JP2002037863A - 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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Abstract
る片面封止型のパッケージが得られる封止用エポキシ樹
脂組成物を提供する。またその封止用エポキシ樹脂組成
物を用いて封止された、反りが少なくて、且つ、耐リフ
ロー性に優れる片面封止型半導体装置を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂として下記式(1)等で示
されるエポキシ樹脂の少なくとも何れかのエポキシ樹脂
を含有し、硬化剤として、フェノールノボラック樹脂で
あって、2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェ
ノールノボラック樹脂を含有し、硬化促進剤として、テ
トラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートと
フェノールノボラック樹脂との反応物を含有しているこ
とを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】
Description
に使用される封止用エポキシ樹脂組成物と、これを用い
て封止した半導体装置に関するものである。
分野において小型薄型化が進む中、リード端子数の増加
に対応するために、SOP、QFPに代表される周辺実
装パッケージから、BGA(ボールグリッドアレイ)を
代表とするエリア実装パッケージに主流が移り変わりつ
つある。現状のBGAパッケージの形状は、半導体チッ
プと端子までの接続方法により様々な構造のものが見ら
れるが、その中で主流となっているのが、半導体チップ
とPC基板を金ワイヤーで接続したタイプであり、半導
体チップ搭載面のみをエポキシ樹脂組成物でトランスフ
ァー成形(片面封止)を行った後、PC基板の裏面には
んだボールを載せたタイプである。
て従来から指摘されている問題点としては、その構造が
封止樹脂(エポキシ樹脂組成物の硬化物)とベース基板
が貼り合わされたバイメタル構造となっていて、成形完
了後に常温まで冷却される過程において、それぞれの熱
膨張係数の差異により、冷却時の収縮割合がアンバラン
スとなり、パッケージに反りが発生しやすいということ
が挙げられる。また、このような片面封止型パッケージ
については、封止樹脂とベース基板の密着性が低いため
に、耐リフロー性が満足するレベルに達していないとい
う問題点もあった。
としてトリフェノールメタン型のエポキシ樹脂を用いる
ことによって、封止樹脂のガラス転移温度を成形温度よ
り高くなるようにして、成形後の常温までの冷却での収
縮率がベース基板のそれと同程度になるようにして、反
りを低減する方法が検討されている。
パッケージを製造する際に、上記のトリフェノールメタ
ン型のエポキシ樹脂を用いる方法によれば、パッケージ
の反りについてはかなりの改善が達成されるが、ベース
基板の薄型化の進展(0.5mm厚→0.2〜0.1m
m厚)に伴い、さらなる改善が求められている。また、
パッケージの耐リフロー性の要求レベルも高くなってき
ていて、耐リフロー性についても、さらなる改善が求め
られている。
れたものであり、反りが少なくて、且つ、耐リフロー性
に優れる片面封止型のパッケージが得られる封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供すること、及びその封止用エポキ
シ樹脂組成物を用いて封止された、反りが少なくて、且
つ、耐リフロー性に優れる片面封止型半導体装置を提供
することを目的としている。
止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無
機充填材、硬化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂組
成物において、エポキシ樹脂として下記式(1)、下記
式(2)及び下記式(3)で示されるエポキシ樹脂の少
なくとも何れかのエポキシ樹脂を含有し、硬化剤とし
て、下記式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂
であって、2核体の含有比率が0〜10重量%であるフ
ェノールノボラック樹脂を含有し、硬化促進剤として、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
とフェノールノボラック樹脂との反応物を含有している
ことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物である。
ラフェニルボレートの化学構造式は下記式(5)で表さ
れる。
組成物は、式(1)で示されるエポキシ樹脂を、封止用
エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に4
5〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の
封止用エポキシ樹脂組成物である。
組成物は、式(2)で示されるエポキシ樹脂を、封止用
エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に4
5〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の
封止用エポキシ樹脂組成物である。
組成物は、式(3)で示されるエポキシ樹脂を、封止用
エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に4
5〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の
封止用エポキシ樹脂組成物である。
組成物は、あらかじめシリコーンレジンで被覆されたシ
リコーンゴムパウダーをも含有していることを特徴とす
る請求項1乃至請求項4の何れかに記載の封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
組成物は、封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させて得ら
れる硬化物の成形収縮率が−0.10〜0.10%であ
る請求項1乃至請求項5の何れかに記載の封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
項1乃至請求項6の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂
組成物を用いて封止されてなる片面封止型半導体装置で
ある。
する。
止用エポキシ樹脂組成物は、半導体素子等の封止に使用
されるものであって、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填
材及び硬化促進剤を含有して調製されるものである。
(1)、式(2)及び式(3)で示されるエポキシ樹脂
の少なくとも何れかのエポキシ樹脂を含有していて、こ
のことは、片面封止型のパッケージの反りの改良及び耐
リフロー性の改善に有効である。本発明では、エポキシ
樹脂として、式(1)、式(2)又は式(3)で示され
るエポキシ樹脂以外に、O−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型
エポキシ樹脂等を併用することができる。また、含有量
については、式(1)、式(2)及び式(3)で示され
るエポキシ樹脂の少なくとも何れかのエポキシ樹脂を、
エポキシ樹脂全量中に20〜100重量%の割合で含有
していることが好ましく、更に好ましくは45〜100
重量%の割合で含有していることである。
(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、
2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェノールノ
ボラック樹脂を必須成分として使用する。なお、式
(4)でmが0の場合に2核体となる。この2核体の含
有比率が0〜10重量%であるフェノールノボラック樹
脂を用いることは、片面封止型のパッケージの反りの改
良及び耐リフロー性の改善に有効である。そして、式
(4)で示されるフェノールノボラック樹脂以外の硬化
剤として、例えば、ナフタレン骨格含有フェノール樹
脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノー
ルアラルキル樹脂等を併用することができる。また、式
(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、
2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェノールノ
ボラック樹脂の配合量は、硬化剤全量に対して、20〜
100重量%の範囲が好ましく、更に好ましくは50〜
100重量%である。
的に封止材に使用可能なものを使用することができる。
例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪
素、窒化アルミ等の粉末を使用することができるが、こ
れらのなかでも溶融シリカが好ましい。この無機充填材
の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体に対し、80〜9
3重量%であることが、片面封止型のパッケージの反り
の改良を達成するには好ましい。また、本発明では、無
機充填材と共にシランカップリング剤を使用することが
耐リフロー性を向上するのに好ましい。
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフ
ェノールノボラック樹脂との反応物を必須成分として用
いる。この反応物を用いると、片面封止型のパッケージ
の反り改善に有効である。この反応物は、テトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレート単独のものよ
り硬化促進剤としての活性が大幅に上がり、封止用エポ
キシ樹脂組成物の硬化促進剤として好適な材料である。
そして、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニル
ボレートをフェノールノボラック樹脂と単に混合するの
ではなく、反応させていることが本発明では重要であ
る。その反応条件については、好ましくは150〜20
0℃程度の温度で、テトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂を攪拌
し、攪拌初期に白濁しているものが均一透明になるまで
攪拌して反応物を得るようにする。反応させるときの、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
とフェノールノボラック樹脂の配合比率は、特に限定す
るものではないが、フェノールノボラック樹脂100重
量部に対して、テトラフェニルホスホニウム・テトラフ
ェニルボレートが5〜40重量部程度であることが好ま
しい。また、ここでいうフェノールノボラック樹脂と
は、上記式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂
であり、2核体の含有割合については特に制限はない
が、m=1の3核体が全体の45重量%以上であって、
mが3以上のもの(5核体以上のもの)が全体の40重
量以下であるものが、硬化促進剤としたときの、他の成
分と均一混合性の点から好ましい。
・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂
との反応物以外に、一般的に封止材に使用可能な硬化促
進剤を、本発明では使用することができる。例えば、イ
ミダゾール類、トリフェニルホスフィン、トリメチルホ
スフィン等の有機リン化合物類、1,8−ジアザビシク
ロ(5,4,0)ウンデセン−7(DBU)、トリエタ
ノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン
類等が挙げられる。これらを併用する場合、併用割合
は、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ
ートとフェノールノボラック樹脂との反応物の割合が硬
化促進剤の全体量の50重量%以上であることが好まし
く、80重量%以上であることがより好ましい。
エポキシ樹脂組成物全体に対し、0.03〜2.0重量
%の範囲内であることが好ましい。0.03重量%未満
ではゲル化時間が遅くなり、硬化時の剛性低下により作
業性の低下をもたらすおそれがあり、2.0重量%を越
えると成形途中で硬化が進み未充填となる不具合が発生
しやすくなる。
あらかじめシリコーンレジンで被覆されたシリコーンゴ
ムパウダーを添加して用いることが好ましい。このシリ
コーンゴムパウダーの添加量については、エポキシ樹脂
組成物全体に対し、0.3〜5.0重量%の範囲内であ
ることが好ましい。シリコーンレジンで被覆されたシリ
コーンゴムパウダーは、単なるシリコーンゴムパウダー
よりも2次凝集を起こし難いため、エポキシ樹脂との相
溶性に優れたものとなり、これを配合したエポキシ樹脂
組成物の硬化物は、耐リフロー性が向上したものとな
る。シリコーンレジンで被覆されたシリコーンゴムパウ
ダーの粒径については、特に制限はないが、封止材に通
常用いられる程度の平均粒径、たとえば、平均粒径0.
5〜20μmのものであればよい。
れを硬化させて得られる硬化物の成形収縮率が−0.1
0〜0.10%であることが、片面封止型のパッケージ
の反り低減を達成するためには望ましい。ここでいう成
形収縮率は、JIS規格K−6911 5.7(成形収
縮率:成形材料)で規定される方法で測定される値であ
り、下限を−0.10%と制限しているのは、−0.1
0%よりさらにマイナス側の値になると、金型からの離
脱が困難となり、上限を0.10%としているのは、こ
の値を超えると、パッケージの反りが増大する傾向にあ
るからである。
上記のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、シランカッ
プリング剤、硬化促進剤の他に、必要に応じて、リン系
難燃剤、ブロム化合物、三酸化アンチモン等の難燃剤、
離型剤、カーボンブラックや有機染料等の着色剤等を適
宜配合することができる。
述した各成分をミキサー、ブレンダー等によって均一に
混合した後、加熱ロール、ニーダー等によって混練する
ことで製造することができる。成分の配合順序は特に制
限はない。さらに、混練後に、冷却固化した後、粉砕し
てパウダー化したり、粉砕したものを打錠してタブレッ
ト化することも可能である。
止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形し
て、ベース基板に搭載した半導体素子を、半導体素子搭
載面側の片面から封止して片面封止型のパッケージ(B
GA等)の中間製品を製造することができる。さらに、
この中間製品の半導体素子搭載面と反対側の面に、はん
だボールを載せて半導体装置であるBGAを製造するこ
とができる。前記ベース基板としては、ガラス基材ビス
マレイミド系樹脂基板、ガラス基材エポキシ樹脂基板等
の樹脂基板からなるプリント配線基板を使用することが
できる。
外れた比較例とを示すが、本発明は下記実施例に限定さ
れない。
以下のとおりである。
ノボラック型エポキシ樹脂(住友化学工業(株)製、品
番ESCN195XL)、トリフェノールメタン型エポ
キシ樹脂(日本化薬(株)製、品番EPPN501H
Y)、式(1)で示されるエポキシ樹脂(油化シェルエ
ポキシ(株)製、品番YX4000H)、式(2)で示さ
れるエポキシ樹脂(大日本インキ(株)製、品番EXA
4700)、式(3)で示されるエポキシ樹脂(東都化
成(株)製、品番YDC1312)を用いた。
フェノールノボラック樹脂であって、2核体の含有比率
が15重量%であるフェノールノボラック樹脂(明和化
成(株)製、品番H−1)、前記式(4)で示されるフ
ェノールノボラック樹脂であって、2核体の含有比率が
4重量%であるフェノールノボラック樹脂(明和化成
(株)製、品番DL−92)を使用した。また、難燃剤
として作用するBr化エポキシ樹脂(住友化学工業
(株)製、品番ESB400)も併用した。
ィン(TPPと略す。)又はテトラフェニルホスホニウ
ム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹
脂との反応物(TPPK−Aと略す。)を使用した。使
用したTPPK−Aは、テトラフェニルホスホニウム・
テトラフェニルボレート25重量部と、3核体の含有比
率が69.7重量%、5核体以上の含有比率が4.6重
量%であるフェノールノボラック樹脂75重量部を、窒
素雰囲気下170〜180℃で、2時間加熱攪拌して均
一透明溶融物とし、その後冷却、粉砕して得たものを使
用した。また、離型剤としてはカルナバワックスを使用
し、難燃剤として、上記のBr化エポキシ樹脂と共に三
酸化アンチモンを使用した。
(平均粒径15μm)を用い、シリコーンレジンで被覆
されたシリコーンゴムパウダーとしては、信越化学工業
(株)製の品番KMP600(平均粒径5μm)を使用
した。また、カップリング剤としてはγ−グリシドキシ
プロピルトリエトキシシランを使用し、着色剤として、
カーボンブラックを使用した。
分を表1〜表3に示す配合量(重量部)で配合し、ミキ
サーで十分混合した後、加熱ロールで約5分間混練を行
い、冷却固化し、粉砕機で粉砕して封止用エポキシ樹脂
組成物を得た。
て、硬化物の成形収縮率を測定し、表1〜表3にその結
果を記載した。なお、成形収縮率は、JIS規格K−6
911 5.7(成形収縮率:成形材料)で規定される
方法で測定した(成形条件は温度175℃、成形時間1
20秒、アフターキュアー条件は温度175℃、時間6
時間)。
キシ樹脂組成物を用いて次のようにしてBGAパッケー
ジとしての性能評価のための評価用パッケージを作製し
た。
用TEGチップ(サイズ:7.6mm×7.6mm×0.3
5mm)を搭載したガラス基材ビスマレイミドトリアジン
樹脂基板(サイズ:35mm×35mm×0.4mm)のチッ
プ搭載面側の片面から封止成形(トランスファ成形)し
て、図1に断面図が、図2に平面図が示される評価用パ
ッケージ1を得た。図1、図2において、2は樹脂基
板、3は評価用TEGチップ、4は封止樹脂を示してい
て、この封止樹脂厚みは0.8mmである。成形条件は、
170℃で120秒とし、アフターキュアーを175℃
で6時間の条件で行った。
ポキシ樹脂組成物及びその成形体の物性評価を以下のよ
うにして行い、その結果を表1〜表3に記載した。
用いて、125℃で24時間の前乾燥処理を行った後、
30℃、70%RHの条件に設定した恒温恒湿機中で1
68時間の吸湿処理を行い、その後にリフロー処理(2
45℃ピークの熱風併用式遠赤外線式リフロー炉で処
理)を行った。このリフロー処理後の評価用パッケージ
について、超音波顕微鏡((株)キャノン製M−700
II)で内部の観察を行い、封止樹脂とチップ表面の界面
(チップ面と表1〜表3では表示)、及び封止樹脂と樹
脂基板の界面(基板界面と表1〜表3では表示)におけ
る剥離発生の有無を調べた。なお、各実施例及び各比較
例について、それぞれ10個の評価用パッケージを用い
て評価した。
mmであって、厚みが0.5mmと0.2mmの2種類のFR
5グレードのガラス基材エポキシ樹脂基板の一方の表面
に、サイズ:4mm×4mm×0.3mmの半導体チップをマ
トリックス状に搭載し(チップピッチ10mm)、チップ
搭載面側の片面から、実施例又は比較例の封止用エポキ
シ樹脂組成物を用いて、封止成形(トランスファ成形)
して、反り評価用サンプルを作製した。なお、封止樹脂
厚みは0.8mmであり、成形条件は、170℃で120
秒とし、アフターキュアーを175℃で6時間の条件で
行った。
測定顕微鏡を用い、Z座標測定値の最大値を反り量(単
位mm)とした。すなわち、図3に示すように、反り評価
用サンプルを静置したときの、最大持ちあがり量をパッ
ケージ反り(単位mm)とした。
1〜実施例15の封止用エポキシ樹脂組成物で封止した
場合には、パッケージ反りが小さく、且つ耐リフロー性
が優れていることが確認された。
例1、実施例6、実施例11では、パッケージ反りがよ
り小さくなっていることが確認された。
る発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて片面封止型
のパッケージを封止すれば、反りが少なくて、耐リフロ
ー性に優れる片面封止型のパッケージが得られる。
組成物を用いて片面封止型のパッケージを封止すれば、
上記の効果に加えて、片面封止型のパッケージの反りが
より改善されるという効果を奏する。
項1から請求項6までのいずれかに記載のエポキシ樹脂
組成物を用いているので、パッケージ反りが少なくて、
且つ、耐リフロー性に優れる片面封止型半導体装置とな
る。
図である。
面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬
化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、エポキシ樹脂として下記式(1)、下記式(2)及
び下記式(3)で示されるエポキシ樹脂の少なくとも何
れかのエポキシ樹脂を含有し、硬化剤として、下記式
(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、
2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェノールノ
ボラック樹脂を含有し、硬化促進剤として、テトラフェ
ニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノー
ルノボラック樹脂との反応物を含有していることを特徴
とする封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 - 【請求項2】 式(1)で示されるエポキシ樹脂を、封
止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中
に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記
載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項3】 式(2)で示されるエポキシ樹脂を、封
止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中
に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記
載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】 式(3)で示されるエポキシ樹脂を、封
止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中
に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記
載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項5】 あらかじめシリコーンレジンで被覆され
たシリコーンゴムパウダーをも含有していることを特徴
とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項6】 封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させて
得られる硬化物の成形収縮率が−0.10〜0.10%
である請求項1乃至請求項5の何れかに記載の封止用エ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項6の何れかに記載の
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなる片面
封止型半導体装置。
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JP2000225132A JP2002037863A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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