KR101758448B1 - 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 - Google Patents

반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물은 에폭시수지, 경화제, 무기충전제 및 분산제를 포함하고, 상기 분산제는 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산과 알콕시기로 개질된 알킬실란의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED BY USING THE SAME}
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것이다.
반도체 소자를 수분이나 기계적 충격 등의 외부 환경으로부터 보호하기 위한 목적으로 에폭시수지 조성물로 반도체 소자를 밀봉하는 방법이 상업적으로 행해지고 있다. 최근에 작고 얇은 디자인의 휴대용 디지털 기기들이 보편화되면서 내부에 실장되는 반도체 패키지의 단위 부피당 실장 효율을 높이기 위하여 반도체 패키지의 경박단소(輕薄短小)화가 진행되고 있다. 패키지의 경박단소화에 따라서 흡습에 취약하게 되어 접착력을 비롯한 신뢰성에 매우 불리하다.
이를 위해 에폭시수지 조성물에 포함되는 무기충전제의 입경이 작아지고 있으나, 이는 유동성 저하 및 분산성 저하로 인한 보이드 발생 및 신뢰도 저하의 문제를 가지게 된다. 이는 반도체의 불량을 일으키기 때문에 무기충전제의 분산성이 우수하고, 보이드 발생이 적어 신뢰도가 높은 반도체 밀봉용 에폭시수지 조성물을 개발할 필요가 있다.
이와 관련된 선행 기술은 일본 공개특허 1999-181236호에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 보이드 발생이 적어 성형성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 신뢰성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물에 관한 것이다.
하나의 구체예에서, 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물은 에폭시수지, 경화제, 무기충전제 및 분산제를 포함하고, 상기 분산제는 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산과 알콕시기로 개질된 알킬실란의 혼합물을 포함한다.
상기 에폭시수지는 하기 화학식 1로 표시되는 다관능형 에폭시수지, 하기 화학식 2로 표시되는 페놀아랄킬형 에폭시수지 및 하기 화학식 3로 표시되는 바이페닐형 에폭시수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015032171914-pat00001
(상기 화학식 1에서 R은 수소 또는 C1-6의 알킬기이고, R'는 수소, 메틸기 또는 에틸기이고, n은 O 내지 6의 정수이다)
[화학식 2]
Figure 112015032171914-pat00002
(상기 화학식 2에서, n의 평균치는 1 내지 7이다)
[화학식 3]
Figure 112015032171914-pat00003
(상기 화학식 3에서, R은 탄소수 1~4의 알킬기, n의 평균값은 0 내지 7이다).
상기 경화제는 하기 화학식 4로 표시되는 페놀노볼락형 페놀수지, 하기 화학식 5로 표시되는 페놀아랄킬형 페놀수지, 하기 화학식 6으로 표시되는 자일록형 페놀수지 및 하기 화학식 7의 반복단위를 포함하는 다관능형 페놀수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112015032171914-pat00004
(상기 화학식 4에서 n은 1 내지 7이다)
[화학식 5]
Figure 112015032171914-pat00005
(상기 화학식 5에서, n의 평균치는 1 내지 7이다)
[화학식 6]
Figure 112015032171914-pat00006
(상기 화학식 6에서, n의 평균치는 0 내지 7이다)
[화학식 7]
Figure 112015032171914-pat00007
(상기 화학식 7에서 n의 평균치는 1 내지 7이다).
상기 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산은 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 알콕시기로 개질된 알킬실란은 하기 화학식 9로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112015032171914-pat00008
(상기 화학식 8에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8은 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기이고, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y1, Y2, Y6 중 하나 이상과 Y3, Y4, Y5 중 하나 이상은 산소(O)이고, n은 0 내지 10의 정수이다)
[화학식 9]
Figure 112015032171914-pat00009
(상기 화학식 9에서, R9, R10, R11, R12는 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기이고, Y7, Y8, Y9, Y10은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y7, Y8, Y9, Y10 중 하나 이상은 산소(O)이다.)
다른 구체예에서 상기 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산과 상기 알콕시기로 개질된 알킬실란의 중량비는 1 : 1 내지 4 : 1가 될 수 있다.
또 다른 구체예에서 상기 분산제는 25 ℃에서 점도가 1.0 mPa·s 내지 10.0 mPa·s가 될 수 있다.
또 다른 구체예에서 상기 분산제는 상기 에폭시수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%로 포함될 수 있다.
또 다른 구체예에서 상기 조성물은 상기 에폭시수지 1 내지 17 중량%, 상기 경화제 0.5 내지 13 중량%, 상기 무기충전제 70 내지 95 중량%, 및 상기 분산제 0.01 중량% 내지 2 중량%를 포함할 수 있다.
또 다른 구체예에서 상기 조성물은 경화 촉진제를 더 포함할 수 있다.
또 다른 구체예에서 상기 조성물은 커플링제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 반도체 소자에 관한 것이다.
하나의 구체예에서 상기 반도체 소자는 본 발명의 구체예에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물을 사용하여 밀봉될 수 있다.
본 발명은 보이드 발생이 적어 성형성이 우수하고, 또한 신뢰성이 높은 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하는 효과를 갖는다.
본 발명의 구체예에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물은 에폭시수지, 경화제, 무기충전제 및 분산제를 포함하고, 상기 분산제는 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산과 알콕시기로 개질된 알킬실란의 혼합물을 포함한다.
에폭시수지
반도체 소자 밀봉용으로　일반적으로 사용되는 에폭시수지라면 특별히 제한되지 않는다. 구체예에서는 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 에폭시수지로는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시수지, 페놀노볼락형 에폭시수지, 크레졸노볼락형 에폭시수지, 다관능형 에폭시수지, 나프톨노볼락형 에폭시수지, 비스페놀Ａ/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시수지, 비스페놀Ａ/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시수지　등을 들 수 있다.
바람직하게는, 에폭시수지는 다관능형 에폭시수지, 페놀아랄킬형 에폭시수지 및 바이페닐형 에폭시수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 다관능형 에폭시수지로는 하기 화학식 1로 표시되는 다관능형 에폭시수지를 사용할 수 있고, 상기 페놀아랄킬형 에폭시수지로는 하기 화학식 2로 표시되는 바이페닐(biphenyl)　유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 에폭시수지를 사용할 수 있으며 상기 바이페닐형 에폭시수지로는 하기 화학식 3로 표시되는 바이페닐형 에폭시수지를 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015032171914-pat00010
(상기 화학식 1에서 R은 수소 원자 또는 C1-6의 알킬기이고, R'는 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기이고, n은 O 내지 6의 정수이다)
구체적으로, 상기 R은 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기가 될 수 있고, R'는 수소가 될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 다관능형 에폭시수지 조성물 중에서는, 특히 트리페놀메탄형 에폭시수지, 트리페놀프로판형 에폭시수지 등의 트리페놀알칸형 에폭시수지가 될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015032171914-pat00011
(상기 화학식 2에서, n의 평균치는 1 내지 7이다)
[화학식 3]
Figure 112015032171914-pat00012
(상기 화학식 3에서, R은 탄소수 1~4의 알킬기, n의 평균값은 0 내지 7이다).
상기 화학식 1의 다관능형 에폭시수지는 패키지의 변형을 작게할 수 있고, 속경화성, 잠재성 및 보존성이 우수할 뿐만 아니라, 경화물 강도 및 접착성도 우수한 장점이 있다.
상기 화학식 2의 페놀아랄킬형　에폭시수지는 페놀 골격을 바탕으로 하면서 중간에 바이페닐을 가지고 있는 구조를 형성하여 흡습성, 인성,　내산화성 및 내크랙성이　우수하며, 가교 밀도가 낮아서 고온에서 연소 시 탄소층(char)을 형성하면서 그 자체로 어느 정도 수준의 난연성을 확보할 수 있는 장점이 있다. 상기 화학식 3의 바이페닐형 에폭시수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성　강화 측면에서 바람직하다.
구체예에서 상기 화학식 2의 페놀아랄킬형 에폭시수지와 화학식 3의 바이페닐형 에폭시수지는 1 : 1 내지 5 : 1, 구체적으로 3 : 2 내지 4 : 1의 비율로 포함될 수 있다. 상기의 범위에서 내크랙성, 유동성 및 신뢰성의 균형을 이룰 수 있다.
이들 에폭시수지는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 에폭시수지에 경화제, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 및 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터배치(melt master batch)와 같은 선반응을 시켜 만든　부가 화합물도 사용할 수 있다.　또한 내습 신뢰성 향상을 위해 에폭시수지 중에 함유된 염소 이온(ion), 나트륨 이온(sodium ion), 및 그 밖의 이온성 불순물이 낮은 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 중 1 내지 17 중량%, 바람직하게는 2 내지 15 중량%, 더욱 바람직하게는 3 내지 12 중량%일 수 있다. 상기 범위에서 경화물의 접착력 및 강도가 우수하다.
경화제
경화제는 반도체 소자 밀봉용으로　일반적으로 사용되는 것으로 2개 이상의 반응기를 가진 것이라면 특별히 한정되지 않는다.
구체예로는 페놀아랄킬형 페놀수지,　페놀노볼락형 페놀수지, 자일록(xylok)형 페놀수지, 크레졸 노볼락형 페놀수지, 나프톨형 페놀수지, 테르펜형 페놀수지, 다관능형 페놀수지, 디시클로펜타디엔계 페놀수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형　페놀수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물, 무수 말레인산　및　무수　프탈산을 포함하는 산무수물, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐설폰　등의 방향족 아민　등을 들　수 있다.
바람직하게는 경화제는 페놀노볼락형 페놀수지, 자일록형 페놀수지, 페놀아랄킬형 페놀수지 및 다관능형 페놀수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 페놀노볼락형 페놀수지로 하기 화학식 4로 표시되는 페놀노볼락형 패놀수지를 사용할 수 있고, 상기 페놀아랄킬형 페놀수지로 하기 화학식 5로　표시되는　분자 중에 바이페닐　유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 페놀수지를 사용할 수 있고,　상기 자일록형 페놀수지로 하기 화학식 6로　표시되는　자일록(xylok)형　페놀수지를 사용할 수 있고, 상기 다관능형 페놀수지로 하기 화학식 7의 반복 단위를 포함하는 다관능형 페놀수지를 사용할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112015032171914-pat00013
(상기 화학식 4에서 n은 1 내지 7이다.)
[화학식 5]
Figure 112015032171914-pat00014
(상기 화학식 5에서, n의 평균치는 1 내지 7이다).
[화학식 6]
Figure 112015032171914-pat00015
(상기 화학식 6에서, n의 평균치는 0 내지 7이다)
[화학식 7]
Figure 112015032171914-pat00016
(상기 화학식 7에서 n의 평균치는 1 내지 7이다.)
상기 화학식 4의 페놀노볼락형 페놀수지는 가교점 간격이 짧아, 에폭시수지와 반응할 경우 가교밀도가 높아져 그 경화물의 유리전이온도를 높일 수 있고, 이에 따라 경화물 선팽창계수를 낮추어 반도체 소자 패키지의 휨을 억제할 수 있다.
화학식 5의 페놀아랄킬형 페놀수지는 상기 페놀아랄킬형　에폭시수지와 반응하여 탄소층(char)을 형성하여 주변의 열 및 산소의 전달을 차단함으로써 난연성을 달성하게 된다. 상기 화학식 6의 자일록형 페놀수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성　강화 측면에서 바람직하다. 상기 화학식 7의 다관능형 페놀수지는 에폭시수지 조성물의 고온 휨 특성 강화 측면에서 바람직하다.
구체예에서, 경화제는 화학식4 : 화학식 5의 중량비를 1 : 1 내지 10 : 1, 바람직하게는 1 : 1 내지 8 : 1, 더욱 바람직하게는 2 : 1 내지 6 : 1의 비율로 할 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시수지 조성물은 유동성 및 난연성이 우수하다.
이들 경화제는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 경화제에 에폭시수지, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 및 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터배치와 같은 선반응을 시켜 만든　부가 화합물로도 사용할 수 있다.
상기 경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 중 0.5 내지 13 중량%, 바람직하게는 1 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 2 내지 8 중량% 일 수 있다. 상기의 범위에서 경화도 및 경화물의 강도가 우수하다.
상기 에폭시수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 조절될 수 있다. 구체예에서는 경화제에 대한　에폭시수지의 화학 당량비가 0.95 내지 2일 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 1.75 범위에서 사용할 수 있다. 상기의 범위에서 경화물의 강도가 우수하다.
무기 충전제
무기 충전제는 에폭시수지 조성물의　기계적 물성의 향상과 저응력화를 위하여 사용되는 물질이다. 일반적으로 사용되는 예로는 용융실리카, 결정성　실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크, 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 및 유리섬유 등을 들 수 있다.
구체예에서 저응력화를 위해서 선팽창계수가 낮은 용융실리카를 사용한다. 상기 용융실리카는 진비중이 2.3　이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 용융실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지는 않지만, 구체예에서 평균입경 0.001 ㎛ 내지 30 ㎛, 구체적으로 0.01 ㎛ 내지 20 ㎛인 용융실리카를 사용할 수 있다. 다른 구체예에서 상기 무기충전제는 서로 다른 입경을 갖는 구상 용융 실리카가 사용될 수 있다. 예를 들어 평균 입경 5~30 ㎛의 구상용융실리카를 50~99 중량%, 평균입경 0.001~1 ㎛의 구상용융실리카를 1~50 중량%를 포함한 용융실리카　혼합물이 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 범위에서 경화물의 강도가 우수하다. 또한 상기 용융실리카 혼합물은　전체 충전제에　대하여　40~100 중량%가 되도록　포함하는 것이 좋다. 상기 범위에서 유동성이 뛰어난 장점이 있다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 5 ㎛, 10 ㎛, 20 ㎛, 45 ㎛, 55 ㎛,　및　75 ㎛　중 어느 하나로 조정해서 사용할 수가 있다.　상기 용융구상실리카에는 도전성의 카본이 실리카 표면에 이물질로서 포함되는 경우가 있으나 극성 이물질의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다.
상기 무기 충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 및 고온강도 등의 요구 물성에 따라 다르다. 구체예에서는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 중 70 내지 93 중량%, 바람직하게는 75 내지 92중량%일 수 있다.
분산제
분산제는 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산과 알콕시기로 개질된 알킬실란의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산은 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 알콕시기로 개질된 알킬실란은 하기 화학식 9로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112015032171914-pat00017
(상기 화학식 8에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8은 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기이고, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y1, Y2, Y6 중 하나 이상과 Y3, Y4, Y5 중 하나 이상은 산소(O)이고, n은 0 내지 10의 정수이다)
[화학식 9]
Figure 112015032171914-pat00018
(상기 화학식 9에서, R9, R10, R11, R12는 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기이고, Y7, Y8, Y9, Y10은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y7, Y8, Y9, Y10 중 하나 이상은 산소(O)이다.)
알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산은 무기충전제의 분산성을 좋게하여, 무기충전제가 에폭시수지 조성물에 균일하게 분포되도록 하고, 이로써 보이드 발생을 방지할 수 있어, 성형성 및 신뢰성을 높일 수 있다. 알콕시기로 개질된 알킬실란은 에폭시수지 조성물의 유동성을 높일 수 있어, 에폭시수지 조성물의 성형성 및 신뢰성 향상의 효과가 있다.
상기 화학식 8에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8은 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기, 구체적으로 C1-6의 알킬기, C3-6의 시클로알킬기, C6-12의 아릴기, C7-13의 알킬아릴기 또는 C7-13의 아릴알킬기가 될 수 있다. Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y1, Y2, Y6 중 하나 이상과 Y3, Y4, Y5 중 하나 이상은 산소(O)가 될 수 있다. 상기의 범위에서, 무기충전제의 분산성을 높여, 에폭시수지 조성물의 성형성 및 신뢰성을 향상시키는 장점이 있다.
상기 화학식 9에서 R9, R10, R11, R12는 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기, 구체적으로 C1-6의 알킬기, C3-6의 시클로알킬기, C6-12의 아릴기, C7-13의 알킬아릴기 또는 C7-13의 아릴알킬기가 될 수 있다. Y7, Y8, Y9, Y10은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y7, Y8, Y9, Y10 중 하나 이상은 산소(O)가 될 수 있다. 상기의 범위에서 무기충전제의 분산성과 에폭시수지 조성물의 유동성의 균형을 이룰 수 있다.
상기 화학식 8의 n은 0 내지 10의 정수, 구체적으로 0 내지 8의 정수, 더욱 구체적으로 0 내지 5의 정수이다. 상기의 범위에서 유동성의 저하 없이 무기충전제의 분산성을 높여, 에폭시수지 조성물의 성형성 및 신뢰성을 향상시키는 장점이 있다.
알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산은 예를 들어,
Figure 112015032171914-pat00019
,
Figure 112015032171914-pat00020
,
Figure 112015032171914-pat00021
,
Figure 112015032171914-pat00022
,
Figure 112015032171914-pat00023
,
Figure 112015032171914-pat00024
,
Figure 112015032171914-pat00025
등이 될 수 있으나 반드시 이에 제한 되는 것은 아니다. 상기 화학식들의 n은 0 내지 10의 정수, 구체적으로 0 내지 8의 정수, 더욱 구체적으로 0 내지 5의 정수이다.
알콕시기로 개질된 알킬실란은 예를 들어,
Figure 112015032171914-pat00026
,
Figure 112015032171914-pat00027
,
Figure 112015032171914-pat00028
,
Figure 112015032171914-pat00029
,
Figure 112015032171914-pat00030
,
Figure 112015032171914-pat00031
,
Figure 112015032171914-pat00032
,
Figure 112015032171914-pat00033
등이 될 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
분산제는 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산과 알콕시기로 개질된 알킬실란을 1 : 1 내지 4 : 1, 구체적으로 3 : 2 내지 4 : 1의 비율로 포함할 수 있다. 상기의 범위에서, 무기충전제의 분산과 에폭시수지 조성물의 유동성이 균형을 이룰 수 있다.
상기 분산제는 25 ℃에서 점도가 1.0 mPa·s 내지 10.0 mPa·s, 구체적으로 1.0 mPa·s 내지 9.0 mPa·s가 될 수 있다. 상기의 범위에서, 에폭시수지 조성물의 성형성이 우수하다.
상기 분산제는 클로즈드 컵 플래쉬 포인트(인화점)가 0 ℃ 내지 30 ℃, 예를 들어 5 ℃ 내지 25 ℃가 될 수 있다. 그리고, 상기 분산제는 상온(25 ℃)에서의 비중이 0.9 내지 1, 예를 들어 0.95 내지 0.99가 될 수 있다. 상기 범위에서 헨셀 믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 배합물을 혼합하는 경우, 배합물 내 상기 분산제의 분산이 양호하여 성형성 및 신뢰성을 높일 수 있다. 상기 클로즈드 컵 플래쉬 포인트(인화점)는 밀폐 상태에서 측정한 인화되는 최저 온도를 의미한다.
상기 분산제는 에폭시수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%, 구체적으로 0.01 중량% 내지 1 중량%, 더욱 구체적으로 0.01 중량% 내지 0.7 중량%로 포함될 수 있다. 상기의 범위에서, 무기충전제의 분산과 에폭시수지 조성물의 유동성이 균형을 이룰 수 있다.
구체예에서 상기 반도체소자 밀봉용 에폭시수지 조성물은 상기 에폭시수지 2 내지 17 중량%, 상기 경화제 0.5 내지 13 중량%, 상기 무기충전제 70 내지 95 중량%, 및 상기 분산제 0.01 중량% 내지 2 중량%를 포함할 수 있다. 상기의 범위에서, 내화학성, 경화도가 좋을 뿐만 아니라 성형성 및 신뢰도도 우수하다.
다른 구체예에서 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물은 경화 촉진제를 더 포함할 수 있다.
경화 촉진제
경화 촉진제는 에폭시수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 예를 들면,　3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 및 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다.
유기 금속화합물에는 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트　등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논　부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-메틸이미다졸,　2-페닐이미다졸,　2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸　등이 있다. 붕소화합물에는 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene:DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및　페놀노볼락 수지염　등을 사용할 수 있다.
특히 바람직한　경화 촉진제로는 유기인화합물, 붕소화합물, 아민계, 또는 이미다졸계 경화 촉진제를 단독혹은 혼합하여 사용하는 것을 들 수 있다. 상기 경화 촉진제는 에폭시수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다.
본 발명에서 경화 촉진제의 사용량은 에폭시수지 조성물 총 중량에 대하여　0.01 내지 2 중량%일 수 있으며, 바람직하게는 0.02 내지 1.5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 1 중량%이다.　상기의 범위에서 조성물의 경화를 촉진하고 또한, 경화도도 좋은 장점이 있다.
구체예에서, 상기 에폭시수지 조성물은 커플링제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
커플링제
반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물은 커플링제를 더 포함할 수 있다. 상기 커플링제는 실란 커플링제일 수 있다. 사용될 수 있는 실란 커플링제는 에폭시수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 에폭시실란, 아미노실란, 우레이도실란, 머캅토실란 등일 수 있다. 상기 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
상기 커플링제는 에폭시수지 조성물 총 중량에 대해 0.01 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량%일 수 있다. 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 중량%이다. 상기 범위에서 경화물의 강도가 우수하다.
착색제
착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹에 사용될 수 있다.
착색제는 티탄질화물(titanium nitride)과 티탄블랙(titan black 또는 titanium black)의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 혼합물 중 티탄질화물은 40 내지 80중량%, 티탄블랙은 20 내지 60중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹 시 불량이 발생하지 않고, 그을음 발생 등의 문제점이 생기지 않을 수 있다.
티탄질화물과 티탄블랙의 혼합물은 상기 착색제 중 40 내지 100중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹 시 불량이 발생하지 않고, 그을음 발생 등의 문제점이 생기지 않을 수 있다.
티탄질화물의 평균입경은 50-150nm, 티탄블랙의 평균입경은 50-150nm가 될수 있다. 상기 범위에서 분산이 잘 되어, 서로 뭉치지 않는 장점이 있다.
티탄질화물과 티탄블랙의 혼합물은 에폭시수지 조성물 중 0 초과 내지 6중량% 이하, 예를 들면 0.5 내지 5.0중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹이 충분히 될 수 있고, 레이저 마킹시 낮은 레이저 출력에도 선명한 마킹 특성을 얻을 수 있고, 그을음 발생 등의 문제점이 생기지 않을 수 있다.
착색제는 티탄질화물과 티탄블랙의 혼합물 이외에, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물, 운모, 카본블랙 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
인산수산화구리는 레이저 마킹성을 높이며, 카본블랙의 사용에 의한 그을음 발생을 줄이고, 신뢰성과 성형성을 높일 수 있다.
인산수산화구리의 중량평균분자량은 100 내지 500g/mol이 될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹성을 높이고, 신뢰성과 성형성을 높일 수 있다.
인산수산화구리는 bulk density가 500 내지 700g/l가 될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹성을 높이고, 신뢰성과 성형성을 높일 수 있다.
인산수산화구리는 평균 입경(d50)이 1㎛ 내지 5㎛가 될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시수지 조성물에 사용 가능할 수 있다.
인산수산화구리는 Cu3(PO4)2·Cu(OH)2의 식으로 표시될 수 있다. 인산수산화구리는 상업적으로 판매되는 제품으로서, FABULASE 322를 사용할 수 있다.
인산수산화구리는 에폭시수지 조성물 중 0 내지 0.25중량%, 예를 들면 0 초과 내지 0.25중량% 이하, 예를 들면 0.05 내지 0.25중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
철산화물은 철이 산화된 것으로, 철의 산화 수에 제한을 두지 않는다. 예를 들면, 철산화물은 FeO3, Fe2O3 등이 될 수 있다.
철산화물은 에폭시수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0.1 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
운모는 에폭시수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0.1 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
철산화물과 운모의 혼합물은 에폭시수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0.3 내지 1.5중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 레이저 마킹성을 높이고, 기존 카본블랙과 동등한 마킹 효과를 구현할 수 있다.
카본블랙은 종래 착색제로 사용되던 것으로서, 에폭시수지 조성물 중 0 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0 초과 내지 1.5중량% 이하, 예를 들면 0.1 내지 1.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 다른 착색제의 레이저 마킹에 영향을 주지 않고, 레이저 마킹시 그을음이 발생하지 않게 할 수 있다.
철산화물, 운모 및 카본블랙의 혼합물은 에폭시수지 조성물 중 0 내지 1.6 중량%, 예를 들면 0 초과 내지 1.6중량% 이하, 예를 들면 0.1 내지 1.6중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 다른 착색제의 레이저 마킹에 영향을 주지 않고, 레이저 마킹시 그을음이 발생하지 않게 할 수 있다.
착색제는 에폭시수지 조성물 중 0.05 내지 4.0중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 불완전 마킹이 일어나는 것을 방지하고, 마킹시 그을음이 발생하여 마킹성이 저하되는 것을 막을 수 있으며, 수지 조성물의 전기 절연성이 나빠지는 것을 막을 수 있다.
이외에도, 본 발명의 에폭시수지 조성물은　본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 및 에스테르계 왁스 등의 이형제, 변성 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 및 실리콘 레진 등의 응력완화제, Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate] methane등의 산화방지제, 포스파젠, 붕산아연, 수산화알루미늄 및 수산화 마그네슘 등의 난연제　등을　필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.
이상과 같은 원재료를 이용하여 에폭시수지 조성물을 제조하는 일반적인 방법으로는 소정의 배합량을 헨셀　믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(roll-mill)이나 니이더(kneader)로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄 과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법이 사용되고 있다.
본 발명에서 얻어진 에폭시수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로써는 저압 트랜스퍼 성형법이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형이　가능하다. 상기 방법에 의해 에폭시수지 조성물을, 구리계 리드프레임(예: 은 도금된 구리 리드프레임),　니켈합금계 리드프레임, 상기 리드프레임에 니켈과 팔라듐을 포함하는 물질로 선도금후 은(Ag) 및 금(Au) 중 하나 이상으로 도금된 리드프레임, PCB 등과 부착시켜 반도체 소자를 밀봉한 반도체 장치를 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
(A) 에폭시수지
(a1) 페놀아랄킬형 에폭시수지: Nippon Kayaku에서 제조된 NC-3000 제품을 사용하였다.
(a2) 바이페닐형 에폭시수지: Mitsubishi Chemical에서 제조된 YX-4000H 제품을 사용하였다.
(B) 경화제: 페놀아랄킬형 페놀수지: Meiwa kasei에서 제조된 MEH-7851S 제품을 사용하였다.
(C) 경화촉진제: Hokko Chemical사에서 제조된 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트(TPP-k)를 사용하였다.
(D) 무기충전제: Admatechs사에서 제조된 Fused Silica 제품(평균입경 4 ㎛, 최대 입경 20 ㎛)을 사용하였다.
(E) 커플링제
(e1) 에폭시계 실란: Momentive사에서 제조된 A-187 제품을 사용하였다.
(e2) 아민계 실란: Shin Etsu Silicon사에서 제조된 KBM-573 제품을 사용하였다.
(F) 분산제: Dow corning chemical사에서 제조된 11-100 제품(Propyl(dimethoxy)siloxy-terminated Dimethyl Siloxane과 Trimethoxypropylsilane 73: 27 중량% 혼합물)을 사용하였다.
(G) 착색제: Mitsubishi Chemical에서 제조된 MA-600B 제품을 사용하였다.
(H) 이형제: 카르나우바 왁스를 사용하였다.
실시예 1~4 및 비교예 1~3
하기 표 1의 조성에 따라 헨셀 믹서(KEUM SUNG MACHINERY CO.LTD(KSM-22))를 이용하여 25~30 ℃에서 30분간 균일하게 혼합한 후,　연속 니이더(Kneader)를 이용하여 Max. 110 ℃에서 30분간 용융 혼련 후, 10~15 ℃로 냉각하고 분쇄하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물을 제조하였다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3
(A) (a1) 5.62 5.62 5.62 5.62 5.62 5.62 5.62
(a2) 2.75 2.75 2.75 2.75 2.75 2.75 2.75
(B) 6.62 6.62 6.62 6.62 6.62 6.62 6.62
(C) 0.21 0.21 0.21 0.21 0.21 0.21 0.21
(D) 84 84 84 84 84 84 84
(E) (e1) 0.30 0.20 - 0.15 0.40 - 0.20
(e2) - - 0.30 0.15 - 0.40 0.20
(F) 0.10 0.20 0.10 0.10 - - -
(G) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
(H) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
(상기 표 1에서 단위는 중량%이다.)
상기 제조된 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물에 대하여 하기의 방법으로 물성 평가를 하여 하기 표 2에 나타내었다.
물성 평가방법
(1) 스파이럴 플로우(inch): 저압 트랜스퍼 성형기를 사용하여, EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형에 금형온도 175 ℃, 70 kgf/cm2, 주입 압력 9 MPa, 및 경화 시간 90 초의 조건으로 에폭시수지 조성물을 주입하고, 유동 길이를 측정하였다. 측정값이 높을수록 유동성이 우수한 것이다.
(2) Void 평가 (성형성 시험): 에폭시수지 조성물로 MPS(Multi Plunger System) 성형기를 이용하여 175 ℃에서 120 초간 트랜스퍼 몰딩으로 성형시켜 MUF 패키지를 각 조성별로 200개 제작하였다. 175 ℃에서 2 시간 동안 후경화 시킨 이후 상온으로 냉각하였다. 이후, 육안 및 비파괴 검사장비(C-SAM)을 이용하여 패키지(총 200개)에 관찰되는 보이드(void) 개수를 측정하였다.
이 때 MUF 패키지는 배선기판과 반도체 칩 간의 갭의 거리는 50 ㎛, 범프 중간 간의 간격인 범프 간의 거리는 140 ㎛, 배선기판 단위면적에 대한 전체 범프 개수는 150 개, 배선기판의 면적은 200 mm2, 반도체칩의 면적은 100 mm2, 배선 기판의 일 방향으로 배열된 범프의 개수는 100 개, 에어 벤트의 직경은 30 ㎛, 에폭시수지 조성물의 주입 구멍의 직경은 3000 ㎛이다.
(3) 박리 평가 (신뢰성 시험): 에폭시수지 조성물로 제조한 BGA(Ball Grid Array)형 반도체 소자를 125 ℃에서 24 시간 건조시킨 후, 85 ℃, 60% 상대습도 조건 하에서 168 시간 동안 방치시킨 후 260 ℃, 30 초 동안 IR 리플로우를 3회 통과시켜 패키지 박리 발생 유무를 평가하였다. 비파괴 검사기인 SAT (Scanning Acoustic Tomograph)로 박리 발생 유무를 평가하였다. 실시예 및 비교예 에폭시수지 조성물로 각각 200개의 샘플로 평가 후, 박리가 발생한(불량) 샘플의 개수를 측정하였다.
실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3
스파이럴 플로우(inch) 70 71 75 73 70 74 72
보이드 발생 수(총200개) 0 0 0 0 24 15 18
박리 발생 수(총200개) 0 0 0 0 15 6 10
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본 발명의 분산제를 포함하는 실시예 1 내지 4의 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물은 성형성과 신뢰성이 우수하며, 유동성의 저하도 없는 것을 알 수 있다.
이상 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (11)

  1. 에폭시수지, 경화제, 무기충전제 및 분산제를 포함하고,
    상기 분산제는 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 포함하는 알콕시기로 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산;과 하기 화학식 9로 표시되는 화합물을 포함하는 알콕시기로 개질된 알킬실란;의 혼합물을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물:
    [화학식 8]
    Figure 112017012393897-pat00043

    (상기 화학식 8에서, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8은 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기이고, Y1, Y2, Y3, Y4, Y5, Y6은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y1, Y2, Y6 중 하나 이상과 Y3, Y4, Y5 중 하나 이상은 산소(O)이고, n은 0 내지 10의 정수이다)
    [화학식 9]
    Figure 112017012393897-pat00044

    (상기 화학식 9에서, R9, R10, R11, R12는 각각 독립적으로 C1-10의 알킬기, C3-10의 시클로알킬기, C6-20의 아릴기, C7-20의 알킬아릴기 또는 C7-20의 아릴알킬기이고, Y7, Y8, Y9, Y10은 각각 독립적으로 단일결합 또는 산소(O)이고, Y7, Y8, Y9, Y10 중 하나 이상은 산소(O)이다).
  2. 제1항에 있어서, 상기 에폭시수지는 하기 화학식 1로 표시되는 다관능형 에폭시수지, 하기 화학식 2로 표시되는 페놀아랄킬형 에폭시수지 및 하기 화학식 3로 표시되는 바이페닐형 에폭시수지 중 하나 이상을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112015032171914-pat00034

    (상기 화학식 1에서 R은 수소 또는 C1-6의 알킬기이고, R'는 수소, 메틸기 또는 에틸기이고, n은 O 내지 6의 정수이다)
    [화학식 2]
    Figure 112015032171914-pat00035

    (상기 화학식 2에서, n의 평균치는 1 내지 7이다)
    [화학식 3]
    Figure 112015032171914-pat00036

    (상기 화학식 3에서, R은 탄소수 1~4의 알킬기, n의 평균값은 0 내지 7이다).
  3. 제1항에 있어서, 상기 경화제는 하기 화학식 4로 표시되는 페놀노볼락형 페놀수지, 하기 화학식 5로 표시되는 페놀아랄킬형 페놀수지, 하기 화학식 6으로 표시되는 자일록형 페놀수지 및 하기 화학식 7의 반복단위를 포함하는 다관능형 페놀수지 중 하나 이상을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물:
    [화학식 4]
    Figure 112015032171914-pat00037

    (상기 화학식 4에서 n은 1 내지 7이다)
    [화학식 5]
    Figure 112015032171914-pat00038

    (상기 화학식 5에서, n의 평균치는 1 내지 7이다)
    [화학식 6]
    Figure 112015032171914-pat00039

    (상기 화학식 6에서, n의 평균치는 0 내지 7이다)
    [화학식 7]
    Figure 112015032171914-pat00040

    (상기 화학식 7에서 n의 평균치는 1 내지 7이다).
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 알콕시 개질된 말단을 갖는 (폴리)실록산과 상기 알콕시 개질된 알킬실란의 중량비는 1 : 1 내지 4 : 1인 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 분산제는 25 ℃에서 점도가 1.0 mPa·s 내지 10.0 mPa·s인 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 분산제는 상기 에폭시수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%로 포함되는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 상기 에폭시수지 1 내지 17 중량%, 상기 경화제 0.5 내지 13 중량%, 상기 무기충전제 70 내지 95 중량%, 및 상기 분산제 0.01 중량% 내지 2 중량%를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 경화 촉진제를 더 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 커플링제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물.
  11. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항의 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물을 사용하여 밀봉된 반도체 소자.

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