TW201829609A - 樹脂組合物、樹脂片及半導體裝置、以及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

樹脂組合物、樹脂片及半導體裝置、以及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種即便厚度變薄而操作性或成形性亦良好且可長期保持柔軟性之適合於半導體元件之密封的樹脂片、及使用該樹脂片而製造之半導體裝置。 本發明係一種樹脂片、及使用該樹脂片將半導體元件密封而成之樹脂密封型半導體裝置，該樹脂片係使用以(A)萘二環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充材、及(E)高分子離子系分散劑作為必需成分且高化式流動黏度為1～200 Pa・s之樹脂組合物而獲得。

Description

樹脂組合物、樹脂片及半導體裝置、以及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種樹脂組合物、樹脂片及半導體裝置、以及該半導體裝置之製造方法。
作為用於電子設備之電子零件，有將半導體元件進行樹脂密封而獲得之半導體封裝。先前以來，該半導體封裝一般係藉由使用固形之環氧樹脂密封材之轉移成形而製造。近年來，隨著電子設備之小型化、輕量化，逐漸要求電子零件於配線基板上之高密度安裝，於半導體封裝中亦正推進小型化、薄型化、輕量化。 具體而言，正在開發LOC(Lead on Chip，晶片表面引腳封裝)、QFP(Quad Flat Package，四方扁平封裝)、CSP(Chip Size Package，晶片尺寸封裝)、BGA(Ball Grid Array，球柵陣列)等半導體封裝。進而，最近，亦正在開發將半導體元件之電路面朝配線基板側搭載之所謂面朝下型封裝之覆晶或晶圓級CSP等。 如此，隨著半導體封裝之小型化、薄型化等之進展，逐漸產生利用先前之轉移成形無法應對之情況。即，若半導體封裝變薄，則考慮到硬化後之特性等，大多情況下增多密封材中調配之無機填充材之比率。然而，若無機填充材之比率變多，則轉移成形時之密封材之熔融黏度變高，密封材之填充性降低。其結果為，產生填充不良、成形物中殘存孔隙、導線偏移(接合線之變形、破損)及載台位移之增大等，導致成形品之品質降低。 因此，作為代替轉移成形之密封方法，正研究應用壓縮(compression)成形法，且提出了各種該壓縮成形法使用之片狀之密封材料。例如，於專利文獻1中揭示有一種密封用樹脂片，其係積層複數片包含含有環氧樹脂、硬化劑、硬化觸媒(或硬化促進劑)及無機填料之環氧樹脂組合物的樹脂片並進行加熱壓合而成。 於專利文獻2中揭示有一種包含於70～150℃下軟化或熔融之熱硬化性樹脂組合物的厚度3.0 mm以下之片狀之密封材料。又，我等提出了一種如專利文獻3般即便厚度變薄而操作性亦優異、適合作為薄型化之半導體元件之壓縮成形用密封材料之密封用樹脂片。 然而，關於專利文獻1之密封用樹脂片，若封裝或晶圓尺寸變大，則於成形品產生翹曲(翹曲例如可藉由調配大量二氧化矽等無機填充材而改善，但於此情形時因熔融黏度之增大會產生如上所述之填充不良等問題)。 另一方面，專利文獻2之片狀之密封材料雖亦可充分應對大尺寸之封裝等，但若為了謀求進一步薄型化而將片材厚度減薄至0.5 mm左右，則容易破裂，又，變得難以搬入於模具中。 專利文獻3之密封用樹脂片雖提昇所成形之半導體製品之可靠性，但於以晶圓尺寸進行密封之情形時，無法充分地滿足翹曲等級。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平8-73621號公報 [專利文獻2]日本專利特開2006-216899號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-9814號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於提供一種即便厚度變薄而操作性或成形性亦良好且可長期保持柔軟性之適合於半導體元件之密封的樹脂片及成為該樹脂片之材料之樹脂組合物。進而，本發明之目的在於提供一種使用該樹脂片進行密封、翹曲良好且製品之可靠性優異之樹脂密封型半導體裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人為了達成上述目的而反覆進行了銳意研究，結果發現：藉由對特定之環氧樹脂併用特定之分散劑，可獲得即便厚度變薄而操作性及成形後之翹曲程度亦良好並且可長期保持柔軟性之樹脂片，從而完成了本發明。 即，本發明之樹脂組合物之特徵在於含有：(A)含有萘二環氧樹脂之環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充材、及(E)高分子離子系分散劑作為必需成分，且於溫度175℃、荷重10 kg(剪切應力1.23×105 Pa之環境下)下所測得之高化式流動黏度為1～200 Pa・s。 本發明之樹脂片之特徵在於：其係將本發明之樹脂組合物作為材料而得之片狀成形體。 本發明之半導體裝置之特徵在於：其係具有固定於基板上之半導體元件、及將上述半導體元件密封之密封樹脂者，且上述密封樹脂為本發明之樹脂組合物之硬化物。 又，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：於固定於基板上之半導體元件上覆蓋本發明之樹脂片，使上述樹脂片藉由加熱而密接於上述半導體元件並且使之硬化，藉此進行密封。 [發明之效果] 根據本發明之樹脂組合物及樹脂片，可獲得操作性及成形性良好且可長期保持柔軟性之樹脂片，藉由壓縮成形法可高效率且良好地密封半導體元件。 根據本發明之半導體裝置之製造方法，由於使用有上述本發明之樹脂片，故而可高效率且良好地密封半導體元件，藉此所獲得之半導體裝置可製成高品質且具備較高之可靠性者。
以下，針對作為本發明之一實施形態之樹脂組合物、樹脂片、半導體裝置及半導體裝置之製造方法，詳細地進行說明。 本實施形態中使用之(A)成分之環氧樹脂係含有萘二環氧樹脂而成者，且萘二環氧樹脂係具有以下化學式(1)所表示之結構之2官能之環氧樹脂。又，該(A)成分之環氧樹脂較佳為液狀環氧樹脂。 [化1](式中，p為1～5，q為1～5) 該(A)成分之環氧樹脂為如下成分：與普通之密封用環氧樹脂相同，對樹脂組合物或其硬化物賦予低吸濕性、良好之硬化性、高耐熱性、環境協調性(應對無鉛焊料，非鹵素阻燃性)等特性，此外藉由與下文所述之(E)成分之高分子離子系分散劑一起使用，而即便高度填充(D)成分之無機填充材，亦可容易使樹脂組合物之熔融黏度維持於較佳之範圍。 該(A)成分之環氧樹脂較佳為於50℃下之黏度為0.6 Pa・s以下。其原因在於：若其黏度超過0.6 Pa・s，則有無法高度填充無機填充材，又，樹脂組合物之熔融黏度上升導致操作變難之虞。 作為該(A)成分之環氧樹脂，可單獨使用萘二環氧樹脂作為(A)成分之環氧樹脂，亦可混合使用其他環氧樹脂作為(A)成分之環氧樹脂。此處，作為其他環氧樹脂，無論為結晶性、非晶性均可調配。 再者，於混合使用其他環氧樹脂之情形時，較佳為使(A)成分之環氧樹脂中含有萘二環氧樹脂50質量%以上，更佳為含有70質量%以上。 作為該(A)成分所使用之萘二環氧樹脂，具體而言，可列舉DIC(股)之HP-4032D(商品名，為於上述通式(1)中p＝1、q＝1、環氧當量140 g/eq、50℃黏度0.5 Pa・s之化合物)等。 又，作為其他環氧樹脂(除萘二環氧樹脂以外之環氧樹脂)，例如可列舉：聯苯環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、含三核之環氧樹脂等雜環型環氧樹脂、茋型二官能環氧化合物、萘型環氧樹脂、縮合環芳香族烴改性環氧樹脂、脂環型環氧樹脂等。 作為本實施形態中使用之(B)成分之酚樹脂硬化劑，可列舉具有可與(A)成分之環氧樹脂之環氧基反應而使之硬化之酚性羥基的化合物，可列舉公知之環氧樹脂用酚樹脂硬化劑。 該(B)成分之酚樹脂硬化劑只要為分子中具有2個以上可與上述(A)成分之環氧樹脂中之環氧基反應之酚性羥基者，則可無特別限制地使用。 作為(B)成分之酚樹脂硬化劑，具體而言，可列舉：使苯酚、烷基苯酚等酚類與甲醛或多聚甲醛反應而獲得之苯酚酚醛清漆型樹脂或甲酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、將該等酚醛清漆型酚樹脂環氧化或丁基化而得之改性酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯改性酚樹脂、對二甲苯改性酚樹脂、酚系芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂、三苯酚烷烴型酚樹脂、多官能型酚樹脂等。該等可單獨使用1種，亦可將2種以上混合使用。 該(B)成分之酚樹脂硬化劑之調配量較佳為(B)成分之酚樹脂硬化劑所具有之酚性羥基數(b)相對於上述(A)成分之環氧樹脂所具有之環氧基數(a)的比(b)/(a)成為0.3以上且1.5以下之範圍，更佳為成為0.5以上且1.2以下之範圍。若比(b)/(a)未達0.3，則硬化物之耐濕可靠性降低，反之，若超過1.5，則硬化物之強度降低。 本實施形態中使用之(C)成分之硬化促進劑係促進(A)成分之環氧樹脂與(B)成分之酚樹脂硬化劑之硬化反應的成分。該(C)成分之硬化促進劑只要為發揮上述作用者，則可無特別限制地使用公知之硬化促進劑。 作為該(C)成分之硬化促進劑，具體而言，可列舉：2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-異丙基咪唑、2-十一烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑、2-苯基-4-羥甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑等咪唑類；1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7(DBU)、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯、5,6-二丁基胺基-1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7等二氮雜雙環化合物及該等之鹽；三乙胺、三乙二胺、二甲苄胺、α-甲基二甲苄胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺類；三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、甲基二苯基膦、二丁基苯基膦、三環己基膦、雙(二苯基膦)甲烷、1,2-雙(二苯基膦)乙烷等有機膦化合物等。該等之中，就流動性及成形性良好之觀點而言，較佳為咪唑類。該等可單獨使用1種，亦可將2種以上混合使用。 該(C)成分之硬化促進劑之調配量較佳為相對於樹脂組合物整體為0.1～5質量%之範圍。若該調配量未達0.1質量%，則有硬化性之促進不充分之虞，反之，若超過5質量%，則有成形品之耐濕可靠性降低之虞。 本實施形態中使用之(D)成分之無機填充材係填充於樹脂組合物中，調整樹脂組合物之黏度、或提高製成下文所述之樹脂片時之操作性及成形性的成分。作為該(D)成分之無機填充材，只要為此種樹脂組合物中通常使用之公知之無機填充材，則可無特別限制地使用。 關於該(D)成分之無機填充材，具體而言，例如可列舉：熔融二氧化矽、晶質二氧化矽、破碎二氧化矽、合成二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂等氧化物粉末、氫氧化鋁、氫氧化鎂等氫氧化物粉末、氮化硼、氮化鋁、氮化矽等氮化物粉末等。該等無機填充材可單獨使用1種，亦可將2種以上混合使用。 作為該(D)成分之無機填充材，就提高樹脂片之操作性或成形性之觀點而言，上述例示之例中，較佳為二氧化矽粉末，更佳為熔融二氧化矽，尤佳為球狀熔融二氧化矽。又，亦可將熔融二氧化矽與除熔融二氧化矽以外之二氧化矽併用，於此情形時，除熔融二氧化矽以外之二氧化矽之比率較佳為設為未達二氧化矽粉末整體之30質量%。 又，(D)成分之無機填充材較佳為平均粒徑為0.5～40 μm，更佳為5～30 μm。又，(D)成分之無機填充材之最大粒徑進而較佳為105 μm以下。 若平均粒徑未達0.5 μm，則有製成樹脂組合物時之流動性降低、成形性受損之虞。若平均粒徑超過40 μm，則有於使樹脂組合物硬化而獲得之成形品產生翹曲、或尺寸精度降低之虞。又，若最大粒徑超過105 μm，則有樹脂組合物之成形性降低之虞。 於本說明書中，(D)成分之無機填充材之平均粒徑例如可藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置而求出，平均粒徑係於利用同一裝置所測得之粒度分佈中累計體積成為50%之粒徑(d50)。 (D)成分之無機填充材之調配量較佳為相對於樹脂組合物整體為70～95質量%之範圍，更佳為75～90質量%之範圍。若該調配量未達70質量%，則樹脂組合物之線膨脹係數增大，成形品之尺寸精度、耐濕性、機械強度等會降低。又，若該調配量超過95質量%，則有如下擔憂：使樹脂組合物成形所獲得之樹脂片容易破裂，或樹脂組合物之熔融黏度增大導致流動性降低，並且成形性降低。 本實施形態中使用之(E)成分之高分子離子系分散劑係於樹脂組合物中抑制(D)成分之無機填充材凝集並使之分散的離子性之化合物。此處，所謂高分子係指分子量大約2千以上之低聚物。 作為該(E)成分之高分子離子系分散劑，陽離子系、陰離子系、或兩性離子系均可使用，例如可列舉具有聚羧酸或聚胺結構之分散劑作為較佳者。 作為該陽離子系分散劑，較佳為具有聚胺結構者。若例示具有聚胺結構之高分子離子系分散劑之市售品，例如可列舉Croda Japan(股)製造之KD-1(商品名)等。 又，若例示具有聚羧酸結構之高分子離子系分散劑之市售品，例如可列舉Croda Japan(股)製造之KD-9(商品名)。(E)成分之高分子離子系分散劑可單獨使用1種，亦可將2種以上混合使用。 藉由將該(E)成分之高分子離子系分散劑與(A)成分之萘二環氧樹脂一起使用，容易將高度填充有(D)成分之無機填充材時之組合物之熔融黏度維持於較佳之範圍。又，於使用此種組成之樹脂組合物之情形時，可減小所成形之樹脂片於硬化後之翹曲，進一步提高耐熱性。 為了獲得上述性能，(E)成分之高分子離子系分散劑之調配量較佳為相對於樹脂組合物整體為0.05～5質量%之範圍，更佳為0.1～2質量%之範圍。若未達0.05質量%，則無法充分地獲得上述效果，又，若超過5質量%，則存在樹脂片發黏導致難以自模具脫模之情況。 於本實施形態之樹脂組合物中，除上述各成分以外，可於不阻礙本實施形態之性能之範圍內調配例如偶合劑；合成蠟、天然蠟、高級脂肪酸、高級脂肪酸之金屬鹽等離型劑；碳黑、鈷藍等著色劑；聚矽氧油、聚矽氧橡膠等低應力賦予劑；水滑石類；離子捕捉劑等此種樹脂組合物中通常調配之成分。 作為偶合劑，可使用環氧矽烷系、胺基矽烷系、脲基矽烷系、乙烯基矽烷系、烷基矽烷系、有機鈦酸酯系、醇化鋁系等偶合劑。該等可單獨使用1種，亦可將2種以上混合使用。 就成形性、阻燃性、硬化性等觀點而言，該偶合劑較佳為胺基矽烷系偶合劑，尤佳為γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷等。 偶合劑之調配量較佳為成為樹脂組合物整體之0.01質量%以上且3質量%以下之範圍，更佳為成為0.1質量%以上且1質量%以下之範圍。若未達樹脂組合物整體之0.01質量%，則有於成形性之提昇方面不大有效果之虞，反之，若超過3質量%，則有於成形時發泡而導致於成形品產生孔隙或表面鼓出等之虞。 本實施形態之樹脂組合物係含有上述(A)包含萘二環氧樹脂之環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充材及(E)高分子離子系分散劑作為必需成分而成。於該樹脂組合物中亦可調配上述視需要而調配之各種成分。 關於該樹脂組合物，將其高化式流動黏度設為1～200 Pa・s之範圍。藉由將高化式流動黏度設為上述範圍，可獲得良好之成形性。若該黏度未達1 Pa・s，則產生內部孔隙之擔憂會變高，若超過200 Pa・s，則會引起未填充等外觀不良。 再者，本實施形態中之樹脂組合物之高化式流動黏度係使用流動特性評價裝置於溫度175℃、荷重10 kg(剪切應力1.23×105 Pa之環境下)下所測得之熔融黏度。此處，作為流動特性評價裝置，例如可列舉島津製作所(股)製造之Flow Tester CFT-500型(商品名)等。 該樹脂組合物例如可以如下方式製備而獲得。 首先，將(A)包含萘二環氧樹脂之環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充材、(E)高分子離子系分散劑、及上述視需要而調配之各種成分藉由混合機等充分地混合(乾摻)，其後，藉由熱輥或捏合機等混練裝置進行熔融混練並進行冷卻後，粉碎成適當之大小。 粉碎方法並無特別限制，可使用普通之粉碎機，例如：快速磨機(Speed Mill)、切割式粉碎機(Cutting Mill)、球磨機(Ball Mill)、旋風磨碎機(cyclone Mill)、錘磨機(Hammer Mill)、振磨機(Vibrational Mill)、切碎機(Cut Mill)、磨碎機(Grinder Mill)等。作為粉碎方法，較佳為快速磨碎。關於粉碎物，其後可藉由篩分級或空氣分級等製備成具有特定之粒度分佈之粒子集合體。 繼而，針對本實施形態之樹脂片進行說明。本實施形態之樹脂片係以上述方式製備之環氧樹脂組合物為材料並將其成形為片狀而獲得之片狀成形體。 該樹脂片例如可藉由將本實施形態之樹脂組合物於加壓構件間進行加熱熔融並進行壓縮使之成形為片狀而獲得。更具體而言，於聚酯膜等耐熱性離型膜上以成為大致均一之厚度之方式供給上述樹脂組合物而形成樹脂層，其後，一面使樹脂層加熱軟化一面藉由輥及熱壓進行壓延。此時，於樹脂層上亦配置聚酯膜等耐熱性膜。 以此方式將樹脂層壓延成所需厚度，其後進行冷卻固化，將耐熱性膜剝離，進而視需要切斷成所需之大小、形狀。藉此，可獲得任意大小之樹脂片。 再者，使樹脂層軟化時之加熱溫度通常為80～150℃左右。若加熱溫度未達80℃，則有熔融混合不充分之虞，若超過150℃，則有硬化反應過度進行導致於加熱硬化時成形性降低之虞。 該樹脂片較佳為藉由高化式流變儀於溫度175℃、荷重10 kg(剪切應力1.23×105 Pa)之條件下所測得之熔融黏度為2～50 Pa・s，更佳為3～20 Pa・s。若熔融黏度未達2 Pa・s，則有容易產生毛邊之虞，若超過50 Pa・s，則有填充性降低、產生孔隙或未填充部分之虞。 該樹脂片適合於半導體元件等零件之密封，根據其密封對象之零件之大小等適當調整其大小而設置。該樹脂片之大小可任意地製作，例如較佳為200×200 mm～600×600 mm等。 又，該樹脂片較佳為厚度為0.1～2 mm。只要厚度為0.1 mm以上，則無破裂之虞，操作性優異，亦可無阻礙且容易地進行於壓縮成形用模具中之搬入。又，只要厚度為2 mm以下，則於半導體密封時，於模具內之樹脂片之熔融亦不會延遲而導致成形不良。 本實施形態之樹脂密封型半導體裝置可藉由對固定於基板上之半導體元件使用上述樹脂片，藉由壓縮成形進行密封而製造。以下，記載該方法之一例。 首先，對安裝有半導體元件之基板，以利用2片上述樹脂片夾住之方式於半導體元件上覆蓋樹脂片，並將其配置於壓縮成形用模具之模腔內之特定位置，以特定之溫度、特定之壓力進行壓縮成形。成形條件較佳為設為溫度100～190℃、壓力4～12 MPa。成形後，於130～190℃之溫度下進行2～8小時左右之後硬化。藉由該加熱硬化，樹脂片密接於半導體元件並硬化，可製造以不使半導體元件與外部環境接觸之方式進行密封之樹脂密封型半導體裝置。 以此方式獲得之半導體裝置由於係藉由使用即便較薄而亦容易操作且成形性優異之樹脂片的壓縮成形進行密封，故而即便為薄型，亦可具備較高之品質及較高之可靠性。 再者，於本實施形態之半導體裝置中所密封之半導體元件由於只要為公知之半導體元件即可，故而無特別限定，例如可例示IC(integrated circuit，集成電路)、LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)、二極體、閘流體、電晶體等。尤其是於如利用先前之密封材料難以密封且密封後之厚度成為0.1～1.5 mm之半導體元件之情形時，使用上述樹脂片之半導體裝置之製造方法尤其有用。 [實施例] 繼而，藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明絲毫不受該等實施例所限定。再者，於以下實施例及比較例中所使用之原料如表1所示。 (實施例1～5、比較例1～6) 將各原料以成為表1所示之組成(質量%)之方式於常溫下進行混合，繼而，使用熱輥於80～130℃下進行加熱混練。冷卻後，使用快速磨機進行粉碎，而製備環氧樹脂組合物。 將所獲得之環氧樹脂組合物利用包含聚酯之離型膜夾住，置於80℃之熱板間，以10 MPa之壓力進行1分鐘加熱及加壓，而製作厚度0.5 mm之樹脂片。 進而，使用所獲得之樹脂片進行半導體晶片之密封。即，首先，自所獲得之樹脂片切取150 mm×30 mm之片材。將該所切取之樹脂片置於壓縮成形用模具內，於其上重疊安裝有半導體晶片之基板，進而於其上重疊上述樹脂片，於8.0 MPa之加壓下，以175℃且30分鐘之條件進行壓縮成形。其後，於175℃下進行4小時之後硬化，而製造半導體裝置。 [表1] 再者，此處所使用之原料如下所述。 (A)環氧樹脂 萘二環氧樹脂：HP-4032D(DIC(股)製造，商品名) 萘骨架型4官能環氧樹脂：HP-4700(DIC(股)製造，商品名) 聯苯型環氧樹脂：YX-4000H(三菱化學(股)製造，商品名) 鄰甲酚型環氧樹脂：CNE-2000ELB(日本長春(股)製造，商品名) (B)酚樹脂硬化劑 苯酚酚醛清漆型酚樹脂：BRG-557(昭和高分子(股)製造，商品名) 三苯酚甲烷型酚樹脂：MEH-7500(明和化成(股)製造，商品名) (C)硬化促進劑 咪唑：2P4MHZ(四國化成(股)製造，商品名) (D)無機填充材 熔融二氧化矽1：FB-75(Denka(股)製造，商品名) 熔融二氧化矽2：FB-55(Denka(股)製造，商品名) 熔融二氧化矽3：SC-4500SQ(Admatechs(股)製造，商品名) 晶質二氧化矽：CRYSTALITE 5X(龍森(股)製造，商品名) (E)分散劑 聚胺系分散劑：KD-1(Croda公司製造，商品名) 聚羧酸系分散劑：KD-9(Croda公司製造，商品名) (其他添加劑) 矽烷偶合劑：Z-6883(Dow Corning Toray(股)製造，商品名；3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷) 著色劑：MA-600(三菱化學(股)製造，商品名；碳黑) 聚矽氧油：SF-8421(Dow Corning Toray(股)製造，商品名) 又，針對上述各實施例及各比較例所獲得之環氧樹脂組合物、樹脂片、及半導體裝置(製品)，利用以下所示之方法評價各種特性。將其結果合併示於表1。 ＜樹脂組合物＞ (1)螺旋流動 使用依據EMMI標準之模具，以溫度175℃、壓力9.8 MPa進行轉移成形並進行測定。 (2)凝膠時間 依據JIS C 2161之7.5.1所規定之凝膠化時間A法，將約1 g之環氧樹脂組合物塗佈於175℃之熱板上，利用攪拌棒進行攪拌，對直到成為凝膠狀而無法進行攪拌為止之時間進行測定。 (3)高化式流動黏度 藉由流動特性評價裝置(島津製作所(股)製造，製品名：Flow Tester CFT-500型)，對於溫度175℃、荷重10 kg(剪切應力1.23×105 Pa之環境下)下之熔融黏度進行測定。 ＜樹脂片＞ (1)可撓性 切取寬度10 mm、長度50 mm、厚度0.5 mm之樹脂片，夾住距一端15 mm之部分，將其設置於台座上高度18 mm處，並測定直到樹脂片之一端因自身重量而與台座上表面接觸為止之時間(初始)。關於可撓性，就作業性之方面而言，較佳為未達600秒，更佳為未達300秒。 又，另外切取寬度10 mm、長度50 mm、厚度0.5 mm之樹脂片，於25℃下放置168小時，其後，同樣地夾住距一端15 mm之部分，將其設置於台座上高度18 mm處，並測定直到樹脂片之一端因自身重量而與台座上表面接觸為止之時間。 ＜硬化物＞ (1)玻璃轉移點(Tg) 利用於175℃下加熱3分鐘使之硬化而獲得之硬化物製作棒狀之樣品，藉由熱分析裝置(TMA)(Seiko Instruments(股)製造，製品名：TMA SS-150)以升溫速度10℃/min之條件進行升溫，對TMA圖進行測定，根據兩條切線之交點而求出。 (2)彎曲強度、彎曲模數 針對以與(1)相同之方式所製作之樣品，依據JIS K 6911，於溫度25℃下進行測定。 (3)吸水率 於12 MPa之加壓下，以175℃且2分鐘之條件進行壓縮成形，繼而，於175℃下進行8小時之後硬化而獲得直徑50 mm、厚度3 mm之圓板狀之硬化物。將該硬化物於127℃、0.25 MPa之飽和水蒸氣中放置24小時，求出處理前後之增加之質量，藉由下式而算出。 吸水率＝增加之質量/硬化物之初始質量 (4)翹曲 於8英吋晶圓(厚度725 μm)上以使樹脂組合物成為厚度300 μm之硬化物之方式於成形溫度150℃、成形壓力100 kg/cm2 下進行10分鐘壓縮成形，並對該成形品之翹曲進行測定。 (5)填充性 於8英吋晶圓(厚度725 μm)上以使樹脂組合物成為厚度300 μm之硬化物之方式於成形溫度150℃、成形壓力100 kg/cm2 下進行10分鐘壓縮成形，並確認該成形品有無未填充。 ＜製品(半導體裝置)＞ (1)耐回焊性(MSL試驗) 對半導體裝置於85℃、85%RH下進行72小時吸濕處理後，進行於240℃之紅外線回焊爐中加熱90秒之試驗(MSL試驗：3級)，對不良(剝離及龜裂)之產生率進行研究(試樣數＝20)。 (2)耐濕可靠性(壓力鍋試驗：PCT) 使半導體裝置於壓力鍋內於127℃、0.25 MPa之條件下吸水72小時後，進行240℃、90秒鐘之蒸氣回焊，對不良(開路不良)之產生率進行研究(試樣數＝20)。 (3)高溫放置可靠性(高度加速壽命試驗：HAST) 將半導體裝置於180℃之恆溫槽中放置1000小時，對不良(開路不良)之產生率進行研究(試樣數＝20)。 如根據表1所明確，本實施例之樹脂片即便於常溫下放置長時間而亦具有柔軟性，且具有良好之操作性。又，硬化後之翹曲較小，操作性良好。 又，關於使用該樹脂片所製造之半導體裝置，於MSL試驗、壓力鍋試驗、高度加速壽命試驗之任一試驗中均獲得了良好之結果，成功確認出作為樹脂密封型半導體裝置，為具有較高之可靠性者。 [產業上之可利用性] 本發明之樹脂片即便厚度變薄而操作性或成形性亦優異。因此，作為薄型化之半導體元件之壓縮成形用密封材料有用，可製造高品質且可靠性較高之樹脂密封型半導體裝置。 又，除半導體元件以外，亦可用作以不暴露於外部環境之方式將零件等密封之樹脂片。

Claims (9)

  1. 一種樹脂組合物，其特徵在於含有：(A)含有萘二環氧樹脂之環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充材、及(E)高分子離子系分散劑作為必需成分，且 於溫度175℃、荷重10 kg(剪切應力1.23×105 Pa之環境下)下所測得之高化式流動黏度為1～200 Pa・s。
  2. 如請求項1之樹脂組合物，其中上述(A)環氧樹脂於50℃下之黏度為0.6 Pa・s以下。
  3. 如請求項1或2之樹脂組合物，其中上述(E)高分子離子系分散劑包含聚胺系分散劑及/或聚羧酸系分散劑。
  4. 如請求項1至3中任一項之樹脂組合物，其中上述(D)無機填充材為二氧化矽粉末，且其含量相對於上述樹脂組合物整體為70～95質量%。
  5. 一種樹脂片，其特徵在於：其係將如請求項1至4中任一項之樹脂組合物作為材料而得之片狀成形體。
  6. 如請求項5之樹脂片，其中上述樹脂片於溫度175℃、荷重10 kg(剪切應力1.23×105 Pa)之條件下所測得之高化式流動黏度為2～50 Pa・s。
  7. 如請求項5或6記載之樹脂片，其中上述樹脂片之厚度為0.1～2 mm。
  8. 一種半導體裝置，其特徵在於：其係具有固定於基板上之半導體元件、及將上述半導體元件密封之密封樹脂者，且 上述密封樹脂為如請求項1至4中任一項之樹脂組合物之硬化物。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：於固定於基板上之半導體元件上覆蓋如請求項5至7中任一項之樹脂片，且 使上述樹脂片藉由加熱而密接於上述半導體元件並且使之硬化，藉此進行密封。
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