KR101854501B1 - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 - Google Patents

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101854501B1
KR101854501B1 KR1020150060933A KR20150060933A KR101854501B1 KR 101854501 B1 KR101854501 B1 KR 101854501B1 KR 1020150060933 A KR1020150060933 A KR 1020150060933A KR 20150060933 A KR20150060933 A KR 20150060933A KR 101854501 B1 KR101854501 B1 KR 101854501B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
semiconductor device
sealing
nanomaterial
Prior art date
Application number
KR1020150060933A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160129218A (ko
Inventor
배경철
이동환
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020150060933A priority Critical patent/KR101854501B1/ko
Priority to US15/554,304 priority patent/US10636712B2/en
Priority to PCT/KR2015/007392 priority patent/WO2016175385A1/ko
Priority to CN201580076601.3A priority patent/CN107250235B/zh
Priority to TW104133782A priority patent/TWI623561B/zh
Publication of KR20160129218A publication Critical patent/KR20160129218A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101854501B1 publication Critical patent/KR101854501B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/686—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/004—Additives being defined by their length
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/006—Additives being defined by their surface area
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films
    • C08L2203/162—Applications used for films sealable films
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 무기충전재를 포함하는 조성물이고, 상기 무기충전재는 실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질을 포함한다.

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자{COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED BY USING THE SAME}
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것이다.
반도체 소자를 수분이나 기계적 충격 등의 외부 환경으로부터 보호하기 위한 목적으로 에폭시 수지 조성물로 반도체 소자를 밀봉하는 방법이 상업적으로 행하여지고 있다. 최근에 작고 얇은 디지털 기기들이 보편화되면서, 반도체 소자의 집적도는 나날이 향상되어, 칩의 고적층화, 고밀도화가 이루어지고 있다. 이러한 고적층, 고밀도화 반도체 소자를 소형, 박형 패키지에 밀봉한 수지 밀봉형 반도체 장치에서는, 동작 시 발생하는 열로 인한 패키지 오동작 및 크랙 발생 등의 빈도가 매우 높아지게 된다. 이를 해결하기 위해 공개특허공보 제 2007-0069714호에서는 방열판 등을 사용하고 있으나, 이는 일부 패키지에서만 가능하고, 공정 추가로 인한 생산성 저하 및 고비용인 단점이 있다.
한편, 패키지의 경박단소에 따라서 패키지를 구성하고 있는 반도체 칩, 리드프레임 및 밀봉용 조성물간의 열팽창계수 차이 등에 의해 패키지가 휘어지는 휨(warpage)의 문제도 발생하고 있다.
이에 방열효과 및 휨특성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 개발이 필요하다.
본 발명의 목적은 방열효과 및 굴곡강도가 우수하고 열충격에 강한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 흐름성, 열팽창계수, 굴곡탄성률 및 흡습률의 저하 없이 열전도도가 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
하나의 구체예에 따르면, 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 경화제, 무기충전재를 포함하고, 상기 무기충전재는 실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질을 포함한다.
상기 나노물질은 평균입경이 10 nm 내지 500 nm가 될 수 있다.
상기 나노물질은 나노와이어, 나노로드, 나노튜브, 나노리본 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 나노물질은 실리콘(Si)과 알루미늄(Al)의 몰비가 0.2 : 1 내지 5 : 1이 될 수 있다.
상기 나노물질은 하기 화학식 1을 가질 수 있다.
[화학식 1]
Al2O3·(SiO2)x·y(H2O)
(상기 화학식 1에서, x는 0.5 내지 5, y는 1 내지 10임)
상기 나노물질은 열전도율이 5 W/mK 내지 30 W/mK가 될 수 있다.
상기 나노물질은 비표면적이 5 m2/g 내지 100 m2/g이 될 수 있다.
상기 나노물질은 pH가 7 내지 9가 될 수 있다.
상기 나노물질은 실리카(SiO2) 및 알루미나(Al2O3)로 형성된 것일 수 있다.
상기 나노물질은 실리카(SiO2) 및 알루미나(Al2O3)가 0.5 : 1 내지 5 : 1의 몰비로 형성될 수 있다.
다른 구체예에 따르면 상기 나노물질은 실리카(SiO2)층 및 알루미나(Al2O3)층이 하나 이상 적층된 것일 수 있다.
상기 나노물질은 내경이 1 nm 내지 300 nm이고, 외경이 20 nm 내지 310 nm이고, 길이가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛인 나노튜브를 포함할 수 있다.
상기 나노물질은 고형분 기준 상기 조성물 중 0.01 중량% 내지 40 중량%로 포함될 수 있다.
상기 무기충전재는 평균입경 0.1 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이하의 알루미나, 평균입경 4 ㎛ 초과, 10 ㎛ 이하의 알루미나 및 평균입경 10 ㎛ 초과, 30 ㎛ 이하의 알루미나 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
다른 구체예에 따르면, 상기 조성물은 경화촉진제, 커플링제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 조성물은 금형온도 175 ℃, 주입압력 9 MPa 및 경화시간 120 초 조건의 트랜스퍼 성형기로 에폭시 수지 조성물을 주입하여 열전도도 시편(ASTM D5470)을 제작한 후, 25 ℃에서 측정한 열전도율이 3 W/mK 내지 10 W/mK가 될 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 반도체 소자에 관한 것이다.
하나의 구체예에 따르면, 상기 반도체 소자는 상기의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 어느 하나의 조성물을 사용하여 밀봉된 것일 수 있다.
본 발명은 방열효과 및 굴곡강도가 우수하고 열충격에 강하며, 흐름성, 열팽창계수, 굴곡탄성률 및 흡습률의 저하 없이 열전도도가 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하는 효과를 갖는다.
본 명세서에서 "나노물질"은 나노단위의 평균입경을 갖는 물질을 의미한다.
본 명세서에서 "평균입경"은 Malvern社의 Zetasizer nano-ZS 장비로 수계 도는 유기계 용매에서 측정하여 Z-average 값으로 표현되는 나노물질의 입경을 의미한다.
본명세서에서 "내경 및 외경"은 각각 나노튜브의 안쪽 지름 및 바깥쪽 지름을 의미한다.
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 경화제, 무기충전재를 포함하고, 상기 무기충전재는 실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질을 포함한다.
에폭시 수지
반도체 소자 밀봉용으로　일반적으로 사용되는 에폭시 수지라면 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 에폭시 수지로는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀Ａ/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀Ａ/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지　등을 들 수 있다.
예를 들어, 에폭시 수지는 다관능형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지 및 바이페닐형 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 다관능형 에폭시 수지로는 하기 화학식 2로 표시되는 다관능형 에폭시 수지를 사용할 수 있고, 상기 페놀아랄킬형 에폭시 수지로는 하기 화학식 3로 표시되는 바이페닐(biphenyl)　유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 에폭시 수지를 사용할 수 있으며 상기 바이페닐형 에폭시 수지로는 하기 화학식 4로 표시되는 바이페닐형 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015042063522-pat00001
(상기 화학식 2에서 R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-6의 알킬기이고, R'는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기이고, n은 O 내지 6의 정수이다)
구체적으로, 상기 R은 각각 독립적으로 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기가 될 수 있고, R'는 수소가 될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
구체적으로 상기 다관능형 에폭시 수지 조성물은 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 트리페놀프로판형 에폭시 수지 등의 트리페놀알칸형 에폭시 수지가 될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112015042063522-pat00002
(상기 화학식 3에서, n의 평균치는 1 내지 7이다)
[화학식 4]
Figure 112015042063522-pat00003
(상기 화학식 4에서, R은 각각 독립적으로 탄소수 1~4의 알킬기, n의 평균값은 0 내지 7이다).
상기 화학식 2의 다관능형 에폭시 수지는 패키지의 변형을 작게할 수 있고, 속경화성, 잠재성 및 보존성이 우수할 뿐만 아니라, 경화물 강도 및 접착성도 우수한 장점이 있다.
상기 화학식 3의 페놀아랄킬형　에폭시 수지는 페놀 골격을 바탕으로 하면서 중간에 바이페닐을 가지고 있는 구조를 형성하여 흡습성, 인성,　내산화성 및 내크랙성이　우수하며, 가교 밀도가 낮아서 고온에서 연소 시 탄소층(char)을 형성하면서 그 자체로 어느 정도 수준의 난연성을 확보할 수 있는 장점이 있다. 상기 화학식 4의 바이페닐형 에폭시 수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성　강화 측면에서 바람직하다.
이들 에폭시 수지는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 에폭시 수지에 경화제, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 및 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터배치(melt master batch)와 같은 선반응을 시켜 만든　부가 화합물도 사용할 수 있다.　또한 내습 신뢰성 향상을 위해 에폭시 수지 중에 함유된 염소 이온(ion), 나트륨 이온(sodium ion), 및 그 밖의 이온성 불순물이 낮은 것을 사용하는 것이 바람직하다.
구체예에서 에폭시 수지는 화학식 3로 표시되는 페놀아랄킬형 에폭시 수지와 화학식 4으로 표시되는 바이페닐형 에폭시 수지의 중량비를 0.2 : 1 내지 5 : 1, 구체적으로 0.4 : 1 내지 3 : 1, 더욱 구체적으로 0.5 : 1 내지 2 : 1의 비율로 할 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물은 흡습성과 내산화성이 우수하고, 또한 내크랙성과 유동성의 균형을 이룰 수 있다.
상기 에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 15 중량%, 구체적으로 0.1 내지 10 중량%, 더욱 구체적으로 0.1 내지 5 중량%일 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물은 경화물의 접착력 및 강도가 우수하다.
경화제
경화제는 반도체 소자 밀봉용으로　일반적으로 사용되는 것으로 2개 이상의 반응기를 가진 것이라면 특별히 한정되지 않는다.
구체적으로 페놀아랄킬형 페놀수지,　페놀노볼락형 페놀수지, 자일록(xylok)형 페놀수지, 크레졸 노볼락형 페놀수지, 나프톨형 페놀수지, 테르펜형 페놀수지, 다관능형 페놀수지, 디시클로펜타디엔계 페놀수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형　페놀수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물, 무수 말레인산　및　무수　프탈산을 포함하는 산무수물, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐설폰　등의 방향족 아민　등을 들　수 있다.
예를 들어, 경화제는 페놀노볼락형 페놀수지, 자일록형 페놀수지, 페놀아랄킬형 페놀수지 및 다관능형 페놀수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 페놀노볼락형 페놀수지로 하기 화학식 5로 표시되는 페놀노볼락형 패놀수지를 사용할 수 있고, 상기 페놀아랄킬형 페놀수지로 하기 화학식 6로　표시되는　분자 중에 바이페닐　유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 페놀수지를 사용할 수 있고,　상기 자일록형 페놀수지로 하기 화학식 7으로　표시되는　자일록(xylok)형　페놀수지를 사용할 수 있고, 상기 다관능형 페놀수지로 하기 화학식 8의 반복 단위를 포함하는 다관능형 페놀수지를 사용할 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112015042063522-pat00004
(상기 화학식 5에서 n은 1 내지 7이다.)
[화학식 6]
Figure 112015042063522-pat00005
(상기 화학식 6에서, n의 평균치는 1 내지 7이다).
[화학식 7]
Figure 112015042063522-pat00006
(상기 화학식 7에서, n의 평균치는 0 내지 7이다)
[화학식 8]
Figure 112015042063522-pat00007
(상기 화학식 8에서 n의 평균치는 1 내지 7이다.)
상기 화학식 5의 페놀노볼락형 페놀수지는 가교점 간격이 짧아, 에폭시 수지와 반응할 경우 가고밀도가 높아져 그 경화물의 유리전이온도를 높일 수 있고, 이에 따라 경화물 선팽창계수를 낮추어 반도체 소자 패키지의 휨을 억제할 수 있다. 상기 화학식 6의 페놀아랄킬형 페놀수지는 상기 페놀아랄킬형　에폭시 수지와 반응하여 탄소층(char)을 형성하여 주변의 열 및 산소의 전달을 차단함으로써 난연성을 달성하게 된다. 상기 화학식 7의 자일록형 페놀수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성　강화 측면에서 바람직하다. 상기 화학식 8의 다관능형 페놀수지는 에폭시 수지 조성물의 고온 휨 특성 강화 측면에서 바람직하다.
이들 경화제는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 경화제에 에폭시 수지, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 및 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터배치와 같은 선반응을 시켜 만든　부가 화합물로도 사용할 수 있다.
상기 경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 13 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 8 중량% 일 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물은 경화도 및 경화물의 강도가 우수하다.
상기 에폭시 수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 조절될 수 있다. 구체예에서 경화제에 대한　에폭시 수지의 화학 당량비가 0.95 내지 3일 수 있으며, 구체적으로 1 내지 2, 더욱 구체적으로 1 내지 1.75 범위에서 사용할 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물은 경화물의 강도가 우수하다.
무기충전재
상기 무기충전재는 실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질을 포함한다.
실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질은 무기충전제에 포함되어, 방열효과를 극대화하는 효과가 있다. 에폭시 수지 조성물의 방열효과를 높이기 위해, 높은 열전도율을 가지는 알루미나의 함량을 증가시키는 방법이 있으나, 이는 에폭시 수지 조성물의 흐름성을 낮추어 골드와이어의 휨 등이 발생하는 불량이 생길 수 있다. 에폭시 수지 조성물은 상기 나노물질을 포함함으로써 흐름성 저하 없이 우수한 방열효과를 얻을 수 있다.
실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질은 평균입경이 10 nm 내지 500 nm, 구체적으로 20 nm 내지 450 nm, 더욱 구체적으로 20 nm 내지 400 nm가 될 수 있다. 상기의 범위에서 흐름성의 저하 없이 에폭시 수지 조성물의 방열효과 및 굴곡강도를 높일 수 있다.
실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질은 실리콘(Si)과 알루미늄(Al)의 몰비가 0.2 : 1 내지 5 : 1, 구체적으로 0.4 : 1 내지 3:1, 더욱 구체적으로 0.5 : 1 내지 2 : 1, 더더욱 구체적으로 0.8 : 1 내지 1.5 : 1이 될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 열전도율이 높아지는 장점이 있다.
상기 나노물질은 하기 화학식 1의 화학식을 가지는 것일 수 있다.
[화학식 1]
Al2O3·(SiO2)x·y(H2O)
(상기 화학식 1에서, x는 0.5 내지 5, y는 1 내지 10임)
구체적으로 상기 화학식 1에서 x는 1 내지 3, 더욱 구체적으로 1.5 내지 2.5가 될 수 있다. 또한 상기 y는 1 내지 5, 구체적으로 1 내지 4가 될 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 열전도율이 높아지는 장점이 있다.
상기 나노물질은 실리카(SiO2) 및 알루미나(Al2O3)로 형성된 것일 수 있고, 층상 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 나노물질은 실리카(SiO2)층 및 알루미나(Al2O3)층이 한 층 이상 적층된 구조일 수 있다. 구체적으로, 상기 나노물질은 실리카(SiO2) 및 알루미나(Al2O3)가 0.5 : 1 내지 5 : 1, 더욱 구체적으로 1 : 1 내지 3 : 1, 더더욱 구체적으로 1.5 : 1 내지 2.5 : 1의 몰비로 형성된 것일 수 있다. 상기의 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 열전도율이 높아지는 장점이 있다.
실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질은 열전도율이 5 W/mK 내지 30 W/mK, 구체적으로 10 W/mK 내지 25 W/mK, 더욱 구체적으로 10 W/mK 내지 20 W/mK가 될 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 방열효과를 높이고, 흐름성의 저하를 막을 수 있다.
실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질은 비표면적이 5 m2/g 내지 100 m2/g, 구체적으로 비표면적이 10 m2/g 내지 80 m2/g, 더욱 구체적으로 비표면적이 20 m2/g 내지 50 m2/g이 될 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물은 넓은 표면적에 의한 방열효과가 우수하다.
실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질은 pH가 7 내지 9, 구체적으로 7 내지 8.5가 될 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물은 알루미늄(Al) 또는 실리콘(Si)의 산화를 방지하는 효과가 있다.
실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질은 나노와이어, 나노로드, 나노튜브 및 나노리본의 형상일 수 있고, 하나 이상의 형상을 포함할 수 있다. 상기 나노와이어는 길이가 50 ㎛ 내지 250 ㎛, 구체적으로 70 ㎛ 내지 100 ㎛가 될 수 있다. 상기 나노로드는 입경이 20 nm 내지 200 nm, 구체적으로 40 nm 내지 100 nm가 될 수 있고, 길이가 50 nm 내지 1,500 nm, 구체적으로 70 nm 내지 1,000 nm가 될 수 있다. 상기 나노리본은 평균입경이 10 nm 내지 500 nm, 구체적으로 20 nm 내지 450 nm, 더욱 구체적으로 20 nm 내지 400 nm가 될 수 있다. 상기의 범위에서 흐름성의 저하 없이 에폭시 수지 조성물의 방열효과 및 굴곡강도를 높일 수 있다.
구체적으로 상기 나노물질은 나노튜브가 될 수 있다. 상기 나노튜브는 내경이 1 nm 내지 300 nm, 구체적으로 5 nm 내지 250 nm이고, 외경이 20 nm 내지 310 nm, 구체적으로 20 nm 내지 150 nm, 길이가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛, 구체적으로 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛, 더욱 구체적으로 0.1 ㎛ 내지 5 ㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서 나노물질의 큰 표면적으로, 에폭시 수지 조성물은 우수한 방열효과를 가질 수 있다.
상기 나노물질은 상기 전체 무기충전재 중 0.01 중량% 내지 45 중량%, 구체적으로 0.01 중량% 내지 40 중량%, 더욱 구체적으로 0.01 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다. 또한 상기 나노물질은 고형분 기준 상기 조성물 중 0.01 중량% 내지 40 중량%, 구체적으로 0.01 중량% 내지 30 중량%, 더욱 구체적으로 0.01 중량% 내지 25 중량%로 포함될 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물은 방열효과, 굴곡강도 등의 기계적 물성 및 흐름성 등의 균형을 이룰 수 있다.
상기 무기충전재는 나노물질과 함께 제2 무기물질을 병행해서 사용될 수 있다. 상기 제2 무기물질은 상기 나노물질과 다른 것으로, 일반적으로 사용되는 무기충전재가 적용될 수 있다. 상기 제2 무기물질의 구체적인 예로는 알루미나, 용융실리카, 실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질, 결정성　실리카, 질화알루미나, 질화붕소, 페라이트, 니켈-아연 페라이트, 망간-아연 페라이트, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크, 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 및 유리섬유 등을 들 수 있다. 예를 들어, 제2 무기물질은 평균입경 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 질화알루미나, 평균입경 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 질화 붕소, 평균입경 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 실리카, 평균입경 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 페라이트, 구체적으로 평균입경 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 니켈-아연 페라이트 및 평균입경 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하의 망간-아연 페라이트 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 적용될 수 있다.
상기 질화붕소는 열 전달 특성이 우수하여 우수한 열 방출 특성을 요구하는 TO-3PF, TO-220F와 같은 파워 모듈 패키지의 신뢰성에 효과적일 뿐만 아니라, 수지 밀봉 시의 패키지 성형성에도 효과적인 물질이다. 상기 질화붕소는　수지 조성물의 유동성, 성형성, 열 방출 특성, 수지 조성물의 기계적 강도, 및 신뢰성 측면에서 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여　0.5 ~ 10 중량%, 구체적으로 1 ~ 7 중량%, 더욱 구체적으로 2　~ 5 중량%로 포함할 수 있다. 상기　질화붕소는　에폭시 수지 조성물 제조 시에 단독으로 투입하여 사용할 수 있으며, 균일한 분산을 위해 에폭시 수지 조성물 제조 전에 멜트마스터배치(Melt Master Batch; MMB)와 같은 방법을 통하여 에폭시수지　또는 경화제의 용융물에 미리 녹여 분산한 후　조성물에 투입하여 사용할 수도　있다.
구체예에서 상기 무기충전재는 알루미나를 더 포함할 수 있다. 알루미나는 15 W/mK 내지 40 W/mK, 구체적으로 20 W/mK 내지 30 W/mK, 더욱 구체적으로 25 W/mK 내지 30 W/mK의 열전도도를 가질 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물은 방열성이 우수하다.
알루미나의 형상 및 입경은 특별히 한정되지 않지만, 평균입경이 0.1 ㎛ 내지 50 ㎛, 구체적으로 0.5 ㎛ 내지 30 ㎛인 구상 알루미나를 적용할 수 있다. 상기 범위에서 반도체 밀봉 성형에 있어서 에폭시 수지 조성물의 흐름성이 우수한 장점이 있다.
상기 알루미나는 다른 평균입경을 갖는 알루미나를 혼합하여 사용할 수 있다. 구체적으로 총 알루미나 함량 중, 평균입경 10 ㎛ 초과, 30 ㎛ 이하의 알루미나 40 중량% 내지 93 중량%, 평균입경 4 ㎛ 초과, 10 ㎛ 이하의 알루미나 5 중량% 내지 50 중량% 및 평균입경 0.1 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이하의 알루미나 1 중량% 내지 30 중량%를 포함한 알루미나 혼합물을 사용할 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물은 방열효과 및 굴곡강도가 우수하며 열충격에 강한 장점이 있다.
상기 알루미나 혼합물은 전체 무기충전재 중 40 중량% 내지 99.99 중량%로 포함할 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 방열효과, 굴곡강도 등의 기계적 물성, 성형성 등이 우수하다.
다른 구체예에서 무기충전재는 에폭시 수지 조성물의 저응력화를 위해서, 선팽창계수가 낮은 용융실리카를 더 포함할 수 있다. 상기 용융실리카는 진비중이 2.3　이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 용융실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지는 않지만, 평균 입경 5~30 ㎛의 구상용융실리카 50~99 중량% 및 평균입경 0.001~1 ㎛의 구상용융실리카 1~50 중량%를 포함한 용융실리카　혼합물이 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 범위에서 유동성이 뛰어난 장점이 있다. 또한 상기 용융실리카 혼합물은 전체 충전제 중　40~100 중량%가 되도록　포함하는 것이 좋다. 상기 범위에서 경화물의 성형성, 저응력성, 기계적 물성이 우수하다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 45 ㎛, 55 ㎛,　및　75 ㎛　중 어느 하나로 조정해서 사용할 수가 있다.　상기 용융구상실리카에는 도전성의 카본이 실리카 표면에 이물질로서 포함되는 경우가 있으나 극성 이물질의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다.
상기 나노물질과 상기 제2 무기물질의 중량비는 1 : 0.5 내지 1 : 10,000, 구체적으로 1 : 1 내지 1 : 1,000이 될 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물은 방열효과, 굴곡강도 등의 기계적 물성 및 흐름성 등의 균형을 이룰 수 있다.
상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 경화촉진제, 커플링제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
경화 촉진제
경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 예를 들면,　3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 및 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다.
유기 금속화합물에는 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트　등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논　부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-페닐-4메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸,　2-페닐이미다졸,　2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸　등이 있다. 붕소화합물에는 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene:DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및　페놀노볼락 수지염　등을 사용할 수 있다.
구체적인　경화 촉진제로는 유기인화합물, 붕소화합물, 아민계, 또는 이미다졸계 경화 촉진제를 단독 혹은 혼합하여 사용하는 것을 들 수 있다. 상기 경화 촉진제는 에폭시 수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다.
본 발명에서 경화 촉진제의 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여　0.01 내지 2 중량%일 수 있으며, 구체적으로 0.02 내지 1.5 중량%, 더욱 구체적으로 0.05 내지 1 중량%이다.　상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하고 또한, 경화도도 좋은 장점이 있다.
커플링제
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 커플링제를 더 포함할 수 있다. 상기 커플링제는 실란 커플링제일 수 있다. 사용될 수 있는 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 에폭시실란, 아미노실란, 우레이도실란, 머캅토실란 등일 수 있다. 상기 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
상기 커플링제는 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대해 0.01 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%일 수 있다. 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 중량%이다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물은 경화물의 강도가 우수하다.
착색제
착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹에 사용될 수 있다.
착색제는 티탄질화물(titanium nitride)과 티탄블랙(titan black 또는 titanium black)의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 혼합물 중 티탄질화물은 40 내지 80중량%, 티탄블랙은 20 내지 60중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물은 레이저 마킹 시 불량이 발생하지 않고, 그을음 발생 등의 문제점이 생기지 않을 수 있다.
티탄질화물과 티탄블랙의 혼합물은 상기 착색제 중 40 내지 100중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물은 레이저 마킹 시 불량이 발생하지 않고, 그을음 발생 등의 문제점이 생기지 않을 수 있다.
티탄질화물의 평균입경은 50-150nm, 티탄블랙의 평균입경은 50-150nm가 될수 있다. 상기 범위에서 착색제는 분산이 잘 되어, 서로 뭉치지 않는 장점이 있다.
티탄질화물과 티탄블랙의 혼합물은 에폭시 수지 조성물 중 0 초과 내지 6중량% 이하, 예를 들면 0.5 내지 5.0중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물은 레이저 마킹이 충분히 될 수 있고, 레이저 마킹시 낮은 레이저 출력에도 선명한 마킹 특성을 얻을 수 있고, 그을음 발생 등의 문제점이 생기지 않을 수 있다.
착색제는 티탄질화물과 티탄블랙의 혼합물 이외에, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물, 운모, 카본블랙 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
인산수산화구리는 레이저 마킹성을 높이며, 카본블랙의 사용에 의한 그을음 발생을 줄이고, 신뢰성과 성형성을 높일 수 있다.
인산수산화구리의 중량평균분자량은 100 내지 500g/mol이 될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 레이저 마킹성을 높이고, 신뢰성과 성형성을 높일 수 있다.
인산수산화구리는 bulk density가 500 내지 700g/l가 될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물은 레이저 마킹성을 높이고, 신뢰성과 성형성을 높일 수 있다.
인산수산화구리는 평균 입경(d50)이 1㎛ 내지 5㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물에 사용 가능할 수 있다.
인산수산화구리는 Cu3(PO4)2·Cu(OH)2의 식으로 표시될 수 있다. 인산수산화구리는 상업적으로 판매되는 제품으로서, FABULASE 322를 사용할 수 있다.
인산수산화구리는 에폭시 수지 조성물 중 0 내지 0.25중량%, 예를 들면 0 초과 내지 0.25중량% 이하, 예를 들면 0.05 내지 0.25중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
철산화물은 철이 산화된 것으로, 철의 산화 수에 제한을 두지 않는다. 예를 들면, 철산화물은 FeO3, Fe2O3 등이 될 수 있다.
철산화물은 에폭시 수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0.1 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
운모는 에폭시 수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0.1 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
철산화물과 운모의 혼합물은 에폭시 수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0.3 내지 1.5중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
카본블랙은, 에폭시 수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 구체적으로 0.1 내지 1.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 다른 착색제의 레이저 마킹에 영향을 주지 않고, 레이저 마킹시 그을음이 발생하지 않게 할 수 있다.
철산화물, 운모 및 카본블랙의 혼합물은 에폭시 수지 조성물 중 0 내지 1.6 중량%, 예를 들면 0 초과 내지 1.6중량% 이하, 예를 들면 0.1 내지 1.6중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 다른 착색제의 레이저 마킹에 영향을 주지 않고, 레이저 마킹시 그을음이 발생하지 않게 할 수 있다.
착색제는 에폭시 수지 조성물 중 0.05 내지 4.0중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 불완전 마킹이 일어나는 것을 방지하고, 마킹시 그을음이 발생하여 마킹성이 저하되는 것을 막을 수 있으며, 수지 조성물의 전기 절연성이 나빠지는 것을 막을 수 있다.
이외에도, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은　본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 고급 지방산; 고급 지방산 금속염; 및 에스테르계 왁스, 카르나우바 왁스 등의 이형제; 변성 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 및 실리콘 레진 등의 응력완화제; Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate] methane등의 산화방지제;　등을　필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.
이상과 같은 원재료를 이용하여 에폭시　수지 조성물을 제조하는 일반적인 방법으로는 소정의 배합량을 헨셀　믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(roll-mill)이나 니이더(kneader)로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄 과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법이 사용되고 있다.
본 발명에서 얻어진 에폭시　수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로써는 저압 트랜스퍼 성형법이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형이　가능하다. 상기 방법에 의해 에폭시 수지 조성물을, 구리계 리드프레임(예: 은 도금된 구리 리드프레임),　니켈합금계 리드프레임, 상기 리드프레임에 니켈과 팔라듐을 포함하는 물질로 선도금후 은(Ag) 및 금(Au) 중 하나 이상으로 도금된 리드프레임, PCB 등과 부착시켜 반도체 소자를 밀봉한 반도체 장치를 제조할 수 있다.
상기 밀봉된 반도체 소자는 본 발명의 구체예에 따른 에폭시 수지 조성물로 밀봉되어 방열효과 및 굴곡강도가 우수하다. 구체적으로, 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 혼합하고, 금형온도 175 ℃, 주입압력 9 MPa 및 경화시간 120 초 조건의 트랜스퍼 성형기로 에폭시 수지 조성물을 주입하여 열전도도 시편(ASTM D5470)을 제작한 후, 25 ℃에서 측정한 열 전도율이 3 W/mK 내지 10 W/mK, 구체적으로 3.8 W/mK 내지 8 W/mK, 더욱 구체적으로 3.9 W/mK 내지 7.5 W/mK가 될 수 있다. 상기의 범위에서 반도체 소자의 방열효과가 우수하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
(A) 에폭시 수지
(a1) 바이페닐형 에폭시 수지: Japan Epoxy Resin에서 제조된 YX-4000H 제품을 사용하였다.
(a2) 페놀아랄킬형 에폭시 수지: Nippon Kayaku에서 제조된 NC-3000 제품을 사용하였다.
(B) 경화제
(b1) 다관능형 페놀수지: Meiwa Chem에서 제조된 MEH-7500-3S 제품을 사용하였다.
(b2) 페놀아랄킬형 페놀수지: Meiwa Chem에서 제조된 MEH-7851-SS 제품을 사용하였다.
(b3) 페놀노볼락형 페놀수지: Meiwa Chem에서 제조된 H-4 제품을 사용하였다.
(C) 경화촉진제: 시코쿠 케미칼에서 제조된 2-페닐-4-메틸 이미다졸(2P4MHZ)을 사용하였다.
(D) 커플링제: CHISSO에서 제조된 에폭시 실란(A-187) 을 사용하였다.
(E) 무기충전재
(e1) 평균입경이 15 ㎛인 알루미나(DENKA사에서 제조된 DAB-10SI) 70 중량%, 평균입경이 7 ㎛인 알루미나(DENKA사에서 제조된 DAB-10FC) 20 중량%, 평균입경이 1 ㎛인 알루미나(DENKA사에서 제조된 ASFP-20) 9 중량% 및 나노튜브 1(BengBu Xinyuan Materials Tech사에서 제조된 PNT-01, 화학식: Al2O3·(SiO2)2·2.5(H2O), 내경: 40 nm, 외경: 100 nm, 길이: 3 ㎛, 비표면적: 35.2 m2/g, 열전도율: 15 W/mK, Si : Al의 몰비 1:1, pH=7.93) 1 중량%를 포함하는 혼합물을 무기충전재로 사용하였다.
(e2) 평균입경이 1 ㎛인 알루미나 5 중량% 및 나노튜브 1은 5 중량%로 적용한 것을 제외하고는 (e1)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
(e3) 평균입경이 1 ㎛인 알루미나는 적용하지 않고, 나노튜브 1은 10 중량%로 적용한 것을 제외하고는 (e1)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
(e4) 평균입경이 15 ㎛인 알루미나 65 중량% 및 나노튜브 1은 15 중량%로 적용한 것을 제외하고는 (e3)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
(e5) 나노튜브 1 대신, 나노튜브 2(BengBu Xinyuan Materials Tech사에서 제조된 PNT-X2, 화학식: Al2O3·SiO2·0.5(H2O), 내경: 120 nm, 외경: 250 nm, 길이: 6 ㎛, 비표면적: 12.3 m2/g, 열전도율: 19 W/mK, Si : Al의 몰비가 1:2, pH=8.56)를 적용한 것을 제외하고는 (e1)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
(e6) 나노튜브 1 대신, 나노튜브 3(BengBu Xinyuan Materials Tech사에서 제조된 PNT-X3, 화학식: Al2O3·(SiO2)4·4.5(H2O), 내경: 90 nm, 외경: 130 nm, 길이: 4.5 ㎛, 비표면적: 17.6 m2/g, 열전도율: 11 W/mK, Si : Al의 몰비가 2:1, pH=6.93)을 적용한 것을 제외하고는 (e1)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
(e7) 나노튜브는 적용하지 않고, 평균입경이 1 ㎛인 알루미나를 10 중량%로 적용한 것을 제외하고는 (e1)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
(e8) 평균입경이 15 ㎛인 알루미나 65 중량% 및 평균입경이 7 ㎛인 알루미나 25 중량%를 적용한 것을 제외하고는 (e7)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
(e9) 평균입경이 7 ㎛인 알루미나 15 중량% 및 평균입경이 1 ㎛인 알루미나 15 중량%를 적용한 것을 제외하고는 (e7)과 동일하게 무기충전재를 사용하였다.
상기 (e1)-(e9)의 성분 및 함량(중량%)을 하기 표 1에 나타내었다.
알루미나 1 알루미나 2 알루미나 3 나노튜브 1 나노튜브 2 나노튜브 3
(E) (e1) 70 20 9 1 - -
(e2) 70 20 5 5 - -
(e3) 70 20 - 10 - -
(e4) 65 20 - 15 - -
(e5) 70 20 9 - 1 -
(e6) 70 20 9 - - 1
(e7) 70 20 10 - - -
(e8) 65 25 10 - - -
(e9) 70 15 15 - - -
알루미나 1: 평균입경이 15 ㎛인 알루미나(DENKA사에서 제조된 DAB-10SI)
알루미나 2: 평균입경이 7 ㎛인 알루미나(DENKA사에서 제조된 DAB-10FC)
알루미나 3: 평균입경이 1 ㎛인 알루미나(DENKA사에서 제조된 ASFP-20)
나노튜브 1: BengBu Xinyuan Materials Tech사에서 제조된 PNT-01 (화학식: Al2O3·(SiO2)2·2.5(H2O), 내경: 40 nm, 외경: 100 nm, 길이: 3 ㎛, 비표면적: 35.2 m2/g, 열전도율: 15 W/mK, Si : Al의 몰비가 1:1 pH=7.93)
나노튜브 2: BengBu Xinyuan Materials Tech사에서 제조된 PNT-X2 (화학식: Al2O3·SiO2·0.5(H2O), 내경: 120 nm, 외경: 250 nm, 길이: 6 ㎛, 비표면적: 12.3 m2/g, 열전도율: 19 W/mK, Si : Al의 몰비가 1:2, pH=8.56)
나노튜브 3: BengBu Xinyuan Materials Tech사에서 제조된 PNT-X3 (화학식: Al2O3·(SiO2)4·4.5(H2O), 내경: 90 nm, 외경: 130 nm, 길이: 4.5 ㎛, 비표면적: 17.6 m2/g, 열전도율: 11 W/mK, Si : Al의 몰비가 2:1, pH=6.93)
(F) 착색제
카본블랙: Mitsubishi Chemical社에서 제조된 MA-600B 제품을 사용하였다.
(G) 이형제: 카르나우바 왁스를 사용하였다.
실시예 1~6 및 비교예 1~3
하기 표 2의 조성에 따라 헨셀 믹서(KEUM SUNG MACHINERY CO.LTD(KSM-22))를 이용하여 25~30 ℃에서 30분간 균일하게 혼합한 후,　연속 니이더(Kneader)를 이용하여 Max. 110℃에서 30분간 용융 혼련 후, 10~15 ℃로 냉각하고 분쇄하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
Figure 112015042063522-pat00008
상기 제조된 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대하여 하기의 방법으로 물성 평가를 하여 하기 표 3에 나타내었다.
물성 평가방법
하기의 물성을 평가하여 표 3에 나타내었다.
(1) 스파이럴 플로우(inch): 저압 트랜스퍼 성형기를 사용하여, EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형에 금형온도 175℃, 70kgf/cm2, 주입 압력 9 MPa, 및 경화 시간 90초의 조건으로 에폭시 수지 조성물을 주입하고, 유동 길이를 측정하였다. 측정값이 높을수록 유동성이 우수한 것이다.
(2) 열전도도: ASTM D5470에 따라 평가용 시편을 사용하여 25 ℃에서 측정하였다.
(3) 열팽창계수: ASTM D696에 따라 평가하였다.
(4) 굴곡강도 및 굴곡탄성율: ASTM D790에 따라 표준시편을 만든 후 175 ℃에서 4 시간 동안 오븐(Oven, JEIO TECH社 제조)에서 후경화시킨 시편으로 UTM을 이용하여 260 ℃에서 측정하였다.
(5) 흡습률: ASTM D792에 따라 표준시편을 만든 후 175 ℃에서 4 시간 동안 오븐(Oven, JEIO TECH社 제조)에서 후경화시킨 시편으로 PCT (Pressure Cooker Tester)를 이용하여 25 ℃에서 측정하였다.
(6) 열충격 시험 (크랙 및 박리 평가): 프리컨디션 조건(온도 30 ℃, 습도 60%에서 192시간 동안 챕버(chamber)에서 흡습 후 IR Reflow(Japan pulse labolatories. Inc) 3회 수행)을 통과한 멀티칩 패키지(4Nand Flash Chip으로 구성된 0.55mm의 패키지로 세크론 프레스와 몰드를 이용하여 175℃*120초 몰딩하여 제조)를 -65 ℃에서 10 분, 25 ℃에서 5 분, 150 ℃에서 10 분 방치하는 것을 1 사이클로 하여 1,000 사이클을 진행한 후, 비파괴 검사기인 SAT를 이용하여 내부 및 외부 크랙 및 박리를 총 240 패키지에 대해 평가하였다.
(7) 방열 평가: QFP(quad flat package)로 조립 후, 오븐(Oven, JEIO TECH社 제조)에서 195 ℃로 1,008 시간 방치 후 동작시험 정상작동여부(불량여부)를 총 256 패키지에 대해 평가하였다.
Figure 112015042063522-pat00009
상기 표 3에 나타난 바와 같이, 본원발명의 실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질을 포함하는 실시예는 방열효과 및 굴곡강도가 우수하고 열충격에 강하며, 흐름성, 열팽창계수, 굴곡탄성률 및 흡습률의 저하 없이 열전도도가 우수하다. 그러나 본원발명의 실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질을 포함하지 않는 비교예는 굴곡강도가 저하되고, 열충격에 약하며, 방열효과도 떨어지는 것을 알 수 있다.
이상 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (17)

  1. 에폭시 수지, 경화제, 무기충전재를 포함하고,
    상기 무기충전재는,
    실리콘(Si) 및 알루미늄(Al) 함유 나노물질; 및
    알루미나;를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로서,
    상기 알루미나는 상기 무기충전재 중 40 내지 99.99중량%로 포함되고,
    상기 에폭시 수지는 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 15중량%로 포함되고,
    상기 경화제는 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 13중량%로 포함되는 것인, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 평균입경이 10 nm 내지 500 nm인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 나노와이어, 나노로드, 나노튜브, 나노리본 중 하나 이상을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 실리콘(Si)과 알루미늄(Al)의 몰비가 0.2 : 1 내지 5 : 1인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 하기 화학식 1을 가지는 가지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Al2O3·(SiO2)x·y(H2O)
    (상기 화학식 1에서, x는 0.5 내지 5, y는 1 내지 10임).
  6. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 열전도율이 5 W/mK 내지 30 W/mK인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 비표면적이 5 m2/g 내지 100 m2/g인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 pH가 7 내지 9인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 실리카(SiO2) 및 알루미나(Al2O3)로 형성된 것인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 나노물질은 실리카(SiO2) 및 알루미나(Al2O3)가 0.5 : 1 내지 5 : 1의 몰비로 형성된 것인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 실리카(SiO2)층 및 알루미나(Al2O3)층이 하나 이상 적층된 것인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 내경이 1 nm 내지 300 nm이고, 외경이 20 nm 내지 310 nm이고, 길이가 0.1 ㎛ 내지 20 ㎛인 나노튜브를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 나노물질은 고형분 기준 상기 조성물 중 0.01 중량% 내지 40 중량%로 포함되는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 상기 알루미나는
    평균입경 0.1 ㎛ 이상, 4 ㎛ 이하의 알루미나;
    평균입경 4 ㎛ 초과, 10 ㎛ 이하의 알루미나; 및
    평균입경 10 ㎛ 초과, 30 ㎛ 이하의 알루미나;
    중 하나 이상을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 경화촉진제, 커플링제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  16. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 금형온도 175 ℃, 주입압력 9 MPa 및 경화시간 120 초 조건의 트랜스퍼 성형기로 에폭시 수지 조성물을 주입하여 열전도도 시편(ASTM D5470)을 제작한 후, 25 ℃에서 측정한 열전도율이 3 W/mK 내지 10 W/mK인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 사용하여 밀봉된 반도체 소자.

KR1020150060933A 2015-04-29 2015-04-29 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 KR101854501B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150060933A KR101854501B1 (ko) 2015-04-29 2015-04-29 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
US15/554,304 US10636712B2 (en) 2015-04-29 2015-07-16 Epoxy resin composition for sealing semiconductor device, and semiconductor device sealed by using same
PCT/KR2015/007392 WO2016175385A1 (ko) 2015-04-29 2015-07-16 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
CN201580076601.3A CN107250235B (zh) 2015-04-29 2015-07-16 用于封装半导体装置的组成物及使用其封装的半导体装置
TW104133782A TWI623561B (zh) 2015-04-29 2015-10-15 用於封裝半導體裝置的組成物及使用其封裝的半導體裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150060933A KR101854501B1 (ko) 2015-04-29 2015-04-29 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160129218A KR20160129218A (ko) 2016-11-09
KR101854501B1 true KR101854501B1 (ko) 2018-05-04

Family

ID=57198470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150060933A KR101854501B1 (ko) 2015-04-29 2015-04-29 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10636712B2 (ko)
KR (1) KR101854501B1 (ko)
CN (1) CN107250235B (ko)
TW (1) TWI623561B (ko)
WO (1) WO2016175385A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102057255B1 (ko) 2017-03-22 2019-12-18 주식회사 엘지화학 반도체 패키지용 수지 조성물과 이를 이용한 프리프레그 및 금속박 적층판
JP7002866B2 (ja) * 2017-06-29 2022-01-20 京セラ株式会社 粉粒状半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
KR102137550B1 (ko) * 2017-12-12 2020-07-24 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치
JP7170240B2 (ja) * 2018-07-27 2022-11-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
KR102658294B1 (ko) * 2019-09-09 2024-04-16 주식회사 두산 밀봉 시트 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR102483006B1 (ko) * 2020-05-14 2022-12-29 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치
CN114685938A (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 衡所华威电子有限公司 一种电子封装用环氧树脂组合物及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060084727A1 (en) 2004-10-14 2006-04-20 Yazaki Corporation Filled epoxy resin compositions
KR100637611B1 (ko) 1999-07-08 2006-10-24 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 접착제 및 반도체 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480946B1 (ko) * 2001-12-28 2005-04-07 제일모직주식회사 내크랙성 및 열전도율이 향상된 반도체 소자 밀봉용에폭시 수지 조성물
US7163973B2 (en) * 2002-08-08 2007-01-16 Henkel Corporation Composition of bulk filler and epoxy-clay nanocomposite
KR20070069714A (ko) 2005-12-28 2007-07-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지
JP5568023B2 (ja) * 2011-01-12 2014-08-06 株式会社日立製作所 非水電解液電池
KR101923244B1 (ko) 2011-07-13 2018-11-28 주식회사 다이셀 경화성 에폭시 수지 조성물
WO2013055475A1 (en) * 2011-10-14 2013-04-18 Georgia Tech Research Corporation Single-walled metal oxide and metal sulphide nanotubes/polymer composites
CN104119704B (zh) 2013-04-27 2016-05-11 中国科学院化学研究所 埃洛石纳米管的表面改性处理方法
KR20140133178A (ko) * 2013-05-10 2014-11-19 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
CN103694636B (zh) * 2013-12-10 2015-12-09 中国科学院过程工程研究所 一种电气绝缘环氧树脂组合物、制备方法及其用途
CN104031353A (zh) * 2014-06-09 2014-09-10 昆山腾辉电子有限公司 一种纳米混合型导热胶及其加工工艺
CN104231993A (zh) * 2014-09-26 2014-12-24 江南大学 一种改性无机纳米粒子增韧环氧树脂灌封胶及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637611B1 (ko) 1999-07-08 2006-10-24 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 접착제 및 반도체 장치
US20060084727A1 (en) 2004-10-14 2006-04-20 Yazaki Corporation Filled epoxy resin compositions

Also Published As

Publication number Publication date
US10636712B2 (en) 2020-04-28
US20180053703A1 (en) 2018-02-22
WO2016175385A1 (ko) 2016-11-03
CN107250235B (zh) 2020-05-05
KR20160129218A (ko) 2016-11-09
TWI623561B (zh) 2018-05-11
CN107250235A (zh) 2017-10-13
TW201638137A (zh) 2016-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101854501B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101362887B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101309820B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
US9212253B2 (en) Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same
KR101309822B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR102146996B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR20200013385A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치
KR101279973B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
KR101726925B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101437141B1 (ko) 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101933273B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR102146995B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101758448B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101266535B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
KR101748024B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR20190081995A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자
KR102112866B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR100917662B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
KR102126050B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치
KR101726926B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101943698B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자
KR101234845B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
KR100779902B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물　및 이를 이용한반도체 소자
KR20190081981A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR20190081993A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant