JP3420473B2 - シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置 - Google Patents

シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコーン系接着
性シート、その製造方法、および半導体装置に関し、詳
しくは、硬化途上、低粘度シリコーンオイルの滲み出し
が抑制され、半導体チップと該チップ取付部を良好に接
着でき、ひいては信頼性の優れた半導体装置を調製する
ことができるシリコーン系接着性シート、およびこのよ
うなシリコーン系接着性シートにおいて特に良好な接着
性を有し、信頼性の優れた半導体装置を調製することが
できるシリコーン系接着性シートを効率良く製造する方
法、このようなシリコーン系接着性シートを用いて、半
導体チップおよび該チップ取付部を接着してなる、信頼
性が優れる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップを該チップ取付部に
接着するためには液状硬化性シリコーン組成物ないしは
ペースト状硬化性シリコーン組成物等のシリコーン系接
着剤が用いられていた。このようなシリコーン系接着剤
としては、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合
アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子
中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有する
オルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用
触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物が用い
られ、さらに、接着促進剤として、一分子中に、ケイ素
原子結合アルコキシ基およびケイ素原子結合アルケニル
基またはケイ素原子結合水素原子をそれぞれ少なくとも
１個ずつ有するオルガノポリシロキサンを配合してなる
硬化性シリコーン組成物（特開平３−１５７４７４号公
報参照）が用いられていた。
【０００３】しかし、このような硬化性シリコーン組成
物は、硬化途上に、この組成物から低粘度シリコーンオ
イルが滲み出して、この組成物の周囲を汚染するという
問題があった。この低粘度シリコーンオイルは、主成分
のオルガノポリシロキサンに含まれる低重合度のオルガ
ノポリシロキサンであったり、接着促進剤として添加し
たオルガノポリシロキサンに含まれている低重合度のオ
ルガノポリシロキサンであるため、これらを完全に取り
除くことは非常に困難であった。このため、このような
硬化性シリコーン組成物を用いて半導体チップと該チッ
プ取付部を接着した後には、該チップ上のボンディング
パッドとボンディングワイヤやビームリードとのワイヤ
ボンダビリティ（接合性）が低下したりして、得られる
半導体装置の信頼性が乏しくなるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、硬化途上、低粘度シリコーン
オイルの滲み出しが抑制され、半導体チップと該チップ
取付部を良好に接着でき、ひいては信頼性の優れた半導
体装置を調製することができるシリコーン系接着性シー
ト、およびこのようなシリコーン系接着性シートにおい
て特に良好な接着性を有し、信頼性の優れた半導体装置
を調製することができるシリコーン系接着性シートを効
率良く製造する方法、このようなシリコーン系接着性シ
ートを用いて、半導体チップおよび該チップ取付部を接
着してなる、信頼性が優れる半導体装置を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコーン系接
着性シートは、少なくとも半導体チップを該チップ取付
部に接着するためのものであり、該チップおよび該チッ
プ取付部に接する面が、(Ａ)一分子中に少なくとも２個
のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシ
ロキサン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子
結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｃ)一
分子中に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素
原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基
をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン、およ
び／または一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少
なくとも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子
中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合ア
ルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガ
ノシロキサンの混合物、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応
用触媒からなるヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組
成物の半硬化状物により形成されており、該半硬化状物
に対して剥離性を有する基材間（但し、該基材の少なく
とも一方の誘電率が該半硬化状物の誘電率よりも大き
い。）で該組成物を半硬化状に硬化させたことを特徴と
する。
【０００６】また、本発明のシリコーン系接着性シート
の製造方法は、(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素
原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサ
ン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水
素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｃ)一分子中
に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結
合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれ
ぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン、および／ま
たは一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくと
も１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中に、
ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニ
ル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロ
キサンの混合物、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒
からなるヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物の
半硬化状物に対して剥離性を有する基材間で該組成物を
半硬化状に硬化させて、半導体チップを該チップ取付部
に接着するためのシリコーン系接着性シートを製造する
方法において、該基材の少なくとも一方の誘電率が該半
硬化状物の誘電率よりも大きいことを特徴とする。
【０００７】さらに、本発明の半導体装置は、少なくと
も半導体チップおよび該チップ取付部に接する面が、
(Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
ニル基を有するオルガノポリシロキサン、(Ｂ)一分子中
に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオ
ルガノポリシロキサン、(Ｃ)一分子中に、ケイ素原子結
合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およ
びケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１
個ずつ有するシロキサン、および／または一分子中にケ
イ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラ
ンもしくはシロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒ
ドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少
なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物、
および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒からなるヒドロシ
リル化反応硬化性シリコーン組成物の半硬化状物により
形成されており、該半硬化状物に対して剥離性を有する
基材 間（但し、該基材の少なくとも一方の誘電率が該半
硬化状物の誘電率よりも大きい。）で該組成物を半硬化
状に硬化させたシリコーン系接着性シートにより該チッ
プを該チップ取付部に接着してなることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明のシリコーン系接着性シー
ト、およびその製造方法を詳細に説明する。本発明のシ
リコーン系接着性シートは、半導体チップを該チップ取
付部に接着するためのものであり、少なくとも該チップ
および該チップ取付部に接する面がヒドロシリル化反応
硬化性シリコーン組成物の半硬化状物により形成されて
いることを特徴とし、さらには、半導体チップおよび該
チップ取付部に接する面がヒドロシリル化反応硬化性シ
リコーン組成物の半硬化状物により形成されており、内
部がシリコーンゴム部材から形成されていることを特徴
とする。この半硬化状物とは、ＪＩＳ Ｋ ６８００
（接着剤・接着用語）に定義されているようなＢ−ステ
ージ（熱硬化性樹脂の硬化中間体。この状態での樹脂は
加熱すると軟化し、ある種の溶剤に触れると膨潤する
が、完全に溶融・溶解することはない。）型の接着剤で
あり、すなわち、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン
組成物が完全には硬化しておらず、架橋の程度によって
その形状は異なるが、一般には、流動性のあるヒドロシ
リル化反応硬化性シリコーン組成物が流動性を失ったよ
うな状態であり、ゲル状ないしはゴム状のものである。
本発明のシリコーン系接着性シートは、このヒドロシリ
ル化反応硬化性シリコーン組成物の半硬化状物のみから
形成されていてもよく、また、半導体チップおよび該チ
ップ取付部に接する面のみが該半硬化状物により形成さ
れ、内部がシリコーンゴム部材により形成されたもので
あってもよい。この後者のシリコーン系接着性シートに
おいて、内部のシリコーンゴム部材としては、シリコー
ンゴムシート、シリコーンゴム粒子が例示される。ま
た、これらのシリコーン系接着性シートの形状は限定さ
れず、その厚さとしては、使用上、１〜５０００μｍの
範囲であることが好ましく、特に、１０〜１０００μｍ
であることが好ましい。
【０００９】このような半硬化状物により形成されたシ
リコーン系接着性シートの製造方法としては、ヒドロシ
リル化反応硬化性シリコーン組成物をシート状にして半
硬化状に硬化させる方法、シリコーンゴムシートの両面
に該組成物を均一に塗布して半硬化状に硬化させる方
法、シリコーンゴム粒子を含有する該組成物をシート状
にして半硬化状に硬化させる方法が例示されるが、特に
良好な接着性を示すことから、ヒドロシリル化反応硬化
性シリコーン組成物の半硬化状物に対して剥離性を有
し、かつ該半硬化状物の誘電率よりも少なくとも一方が
大きい基材間で該組成物を半硬化状に硬化させることに
より、このシリコーン系接着性シートを製造する方法が
好ましい。
【００１０】このヒドロシリル化反応硬化性シリコーン
組成物の半硬化状物に対して剥離性を有し、かつ該半硬
化状物の誘電率よりも大きい基材としては、金属、金属
酸化物等の無機質の基材、ポリイミド樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂からなる基材が例示
され、特に、この有機樹脂からなる基材であることが好
ましい。この有機樹脂からなる基材としては、これらの
有機樹脂のみからなる基材であってもよく、また、これ
らの有機樹脂を表面や内部に有する複合基材であっても
よく、この複合基材としては、前記の有機樹脂の表面を
フッ素樹脂やその他の有機樹脂で被覆した基材が例示さ
れる。また、こららの基材の形状は限定されず、例え
ば、ブロック状、板状、フィルム状が例示され、特に、
フィルム状の基材を用いた場合には、このシリコーン系
接着性シートの保護材として用いることができ、半導体
チップおよび該チップ取付部にこれを貼り付ける際に、
この保護材を剥がして使用することが好ましい。また、
この保護材の代わりに、別のフィルム状の保護材に貼り
替えてもよい。この場合の保護材の誘電率は特に限定さ
れず、例えば、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂等の有機樹脂フィルムが挙げられる。これ
らの基材を用いてシリコーン系接着性シートを調製する
方法としては、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組
成物をこれらの基材の間に挟み込んだ状態で半硬化状に
硬化させる方法、シリコーンゴムシートの両面に該組成
物を均一に塗布した後、これらの基材の間に挟み込んだ
状態で半硬化状に硬化させる方法、シリコーンゴム粒子
を含有する該組成物をこれらの基材の間に挟み込んだ状
態で半硬化状に硬化させる方法が例示される。これらの
基材の間に挟み込んでシリコーン系接着性シートを調製
するためには、これを２本ロールやプレス機等により成
形した後、もしくは成形しながら、ヒドロシリル化反応
硬化性シリコーン組成物を半硬化状に硬化させることが
好ましい。
【００１１】また、このようなヒドロシリル化反応硬化
性シリコーン組成物としては、特に、 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
ニル基を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子水素原子を
有するオルガノポリシロキサン、 (Ｃ)一分子中に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくは
ケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコ
キシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサ
ン、および／またはケイ素原子結合アルコキシ基を少な
くとも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中
に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基ケイ素原子結合ヒドロ
キシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なく
とも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物、およ
び (Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる硬化
性シリコーン組成物であることが好ましい。
【００１２】(Ａ)成分は、上記組成物の主剤であり、一
分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基
を有するオルガノポリシロキサンである。この(Ａ)成分
の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖
状、分枝鎖状、網状が例示される。また、(Ａ)成分中の
ケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示
され、特に、ビニル基であることが好ましい。このアル
ケニル基の結合位置としては、分子鎖末端および／また
は分子鎖側鎖が例示される。また、(Ａ)成分中のアルケ
ニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベン
ジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル
基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロ
プロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは
非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、
フェニル基であることが好ましい。また、得られるシリ
コーン系接着性シートが優れた耐寒性を有し、このシリ
コーン系接着性シートを用いて作製した半導体装置の信
頼性がより向上することから、(Ａ)成分中のケイ素原子
に結合した有機基に対するフェニル基の含有量が１モル
％以上であることが好ましく、さらには、これが１〜６
０モル％の範囲内であることが好ましく、特には、これ
が１〜３０モル％の範囲内であることが好ましい。ま
た、(Ａ)成分の粘度は限定されないが、２５℃における
粘度が１００〜１，０００，０００センチポイズの範囲
内であることが好ましい。
【００１３】(Ｂ)成分は、上記組成物の架橋剤であり、
一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を
有するオルガノポリシロキサンである。この(Ｂ)成分の
分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、
分枝鎖状、環状、網状が例示される。また、(Ｂ)成分中
のケイ素原子に結合した水素原子の結合位置としては、
分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。ま
た、(Ｂ)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合した
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示さ
れ、特に、メチル基、フェニル基であることが好まし
い。また、この(Ｃ)成分の粘度は限定されないが、２５
℃における粘度が１〜１００，０００センチポイズの範
囲内であることが好ましい。
【００１４】(Ｂ)成分の配合量は、上記組成物を硬化さ
せるに十分な量であり、これは、上記組成物中のケイ素
原子結合アルケニル基１モルに対して、ケイ素原子結合
水素原子が０．５〜１０モルの範囲内となる量であるこ
とが好ましく、特に、これが１〜３モルの範囲内である
ことが好ましい。これは、上記組成物において、ケイ素
原子結合アルケニル基１モルに対して、ケイ素原子結合
水素原子がこの範囲未満のモル数であると、上記組成物
が硬化しなくなる傾向があり、一方、この範囲をこえる
モル数であると、上記組成物の硬化物の耐熱性が低下す
る傾向があるからである。
【００１５】(Ｃ)成分は、上記組成物の硬化物に良好な
接着性を付与するための成分であり、一分子中に、ケイ
素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原
子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少な
くとも１個ずつ有するシロキサン、および／またはケイ
素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラン
もしくはシロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒド
ロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少な
くとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物であ
る。
【００１６】この(Ｃ)成分のうち、一分子中に、ケイ素
原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原
子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少な
くとも１個ずつ有するシロキサンの分子構造としては、
直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網
状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であるこ
とが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子結合アル
ケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、
ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル
基であることが好ましい。また、このシロキサン中のケ
イ素原子結合アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ
基が例示され、特に、メトキシ基であることが好まし
い。また、このシロキサン中のアルケニル基、水素原
子、およびアルコキシ基以外のケイ素原子に結合した基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グ
リシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）プロピル基等の（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）アルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等
のエポキシ含有一価有機基が例示され、各種の基材に対
しても良好な接着性を付与することができることから、
一分子中に、このエポキシ含有一化有機基を少なくとも
１個有することが好ましい。このようなシロキサンの粘
度は限定されないが、２５℃において１〜５００センチ
ポイズの範囲内であることが好ましい。
【００１７】また、この(Ｃ)成分のうち、ケイ素原子結
合アルコキシ基を少なくとも１個有するシランもしくは
シロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基
とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１
個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物において、前
者のシラン中のケイ素原子に結合したアルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ
基であることが好ましい。また、このシランのケイ素原
子には上記のアルコキシ基以外に、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グ
リシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）プロピル基等の（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）アルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等
のエポキシ含有一価有機基を有していてもよく、各種の
基材に対しても良好な接着性を付与することができるこ
とから、このエポキシ含有一価有機基を一分子中に少な
くとも１個有することが好ましい。
【００１８】また、前者のシロキサンの分子構造として
は、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状で
あることが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子に
結合したアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が
例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。ま
た、このシロキサンのケイ素原子には上記のアルコキシ
基以外に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、
３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロ
ピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置
換の一価炭化水素基；３−グリシドキシプロピル基、４
−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等の
（３，４−エポキシシクロヘキシル）アルキル基；４−
オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等
のオキシラニルアルキル基等のエポキシ含有一価有機基
を有していてもよく、各種の基材に対しても良好な接着
性を付与することができることから、このエポキシ含有
一価有機基を一分子中に少なくとも１個有することが好
ましい。このようなシロキサンの粘度は限定されない
が、２５℃において１〜５００センチポイズの範囲内で
あることが好ましい。
【００１９】また、後者のオルガノシロキサンの分子構
造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖
状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、
網状であることが好ましい。このオルガノシロキサン中
のケイ素原子に結合したアルケニル基としては、ビニル
基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。
また、このオルガノシロキサン中のヒドロキシ基および
アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロ
ロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリ
フルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換
もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。このよ
うなオルガノシロキサンの粘度は限定されないが、２５
℃において１〜５００センチポイズの範囲内であること
が好ましい。
【００２０】このケイ素原子結合アルコキシ基を少なく
とも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中
に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アル
ケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノ
シロキサンの比率は限定されないが、特に良好な接着性
を付与することができることから、前者のシランもしく
はシロキサンと後者のオルガノシロキサンの重量比率が
１／９９〜９９／１の範囲内であることが好ましい。
【００２１】(Ｃ)成分としては、一分子中にケイ素原子
結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ
素原子結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくと
も１個ずつ有するオルガノシロキサンであることが好ま
しく、特には、平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
3Ｏ1/2)d で表されるオルガノシロキサンであることが好ましい。
上式中のＲ1はエポキシ含有一価有機基であり、３−グ
リシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）プロピル基等の（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）アルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基が
例示され、特に、グリシドキシアルキル基であることが
好ましく、さらには、３−グリシドキシプロピル基であ
ることが好ましい。また、上式中のＲ2は置換もしくは
非置換の一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル
基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フ
ェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリ
ール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；
クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−
トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の
置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、但
し、この成分中の少なくとも１個のＲ2はアルケニル基
であることが必要である。また、上式中のＲ3はアルキ
ル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、メトキシエチル基が例示され、特に、メチル基、エ
チル基であることが好ましい。また、上式中のａは正数
であり、ｂは正数であり、ｃは０または正数であり、ｄ
は正数である。
【００２２】(Ｃ)成分の配合量は、上記組成物の硬化物
に特に良好な接着性を付与するに十分な量であり、例え
ば、(Ａ)成分１００重量部に対して０．０１〜２０重量
部の範囲内となる量であることが好ましく、特に、これ
が０．１〜１０重量部の範囲内となる量であることが好
ましい。これは、(Ｃ)成分の配合量がこの範囲未満の量
であると、硬化物の接着性が低下する傾向があり、一
方、この範囲をこえても接着性に影響はなく、むしろ、
シリコーン系接着性シートの安定性が低下する傾向があ
るからである。
【００２３】(Ｄ)成分は、上記組成物のヒドロシリル化
反応による硬化を促進するための触媒であり、白金系触
媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒド
ロシリル化反応用触媒が例示され、特に、白金微粉末、
白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化
白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィ
ン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体等の白金系触
媒が反応速度が良好であることから好ましい。
【００２４】(Ｄ)成分の配合量は、上記組成物の硬化を
促進するに十分な量であり、これは、白金系触媒を用い
る場合には、上記組成物において、この触媒中の白金金
属が重量単位で０．０１〜１，０００ｐｐｍの範囲内と
なる量であることが好ましく、特に、これが０．１〜５
００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。これは、
(Ｄ)成分の配合量が、この範囲未満の量であると、得ら
れる組成物の硬化速度が著しく遅くなる傾向があり、一
方、この範囲をこえる量であっても、さほど硬化速度に
は影響がなく、むしろ、着色等の問題を生じるからであ
る。
【００２５】上記組成物は、(Ａ)成分〜(Ｄ)成分を均一
に混合することにより得られる、この組成物を室温もし
くは室温〜２００℃の温度範囲、好ましくは、室温〜１
２０℃の温度範囲に加熱することによりヒドロシリル化
反応させて半硬化状物を形成することができる。上記組
成物を加熱する際には、上記組成物が完全に硬化してし
まわないように注意を要する。
【００２６】この半硬化状物を形成する際に、上記組成
物のヒドロシリル化反応速度を調整し、半硬化状物の安
定性を向上させるために、上記組成物にヒドロシリル化
反応抑制剤を配合することが好ましい。このヒドロシリ
ル化反応抑制剤としては、３−メチル−１−ブチン−３
−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オー
ル、フェニルブチノール等のアルキンアルコール；３−
メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−
３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１，３，
５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニル
シクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチ
ル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシ
ロキサン、ベンゾトリアゾールが例示される。この付加
反応抑制剤の配合量としては、上記組成物の硬化条件に
より異なるが、(Ａ)成分１００重量部に対して０．００
００１〜５重量部の範囲内であることが実用上好まし
い。
【００２７】また、上記のような硬化性シリコーン組成
物には、その他任意の成分として、沈降シリカ、湿式シ
リカ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、ア
ルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化
亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ
素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機質充填剤、これら
の充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシ
ラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処
理した無機質充填剤；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、
フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末；銀、銅等の導電性金属
粉末等の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤を配合する
ことができる。
【００２８】続いて、本発明の半導体装置を詳細に説明
する。本発明の半導体装置は、少なくとも半導体チップ
および該チップ取付部に接する面がヒドロシリル化反応
硬化性シリコーン組成物の半硬化状物により形成された
シリコーン系接着性シートにより半導体チップを該チッ
プ取付部に接着してなることを特徴とする。この半導体
装置に用いられるシリコーン系接着性シートは上述の通
りであり、このシートの好ましい製造方法も上述の通り
である。このような半導体装置としては、ダイオード、
トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、ハイブ
リッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示される。これらの
半導体装置において、本発明の半導体装置は、ダイオー
ド、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ等の
メモリ、さらにはハイブリッドＩＣ中の半導体チップ等
の半導体チップの片面の一部ないしは全部を、該チップ
取付部にシリコーン系接着性シートにより接着している
ことを特徴としている。
【００２９】本発明の半導体装置をさらに詳細に説明す
るために、本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドＩＣ（断面図）を図１に、ＬＳＩ（断面図）を図２に
それぞれ示した。こららの図面により説明すると、図１
で示される半導体装置は、半導体チップ１がシリコーン
系接着性シート２により回路基板３に接着されており、
この半導体チップ１と外部リードに接続した回路配線４
とがボンディングワイヤ５により電気的に接続されてい
る。この回路基板３はセラミック、ガラス、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フォノール樹脂、ベークライト樹
脂、メラミン樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等から
形成されている。また、この回路配線４は金、銅、アル
ミニウム、銀パラジウム、インジウムチンオキサイド
（ＩＴＯ）等から形成されている。また、このボンディ
ングワイヤ５は、金、銅、アルミニウムから形成されて
いる。また、この半導体素子１は封止樹脂６により樹脂
封止されている。この封止樹脂６を形成する樹脂として
は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサ
ルファイド樹脂が例示される。また、この回路基板２上
には、この半導体チップ１の他にも、抵抗、コンデンサ
ー、コイル等の電子部品が搭載されていてもよい。
【００３０】一方、図２で示される半導体装置は、半導
体チップ１がシリコーン系接着性シートの硬化物２によ
り回路基板７に接着しており、この半導体チップ１と回
路基板７上の回路配線４とがバンプ８により電気的に接
続されている。この回路基板７はポリイミド樹脂、セラ
ミック、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等から形成されて
いる。また、このバンプ８は金、アルミニウム、ハンダ
等から形成されている。また、この半導体チップ１と回
路基板７との間のバンプ８の周囲は樹脂９により含浸さ
れている。この樹脂９を形成する樹脂としては、液状硬
化性シリコーン樹脂、液状硬化性エポキシ樹脂が例示さ
れる。また、必要に応じて、さらにこの半導体チップ１
は封止樹脂６により樹脂封止されている。
【００３１】本発明の半導体装置を製造する方法を図面
により説明する。図１で示される半導体装置を製造する
方法としては、次のような方法が例示される。半導体チ
ップ１にシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、こ
のシートに回路基板３を貼り付けるか、または、この回
路基板３上にシリコーン系接着性シートを貼り付けた
後、このシートにこの半導体チップ１を貼り付け、次い
で、このシートを硬化させる。このシートを硬化させる
方法としては、室温で放置するか、または２００℃以下
に加熱する方法が好ましい。この際、このシートを押圧
しながら硬化させることが好ましい。その後、この半導
体チップ１と回路配線４とをボンディングワイヤ５によ
り電気的に接続する。続いて、この半導体チップ１を必
要により封止樹脂６により樹脂封止する。
【００３２】また、図２で示される半導体装置を製造す
る方法としては、次のような方法が例示される。半導体
チップ１にシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、
このシートに回路基板７を貼り付けるか、または、この
回路基板７にシリコーン系接着性シートを貼り付けた
後、このシートにこの半導体チップ１を貼り付け、次い
で、このシートを硬化させる。このシートを硬化させる
方法としては、室温で放置するか、または２００℃以下
に加熱する方法が好ましい。この際、このシートを押圧
しながら硬化させることが好ましい。その後、この半導
体チップ１と回路配線４とをバンプ８の融着により電気
的に接続する。続いて、このバンプ８の周囲を樹脂９に
より含浸する。さらに、この半導体チップ１を必要によ
り封止樹脂６により樹脂封止する。
【００３３】
【実施例】本発明のシリコーン系接着性シート、その製
造方法、および半導体装置を実施例により詳細に説明す
る。なお、実施例中の粘度は２５℃において測定した値
であり、ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物の
半硬化状物の誘電率は２５℃、１ＭＨｚにおいて測定し
た値である。また、シリコーン系接着性シートの硬化途
上における低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無、
その接着性、および半導体装置の信頼性は次のようにし
て評価した。
【００３４】［シリコーン系接着性シートの硬化途上に
おける低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無］ シリコーン系接着性シートの硬化途上における低粘度シ
リコーンオイルの滲み出しの有無を図３に示した方法に
より評価した。すなわち、シリコーン系接着性シートを
ガラス繊維強化エポキシ樹脂板Ａ（５ｃｍ×５ｃｍ）上
に、１ｃｍ×１ｃｍ×１ｍｍとなるように貼り付けた試
験体を１０個作成した。この試験体のうち５個は、この
シリコーン系接着性シートを貼り付けた直後に１５０℃
の熱風循環式オーブン中で２時間加熱することにより、
このシートを硬化させた。また、残りの５個の試験体
は、このシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、２
５℃で２４時間静置した後、１５０℃の熱風循環式オー
ブン中で２時間加熱することにより、このシートを硬化
させた。それぞれの硬化条件で作成した試験体におい
て、エポキシ樹脂板Ａ上に形成されたシリコーン系接着
性シートの硬化物Ｂから滲み出た低粘度シリコーンオイ
ルＣの長さ（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）の平均値を求めて、それ
ぞれ５個の試験体の平均値により評価した。
【００３５】［シリコーン系接着性シートの接着性］ シリコーン系接着性シートの接着性を次のようにして評
価した。すなわち、シリコーン系接着性シートをシリコ
ーンウエハー（３ｃｍ×３ｃｍ）およびポリイミド樹脂
（３ｃｍ×３ｃｍ）上にそれぞれ１ｃｍ×１ｃｍとなる
ように貼り付けた後、これを１５０℃の熱風循環式オー
ブン中で２時間加熱して、このシートを完全に硬化させ
た試験体を作成した。これらの試験体におけるシートの
硬化物を金属製のへらを用いて取り除き、この硬化物の
シリコーンウエハーおよびポリイミド樹脂に対する接着
性を観察した。この硬化物が良好に接着性している場合
を○、剥離を生じている場合を×として示した。
【００３６】［半導体装置の信頼性の評価(その１)］ 図１で示した半導体装置により信頼性の評価を行った。
すなわち、表面に印刷により形成された回路配線４およ
び端部に外部リードを有するガラス繊維強化エポキシ樹
脂製の回路基板３上にシリコーン系接着性シートを貼り
付け、次に、このシートに半導体チップ１を貼り付けた
半導体装置を４０個作成した。この半導体装置のうち２
０個は、半導体チップ１を回路基板３にシリコーン系接
着性シートを用いて貼り付けた直後に１５０℃の熱風循
環式オーブン中で２時間加熱した。また、残りの２０個
の半導体装置は、半導体チップ１を回路基板３にシリコ
ーン系接着性シートを用いて貼り付けて、２５℃で２４
時間放置した後、１５０℃の熱風循環式オーブン中で２
時間加熱した。次に、これらの半導体装置の半導体チッ
プ１と回路配線４とをボンディングワイヤ５により電気
的に接続した。その後、この半導体装置をエポキシ系封
止樹脂６で樹脂封止した。このようにして作成した半導
体装置を８５℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時
間および３０００時間放置した後、外部リード間の電気
導通試験を行い、それぞれの導通不良の半導体装置の数
（不良率）を求めた。
【００３７】［半導体装置の信頼性の評価(その２)］ 図２で示した半導体装置により信頼性の評価を行った。
すなわち、ポリイミド樹脂製の回路基板７にシリコーン
系接着性シートを貼り付け、このシートに半導体素子１
を貼り付けた後、回路基板７上の回路配線４とを金製の
バンプ８により電気的に接続して半導体装置４０個を作
成した。この半導体装置のうち２０個は、半導体チップ
１を回路基板７にシリコーン系接着性シートを用いて貼
り付けた直後に１５０℃の熱風循環式オーブン中で２時
間加熱した。また、残りの２０個の半導体装置は、半導
体チップ１を回路基板７にシリコーン系接着性シートを
用いて貼り付け、２５℃で２４時間放置した後、１５０
℃の熱風循環式オーブン中で２時間加熱した。次に、こ
れらの半導体装置の半導体チップ１と回路基板７の間の
バンプ８の周囲をシリコーン系樹脂９で含浸した後、こ
の半導体素子１をエポキシ系封止樹脂で樹脂封止した。
このようにして作成した半導体装置を８５℃、相対湿度
８５％の条件下で１０００時間および３０００時間放置
した後、外部リード間の電気導通試験を行い、それぞれ
の導通不良の半導体装置の数（不良率）を求めた。
【００３８】［半導体装置の信頼性の評価(その３)］ 図２で示した半導体装置により信頼性の評価を行った。
すなわち、ポリイミド樹脂製の回路基板７にシリコーン
系接着性シートを貼り付け、このシートに半導体素子１
を貼り付けた後、回路基板７上の回路配線４とを金製の
バンプ８により電気的に接続して半導体装置４０個を作
成した。この半導体装置のうち２０個は、半導体チップ
１を回路基板７にシリコーン系接着性シートを用いて貼
り付けた直後に１５０℃の熱風循環式オーブン中で２時
間加熱した。また、残りの２０個の半導体装置は、半導
体チップ１を回路基板７にシリコーン系接着性シートを
用いて貼り付け、２５℃で２４時間放置した後、１５０
℃の熱風循環式オーブン中で２時間加熱した。次に、こ
れらの半導体装置の半導体チップ１と回路基板７の間の
バンプ８の周囲をシリコーン系樹脂９で含浸した後、こ
の半導体素子１をエポキシ系封止樹脂で樹脂封止した。
このようにして作成した半導体装置を、−５５℃で１０
分間放置した後、直ちに＋１２５℃で１０分間放置する
サーマルサイクル試験を１０００回および３０００回行
った後、外部リード間の電気導通試験を行い、それぞれ
の導通不良の半導体装置の数（不良率）を求めた。
【００３９】［実施例１］ (Ａ)成分として、粘度４０，０００センチポイズの分子
鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシ
ロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０．０８
重量％）７２重量部、および粘度６，０００センチポイ
ズの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体（ケイ
素原子結合ビニル基の含有量＝０．８４重量％）１５重
量部、(Ｂ)成分として、粘度５センチポイズの分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結
合水素原子の含有量＝０．７重量％）３重量部、(Ｃ)成
分として、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ンと粘度４０センチポイズの分子鎖両末端ジメチルヒド
ロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン（ケイ素原子
結合ビニル基の含有量＝３１重量％）との重量比１：１
の混合物１．０重量部、(Ｄ)成分として、白金の１，３
−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン錯体（本組成物において、この錯体中の白金金属が重
量単位で５ｐｐｍとなる量）、および付加反応抑制剤と
して、３−フェニル−１−ブチン−３−オール０．０１
重量部を均一に混合して、粘度２５，０００センチポイ
ズである、ヒドロシリル化反応硬化型の硬化性シリコー
ン組成物を調製した。
【００４０】この硬化性シリコーン組成物を誘電率３．
５、厚さ１００μｍのポリイミド樹脂シートの間にはさ
み、クリアランスを調整したステンレス製の２本ロール
により、該組成物の厚さを２００μｍとした状態で、８
０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱することに
より、該組成物の半硬化状物からなるシリコーン系接着
性シートを調製した。このシリコーン系接着性シートは
該ポリイミド樹脂シートから容易に剥がすことができ、
ほぼ２００μｍの均一な厚さであり、その誘電率は２．
８であった。このシリコーン系接着性シートの硬化途上
での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無、その接
着性、および半導体装置の信頼性を前記の方法により評
価し、それらの結果を表１に示した。
【００４１】［比較例１］ 実施例１で用いた硬化性シリコーン組成物を誘電率２．
１、厚さ１００μｍのフッ素樹脂シートにはさんで、該
組成物の半硬化状物からなるシリコーン系接着性シート
を調製した。このシリコーン系接着性シートは該フッ素
樹脂シートから容易に剥がすことができ、ほぼ２００μ
ｍの均一な厚さであり、その誘電率は２．８であった。
このシリコーン系接着性シートの硬化途上での低粘度シ
リコーンオイルの滲み出しの有無、その接着性、および
半導体装置の信頼性を前記の方法により評価し、それら
の結果を表１に示した。
【００４２】［比較例２］比較例１ において、硬化性シリコーン組成物を１５０℃
の熱風循環式オーブン中で２時間加熱することにより、
該組成物を完全に硬化させてシリコーン系接着性シート
を作成した。このシリコーン系接着性シートの接着性を
上記の方法により評価したが、このシートは全く接着性
を示さなかったので、これを用いた半導体装置の信頼性
を評価することができなかった。
【００４３】［比較例３］ 実施例１で用いた硬化性シリコーン組成物において、
(Ｃ)成分の代わりに、粘度２０センチポイズの分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポ
リシロキサン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝１．
５重量％）を１重量部配合した以外は実施例１と同様に
して、粘度２６，０００センチポイズの硬化性シリコー
ン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物を用
いて、実施例１と同様にしてシリコーン系接着性シート
を調製した。このシリコーン系接着性シートは該ポリイ
ミド樹脂シートから容易に剥がすことができ、ほぼ２０
０μｍの均一な厚さであり、その誘電率は２．８であっ
た。このシリコーン系接着性シートの硬化途上での低粘
度シリコーンオイルの滲み出しの有無、その接着性、お
よび半導体装置の信頼性を前記の方法により評価し、そ
れらの結果を表１に示した。
【００４４】［実施例２］ 実施例１で用いた硬化性シリコーン組成物を誘電率３．
３、厚さ１２５μｍのフッ素樹脂被覆ポリイミド樹脂シ
ートにはさんで、実施例１と同様にして、該組成物の半
硬化状物からなるシリコーン系接着性シートを調製し
た。このシリコーン系接着性シートは該フッ素樹脂被覆
ポリイミド樹脂シートから容易に剥がすことができ、ほ
ぼ２００μｍの均一な厚さであり、その誘電率は２．８
であった。このシリコーン系接着性シートの硬化途上で
の低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無、その接着
性、および半導体装置の信頼性を前記の方法により評価
し、それらの結果を表１に示した。
【００４５】［実施例３］ 実施例１で用いた硬化性シリコーン組成物を誘電率２．
１、厚さ１００μｍのフッ素樹脂シートの間にはさみ、
クリアランスを調整したステンレス製の２本ロールによ
り、該組成物の厚さを１００μｍとした状態で、１５０
℃の熱風循環式オーブン中で２時間加熱することによ
り、該組成物を完全に硬化させてシリコーンゴムシート
を作成した。このシリコーンゴムシートのＪＩＳ Ａ硬
さは４０であった。
【００４６】次に、このシリコーンゴムシートの両面に
実施例１で用いた硬化性シリコーン組成物を均一に塗布
し、さらにこの両面を誘電率３．５、厚さ１００μｍの
ポリイミド樹脂シートにはさみ、クリアランスを調整し
たステンレス製の２本ロール間を通過させて、全体の厚
さを２００μｍとした状態で、８０℃の熱風循環式オー
ブン中で３０分間加熱することにより、シリコーンゴム
シートの両面に該組成物の半硬化状物を形成したシリコ
ーン系接着性シートを調製した。このシリコーン系接着
性シートは該ポリイミド樹脂シートから容易に剥がすこ
とができ、ほぼ２００μｍの均一な厚さであり、その誘
電率は２．８であった。このシリコーン系接着性シート
の硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有
無、および半導体装置の信頼性を前記の方法により評価
し、それらの結果を表１に示した。
【００４７】［実施例４］ 実施例１で用いた硬化性シリコーン組成物において、
(Ｃ)成分として、粘度２０センチポイズの平均単位式：
【化１】 で示されるオルガノシロキサン（ケイ素原子結合ビニル
基の含有量＝１６重量％）を１．０重量部配合した以外
は実施例１と同様にして、粘度２５，０００センチポイ
ズの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シ
リコーン組成物を用いて、実施例１と同様にしてシリコ
ーン系接着性シートを調製した。このシリコーン系接着
性シートは該ポリイミド樹脂シートから容易に剥がすこ
とができ、ほぼ２００μｍの均一な厚さであり、その誘
電率は２．８であった。このシリコーン系接着性シート
の硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有
無、その接着性、および半導体装置の信頼性を前記の方
法により評価し、それらの結果を表１に示した。
【００４８】［比較例４］ 実施例１で用いた硬化性シリコーン組成物を半硬化させ
ることなく用いて、該組成物の硬化途上での低粘度シリ
コーンオイルの滲み出しの有無、その接着性、および半
導体装置の信頼性を評価し、それらの評価結果を表１に
示した。なお、半導体装置の信頼性の評価において、２
５℃で２４時間放置した後の硬化性シリコーン組成物は
回路基板３および回路基板７上に広く流れ出してしまっ
ており、半導体装置の信頼性を評価することができなか
った。
【００４９】［実施例５］ (Ａ)成分として、粘度４０，０００センチポイズの分子
鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン・メチルフェニルシロキサン共重合体（ケイ素原子
結合ビニル基の含有量＝０．０８重量％、ケイ素原子結
合の全有機基に対するフェニル基の含有量＝５モル％）
７２重量部、および粘度６，０００センチポイズの分子
鎖両末端メチルフェニルビニルシロキシ基封鎖ジメチル
シロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニル
シロキサン共重合体（ケイ素原子結合ビニル基の含有量
＝０．８４重量％、ケイ素原子結合の全有機基に対する
フェニル基の含有量＝５モル％）１５重量部、(Ｂ)成分
として、粘度５センチポイズの分子鎖両末端トリメチル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジ
ェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含
有量＝０．７重量％）３重量部、(Ｃ)成分として、３−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度４０セ
ンチポイズの分子鎖両末端ジメチルヒドロキシシロキシ
基封鎖メチルビニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビ
ニル基の含有量＝３１重量％）との重量比１：１の混合
物１．０重量部、(Ｄ)成分として、白金の１，３−ジビ
ニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体
（本組成物において、この錯体中の白金金属が重量単位
で５ｐｐｍとなる量）、および付加反応抑制剤として、
３−フェニル−１−ブチン−３−オール０．０１重量部
を均一に混合して、粘度２５，０００センチポイズであ
る、ヒドロシリル化反応硬化型の硬化性シリコーン組成
物を調製した。
【００５０】この硬化性シリコーン組成物を誘電率３．
５、厚さ１００μｍのポリイミド樹脂シートの間にはさ
み、クリアランスを調整したステンレス製の２本ロール
により、該組成物の厚さを２００μｍとした状態で、８
０℃の熱風循環式オーブン中で３０分間加熱することに
より、該組成物の半硬化状物からなるシリコーン系接着
性シートを調製した。このシリコーン系接着性シートは
該ポリイミド樹脂シートから容易に剥すことができ、ほ
ぼ２００μｍの均一な厚さであり、その誘電率は２．９
であった。このシリコーン系接着性シートの硬化途上で
の低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無、その接着
性、および半導体装置の信頼性を前記の方法により評価
し、それらの結果を表１に示した。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【発明の効果】本発明のシリコーン系接着性シートは、
硬化途上、低粘度シリコーンオイルの滲み出しが抑制さ
れ、半導体チップと該チップ取付部を良好に接着でき、
ひいては信頼性の優れた半導体装置を調製することがで
きるという特徴がある。また、本発明のシリコーン系接
着性シートの製造方法は、このようなシートにおいて特
に良好な接着性を有し、信頼性の優れた半導体装置を調
製するこができるシリコーン系接着性シートを効率良く
製造することができるという特徴がある。また、本発明
の半導体装置は、このようなシリコーン系接着性シート
により半導体チップと該チップ取付部を接着しているの
で、信頼性が優れるという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドＩＣの断面図である。
【図２】 本発明の半導体装置の一例であるＬＳＩの断
面図である。
【図３】 本発明の実施例において、シリコーン系接着
性シートの硬化途上に滲み出た低粘度シリコーンオイル
の有無を評価するために用いた試験体の上面図および側
面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ シリコーン系接着性シートの硬化物 ３ ガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路基板 ４ 回路配線 ５ ボンディングワイヤ ６ エポキシ系封止樹脂 ７ ポリイミド樹脂製の回路基板 ８ 金製のバンプ ９ シリコーン系樹脂 Ａ ガラス繊維強化エポキシ樹脂板 Ｂ シリコーン系接着性シートの硬化物 Ｃ シリコーン系接着性シートの硬化途上に滲み出た低
粘度シリコーンオイル ａ、ｂ、ｃ、ｄ シリコーン系接着性シートの硬化途上
に滲み出た低粘度シリコーンオイルの長さ
フロントページの続き (72)発明者 大谷 淑子 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ ウコーニング・シリコーン株式会社 研 究開発本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ ウコーニング・シリコーン株式会社 研 究開発本部内 (56)参考文献 特開 平９−48960（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09J 7/00 C09J 7/02 C09J 183/05 C09J 183/07 H01L 21/52 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) 特許ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ)

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも半導体チップおよび該チップ
    取付部に接する面が、(Ａ)一分子中に少なくとも２個の
    ケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロ
    キサン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結
    合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｃ)一分
    子中に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原
    子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基を
    それぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン、および
    ／または一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少な
    くとも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中
    に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アル
    ケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノ
    シロキサンの混合物、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用
    触媒からなるヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成
    物の半硬化状物により形成されており、該半硬化状物に
    対して剥離性を有する基材間（但し、該基材の少なくと
    も一方の誘電率が該半硬化状物の誘電率よりも大き
    い。）で該組成物を半硬化状に硬化させたことを特徴と
    する、半導体チップを該チップ取付部に接着するための
    シリコーン系接着性シート。
  2. 【請求項２】 半導体チップおよび該チップ取付部に接
    する面がヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物の
    半硬化状物により形成されており、内部がシリコーンゴ
    ム部材から形成されていることを特徴とする、請求項１
    記載のシリコーン系接着性シート。
  3. 【請求項３】 （Ｃ）成分が、一分子中に、ケイ素原子
    結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ
    素原子結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくと
    も１個ずつ有するオルガノシロキサン、および／または
    一分子中に、ケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子
    結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくとも１個
    ずつ有するオルガノシランもしくはオルガノシロキサン
    と一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原
    子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有す
    るオルガノシロキサンの混合物であることを特徴とす
    る、請求項１記載のシリコーン系接着性シート。
  4. 【請求項４】 （Ｃ）成分が、平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
    3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ含有一価有機基であり、Ｒ2は置
    換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、この
    成分中の少なくとも１個のＲ2はアルケニル基であり、
    Ｒ3はアルキル基であり、ａは正数であり、ｂは正数で
    あり、ｃは０または正数であり、ｄは正数である。）で
    表されるオルガノシロキサンであることを特徴とする、
    請求項３記載のシリコーン系接着性シート。
  5. 【請求項５】 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素
    原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサ
    ン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水
    素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｃ)一分子中
    に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結
    合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれ
    ぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン、および／ま
    たは一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくと
    も１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中に、
    ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニ
    ル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノシロ
    キサンの混合物、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒
    からなるヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物の
    半硬化状物に対して剥離性を有する基材間で該組成物を
    半硬化状に硬化させて、半導体チップを該チップ取付部
    に接着するためのシリコーン系接着性シートを製造する
    方法において、該基材の少なくとも一方の誘電率が該半
    硬化状物の誘電率よりも大きいことを特徴とする、シリ
    コーン系接着性シートの製造方法。
  6. 【請求項６】 ヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組
    成物の半硬化状物に対して剥離性を有する基材が有機樹
    脂シートであることを特徴とする、請求項５記載のシリ
    コーン系接着性シートの製造方法。
  7. 【請求項７】 （Ｃ）成分が、一分子中に、ケイ素原子
    結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ
    素原子結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくと
    も１個ずつ有するオルガノシロキサン、および／または
    一分子中に、ケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子
    結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくとも１個
    ずつ有するオルガノシランもしくはオルガノシロキサン
    と一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原
    子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有す
    るオルガノシロキサンの混合物であることを特徴とす
    る、請求項５記載のシリコーン系接着性シートの製造方
    法。
  8. 【請求項８】 （Ｃ）成分が、平均単位式： (Ｒ1ＳｉＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳｉＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳｉＯ1/2)c(Ｒ
    3Ｏ1/2)d （式中、Ｒ1はエポキシ含有一価有機基であり、Ｒ2は置
    換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、この
    成分中の少なくとも１個のＲ2はアルケニル基であり、
    Ｒ3はアルキル基であり、ａは正数であり、ｂは正数で
    あり、ｃは０または正数であり、ｄは正数である。）で
    表されるオルガノシロキサンであることを特徴とする、
    請求項７記載のシリコーン系接着性シートの製造方法。
  9. 【請求項９】 少なくとも半導体チップおよび該チップ
    取付部に接する面が、(Ａ)一分子中に少なくとも２個の
    ケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロ
    キサン、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結
    合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、(Ｃ)一分
    子中に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原
    子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基を
    それぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン、および
    ／または一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少な
    くとも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中
    に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アル
    ケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノ
    シロキサンの混合物、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用
    触媒からなるヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成
    物の半硬化状物により形成されており、該半硬化状物に
    対して剥離性を有する基材間（但し、該基材の少なくと
    も一方の誘電率が該半硬化状物の誘電率よりも大き
    い。）で該組成物を半硬化状に硬化させたシリコーン系
    接着性シートにより該チップを該チップ取付部に接着し
    てなる半導体装置。
  10. 【請求項１０】 半導体チップおよび該チップ取付部に
    接する面がヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物
    の半硬化状物により形成されており、内部がシリコーン
    ゴム部材から形成されたシリコーン系接着性シートによ
    り該チップを該チップ取付部に接着してなることを特徴
    とする、請求項９記載の半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019124417A1 (ja) 2017-12-20 2019-06-27 ダウ・東レ株式会社 シリコーン系接着シート、それを含む積層体、半導体装置の製造方法

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6551676B1 (en) * 1998-09-04 2003-04-22 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Silicone-based adhesive sheet method for manufacturing same and semiconductor device
JP2001019933A (ja) 1999-07-09 2001-01-23 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、およびその製造方法
JP2001139894A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、および半導体装置
DE10004410A1 (de) * 2000-02-02 2001-08-16 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit an der Unterseite befindlichen Kontakten und Verfahren zur Herstellung
JP2002164480A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 電子部品の被覆方法
TWI250190B (en) * 2001-10-03 2006-03-01 Dow Corning Toray Silicone Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
SG104291A1 (en) * 2001-12-08 2004-06-21 Micron Technology Inc Die package
US20060182952A1 (en) * 2002-01-08 2006-08-17 Justo Roger J Encapsulated thermally conductive electrically insulating assembly and method to prepare same
JP2004043814A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置
TW582078B (en) * 2002-11-29 2004-04-01 Chipmos Technologies Bermuda Packaging process for improving effective die-bonding area
SG162619A1 (en) * 2003-04-15 2010-07-29 Denki Kagaku Kogyo Kk Metal base circuit board and its production process
JP2004323633A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Shin Etsu Polymer Co Ltd 車両用シリコーン接着剤及び車両用シーリング材の補修方法
JP2005060549A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Shin Etsu Polymer Co Ltd 定型接着剤
JP4536367B2 (ja) * 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
JP4647941B2 (ja) * 2004-06-23 2011-03-09 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーンレジンとシリコーンゴムの一体化成形体、その製造方法および硬化性シリコーンレジン組成物
JP4733937B2 (ja) * 2004-07-09 2011-07-27 東レ・ダウコーニング株式会社 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および電気・電子機器
US7371459B2 (en) 2004-09-03 2008-05-13 Tyco Electronics Corporation Electrical devices having an oxygen barrier coating
JP4676735B2 (ja) 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
JP4664032B2 (ja) 2004-10-13 2011-04-06 東レ・ダウコーニング株式会社 シリルアルコキシメチルハライドの製造方法
JP4849814B2 (ja) 2005-03-29 2012-01-11 東レ・ダウコーニング株式会社 ホットメルト型シリコーン系接着剤
JP4828146B2 (ja) 2005-03-30 2011-11-30 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP4828145B2 (ja) 2005-03-30 2011-11-30 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP4931366B2 (ja) 2005-04-27 2012-05-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5004433B2 (ja) 2005-04-27 2012-08-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
JP4628270B2 (ja) * 2006-01-20 2011-02-09 信越化学工業株式会社 熱硬化性組成物
US7572168B1 (en) 2006-04-13 2009-08-11 Utac Thai Limited Method and apparatus for high speed singulation
US7656173B1 (en) * 2006-04-27 2010-02-02 Utac Thai Limited Strip socket having a recessed portions in the base to accept bottom surface of packaged semiconductor devices mounted on a leadframe for testing and burn-in
US8460970B1 (en) 2006-04-28 2013-06-11 Utac Thai Limited Lead frame ball grid array with traces under die having interlocking features
US8461694B1 (en) 2006-04-28 2013-06-11 Utac Thai Limited Lead frame ball grid array with traces under die having interlocking features
US8487451B2 (en) 2006-04-28 2013-07-16 Utac Thai Limited Lead frame land grid array with routing connector trace under unit
US8310060B1 (en) 2006-04-28 2012-11-13 Utac Thai Limited Lead frame land grid array
US8492906B2 (en) 2006-04-28 2013-07-23 Utac Thai Limited Lead frame ball grid array with traces under die
JP5060074B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
US7781058B2 (en) * 2006-07-28 2010-08-24 United Technologies Corporation Removable adhesive for replaceable components subjected to impact loads
JP5285846B2 (ja) 2006-09-11 2013-09-11 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
US8013437B1 (en) 2006-09-26 2011-09-06 Utac Thai Limited Package with heat transfer
US8125077B2 (en) * 2006-09-26 2012-02-28 Utac Thai Limited Package with heat transfer
JP2010509088A (ja) * 2006-11-08 2010-03-25 東レ・ダウコーニング株式会社 立体成型品及びその製造方法並びにその用途
US9761435B1 (en) 2006-12-14 2017-09-12 Utac Thai Limited Flip chip cavity package
US9711343B1 (en) 2006-12-14 2017-07-18 Utac Thai Limited Molded leadframe substrate semiconductor package
TW200847385A (en) * 2007-05-18 2008-12-01 Chipmos Technologies Inc Chip-on-lead and lead-on-chip stacked structure
JP5547369B2 (ja) * 2007-09-28 2014-07-09 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性液状エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
US7790512B1 (en) 2007-11-06 2010-09-07 Utac Thai Limited Molded leadframe substrate semiconductor package
US8063470B1 (en) 2008-05-22 2011-11-22 Utac Thai Limited Method and apparatus for no lead semiconductor package
JP5972512B2 (ja) * 2008-06-18 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
US9947605B2 (en) * 2008-09-04 2018-04-17 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Flip chip cavity package
US8334764B1 (en) 2008-12-17 2012-12-18 Utac Thai Limited Method and apparatus to prevent double semiconductor units in test socket
US8367476B2 (en) * 2009-03-12 2013-02-05 Utac Thai Limited Metallic solderability preservation coating on metal part of semiconductor package to prevent oxide
US9449900B2 (en) * 2009-07-23 2016-09-20 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Leadframe feature to minimize flip-chip semiconductor die collapse during flip-chip reflow
US8368189B2 (en) 2009-12-04 2013-02-05 Utac Thai Limited Auxiliary leadframe member for stabilizing the bond wire process
US9355940B1 (en) 2009-12-04 2016-05-31 Utac Thai Limited Auxiliary leadframe member for stabilizing the bond wire process
US8575732B2 (en) 2010-03-11 2013-11-05 Utac Thai Limited Leadframe based multi terminal IC package
US8871571B2 (en) 2010-04-02 2014-10-28 Utac Thai Limited Apparatus for and methods of attaching heat slugs to package tops
JP2011219597A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂シート
US8523584B2 (en) * 2010-10-21 2013-09-03 Amphenol Corporation Web membrane connector seal
JP5840388B2 (ja) * 2011-06-01 2016-01-06 日東電工株式会社 発光ダイオード装置
JP5827834B2 (ja) 2011-07-22 2015-12-02 日東電工株式会社 シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂シート、シリコーン樹脂シートの製造方法および光半導体装置
JP2013232580A (ja) * 2012-05-01 2013-11-14 Dow Corning Toray Co Ltd 熱硬化性フィルム状シリコーン封止材
US9029198B2 (en) 2012-05-10 2015-05-12 Utac Thai Limited Methods of manufacturing semiconductor devices including terminals with internal routing interconnections
US9449905B2 (en) 2012-05-10 2016-09-20 Utac Thai Limited Plated terminals with routing interconnections semiconductor device
US9006034B1 (en) 2012-06-11 2015-04-14 Utac Thai Limited Post-mold for semiconductor package having exposed traces
US20130334531A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Franz Jost Systems and methods for measuring temperature and current in integrated circuit devices
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
CA2911523C (en) 2013-05-10 2018-10-02 Abl Ip Holding Llc Silicone optics
WO2015093329A1 (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン接着性フィルム、および半導体装置
US10242934B1 (en) 2014-05-07 2019-03-26 Utac Headquarters Pte Ltd. Semiconductor package with full plating on contact side surfaces and methods thereof
US10269686B1 (en) 2015-05-27 2019-04-23 UTAC Headquarters PTE, LTD. Method of improving adhesion between molding compounds and an apparatus thereof
US9922843B1 (en) 2015-11-10 2018-03-20 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same
JP6575429B2 (ja) * 2016-05-02 2019-09-18 横浜ゴム株式会社 密着付与剤及び硬化性樹脂組成物
US10276477B1 (en) 2016-05-20 2019-04-30 UTAC Headquarters Pte. Ltd. Semiconductor package with multiple stacked leadframes and a method of manufacturing the same
WO2018056297A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化反応性シリコーンゲルおよびその用途
JP7107628B2 (ja) * 2016-10-31 2022-07-27 ダウ・東レ株式会社 積層体および電子部品の製造方法
CN110446766A (zh) 2017-04-06 2019-11-12 陶氏东丽株式会社 液态固化性有机硅粘接剂组合物、其固化物和其用途
US10399256B1 (en) 2018-04-17 2019-09-03 Goodrich Corporation Sealed circuit card assembly
DE102018207182A1 (de) * 2018-05-09 2019-11-14 Tesa Se Klebeband mit Releaseliner auf Basis einer haftklebrigen Silikonbeschichtung
EP3868836A4 (en) 2018-10-18 2022-06-08 Dow Toray Co., Ltd. CURABLE SILICONE COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF, LAYER PRODUCT AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND OPTICAL DEVICE OR DISPLAY
JP7441187B2 (ja) * 2021-01-28 2024-02-29 日本特殊陶業株式会社 保持装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2882823B2 (ja) 1989-11-15 1999-04-12 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 接着剤
JP2734302B2 (ja) * 1992-01-21 1998-03-30 信越化学工業株式会社 シリコーンゴム接着剤組成物
JP3786139B2 (ja) * 1992-05-26 2006-06-14 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物
US5438094A (en) * 1993-07-06 1995-08-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Adhesive silicone compositions
US5536803A (en) * 1994-06-06 1996-07-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Adhesive silicone compositions
JPH10287811A (ja) * 1997-02-12 1998-10-27 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性シリコーン組成物
JP3576741B2 (ja) * 1997-03-06 2004-10-13 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーン硬化物の難燃性を向上させる方法
US6010646A (en) * 1997-04-11 2000-01-04 Potters Industries, Inc. Electroconductive composition and methods for producing such composition

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019124417A1 (ja) 2017-12-20 2019-06-27 ダウ・東レ株式会社 シリコーン系接着シート、それを含む積層体、半導体装置の製造方法

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JPH1112546A (ja) 1999-01-19
US6235862B1 (en) 2001-05-22
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