JPH1112546A - シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置 - Google Patents

シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置

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JPH1112546A
JPH1112546A JP9197915A JP19791597A JPH1112546A JP H1112546 A JPH1112546 A JP H1112546A JP 9197915 A JP9197915 A JP 9197915A JP 19791597 A JP19791597 A JP 19791597A JP H1112546 A JPH1112546 A JP H1112546A
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Kimio Yamakawa
君男 山川
Yoshiko Otani
淑子 大谷
Katsutoshi Mine
勝利 峰
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】硬化途上、低粘度シリコーンオイルの滲み出し
が抑制され、半導体チップと該チップ取付部を良好に接
着でき、ひいては信頼性の優れた半導体装置を調整する
ことができるシリコーン系接着性シート、および該シリ
コーン系接着性シートを効率良く製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 少なくとも半導体チップおよび該チップ
取付部に接する面が硬化性シリコーン組成物の半硬化状
物により形成されていることを特徴とする、半導体チッ
プを該チップ取付部に接着するためのシリコーン系接着
性シート。および硬化性シリコーン組成物の半硬化状物
に対して剥離性を有する基材間で該組成物を半硬化状に
硬化させて、半導体チップを該チップ取付部に接着する
ためのシリコーン系接着性シートを製造する方法におい
て、該基材の少なくとも一方の誘電率が該半硬化状物の
誘電率よりも大きいことを特徴とするシリコーン系接着
性シートの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコーン系接着
性シート、その製造方法、および半導体装置に関し、詳
しくは、硬化途上、低粘度シリコーンオイルの滲み出し
が抑制され、半導体チップと該チップ取付部を良好に接
着でき、ひいては信頼性の優れた半導体装置を調製する
ことができるシリコーン系接着性シート、およびこのよ
うなシリコーン系接着性シートにおいて特に良好な接着
性を有し、信頼性の優れた半導体装置を調製することが
できるシリコーン系接着性シートを効率良く製造する方
法、このようなシリコーン系接着性シートを用いて、半
導体チップおよび該チップ取付部を接着してなる、信頼
性が優れる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体チップを該チップ取付部に
接着するためには液状硬化性シリコーン組成物ないしは
ペースト状硬化性シリコーン組成物等のシリコーン系接
着剤が用いられていた。このようなシリコーン系接着剤
としては、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合
アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子
中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有する
オルガノポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用
触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物が用い
られ、さらに、接着促進剤として、一分子中に、ケイ素
原子結合アルコキシ基およびケイ素原子結合アルケニル
基またはケイ素原子結合水素原子をそれぞれ少なくとも
1個ずつ有するオルガノポリシロキサンを配合してなる
硬化性シリコーン組成物(特開平3−157474号公
報参照)が用いられていた。
【0003】しかし、このような硬化性シリコーン組成
物は、硬化途上に、この組成物から低粘度シリコーンオ
イルが滲み出して、この組成物の周囲を汚染するという
問題があった。この低粘度シリコーンオイルは、主成分
のオルガノポリシロキサンに含まれる低重合度のオルガ
ノポリシロキサンであったり、接着促進剤として添加し
たオルガノポリシロキサンに含まれている低重合度のオ
ルガノポリシロキサンであるため、これらを完全に取り
除くことは非常に困難であった。このため、このような
硬化性シリコーン組成物を用いて半導体チップと該チッ
プ取付部を接着した後には、該チップ上のボンディング
パッドとボンディングワイヤやビームリードとのワイヤ
ボンダビリティ(接合性)が低下したりして、得られる
半導体装置の信頼性が乏しくなるという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、硬化途上、低粘度シリコーン
オイルの滲み出しが抑制され、半導体チップと該チップ
取付部を良好に接着でき、ひいては信頼性の優れた半導
体装置を調製することができるシリコーン系接着性シー
ト、およびこのようなシリコーン系接着性シートにおい
て特に良好な接着性を有し、信頼性の優れた半導体装置
を調製することができるシリコーン系接着性シートを効
率良く製造する方法、このようなシリコーン系接着性シ
ートを用いて、半導体チップおよび該チップ取付部を接
着してなる、信頼性が優れる半導体装置を提供すること
にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコーン系接
着性シートは、少なくとも半導体チップを該チップ取付
部に接着するためのものであり、該チップおよび該チッ
プ取付部に接する面が硬化性シリコーン組成物の半硬化
状物により形成されていることを特徴とする。
【0006】また、本発明のシリコーン系接着性シート
の製造方法は、硬化性シリコーン組成物の半硬化状物に
対して剥離性を有する基材間で該組成物を半硬化状に硬
化させて、半導体チップを該チップ取付部に接着するた
めのシリコーン系接着性シートを製造する方法におい
て、該基材の少なくとも一方の誘電率が該半硬化状物の
誘電率よりも大きいことを特徴とする。
【0007】さらに、本発明の半導体装置は、少なくと
も半導体チップおよび該チップ取付部に接する面が硬化
性シリコーン組成物の半硬化状物により形成されたシリ
コーン系接着性シートにより半導体チップを該チップ取
付部に接着してなることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明のシリコーン系接着性シー
ト、およびその製造方法を詳細に説明する。本発明のシ
リコーン系接着性シートは、半導体チップを該チップ取
付部に接着するためのものであり、少なくとも該チップ
および該チップ取付部に接する面が硬化性シリコーン組
成物の半硬化状物により形成されていることを特徴と
し、さらには、半導体チップおよび該チップ取付部に接
する面が硬化性シリコーン組成物の半硬化状物により形
成されており、内部がシリコーンゴム部材から形成され
ていることを特徴とする。この半硬化状物とは、JIS
K 6800(接着剤・接着用語)に定義されている
ようなB−ステージ(熱硬化性樹脂の硬化中間体。この
状態での樹脂は加熱すると軟化し、ある種の溶剤に触れ
ると膨潤するが、完全に溶融・溶解することはない。)
型の接着剤であり、すなわち、硬化性シリコーン組成物
が完全には硬化しておらず、架橋の程度によってその形
状は異なるが、一般には、流動性のある硬化性シリコー
ン組成物が流動性を失ったような状態であり、ゲル状な
いしはゴム状のものである。本発明のシリコーン系接着
性シートは、この硬化性シリコーン組成物の半硬化状物
のみから形成されていてもよく、また、半導体チップお
よび該チップ取付部に接する面のみが該半硬化状物によ
り形成され、内部がシリコーンゴム部材により形成され
たものであってもよい。この後者のシリコーン系接着性
シートにおいて、内部のシリコーンゴム部材としては、
シリコーンゴムシート、シリコーンゴム粒子が例示され
る。また、これらのシリコーン系接着性シートの形状は
限定されず、その厚さとしては、使用上、1〜5000
μmの範囲であることが好ましく、特に、10〜100
0μmであることが好ましい。
【0009】このような半硬化状物により形成されたシ
リコーン系接着性シートの製造方法としては、硬化性シ
リコーン組成物をシート状にして半硬化状に硬化させる
方法、シリコーンゴムシートの両面に該組成物を均一に
塗布して半硬化状に硬化させる方法、シリコーンゴム粒
子を含有する該組成物をシート状にして半硬化状に硬化
させる方法が例示されるが、特に良好な接着性を示すこ
とから、硬化性シリコーン組成物の半硬化状物に対して
剥離性を有し、かつ該半硬化状物の誘電率よりも少なく
とも一方が大きい基材間で該組成物を半硬化状に硬化さ
せることにより、このシリコーン系接着性シートを製造
する方法が好ましい。
【0010】この硬化性シリコーン組成物の半硬化状物
に対して剥離性を有し、かつ該半硬化状物の誘電率より
も大きい基材としては、金属、金属酸化物等の無機質の
基材、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテ
ル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹
脂等の有機樹脂からなる基材が例示され、特に、この有
機樹脂からなる基材であることが好ましい。この有機樹
脂からなる基材としては、これらの有機樹脂のみからな
る基材であってもよく、また、これらの有機樹脂を表面
や内部に有する複合基材であってもよく、この複合基材
としては、前記の有機樹脂の表面をフッ素樹脂やその他
の有機樹脂で被覆した基材が例示される。また、こらら
の基材の形状は限定されず、例えば、ブロック状、板
状、フィルム状が例示され、特に、フィルム状の基材を
用いた場合には、このシリコーン系接着性シートの保護
材として用いることができ、半導体チップおよび該チッ
プ取付部にこれを貼り付ける際に、この保護材を剥がし
て使用することが好ましい。また、この保護材の代わり
に、別のフィルム状の保護材に貼り替えてもよい。この
場合の保護材の誘電率は特に限定されず、例えば、フッ
素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂等の有
機樹脂フィルムが挙げられる。これらの基材を用いてシ
リコーン系接着性シートを調製する方法としては、硬化
性シリコーン組成物をこれらの基材の間に挟み込んだ状
態で半硬化状に硬化させる方法、シリコーンゴムシート
の両面に該組成物を均一に塗布した後、これらの基材の
間に挟み込んだ状態で半硬化状に硬化させる方法、シリ
コーンゴム粒子を含有する該組成物をこれらの基材の間
に挟み込んだ状態で半硬化状に硬化させる方法が例示さ
れる。これらの基材の間に挟み込んでシリコーン系接着
性シートを調製するためには、これを2本ロールやプレ
ス機等により成形した後、もしくは成形しながら、硬化
性シリコーン組成物を半硬化状に硬化させることが好ま
しい。
【0011】また、このような硬化性シリコーン組成物
としては、ヒドロシリル化反応硬化型のものが好まし
く、特に、(A)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子
結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子水素原子を
有するオルガノポリシロキサン、(C)一分子中に、ケイ
素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原
子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少な
くとも1個ずつ有するシロキサン、および/またはケイ
素原子結合アルコキシ基を少なくとも1個有するシラン
もしくはシロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒド
ロキシ基ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合
アルケニル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するオル
ガノシロキサンの混合物、および(D)ヒドロシリル化反
応用触媒から少なくともなる硬化性シリコーン組成物で
あることが好ましい。
【0012】(A)成分は、上記組成物の主剤であり、一
分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基
を有するオルガノポリシロキサンである。この(A)成分
の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖
状、分枝鎖状、網状が例示される。また、(A)成分中の
ケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示
され、特に、ビニル基であることが好ましい。このアル
ケニル基の結合位置としては、分子鎖末端および/また
は分子鎖側鎖が例示される。また、(A)成分中のアルケ
ニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基等のアルキル基;フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベン
ジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル
基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロ
プロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは
非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、
フェニル基であることが好ましい。また、得られるシリ
コーン系接着性シートが優れた耐寒性を有し、このシリ
コーン系接着性シートを用いて作製した半導体装置の信
頼性がより向上することから、(A)成分中のケイ素原子
に結合した有機基に対するフェニル基の含有量が1モル
%以上であることが好ましく、さらには、これが1〜6
0モル%の範囲内であることが好ましく、特には、これ
が1〜30モル%の範囲内であることが好ましい。ま
た、(A)成分の粘度は限定されないが、25℃における
粘度が100〜1,000,000センチポイズの範囲
内であることが好ましい。
【0013】(B)成分は、上記組成物の架橋剤であり、
一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を
有するオルガノポリシロキサンである。この(B)成分の
分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、
分枝鎖状、環状、網状が例示される。また、(B)成分中
のケイ素原子に結合した水素原子の結合位置としては、
分子鎖末端および/または分子鎖側鎖が例示される。ま
た、(B)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合した
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,
3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示さ
れ、特に、メチル基、フェニル基であることが好まし
い。また、この(C)成分の粘度は限定されないが、25
℃における粘度が1〜100,000センチポイズの範
囲内であることが好ましい。
【0014】(B)成分の配合量は、上記組成物を硬化さ
せるに十分な量であり、これは、上記組成物中のケイ素
原子結合アルケニル基1モルに対して、ケイ素原子結合
水素原子が0.5〜10モルの範囲内となる量であるこ
とが好ましく、特に、これが1〜3モルの範囲内である
ことが好ましい。これは、上記組成物において、ケイ素
原子結合アルケニル基1モルに対して、ケイ素原子結合
水素原子がこの範囲未満のモル数であると、上記組成物
が硬化しなくなる傾向があり、一方、この範囲をこえる
モル数であると、上記組成物の硬化物の耐熱性が低下す
る傾向があるからである。
【0015】(C)成分は、上記組成物の硬化物に良好な
接着性を付与するための成分であり、一分子中に、ケイ
素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原
子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少な
くとも1個ずつ有するシロキサン、および/またはケイ
素原子結合アルコキシ基を少なくとも1個有するシラン
もしくはシロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒド
ロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少な
くとも1個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物であ
る。
【0016】この(C)成分のうち、一分子中に、ケイ素
原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原
子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少な
くとも1個ずつ有するシロキサンの分子構造としては、
直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網
状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であるこ
とが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子結合アル
ケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、
ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル
基であることが好ましい。また、このシロキサン中のケ
イ素原子結合アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ
基が例示され、特に、メトキシ基であることが好まし
い。また、このシロキサン中のアルケニル基、水素原
子、およびアルコキシ基以外のケイ素原子に結合した基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,
3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基;3−グ
リシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシク
ロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロ
ヘキシル)プロピル基等の(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)アルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等
のエポキシ含有一価有機基が例示され、各種の基材に対
しても良好な接着性を付与することができることから、
一分子中に、このエポキシ含有一化有機基を少なくとも
1個有することが好ましい。このようなシロキサンの粘
度は限定されないが、25℃において1〜500センチ
ポイズの範囲内であることが好ましい。
【0017】また、この(C)成分のうち、ケイ素原子結
合アルコキシ基を少なくとも1個有するシランもしくは
シロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基
とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも1
個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物において、前
者のシラン中のケイ素原子に結合したアルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ
基であることが好ましい。また、このシランのケイ素原
子には上記のアルコキシ基以外に、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,
3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基;3−グ
リシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシク
ロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロ
ヘキシル)プロピル基等の(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)アルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等
のエポキシ含有一価有機基を有していてもよく、各種の
基材に対しても良好な接着性を付与することができるこ
とから、このエポキシ含有一価有機基を一分子中に少な
くとも1個有することが好ましい。
【0018】また、前者のシロキサンの分子構造として
は、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状で
あることが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子に
結合したアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が
例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。ま
た、このシロキサンのケイ素原子には上記のアルコキシ
基以外に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、
3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロ
ピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置
換の一価炭化水素基;3−グリシドキシプロピル基、4
−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;
2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3
−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等の
(3,4−エポキシシクロヘキシル)アルキル基;4−
オキシラニルブチル基、8−オキシラニルオクチル基等
のオキシラニルアルキル基等のエポキシ含有一価有機基
を有していてもよく、各種の基材に対しても良好な接着
性を付与することができることから、このエポキシ含有
一価有機基を一分子中に少なくとも1個有することが好
ましい。このようなシロキサンの粘度は限定されない
が、25℃において1〜500センチポイズの範囲内で
あることが好ましい。
【0019】また、後者のオルガノシロキサンの分子構
造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖
状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、
網状であることが好ましい。このオルガノシロキサン中
のケイ素原子に結合したアルケニル基としては、ビニル
基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。
また、このオルガノシロキサン中のヒドロキシ基および
アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロ
ロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリ
フルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換
もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。このよ
うなオルガノシロキサンの粘度は限定されないが、25
℃において1〜500センチポイズの範囲内であること
が好ましい。
【0020】このケイ素原子結合アルコキシ基を少なく
とも1個有するシランもしくはシロキサンと一分子中
に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アル
ケニル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するオルガノ
シロキサンの比率は限定されないが、特に良好な接着性
を付与することができることから、前者のシランもしく
はシロキサンと後者のオルガノシロキサンの重量比率が
1/99〜99/1の範囲内であることが好ましい。
【0021】(C)成分としては、一分子中にケイ素原子
結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ
素原子結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくと
も1個ずつ有するオルガノシロキサンであることが好ま
しく、特には、平均単位式: (R1SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c(R
31/2)d で表されるオルガノシロキサンであることが好ましい。
上式中のR1はエポキシ含有一価有機基であり、3−グ
リシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシク
ロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロ
ヘキシル)プロピル基等の(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)アルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基が
例示され、特に、グリシドキシアルキル基であることが
好ましく、さらには、3−グリシドキシプロピル基であ
ることが好ましい。また、上式中のR2は置換もしくは
非置換の一価炭化水素基であり、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテニル
基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基;フ
ェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリ
ール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;
クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−
トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の
置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、但
し、この成分中の少なくとも1個のR2はアルケニル基
であることが必要である。また、上式中のR3はアルキ
ル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、メトキシエチル基が例示され、特に、メチル基、エ
チル基であることが好ましい。また、上式中のaは正数
であり、bは正数であり、cは0または正数であり、d
は正数である。
【0022】(C)成分の配合量は、上記組成物の硬化物
に特に良好な接着性を付与するに十分な量であり、例え
ば、(A)成分100重量部に対して0.01〜20重量
部の範囲内となる量であることが好ましく、特に、これ
が0.1〜10重量部の範囲内となる量であることが好
ましい。これは、(C)成分の配合量がこの範囲未満の量
であると、硬化物の接着性が低下する傾向があり、一
方、この範囲をこえても接着性に影響はなく、むしろ、
シリコーン系接着性シートの安定性が低下する傾向があ
るからである。
【0023】(D)成分は、上記組成物のヒドロシリル化
反応による硬化を促進するための触媒であり、白金系触
媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒド
ロシリル化反応用触媒が例示され、特に、白金微粉末、
白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化
白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィ
ン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体等の白金系触
媒が反応速度が良好であることから好ましい。
【0024】(D)成分の配合量は、上記組成物の硬化を
促進するに十分な量であり、これは、白金系触媒を用い
る場合には、上記組成物において、この触媒中の白金金
属が重量単位で0.01〜1,000ppmの範囲内と
なる量であることが好ましく、特に、これが0.1〜5
00ppmの範囲内であることが好ましい。これは、
(D)成分の配合量が、この範囲未満の量であると、得ら
れる組成物の硬化速度が著しく遅くなる傾向があり、一
方、この範囲をこえる量であっても、さほど硬化速度に
は影響がなく、むしろ、着色等の問題を生じるからであ
る。
【0025】上記組成物は、(A)成分〜(D)成分を均一
に混合することにより得られる、この組成物を室温もし
くは室温〜200℃の温度範囲、好ましくは、室温〜1
20℃の温度範囲に加熱することによりヒドロシリル化
反応させて半硬化状物を形成することができる。上記組
成物を加熱する際には、上記組成物が完全に硬化してし
まわないように注意を要する。
【0026】この半硬化状物を形成する際に、上記組成
物のヒドロシリル化反応速度を調整し、半硬化状物の安
定性を向上させるために、上記組成物にヒドロシリル化
反応抑制剤を配合することが好ましい。このヒドロシリ
ル化反応抑制剤としては、3−メチル−1−ブチン−3
−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オー
ル、フェニルブチノール等のアルキンアルコール;3−
メチル−3−ペンテン−1−イン、3,5−ジメチル−
3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;1,3,
5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニル
シクロテトラシロキサン、1,3,5,7−テトラメチ
ル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロテトラシ
ロキサン、ベンゾトリアゾールが例示される。この付加
反応抑制剤の配合量としては、上記組成物の硬化条件に
より異なるが、(A)成分100重量部に対して0.00
001〜5重量部の範囲内であることが実用上好まし
い。
【0027】また、上記のような硬化性シリコーン組成
物には、その他任意の成分として、沈降シリカ、湿式シ
リカ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、ア
ルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化
亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ
素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機質充填剤、これら
の充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシ
ラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処
理した無機質充填剤;シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、
フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末;銀、銅等の導電性金属
粉末等の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤を配合する
ことができる。
【0028】続いて、本発明の半導体装置を詳細に説明
する。本発明の半導体装置は、少なくとも半導体チップ
および該チップ取付部に接する面が硬化性シリコーン組
成物の半硬化状物により形成されたシリコーン系接着性
シートにより半導体チップを該チップ取付部に接着して
なることを特徴とする。この半導体装置に用いられるシ
リコーン系接着性シートは上述の通りであり、このシー
トの好ましい製造方法も上述の通りである。このような
半導体装置としては、ダイオード、トランジスタ、サイ
リスタ、モノリシックIC、ハイブリッドIC、LS
I、VLSIが例示される。これらの半導体装置におい
て、本発明の半導体装置は、ダイオード、トランジス
タ、サイリスタ、モノリシックIC等のメモリ、さらに
はハイブリッドIC中の半導体チップ等の半導体チップ
の片面の一部ないしは全部を、該チップ取付部にシリコ
ーン系接着性シートにより接着していることを特徴とし
ている。
【0029】本発明の半導体装置をさらに詳細に説明す
るために、本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドIC(断面図)を図1に、LSI(断面図)を図2に
それぞれ示した。こららの図面により説明すると、図1
で示される半導体装置は、半導体チップ1がシリコーン
系接着性シート2により回路基板3に接着されており、
この半導体チップ1と外部リードに接続した回路配線4
とがボンディングワイヤ5により電気的に接続されてい
る。この回路基板3はセラミック、ガラス、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フォノール樹脂、ベークライト樹
脂、メラミン樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等から
形成されている。また、この回路配線4は金、銅、アル
ミニウム、銀パラジウム、インジウムチンオキサイド
(ITO)等から形成されている。また、このボンディ
ングワイヤ5は、金、銅、アルミニウムから形成されて
いる。また、この半導体素子1は封止樹脂6により樹脂
封止されている。この封止樹脂6を形成する樹脂として
は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサ
ルファイド樹脂が例示される。また、この回路基板2上
には、この半導体チップ1の他にも、抵抗、コンデンサ
ー、コイル等の電子部品が搭載されていてもよい。
【0030】一方、図2で示される半導体装置は、半導
体チップ1がシリコーン系接着性シートの硬化物2によ
り回路基板7に接着しており、この半導体チップ1と回
路基板7上の回路配線4とがバンプ8により電気的に接
続されている。この回路基板7はポリイミド樹脂、セラ
ミック、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等から形成されて
いる。また、このバンプ8は金、アルミニウム、ハンダ
等から形成されている。また、この半導体チップ1と回
路基板7との間のバンプ8の周囲は樹脂9により含浸さ
れている。この樹脂9を形成する樹脂としては、液状硬
化性シリコーン樹脂、液状硬化性エポキシ樹脂が例示さ
れる。また、必要に応じて、さらにこの半導体チップ1
は封止樹脂6により樹脂封止されている。
【0031】本発明の半導体装置を製造する方法を図面
により説明する。図1で示される半導体装置を製造する
方法としては、次のような方法が例示される。半導体チ
ップ1にシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、こ
のシートに回路基板3を貼り付けるか、または、この回
路基板3上にシリコーン系接着性シートを貼り付けた
後、このシートにこの半導体チップ1を貼り付け、次い
で、このシートを硬化させる。このシートを硬化させる
方法としては、室温で放置するか、または200℃以下
に加熱する方法が好ましい。この際、このシートを押圧
しながら硬化させることが好ましい。その後、この半導
体チップ1と回路配線4とをボンディングワイヤ5によ
り電気的に接続する。続いて、この半導体チップ1を必
要により封止樹脂6により樹脂封止する。
【0032】また、図2で示される半導体装置を製造す
る方法としては、次のような方法が例示される。半導体
チップ1にシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、
このシートに回路基板7を貼り付けるか、または、この
回路基板7にシリコーン系接着性シートを貼り付けた
後、このシートにこの半導体チップ1を貼り付け、次い
で、このシートを硬化させる。このシートを硬化させる
方法としては、室温で放置するか、または200℃以下
に加熱する方法が好ましい。この際、このシートを押圧
しながら硬化させることが好ましい。その後、この半導
体チップ1と回路配線4とをバンプ8の融着により電気
的に接続する。続いて、このバンプ8の周囲を樹脂9に
より含浸する。さらに、この半導体チップ1を必要によ
り封止樹脂6により樹脂封止する。
【0033】
【実施例】本発明のシリコーン系接着性シート、その製
造方法、および半導体装置を実施例により詳細に説明す
る。なお、実施例中の粘度は25℃において測定した値
であり、硬化性シリコーン組成物の半硬化状物の誘電率
は25℃、1MHzにおいて測定した値である。また、
シリコーン系接着性シートの硬化途上における低粘度シ
リコーンオイルの滲み出しの有無、その接着性、および
半導体装置の信頼性は次のようにして評価した。
【0034】[シリコーン系接着性シートの硬化途上に
おける低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無]シリ
コーン系接着性シートの硬化途上における低粘度シリコ
ーンオイルの滲み出しの有無を図3に示した方法により
評価した。すなわち、シリコーン系接着性シートをガラ
ス繊維強化エポキシ樹脂板A(5cm×5cm)上に、
1cm×1cm×1mmとなるように貼り付けた試験体
を10個作成した。この試験体のうち5個は、このシリ
コーン系接着性シートを貼り付けた直後に150℃の熱
風循環式オーブン中で2時間加熱することにより、この
シートを硬化させた。また、残りの5個の試験体は、こ
のシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、25℃で
24時間静置した後、150℃の熱風循環式オーブン中
で2時間加熱することにより、このシートを硬化させ
た。それぞれの硬化条件で作成した試験体において、エ
ポキシ樹脂板A上に形成されたシリコーン系接着性シー
トの硬化物Bから滲み出た低粘度シリコーンオイルCの
長さ(a、b、c、d)の平均値を求めて、それぞれ5
個の試験体の平均値により評価した。
【0035】[シリコーン系接着性シートの接着性]シ
リコーン系接着性シートの接着性を次のようにして評価
した。すなわち、シリコーン系接着性シートをシリコー
ンウエハー(3cm×3cm)およびポリイミド樹脂
(3cm×3cm)上にそれぞれ1cm×1cmとなる
ように貼り付けた後、これを150℃の熱風循環式オー
ブン中で2時間加熱して、このシートを完全に硬化させ
た試験体を作成した。これらの試験体におけるシートの
硬化物を金属製のへらを用いて取り除き、この硬化物の
シリコーンウエハーおよびポリイミド樹脂に対する接着
性を観察した。この硬化物が良好に接着性している場合
を○、剥離を生じている場合を×として示した。
【0036】[半導体装置の信頼性の評価(その1)]図
1で示した半導体装置により信頼性の評価を行った。す
なわち、表面に印刷により形成された回路配線4および
端部に外部リードを有するガラス繊維強化エポキシ樹脂
製の回路基板3上にシリコーン系接着性シートを貼り付
け、次に、このシートに半導体チップ1を貼り付けた半
導体装置を40個作成した。この半導体装置のうち20
個は、半導体チップ1を回路基板3にシリコーン系接着
性シートを用いて貼り付けた直後に150℃の熱風循環
式オーブン中で2時間加熱した。また、残りの20個の
半導体装置は、半導体チップ1を回路基板3にシリコー
ン系接着性シートを用いて貼り付けて、25℃で24時
間放置した後、150℃の熱風循環式オーブン中で2時
間加熱した。次に、これらの半導体装置の半導体チップ
1と回路配線4とをボンディングワイヤ5により電気的
に接続した。その後、この半導体装置をエポキシ系封止
樹脂6で樹脂封止した。このようにして作成した半導体
装置を85℃、相対湿度85%の条件下で1000時間
および3000時間放置した後、外部リード間の電気導
通試験を行い、それぞれの導通不良の半導体装置の数
(不良率)を求めた。
【0037】[半導体装置の信頼性の評価(その2)]図
2で示した半導体装置により信頼性の評価を行った。す
なわち、ポリイミド樹脂製の回路基板7にシリコーン系
接着性シートを貼り付け、このシートに半導体素子1を
貼り付けた後、回路基板7上の回路配線4とを金製のバ
ンプ8により電気的に接続して半導体装置40個を作成
した。この半導体装置のうち20個は、半導体チップ1
を回路基板7にシリコーン系接着性シートを用いて貼り
付けた直後に150℃の熱風循環式オーブン中で2時間
加熱した。また、残りの20個の半導体装置は、半導体
チップ1を回路基板7にシリコーン系接着性シートを用
いて貼り付け、25℃で24時間放置した後、150℃
の熱風循環式オーブン中で2時間加熱した。次に、これ
らの半導体装置の半導体チップ1と回路基板7の間のバ
ンプ8の周囲をシリコーン系樹脂9で含浸した後、この
半導体素子1をエポキシ系封止樹脂で樹脂封止した。こ
のようにして作成した半導体装置を85℃、相対湿度8
5%の条件下で1000時間および3000時間放置し
た後、外部リード間の電気導通試験を行い、それぞれの
導通不良の半導体装置の数(不良率)を求めた。
【0038】[半導体装置の信頼性の評価(その3)]図
2で示した半導体装置により信頼性の評価を行った。す
なわち、ポリイミド樹脂製の回路基板7にシリコーン系
接着性シートを貼り付け、このシートに半導体素子1を
貼り付けた後、回路基板7上の回路配線4とを金製のバ
ンプ8により電気的に接続して半導体装置40個を作成
した。この半導体装置のうち20個は、半導体チップ1
を回路基板7にシリコーン系接着性シートを用いて貼り
付けた直後に150℃の熱風循環式オーブン中で2時間
加熱した。また、残りの20個の半導体装置は、半導体
チップ1を回路基板7にシリコーン系接着性シートを用
いて貼り付け、25℃で24時間放置した後、150℃
の熱風循環式オーブン中で2時間加熱した。次に、これ
らの半導体装置の半導体チップ1と回路基板7の間のバ
ンプ8の周囲をシリコーン系樹脂9で含浸した後、この
半導体素子1をエポキシ系封止樹脂で樹脂封止した。こ
のようにして作成した半導体装置を、−55℃で10分
間放置した後、直ちに+125℃で10分間放置するサ
ーマルサイクル試験を1000回および3000回行っ
た後、外部リード間の電気導通試験を行い、それぞれの
導通不良の半導体装置の数(不良率)を求めた。
【0039】[実施例1](A)成分として、粘度40,
000センチポイズの分子鎖両末端ジメチルビニルシロ
キシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビ
ニル基の含有量=0.08重量%)72重量部、および
粘度6,000センチポイズの分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニル
シロキサン共重合体(ケイ素原子結合ビニル基の含有量
=0.84重量%)15重量部、(B)成分として、粘度
5センチポイズの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサ
ン共重合体(ケイ素原子結合水素原子の含有量=0.7
重量%)3重量部、(C)成分として、3−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランと粘度40センチポイズの
分子鎖両末端ジメチルヒドロキシ基封鎖メチルビニルポ
リシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=31
重量%)との重量比1:1の混合物1.0重量部、(D)
成分として、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3
−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物において、
この錯体中の白金金属が重量単位で5ppmとなる
量)、および付加反応抑制剤として、3−フェニル−1
−ブチン−3−オール0.01重量部を均一に混合し
て、粘度25,000センチポイズである、ヒドロシリ
ル化反応硬化型の硬化性シリコーン組成物を調製した。
【0040】この硬化性シリコーン組成物を誘電率3.
5、厚さ100μmのポリイミド樹脂シートの間にはさ
み、クリアランスを調整したステンレス製の2本ロール
により、該組成物の厚さを200μmとした状態で、8
0℃の熱風循環式オーブン中で30分間加熱することに
より、該組成物の半硬化状物からなるシリコーン系接着
性シートを調製した。このシリコーン系接着性シートは
該ポリイミド樹脂シートから容易に剥がすことができ、
ほぼ200μmの均一な厚さであり、その誘電率は2.
8であった。このシリコーン系接着性シートの硬化途上
での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無、その接
着性、および半導体装置の信頼性を前記の方法により評
価し、それらの結果を表1に示した。
【0041】[実施例2]実施例1で用いた硬化性シリ
コーン組成物を誘電率2.1、厚さ100μmのフッ素
樹脂シートにはさんで、該組成物の半硬化状物からなる
シリコーン系接着性シートを調製した。このシリコーン
系接着性シートは該フッ素樹脂シートから容易に剥がす
ことができ、ほぼ200μmの均一な厚さであり、その
誘電率は2.8であった。このシリコーン系接着性シー
トの硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの
有無、その接着性、および半導体装置の信頼性を前記の
方法により評価し、それらの結果を表1に示した。
【0042】[比較例1]実施例2において、硬化性シ
リコーン組成物を150℃の熱風循環式オーブン中で2
時間加熱することにより、該組成物を完全に硬化させて
シリコーン系接着性シートを作成した。このシリコーン
系接着性シートの接着性を上記の方法により評価した
が、このシートは全く接着性を示さなかったので、これ
を用いた半導体装置の信頼性を評価することができなか
った。
【0043】[実施例3]実施例1で用いた硬化性シリ
コーン組成物において、(C)成分の代わりに、粘度20
センチポイズの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
メチルハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子結合
水素原子の含有量=1.5重量%)を1重量部配合した
以外は実施例1と同様にして、粘度26,000センチ
ポイズの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化
性シリコーン組成物を用いて、実施例1と同様にしてシ
リコーン系接着性シートを調製した。このシリコーン系
接着性シートは該ポリイミド樹脂シートから容易に剥が
すことができ、ほぼ200μmの均一な厚さであり、そ
の誘電率は2.8であった。このシリコーン系接着性シ
ートの硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲み出し
の有無、その接着性、および半導体装置の信頼性を前記
の方法により評価し、それらの結果を表1に示した。
【0044】[実施例4]実施例1で用いた硬化性シリ
コーン組成物を誘電率3.3、厚さ125μmのフッ素
樹脂被覆ポリイミド樹脂シートにはさんで、実施例1と
同様にして、該組成物の半硬化状物からなるシリコーン
系接着性シートを調製した。このシリコーン系接着性シ
ートは該フッ素樹脂被覆ポリイミド樹脂シートから容易
に剥がすことができ、ほぼ200μmの均一な厚さであ
り、その誘電率は2.8であった。このシリコーン系接
着性シートの硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲
み出しの有無、その接着性、および半導体装置の信頼性
を前記の方法により評価し、それらの結果を表1に示し
た。
【0045】[実施例5]実施例1で用いた硬化性シリ
コーン組成物を誘電率2.1、厚さ100μmのフッ素
樹脂シートの間にはさみ、クリアランスを調整したステ
ンレス製の2本ロールにより、該組成物の厚さを100
μmとした状態で、150℃の熱風循環式オーブン中で
2時間加熱することにより、該組成物を完全に硬化させ
てシリコーンゴムシートを作成した。このシリコーンゴ
ムシートのJIS A硬さは40であった。
【0046】次に、このシリコーンゴムシートの両面に
実施例1で用いた硬化性シリコーン組成物を均一に塗布
し、さらにこの両面を誘電率3.5、厚さ100μmの
ポリイミド樹脂シートにはさみ、クリアランスを調整し
たステンレス製の2本ロール間を通過させて、全体の厚
さを200μmとした状態で、80℃の熱風循環式オー
ブン中で30分間加熱することにより、シリコーンゴム
シートの両面に該組成物の半硬化状物を形成したシリコ
ーン系接着性シートを調製した。このシリコーン系接着
性シートは該ポリイミド樹脂シートから容易に剥がすこ
とができ、ほぼ200μmの均一な厚さであり、その誘
電率は2.8であった。このシリコーン系接着性シート
の硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有
無、および半導体装置の信頼性を前記の方法により評価
し、それらの結果を表1に示した。
【0047】[実施例6]実施例1で用いた硬化性シリ
コーン組成物において、(C)成分として、粘度20セン
チポイズの平均単位式:
【化1】 で示されるオルガノシロキサン(ケイ素原子結合ビニル
基の含有量=16重量%)を1.0重量部配合した以外
は実施例1と同様にして、粘度25,000センチポイ
ズの硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シ
リコーン組成物を用いて、実施例1と同様にしてシリコ
ーン系接着性シートを調製した。このシリコーン系接着
性シートは該ポリイミド樹脂シートから容易に剥がすこ
とができ、ほぼ200μmの均一な厚さであり、その誘
電率は2.8であった。このシリコーン系接着性シート
の硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有
無、その接着性、および半導体装置の信頼性を前記の方
法により評価し、それらの結果を表1に示した。
【0048】[比較例2]実施例1で用いた硬化性シリ
コーン組成物を半硬化させることなく用いて、該組成物
の硬化途上での低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有
無、その接着性、および半導体装置の信頼性を評価し、
それらの評価結果を表1に示した。なお、半導体装置の
信頼性の評価において、25℃で24時間放置した後の
硬化性シリコーン組成物は回路基板3および回路基板7
上に広く流れ出してしまっており、半導体装置の信頼性
を評価することができなかった。
【0049】[実施例7](A)成分として、粘度40,
000センチポイズの分子鎖両末端ジメチルビニルシロ
キシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキ
サン共重合体(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=0.
08重量%、ケイ素原子結合の全有機基に対するフェニ
ル基の含有量=5モル%)72重量部、および粘度6,
000センチポイズの分子鎖両末端メチルフェニルビニ
ルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシ
ロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体(ケイ素
原子結合ビニル基の含有量=0.84重量%、ケイ素原
子結合の全有機基に対するフェニル基の含有量=5モル
%)15重量部、(B)成分として、粘度5センチポイズ
の分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロ
キサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体(ケ
イ素原子結合水素原子の含有量=0.7重量%)3重量
部、(C)成分として、3−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランと粘度40センチポイズの分子鎖両末端ジ
メチルヒドロキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロ
キサン(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=31重量
%)との重量比1:1の混合物1.0重量部、(D)成分
として、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テ
トラメチルジシロキサン錯体(本組成物において、この
錯体中の白金金属が重量単位で5ppmとなる量)、お
よび付加反応抑制剤として、3−フェニル−1−ブチン
−3−オール0.01重量部を均一に混合して、粘度2
5,000センチポイズである、ヒドロシリル化反応硬
化型の硬化性シリコーン組成物を調製した。
【0050】この硬化性シリコーン組成物を誘電率3.
5、厚さ100μmのポリイミド樹脂シートの間にはさ
み、クリアランスを調整したステンレス製の2本ロール
により、該組成物の厚さを200μmとした状態で、8
0℃の熱風循環式オーブン中で30分間加熱することに
より、該組成物の半硬化状物からなるシリコーン系接着
性シートを調製した。このシリコーン系接着性シートは
該ポリイミド樹脂シートから容易に剥すことができ、ほ
ぼ200μmの均一な厚さであり、その誘電率は2.9
であった。このシリコーン系接着性シートの硬化途上で
の低粘度シリコーンオイルの滲み出しの有無、その接着
性、および半導体装置の信頼性を前記の方法により評価
し、それらの結果を表1に示した。
【0051】
【表1】
【0052】
【発明の効果】本発明のシリコーン系接着性シートは、
硬化途上、低粘度シリコーンオイルの滲み出しが抑制さ
れ、半導体チップと該チップ取付部を良好に接着でき、
ひいては信頼性の優れた半導体装置を調製することがで
きるという特徴がある。また、本発明のシリコーン系接
着性シートの製造方法は、このようなシートにおいて特
に良好な接着性を有し、信頼性の優れた半導体装置を調
製するこができるシリコーン系接着性シートを効率良く
製造することができるという特徴がある。また、本発明
の半導体装置は、このようなシリコーン系接着性シート
により半導体チップと該チップ取付部を接着しているの
で、信頼性が優れるという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドICの断面図である。
【図2】 本発明の半導体装置の一例であるLSIの断
面図である。
【図3】 本発明の実施例において、シリコーン系接着
性シートの硬化途上に滲み出た低粘度シリコーンオイル
の有無を評価するために用いた試験体の上面図および側
面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 シリコーン系接着性シートの硬化物 3 ガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路基板 4 回路配線 5 ボンディングワイヤ 6 エポキシ系封止樹脂 7 ポリイミド樹脂製の回路基板 8 金製のバンプ 9 シリコーン系樹脂 A ガラス繊維強化エポキシ樹脂板 B シリコーン系接着性シートの硬化物 C シリコーン系接着性シートの硬化途上に滲み出た低
粘度シリコーンオイル a、b、c、d シリコーン系接着性シートの硬化途上
に滲み出た低粘度シリコーンオイルの長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 淑子 千葉県市原市千種海岸2番2 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸2番2 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも半導体チップおよび該チップ
    取付部に接する面が硬化性シリコーン組成物の半硬化状
    物により形成されていることを特徴とする、半導体チッ
    プを該チップ取付部に接着するためのシリコーン系接着
    性シート。
  2. 【請求項2】 半導体チップおよび該チップ取付部に接
    する面が硬化性シリコーン組成物の半硬化状物により形
    成されており、内部がシリコーンゴム部材から形成され
    ていることを特徴とする、請求項1記載のシリコーン系
    接着性シート。
  3. 【請求項3】 硬化性シリコーン組成物がヒドロシリル
    化反応硬化型のものであることを特徴とする、請求項1
    または2記載のシリコーン系接着性シート。
  4. 【請求項4】 ヒドロシリル化反応硬化型の硬化性シリ
    コーン組成物が、(A)一分子中に少なくとも2個のケイ
    素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサ
    ン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水
    素原子を有するオルガノポリシロキサン、(C)一分子中
    に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結
    合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれ
    ぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン、および/ま
    たは一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくと
    も1個有するシランもしくはシロキサンと一分子中に、
    ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニ
    ル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するオルガノシロ
    キサンの混合物、および(D)ヒドロシリル化反応用触媒
    からなることを特徴とする、請求項3記載のシリコーン
    系接着性シート。
  5. 【請求項5】 (C)成分が、一分子中に、ケイ素原子
    結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ
    素原子結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくと
    も1個ずつ有するオルガノシロキサン、および/または
    一分子中に、ケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原子
    結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくとも1個
    ずつ有するオルガノシランもしくはオルガノシロキサン
    と一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原
    子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有す
    るオルガノシロキサンの混合物であることを特徴とす
    る、請求項4記載のシリコーン系接着性シート。
  6. 【請求項6】 (C)成分が、平均単位式: (R1SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c(R
    31/2)d (式中、R1はエポキシ含有一価有機基であり、R2は置
    換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、この
    成分中の少なくとも1個のR2はアルケニル基であり、
    3はアルキル基であり、aは正数であり、bは正数で
    あり、cは0または正数であり、dは正数である。)で
    表されるオルガノシロキサンであることを特徴とする、
    請求項5記載のシリコーン系接着性シート。
  7. 【請求項7】 シリコーン系接着性シートが、硬化性シ
    リコーン組成物の半硬化状物に対して剥離性を有する基
    材間で該組成物を半硬化状に硬化させたものであって、
    該基材の少なくとも一方の誘電率が該半硬化状物の誘電
    率よりも大きいことを特徴とする、請求項1記載のシリ
    コーン系接着性シート。
  8. 【請求項8】 硬化性シリコーン組成物の半硬化状物に
    対して剥離性を有する基材間で該組成物を半硬化状に硬
    化させて、半導体チップを該チップ取付部に接着するた
    めのシリコーン系接着性シートを製造する方法におい
    て、該基材の少なくとも一方の誘電率が該半硬化状物の
    誘電率よりも大きいことを特徴とする、シリコーン系接
    着性シートの製造方法。
  9. 【請求項9】 硬化性シリコーン組成物の半硬化状物に
    対して剥離性を有する基材が有機樹脂シートであること
    を特徴とする、請求項8記載のシリコーン系接着性シー
    トの製造方法。
  10. 【請求項10】 硬化シリコーン組成物がヒドロシリル
    化反応硬化型のものであることを特徴とする、請求項8
    または9記載のシリコーン系接着性シートの製造方法。
  11. 【請求項11】 ヒドロシリル化反応硬化型の硬化シリ
    コーン組成物が、(A)一分子中に少なくとも2個のケイ
    素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサ
    ン、(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水
    素原子を有するオルガノポリシロキサン、(C)一分子中
    に、ケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結
    合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれ
    ぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン、および/ま
    たは一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくと
    も1個有するシランもしくはシロキサンと一分子中に、
    ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニ
    ル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するオルガノシロ
    キサンの混合物、および(D)ヒドロシリル化反応用触媒
    からなることを特徴とする、請求項10記載のシリコー
    ン系接着性シートの製造方法。
  12. 【請求項12】 (C)成分が、一分子中に、ケイ素原
    子結合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケ
    イ素原子結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なく
    とも1個ずつ有するオルガノシロキサン、および/また
    は一分子中に、ケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原
    子結合エポキシ含有一価有機基をそれぞれ少なくとも1
    個ずつ有するオルガノシランもしくはオルガノシロキサ
    ンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素
    原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有
    するオルガノシロキサンの混合物であることを特徴とす
    る、請求項11記載のシリコーン系接着性シートの製造
    方法。
  13. 【請求項13】 (C)成分が、平均単位式: (R1SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c(R
    31/2)d (式中、R1はエポキシ含有一価有機基であり、R2は置
    換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、この
    成分中の少なくとも1個のR2はアルケニル基であり、
    3はアルキル基であり、aは正数であり、bは正数で
    あり、cは0または正数であり、dは正数である。)で
    表されるオルガノシロキサンであることを特徴とする、
    請求項12記載のシリコーン系接着性シートの製造方
    法。
  14. 【請求項14】 少なくとも半導体チップおよび該チッ
    プ取付部に接する面が硬化性シリコーン組成物の半硬化
    状物により形成されたシリコーン系接着性シートにより
    該チップを該チップ取付部に接着してなる半導体装置。
  15. 【請求項15】 半導体チップおよび該チップ取付部に
    接する面が硬化性シリコーン組成物の半硬化状物により
    形成されており、内部がシリコーンゴム部材から形成さ
    れたシリコーン系接着性シートにより該チップを該チッ
    プ取付部に接着してなることを特徴とする、請求項14
    記載の半導体装置。
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