JP2009275146A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。
(D)球状シリコーンパウダー。
【選択図】なし
Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。
(D)球状シリコーンパウダー。
下記の表1に示す添加パウダーを用いた。また、これらの添加パウダーの特性について、下記の表1に併せて示す。
トリフェニルホスフィン
酸化ポリエチレンワックス(酸価16)
3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
平均粒径13.2μmの球状溶融シリカ粉末(最大粒径45μm、比表面積3.1m2 /g)
平均粒径0.6μmの球状溶融シリカ粉末(最大粒径20μm、比表面積3.8m2 /g)
平均粒径1.6μmの球状溶融シリカ粉末(最大粒径10μm、比表面積6.1m2 /g)
三菱化学社製、#3030B
Sb2 O3
後記の表2〜表4に示す各成分を、同表に示す割合で配合し、80℃〜170℃に加熱したロール混練機(5分間)にて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することによりエポキシ樹脂組成物を作製した。このようにして得られた各エポキシ樹脂組成物を用いて、下記に示す方法にしたがって特性評価を行い、その結果を後記の表2〜表4に併せて示す。
上記のようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、175℃に加熱した専用金型で円板状に成形し、175℃で5時間加熱することにより、直径50mm×厚み1mmの大きさの円板状硬化体試験片を得る。この試験片の室温(25℃)における直径を、拡大投影機で正確に測定する。さらに、専用金型の内径を同様に、拡大投影機で正確に測定し、金型を構成する材質の線膨張係数と室温(25℃)における専用金型内径とから、175℃における金型内径を正確に算出する。この算出した175℃における金型内径(a)と室温における円板状硬化体の径(b)から、式100×(1−b/a)(%)によって得られる値を硬化収縮率とする。
図1に示すように、縦7mm×横7mm×厚み0.325mmの大きさの複数のシリコンチップ1を、短冊状のガラスエポキシ基板2上に等間隔となるよう配置し、銀(Ag)ペーストを用いて実装し、これらの実装面の全体を、前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、プレス機(TOWA社製)にて樹脂封止した。なお、プレス機の金型温度は175℃とし、封止条件は、トランスファースピード1.5mm/sec、クランプ圧1960N、トランスファー圧49N、キュア時間90秒とした。また、ガラスエポキシ基板上の封止樹脂層の厚みは450μmである。そして、樹脂封止後のパッケージを175℃で5時間加熱し、加熱後のパッケージを温度可変レーザー3次元装置(ティーテック社製)にて観察することにより、パッケージの反り量〔ガラスエポキシ基板の四隅の2つの対角線上におけるパッケージの反りを測定し、両端を結ぶ線と最大離れた反り部までの距離(最大反り量)を求め、2つの対角線上の最大反り量を平均化した値〕を測定した。
Claims (6)
- 下記の(A)〜(D)成分を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)硬化剤。
(C)無機質充填剤。
(D)球状シリコーンパウダー。 - 上記球状シリコーンパウダーが平均粒径0.8〜20.0μmの範囲内のものである請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 上記球状シリコーンパウダーの配合量が0.5〜5.0重量%の範囲内である請求項1または請求項2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- ボールグリッドアレイ用封止材料またはトランスファーアンダーフィル用封止材料である請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置。
- 上記半導体素子を封止してなる半導体装置が、ボールグリッドアレイ構造の半導体装置またはトランスファーアンダーフィルによる半導体装置である請求項5記載の半導体装置。
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