子構造は特に限定されず、例え
ば、直鎖状、分岐状、網状、一部分岐を有する直鎖状が
挙げられ、好ましくは直鎖状である。(Ａ)成分として直
鎖状のオルガノポリシロキサンを用いた場合、得られる
組成物の硬化物はシリコーンゴムとなる。
中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を含
有するオルガノポリシロキサンである。(Ａ)成分中のケ
イ素原子結合アルケニル基として具体的には、ビニル
基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基、ヘプテニル基が例示され、好ましくはビニル基であ
る。(Ａ)成分中のアルケニル基の結合位置は特に限定さ
れず、例えば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が
挙げられる。(Ａ)成分中のアルケニル基以外の有機基と
して具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアル
キル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラ
ルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、
３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキ
ル基が例示され、好ましくはメチル基、フェニル基であ
る。また、(Ａ)成分の分子構造は特に限定されず、例え
ば、直鎖状、分岐状、網状、一部分岐を有する直鎖状が
挙げられ、好ましくは直鎖状である。(Ａ)成分として直
鎖状のオルガノポリシロキサンを用いた場合、得られる
組成物の硬化物はシリコーンゴムとなる。
【０００８】このような(Ａ)成分のオルガノポリシロキ
サンとして具体的には、分子鎖両末端がトリメチルシロ
キシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルビニル
シロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキ
シ基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン、分子鎖
両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシ
ロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシ
ロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロ
キシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖両
末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルビ
ニルポリシロキサン、分子鎖両末端がジメチルビニルシ
ロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルビニ
ルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニル
シロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルビ
ニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、
式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1
2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ
4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシ
ロキサン、Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位
とＳｉＯ4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガ
ノポリシロキサン、式：Ｒ1Ｒ2ＳｉＯ2/2で示されるシ
ロキサン単位と式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン
単位またはＲ2ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位から
なるオルガノポリシロキサンおよびこれらのオルガノポ
リシロキサンの二種以上の混合物が例示される。式中、
Ｒ1はアルケニル基以外の一価炭化水素基であり、具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のア
リール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル
基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，
３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキル基が例
示される。また、上式中、Ｒ2はアルケニル基であり、
具体的には、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテ
ニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示される。
サンとして具体的には、分子鎖両末端がトリメチルシロ
キシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルビニル
シロキサン共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキ
シ基で封鎖されたメチルビニルポリシロキサン、分子鎖
両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシ
ロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシ
ロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニルシロ
キシ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖両
末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたメチルビ
ニルポリシロキサン、分子鎖両末端がジメチルビニルシ
ロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルビニ
ルシロキサン共重合体、分子鎖両末端がジメチルビニル
シロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン・メチルビ
ニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、
式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1
2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ
4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシ
ロキサン、Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位
とＳｉＯ4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガ
ノポリシロキサン、式：Ｒ1Ｒ2ＳｉＯ2/2で示されるシ
ロキサン単位と式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン
単位またはＲ2ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位から
なるオルガノポリシロキサンおよびこれらのオルガノポ
リシロキサンの二種以上の混合物が例示される。式中、
Ｒ1はアルケニル基以外の一価炭化水素基であり、具体
的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のア
リール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル
基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，
３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキル基が例
示される。また、上式中、Ｒ2はアルケニル基であり、
具体的には、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテ
ニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示される。
【０００９】(Ａ)成分の粘度は特に限定されないが、２
５℃における粘度が５〜１０，０００センチポイズの範
囲内であることが好ましく、さらに１０〜５００センチ
ポイズの範囲内であることが好ましい。これは、(Ａ)成
分の２５℃における粘度が５センチポイズ未満である
と、得られる硬化物の機械的特性が低下するためであ
り、また、これが１０，０００センチポイズをこえる
と、得られる組成物の粘度が高くなり、その含浸性が低
下するためである。
５℃における粘度が５〜１０，０００センチポイズの範
囲内であることが好ましく、さらに１０〜５００センチ
ポイズの範囲内であることが好ましい。これは、(Ａ)成
分の２５℃における粘度が５センチポイズ未満である
と、得られる硬化物の機械的特性が低下するためであ
り、また、これが１０，０００センチポイズをこえる
と、得られる組成物の粘度が高くなり、その含浸性が低
下するためである。
【００１０】(Ｂ)成分は本組成物の架橋剤であり、一分
子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含有
するオルガノポリシロキサンである。(Ｂ)成分中のケイ
素原子結合水素原子の結合位置は特に限定されず、例え
ば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が挙げられ
る。(Ｂ)成分中の有機基として具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、
３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフロロプロピ
ル基等のハロ置換アルキル基が例示され、好ましくはメ
チル基、フェニル基である。また、(Ｂ)成分の分子構造
は特に限定されず、例えば、直鎖状、分岐状、環状、網
状、一部分岐を有する直鎖状が挙げられ、好ましくは直
鎖状である。
子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を含有
するオルガノポリシロキサンである。(Ｂ)成分中のケイ
素原子結合水素原子の結合位置は特に限定されず、例え
ば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が挙げられ
る。(Ｂ)成分中の有機基として具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、
３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフロロプロピ
ル基等のハロ置換アルキル基が例示され、好ましくはメ
チル基、フェニル基である。また、(Ｂ)成分の分子構造
は特に限定されず、例えば、直鎖状、分岐状、環状、網
状、一部分岐を有する直鎖状が挙げられ、好ましくは直
鎖状である。
【００１１】このような(Ｂ)成分のオルガノポリシロキ
サンとして具体的には、分子鎖両末端がトリメチルシロ
キシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサ
ン、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖された
ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン
共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖
されたジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロ
キサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両
末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖された
ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端がジメチルハイ
ドロジェンシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン
・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両
末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖されたジ
メチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・
メチルフェニルシロキサン共重合体、式：Ｒ1 3ＳｉＯ
1/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1 2（Ｈ）ＳｉＯ
1/2で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ4/2で示され
るシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン、Ｒ
1 2（Ｈ）ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位とＳｉＯ4
/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロ
キサン、式：Ｒ1（Ｈ）ＳｉＯ2/2で示されるシロキサン
単位と式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位から
なるオルガノポリシロキサンおよびこれらのオルガノポ
リシロキサンの二種以上の混合物が例示される。式中、
Ｒ1はアルケニル基以外の一価炭化水素基であり、具体
的には 、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキル基
が例示される。
サンとして具体的には、分子鎖両末端がトリメチルシロ
キシ基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサ
ン、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖された
ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン
共重合体、分子鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖
されたジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロ
キサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両
末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖された
ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端がジメチルハイ
ドロジェンシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキサン
・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両
末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基で封鎖されたジ
メチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・
メチルフェニルシロキサン共重合体、式：Ｒ1 3ＳｉＯ
1/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1 2（Ｈ）ＳｉＯ
1/2で示されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ4/2で示され
るシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン、Ｒ
1 2（Ｈ）ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位とＳｉＯ4
/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロ
キサン、式：Ｒ1（Ｈ）ＳｉＯ2/2で示されるシロキサン
単位と式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位から
なるオルガノポリシロキサンおよびこれらのオルガノポ
リシロキサンの二種以上の混合物が例示される。式中、
Ｒ1はアルケニル基以外の一価炭化水素基であり、具体
的には 、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキル基
が例示される。
【００１２】(Ｂ)成分の粘度は特に限定されず、２５℃
における粘度が１〜１，０００センチポイズの範囲内で
あることが好ましく、さらに５〜５００センチポイズの
範囲内であることが好ましい。これは、(Ｂ)成分の２５
℃における粘度が１センチポイズ未満であると、得られ
る硬化物の機械的特性が低下するためであり、また、こ
れが１，０００センチポイズをこえると、得られる組成
物の粘度が高くなり、その含浸性が低下するためであ
る。
における粘度が１〜１，０００センチポイズの範囲内で
あることが好ましく、さらに５〜５００センチポイズの
範囲内であることが好ましい。これは、(Ｂ)成分の２５
℃における粘度が１センチポイズ未満であると、得られ
る硬化物の機械的特性が低下するためであり、また、こ
れが１，０００センチポイズをこえると、得られる組成
物の粘度が高くなり、その含浸性が低下するためであ
る。
【００１３】本組成物において(Ｂ)成分の配合量は、
(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対し
て、(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子が０．５〜
５．０モルの範囲内となる量であることが必要であり、
さらに１．１〜３．０モルの範囲内となる量であること
が好ましい。これは、(Ｂ)成分の配合量が、(Ａ)成分中
のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成
分中のケイ素原子結合水素原子が０．５モル未満である
と、得られる組成物が十分に硬化しなくなるためであ
り、また、これが５．０モルをこえると、得られる硬化
物がクラックや膨れを生じてしまい、電子部品の耐湿性
が著しく低下するためである。
(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対し
て、(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子が０．５〜
５．０モルの範囲内となる量であることが必要であり、
さらに１．１〜３．０モルの範囲内となる量であること
が好ましい。これは、(Ｂ)成分の配合量が、(Ａ)成分中
のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成
分中のケイ素原子結合水素原子が０．５モル未満である
と、得られる組成物が十分に硬化しなくなるためであ
り、また、これが５．０モルをこえると、得られる硬化
物がクラックや膨れを生じてしまい、電子部品の耐湿性
が著しく低下するためである。
【００１４】(Ｃ)成分は本組成物の硬化を促進する白金
または白金系化合物であり、具体的には、白金微粉末、
白金黒、白金担持のシリカ微粉末等の白金；塩化白金
酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金とオレフィンと
の錯体、白金とジビニルテトラメチルジシロキサンとの
錯体等の白金系化合物が例示される、シリコーンゴム組
成物の硬化性が優れることから白金系化合物が好まし
い。
または白金系化合物であり、具体的には、白金微粉末、
白金黒、白金担持のシリカ微粉末等の白金；塩化白金
酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金とオレフィンと
の錯体、白金とジビニルテトラメチルジシロキサンとの
錯体等の白金系化合物が例示される、シリコーンゴム組
成物の硬化性が優れることから白金系化合物が好まし
い。
【００１５】本組成物において(Ｃ)成分の配合量は、
(Ｃ)成分の白金金属が重量単位で２〜３０ppmの範囲内
となる量であることが必要である。これは、本組成物
中、(Ｃ)成分の白金金属が重量単位で２ppm未満である
と、得られる組成物が０．０１〜５μの狭い隙間を有す
る電子部品の隙間に含浸された場合に、完全に硬化しな
くなるためであり、また、これが３０ppmをこえると、
得られる硬化物の耐熱性が低下するからである。
(Ｃ)成分の白金金属が重量単位で２〜３０ppmの範囲内
となる量であることが必要である。これは、本組成物
中、(Ｃ)成分の白金金属が重量単位で２ppm未満である
と、得られる組成物が０．０１〜５μの狭い隙間を有す
る電子部品の隙間に含浸された場合に、完全に硬化しな
くなるためであり、また、これが３０ppmをこえると、
得られる硬化物の耐熱性が低下するからである。
【００１６】(Ｄ)成分は本組成物の貯蔵安定性および硬
化性を調製するための付加反応抑制剤であり、具体的に
は、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジ
メチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノー
ル等のアセチレン系化合物；３−メチル−３−ペンテン
−１−イン，３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イ
ン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル
−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−
テトラヘキセニルシクロトトラシロキサン、ベンゾトリ
アゾール等のトリアゾール類，フォスフィン類，メルカ
プタン類，ヒドラジン類が例示される。
化性を調製するための付加反応抑制剤であり、具体的に
は、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジ
メチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノー
ル等のアセチレン系化合物；３−メチル−３−ペンテン
−１−イン，３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イ
ン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル
−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−
テトラヘキセニルシクロトトラシロキサン、ベンゾトリ
アゾール等のトリアゾール類，フォスフィン類，メルカ
プタン類，ヒドラジン類が例示される。
【００１７】本組成物において(Ｄ)成分の配合量は重量
単位で５０〜８００ppmの範囲内であることが必要であ
り、さらに２００〜６００ppmの範囲内であることが必
要である。これは、本組成物において、(Ｄ)成分の配合
量が重量単位で５０ppm未満であると、得られる組成物
の硬化速度を調整することが困難であるためであり、ま
た、これが８００ppmをこえると、得られる組成物を
０．０１〜５μｍの狭い隙間を有する電子部品の隙間に
含浸した場合に、完全に硬化しなくなるからである。
単位で５０〜８００ppmの範囲内であることが必要であ
り、さらに２００〜６００ppmの範囲内であることが必
要である。これは、本組成物において、(Ｄ)成分の配合
量が重量単位で５０ppm未満であると、得られる組成物
の硬化速度を調整することが困難であるためであり、ま
た、これが８００ppmをこえると、得られる組成物を
０．０１〜５μｍの狭い隙間を有する電子部品の隙間に
含浸した場合に、完全に硬化しなくなるからである。
【００１８】本発明の電子部品含浸用硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物は、上記(Ａ)成分〜(Ｄ)成分を均一
に配合することにより調製することができる。なお、本
発明の電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組
成物には、本発明の目的を損なわない限り、その流動性
を調節したり、得られる硬化物の機械的特性を向上させ
るため、例えば、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、焼成
シリカ、ヒュームド酸化チタン等の補強性充填剤；粉砕
石英、ケイ藻土、アスベスト、アルミノケイ酸、酸化
鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム等の非補強性充填剤；こ
れらの充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキ
シシラン、オルガノシラザン、オルガノポリシロキサン
等の有機ケイ素化合物で処理してなる充填剤、カーボン
粉末等の充填剤；メチルトリメトキシシラン、エチルト
リメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリル
トリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、３，４−エポキシシクロヘキシルエチルトリ
メトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキ
シシラン、メチルセロソルブオルソシリケート、一分子
中にエポキシ含有有機基とケイ素原子結合アルコキシ基
を有するシロキサンオリゴマー、一分子中にエポキシ含
有有機基とケイ素原子結合アルコキシ基とアルケニル基
を有するシロキサンオリゴマー、一分子中にエポキシ含
有有機基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子結
合水素原子を有するシロキサンオリゴマー、一分子中に
ケイ素原子結合アルコキシ基とアルケニル基を有するシ
ロキサノリゴマー等の接着付与剤；その他、顔料、染
料、難燃剤、有機溶剤を配合することができる。
リシロキサン組成物は、上記(Ａ)成分〜(Ｄ)成分を均一
に配合することにより調製することができる。なお、本
発明の電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組
成物には、本発明の目的を損なわない限り、その流動性
を調節したり、得られる硬化物の機械的特性を向上させ
るため、例えば、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、焼成
シリカ、ヒュームド酸化チタン等の補強性充填剤；粉砕
石英、ケイ藻土、アスベスト、アルミノケイ酸、酸化
鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム等の非補強性充填剤；こ
れらの充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキ
シシラン、オルガノシラザン、オルガノポリシロキサン
等の有機ケイ素化合物で処理してなる充填剤、カーボン
粉末等の充填剤；メチルトリメトキシシラン、エチルト
リメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリル
トリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、３，４−エポキシシクロヘキシルエチルトリ
メトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキ
シシラン、メチルセロソルブオルソシリケート、一分子
中にエポキシ含有有機基とケイ素原子結合アルコキシ基
を有するシロキサンオリゴマー、一分子中にエポキシ含
有有機基とケイ素原子結合アルコキシ基とアルケニル基
を有するシロキサンオリゴマー、一分子中にエポキシ含
有有機基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子結
合水素原子を有するシロキサンオリゴマー、一分子中に
ケイ素原子結合アルコキシ基とアルケニル基を有するシ
ロキサノリゴマー等の接着付与剤；その他、顔料、染
料、難燃剤、有機溶剤を配合することができる。
【００１９】このような本発明の電子部品含浸用硬化性
オルガノポリシロキサン組成物は、２５℃における粘度
が５〜１，０００センチポイズの範囲内であることが必
要であり、さらに１０〜３００センチポイズの範囲内で
あることが好ましい。これは、２５℃における粘度が５
センチポイズ未満であると、得られる硬化物の機械的特
性が著しく低下するためであり、また、これが１，００
０センチポイズをこえると含浸性が著しく低下するため
である。
オルガノポリシロキサン組成物は、２５℃における粘度
が５〜１，０００センチポイズの範囲内であることが必
要であり、さらに１０〜３００センチポイズの範囲内で
あることが好ましい。これは、２５℃における粘度が５
センチポイズ未満であると、得られる硬化物の機械的特
性が著しく低下するためであり、また、これが１，００
０センチポイズをこえると含浸性が著しく低下するため
である。
【００２０】本発明の電子部品含浸用硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物は、これを硬化して得られる硬化物
のＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度が
１５〜８５の範囲内であることが必要である。これは、
得られる硬化物のＪＩＳ Ａ硬度が１５未満であると、
この組成物が０．０１〜５μｍの狭い隙間に含浸された
場合に、完全に硬化しなくなるためであり、また、これ
が８５をこえると、硬化物の機械的特性が低下し、電子
部品の耐湿性が低下するためである。
リシロキサン組成物は、これを硬化して得られる硬化物
のＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度が
１５〜８５の範囲内であることが必要である。これは、
得られる硬化物のＪＩＳ Ａ硬度が１５未満であると、
この組成物が０．０１〜５μｍの狭い隙間に含浸された
場合に、完全に硬化しなくなるためであり、また、これ
が８５をこえると、硬化物の機械的特性が低下し、電子
部品の耐湿性が低下するためである。
【００２１】本発明の電子部品含浸用硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物は、０．０１〜５μｍの狭い隙間を
有する電子部品の隙間において完全に硬化することがで
きるので、これをトランジスタ、ダイオード、コンデン
サ、コイル、ＬＳＩ、ＩＣ等の電子部品用の含浸剤とし
て利用することができる。本発明の電子部品含浸用硬化
性オルガノポリシロキサン組成物により電子部品を含浸
する方法としては、例えば、該組成物中に該電子部品を
浸漬する方法、該組成物中に該電子部品を浸漬した後、
系を加圧または減圧にして、強制的に該電子部品の隙間
に該組成物を含浸させる方法、該組成物中に該電子部品
を浸漬した後、超音波振動を加え、強制的に該電子部品
の隙間に該組成物を含浸させる方法が挙げられる。ま
た、電子部品に本発明の電子部品含浸用硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物を含浸後は、電子部品表面に付着
した余分な該組成物を除去した後、５０〜２００℃の温
度、さらに好ましくは１００〜１５０℃の温度にて加熱
することが好ましい。
リシロキサン組成物は、０．０１〜５μｍの狭い隙間を
有する電子部品の隙間において完全に硬化することがで
きるので、これをトランジスタ、ダイオード、コンデン
サ、コイル、ＬＳＩ、ＩＣ等の電子部品用の含浸剤とし
て利用することができる。本発明の電子部品含浸用硬化
性オルガノポリシロキサン組成物により電子部品を含浸
する方法としては、例えば、該組成物中に該電子部品を
浸漬する方法、該組成物中に該電子部品を浸漬した後、
系を加圧または減圧にして、強制的に該電子部品の隙間
に該組成物を含浸させる方法、該組成物中に該電子部品
を浸漬した後、超音波振動を加え、強制的に該電子部品
の隙間に該組成物を含浸させる方法が挙げられる。ま
た、電子部品に本発明の電子部品含浸用硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物を含浸後は、電子部品表面に付着
した余分な該組成物を除去した後、５０〜２００℃の温
度、さらに好ましくは１００〜１５０℃の温度にて加熱
することが好ましい。
【００２２】次ぎに、本発明の電子部品について詳細に
説明する。
説明する。
【００２３】本発明の電子部品は０．０１〜５μｍの隙
間を有する電子部品であり、例えば、トランジスタ、ダ
イオード、コンデンサ、コイル、ＬＳＩ、ＩＣ等の電子
部品のように封止樹脂と電子部品もしくは電子部品のリ
ードとの界面に０．０１〜５μｍの狭い隙間を生じるよ
うな構造を有する電子部品である。
間を有する電子部品であり、例えば、トランジスタ、ダ
イオード、コンデンサ、コイル、ＬＳＩ、ＩＣ等の電子
部品のように封止樹脂と電子部品もしくは電子部品のリ
ードとの界面に０．０１〜５μｍの狭い隙間を生じるよ
うな構造を有する電子部品である。
【００２４】本発明の電子部品は、上記電子部品を上記
電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物に
より含浸した後、該組成物を硬化してなるため、封止樹
脂と電子部品もしくは電子部品のリードとの界面に０．
０１〜５μｍの狭い隙間において硬化物が湿気を遮断
し、電子部品の耐湿性を向上することができる。本発明
の電子部品を作成する方法は特に限定されず、例えば、
電子部品を電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物中に含浸する方法、電子部品含浸用硬化性オル
ガノポリシロキサン組成物中に電子部品を浸漬した後、
系を加圧または減圧にして、強制的に該電子部品の隙間
に該組成物を含浸させる方法、該組成物中に該電子部品
を浸漬した後、超音波振動を加え、強制的に該電子部品
の隙間に該組成物を含浸させる方法が挙げられる。ま
た、電子部品に電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物を含浸後は、電子部品表面に付着した余分
な該組成物を除去した後、５０〜２００℃の温度、さら
に好ましくは１００〜１５０℃の温度にて加熱すること
が好ましい。
電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物に
より含浸した後、該組成物を硬化してなるため、封止樹
脂と電子部品もしくは電子部品のリードとの界面に０．
０１〜５μｍの狭い隙間において硬化物が湿気を遮断
し、電子部品の耐湿性を向上することができる。本発明
の電子部品を作成する方法は特に限定されず、例えば、
電子部品を電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物中に含浸する方法、電子部品含浸用硬化性オル
ガノポリシロキサン組成物中に電子部品を浸漬した後、
系を加圧または減圧にして、強制的に該電子部品の隙間
に該組成物を含浸させる方法、該組成物中に該電子部品
を浸漬した後、超音波振動を加え、強制的に該電子部品
の隙間に該組成物を含浸させる方法が挙げられる。ま
た、電子部品に電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物を含浸後は、電子部品表面に付着した余分
な該組成物を除去した後、５０〜２００℃の温度、さら
に好ましくは１００〜１５０℃の温度にて加熱すること
が好ましい。
【００２５】
【実施例】本発明の電子部品含浸用硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物および電子部品を実施例により詳細に
説明する。なお、実施例中、粘度は２５℃において測定
した値である。また、電子部品の作成およびその耐湿性
の評価は次の方法により行った。
シロキサン組成物および電子部品を実施例により詳細に
説明する。なお、実施例中、粘度は２５℃において測定
した値である。また、電子部品の作成およびその耐湿性
の評価は次の方法により行った。
【００２６】［電子部品の耐湿性］ 電子部品Ａの作製：図１において、アルミニウム配線
を有する半導体素子１をタブ２上に設け、該半導体素子
１の上端部に設けられたボンディングパッド３とリード
フレーム５の端部に設けられたボンディングパッド４と
を金製ボンディングワイヤ６により接続した。次いで、
半導体素子１の表面にシリコーン系コーティング剤７を
塗布して、これを硬化させた後、該半導体素子１をエポ
キシ樹脂８により樹脂封止して電子部品を作製した。こ
の電子部品においてエポキシ樹脂８とリードフレーム５
との隙間を顕微鏡により測定して、その隙間が０．０１
〜５μｍであるものを電子部品Ａとした。
を有する半導体素子１をタブ２上に設け、該半導体素子
１の上端部に設けられたボンディングパッド３とリード
フレーム５の端部に設けられたボンディングパッド４と
を金製ボンディングワイヤ６により接続した。次いで、
半導体素子１の表面にシリコーン系コーティング剤７を
塗布して、これを硬化させた後、該半導体素子１をエポ
キシ樹脂８により樹脂封止して電子部品を作製した。こ
の電子部品においてエポキシ樹脂８とリードフレーム５
との隙間を顕微鏡により測定して、その隙間が０．０１
〜５μｍであるものを電子部品Ａとした。
【００２７】電子部品Ａの耐湿性試験：電子部品含浸
用硬化性オルガノポリシロキサン組成物により含浸した
後、これを加熱して得られた電子部品Ａおよび比較の該
組成物により含浸した後、これを加熱して得られた電子
部品Ａをそれぞれ１２１℃、２気圧の飽和水蒸気中で所
定時間加熱し、その後、この電子部品Ａに電流を流し
て、リードフレーム５と他のリードフレーム５との間の
リーク電流を測定した。そして、リーク電流の増加およ
びアルミニウム配線の導通不良のあった電子部品Ａを不
良として、その不良率を求めた。
用硬化性オルガノポリシロキサン組成物により含浸した
後、これを加熱して得られた電子部品Ａおよび比較の該
組成物により含浸した後、これを加熱して得られた電子
部品Ａをそれぞれ１２１℃、２気圧の飽和水蒸気中で所
定時間加熱し、その後、この電子部品Ａに電流を流し
て、リードフレーム５と他のリードフレーム５との間の
リーク電流を測定した。そして、リーク電流の増加およ
びアルミニウム配線の導通不良のあった電子部品Ａを不
良として、その不良率を求めた。
【００２８】［実施例１］粘度が４００センチポイズで
あり、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖
されたジメチルポリシロキサン（ビニル基含有量＝０．
４４重量％）１００重量部、粘度が５センチポイズであ
る分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイド
ロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体（メ
チルハイドロジェンシロキサンとジメチルシロキサンと
のモル比は５：３である。ケイ素原子結合水素原子含有
量＝０．７３重量％）５重量部、塩化白金酸とジビニル
テトラメチルジシロキサンとの錯体（本組成物中、錯体
の白金金属が５ppmとなる量）、１，３，５，７−テト
ラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラ
シロキサン（本組成物中、２００ppmとなる量）を均一
に混合して、粘度が３００センチポイズである、本発明
の電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物
を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱して
ゴム状の硬化物を得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ
６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定し
たところ、ＪＩＳ Ａ硬度は３０であった。この組成物
中に電子部品Ａを浸漬しながら、この系を減圧にして、
強制的に該電子部品Ａの隙間に該組成物を含浸させた
後、該電子部品Ａを取り出し、これを１５０℃で３０分
間加熱して電子部品Ａを作製した。この電子部品Ａにお
いてリードフレーム５とエポキシ樹脂６との間に含浸さ
れた電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成
物は完全に硬化しており、硬化不良は観察されなかっ
た。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、これらの
結果を表１に示した。
あり、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖
されたジメチルポリシロキサン（ビニル基含有量＝０．
４４重量％）１００重量部、粘度が５センチポイズであ
る分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイド
ロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体（メ
チルハイドロジェンシロキサンとジメチルシロキサンと
のモル比は５：３である。ケイ素原子結合水素原子含有
量＝０．７３重量％）５重量部、塩化白金酸とジビニル
テトラメチルジシロキサンとの錯体（本組成物中、錯体
の白金金属が５ppmとなる量）、１，３，５，７−テト
ラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラ
シロキサン（本組成物中、２００ppmとなる量）を均一
に混合して、粘度が３００センチポイズである、本発明
の電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物
を調製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱して
ゴム状の硬化物を得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ
６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定し
たところ、ＪＩＳ Ａ硬度は３０であった。この組成物
中に電子部品Ａを浸漬しながら、この系を減圧にして、
強制的に該電子部品Ａの隙間に該組成物を含浸させた
後、該電子部品Ａを取り出し、これを１５０℃で３０分
間加熱して電子部品Ａを作製した。この電子部品Ａにお
いてリードフレーム５とエポキシ樹脂６との間に含浸さ
れた電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成
物は完全に硬化しており、硬化不良は観察されなかっ
た。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、これらの
結果を表１に示した。
【００２９】［実施例２］粘度が２０センチポイズであ
り、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖さ
れたジメチルポリシロキサン（ビニル基含有量＝７．０
重量％）１００重量部、粘度が２０センチポイズである
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジ
メチルポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子含有量
＝０．１重量％）２０重量部、粘度が２０センチポイズ
である分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハ
イドロジェンポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子
含有量＝１．５重量％）６重量部、塩化白金酸とジビニ
ルテトラメチルジシロキサンとの錯体（本組成物中、錯
体の白金金属が５ppmとなる量）、フェニルブチノール
（本組成物中、５００ppmとなる量）を均一に混合し
て、粘度が２０センチポイズである、本発明の電子部品
含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製し
た。この組成物を１５０℃で３０分間加熱して硬化物を
得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定
されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定したところ、ＪＩＳ
Ａ硬度は２０であった。この組成物中に電子部品Ａを
常圧下で浸漬して、該電子部品Ａの隙間に該組成物を含
浸させた後、該電子部品Ａを取り出し、これを１５０℃
で３０分間加熱して電子部品Ａを作製した。この電子部
品Ａにおいてリードフレーム５とエポキシ樹脂６との間
に含浸された電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキ
サン組成物は完全に硬化しており、硬化不良は観察され
なかった。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、こ
れらの結果を表１に示した。
り、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖さ
れたジメチルポリシロキサン（ビニル基含有量＝７．０
重量％）１００重量部、粘度が２０センチポイズである
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジ
メチルポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子含有量
＝０．１重量％）２０重量部、粘度が２０センチポイズ
である分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハ
イドロジェンポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子
含有量＝１．５重量％）６重量部、塩化白金酸とジビニ
ルテトラメチルジシロキサンとの錯体（本組成物中、錯
体の白金金属が５ppmとなる量）、フェニルブチノール
（本組成物中、５００ppmとなる量）を均一に混合し
て、粘度が２０センチポイズである、本発明の電子部品
含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製し
た。この組成物を１５０℃で３０分間加熱して硬化物を
得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定
されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定したところ、ＪＩＳ
Ａ硬度は２０であった。この組成物中に電子部品Ａを
常圧下で浸漬して、該電子部品Ａの隙間に該組成物を含
浸させた後、該電子部品Ａを取り出し、これを１５０℃
で３０分間加熱して電子部品Ａを作製した。この電子部
品Ａにおいてリードフレーム５とエポキシ樹脂６との間
に含浸された電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキ
サン組成物は完全に硬化しており、硬化不良は観察され
なかった。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、こ
れらの結果を表１に示した。
【００３０】［比較例１］実施例１において、塩化白金
酸とジビニルテトラメチルジシロキサンとの錯体を、組
成物中、白金金属が１ppmとなる量添加した以外は実施
例１と同様にして、比較の電子部品含浸用硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を調製した。この組成物を１５
０℃で３０分間加熱してゴム状の硬化物を得た。このシ
リコーンゴムの硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定され
るＪＩＳ Ａ硬度計により測定したところ、ＪＩＳ Ａ
硬度は２５であった。この組成物を用いて、実施例１と
同様にして電子部品Ａを作製した。この電子部品Ａにお
いて、リードフレーム５とエポキシ樹脂６との間に含浸
された電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組
成物は完全には硬化しておらず、部分的に液状であっ
た。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、これらの
結果を表１に示した。
酸とジビニルテトラメチルジシロキサンとの錯体を、組
成物中、白金金属が１ppmとなる量添加した以外は実施
例１と同様にして、比較の電子部品含浸用硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を調製した。この組成物を１５
０℃で３０分間加熱してゴム状の硬化物を得た。このシ
リコーンゴムの硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定され
るＪＩＳ Ａ硬度計により測定したところ、ＪＩＳ Ａ
硬度は２５であった。この組成物を用いて、実施例１と
同様にして電子部品Ａを作製した。この電子部品Ａにお
いて、リードフレーム５とエポキシ樹脂６との間に含浸
された電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組
成物は完全には硬化しておらず、部分的に液状であっ
た。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、これらの
結果を表１に示した。
【００３１】［比較例２］実施例１において、１，３，
５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニル
シクロテトラシロキサンを、組成物中、１５００ppmと
した以外は実施例１と同様にして、比較の電子部品含浸
用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。こ
の組成物を１５０℃で３０分間加熱してゴム状の硬化物
を得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規
定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定したところ、ＪＩ
Ｓ Ａ硬度は２８であった。この組成物を用いて、実施
例１と同様にして電子部品Ａを作製した。この電子部品
Ａにおいて、リードフレーム５とエポキシ樹脂６との間
に含浸された電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキ
サン組成物は完全には硬化しておらず、部分的に液状で
あった。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、これ
らの結果を表１に示した。
５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニル
シクロテトラシロキサンを、組成物中、１５００ppmと
した以外は実施例１と同様にして、比較の電子部品含浸
用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。こ
の組成物を１５０℃で３０分間加熱してゴム状の硬化物
を得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規
定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定したところ、ＪＩ
Ｓ Ａ硬度は２８であった。この組成物を用いて、実施
例１と同様にして電子部品Ａを作製した。この電子部品
Ａにおいて、リードフレーム５とエポキシ樹脂６との間
に含浸された電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキ
サン組成物は完全には硬化しておらず、部分的に液状で
あった。また、この電子部品Ａの耐湿性を評価し、これ
らの結果を表１に示した。
【００３２】［比較例３］実施例１において、一分子中
にケイ素原子結合水素原子を５個有するジメチルシロキ
サン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体を２．
５重量部とした以外は実施例１と同様にして、比較の電
子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調
製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱してゴム
状の硬化物を得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６
３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定したと
ころ、ＪＩＳ Ａ硬度は５であった。この組成物を用い
て、実施例１と同様にして電子部品Ａを作製した。この
電子部品Ａにおいて、リードフレーム５とエポキシ樹脂
６との間に含浸された電子部品含浸用硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物は完全には硬化しておらず、部分的
にゲル状であった。また、この電子部品Ａの耐湿性を評
価し、これらの結果を表１に示した。
にケイ素原子結合水素原子を５個有するジメチルシロキ
サン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体を２．
５重量部とした以外は実施例１と同様にして、比較の電
子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調
製した。この組成物を１５０℃で３０分間加熱してゴム
状の硬化物を得た。この硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６
３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定したと
ころ、ＪＩＳ Ａ硬度は５であった。この組成物を用い
て、実施例１と同様にして電子部品Ａを作製した。この
電子部品Ａにおいて、リードフレーム５とエポキシ樹脂
６との間に含浸された電子部品含浸用硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物は完全には硬化しておらず、部分的
にゲル状であった。また、この電子部品Ａの耐湿性を評
価し、これらの結果を表１に示した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】請求項１の電子部品含浸用硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物は含浸性および狭い隙間での硬
化性が優れるという特徴を有し、また請求項２の電子部
品は耐湿性が優れるという特徴を有する。
ノポリシロキサン組成物は含浸性および狭い隙間での硬
化性が優れるという特徴を有し、また請求項２の電子部
品は耐湿性が優れるという特徴を有する。
【図１】図１は本発明の電子部品の一実施例である電子
部品Ａの断面図である。
部品Ａの断面図である。
【図２】図２は電子部品Ａの隙間に本発明の電子部品含
浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を含浸した
後、該組成物を硬化させて得られた電子部品Ａの一部を
拡大した断面図である。
浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物を含浸した
後、該組成物を硬化させて得られた電子部品Ａの一部を
拡大した断面図である。
１ 半導体素子 ２ タブ ３ ボンディングパッド ４ ボンディングパッド ５ リードフレーム ６ 金製ボンディングワイヤ ７ シリコーン系コーティング剤 ８ エポキシ樹脂 ９ 硬化物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原
子結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサ
ン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水
素原子を含有するオルガノポリシロキサン｛(Ａ)成分中
のアルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素結
合水素原子が０．５〜５モルとなる量｝、(Ｃ)白金また
は白金化合物｛本組成物中、(Ｃ)成分の白金金属が重量
単位で２〜３０ppmとなる量｝および(Ｄ)付加反応抑制
剤｛本組成物中、重量単位で５０〜８００ppmとなる
量｝からなる組成物であり、該組成物の２５℃における
粘度が５〜１，０００センチポイズであり、かつ該組成
物の硬化物のＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ
Ａ硬度が１５〜８５であることを特徴とする、０．０
１〜５μｍの隙間を有する電子部品含浸用硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物。 - 【請求項２】０．０１〜５μｍの隙間を有する電子部品
の隙間に、請求項１記載の電子部品含浸用硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を含浸した後、該組成物を硬化
してなる電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6102368A JPH07278438A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物および電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6102368A JPH07278438A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物および電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278438A true JPH07278438A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=14325521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6102368A Pending JPH07278438A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 電子部品含浸用硬化性オルガノポリシロキサン組成物および電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07278438A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314139A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP6102368A patent/JPH07278438A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002314139A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
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