JP3519779B2 - 接着剤および半導体装置 - Google Patents
接着剤および半導体装置Info
- Publication number
- JP3519779B2 JP3519779B2 JP11220594A JP11220594A JP3519779B2 JP 3519779 B2 JP3519779 B2 JP 3519779B2 JP 11220594 A JP11220594 A JP 11220594A JP 11220594 A JP11220594 A JP 11220594A JP 3519779 B2 JP3519779 B2 JP 3519779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- component
- group
- weight
- semiconductor pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ペレットと該半
導体ペレット取付部材とを接合するための接着剤、およ
び半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材とが該接
着剤の硬化物により接合されてなる半導体装置に関し、
詳しくは、微小の半導体ペレットを該半導体ペレット取
付部材に接合した後、該半導体ペレットへのワイヤボン
ダビリティを損なわない接着剤、および半導体ペレット
と該半導体ペレット取付部材とが該接着剤の硬化物によ
り接合されてなる、信頼性が優れた半導体装置に関す
る。
導体ペレット取付部材とを接合するための接着剤、およ
び半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材とが該接
着剤の硬化物により接合されてなる半導体装置に関し、
詳しくは、微小の半導体ペレットを該半導体ペレット取
付部材に接合した後、該半導体ペレットへのワイヤボン
ダビリティを損なわない接着剤、および半導体ペレット
と該半導体ペレット取付部材とが該接着剤の硬化物によ
り接合されてなる、信頼性が優れた半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、シリコン等の半導体ペレ
ットと銅製タブ、回路基板等の半導体ペレット取付部材
とを金−シリコン共晶等のろう材やエポキシ系、ポリイ
ミド系またはシリコーン系の接着剤の硬化物により接合
した後、該半導体ペレットとリードフレームもしくは回
路配線とを超音波圧着法、熱圧着法、超音波熱圧着法等
によりワイヤボンディングして作成される（特開昭６１
−５５３０号公報参照）。半導体ペレットと該半導体ペ
レット取付部材とを接合するためのシリコーン系の接着
剤としては、例えば、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧
を有する低分子シロキサン含有量が５００ppm以下であ
り、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
ニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に少
なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガ
ノポリシロキサン、一分子中に、ケイ素原子結合アルコ
キシ基とケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原
子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物、白金系触媒
およびヒュームドシリカ、結晶性シリカ等の充填剤から
なる接着剤（特開平３−１５７４７４号公報参照）が提
案されている。
ットと銅製タブ、回路基板等の半導体ペレット取付部材
とを金−シリコン共晶等のろう材やエポキシ系、ポリイ
ミド系またはシリコーン系の接着剤の硬化物により接合
した後、該半導体ペレットとリードフレームもしくは回
路配線とを超音波圧着法、熱圧着法、超音波熱圧着法等
によりワイヤボンディングして作成される（特開昭６１
−５５３０号公報参照）。半導体ペレットと該半導体ペ
レット取付部材とを接合するためのシリコーン系の接着
剤としては、例えば、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧
を有する低分子シロキサン含有量が５００ppm以下であ
り、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
ニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に少
なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガ
ノポリシロキサン、一分子中に、ケイ素原子結合アルコ
キシ基とケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原
子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物、白金系触媒
およびヒュームドシリカ、結晶性シリカ等の充填剤から
なる接着剤（特開平３−１５７４７４号公報参照）が提
案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体ペレッ
トと該半導体ペレットとを特開平３−１５７４７４号に
より提案された接着剤により接合した後、該半導体ペレ
ットへワイヤボンディングする際、該接着剤の硬化物が
超音波熱圧着法による超音波を吸収したり、該半導体ペ
レットが振動することにより、該半導体ペレットへのワ
イヤボンダビリティが著しく低下したり、ボンディグワ
イヤのネック形状が不良となり、得られる半導体装置の
信頼性が著しく低下するという問題があった。このこと
は、微小の半導体ペレットにおいて顕著であり、大型の
半導体ペレットにおいては特開平３−１５７４７４号に
より提案された接着剤を使用し、微小の半導体ペレット
においてはエポキシ系接着剤を使用するというように使
い分けする必要があった。
トと該半導体ペレットとを特開平３−１５７４７４号に
より提案された接着剤により接合した後、該半導体ペレ
ットへワイヤボンディングする際、該接着剤の硬化物が
超音波熱圧着法による超音波を吸収したり、該半導体ペ
レットが振動することにより、該半導体ペレットへのワ
イヤボンダビリティが著しく低下したり、ボンディグワ
イヤのネック形状が不良となり、得られる半導体装置の
信頼性が著しく低下するという問題があった。このこと
は、微小の半導体ペレットにおいて顕著であり、大型の
半導体ペレットにおいては特開平３−１５７４７４号に
より提案された接着剤を使用し、微小の半導体ペレット
においてはエポキシ系接着剤を使用するというように使
い分けする必要があった。
【０００４】本発明者らは上記問題点を解決するために
鋭意研究した結果、本発明に到達した。
鋭意研究した結果、本発明に到達した。
【０００５】すなわち、本発明の目的は、半導体ペレッ
トを該半導体ペレット取付部材に接合した後、該半導体
ペレットへのワイヤボンダビリティを損なわない接着
剤、および半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材
とが該接着剤の硬化物により接合されてなる、信頼性が
優れた半導体装置を提供することにある。
トを該半導体ペレット取付部材に接合した後、該半導体
ペレットへのワイヤボンダビリティを損なわない接着
剤、および半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材
とが該接着剤の硬化物により接合されてなる、信頼性が
優れた半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用】本発明
は、 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノ ポリシロキサン １００重量部、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリ シロキサン｛(Ｂ)成分の配合量は、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１ モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子が０．５〜３モルとなる量 である。｝、 (Ｃ)ケイ素原子結合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物 ０〜１０重量部、 (Ｄ)粒子径が１０〜１００μｍであり、その長短径比が１．０〜１．５である有 機質もしくは無機質球状充填剤 ０．５〜２０重量部 および (Ｅ)触媒量の白金もしくは白金系化合物 からなる、半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材
とを接合するための接着剤に関する。
は、 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノ ポリシロキサン １００重量部、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリ シロキサン｛(Ｂ)成分の配合量は、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１ モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子が０．５〜３モルとなる量 である。｝、 (Ｃ)ケイ素原子結合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物 ０〜１０重量部、 (Ｄ)粒子径が１０〜１００μｍであり、その長短径比が１．０〜１．５である有 機質もしくは無機質球状充填剤 ０．５〜２０重量部 および (Ｅ)触媒量の白金もしくは白金系化合物 からなる、半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材
とを接合するための接着剤に関する。
【０００７】さらに、本発明は、半導体ペレットと該半
導体ペレット取付部材とが上記接着剤の硬化物により接
合されてなることを特徴とする半導体装置に関する。
導体ペレット取付部材とが上記接着剤の硬化物により接
合されてなることを特徴とする半導体装置に関する。
【０００８】はじめに、本発明の接着剤について詳細に
説明する。
説明する。
【０００９】(Ａ)成分は本接着剤の主剤であり、一分子
中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有
するオルガノポリシロキサンである。(Ａ)成分中のケイ
素原子結合アルケニル基として具体的には、ビニル基、
アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、
ヘプテニル基が例示され、好ましくはビニル基である。
(Ａ)成分中のアルケニル基の結合位置は特に限定され
ず、例えば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が挙
げられる。(Ａ)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子
結合有機基として具体的には、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチ
ル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプ
ロピル基、３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ
置換アルキル基が例示され、好ましくはメチル基、フェ
ニル基である。このような(Ａ)成分の分子構造は特に限
定されず、例えば、直鎖状、分岐状、環状、網状、一部
分岐を有する直鎖状が挙げられ、好ましくは直鎖状であ
る。
中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有
するオルガノポリシロキサンである。(Ａ)成分中のケイ
素原子結合アルケニル基として具体的には、ビニル基、
アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、
ヘプテニル基が例示され、好ましくはビニル基である。
(Ａ)成分中のアルケニル基の結合位置は特に限定され
ず、例えば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が挙
げられる。(Ａ)成分中のアルケニル基以外のケイ素原子
結合有機基として具体的には、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル
基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチ
ル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプ
ロピル基、３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ
置換アルキル基が例示され、好ましくはメチル基、フェ
ニル基である。このような(Ａ)成分の分子構造は特に限
定されず、例えば、直鎖状、分岐状、環状、網状、一部
分岐を有する直鎖状が挙げられ、好ましくは直鎖状であ
る。
【００１０】このような(Ａ)成分のオルガノポリシロキ
サンとして具体的には、分子鎖両末端トリメチルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン
共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロ
キシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端
ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチル
ビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシ
ロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキ
サン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基
封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メ
チルフェニルシロキサン共重合体、式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2
で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示
されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ4/2で示されるシロ
キサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、
Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位とＳｉＯ
4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシ
ロキサン共重合体、式：Ｒ1Ｒ2ＳｉＯ2/2で示されるシ
ロキサン単位と式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン
単位またはＲ2ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位から
なるオルガノポリシロキサン共重合体、およびこれらの
オルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示され
る。式中、Ｒ1はアルケニル基以外の一価炭化水素基で
あり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のア
ルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のア
ラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、
３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキ
ル基が例示される。また、上式中、Ｒ2はアルケニル基
であり、具体的には、ビニル基、アリル基、ブテニル
基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示
される。
サンとして具体的には、分子鎖両末端トリメチルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン
共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチ
ルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロ
キシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサ
ン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端
ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチル
ビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシ
ロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキ
サン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基
封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メ
チルフェニルシロキサン共重合体、式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2
で示されるシロキサン単位と式：Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示
されるシロキサン単位と式：ＳｉＯ4/2で示されるシロ
キサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、
Ｒ1 2Ｒ2ＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単位とＳｉＯ
4/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシ
ロキサン共重合体、式：Ｒ1Ｒ2ＳｉＯ2/2で示されるシ
ロキサン単位と式：Ｒ1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン
単位またはＲ2ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位から
なるオルガノポリシロキサン共重合体、およびこれらの
オルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示され
る。式中、Ｒ1はアルケニル基以外の一価炭化水素基で
あり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のア
ルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のア
ラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、
３，３，３−トリフロロプロピル基等のハロ置換アルキ
ル基が例示される。また、上式中、Ｒ2はアルケニル基
であり、具体的には、ビニル基、アリル基、ブテニル
基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示
される。
【００１１】このような(Ａ)成分のオルガノポリシロキ
サンは従来周知の方法で製造することができるが、この
ようにして得られるオルガノポリシロキサンはオクタメ
チルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタ
シロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の
２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキ
サンを約２〜７重量％含有している。このため、(Ａ)成
分として、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低
分子シロキサンの含有量が約２〜７重量％であるオルガ
ノポリシロキサンを用いて調製された接着剤により半導
体ペレットと該半導体ペレット取付部材とを接合する
と、該半導体ペレットに対するエポキシ系封止樹脂の密
着性が低下する虞がある。このため、(Ａ)成分中の２０
０℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサン
の含有量を５００ppm以下まで低下させることが好まし
い。(Ａ)成分から２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有
する低分子シロキサンを除去する方法としては、例え
ば、(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンを薄膜化して、
０．５mmHg以下の減圧下、１８０〜３００℃に加熱する
方法、(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンをメタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール、アセトン
等の有機溶剤により洗浄する方法、およびこれらの方法
の組合せによる方法が挙げられる。
サンは従来周知の方法で製造することができるが、この
ようにして得られるオルガノポリシロキサンはオクタメ
チルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタ
シロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の
２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキ
サンを約２〜７重量％含有している。このため、(Ａ)成
分として、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低
分子シロキサンの含有量が約２〜７重量％であるオルガ
ノポリシロキサンを用いて調製された接着剤により半導
体ペレットと該半導体ペレット取付部材とを接合する
と、該半導体ペレットに対するエポキシ系封止樹脂の密
着性が低下する虞がある。このため、(Ａ)成分中の２０
０℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサン
の含有量を５００ppm以下まで低下させることが好まし
い。(Ａ)成分から２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有
する低分子シロキサンを除去する方法としては、例え
ば、(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンを薄膜化して、
０．５mmHg以下の減圧下、１８０〜３００℃に加熱する
方法、(Ａ)成分のオルガノポリシロキサンをメタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール、アセトン
等の有機溶剤により洗浄する方法、およびこれらの方法
の組合せによる方法が挙げられる。
【００１２】(Ａ)成分の粘度は特に限定されないが、２
５℃における粘度が５０〜５００，０００センチポイズ
の範囲内であることが好ましく、さらに４００〜１０
０，０００センチポイズの範囲内であることが好まし
い。これは、(Ａ)成分の２５℃における粘度が５０セン
チポイズ未満であると、得られる硬化物の機械的強度が
低下するためであり、また、これが５００，０００セン
チポイズをこえると、得られる接着剤の取扱作業性が低
下するためである。
５℃における粘度が５０〜５００，０００センチポイズ
の範囲内であることが好ましく、さらに４００〜１０
０，０００センチポイズの範囲内であることが好まし
い。これは、(Ａ)成分の２５℃における粘度が５０セン
チポイズ未満であると、得られる硬化物の機械的強度が
低下するためであり、また、これが５００，０００セン
チポイズをこえると、得られる接着剤の取扱作業性が低
下するためである。
【００１３】(Ｂ)成分は本接着剤の硬化剤であり、一分
子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有す
るオルガノポリシロキサンである。(Ｂ)成分中のケイ素
原子結合水素原子の結合位置は特に限定されず、例え
ば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が挙げられ
る。(Ｂ)成分中のケイ素原子結合有機基として具体的に
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェ
ニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリー
ル基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ク
ロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−ト
リフロロプロピル基等のハロ置換アルキル基が例示さ
れ、好ましくはメチル基、フェニル基である。このよう
な(Ｂ)成分の分子構造は特に限定されず、例えば、直鎖
状、分岐状、環状、網状、一部分岐を有する直鎖状が挙
げられ、好ましくは直鎖状である。
子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有す
るオルガノポリシロキサンである。(Ｂ)成分中のケイ素
原子結合水素原子の結合位置は特に限定されず、例え
ば、分子鎖末端および／または分子鎖側鎖が挙げられ
る。(Ｂ)成分中のケイ素原子結合有機基として具体的に
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェ
ニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリー
ル基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ク
ロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−ト
リフロロプロピル基等のハロ置換アルキル基が例示さ
れ、好ましくはメチル基、フェニル基である。このよう
な(Ｂ)成分の分子構造は特に限定されず、例えば、直鎖
状、分岐状、環状、網状、一部分岐を有する直鎖状が挙
げられ、好ましくは直鎖状である。
【００１４】このような(Ｂ)成分のオルガノポリシロキ
サンとして具体的には、分子鎖両末端トリメチルシロキ
シ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖
両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・
メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末
端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチ
ルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサ
ン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロ
キシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメ
チルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジ
メチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポ
リシロキサン、式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2で示されるシロキサ
ン単位と式：Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単
位と式：ＳｉＯ4/2で示されるシロキサン単位からなる
オルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で
示されるシロキサン単位とＳｉＯ4/2で示されるシロキ
サン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、
式：Ｒ1ＨＳｉＯ2/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ
1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位またはＨＳｉＯ
3/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシ
ロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキ
サンの二種以上の混合物が例示される。式中、Ｒ1はア
ルケニル基以外の一価炭化水素基であり、具体的には、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロ
ロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリ
フロロプロピル基等のハロ置換アルキル基が例示され
る。
サンとして具体的には、分子鎖両末端トリメチルシロキ
シ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖
両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・
メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末
端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチ
ルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサ
ン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロ
キシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメ
チルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジ
メチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポ
リシロキサン、式：Ｒ1 3ＳｉＯ1/2で示されるシロキサ
ン単位と式：Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で示されるシロキサン単
位と式：ＳｉＯ4/2で示されるシロキサン単位からなる
オルガノポリシロキサン共重合体、Ｒ1 2ＨＳｉＯ1/2で
示されるシロキサン単位とＳｉＯ4/2で示されるシロキ
サン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、
式：Ｒ1ＨＳｉＯ2/2で示されるシロキサン単位と式：Ｒ
1ＳｉＯ3/2で示されるシロキサン単位またはＨＳｉＯ
3/2で示されるシロキサン単位からなるオルガノポリシ
ロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキ
サンの二種以上の混合物が例示される。式中、Ｒ1はア
ルケニル基以外の一価炭化水素基であり、具体的には、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロ
ロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリ
フロロプロピル基等のハロ置換アルキル基が例示され
る。
【００１５】このような(Ｂ)成分のオルガノポリシロキ
サンは従来周知の方法で製造することができるが、この
ようにして得られるオルガノポリシロキサンは２００℃
で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンを多
く含有しているため、上記(Ａ)成分と同様、(Ｂ)成分中
の２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロ
キサンの含有量を低くすることが好まし。(Ｂ)成分中の
２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキ
サンの除去する方法としては、例えば、(Ｂ)成分のオル
ガノポリシロキサンを薄膜化して、０．５mmHg以下の減
圧下、１８０〜３００℃に加熱する方法、(Ｂ)成分のオ
ルガノポリシロキサンをメタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノール、アセトン等の有機溶剤により洗
浄する方法、およびこれらの方法の組合せによる方法が
挙げられる。
サンは従来周知の方法で製造することができるが、この
ようにして得られるオルガノポリシロキサンは２００℃
で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンを多
く含有しているため、上記(Ａ)成分と同様、(Ｂ)成分中
の２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロ
キサンの含有量を低くすることが好まし。(Ｂ)成分中の
２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキ
サンの除去する方法としては、例えば、(Ｂ)成分のオル
ガノポリシロキサンを薄膜化して、０．５mmHg以下の減
圧下、１８０〜３００℃に加熱する方法、(Ｂ)成分のオ
ルガノポリシロキサンをメタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノール、アセトン等の有機溶剤により洗
浄する方法、およびこれらの方法の組合せによる方法が
挙げられる。
【００１６】(Ｂ)成分の粘度は特に限定されないが、２
５℃における粘度が１〜５００，０００センチポイズの
範囲内であることが好ましく、さらに５〜１００，００
０センチポイズの範囲内であることが好ましい。これ
は、(Ｂ)成分の２５℃における粘度が１センチポイズ未
満であると、得られる硬化物の機械的強度が低下するた
めであり、また、これが５００，０００センチポイズを
こえると、得られる接着剤の取扱作業性が低下するため
である。
５℃における粘度が１〜５００，０００センチポイズの
範囲内であることが好ましく、さらに５〜１００，００
０センチポイズの範囲内であることが好ましい。これ
は、(Ｂ)成分の２５℃における粘度が１センチポイズ未
満であると、得られる硬化物の機械的強度が低下するた
めであり、また、これが５００，０００センチポイズを
こえると、得られる接着剤の取扱作業性が低下するため
である。
【００１７】(Ｂ)成分の配合量は、(Ａ)成分中のケイ素
原子結合アルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケ
イ素原子結合水素原子が０．５〜３モルの範囲内となる
量であることが必要である。これは、(Ａ)成分中のケイ
素原子結合アルケニル基１モルに対して(Ｂ)成分中のケ
イ素原子結合水素原子が０．５モル未満であると、得ら
れる接着剤が十分に硬化しないためであり、また、これ
が３モルをこえると、得られる硬化物の物理的特性が経
時的に変化するためである。
原子結合アルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケ
イ素原子結合水素原子が０．５〜３モルの範囲内となる
量であることが必要である。これは、(Ａ)成分中のケイ
素原子結合アルケニル基１モルに対して(Ｂ)成分中のケ
イ素原子結合水素原子が０．５モル未満であると、得ら
れる接着剤が十分に硬化しないためであり、また、これ
が３モルをこえると、得られる硬化物の物理的特性が経
時的に変化するためである。
【００１８】(Ｃ)成分は本接着剤を硬化して得られる硬
化物の接着性を向上するための成分であり、ケイ素原子
結合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物である。こ
のような(Ｃ)成分の有機ケイ素化合物としては、例え
ば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシ
ラン、メチルフェニルジエトキシシラン、フェニルトリ
メトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリル
トリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、３−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタク
リロキシプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシ
ラン化合物および式：
化物の接着性を向上するための成分であり、ケイ素原子
結合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物である。こ
のような(Ｃ)成分の有機ケイ素化合物としては、例え
ば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシ
ラン、メチルフェニルジエトキシシラン、フェニルトリ
メトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリル
トリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、３−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタク
リロキシプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシ
ラン化合物および式：
【化１】
、式：
【化２】
、式：
【化３】
、式：
【化４】
、式：
【化５】
、式：
【化６】
、式：
【化７】
（式中、ａは１以上の整数であり、ｂは１以上の整数で
ある。）で表されるシロキサン化合物が挙げられる。こ
のような(Ｃ)成分の有機ケイ素化合物の内、得られる硬
化物の接着性が特に優れていることから、(Ｃ)成分の有
機ケイ素化合物としては、一分子中に、ケイ素原子結合
アルコキシ基とケイ素原子結合アルケニル基もしくはケ
イ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物である
ことが好ましい。
ある。）で表されるシロキサン化合物が挙げられる。こ
のような(Ｃ)成分の有機ケイ素化合物の内、得られる硬
化物の接着性が特に優れていることから、(Ｃ)成分の有
機ケイ素化合物としては、一分子中に、ケイ素原子結合
アルコキシ基とケイ素原子結合アルケニル基もしくはケ
イ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物である
ことが好ましい。
【００１９】(Ｃ)成分の配合量は、(Ａ)成分１００重量
部に対して０〜１０重量部の範囲内であることが必要で
あり、さらに０．５〜３．０重量部の範囲内であること
が好ましい。これは、(Ｃ)成分の配合量が(Ａ)成分１０
０重量部に対して１０重量部をこえると、得られる接着
剤の貯蔵安定性が悪化するためである。
部に対して０〜１０重量部の範囲内であることが必要で
あり、さらに０．５〜３．０重量部の範囲内であること
が好ましい。これは、(Ｃ)成分の配合量が(Ａ)成分１０
０重量部に対して１０重量部をこえると、得られる接着
剤の貯蔵安定性が悪化するためである。
【００２０】(Ｄ)成分は本接着剤の特徴的な成分であ
り、半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材とを本
接着剤の硬化物により接合した後、該半導体ペレットへ
のワイヤボンダビリティを損なわないための有機質もし
くは無機質球状充填剤である。(Ｄ)成分の有機質もしく
は無機質球状充填剤として具体的には、ポリスチレン樹
脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン樹
脂、ポリジビニルベンゼン樹脂等の有機質球状充填剤、
および金、銀、銅、錫、ニッケル等の金属、シリカ、酸
化チタン等金属酸化物、ガラス等の無機質球状充填剤が
例示される。また、(Ｄ)成分の粒子径は１０〜１００μ
ｍの範囲内であり、好ましくは１０〜４０μｍの範囲内
であり、その長短径比が１．０〜１．５の範囲内である
ことが必要である。これは(Ｄ)成分の粒子径が１０μｍ
未満であるかまたは１００μｍをこえる場合には、得ら
れる接着剤により半導体ペレットと該ペレット取付部材
を接合した後、該半導体ペレットへのワイヤボンダビリ
ティが著しく損なわれるためであり、また、その長短径
比が１．５をこえる場合にも、該半導体ペレットへのワ
イヤボンダビリティが著しく損なわれるからである。こ
のような(Ｄ)成分の有機質もしくは無機質球状充填剤は
真球状で粒が揃っていることが必要であり、その粒子径
分布の標準偏差が３．０μｍ以下であることがより好ま
しい。このような(Ｄ)成分の有機質もしくは無機質球状
充填剤を調製するための方法は特に限定されず、粒子径
が１０〜１００μｍの範囲内であり、その長短径比が
１．０〜１．５の範囲内となるように分級することが好
ましい。
り、半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材とを本
接着剤の硬化物により接合した後、該半導体ペレットへ
のワイヤボンダビリティを損なわないための有機質もし
くは無機質球状充填剤である。(Ｄ)成分の有機質もしく
は無機質球状充填剤として具体的には、ポリスチレン樹
脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン樹
脂、ポリジビニルベンゼン樹脂等の有機質球状充填剤、
および金、銀、銅、錫、ニッケル等の金属、シリカ、酸
化チタン等金属酸化物、ガラス等の無機質球状充填剤が
例示される。また、(Ｄ)成分の粒子径は１０〜１００μ
ｍの範囲内であり、好ましくは１０〜４０μｍの範囲内
であり、その長短径比が１．０〜１．５の範囲内である
ことが必要である。これは(Ｄ)成分の粒子径が１０μｍ
未満であるかまたは１００μｍをこえる場合には、得ら
れる接着剤により半導体ペレットと該ペレット取付部材
を接合した後、該半導体ペレットへのワイヤボンダビリ
ティが著しく損なわれるためであり、また、その長短径
比が１．５をこえる場合にも、該半導体ペレットへのワ
イヤボンダビリティが著しく損なわれるからである。こ
のような(Ｄ)成分の有機質もしくは無機質球状充填剤は
真球状で粒が揃っていることが必要であり、その粒子径
分布の標準偏差が３．０μｍ以下であることがより好ま
しい。このような(Ｄ)成分の有機質もしくは無機質球状
充填剤を調製するための方法は特に限定されず、粒子径
が１０〜１００μｍの範囲内であり、その長短径比が
１．０〜１．５の範囲内となるように分級することが好
ましい。
【００２１】(Ｄ)成分の配合量は(Ａ)成分１００重量部
に対して０．５〜２０重量部の範囲内である。これは、
(Ｄ)成分の配合量が(Ａ)成分１００重量部に対して０．
１重量部未満であると、得られる接着剤により半導体ペ
レットと該半導体ペレット取付部材を接合した後、該半
導体ペレットへのワイヤボンダビリティが著しく損なわ
れるためであり、また、これが１００重量部をこえる
と、得られる接着剤の粘度が高くなり、その取扱作業性
が著しく悪化するためである。
に対して０．５〜２０重量部の範囲内である。これは、
(Ｄ)成分の配合量が(Ａ)成分１００重量部に対して０．
１重量部未満であると、得られる接着剤により半導体ペ
レットと該半導体ペレット取付部材を接合した後、該半
導体ペレットへのワイヤボンダビリティが著しく損なわ
れるためであり、また、これが１００重量部をこえる
と、得られる接着剤の粘度が高くなり、その取扱作業性
が著しく悪化するためである。
【００２２】(Ｅ)成分は本接着剤の硬化を促進するため
の白金もしくは白金系化合物である。(Ｅ)成分の白金も
しくは白金系化合物として具体的には、白金微粉末、白
金黒、白金坦持シリカ微粉末、白金坦持活性炭、塩化白
金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール溶液、白金
とオレフィンとの錯体、白金とジビニルテトラメチルジ
シロキサン等のアルケニルシロキサンとの錯体、これら
の白金または白金系化合物を含有してなるポリスチレン
樹脂、ナイロン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコー
ン樹脂等の粒子径が１０μｍ未満の熱可塑性樹脂粉末が
例示される。
の白金もしくは白金系化合物である。(Ｅ)成分の白金も
しくは白金系化合物として具体的には、白金微粉末、白
金黒、白金坦持シリカ微粉末、白金坦持活性炭、塩化白
金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール溶液、白金
とオレフィンとの錯体、白金とジビニルテトラメチルジ
シロキサン等のアルケニルシロキサンとの錯体、これら
の白金または白金系化合物を含有してなるポリスチレン
樹脂、ナイロン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコー
ン樹脂等の粒子径が１０μｍ未満の熱可塑性樹脂粉末が
例示される。
【００２３】(Ｅ)成分の配合量は触媒量であり、例え
ば、本接着剤において(Ｅ)成分中の白金金属が重量単位
で０．１〜５００ppmの範囲内となる量であることが好
ましく、さらに１〜５０ppmの範囲内となる量であるこ
とが好ましい。これは、本接着剤において(Ｅ)成分中の
白金金属が重量単位で０．１重量部未満となる量である
場合には、得られる接着剤の硬化速度が著しく低下する
ためであり、また、これが５００重量部をこえると不経
済であるからである。
ば、本接着剤において(Ｅ)成分中の白金金属が重量単位
で０．１〜５００ppmの範囲内となる量であることが好
ましく、さらに１〜５０ppmの範囲内となる量であるこ
とが好ましい。これは、本接着剤において(Ｅ)成分中の
白金金属が重量単位で０．１重量部未満となる量である
場合には、得られる接着剤の硬化速度が著しく低下する
ためであり、また、これが５００重量部をこえると不経
済であるからである。
【００２４】本発明の接着剤は上記(Ａ)成分〜(Ｅ)成分
を均一に混合することにより調製することができる。ま
た、本発明の接着剤には、本発明の目的を損なわない限
り、その他任意の成分として、本発明の接着剤の貯蔵安
定性および取扱作業性を向上させるために硬化抑制剤を
配合することができる。この硬化抑制剤として具体的に
は、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジ
メチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノー
ル等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン
−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イ
ン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル
−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−
テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリ
アゾールが例示される。この硬化抑制剤の配合量は、本
発明の接着剤において重量単位で１０〜５０，０００pp
mの範囲内であることが好ましい。
を均一に混合することにより調製することができる。ま
た、本発明の接着剤には、本発明の目的を損なわない限
り、その他任意の成分として、本発明の接着剤の貯蔵安
定性および取扱作業性を向上させるために硬化抑制剤を
配合することができる。この硬化抑制剤として具体的に
は、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジ
メチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノー
ル等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン
−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イ
ン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル
−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−
テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリ
アゾールが例示される。この硬化抑制剤の配合量は、本
発明の接着剤において重量単位で１０〜５０，０００pp
mの範囲内であることが好ましい。
【００２５】また、本発明の接着剤には、本発明の目的
を損なわない限り、得られる硬化物に適当な硬度と強度
を付与し、また本発明の接着剤の取扱作業性を向上する
ために粒子径が１０μｍ未満である無機質充填剤を配合
することができる。このような無機質充填剤として具体
的には、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ、二酸化チタ
ン、カーボンブラック、アルミナ、石英粉末、およびこ
れらの無機質充填剤をオルガノアルコキシシラン、オル
ガノクロロシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化
合物により表面処理してなる無機質充填剤が例示され
る。本発明の接着剤において、この無機質充填剤の配合
量は、(Ａ)成分１００重量部に対して１００重量部未満
であることが好ましく、さらに０．１〜２０重量部の範
囲内であることが好ましい。
を損なわない限り、得られる硬化物に適当な硬度と強度
を付与し、また本発明の接着剤の取扱作業性を向上する
ために粒子径が１０μｍ未満である無機質充填剤を配合
することができる。このような無機質充填剤として具体
的には、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ、二酸化チタ
ン、カーボンブラック、アルミナ、石英粉末、およびこ
れらの無機質充填剤をオルガノアルコキシシラン、オル
ガノクロロシラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化
合物により表面処理してなる無機質充填剤が例示され
る。本発明の接着剤において、この無機質充填剤の配合
量は、(Ａ)成分１００重量部に対して１００重量部未満
であることが好ましく、さらに０．１〜２０重量部の範
囲内であることが好ましい。
【００２６】本発明の接着剤は、半導体ペレットと該半
導体ペレット取付部材とを接合した後、該半導体ペレッ
トへのワイヤボンダビリティを損なわないので、特に微
小の半導体ペレット用の接着剤として好適である。ま
た、回路基板上に大小様々な半導体ペレットを実装する
半導体装置においては、大型の半導体ペレットも微小の
半導体ペレットも本発明の接着剤により該半導体ペレッ
ト取付部材に接合することができるので、半導体装置の
製造工程を簡単にすることができる。本発明の接着剤に
より半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材とを接
合する方法としては、例えば、該半導体ペレット取付部
材に該接着剤を塗布した後、該半導体ペレットを該接着
剤に密着させて加熱する方法、該半導体ペレットに該接
着剤を塗布した後、該半導体ペレット取付部材に該半導
体ペレット密着させて加熱する方法が挙げられる。ま
た、本発明の接着剤を硬化するための温度は特に限定さ
れず、例えば、５０〜２００℃の温度、さらに好ましく
は１００〜１５０℃に加熱することが好ましい。
導体ペレット取付部材とを接合した後、該半導体ペレッ
トへのワイヤボンダビリティを損なわないので、特に微
小の半導体ペレット用の接着剤として好適である。ま
た、回路基板上に大小様々な半導体ペレットを実装する
半導体装置においては、大型の半導体ペレットも微小の
半導体ペレットも本発明の接着剤により該半導体ペレッ
ト取付部材に接合することができるので、半導体装置の
製造工程を簡単にすることができる。本発明の接着剤に
より半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材とを接
合する方法としては、例えば、該半導体ペレット取付部
材に該接着剤を塗布した後、該半導体ペレットを該接着
剤に密着させて加熱する方法、該半導体ペレットに該接
着剤を塗布した後、該半導体ペレット取付部材に該半導
体ペレット密着させて加熱する方法が挙げられる。ま
た、本発明の接着剤を硬化するための温度は特に限定さ
れず、例えば、５０〜２００℃の温度、さらに好ましく
は１００〜１５０℃に加熱することが好ましい。
【００２７】続いて、本発明の半導体装置について、図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
【００２８】本発明の半導体装置は、図１に示されるよ
うに、半導体ペレット１と該半導体ペレット取付部材２
とが上記接着剤の硬化物３により接合されてなることを
特徴とする。本発明の半導体装置において、半導体ペレ
ット１はシリコン、ガリウム−ひ素等の表面に電子回路
が形成されてなるものであり、また半導体ペレット取付
部材２は銅、鉄系合金等の金属からなり、通称、タブと
呼ばれるものである。また、本発明の半導体装置は、図
２に示されるように、半導体ペレット取付部材として回
路基板８を用いて、半導体ペレット１と回路基板８とが
上記接着剤の硬化物３により接合されてなることを特徴
とする。本発明の半導体装置において、回路基板８はセ
ラミック、ガラス等の基材からなり、その表面には金、
銀、銅等の金属製の回路配線９が形成されている。ま
た、回路基板８の表面には、コンデンサ、抵抗、コイル
等の電気素子が実装されていてもよい。
うに、半導体ペレット１と該半導体ペレット取付部材２
とが上記接着剤の硬化物３により接合されてなることを
特徴とする。本発明の半導体装置において、半導体ペレ
ット１はシリコン、ガリウム−ひ素等の表面に電子回路
が形成されてなるものであり、また半導体ペレット取付
部材２は銅、鉄系合金等の金属からなり、通称、タブと
呼ばれるものである。また、本発明の半導体装置は、図
２に示されるように、半導体ペレット取付部材として回
路基板８を用いて、半導体ペレット１と回路基板８とが
上記接着剤の硬化物３により接合されてなることを特徴
とする。本発明の半導体装置において、回路基板８はセ
ラミック、ガラス等の基材からなり、その表面には金、
銀、銅等の金属製の回路配線９が形成されている。ま
た、回路基板８の表面には、コンデンサ、抵抗、コイル
等の電気素子が実装されていてもよい。
【００２９】本発明の半導体装置は、半導体ペレット１
と該半導体ペレット取付部材２もしくは回路基板８とを
上記接着剤により密着させた後、これを加熱して、該接
着剤の硬化物３を形成させた後、半導体ペレット１の上
端部に設けられたボンディングパッド４とリードフレー
ム５もしくは回路配線９とを金、銅、アルミニウム等の
金属製のボンディングワイヤ６によりワイヤボンディン
グしてなる。なお、ボンディングワイヤ６によるワイヤ
ボンディングする方法としては、一般に、超音波圧着
法、熱圧着法、超音波熱圧着法等が用いられる。半導体
ペレット１と該半導体ペレット取付部材２もしくは回路
基板８とを上記接着剤の硬化物３により接合する方法と
しては、例えば、該半導体ペレット取付部材２もしくは
回路基板８に上記接着剤を塗布した後、該半導体ペレッ
ト１を該接着剤に密着させて加熱する方法、該半導体ペ
レット１に該接着剤を塗布した後、該半導体ペレット取
付部材２もしくは回路基板８に該半導体ペレット１を該
接着剤を介して密着させて加熱する方法が挙げられる。
また、上記接着剤を硬化する温度は特に限定されず、例
えば、５０〜２００℃の温度、さらに好ましくは１００
〜１５０℃に加熱することが好ましい。
と該半導体ペレット取付部材２もしくは回路基板８とを
上記接着剤により密着させた後、これを加熱して、該接
着剤の硬化物３を形成させた後、半導体ペレット１の上
端部に設けられたボンディングパッド４とリードフレー
ム５もしくは回路配線９とを金、銅、アルミニウム等の
金属製のボンディングワイヤ６によりワイヤボンディン
グしてなる。なお、ボンディングワイヤ６によるワイヤ
ボンディングする方法としては、一般に、超音波圧着
法、熱圧着法、超音波熱圧着法等が用いられる。半導体
ペレット１と該半導体ペレット取付部材２もしくは回路
基板８とを上記接着剤の硬化物３により接合する方法と
しては、例えば、該半導体ペレット取付部材２もしくは
回路基板８に上記接着剤を塗布した後、該半導体ペレッ
ト１を該接着剤に密着させて加熱する方法、該半導体ペ
レット１に該接着剤を塗布した後、該半導体ペレット取
付部材２もしくは回路基板８に該半導体ペレット１を該
接着剤を介して密着させて加熱する方法が挙げられる。
また、上記接着剤を硬化する温度は特に限定されず、例
えば、５０〜２００℃の温度、さらに好ましくは１００
〜１５０℃に加熱することが好ましい。
【００３０】さらに、本発明の半導体装置は、半導体ペ
レット１へワイヤボンディングした後、該半導体ペレッ
ト１の表面にゲル状もしくはゴム状シリコーン系コーテ
ィング剤を施すことが好ましい。さらに、このような半
導体ペレット１をエポキシ系封止樹脂６により樹脂封止
することが好ましい。
レット１へワイヤボンディングした後、該半導体ペレッ
ト１の表面にゲル状もしくはゴム状シリコーン系コーテ
ィング剤を施すことが好ましい。さらに、このような半
導体ペレット１をエポキシ系封止樹脂６により樹脂封止
することが好ましい。
【００３１】
【実施例】本発明の接着剤および半導体装置を実施例に
より詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は２５℃に
おいて測定した値である。また、実施例において、低分
子シロキサンの含有量の測定、接着剤および半導体装置
の特性は下記の方法により行った。
より詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は２５℃に
おいて測定した値である。また、実施例において、低分
子シロキサンの含有量の測定、接着剤および半導体装置
の特性は下記の方法により行った。
【００３２】低分子シロキサンの含有量の測定：オルガ
ノポリシロキサンまたは接着剤中に含まれる低分子シロ
キサンをアセトンにより抽出した後、このアセトンによ
り抽出された低分子シロキサンをガスクロマトグラフ
（島津製作所製ＧＣ−９Ａ，ＦＩＤ仕様）により定量し
た。この低分子シロキサン量から、オルガノポリシロキ
サンまたは接着剤中に含まれる２００℃で１０mmHg以上
の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量を求めた。
ノポリシロキサンまたは接着剤中に含まれる低分子シロ
キサンをアセトンにより抽出した後、このアセトンによ
り抽出された低分子シロキサンをガスクロマトグラフ
（島津製作所製ＧＣ−９Ａ，ＦＩＤ仕様）により定量し
た。この低分子シロキサン量から、オルガノポリシロキ
サンまたは接着剤中に含まれる２００℃で１０mmHg以上
の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量を求めた。
【００３３】接着剤を硬化して得られる硬化物の硬度：
接着剤を１５０℃で１０分間加熱して得られた硬化物の
硬度を、ＪＩＳ Ｋ６３０１に記載されたＪＩＳ Ａ硬
度計により測定した。
接着剤を１５０℃で１０分間加熱して得られた硬化物の
硬度を、ＪＩＳ Ｋ６３０１に記載されたＪＩＳ Ａ硬
度計により測定した。
【００３４】半導体装置の作成およびワイヤボンダビリ
ティの評価：半導体ペレット１と該半導体ペレット取付
部材２とを接着剤により密着させた後、これを２００℃
で１分間加熱して、該接着剤の硬化物３を形成した。そ
の後、半導体ペレット１の上端部に設けられたボンディ
ングパッド４とリードフレーム５とをボンディングワイ
ヤ６によりワイヤボンディングした。なお、ボンディン
グワイヤ６のワイヤボンディングは超音波熱圧着法（接
合温度１６０〜２５０℃、荷重３０〜１００mｇ／本）
により行った。次いで、このボンディングワイヤ６とボ
ンディングパッド４またはボンディングワイヤ６とリー
ドフレーム５とのネック形状を顕微鏡により観察した。
この際、ボンディングワイヤ６を引っ張ることにより、
このボンディングワイヤ６の接合状態を観察し、ボンデ
ィングワイヤ６の全数に対するボンディングワイヤ６の
接合不良の割合をワイヤボンダビリティとして評価し
た。
ティの評価：半導体ペレット１と該半導体ペレット取付
部材２とを接着剤により密着させた後、これを２００℃
で１分間加熱して、該接着剤の硬化物３を形成した。そ
の後、半導体ペレット１の上端部に設けられたボンディ
ングパッド４とリードフレーム５とをボンディングワイ
ヤ６によりワイヤボンディングした。なお、ボンディン
グワイヤ６のワイヤボンディングは超音波熱圧着法（接
合温度１６０〜２５０℃、荷重３０〜１００mｇ／本）
により行った。次いで、このボンディングワイヤ６とボ
ンディングパッド４またはボンディングワイヤ６とリー
ドフレーム５とのネック形状を顕微鏡により観察した。
この際、ボンディングワイヤ６を引っ張ることにより、
このボンディングワイヤ６の接合状態を観察し、ボンデ
ィングワイヤ６の全数に対するボンディングワイヤ６の
接合不良の割合をワイヤボンダビリティとして評価し
た。
【００３５】半導体装置の動作不良の割合
半導体装置をソケットに差込み、リードフレーム５の端
子間の通電試験を行った。この通電試験において、通電
不良の発生した半導体装置の割合を、半導体装置の動作
不良の割合として評価した。
子間の通電試験を行った。この通電試験において、通電
不良の発生した半導体装置の割合を、半導体装置の動作
不良の割合として評価した。
【００３６】［参考例１］１，３−ジビニル−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサンと１，１，３，３，
５，５，７，７−オクタメチルシクロテトラシロキサン
をカリウムシラノレートにより平衡重合した後、これを
トリメチルクロロシランにより中和して、，分子鎖両末
端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン(Ｉ)を調製した。このジメチルポリシロキサン(Ｉ)の
２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキ
サンの含有量は２０．５重量％であった。このジメチル
ポリシロキサン(Ｉ)を１０mmHgの減圧下、１８０℃で５
時間加熱して、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有す
る低分子シロキサンの含有量が１．３重量％である、粘
度２，０００センチポイズの分子鎖両末端ジメチルビニ
ルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(II)（ビニル
基含有量＝０．２３重量％）を調製した。さらに、この
ジメチルポリシロキサン(II)を分子蒸留装置により、
０．０１mmHgの減圧下、２６０℃で８時間加熱処理し
て、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シ
ロキサンの含有量が０．０１重量％である、粘度２，０
００センチポイズの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルポリシロキサン(III)（ビニル基含有
量＝０．２３重量％）を調製した。また、このジメチル
ポリシロキサン(III)１００重量部とエタノール３００
重量部とを３時間攪拌した後、これを静置してエタノー
ルを分離した。さらに、この操作を４回繰り返した後、
このジメチルポリシロキサンに溶解したエタノールを１
０mmHgの減圧下、１８０℃で５時間加熱して、２００℃
で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含
有量が１０ppmである、粘度２，０００センチポイズの
分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポ
リシロキサン(IV)（ビニル基含有量＝０．２３重量％）
を調製した。
３，３−テトラメチルジシロキサンと１，１，３，３，
５，５，７，７−オクタメチルシクロテトラシロキサン
をカリウムシラノレートにより平衡重合した後、これを
トリメチルクロロシランにより中和して、，分子鎖両末
端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサ
ン(Ｉ)を調製した。このジメチルポリシロキサン(Ｉ)の
２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキ
サンの含有量は２０．５重量％であった。このジメチル
ポリシロキサン(Ｉ)を１０mmHgの減圧下、１８０℃で５
時間加熱して、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有す
る低分子シロキサンの含有量が１．３重量％である、粘
度２，０００センチポイズの分子鎖両末端ジメチルビニ
ルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(II)（ビニル
基含有量＝０．２３重量％）を調製した。さらに、この
ジメチルポリシロキサン(II)を分子蒸留装置により、
０．０１mmHgの減圧下、２６０℃で８時間加熱処理し
て、２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シ
ロキサンの含有量が０．０１重量％である、粘度２，０
００センチポイズの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルポリシロキサン(III)（ビニル基含有
量＝０．２３重量％）を調製した。また、このジメチル
ポリシロキサン(III)１００重量部とエタノール３００
重量部とを３時間攪拌した後、これを静置してエタノー
ルを分離した。さらに、この操作を４回繰り返した後、
このジメチルポリシロキサンに溶解したエタノールを１
０mmHgの減圧下、１８０℃で５時間加熱して、２００℃
で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含
有量が１０ppmである、粘度２，０００センチポイズの
分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポ
リシロキサン(IV)（ビニル基含有量＝０．２３重量％）
を調製した。
【００３７】［参考例２］参考例１で調製した分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキ
サン(III)６５重量部と、式：(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位と
式：(ＣＨ3)2(ＣＨ2＝ＣＨ)ＳｉＯ1/2単位と式：ＳｉＯ
4/2単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体（ビ
ニル基含有量＝１．８５重量％）３５重量部とを混合し
て、粘度９，０００センチポイズのオルガノポリシロキ
サン混合物（ビニル基含有量＝０．８０重量％）を調製
した。このオルガノポリシロキサン混合物１００重量部
とエタノール３００重量部を３時間攪拌した後、これを
静置してエタノールを分離した。さらに、この操作を４
回繰り返した後、このシロキサン混合物に溶解したエタ
ノールを１０mmHgの減圧下、１８０℃で５時間加熱し
て、粘度９，０００センチポイズのオルガノポリシロキ
サン混合物(Ｖ)（ビニル基含有量＝０．８０重量％）を
調製した。このオルガノポリシロキサン混合物(Ｖ)の２
００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサ
ンの含有量は１０ppmであった。
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキ
サン(III)６５重量部と、式：(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位と
式：(ＣＨ3)2(ＣＨ2＝ＣＨ)ＳｉＯ1/2単位と式：ＳｉＯ
4/2単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体（ビ
ニル基含有量＝１．８５重量％）３５重量部とを混合し
て、粘度９，０００センチポイズのオルガノポリシロキ
サン混合物（ビニル基含有量＝０．８０重量％）を調製
した。このオルガノポリシロキサン混合物１００重量部
とエタノール３００重量部を３時間攪拌した後、これを
静置してエタノールを分離した。さらに、この操作を４
回繰り返した後、このシロキサン混合物に溶解したエタ
ノールを１０mmHgの減圧下、１８０℃で５時間加熱し
て、粘度９，０００センチポイズのオルガノポリシロキ
サン混合物(Ｖ)（ビニル基含有量＝０．８０重量％）を
調製した。このオルガノポリシロキサン混合物(Ｖ)の２
００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサ
ンの含有量は１０ppmであった。
【００３８】［参考例３］１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサンと１，１，３，３，５，５，７，７−オ
クタメチルシクロテトラシロキサンと１，３，５，７−
テトラメチルシクロテトラシロキサンを活性白土により
平衡重合した後、これを濾過して、粘度１０センチポイ
ズの分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサ
ン共重合体(VI)（ケイ素原子結合水素原子含有量＝０．
６重量％）を調製した。このジメチルシロキサン・メチ
ルハイドロジェンシロキサン共重合体(VI)の２００℃で
１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有
量は１７．０重量％であった。このジメチルシロキサン
・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体(VI)を０．
５mmHgの減圧下、１８０℃で３時間加熱して、２００℃
で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含
有量が１００ppmである、粘度１０センチポイズの分子
鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合
体(VII)（ケイ素原子結合水素原子含有量＝０．６重量
％）を調製した。
ルジシロキサンと１，１，３，３，５，５，７，７−オ
クタメチルシクロテトラシロキサンと１，３，５，７−
テトラメチルシクロテトラシロキサンを活性白土により
平衡重合した後、これを濾過して、粘度１０センチポイ
ズの分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサ
ン共重合体(VI)（ケイ素原子結合水素原子含有量＝０．
６重量％）を調製した。このジメチルシロキサン・メチ
ルハイドロジェンシロキサン共重合体(VI)の２００℃で
１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有
量は１７．０重量％であった。このジメチルシロキサン
・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体(VI)を０．
５mmHgの減圧下、１８０℃で３時間加熱して、２００℃
で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含
有量が１００ppmである、粘度１０センチポイズの分子
鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合
体(VII)（ケイ素原子結合水素原子含有量＝０．６重量
％）を調製した。
【００３９】［実施例１］分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(II)１００重量
部、粘度３０センチポイズである分子鎖両末端トリメチ
ルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン
（ケイ素原子結合水素原子含有量＝１．５７重量％）
２．６重量部、粒子径が３０μｍであり（粒子径分布の
標準偏差＝１．１μｍ）、その長短径比が１．０４であ
るガラスビーズ１６重量部、ヘキサメチルジシラザンで
表面処理されてなる比表面積２００ｍ2／ｇの疎水性ヒ
ュームドシリカ１０重量部、式：
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(II)１００重量
部、粘度３０センチポイズである分子鎖両末端トリメチ
ルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン
（ケイ素原子結合水素原子含有量＝１．５７重量％）
２．６重量部、粒子径が３０μｍであり（粒子径分布の
標準偏差＝１．１μｍ）、その長短径比が１．０４であ
るガラスビーズ１６重量部、ヘキサメチルジシラザンで
表面処理されてなる比表面積２００ｍ2／ｇの疎水性ヒ
ュームドシリカ１０重量部、式：
【化８】
で表される有機ケイ素化合物１．３重量部、白金とジビ
ニルテトラメチルジシロキサンの錯体（本組成物におい
て錯体中の白金金属が重量単位で５ppmとなる量）、フ
ェニルブチノール（本組成物において重量単位で２００
ppmとなる量）を均一に混合して、本発明の接着剤を調
製した。この接着剤を１５０℃１０分間で硬化させた硬
化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ
Ａ硬度計により測定した。次いで、この接着剤により
半導体装置を作成し、この半導体装置のワイヤボンダビ
リティおよび耐湿性を測定した。これらの結果を表１に
示した。
ニルテトラメチルジシロキサンの錯体（本組成物におい
て錯体中の白金金属が重量単位で５ppmとなる量）、フ
ェニルブチノール（本組成物において重量単位で２００
ppmとなる量）を均一に混合して、本発明の接着剤を調
製した。この接着剤を１５０℃１０分間で硬化させた硬
化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ
Ａ硬度計により測定した。次いで、この接着剤により
半導体装置を作成し、この半導体装置のワイヤボンダビ
リティおよび耐湿性を測定した。これらの結果を表１に
示した。
【００４０】［比較例１］実施例１において、粒子径が
３０μｍであり（粒子径分布の標準偏差＝１．１μ
ｍ）、その長短径比が１．０４であるガラスビーズを配
合しない以外は実施例１と同様にして、比較の接着剤を
調製した。この接着剤を１５０℃１０分間で硬化させた
硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩ
Ｓ Ａ硬度計により測定した。次いで、この接着剤によ
り半導体装置を作成し、この半導体装置のワイヤボンダ
ビリティおよび耐湿性を測定した。これらの結果を表１
に示した。
３０μｍであり（粒子径分布の標準偏差＝１．１μ
ｍ）、その長短径比が１．０４であるガラスビーズを配
合しない以外は実施例１と同様にして、比較の接着剤を
調製した。この接着剤を１５０℃１０分間で硬化させた
硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩ
Ｓ Ａ硬度計により測定した。次いで、この接着剤によ
り半導体装置を作成し、この半導体装置のワイヤボンダ
ビリティおよび耐湿性を測定した。これらの結果を表１
に示した。
【００４１】［実施例２］分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(IV)１００重量
部、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサ
ン共重合体(VII)１．７重量部、粒子径が２０μｍ（粒
子径の標準偏差＝１．２μｍ）であり、その長短径比が
１．０６であるポリスチレンビーズ１．１重量部、ヘキ
サメチルジシラザンにより表面処理してなる比表面積２
００ｍ2／ｇの疎水性ヒュームドシリカ９重量部、式：
シロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(IV)１００重量
部、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサ
ン共重合体(VII)１．７重量部、粒子径が２０μｍ（粒
子径の標準偏差＝１．２μｍ）であり、その長短径比が
１．０６であるポリスチレンビーズ１．１重量部、ヘキ
サメチルジシラザンにより表面処理してなる比表面積２
００ｍ2／ｇの疎水性ヒュームドシリカ９重量部、式：
【化９】
で表される有機ケイ素化合物０．６重量部、白金と１，
３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サンとの錯体（本組成物において錯体中の白金金属が重
量単位で５ppmとなる量）、フェニルブチノール（本組
成物において重量単位で２００ppmとなる量）を均一に
混合して、本発明の接着剤を調製した。この接着剤に含
まれる２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子
シロキサンの含有量は１０ppmであった。また、この接
着剤を２００℃で１０分間加熱して硬化させる際に発生
する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したと
ころ１００ppmであった。この接着剤を１５０℃、１０
分間で硬化させた硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１
に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定した。次い
で、この接着剤により半導体装置を作成し、この半導体
装置のワイヤボンダビリティおよび耐湿性を測定した。
これらの結果を表１に示した。
３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サンとの錯体（本組成物において錯体中の白金金属が重
量単位で５ppmとなる量）、フェニルブチノール（本組
成物において重量単位で２００ppmとなる量）を均一に
混合して、本発明の接着剤を調製した。この接着剤に含
まれる２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧を有する低分子
シロキサンの含有量は１０ppmであった。また、この接
着剤を２００℃で１０分間加熱して硬化させる際に発生
する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したと
ころ１００ppmであった。この接着剤を１５０℃、１０
分間で硬化させた硬化物の硬度をＪＩＳ Ｋ ６３０１
に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により測定した。次い
で、この接着剤により半導体装置を作成し、この半導体
装置のワイヤボンダビリティおよび耐湿性を測定した。
これらの結果を表１に示した。
【００４２】［比較例２］実施例２において、粒子径が
２０μｍ（粒子径の標準偏差＝１．２μｍ）であり、そ
の長短径比が１．０６であるポリスチレンビーズの代わ
りに、粒子径が４０μｍであり、その粒子径巾が３〜１
００μｍである不定形シリカ微粒子を１５重量部配合す
る以外は、実施例２と同様にして、比較の接着剤を調製
した。この接着剤に含まれる２００℃で１０mmHg以上の
蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量は１５ppmで
あった。また、この接着剤を２００℃で１０分間加熱し
て硬化させる際に発生する揮発成分をガスクロマトグラ
フを用いて測定したところ１００ppmであった。この接
着剤を１５０℃、１０分間で硬化させた硬化物の硬度を
ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計に
より測定した。次いで、この接着剤により半導体装置を
作成し、この半導体装置のワイヤボンダビリティおよび
耐湿性を測定した。これらの結果を表１に示した。
２０μｍ（粒子径の標準偏差＝１．２μｍ）であり、そ
の長短径比が１．０６であるポリスチレンビーズの代わ
りに、粒子径が４０μｍであり、その粒子径巾が３〜１
００μｍである不定形シリカ微粒子を１５重量部配合す
る以外は、実施例２と同様にして、比較の接着剤を調製
した。この接着剤に含まれる２００℃で１０mmHg以上の
蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量は１５ppmで
あった。また、この接着剤を２００℃で１０分間加熱し
て硬化させる際に発生する揮発成分をガスクロマトグラ
フを用いて測定したところ１００ppmであった。この接
着剤を１５０℃、１０分間で硬化させた硬化物の硬度を
ＪＩＳ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計に
より測定した。次いで、この接着剤により半導体装置を
作成し、この半導体装置のワイヤボンダビリティおよび
耐湿性を測定した。これらの結果を表１に示した。
【００４３】［実施例３］シリコーン混合物(Ｖ)１００
重量部、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ
基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロ
キサン共重合体(VII)３．５重量部、粒子径が３５μｍ
（粒子径の標準偏差＝２．５μｍ）であり、その長短径
比が１．２である球状合成シリカビーズ８重量部、３−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２．５重量
部、白金と１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサンとの錯体（本組成物において錯体中
の白金金属が重量単位で５ppmとなる量）、フェニルブ
チノール（本組成物において重量単位で１５０ppmとな
る量）を均一に混合して、本発明の接着剤を調製した。
この接着剤に含まれる２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧
を有する低分子シロキサンの含有量は１５ppmであっ
た。また、この接着剤を２００℃で１０分間加熱して硬
化させる際に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを
用いて測定したところ１２０ppmであった。この接着剤
を１５０℃、１０分間で硬化させた硬化物の硬度をＪＩ
Ｓ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により
測定した。次いで、この接着剤により半導体装置を作成
し、この半導体装置のワイヤボンダビリティおよび耐湿
性を測定した。これらの結果を表１に示した。
重量部、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ
基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロ
キサン共重合体(VII)３．５重量部、粒子径が３５μｍ
（粒子径の標準偏差＝２．５μｍ）であり、その長短径
比が１．２である球状合成シリカビーズ８重量部、３−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２．５重量
部、白金と１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサンとの錯体（本組成物において錯体中
の白金金属が重量単位で５ppmとなる量）、フェニルブ
チノール（本組成物において重量単位で１５０ppmとな
る量）を均一に混合して、本発明の接着剤を調製した。
この接着剤に含まれる２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧
を有する低分子シロキサンの含有量は１５ppmであっ
た。また、この接着剤を２００℃で１０分間加熱して硬
化させる際に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを
用いて測定したところ１２０ppmであった。この接着剤
を１５０℃、１０分間で硬化させた硬化物の硬度をＪＩ
Ｓ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により
測定した。次いで、この接着剤により半導体装置を作成
し、この半導体装置のワイヤボンダビリティおよび耐湿
性を測定した。これらの結果を表１に示した。
【００４４】
【比較例３】実施例３において、粒子径が３５μｍ（粒
子径の標準偏差＝２．５μｍ）であり、その長短径比が
１．２である球状合成シリカビーズの代わりに、粒子径
が１０μｍ（粒子径の標準偏差が５μｍ）であり、その
長短径比が２．０である銀粉末１００重量部を用いた以
外は実施例３と同様にして、比較の接着剤を調製した。
この接着剤に含まれる２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧
を有する低分子シロキサンの含有量は１５ppmであっ
た。また、この接着剤を２００℃で１０分間加熱して硬
化させる際に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを
用いて測定したところ１２０ppmであった。この接着剤
を１５０℃、１０分間で硬化させた硬化物の硬度をＪＩ
Ｓ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により
測定した。次いで、この接着剤により半導体装置を作成
し、この半導体装置のワイヤボンダビリティおよび耐湿
性を測定した。これらの結果を表１に示した。
子径の標準偏差＝２．５μｍ）であり、その長短径比が
１．２である球状合成シリカビーズの代わりに、粒子径
が１０μｍ（粒子径の標準偏差が５μｍ）であり、その
長短径比が２．０である銀粉末１００重量部を用いた以
外は実施例３と同様にして、比較の接着剤を調製した。
この接着剤に含まれる２００℃で１０mmHg以上の蒸気圧
を有する低分子シロキサンの含有量は１５ppmであっ
た。また、この接着剤を２００℃で１０分間加熱して硬
化させる際に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを
用いて測定したところ１２０ppmであった。この接着剤
を１５０℃、１０分間で硬化させた硬化物の硬度をＪＩ
Ｓ Ｋ ６３０１に規定されるＪＩＳ Ａ硬度計により
測定した。次いで、この接着剤により半導体装置を作成
し、この半導体装置のワイヤボンダビリティおよび耐湿
性を測定した。これらの結果を表１に示した。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【発明の効果】本発明の接着剤は(Ａ)成分〜(Ｅ)成分か
らなり、特に(Ｄ)成分として有機質もしくは無機質球状
充填剤を配合しているので、半導体ペレットを該半導体
ペレット取付部材に接合した後、該半導体ペレットへの
ワイヤボンダビリティを損なわないという特徴を有し、
また、本発明の半導体装置は半導体ペレットと該半導体
ペレット取付部材とが該接着剤の硬化物により接合され
てなるので、信頼性が優れているという特徴を有する。
らなり、特に(Ｄ)成分として有機質もしくは無機質球状
充填剤を配合しているので、半導体ペレットを該半導体
ペレット取付部材に接合した後、該半導体ペレットへの
ワイヤボンダビリティを損なわないという特徴を有し、
また、本発明の半導体装置は半導体ペレットと該半導体
ペレット取付部材とが該接着剤の硬化物により接合され
てなるので、信頼性が優れているという特徴を有する。
【図１】図１は、実施例で用いた本発明の半導体装置の
一例である半導体装置の断面図である。
一例である半導体装置の断面図である。
【図２】図２は、本発明の半導体装置の一例である半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
１ シリコン系の半導体ペレット
２ 銅製の半導体ペレット取付部材
３ 接着剤の硬化物
４ アルミニウム製のボンディングパッド
５ 銅製のリードフレーム
６ 金製のボンディングワイヤ
７ エポキシ系封止樹脂
８ セラミック製の回路基板
９ 銅製の回路配線
１０ コンデンサ、抵抗等の電気素子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 峰 勝利
千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ
ウコーニング・シリコーン株式会社 研
究開発本部内
(56)参考文献 特開 平３−157474（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−105814（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−271548（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−247432（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−93185（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−32987（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−5530（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09J 4/00 - 201/10
H01L 21/52
Claims (4)
- 【請求項１】 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素
原子結合アルケニル 基を有するオルガノポリシロキサン １００重量部、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリ シロキサン｛(Ｂ)成分の配合量は、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニル基１ モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子が０．５〜３モルとなる量 である。｝、 (Ｃ)ケイ素原子結合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物 ０〜１０重量部、 (Ｄ)粒子径が１０〜１００μｍであり、その長短径比が１．０〜１．５である有 機質もしくは無機質球状充填剤 ０．５〜２０重量部 および (Ｅ)触媒量の白金または白金系化合物 からなる、半導体ペレットと該半導体ペレット取付部材
とを接合するための接着剤。 - 【請求項２】 (Ｄ)成分の粒子径分布の標準偏差が３μ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の接着剤。 - 【請求項３】 (Ａ)成分中の２００℃で１０mmHg以上の
蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ppm
以下であることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の接着剤。 - 【請求項４】 半導体ペレットと該半導体ペレット取付
部材とが、請求項１、請求項２または請求項３記載の接
着剤の硬化物により接合されてなることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11220594A JP3519779B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 接着剤および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11220594A JP3519779B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 接着剤および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07292343A JPH07292343A (ja) | 1995-11-07 |
| JP3519779B2 true JP3519779B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=14580890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11220594A Expired - Fee Related JP3519779B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 接着剤および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3519779B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001019928A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-23 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 接着剤、および半導体装置 |
| JP2001019936A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-23 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 接着剤、および半導体装置 |
| US7074481B2 (en) * | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Dow Corning Corporation | Adhesives for semiconductor applications efficient processes for producing such devices and the devices per se produced by the efficient processes |
| US6784555B2 (en) | 2001-09-17 | 2004-08-31 | Dow Corning Corporation | Die attach adhesives for semiconductor applications utilizing a polymeric base material with inorganic insulator particles of various sizes |
| JP4766222B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2011-09-07 | 信越化学工業株式会社 | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 |
| JP4235808B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2009-03-11 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着フィルム |
| JP5032767B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2012-09-26 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | シリコーン系感圧接着剤組成物および粘着テープ |
| JP4839041B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-12-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 絶縁性液状ダイボンディング剤および半導体装置 |
| JP2009091547A (ja) | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 付加硬化型シリコーンゴム組成物及びその硬化物並びに架橋剤 |
| JP5578616B2 (ja) | 2009-12-21 | 2014-08-27 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物及びその硬化物 |
| JP5648290B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2015-01-07 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその製造方法 |
| TWI522423B (zh) * | 2010-08-31 | 2016-02-21 | 道康寧東麗股份有限公司 | 聚矽氧烷組合物及其硬化物 |
| CN113573220B (zh) * | 2021-07-28 | 2023-01-03 | 杭州安普鲁薄膜科技有限公司 | 一种带有防尘透声膜组件的mems复合件 |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP11220594A patent/JP3519779B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07292343A (ja) | 1995-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0757080B1 (en) | Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices | |
| JP3950493B2 (ja) | 導電性シリコーンゴム組成物、半導体装置の製造方法およびその半導体装置 | |
| JP3482115B2 (ja) | 硬化性シリコーン組成物および電子部品 | |
| JP3420473B2 (ja) | シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置 | |
| JP4839041B2 (ja) | 絶縁性液状ダイボンディング剤および半導体装置 | |
| JP2974700B2 (ja) | 導電性接着剤 | |
| JP2882823B2 (ja) | 接着剤 | |
| JPH09286971A (ja) | シリコーン系ダイボンディング剤、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| KR100655626B1 (ko) | 실리콘계 접착성 시트 및 이의 제조방법 | |
| WO2006077667A1 (ja) | 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置 | |
| JP3519779B2 (ja) | 接着剤および半導体装置 | |
| JP2002322364A (ja) | シリコーンゲル組成物 | |
| JPH07335790A (ja) | 半導体素子保護用組成物および半導体装置 | |
| TWI767988B (zh) | 固化性有機聚矽氧烷組成物以及半導體裝置 | |
| JP3950490B2 (ja) | 導電性シリコーンゴム組成物および半導体装置 | |
| KR100490186B1 (ko) | 전기전도성실리콘조성물,이를사용하는반도체장치의제조방법및반도체장치 | |
| JPH0637213A (ja) | 半導体素子被覆剤および半導体装置 | |
| JP4393817B2 (ja) | 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置 | |
| TWI787444B (zh) | 可固化聚矽氧組成物、其固化產物、及光學半導體裝置 | |
| JP2002265786A (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置の製造方法 | |
| JPH0948960A (ja) | シリコーン系ダイボンディング剤および半導体装置 | |
| JP3691587B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 | |
| JPH09132718A (ja) | 二液型硬化性液状シリコーン組成物 | |
| JP3420510B2 (ja) | シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置 | |
| JP5648290B2 (ja) | 電子装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040127 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040130 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090206 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090206 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100206 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110206 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110206 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |