JP2001019928A - 接着剤、および半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 23
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- -1 alkoxy group Organosilicon compound Chemical class 0.000 description 22
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 4
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 4
- 239000004590 silicone sealant Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 3
- KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-3-yn-2-ol Chemical compound C#CC(O)(C)C1=CC=CC=C1 KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 2
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRGVQLWQXHFRHO-AATRIKPKSA-N (e)-3-methylpent-3-en-1-yne Chemical compound C\C=C(/C)C#C GRGVQLWQXHFRHO-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- CLFYLNSQRWCJAY-UHFFFAOYSA-N hex-3-en-1-yne Chemical compound CCC=CC#C CLFYLNSQRWCJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップと該チップ取付部材を一定の間
隔で接合し、該チップへの機械的応力を十分に緩和する
ことができる接着剤、および信頼性の優れる半導体装置
を提供する。 【解決手段】 平均粒径が10〜100μmであり、長
短径比が1.0〜1.5である球状充填剤を重量単位で1
〜900ppm含有する硬化性ポリマー組成物からなるこ
とを特徴とする、半導体チップを該チップ取付部材に接
合するための接着剤、および該接着剤により半導体チッ
プを該チップ取付部材に接合してなることを特徴とする
半導体装置。
隔で接合し、該チップへの機械的応力を十分に緩和する
ことができる接着剤、および信頼性の優れる半導体装置
を提供する。 【解決手段】 平均粒径が10〜100μmであり、長
短径比が1.0〜1.5である球状充填剤を重量単位で1
〜900ppm含有する硬化性ポリマー組成物からなるこ
とを特徴とする、半導体チップを該チップ取付部材に接
合するための接着剤、および該接着剤により半導体チッ
プを該チップ取付部材に接合してなることを特徴とする
半導体装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを該
チップ取付部材に接合するための接着剤、および該接着
剤により半導体チップを該チップ取付部材に接合してな
る半導体装置に関し、詳しくは、半導体チップと該チッ
プ取付部材を一定の間隔で接合し、該チップへの機械的
応力を十分に緩和することができる接着剤、および信頼
性の優れる半導体装置に関する。
チップ取付部材に接合するための接着剤、および該接着
剤により半導体チップを該チップ取付部材に接合してな
る半導体装置に関し、詳しくは、半導体チップと該チッ
プ取付部材を一定の間隔で接合し、該チップへの機械的
応力を十分に緩和することができる接着剤、および信頼
性の優れる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップを該チップ取付部材に接合
するための接着剤としては、粒子径が50〜100μm
である金属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物
の1種あるいは2種以上を少なくとも5重量%絶縁粒子
として含有することを特徴とする接着剤(特開平7−1
4859号公報参照)や、一分子中に少なくとも2個の
ケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロ
キサン、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水
素原子を有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結
合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物、粒子径が1
0〜100μmであり、その長短径比が1.0〜1.5で
ある有機質もしくは無機質の球状充填剤、および白金系
化合物からなる接着剤(特開平7−292343号公報
参照)が提案されている。
するための接着剤としては、粒子径が50〜100μm
である金属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物
の1種あるいは2種以上を少なくとも5重量%絶縁粒子
として含有することを特徴とする接着剤(特開平7−1
4859号公報参照)や、一分子中に少なくとも2個の
ケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロ
キサン、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水
素原子を有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結
合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物、粒子径が1
0〜100μmであり、その長短径比が1.0〜1.5で
ある有機質もしくは無機質の球状充填剤、および白金系
化合物からなる接着剤(特開平7−292343号公報
参照)が提案されている。
【0003】特開平7−14859号公報や特開平7−
292343号公報で提案された接着剤では、半導体チ
ップと該チップ取付部材との間隔を一定とすることがで
きるが、半導体チップと該チップ取付部材との間隔を広
くすることができないので、半導体チップへの機械的応
力を十分に緩和することができないという問題があっ
た。
292343号公報で提案された接着剤では、半導体チ
ップと該チップ取付部材との間隔を一定とすることがで
きるが、半導体チップと該チップ取付部材との間隔を広
くすることができないので、半導体チップへの機械的応
力を十分に緩和することができないという問題があっ
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記の課
題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。すな
わち、本発明の目的は、半導体チップと該チップ取付部
材を一定の間隔で接合し、該チップへの機械的応力を十
分に緩和することができる接着剤、および信頼性の優れ
る半導体装置を提供することにある。
題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。すな
わち、本発明の目的は、半導体チップと該チップ取付部
材を一定の間隔で接合し、該チップへの機械的応力を十
分に緩和することができる接着剤、および信頼性の優れ
る半導体装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の接着剤は、半導
体チップを該チップ取付部材に接合するためのものであ
り、平均粒径が10〜100μmであり、かつ、長短径
比が1.0〜1.5である球状充填剤を重量単位で1〜9
00ppm含有する硬化性ポリマー組成物からなることを
特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記の接着
剤により半導体チップを該チップ取付部材に接合してな
ることを特徴とする。
体チップを該チップ取付部材に接合するためのものであ
り、平均粒径が10〜100μmであり、かつ、長短径
比が1.0〜1.5である球状充填剤を重量単位で1〜9
00ppm含有する硬化性ポリマー組成物からなることを
特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記の接着
剤により半導体チップを該チップ取付部材に接合してな
ることを特徴とする。
【0006】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の接着剤を詳細
に説明する。本接着剤において、球状充填剤は半導体チ
ップと該チップ取付部材を一定の間隔で接合するための
成分である。この球状充填剤の平均粒径は10〜100
μmであるが、これは、平均粒径が10μm以下である
球状充填剤を用いた接着剤は、半導体チップと該チップ
取付部材の間隔を一定にすることが困難となる傾向があ
るからであり、一方、半導体チップと該チップ取付部材
との間隔をあまり大きくしたくない場合には、平均粒径
が100μmを超える球状充填剤を用いることは好まし
くないからである。また、この球状充填剤の長短径比は
1.0〜1.5の範囲内であり、好ましくは、1.0〜1.
1の範囲内であるが、これは、長短径比が上記範囲の上
限を超える球状充填剤を用いた接着剤は、半導体チップ
と該チップ取付部材の間隔を一定にすることが困難とな
る傾向があるからである。特に、この球状充填剤の粒径
分布の標準偏差は、該充填剤の平均粒径の10%以内で
あることが好ましい。
に説明する。本接着剤において、球状充填剤は半導体チ
ップと該チップ取付部材を一定の間隔で接合するための
成分である。この球状充填剤の平均粒径は10〜100
μmであるが、これは、平均粒径が10μm以下である
球状充填剤を用いた接着剤は、半導体チップと該チップ
取付部材の間隔を一定にすることが困難となる傾向があ
るからであり、一方、半導体チップと該チップ取付部材
との間隔をあまり大きくしたくない場合には、平均粒径
が100μmを超える球状充填剤を用いることは好まし
くないからである。また、この球状充填剤の長短径比は
1.0〜1.5の範囲内であり、好ましくは、1.0〜1.
1の範囲内であるが、これは、長短径比が上記範囲の上
限を超える球状充填剤を用いた接着剤は、半導体チップ
と該チップ取付部材の間隔を一定にすることが困難とな
る傾向があるからである。特に、この球状充填剤の粒径
分布の標準偏差は、該充填剤の平均粒径の10%以内で
あることが好ましい。
【0007】このような球状充填剤としては、シリカ、
ガラス、アルミナ、アルミノシリケート、窒化ケイ素、
窒化ホウ素、炭化ケイ素、カーボン、酸化チタン、アル
ミニウム、アルマイト、銅、銀、ステンレス鋼等の無機
質球状充填剤;カーボン、フッ素樹脂、シリコーン樹
脂、シリコーンゴム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂等の有機質球状充填剤;その他、表面や内
部に細孔を有する多孔質の球状充填剤、中空の球状充填
剤が例示されるが、好ましくは、無機質球状充填剤であ
る。
ガラス、アルミナ、アルミノシリケート、窒化ケイ素、
窒化ホウ素、炭化ケイ素、カーボン、酸化チタン、アル
ミニウム、アルマイト、銅、銀、ステンレス鋼等の無機
質球状充填剤;カーボン、フッ素樹脂、シリコーン樹
脂、シリコーンゴム、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂等の有機質球状充填剤;その他、表面や内
部に細孔を有する多孔質の球状充填剤、中空の球状充填
剤が例示されるが、好ましくは、無機質球状充填剤であ
る。
【0008】本接着剤において、上記の球状充填剤の含
有量は、硬化性ポリマー組成物中に重量単位で1〜90
0ppmの範囲内となる量であり、好ましくは、1〜80
0ppmの範囲内となる量であり、特に好ましく、1〜7
00ppmの範囲内となる量である。これは、本接着剤中
の球状充填剤の含有量が上記範囲の下限未満の量である
と、半導体チップと該チップ取付部材との間隔を一定に
することが困難となる傾向があるからであり、一方、上
記範囲の上限を超える量であると、半導体チップへの機
械的応力を十分に緩和できなくなる傾向があるからであ
る。さらに、本接着剤において、上記の球状充填剤の含
有量は、半導体チップと該チップ取付部材との間で、上
記の球状充填剤の粒子同士が重ならないような量である
ことが好ましく、例えば、塗工面積当たり、球状充填剤
の粒子が3個以上で、かつ、{塗工面積/(球状充填剤の
粒径)2}×0.9で示される個数以下となるような量であ
ることが好ましい。これは、接着剤中の球状充填剤の含
有量が、塗工面積当たり、球状充填剤の粒子が3個以下
であったり、{塗工面積/(球状充填剤の粒径)2}×0.9
を超える個数であるような量であると、球状充填剤の粒
子同士が重なり合って、半導体チップと該チップ取付部
材との間隔を一定にすることが困難となる傾向があるか
らである。
有量は、硬化性ポリマー組成物中に重量単位で1〜90
0ppmの範囲内となる量であり、好ましくは、1〜80
0ppmの範囲内となる量であり、特に好ましく、1〜7
00ppmの範囲内となる量である。これは、本接着剤中
の球状充填剤の含有量が上記範囲の下限未満の量である
と、半導体チップと該チップ取付部材との間隔を一定に
することが困難となる傾向があるからであり、一方、上
記範囲の上限を超える量であると、半導体チップへの機
械的応力を十分に緩和できなくなる傾向があるからであ
る。さらに、本接着剤において、上記の球状充填剤の含
有量は、半導体チップと該チップ取付部材との間で、上
記の球状充填剤の粒子同士が重ならないような量である
ことが好ましく、例えば、塗工面積当たり、球状充填剤
の粒子が3個以上で、かつ、{塗工面積/(球状充填剤の
粒径)2}×0.9で示される個数以下となるような量であ
ることが好ましい。これは、接着剤中の球状充填剤の含
有量が、塗工面積当たり、球状充填剤の粒子が3個以下
であったり、{塗工面積/(球状充填剤の粒径)2}×0.9
を超える個数であるような量であると、球状充填剤の粒
子同士が重なり合って、半導体チップと該チップ取付部
材との間隔を一定にすることが困難となる傾向があるか
らである。
【0009】本接着剤において、硬化性ポリマー組成物
としては、硬化性エポキシ樹脂組成物、硬化性シリコー
ン変性エポキシ樹脂組成物等の硬化性エポキシ樹脂組成
物;硬化性シリコーン組成物、硬化性エポキシ変性シリ
コーン組成物、硬化性アクリル変性シリコーン組成物、
硬化性ポリイミド変性シリコーン組成物等の硬化性シリ
コーン組成物;硬化性アクリル樹脂組成物、硬化性シリ
コーン変性アクリル樹脂組成物等の硬化性アクリル樹脂
組成物;硬化性ポリイミド樹脂組成物、硬化性シリコー
ン変性ポリイミド樹脂組成物等の硬化性ポリイミド樹脂
組成物が例示され、好ましくは、硬化性エポキシ樹脂組
成物、または硬化性シリコーン組成物である。特に、硬
化性シリコーン組成物は、半導体チップへの機械的応力
を十分に緩和することができ、耐熱性も優れることか
ら、上記の硬化性ポリマー組成物として好ましい。この
ような硬化性シリコーン組成物としては、縮合反応によ
り硬化するもの、付加反応により硬化するもの、紫外線
により硬化するもの、有機過酸化物のラジカル反応によ
り硬化するものが例示され、好ましくは、付加反応によ
り硬化するものである。この付加反応硬化性シリコーン
組成物としては、例えば、(A)一分子中に少なくとも2
個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原
子を有するオルガノポリシロキサン、(C)ケイ素原子結
合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物、および(D)
白金系触媒からなるものが挙げられる。
としては、硬化性エポキシ樹脂組成物、硬化性シリコー
ン変性エポキシ樹脂組成物等の硬化性エポキシ樹脂組成
物;硬化性シリコーン組成物、硬化性エポキシ変性シリ
コーン組成物、硬化性アクリル変性シリコーン組成物、
硬化性ポリイミド変性シリコーン組成物等の硬化性シリ
コーン組成物;硬化性アクリル樹脂組成物、硬化性シリ
コーン変性アクリル樹脂組成物等の硬化性アクリル樹脂
組成物;硬化性ポリイミド樹脂組成物、硬化性シリコー
ン変性ポリイミド樹脂組成物等の硬化性ポリイミド樹脂
組成物が例示され、好ましくは、硬化性エポキシ樹脂組
成物、または硬化性シリコーン組成物である。特に、硬
化性シリコーン組成物は、半導体チップへの機械的応力
を十分に緩和することができ、耐熱性も優れることか
ら、上記の硬化性ポリマー組成物として好ましい。この
ような硬化性シリコーン組成物としては、縮合反応によ
り硬化するもの、付加反応により硬化するもの、紫外線
により硬化するもの、有機過酸化物のラジカル反応によ
り硬化するものが例示され、好ましくは、付加反応によ
り硬化するものである。この付加反応硬化性シリコーン
組成物としては、例えば、(A)一分子中に少なくとも2
個のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
(B)一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原
子を有するオルガノポリシロキサン、(C)ケイ素原子結
合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物、および(D)
白金系触媒からなるものが挙げられる。
【0010】(A)成分のオルガノポリシロキサンは、上
記組成物の主剤であり、一分子中に少なくとも2個のア
ルケニル基を有する。このアルケニル基としては、例え
ば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基、ヘプテニル基が挙げられ、好ましくは、
ビニル基である。また、(A)成分中のケイ素原子に結合
するその他の基としては、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基;フェニル基、
トリル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、フ
ェネチル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、
3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン化アル
キル基等のアルケニル基を除く一価炭化水素基が挙げら
れ、好ましくは、メチル基、フェニル基である。上記組
成物においては、その耐寒性が優れることから、(A)成
分中の全ケイ素原子結合有機基のうちフェニル基の割合
が1〜30モル%の範囲内であることが好ましい。この
ような(A)成分としては、直鎖状、一部分岐を有する直
鎖状、分岐鎖状、環状、樹脂状等の分子構造を有する単
一の重合体、もしくはこれらの分子構造を有する重合体
の混合物が例示される。また、(A)成分の25℃におけ
る粘度は10〜1,000,000mPa・sの範囲内である
ことが好ましい。
記組成物の主剤であり、一分子中に少なくとも2個のア
ルケニル基を有する。このアルケニル基としては、例え
ば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基、ヘプテニル基が挙げられ、好ましくは、
ビニル基である。また、(A)成分中のケイ素原子に結合
するその他の基としては、例えば、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基;フェニル基、
トリル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、フ
ェネチル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、
3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン化アル
キル基等のアルケニル基を除く一価炭化水素基が挙げら
れ、好ましくは、メチル基、フェニル基である。上記組
成物においては、その耐寒性が優れることから、(A)成
分中の全ケイ素原子結合有機基のうちフェニル基の割合
が1〜30モル%の範囲内であることが好ましい。この
ような(A)成分としては、直鎖状、一部分岐を有する直
鎖状、分岐鎖状、環状、樹脂状等の分子構造を有する単
一の重合体、もしくはこれらの分子構造を有する重合体
の混合物が例示される。また、(A)成分の25℃におけ
る粘度は10〜1,000,000mPa・sの範囲内である
ことが好ましい。
【0011】(B)成分のオルガノポリシロキサンは、上
記組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも2個の
ケイ素原子結合水素原子を有する。(B)成分中の水素原
子以外のケイ素原子に結合する基としては、例えば、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール
基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−
クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基
等のハロゲン化アルキル基等の一価炭化水素基が挙げら
れ、好ましくは、メチル基、フェニル基である。このよ
うな(B)成分としては、直鎖状、一部分岐を有する直鎖
状、分岐鎖状、環状、樹脂状等の分子構造を有する単一
の重合体、もしくはこれらの分子構造を有する重合体の
混合物が例示される。また、(B)成分の25℃における
粘度は1〜10,000mPa・sの範囲内であることが好ま
しい。
記組成物の架橋剤であり、一分子中に少なくとも2個の
ケイ素原子結合水素原子を有する。(B)成分中の水素原
子以外のケイ素原子に結合する基としては、例えば、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール
基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−
クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基
等のハロゲン化アルキル基等の一価炭化水素基が挙げら
れ、好ましくは、メチル基、フェニル基である。このよ
うな(B)成分としては、直鎖状、一部分岐を有する直鎖
状、分岐鎖状、環状、樹脂状等の分子構造を有する単一
の重合体、もしくはこれらの分子構造を有する重合体の
混合物が例示される。また、(B)成分の25℃における
粘度は1〜10,000mPa・sの範囲内であることが好ま
しい。
【0012】上記組成物において、(B)成分の含有量
は、(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、(B)成
分中のケイ素原子結合水素原子が0.3〜10モルの範
囲内となる量であることが好ましい。これは、(A)成分
中のアルケニル基1モルに対して、(B)成分中のケイ素
原子結合水素原子が上記範囲の下限未満となる量である
組成物は十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、
一方、上記範囲の上限をこえる量である組成物は、それ
を硬化して得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向
があるからである。
は、(A)成分中のアルケニル基1モルに対して、(B)成
分中のケイ素原子結合水素原子が0.3〜10モルの範
囲内となる量であることが好ましい。これは、(A)成分
中のアルケニル基1モルに対して、(B)成分中のケイ素
原子結合水素原子が上記範囲の下限未満となる量である
組成物は十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、
一方、上記範囲の上限をこえる量である組成物は、それ
を硬化して得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向
があるからである。
【0013】(C)成分の有機ケイ素化合物は、上記組成
物の接着性を向上させるための成分であり、一分子中に
少なくとも1個のケイ素原子結合アルコキシ基を有し、
好ましくは、一分子中に少なくとも3個のケイ素原子結
合アルコキシ基を有する。(C)成分中のアルコキシ基と
しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基が挙げられ、好ましくは、メトキシ基で
ある。また、(C)成分中のケイ素原子に結合するその他
の基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール
基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−
クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基
等のハロゲン化アルキル基等の一価炭化水素基;3−グ
リシドキシプロピル基、2−(3,4−エポキシシクロ
ヘキシル)エチル基、3−メタクリロキシプロピル基等
の官能性有機基;その他、水素原子、水酸基が挙げられ
る。特に、(C)成分は、3−グリシドキシプロピル基、
2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基等のエ
ポキシ官能性有機基、ビニル基、またはケイ素原子結合
水素原子を有するものであることが好ましい。
物の接着性を向上させるための成分であり、一分子中に
少なくとも1個のケイ素原子結合アルコキシ基を有し、
好ましくは、一分子中に少なくとも3個のケイ素原子結
合アルコキシ基を有する。(C)成分中のアルコキシ基と
しては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基が挙げられ、好ましくは、メトキシ基で
ある。また、(C)成分中のケイ素原子に結合するその他
の基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル
基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール
基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;3−
クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基
等のハロゲン化アルキル基等の一価炭化水素基;3−グ
リシドキシプロピル基、2−(3,4−エポキシシクロ
ヘキシル)エチル基、3−メタクリロキシプロピル基等
の官能性有機基;その他、水素原子、水酸基が挙げられ
る。特に、(C)成分は、3−グリシドキシプロピル基、
2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基等のエ
ポキシ官能性有機基、ビニル基、またはケイ素原子結合
水素原子を有するものであることが好ましい。
【0014】このような(C)成分としては、3−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシ
プロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシ
シクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、ビニルト
リメトキシシラン、分子中にケイ素原子結合アルコキシ
基と3−グリシドキシプロピル基もしくは2−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)エチル基とケイ素原子結合
水素原子を有するオルガノシロキサンオリゴマー、分子
中にケイ素原子結合アルコキシ基と3−グリシドキシプ
ロピル基もしくは2−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチル基とケイ素原子結合アルケニル基を有するオ
ルガノシロキサンオリゴマーが例示される。
ドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシ
プロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシ
シクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、ビニルト
リメトキシシラン、分子中にケイ素原子結合アルコキシ
基と3−グリシドキシプロピル基もしくは2−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)エチル基とケイ素原子結合
水素原子を有するオルガノシロキサンオリゴマー、分子
中にケイ素原子結合アルコキシ基と3−グリシドキシプ
ロピル基もしくは2−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチル基とケイ素原子結合アルケニル基を有するオ
ルガノシロキサンオリゴマーが例示される。
【0015】上記組成物において、(C)成分の含有量
は、(A)成分100重量部に対して0〜20重量部の範
囲内である。これは、(C)成分の含有量が上記範囲の上
限を超える組成物は、それを硬化して得られる硬化物の
機械的強度が低下する傾向があるからである。
は、(A)成分100重量部に対して0〜20重量部の範
囲内である。これは、(C)成分の含有量が上記範囲の上
限を超える組成物は、それを硬化して得られる硬化物の
機械的強度が低下する傾向があるからである。
【0016】(D)成分の白金系触媒は、上記組成物を付
加反応により硬化させるための触媒である。(D)成分と
しては、例えば、白金黒、白金を担持したシリカ微粉
末、白金を担持した活性炭、白金を担持したアルミナ粉
末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金の
オレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白
金のカルボニル錯体、これらの白金系触媒を含有するポ
リスチレン樹脂、ナイロン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、シリコーン樹脂等の粒子径が10μm以下の熱可塑
性樹脂粉末が挙げられる。
加反応により硬化させるための触媒である。(D)成分と
しては、例えば、白金黒、白金を担持したシリカ微粉
末、白金を担持した活性炭、白金を担持したアルミナ粉
末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金の
オレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体、白
金のカルボニル錯体、これらの白金系触媒を含有するポ
リスチレン樹脂、ナイロン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、シリコーン樹脂等の粒子径が10μm以下の熱可塑
性樹脂粉末が挙げられる。
【0017】上記組成物において、(D)成分の含有量
は、上記組成物を硬化させるに十分な量であり、具体的
には、上記組成物において、(D)成分中の白金金属が重
量単位で1〜1,000ppmとなる範囲内の量であること
が好ましい。
は、上記組成物を硬化させるに十分な量であり、具体的
には、上記組成物において、(D)成分中の白金金属が重
量単位で1〜1,000ppmとなる範囲内の量であること
が好ましい。
【0018】上記組成物には、その他任意の成分とし
て、例えば、3−メチル−1−ブチン−3−オール、
3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、3−フ
ェニル−1−ブチン−3−オール等のアルキンアルコー
ル;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3,5−ジ
メチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;
1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テト
ラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7−テ
トラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロ
テトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の付加反応抑
制剤を含有することが好ましい。この付加反応抑制剤の
含有量としては、上記組成物中に重量単位で10〜5
0,000ppmの範囲内となる量であることが好ましい。
て、例えば、3−メチル−1−ブチン−3−オール、
3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、3−フ
ェニル−1−ブチン−3−オール等のアルキンアルコー
ル;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3,5−ジ
メチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;
1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テト
ラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7−テ
トラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロ
テトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の付加反応抑
制剤を含有することが好ましい。この付加反応抑制剤の
含有量としては、上記組成物中に重量単位で10〜5
0,000ppmの範囲内となる量であることが好ましい。
【0019】本接着剤には、その他任意の成分として、
平均粒径が100μm以下である、例えば、シリカ、酸
化チタン、カーボンブラック、アルミナ、石英粉末、ガ
ラス等の無機粉末;銀、ニッケル、銅等の金属粉末;フ
ッ素樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂粉末を含有する
こともできる。特に、比表面積が50〜500m2/g
である無機粉末を含有する接着剤は、チキソトロピーを
有し、上記の球状充填剤の沈降や分離を防止することが
できる。また、本接着剤には、耐熱性付与剤、難燃性付
与剤、着色剤、有機溶剤等を含有することもできる。
平均粒径が100μm以下である、例えば、シリカ、酸
化チタン、カーボンブラック、アルミナ、石英粉末、ガ
ラス等の無機粉末;銀、ニッケル、銅等の金属粉末;フ
ッ素樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂粉末を含有する
こともできる。特に、比表面積が50〜500m2/g
である無機粉末を含有する接着剤は、チキソトロピーを
有し、上記の球状充填剤の沈降や分離を防止することが
できる。また、本接着剤には、耐熱性付与剤、難燃性付
与剤、着色剤、有機溶剤等を含有することもできる。
【0020】本接着剤の性状としては、比較的低粘度の
液状、比較的高粘度の液状、グリース状、ペースト状が
例示され、これをディスペンサー等の吐出機を用いて塗
工することができる。さらに、本接着剤を部分的に架橋
させて、シート状やフィルム状の接着剤としたり、ま
た、硬化性ポリマー組成物がホットメルト型である場合
には、これをシート状やフィルム状の接着剤とすること
もできる。
液状、比較的高粘度の液状、グリース状、ペースト状が
例示され、これをディスペンサー等の吐出機を用いて塗
工することができる。さらに、本接着剤を部分的に架橋
させて、シート状やフィルム状の接着剤としたり、ま
た、硬化性ポリマー組成物がホットメルト型である場合
には、これをシート状やフィルム状の接着剤とすること
もできる。
【0021】本接着剤は硬化して、ゴム状、あるいはゲ
ル状の硬化物を形成するものであることが好ましい。こ
の接着剤を硬化する方法としては、室温もしくは加熱に
より硬化させる方法が挙げられる。加熱の温度として
は、例えば、50〜200℃の範囲内であることが好ま
しい。加熱の方法としては、熱線ランプ、ホットプレー
ト、加熱ブロック、熱風オーブンが例示される。
ル状の硬化物を形成するものであることが好ましい。こ
の接着剤を硬化する方法としては、室温もしくは加熱に
より硬化させる方法が挙げられる。加熱の温度として
は、例えば、50〜200℃の範囲内であることが好ま
しい。加熱の方法としては、熱線ランプ、ホットプレー
ト、加熱ブロック、熱風オーブンが例示される。
【0022】次に、本発明の半導体装置を詳細に説明す
る。本発明の半導体装置は、上記の接着剤により半導体
チップを該チップ取付部材に接合してなることを特徴と
する。この半導体装置としては、IC、LSI、VLS
Iが例示される。本発明の半導体装置を図面により詳細
に説明する。図1で示される半導体装置においては、半
導体チップ1が半導体チップ取付部材2(図1において
は、チップキャリア)と向き合った形で、接着剤3によ
り接合されている。また、この半導体チップ取付部材2
の半導体チップ1に向き合った面には回路配線4が形成
されており、この回路配線4と半導体チップ1はリード
5により電気的に接続されている。そして、このリード
5の一部もしくは全部は封止・充填剤6により封止もし
くは充填されている。図1で示される半導体装置におい
ては、この半導体装置を基板に実装するため、半導体チ
ップ取付部材2にハンダボール7が設けられており、さ
らに、半導体チップ1を外部からの機械的応力から保護
するために外枠8が設けられている。本発明の半導体装
置において、この外枠8は任意である。
る。本発明の半導体装置は、上記の接着剤により半導体
チップを該チップ取付部材に接合してなることを特徴と
する。この半導体装置としては、IC、LSI、VLS
Iが例示される。本発明の半導体装置を図面により詳細
に説明する。図1で示される半導体装置においては、半
導体チップ1が半導体チップ取付部材2(図1において
は、チップキャリア)と向き合った形で、接着剤3によ
り接合されている。また、この半導体チップ取付部材2
の半導体チップ1に向き合った面には回路配線4が形成
されており、この回路配線4と半導体チップ1はリード
5により電気的に接続されている。そして、このリード
5の一部もしくは全部は封止・充填剤6により封止もし
くは充填されている。図1で示される半導体装置におい
ては、この半導体装置を基板に実装するため、半導体チ
ップ取付部材2にハンダボール7が設けられており、さ
らに、半導体チップ1を外部からの機械的応力から保護
するために外枠8が設けられている。本発明の半導体装
置において、この外枠8は任意である。
【0023】また、図2で示される半導体装置において
は、半導体チップ1が半導体チップ取付部材2(図2に
おいては、回路基板)と向き合った形で、接着剤3によ
り接合されている。また、この半導体チップ取付部材2
の半導体チップ1に向き合った面には回路配線4が形成
されており、この回路配線4と半導体チップ1はバンプ
9により電気的に接続されている。そして、このバンプ
9の一部もしくは全部は封止・充填剤6により封止もし
くは充填されている。図2で示される半導体装置におい
ては、この半導体装置を基板に実装するため、回路配線
4と電気的に接続しているリードが設けられている。ま
た、図2には示していないが、この半導体チップ1は封
止樹脂により樹脂封止されていてもよい。
は、半導体チップ1が半導体チップ取付部材2(図2に
おいては、回路基板)と向き合った形で、接着剤3によ
り接合されている。また、この半導体チップ取付部材2
の半導体チップ1に向き合った面には回路配線4が形成
されており、この回路配線4と半導体チップ1はバンプ
9により電気的に接続されている。そして、このバンプ
9の一部もしくは全部は封止・充填剤6により封止もし
くは充填されている。図2で示される半導体装置におい
ては、この半導体装置を基板に実装するため、回路配線
4と電気的に接続しているリードが設けられている。ま
た、図2には示していないが、この半導体チップ1は封
止樹脂により樹脂封止されていてもよい。
【0024】本発明の半導体装置において、半導体チッ
プは限定されず、また、半導体チップ取付部材も限定さ
れない。この半導体チップ取付部材としては、例えば、
アルミナ、ガラス等のセラミック系、エポキシ樹脂、ガ
ラス繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂等の有機樹脂系のもの、あるいは
ステンレス、銅等の金属系のものが例示され、リジッド
な回路基板もしくはチップキャリア、フレキシブルな回
路基板もしくはチップキャリアが例示される。このよう
な半導体チップ取付部材の表面もしくは内部には、印
刷、蒸着、貼り付け、積層、めっき等の手段により回路
配線が形成されており、また、ハンダボール等のボール
グリッド、ピングリッドの外部接続端子、その他の電気
素子や電気部品が搭載されていてもよい。また、半導体
チップとこの半導体チップ取付部材の回路配線とを電気
的に接続する部材としては、ボンディングワイヤ、リー
ド、バンプが例示される。このような部材は、半導体装
置が熱衝撃を受けた場合に、この部材に働く応力を緩和
するために、湾曲させたり、曲げたボンディングワイヤ
やリードを用いたり、ヤング率の小さい材料からなるバ
ンプを用いることが好ましい。
プは限定されず、また、半導体チップ取付部材も限定さ
れない。この半導体チップ取付部材としては、例えば、
アルミナ、ガラス等のセラミック系、エポキシ樹脂、ガ
ラス繊維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂等の有機樹脂系のもの、あるいは
ステンレス、銅等の金属系のものが例示され、リジッド
な回路基板もしくはチップキャリア、フレキシブルな回
路基板もしくはチップキャリアが例示される。このよう
な半導体チップ取付部材の表面もしくは内部には、印
刷、蒸着、貼り付け、積層、めっき等の手段により回路
配線が形成されており、また、ハンダボール等のボール
グリッド、ピングリッドの外部接続端子、その他の電気
素子や電気部品が搭載されていてもよい。また、半導体
チップとこの半導体チップ取付部材の回路配線とを電気
的に接続する部材としては、ボンディングワイヤ、リー
ド、バンプが例示される。このような部材は、半導体装
置が熱衝撃を受けた場合に、この部材に働く応力を緩和
するために、湾曲させたり、曲げたボンディングワイヤ
やリードを用いたり、ヤング率の小さい材料からなるバ
ンプを用いることが好ましい。
【0025】また、本発明の半導体装置の信頼性を向上
させるために封止・充填剤を用いることが好ましいが、
この封止・充填剤としては、エポキシ樹脂封止・充填
剤、シリコーン変性エポキシ樹脂封止・充填剤等のエポ
キシ樹脂封止・充填剤;シリコーン封止・充填剤、エポ
キシ変性シリコーン封止・充填剤、アクリル変性シリコ
ーン封止・充填剤、ポリイミド変性シリコーン封止・充
填剤等のシリコーン封止・充填剤;アクリル樹脂封止・
充填剤、シリコーン変性アクリル樹脂封止・充填剤等の
アクリル樹脂封止・充填剤;ポリイミド樹脂封止・充填
剤、シリコーン変性ポリイミド樹脂封止・充填剤等のポ
リイミド樹脂封止・充填剤が例示され、好ましくは、シ
リコーン封止・充填剤である。この封止・充填剤は、半
導体チップと該チップ取付部材の回路配線とを電気的に
接続する部材を封止もしくは充填するために、ペースト
状ないしは液状であることが好ましく、特に、液状であ
ることが好ましい。この封止・充填剤により、半導体チ
ップと該チップ取付部材の回路配線とを電気的に接続す
る部材を封止もしくは充填する方法としては、例えば、
これらの封止・充填剤を、熱風や熱線により加熱した
り、湿気と接触させたり、紫外線や電子線を照射したり
する方法が挙げられる。本発明の半導体装置において
は、この封止・充填剤組成物により封止もしくは充填す
る方法として、加熱硬化性の封止・充填剤を加熱により
硬化させる方法が好ましい。この封止・充填剤は、加熱
により、常温でゲル状もしくはゴム状の硬化物を形成す
るものであることが好ましい。
させるために封止・充填剤を用いることが好ましいが、
この封止・充填剤としては、エポキシ樹脂封止・充填
剤、シリコーン変性エポキシ樹脂封止・充填剤等のエポ
キシ樹脂封止・充填剤;シリコーン封止・充填剤、エポ
キシ変性シリコーン封止・充填剤、アクリル変性シリコ
ーン封止・充填剤、ポリイミド変性シリコーン封止・充
填剤等のシリコーン封止・充填剤;アクリル樹脂封止・
充填剤、シリコーン変性アクリル樹脂封止・充填剤等の
アクリル樹脂封止・充填剤;ポリイミド樹脂封止・充填
剤、シリコーン変性ポリイミド樹脂封止・充填剤等のポ
リイミド樹脂封止・充填剤が例示され、好ましくは、シ
リコーン封止・充填剤である。この封止・充填剤は、半
導体チップと該チップ取付部材の回路配線とを電気的に
接続する部材を封止もしくは充填するために、ペースト
状ないしは液状であることが好ましく、特に、液状であ
ることが好ましい。この封止・充填剤により、半導体チ
ップと該チップ取付部材の回路配線とを電気的に接続す
る部材を封止もしくは充填する方法としては、例えば、
これらの封止・充填剤を、熱風や熱線により加熱した
り、湿気と接触させたり、紫外線や電子線を照射したり
する方法が挙げられる。本発明の半導体装置において
は、この封止・充填剤組成物により封止もしくは充填す
る方法として、加熱硬化性の封止・充填剤を加熱により
硬化させる方法が好ましい。この封止・充填剤は、加熱
により、常温でゲル状もしくはゴム状の硬化物を形成す
るものであることが好ましい。
【0026】本発明の半導体装置を作成する方法は限定
されず、例えば、図1で示される半導体装置を作成する
方法としては、半導体チップ1と半導体チップ取付部材
2とを上記の接着剤により向き合った形で密着させ、次
いで、この接着剤を硬化させる。その後、この半導体チ
ップ1と半導体チップ取付部材2の回路配線4をリード
5により電気的に接続する。この接続は、上記の接着剤
の硬化前に行ってもよい。そして、このリード5の一部
もしくは全部を封止・充填剤により封止もしくは充填し
た後、この封止・充填剤を硬化させる。また、図2で示
される半導体装置を作成する方法としては、半導体チッ
プ1と半導体チップ取付部材2とを上記の接着剤により
向き合った形で密着させ、次いで、この接着剤を硬化さ
せる。その後、この半導体チップ1と半導体チップ取付
部材2の回路配線4をバンプ9により電気的に接続す
る。この接続は、上記の接着剤の硬化前に行ってもよ
い。そして、このバンプ9の一部もしくは全部を封止・
充填剤により封止もしくは充填した後、この封止・充填
剤を硬化させる。その際、封止・充填剤が流れ出さない
ようにするため、枠材を設けることができる。この枠材
は金属製やプラスチック製のものを用いることができる
が、チクソトロピー性を有する液状またはグリース状の
硬化性有機樹脂組成物により形成することもできる。特
に、この枠材はゴム状またはゲル状であることが好まし
い。
されず、例えば、図1で示される半導体装置を作成する
方法としては、半導体チップ1と半導体チップ取付部材
2とを上記の接着剤により向き合った形で密着させ、次
いで、この接着剤を硬化させる。その後、この半導体チ
ップ1と半導体チップ取付部材2の回路配線4をリード
5により電気的に接続する。この接続は、上記の接着剤
の硬化前に行ってもよい。そして、このリード5の一部
もしくは全部を封止・充填剤により封止もしくは充填し
た後、この封止・充填剤を硬化させる。また、図2で示
される半導体装置を作成する方法としては、半導体チッ
プ1と半導体チップ取付部材2とを上記の接着剤により
向き合った形で密着させ、次いで、この接着剤を硬化さ
せる。その後、この半導体チップ1と半導体チップ取付
部材2の回路配線4をバンプ9により電気的に接続す
る。この接続は、上記の接着剤の硬化前に行ってもよ
い。そして、このバンプ9の一部もしくは全部を封止・
充填剤により封止もしくは充填した後、この封止・充填
剤を硬化させる。その際、封止・充填剤が流れ出さない
ようにするため、枠材を設けることができる。この枠材
は金属製やプラスチック製のものを用いることができる
が、チクソトロピー性を有する液状またはグリース状の
硬化性有機樹脂組成物により形成することもできる。特
に、この枠材はゴム状またはゲル状であることが好まし
い。
【0027】
【実施例】本発明の接着剤、および半導体装置を実施例
により詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は単一円
筒型回転粘度計(芝浦システム社のビスメトロンV型)を
用いて、25℃において測定した。また、半導体装置の
作成方法および評価方法は次のようにして行なった。
により詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は単一円
筒型回転粘度計(芝浦システム社のビスメトロンV型)を
用いて、25℃において測定した。また、半導体装置の
作成方法および評価方法は次のようにして行なった。
【0028】[半導体装置の作成方法]図2で示される
半導体装置を次のようにして作成した。回路基板上に接
着剤を塗布し、次に、半導体チップ(面積50mm2)をこ
の接着剤に密着させた後、ヒートプレスボンダーにより
押し付けながら、150℃で30分間加熱することによ
り硬化させ、回路基板上の半導体チップを接合した。続
いて、この半導体チップと回路基板上に形成された回路
配線をバンプにより電気的に接続した。最後に、10to
rrの減圧下で、このバンプの全部を加熱硬化性のシリコ
ーン封止・充填剤により真空含侵した後、この封止・充
填剤を150℃で30分間加熱することにより硬化させ
た。このようにして20個の半導体装置を作成した。
半導体装置を次のようにして作成した。回路基板上に接
着剤を塗布し、次に、半導体チップ(面積50mm2)をこ
の接着剤に密着させた後、ヒートプレスボンダーにより
押し付けながら、150℃で30分間加熱することによ
り硬化させ、回路基板上の半導体チップを接合した。続
いて、この半導体チップと回路基板上に形成された回路
配線をバンプにより電気的に接続した。最後に、10to
rrの減圧下で、このバンプの全部を加熱硬化性のシリコ
ーン封止・充填剤により真空含侵した後、この封止・充
填剤を150℃で30分間加熱することにより硬化させ
た。このようにして20個の半導体装置を作成した。
【0029】[半導体装置の接着剤層の膜厚の測定]半
導体装置の全体の厚さから、予め測定しておいた半導体
チップと該チップ取付部の厚さを差し引くことにより、
20個の半導体装置について接着剤層の厚さの平均値、
最小値、および最大値を求めた。
導体装置の全体の厚さから、予め測定しておいた半導体
チップと該チップ取付部の厚さを差し引くことにより、
20個の半導体装置について接着剤層の厚さの平均値、
最小値、および最大値を求めた。
【0030】[半導体装置の接着剤層中の球状充填剤の
個数の測定]接着剤を塗工した面を顕微鏡により観察
し、塗工面積当たりの球状充填剤の粒子の個数を求め
た。
個数の測定]接着剤を塗工した面を顕微鏡により観察
し、塗工面積当たりの球状充填剤の粒子の個数を求め
た。
【0031】[半導体装置の信頼性試験]半導体装置
を、−55℃で30分間放置、+150℃で30分間放
置を1サイクルとするサーマルサイクル試験した。10
00サイクル、および3000サイクル試験した後、半
導体装置の回路配線の端部を用いて電気導通試験を行な
い、導通不良の電子部品の個数により不良率を求めた。
を、−55℃で30分間放置、+150℃で30分間放
置を1サイクルとするサーマルサイクル試験した。10
00サイクル、および3000サイクル試験した後、半
導体装置の回路配線の端部を用いて電気導通試験を行な
い、導通不良の電子部品の個数により不良率を求めた。
【0032】[実施例1]粘度2,000mPa・sの分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン(ビニル基の含有量=0.23重量%)100重量
部、粘度20mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ
基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原
子結合水素原子の含有量=1.6重量%)1.5重量部、
平均単位式:
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロ
キサン(ビニル基の含有量=0.23重量%)100重量
部、粘度20mPa・sの分子鎖両末端トリメチルシロキシ
基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原
子結合水素原子の含有量=1.6重量%)1.5重量部、
平均単位式:
【化1】 で示されるオルガノポリシロキサン1.0重量部、1重
量%−塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶液0.1
重量部、平均粒径40μm、長短径比1.05、粒径分
布の標準偏差3μmの球状シリカ微粉末0.05重量部
(接着剤中に重量単位で500ppmとなる量)、3−フェ
ニル−1−ブチン−3−オール0.01重量部、および
平均粒径30mμ(BET比表面積200m2/g)で、
ヘキサメチルジシラザンで表面処理したヒュームドシリ
カ2重量部を均一に混合して、粘度7,000mPa・sの接
着剤を調製した。この接着剤を150℃で30分間加熱
したところ、JIS K 6253に規定のタイプAデ
ュロメータ硬さが30であるシリコーンゴムが得られ
た。次に、この接着剤を用いて半導体装置を作製した。
この半導体装置についての評価結果を表1に示した。
量%−塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶液0.1
重量部、平均粒径40μm、長短径比1.05、粒径分
布の標準偏差3μmの球状シリカ微粉末0.05重量部
(接着剤中に重量単位で500ppmとなる量)、3−フェ
ニル−1−ブチン−3−オール0.01重量部、および
平均粒径30mμ(BET比表面積200m2/g)で、
ヘキサメチルジシラザンで表面処理したヒュームドシリ
カ2重量部を均一に混合して、粘度7,000mPa・sの接
着剤を調製した。この接着剤を150℃で30分間加熱
したところ、JIS K 6253に規定のタイプAデ
ュロメータ硬さが30であるシリコーンゴムが得られ
た。次に、この接着剤を用いて半導体装置を作製した。
この半導体装置についての評価結果を表1に示した。
【0033】[比較例1]実施例1において、平均粒径
40μm、長短径比1.05、粒径分布の標準偏差3μ
mの球状シリカ微粉末を配合しない以外は実施例1と同
様にして、粘度6,500mPa・sの接着剤を調製した。こ
の接着剤を150℃で30分間加熱したところ、JIS
K 6253に規定のタイプAデュロメータ硬さが2
8であるシリコーンゴムが得られた。次に、この接着剤
を用いて半導体装置を作製した。この半導体装置につい
ての評価結果を表1に示した。
40μm、長短径比1.05、粒径分布の標準偏差3μ
mの球状シリカ微粉末を配合しない以外は実施例1と同
様にして、粘度6,500mPa・sの接着剤を調製した。こ
の接着剤を150℃で30分間加熱したところ、JIS
K 6253に規定のタイプAデュロメータ硬さが2
8であるシリコーンゴムが得られた。次に、この接着剤
を用いて半導体装置を作製した。この半導体装置につい
ての評価結果を表1に示した。
【0034】[比較例2]実施例1において、平均粒径
40μm、長短径比1.05、粒径分布の標準偏差3μ
mの球状シリカ微粉末の含有量を157重量部(接着剤
中に重量単位で60%となる量)とした以外は実施例1
と同様にして、粘度12,500mPa・sの接着剤を調製し
た。この接着剤を150℃で30分間加熱したところ、
JIS K6253に規定のタイプAデュロメータ硬さ
が48であるシリコーンゴムが得られた。次に、この接
着剤を用いて半導体装置を作製した。この半導体装置に
ついての評価結果を表1に示した。
40μm、長短径比1.05、粒径分布の標準偏差3μ
mの球状シリカ微粉末の含有量を157重量部(接着剤
中に重量単位で60%となる量)とした以外は実施例1
と同様にして、粘度12,500mPa・sの接着剤を調製し
た。この接着剤を150℃で30分間加熱したところ、
JIS K6253に規定のタイプAデュロメータ硬さ
が48であるシリコーンゴムが得られた。次に、この接
着剤を用いて半導体装置を作製した。この半導体装置に
ついての評価結果を表1に示した。
【0035】[比較例3]実施例1において、平均粒径
40μm、長短径比1.05、粒径分布の標準偏差3μ
mの球状シリカ微粉末の代わりに、平均粒径40μm、
長短径比2.0、粒径分布の標準偏差15μmのシリカ
微粉末を同量配合した以外は実施例1と同様にして、粘
度7,000mPa・sの接着剤を調製した。この接着剤を1
50℃で30分間加熱したところ、JIS K 625
3に規定のタイプAデュロメータ硬さが28であるシリ
コーンゴムが得られた。次に、この接着剤を用いて半導
体装置を作製した。この半導体装置についての評価結果
を表1に示した。
40μm、長短径比1.05、粒径分布の標準偏差3μ
mの球状シリカ微粉末の代わりに、平均粒径40μm、
長短径比2.0、粒径分布の標準偏差15μmのシリカ
微粉末を同量配合した以外は実施例1と同様にして、粘
度7,000mPa・sの接着剤を調製した。この接着剤を1
50℃で30分間加熱したところ、JIS K 625
3に規定のタイプAデュロメータ硬さが28であるシリ
コーンゴムが得られた。次に、この接着剤を用いて半導
体装置を作製した。この半導体装置についての評価結果
を表1に示した。
【0036】[実施例2]粘度20,000mPa・sの熱硬
化性エポキシ樹脂組成物(東レ・ダウコーニング・シリ
コーン製のTXEP−100;平均粒径2μm、最大粒
径8μmの球状シリカ粉末を50重量%含有)100重
量部、平均粒径40μm、長短径比1.05、粒径分布
の標準偏差3μmの球状シリカ微粉末を0.05重量部
(接着剤中に重量単位で500ppmとなる量)配合して、
粘度21,000mPa・sの接着剤を調製した。この接着剤
を150℃で2時間加熱したところ、JIS K 62
53に規定のタイプAデュロメータ硬さが95を超える
硬化エポキシ樹脂が得られた。次に、この接着剤を用い
て半導体装置を作成した。この半導体装置についての評
価結果を表1に示した。
化性エポキシ樹脂組成物(東レ・ダウコーニング・シリ
コーン製のTXEP−100;平均粒径2μm、最大粒
径8μmの球状シリカ粉末を50重量%含有)100重
量部、平均粒径40μm、長短径比1.05、粒径分布
の標準偏差3μmの球状シリカ微粉末を0.05重量部
(接着剤中に重量単位で500ppmとなる量)配合して、
粘度21,000mPa・sの接着剤を調製した。この接着剤
を150℃で2時間加熱したところ、JIS K 62
53に規定のタイプAデュロメータ硬さが95を超える
硬化エポキシ樹脂が得られた。次に、この接着剤を用い
て半導体装置を作成した。この半導体装置についての評
価結果を表1に示した。
【0037】
【表1】
【0038】
【発明の効果】本発明の接着剤は、半導体チップと該チ
ップ取付部材を一定の間隔で接合し、該チップへの機械
的応力を十分に緩和することができるという特徴があ
り、また、本発明の半導体装置は、このような接着剤に
より半導体チップと該チップ取付部材を接合してなるの
で、信頼性が優れるという特徴がある。
ップ取付部材を一定の間隔で接合し、該チップへの機械
的応力を十分に緩和することができるという特徴があ
り、また、本発明の半導体装置は、このような接着剤に
より半導体チップと該チップ取付部材を接合してなるの
で、信頼性が優れるという特徴がある。
【図1】 本発明の半導体装置の一例であるICの断面
図である。
図である。
【図2】 本発明の半導体装置の一例であるICの断面
図である。
図である。
1 半導体チップ 2 半導体チップ取付部材 3 接着剤 4 回路配線 5 リード 6 封止・充填剤 7 ハンダボール 8 枠材 9 バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸2番2 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 Fターム(参考) 4J040 DC092 EC001 EC002 EH032 EJ012 EK031 EK032 EL032 HA026 HA066 HA076 HA136 HA296 HA306 HA326 HA346 KA03 KA42 LA06 NA20 5F047 BA33 BA34 BA54 BB11
Claims (7)
- 【請求項1】 平均粒径が10〜100μmであり、か
つ、長短径比が1.0〜1.5である球状充填剤を重量単
位で1〜900ppm含有する硬化性ポリマー組成物から
なることを特徴とする、半導体チップを該チップ取付部
材に接合するための接着剤。 - 【請求項2】 球状充填剤の粒径分布の標準偏差が、該
充填剤の平均粒径の10%以内であることを特徴とす
る、請求項1記載の接着剤。 - 【請求項3】 球状充填剤の含有量が硬化性ポリマー組
成物に対して重量単位で1ppm〜5%であることを特徴
とする、請求項1記載の接着剤。 - 【請求項4】 球状充填剤が無機質球状充填剤であるこ
とを特徴とする、請求項1記載の接着剤。 - 【請求項5】 硬化性ポリマー組成物が硬化性シリコー
ン組成物であることを特徴とする、請求項1記載の接着
剤。 - 【請求項6】 硬化性ポリマー組成物が硬化性エポキシ
樹脂組成物であることを特徴とする、請求項1記載の接
着剤。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
接着剤により半導体チップを該チップ取付部材に接合し
てなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11193829A JP2001019928A (ja) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | 接着剤、および半導体装置 |
US09/597,218 US6750550B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-06-20 | Adhesive and semiconductor devices |
DE60001434T DE60001434T2 (de) | 1999-07-08 | 2000-06-21 | Klebstoff und Halbleiterbauelemente |
EP00305237A EP1067163B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-06-21 | Adhesive and semiconductor devices |
KR1020000038822A KR100637611B1 (ko) | 1999-07-08 | 2000-07-07 | 접착제 및 반도체 장치 |
TW089113524A TWI225886B (en) | 1999-07-08 | 2000-09-19 | Adhesive and semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11193829A JP2001019928A (ja) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | 接着剤、および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001019928A true JP2001019928A (ja) | 2001-01-23 |
JP2001019928A5 JP2001019928A5 (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=16314444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11193829A Pending JP2001019928A (ja) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | 接着剤、および半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6750550B1 (ja) |
EP (1) | EP1067163B1 (ja) |
JP (1) | JP2001019928A (ja) |
KR (1) | KR100637611B1 (ja) |
DE (1) | DE60001434T2 (ja) |
TW (1) | TWI225886B (ja) |
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DE60001434D1 (de) | 2003-03-27 |
EP1067163A1 (en) | 2001-01-10 |
US6750550B1 (en) | 2004-06-15 |
EP1067163B1 (en) | 2003-02-19 |
KR100637611B1 (ko) | 2006-10-24 |
TWI225886B (en) | 2005-01-01 |
KR20010049733A (ko) | 2001-06-15 |
DE60001434T2 (de) | 2003-11-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060623 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100629 |