JP2002265786A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置の製造方法

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君男 山川
Kazumi Nakayoshi
和己 中吉
Hironori Ishikawa
裕規 石川
Ryoto Shima
涼登 島
Junji Nakanishi
淳二 中西
Tomoko Kato
智子 加藤
Minoru Isshiki
実 一色
Katsutoshi Mine
勝利 峰
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面部の硬さが内部の硬さよりも大きい不均
質な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組
成物、および表面部の硬さが内部の硬さよりも大きい不
均質な硬化物により半導体素子を被覆してなる信頼性が
優れる半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。 【解決手段】 (Ａ)一分子中に２個以上のケイ素原子結
合水素原子を有し、前記水素原子の含有量が０.０５重
量％以下であるオルガノポリシロキサン、(Ｂ)一分子中
に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキ
サン｛(Ａ)成分中のケイ素原子結合水素原子１モルに対
して、本成分中のアルケニル基が０.０１〜１モルとな
る量｝、および(Ｃ)ヒドロシレーション反応用金属系触
媒（本組成物において、本成分中の金属原子が重量単位
で０.０１〜１,０００ppmとなる量）から少なくともな
る硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体
素子の表面に上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成
物を塗布して硬化することを特徴とする半導体装置の製
造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物、および半導体装置の製造方法に関
し、詳しくは、表面部の硬さが内部の硬さよりも大きい
不均質な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物、および表面部の硬さが内部の硬さよりも大き
い不均質な硬化物により半導体素子を被覆してなる信頼
性が優れる半導体装置を効率よく製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一分子中に２個以上のケイ素原子結合水
素原子を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に２
個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサ
ン、およびヒドロシレーション反応用金属系触媒から少
なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、
加熱により速やかに硬化して、均質で、電気特性が優れ
る硬化物を形成できることから、半導体素子の被覆剤と
して使用されている。
【０００３】この半導体素子被覆剤において、外部応力
から半導体素子を十分に保護するためには、その硬化物
の硬度が高い方が好ましく、一方、内部応力から半導体
素子を十分に保護するためには、その硬化物の硬度が低
い方が好ましいが、これらを両方満足させることができ
ないという問題があった。
【０００４】このため、特開昭５８−１６３６５２号公
報には、半導体素子の表面に、一分子中に２個以上のケ
イ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサ
ン、一分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガ
ノポリシロキサン、およびヒドロシレーション反応用金
属系触媒から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキ
サン組成物を塗布する際、前記成分の少なくとも一種で
塗布した後、残りの成分を塗布して拡散させて硬化する
ことにより、表面部の硬さが内部の硬さより大きい不均
質な硬化物で半導体素子を被覆した半導体装置を製造す
る方法が提案されているが、硬度のコントロールが難し
く、また工程が煩雑であるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、表面部の硬さが内部の硬さよ
りも大きい不均質な硬化物を形成する硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物、および表面部の硬さが内部の硬さ
よりも大きい不均質な硬化物により半導体素子を被覆し
てなる信頼性が優れる半導体装置を効率よく製造する方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物は、(Ａ)一分子中に２個以上のケ
イ素原子結合水素原子を有し、前記水素原子の含有量が
０.０５重量％以下であるオルガノポリシロキサン、
(Ｂ)一分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガ
ノポリシロキサン｛(Ａ)成分中のケイ素原子結合水素原
子１モルに対して、本成分中のアルケニル基が０.０１
〜１モルとなる量｝、および(Ｃ)ヒドロシレーション反
応用金属系触媒（本組成物において、本成分中の金属原
子が重量単位で０.０１〜１,０００ppmとなる量）から
少なくともなることを特徴とする。また、本発明の半導
体装置の製造方法は、半導体素子の表面に上記の硬化性
オルガノポリシロキサン組成物を塗布して硬化すること
を特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。(Ａ)成分の
オルガノポリシロキサンは本組成物の主成分であり、一
分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有し、前
記水素原子の含有量が０.０５重量％以下であることを
特徴とする。これは、ケイ素原子結合水素原子が一分子
中に２個未満であると、得られる組成物が十分に硬化し
なくなるからである。また、この水素原子の含有量が
０.０５重量％を超えると、得られる組成物を硬化させ
ても、表面部の硬さが内部の硬さよりも大きい不均質な
硬化物を形成できなくなるからである。この水素原子の
含有量は、好ましくは０.０３重量％以下であり、特に
好ましくは０.０２重量％以下である。(Ａ)成分の分子
構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝
鎖状、環状、樹枝状が例示され、好ましくは直鎖状であ
る。また、(Ａ)成分中のケイ素原子結合水素原子は、例
えば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖に結合して
おり、特に、分子鎖両末端に結合していることが好まし
い。(Ａ)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合して
いる基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアル
キル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル
基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラ
ルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、
３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アル
キル基が例示され、特に、メチル基、フェニル基が好ま
しい。このような(Ａ)成分の２５℃における粘度は限定
されないが、１００mPa・s以上であることが好ましく、
さらには、１００〜１,０００,０００mPa・sであること
が好ましく、特には、１００〜５０,０００mPa・sである
ことが好ましい。これは(Ａ)成分の粘度が上記範囲の下
限未満であると、硬化物の機械的強度が乏しくなるから
であり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組
成物の流動性が乏しくなる傾向があるからである。
【０００８】このような(Ａ)成分のオルガノポリシロキ
サンとしては、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシ
ロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジ
メチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサ
ン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖
両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・
メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末
端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロ
キサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両
末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシ
ロキサン・メチル(３,３,３−トリフルオロプロピル)シ
ロキサン共重合体、式：(ＣＨ3)2ＨＳiＯ1/2で示される
シロキサン単位と式：(ＣＨ3)2ＳiＯ2/2で示されるシロ
キサン単位と式：ＣＨ3ＳiＯ3/2で示されるシロキサン
単位からなる分岐鎖状オルガノポリシロキサン、式：
(ＣＨ3)3ＳiＯ1/2で示されるシロキサン単位と式：(Ｃ
Ｈ3 )ＨＳiＯ2/2で示されるシロキサン単位と式：ＣＨ3
ＳiＯ3/2で示されるシロキサン単位からなる分岐鎖状オ
ルガノポリシロキサンが例示され、特に、分子鎖両末端
ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシ
ロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサ
ン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロ
キシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル(３,３,３−ト
リフルオロプロピル)シロキサン共重合体等の分子鎖両
末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖されたオルガノポ
リシロキサンが好ましい。
【０００９】(Ｂ)成分のオルガノポリシロキサンは本組
成物の硬化剤であり、一分子中に２個以上のアルケニル
基を有することを特徴とする。(Ｂ)成分の分子構造とし
てはは、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、
樹枝状が例示される。(Ｂ)成分中のアルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基が好ましい。
このアルケニル基は、例えば、分子鎖末端および／また
は分子鎖側鎖に結合している。(Ｂ)成分中のアルケニル
基の含有量は限定されないが、０.０１〜３０重量％で
あることが好ましい。また、(Ｂ)成分中のアルケニル基
以外のケイ素原子に結合している基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベン
ジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル
基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロ
プロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示され、特
に、メチル基、フェニル基が好ましい。(Ｂ)成分の２５
℃における粘度は限定されないが、１０〜１００,００
０mPa・sであることが好ましく、特には、１０〜５０,０
００mPa・sであることが好ましい。これは(Ｂ)成分の粘
度が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の機
械的強度が乏しくなるからであり、一方、上記範囲の上
限を超えると、得られる組成物の流動性が乏しくなる傾
向があるからである。
【００１０】このような(Ｂ)成分のオルガノポリシロキ
サンとしては、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基
封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニル
シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ
基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共
重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジ
メチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合
体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチル(３,３,３−トリフルオロプロピ
ル)シロキサン共重合体、式：(ＣＨ3)2(ＣＨ2＝ＣＨ)Ｓ
iＯ1/2で示されるシロキサン単位と式：(ＣＨ3)2ＳiＯ
2/2で示されるシロキサン単位と式：ＣＨ3ＳiＯ3/2で示
されるシロキサン単位からなる分岐鎖状オルガノポリシ
ロキサン、式：(ＣＨ3)3ＳiＯ1/2で示されるシロキサン
単位と式：(ＣＨ3)(ＣＨ2＝ＣＨ)ＳiＯ2/2で示されるシ
ロキサン単位と式：ＣＨ3ＳiＯ3/2で示されるシロキサ
ン単位からなる分岐鎖状オルガノポリシロキサンが例示
され、特に、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合
体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシ
ロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキ
サン等の分子鎖側鎖にアルケニル基を有するオルガノポ
リシロキサンが好ましい。
【００１１】(Ｂ)成分の含有量は、(Ａ)成分中のケイ素
原子結合水素原子１モルに対して本成分中のアルケニル
基が０.０１〜１モルとなる量であり、好ましくは、０.
０５〜０.５モルとなる量である。これは、(Ｂ)成分の
含有量が上記範囲の下限未満となる量であると、得られ
る組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであ
り、一方、上記範囲の上限を超えると、表面部の硬さが
内部の硬さよりも大きい不均質な硬化物を形成できなく
なる傾向があるからである。
【００１２】(Ｃ)成分のヒドロシレーション反応用金属
系触媒は本組成物の硬化を促進するための触媒である。
(Ｃ)成分としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラ
ジウム系触媒が例示され、特に、白金系触媒が好まし
い。この白金系触媒としては、白金微粉末、白金黒、白
金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩
化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィン錯体、白
金のアルケニルシロキサン錯体、白金のカルボニル錯体
が例示される。
【００１３】(Ｃ)成分の含有量は、本組成物において、
本成分中の金属原子が重量単位で０.０１〜１,０００pp
mとなる量である。これは、(Ｃ)成分の含有量が上記範
囲の下限未満となる量であると、得られる組成物が速や
かに硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記
範囲の上限を超えても硬化速度が著しく促進されるもの
ではなく、不経済であるからである。
【００１４】本組成物には、得られる硬化物の機械的強
度を向上させるため、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、
焼成シリカ、酸化チタン、アルミナ、ガラス、石英、ア
ルミノケイ酸、酸化鉄、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、カ
ーボンブラック等の充填剤、あるいはこれらの充填剤の
表面をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシラ
ン、オルガノジシラザン等の有機ケイ素化合物で疎水化
処理した充填剤を含有してもよい。この充填剤の含有量
は限定されないが、(Ａ)成分１００重量部に対して１〜
１００重量部であることが好ましい。
【００１５】また、本組成物には、その硬化速度を調節
するために、３−メチル−１−ブチン−３−オール、
３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−フ
ェニル−１−ブチン−３−オール等のアルキンアルコー
ル；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジ
メチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；
１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニ
ルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチ
ル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロ
キサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有して
もよい。この反応抑制剤の含有量は限定されないが、
(Ａ)成分１００重量部に対して０.０００１〜５重量部
であることが好ましい。
【００１６】さらに、本組成物には、その他任意の成分
として、メチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
ケイ素原子結合水素原子とグリシドキシプロピル基を有
するシロキサンオリゴマー、ケイ素原子結合水素原子と
メタクリロキシプロピル基を有するシロキサンオリゴマ
ー、ケイ素原子結合水素原子とグリシドキシプロピル基
とケイ素原子結合アルコキシ基を有するシロキサンオリ
ゴマー、ケイ素原子結合アルケニル基とグリシドキシプ
ロピル基を有するシロキサンオリゴマー、ケイ素原子結
合アルケニル基とグリシドキシプロピル基とケイ素原子
結合アルコキシ基を有するシロキサンオリゴマー等の接
着促進剤；シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂粉
末；銀、銅等の導電性粉末；その他、染料、顔料、難燃
材、溶剤を含有してもよい。
【００１７】本組成物は室温もしくは加熱により硬化す
るが、加熱により迅速に硬化することができる。この加
熱温度は限定されないが、５０〜２００℃であることが
好ましく、特に、８０〜１８０℃であることが好まし
い。
【００１８】本組成物は、硬化して、表面部の硬さが内
部の硬さよりも大きい不均質な硬化物を形成できるの
で、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、被覆剤と
して好適である。特に、本組成物は半導体素子被覆剤と
して好適である。本組成物からなる半導体素子被覆剤
は、加熱により速やかに硬化して、表面部の硬さが内部
の硬さよりも大きい不均質な硬化物で半導体素子を被覆
することができるので、外部応力から半導体素子を保護
できるとともに、内部応力からも半導体素子を保護する
ことができる。
【００１９】次に、本発明の半導体装置の製造方法を詳
細に説明する。本方法は、半導体素子の表面に上記の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物を塗布して硬化する
ことを特徴とする。この半導体素子としては、ダイオー
ド、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、さ
らにはハイブリッドＩＣ中の半導体素子が例示される。
この半導体素子の表面を被覆する硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物は上記の通りであり、この組成物は、硬
化して、表面部の硬さが内部の硬さより大きい不均質な
硬化物を形成できる。本方法で製造される半導体装置と
しては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モノ
リシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが
例示される。
【００２０】本方法で製造される半導体装置の一例であ
るハイブリッドＩＣの断面図を図１に示した。この半導
体装置は、半導体素子１が回路基板２上に搭載されてお
り、この半導体素子１と外部リードに接続した回路配線
３とがボンディングワイヤ４により電気的に接続されて
いる。また、この半導体素子１の表面には硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物の硬化物５が、この半導体素子
１を被覆するように形成されており、さらに、この硬化
物５により被覆された半導体素子１が封止樹脂６により
樹脂封止されている。この回路基板２の材質としては、
ガラス繊維強化エポキシ樹脂、ベークライト樹脂、フェ
ノール樹脂等の有機樹脂；アルミナ等のセラミックス；
銅、アルミニウム等の金属が例示される。また、回路配
線３の材質としては、銅、銀−パラジウムが例示され
る。また、ボンディングワイヤ４の材質としては、金、
銅、アルミニウムが例示される。この回路基板２には半
導体素子１の他に、抵抗、コンデンサー、コイル等の電
子部品が搭載されていてもよい。また、封止樹脂６の材
質としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェ
ニレンサルファイド樹脂が例示される。
【００２１】本方法では、半導体素子１を回路基板２上
に搭載し、次いで、この半導体素子１と回路配線３とを
ボンディングワイヤ４により電気的に接続した後、この
半導体素子１の表面に上記の硬化性オルガノポリシロキ
サン組成物を塗布する。次いで、この半導体素子１上の
組成物を硬化させる方法としては、例えば、室温で放置
する方法、５０〜２００℃に加熱する方法がある。この
組成物を硬化した後は、この硬化物５により被覆された
半導体素子１を必要により封止樹脂６により樹脂封止し
てもよい。
【００２２】
【実施例】本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成
物、および半導体装置の製造方法を実施例により詳細に
説明する。なお、実施例中の粘度は２５℃において測定
した値である。また、硬化物の状態の観察、および半導
体装置の信頼性評価は次のようにして行った。
【００２３】［硬化物の状態の観察］硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物をディスペンサーによりアルミ板
（５cm×５cm、厚さ０.３mm）上に１.０ｇ塗布した後、
直ちに１５０℃の熱風循環式オーブンにより１時間加熱
して硬化させた。次に、この硬化物の中央部を切断し
て、倍率１０倍の実体顕微鏡で観察しながら、この硬化
物の表面部の硬さと硬化物の内部の硬さを金属製のへら
で押して比較した。
【００２４】［半導体装置の信頼性の評価（その１）］
図１で示した半導体装置を作成した。この半導体装置
は、半導体素子１を、表面に印刷により形成された回路
配線３および端部に外部リードを有するガラス繊維強化
エポキシ樹脂製の回路基板２上に搭載した後、半導体素
子１と回路配線３とをボンディングワイヤ４により電気
的に接続した。この半導体素子１の表面に硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物をディスペンサーにより塗布し
た後、直ちに１５０℃の熱風循環式オーブンにより１時
間加熱して硬化させて２０個の半導体装置を作成した。
封止樹脂６による樹脂封止を行なう前の半導体装置を、
半導体搭載面を下にして１.０ｍの高さからコンクリー
ト製の床面に繰り返し３回落下させる落下試験を行った
後、外部リード間の電気導通試験を行い、導通不良の半
導体装置の数（不良率）を求めた。
【００２５】［半導体装置の信頼性の評価（その２）］
図１で示した半導体装置を作成した。この半導体装置
は、半導体素子１を、表面に印刷により形成された回路
配線３および端部に外部リードを有するガラス繊維強化
エポキシ樹脂製の回路基板２上に搭載した後、半導体素
子１と回路配線３とをボンディングワイヤ４により電気
的に接続した。この半導体素子１の表面に硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物をディスペンサーにより塗布し
た後、直ちに１５０℃の熱風循環式オーブンにより１時
間加熱して硬化させて、さらにエポキシ樹脂からなる封
止樹脂６で樹脂封止して２０個の半導体装置を作成し
た。この半導体装置を−６５℃で３０分間、＋１５０℃
で３０分間を１サイクルとするサーマルサイクル試験を
１０００サイクル行なった後、外部リード間の電気導通
試験を行い、導通不良の半導体装置の数（不良率）を求
めた。
【００２６】［実施例１］粘度２,０００mPa・sの分子鎖
両末端ジメチル水素シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキ
サン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.００５４
重量％）１００重量部、粘度４００mPa・sの分子鎖両末
端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・
メチルビニルシロキサン共重合体（ビニル基の含有量＝
０.６８重量％）２.６重量部（上記ジメチルポリシロキ
サン中のケイ素原子結合水素原子１モルに対して、本共
重合体中のビニル基が０.１２モルとなる量）、白金の
１,３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（本組
成物において、この錯体中の白金金属が重量単位で５pp
mとなる量）、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎
水化処理されたＢＥＴ比表面積２００ｍ2／ｇのヒュー
ムドシリカ７重量部、および３−フェニル−１−ブチン
−３−オール０.０１重量部を均一に混合して粘度１２,
０００mPa・sの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を
調製した。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物に
ついて、その硬化物の状態、および半導体装置の信頼性
を評価して、これらの結果を表１に示した。
【００２７】［実施例２］粘度５００mPa・sの分子鎖両
末端ジメチル水素シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.０１３重量
％）１００重量部、粘度４００mPa・sの分子鎖両末端ジ
メチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチ
ルビニルシロキサン共重合体（ビニル基の含有量＝０.
６８重量％）５.２重量部（上記ジメチルポリシロキサ
ン中のケイ素原子結合水素原子１モルに対して、本共重
合体中のビニル基が０.１０モルとなる量）、白金の１,
３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（本組成物
において、この錯体中の白金金属が重量単位で５ppmと
なる量）、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎水化
処理されたＢＥＴ比表面積２００ｍ2／ｇのヒュームド
シリカ９重量部、および３−フェニル−１−ブチン−３
−オール０.０１重量部を均一に混合して粘度９,５００
mPa・sの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製し
た。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物につい
て、その硬化物の状態、および半導体装置の信頼性を評
価して、これらの結果を表１に示した。
【００２８】［比較例１］粘度２,０００mPa・sの分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン（ビニル基の含有量＝０.２４重量％）１００重
量部、粘度２０mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル水素シロキサン共
重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７５重
量％）２.６重量部（本共重合体中のケイ素原子結合水
素原子１モルに対して、上記ジメチルポリシロキサン中
のビニル基が０.４６モルとなる量）、白金の１,３−ジ
ビニルテトラメチルジシロキサン錯体（本組成物におい
て、この錯体中の白金金属が重量単位で５ppmとなる
量）、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎水化処理
されたＢＥＴ比表面積２００ｍ2／ｇのヒュームドシリ
カ７重量部、および３−フェニル−１−ブチン−３−オ
ール０.０１重量部を均一に混合して粘度１２,０００mP
a・sの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製し
た。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物につい
て、その硬化物の状態、および半導体装置の信頼性を評
価して、これらの結果を表１に示した。
【００２９】［比較例２］粘度２,０００mPa・sの分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン（ビニル基の含有量＝０.２４重量％）１００重
量部、粘度２０mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル水素シロキサン共
重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７５重
量％）０.５９重量部（本共重合体中のケイ素原子結合
水素原子１モルに対して、上記ジメチルポリシロキサ中
のビニル基が２.０モルとなる量）、白金の１,３−ジビ
ニルテトラメチルジシロキサン錯体（本組成物におい
て、この錯体中の白金金属が重量単位で５ppmとなる
量）、ヘキサメチルジシラザンにより表面が疎水化処理
されたＢＥＴ比表面積２００ｍ2／ｇのヒュームドシリ
カ７重量部、および３−フェニル−１−ブチン−３−オ
ール０.０１重量部を均一に混合して粘度１３,０００mP
a・sの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製し
た。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物につい
て、その硬化物の状態、および半導体装置の信頼性を評
価して、これらの結果を表１に示した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明の硬化性オルガノポリシロキサン
組成物は、表面部の硬さが内部の硬さよりも大きい不均
質な硬化物を形成できるという特徴がある。また、本発
明の半導体装置の製造方法は、表面部の硬さが内部の硬
さよりも大きい不均質な硬化物により半導体素子を被覆
してなる信頼性が優れる半導体装置を効率よく製造でき
るという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドＩＣの断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子 ２ 回路基板 ３ 回路配線 ４ ボンディングワイヤ ５ 硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物 ６ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 裕規 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 島 涼登 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 中西 淳二 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 加藤 智子 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 一色 実 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 Ｆターム(参考） 4J002 CP04W CP14X CP16X DA116 DE196 FD010 GQ05 4M109 AA01 BA03 CA04 EA11 EB02 EB04 EB07 EB08 EB12 EB13 EB18 EC04 GA02

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 (Ａ)一分子中に２個以上のケイ素原子結
    合水素原子を有し、前記水素原子の含有量が０.０５重
    量％以下であるオルガノポリシロキサン、(Ｂ)一分子中
    に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキ
    サン｛(Ａ)成分中のケイ素原子結合水素原子１モルに対
    して、本成分中のアルケニル基が０.０１〜１モルとな
    る量｝、および(Ｃ)ヒドロシレーション反応用金属系触
    媒（本組成物において、本成分中の金属原子が重量単位
    で０.０１〜１,０００ppmとなる量）から少なくともな
    る硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  2. 【請求項２】 (Ａ)成分中のケイ素原子結合水素原子の
    含有量が０.０３重量％以下であることを特徴とする、
    請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  3. 【請求項３】 (Ａ)成分中のケイ素原子結合水素原子の
    含有量が０.０２重量％以下であることを特徴とする、
    請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  4. 【請求項４】 半導体素子の表面に請求項１乃至３のい
    ずれか１項に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成
    物を塗布して硬化することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。
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