JP7002866B2 - 粉粒状半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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そのため、半導体素子等の電子素子の樹脂封止方法として、いわゆる圧縮成形法が用いられるようになってきている(例えば、特許文献4、5参照)。この圧縮成形法においては、金型内に被封止物(例えば、半導体素子等の電子素子が設けられた基板等)を保持し、これに対向させるように粉粒状樹脂組成物を供給し、被封止物と粉粒状樹脂組成物とを圧縮することで樹脂封止が行われる。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
[1](A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促進剤、及び(D)球状アルミナを含有する粉粒状半導体封止用樹脂組成物であって、
前記(D)球状アルミナは、該樹脂組成物中に75質量%以上95質量%未満含まれるとともに、(D)球状アルミナ中に(D1)粒径2μm未満の球状アルミナを0~15質量%、(D2)粒径2μm以上10μm未満の球状アルミナを20~80質量%、(D3)粒径10μm以上20μm以下の球状アルミナを20~80質量%、及び(D4)粒径20μmを超える球状アルミナを0~1質量%含有し、質量基準の粒度分布において、粒径2μm以上10μm未満の領域及び粒径10μm以上20μm以下の領域に、それぞれ1つ以上の極大値を有することを特徴とする粉粒状半導体封止用樹脂組成物。
[2]さらに、平均粒子径2μm未満の(E)微細シリカを(D)球状アルミナと(E)微細シリカの合計量に対し0.1~20質量%含有することを特徴とする上記[1]に記載の粉粒状半導体封止用樹脂組成物。
[3]さらに、(F)可塑剤として、融点が100~170℃の有機リン化合物を0.1~1質量%含有することを特徴とする上記[1]又は[2]のいずれかに記載の粉粒状半導体封止用樹脂組成物。
[4]前記粉粒状半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱伝導率が3~6W/mk、及び/又は誘電率が5~8であることを特徴とする上記[1]乃至[3]のいずれかに記載の粉粒状半導体封止用樹脂組成物。
[5]上記[1]乃至[4]のいずれかに記載の粉粒状半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
[6]前記半導体装置が指紋センサを備えることを特徴とする上記[5]に記載の半導体装置。
[7]前記半導体装置がシステムインパッケージを備えることを特徴とする上記[5]に記載の半導体装置。
[粉粒状半導体封止用樹脂組成物]
本発明の粉粒状半導体封止用樹脂組成物(以下、単に樹脂組成物ともいう)は、(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促進剤、及び(D)球状アルミナを含有する粉粒状半導体封止用樹脂組成物であって、前記(D)球状アルミナは、該樹脂組成物中に75質量%以上95質量%未満含まれるとともに、(D)球状アルミナ中に(D1)粒径2μm未満の球状アルミナを0~15質量%、(D2)粒径2μm以上10μm未満の球状アルミナを20~80質量%、(D3)粒径10μm以上20μm以下の球状アルミナを20~80質量%、及び(D4)粒径20μmを超える球状アルミナを0~1質量%含有し、質量基準の粒度分布において、粒径2μm以上10μm未満の領域及び粒径10μm以上20μm以下の領域に、それぞれ1つ以上の極大値を有することを特徴とする。
本発明で使用する(A)成分のエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであれば、分子構造、分子量等に制限されることなく一般に電子部品の封止材料として使用されているものを広く用いることができる。なかでも、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、すなわちビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。
なお、本発明におけるビフェニル骨格には、ビフェニル環のうち少なくとも一方の芳香族環が水素添加されているものも含まれる。
ビフェニル型エポキシ樹脂の使用によって、(D)成分の球状アルミナを多量に配合しても溶融粘度を最適範囲に維持することができ、また耐熱性に優れる粉粒状半導体封止用樹脂組成物を得ることができる。
なお、エポキシ樹脂は、1種を使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明で使用する(B)成分のフェノール樹脂硬化剤は、1分子当たり2個以上のフェノール性水酸基を有し、上記(A)成分のエポキシ樹脂を硬化させることができるものであって、電子部品の封止材料として一般に用いられるものであれば特に制限されることなく使用できる。
本発明で使用する(C)成分の硬化促進剤は、前記(A)成分のエポキシ樹脂と(B)成分のフェノール樹脂硬化剤との反応を促進するものであり、かかる作用を有するものであれば特に制限されることなく使用できる。
本発明で使用する(D)成分の球状アルミナは、(D1)粒径2μm未満の球状アルミナを0~15質量%、(D2)粒径2μm以上10μm未満の球状アルミナを20~80質量%、(D3)粒径10μm以上20μm以下の球状アルミナを20~80質量%、及び(D4)粒径20μmを超える球状アルミナを0~1質量%含有するものである。
(D1)成分、(D2)成分、(D3)成分、及び(D4)成分の配合割合がそれぞれ上記範囲内であれば球状アルミナが最密充填され、流動性、溶融粘度、融け性が良好となり、さらに誘電率が向上する。一方、上記配合割合を逸脱し、(D1)成分が15質量%より多いと溶融粘度が上昇し、(D2)成分が80質量%より多いと融け性が不十分となり、(D3)成分が80質量%より多いと溶融粘度が上昇し、ワイヤ流れが生じる可能性がある。また、(D4)成分が1質量%より多く含まれると狭小部の充填性が不十分となるおそれがある。
熱伝導率は粒子径に依存する為、大粒子径ほど高熱伝導となる傾向にあるが、(D3)成分の含有量が上記範囲内であると20μmを超える大粒子径の球状アルミナを含有しなくても十分な熱伝導性が得られる。
また、本明細書において、「粒径」とは、特に限定しない限り、レーザ回折・光散乱法に基づく粒度分布測定によって得られた体積基準の粒径をいう。本明細書において「平均粒子径」とは、特に限定しない限り、レーザ回折・光散乱法に基づく体積基準の粒度分布において、粒径が小さい微粒子側からの累積頻度50体積%に相当する粒径(D50、メジアン径ともいう。)をいう。
なお、本明細書において、「ベアリング効果」とは、粒径の大きな粒子の間に粒径の小さな粒子が入り込むことにより、粒径の大きな粒子の移動をより自由にし、樹脂組成物全体としての流動性を向上させるものである。
本発明の粉粒状半導体封止用樹脂組成物は、さらに(E)成分の微細シリカを含有することで、溶融粘度を低下させ、流動性を高めることができる。(E)成分の微細シリカの形状は特に制限されないが、球状であることが好ましい。また、(E)成分の微細シリカの平均粒子径は2μm未満であることが好ましい。平均粒子径が2μm未満の微細シリカを加えることにより(D)成分の球状アルミナとの最密充填性が高まる。更に、シリカ成分であることにより、後述するカップリング剤との親和性が高まり樹脂組成物の機械的強度が上昇する。また、(D)成分の球状アルミナと比較し、熱伝導率が低い為、外部より加えられた熱を放出することなく樹脂内部に伝えることができる。その為、溶融粘度を低下させ、流動性を高めることができ、ワイヤ流れの低減に効果がある。
本発明の粉粒状半導体封止用樹脂組成物には、樹脂組成物の融け性を高め、ワイヤ流れの発生を抑制するために、さらに(F)可塑剤を含有させることができる。(F)成分の可塑剤としては、特に、融点が100~170℃の有機リン化合物が、分散性が良好で添加による効果が大きいことから好ましく、なかでも、非環状ポリホスファゼン化合物、環状ホスファゼン化合物が好ましい。
(F)成分の可塑剤として、好ましい市販品を例示すると、例えば、大塚化学(株)製のSPS-100、SPB-100、SPB-100L、SPE-100、(株)伏見製薬所製のFP-100(以上、いずれも商品名)等が挙げられる。
本発明の粉粒状半導体封止用樹脂組成物の溶融粘度は、好ましくは30Pa・s以下、より好ましくは20Pa・s以下である。
また、上記粉粒状半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱伝導率は、好ましくは3~6W/mkとすることができる。
さらに、上記粉粒状半導体封止用樹脂組成物の硬化物の誘電率は、好ましくは5~8、より好ましくは6~8とすることができる。
なお、上記各物性値の測定は、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。
本発明の半導体装置は、基板と、基板上に固定されボンディングワイヤにより回路を形成している半導体素子とを備え、該半導体素子およびボンディングワイヤを、上記粉粒状半導体封止用樹脂組成物を用いて封止したものである。
まず、成形型の上型に半導体部品を実装した基板を供給するとともに、下型のキャビティ内に粉粒状にした本発明の半導体封止用樹脂組成物を供給する。次いで、上下両型を所要の型締圧力にて型締めすることにより、下型キャビティ内で加熱溶融された樹脂組成物に半導体部品を浸漬する。この後、下型キャビティ内で加熱溶融された樹脂組成物をキャビティ底面部材で押圧し、減圧下、所要の圧力を加え、圧縮成形する。成形条件は、好ましくは、温度120~200℃、圧力2~20MPaである。このような成形条件で圧縮成形することにより、本発明の半導体装置が得られる。
エポキシ樹脂(a-1)1.55部;エポキシ樹脂(a-2)3.40部;フェノール性硬化剤(b)3.19部;硬化促進剤(c)0.30部;球状アルミナ(d-2)20.96部、球状アルミナ(d-5)59.73部および球状の微細シリカ(e)9.81部の混合物;可塑剤(f)0.50部;カップリング剤0.20部、ならびに着色剤0.25部を常温(20℃)で混合し、次いで、120℃で加熱混練した。冷却後、スピードミルを用いて粉砕した粉粒状半導体封止用樹脂組成物を得た。
表2に記載の種類及び配合量の各成分に変更した以外は、実施例1と同様にして粉粒状半導体封止用樹脂組成物を得た。なお、表2中、空欄は配合なしを表す。
(1)スパイラルフロー
粉粒状半導体封止用樹脂組成物を金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間150秒間の条件で、トランスファー成形し、樹脂組成物の流動距離(cm)を測定した。
高化式フローテスタ((株)島津製作所製、CFT-500C)を用い、ノズル長1.0mm、ノズル径0.5mm、温度175℃、荷重圧力10kgf/cm2(約0.98MPa)の条件で溶融粘度を測定した。
粉粒状半導体封止用樹脂組成物7gを直径50mmのアルミカップに入れ、175℃のオーブンにて10分間加熱溶融させた後、溶融した樹脂組成物の中央部直径約42mm(1+2/3インチ)を300dpiの解像度でカラー撮像して、直径500pixelの円の輝度情報を取得した。
さらに、演算処理により、下記式より歪度および尖度を求めた。
なお、中央値輝度50以下、歪度0~3.0、尖度0~3.5を合格とした。
粉粒状半導体封止用樹脂組成物を用いて、FBGAパッケージ(50mm×50mm×0.54mm、チップ厚0.31mm)を、金型温度175℃で、硬化時間2分間の条件で圧縮成形した後、金型と半導体素子間の狭小部の未充填部や突起等の外観不良の発生を目視により観察し、下記の基準で評価した。
○:狭小部への未充填部、及び突起がなく、外観不良なし(良好)
×:狭小部への未充填部、及び/又は突起があり、外観不良あり(不良)
粉粒状半導体封止用樹脂組成物を金型温度175℃、硬化時間10分間の条件で円盤状試験片状(直径100mm、厚さ26mm)の成型品を作成し、迅速熱伝導率計(京都電子工業(株)製、製品名:Kemtherm QTM-3)を用いて熱伝導率を測定した。
なお、熱伝導率3~6W/mkを合格とした。
粉粒状半導体封止用樹脂組成物を金型温度175℃、硬化時間10分間の条件で円盤状試験片状(直径50mm、厚さ3mm)の成形品(テストピース)を作成し、該テストピースを金型温度175℃で8時間ポストキュアした後、日本ヒューレットパッカード(株)製のQメータにて誘電率を周波数1MHzで測定した。
なお、誘電率5~8を合格とした。
粉粒状半導体封止用樹脂組成物を用いて、金型温度175℃、硬化時間2分間、次いで金型温度175℃、硬化時間8時間の条件でFBGAパッケージ(50mm×50mm×0.54mm、チップ厚0.31mm)を圧縮成形法で成形した後、X線検査装置(ポニー工業(株)製)によりワイヤの変形を観察し、最大変形部のワイヤ流れ率を測定し、下記の基準で評価した。
○:ワイヤ流れ率3%未満(良好)
×:ワイヤ流れ率3%以上(不良)
(1)耐半田リフロー性
上記(7)で作製したFBGAパッケージに、30℃、相対湿度60%、192時間の吸湿処理を施した後、IRリフロー処理(260℃、10秒)を行い、パッケージの内部クラック(剥離)の発生の有無を超音波探傷装置(SAT)で観察し、その発生率(不良数(個)/総数(個))を調べた(n=20)。
Claims (5)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促進剤、及び(D)球状アルミナを含有する粉粒状半導体封止用樹脂組成物であって、
前記(D)球状アルミナは、該樹脂組成物中に75質量%以上95質量%未満含まれるとともに、(D)球状アルミナ中に(D1)粒径2μm未満の球状アルミナを0~15質量%、(D2)粒径2μm以上10μm未満の球状アルミナを20~80質量%、(D3)粒径10μm以上20μm以下の球状アルミナを20~80質量%、及び(D4)粒径20μmを超える球状アルミナを0~1質量%含有し、質量基準の粒度分布において、粒径2μm以上10μm未満の領域及び粒径10μm以上20μm以下の領域に、それぞれ1つ以上の極大値を有し、
さらに、平均粒子径2μm未満の(E)微細シリカを(D)球状アルミナと(E)微細シリカの合計量に対し0.1~20質量%含有し、
さらに、(F)可塑剤として、融点が100~170℃の有機リン化合物を0.1~1質量%含有することを特徴とする粉粒状半導体封止用樹脂組成物。 - 前記粉粒状半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱伝導率が3~6W/mk、及び/又は誘電率が5~8であることを特徴とする請求項1に記載の粉粒状半導体封止用樹脂組成物。
- 請求項1又は2に記載の粉粒状半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体装置が指紋センサを備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置がシステムインパッケージを備えることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
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