JP2002012654A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】内部及び外部ボイドが少なく、かつ耐半田信頼
性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
る。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化
剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）及びエ
ポキシ基とポリエーテール基を有するシリコーンオイル
（Ｅ）を含有し、硬化促進剤（Ｃ）が少なくともテトラ
フェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを含
み、無機充填材（Ｄ）が全組成物の８０〜９４重量％で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
る。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化
剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）及びエ
ポキシ基とポリエーテール基を有するシリコーンオイル
（Ｅ）を含有し、硬化促進剤（Ｃ）が少なくともテトラ
フェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを含
み、無機充填材（Ｄ）が全組成物の８０〜９４重量％で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内部及び外部ボイ
ドが少なく、かつ耐半田信頼性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。
ドが少なく、かつ耐半田信頼性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置などの電子回路部分の封止方
法としては、経済性・生産性・物性等のバランスの点か
らエポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤からなる封止用
樹脂を用いた樹脂封止が一般的になっている。
法としては、経済性・生産性・物性等のバランスの点か
らエポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤からなる封止用
樹脂を用いた樹脂封止が一般的になっている。
【０００３】半導体素子を機械的および化学的作用に保
護するための封止材は、経済性・生産性・物性等のバラ
ンスの点からトランスファー成形などで加熱し成形する
封止用樹脂組成物が一般的となっている。この半導体封
止材にはエポキシ化合物と硬化剤および無機充填材が主
成分として配合されているエポキシ樹脂組成物が主に用
いられるが、このうち無機充填材は成形後の半導体装置
の熱膨張率や吸湿率の低減、及び熱伝導率の向上などの
目的で使用されている。しかしこれらの物性向上のため
に無機充填材の配合量を多くすると、成形物に微小のボ
イドが発生する現象が生じやすくなる。このボイドの低
減に効果のあるものとして、シリコーンオイルの添加や
ゲル化時間の遅延が挙げられている（特開平１０−６０
２２８号公報等）。しかし、シリコンオイルの添加のみ
ではボイド低減効果が十分ではなく、これらのシリコー
ンオイルの添加によって、耐半田信頼性の低下、特に各
種金属との密着性が低下することが問題になる。また、
エポキシ樹脂組成物の内部離型剤として、エポキシ樹脂
と反応しうる特定の基を有し、かつ、エポキシ樹脂との
親和性を付与するポリオキシアルキレン基とを有するシ
リコーンオイルを配合することにより、ブリードオフが
無く、優れた離型性と密着性を発現することが報告され
ている（特開昭６０−１３８４１号公報）が、やはり内
部及び外部ボイドが多く、かつ耐半田信頼性に劣るもの
であった。
護するための封止材は、経済性・生産性・物性等のバラ
ンスの点からトランスファー成形などで加熱し成形する
封止用樹脂組成物が一般的となっている。この半導体封
止材にはエポキシ化合物と硬化剤および無機充填材が主
成分として配合されているエポキシ樹脂組成物が主に用
いられるが、このうち無機充填材は成形後の半導体装置
の熱膨張率や吸湿率の低減、及び熱伝導率の向上などの
目的で使用されている。しかしこれらの物性向上のため
に無機充填材の配合量を多くすると、成形物に微小のボ
イドが発生する現象が生じやすくなる。このボイドの低
減に効果のあるものとして、シリコーンオイルの添加や
ゲル化時間の遅延が挙げられている（特開平１０−６０
２２８号公報等）。しかし、シリコンオイルの添加のみ
ではボイド低減効果が十分ではなく、これらのシリコー
ンオイルの添加によって、耐半田信頼性の低下、特に各
種金属との密着性が低下することが問題になる。また、
エポキシ樹脂組成物の内部離型剤として、エポキシ樹脂
と反応しうる特定の基を有し、かつ、エポキシ樹脂との
親和性を付与するポリオキシアルキレン基とを有するシ
リコーンオイルを配合することにより、ブリードオフが
無く、優れた離型性と密着性を発現することが報告され
ている（特開昭６０−１３８４１号公報）が、やはり内
部及び外部ボイドが多く、かつ耐半田信頼性に劣るもの
であった。
【０００４】また、ゲル化時間の遅延により、樹脂粘度
が低く圧力伝達が良好な時間内に発生したボイドを押し
つぶす手法では、半導体装置の生産性が悪くなることが
問題であった。
が低く圧力伝達が良好な時間内に発生したボイドを押し
つぶす手法では、半導体装置の生産性が悪くなることが
問題であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、良好な生産
性を保ちながら、内部、外部ボイドの発生を押さえた半
導体封止用樹脂組成物の開発を目的とするものであり、
同時に半導体装置の熱膨張率や吸湿率の低減、及び熱伝
導率を向上させることにより、耐半田信頼性に優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものである。
性を保ちながら、内部、外部ボイドの発生を押さえた半
導体封止用樹脂組成物の開発を目的とするものであり、
同時に半導体装置の熱膨張率や吸湿率の低減、及び熱伝
導率を向上させることにより、耐半田信頼性に優れた半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は主として以下の構成を有する。すなわち、
「エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化剤（Ｂ）、
硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）及びエポキシ基と
ポリエーテール基を有するシリコーンオイル（Ｅ）を含
有し、硬化促進剤（Ｃ）が少なくともテトラフェニルホ
スホニウム・テトラフェニルボレートを含み、無機充填
材（Ｄ）が全組成物の８０〜９４重量％であることを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」である。
め、本発明は主として以下の構成を有する。すなわち、
「エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化剤（Ｂ）、
硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）及びエポキシ基と
ポリエーテール基を有するシリコーンオイル（Ｅ）を含
有し、硬化促進剤（Ｃ）が少なくともテトラフェニルホ
スホニウム・テトラフェニルボレートを含み、無機充填
材（Ｄ）が全組成物の８０〜９４重量％であることを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【０００８】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、必須成分として、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール
樹脂硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材
（Ｄ）及びエポキシ基とポリエーテール基を有するシリ
コーンオイル（Ｅ）を含有する。さらに、硬化促進剤
（Ｃ）は少なくともテトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレートを含有し、また、無機充填材（Ｄ）
は全組成物に対して８０〜９４重量％の割合で含有する
ものである。
は、必須成分として、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール
樹脂硬化剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材
（Ｄ）及びエポキシ基とポリエーテール基を有するシリ
コーンオイル（Ｅ）を含有する。さらに、硬化促進剤
（Ｃ）は少なくともテトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレートを含有し、また、無機充填材（Ｄ）
は全組成物に対して８０〜９４重量％の割合で含有する
ものである。
【０００９】以下に各成分について説明する。
【００１０】本発明で用いられるエポキシ樹脂（Ａ）
は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものなら
ば特に限定されず、具体的には、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノルノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、イミド変
性エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合し
て用いても差し支えない。これらのエポキシ樹脂の中で
とくにビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂（ａ）が無
機充填材の高充填化を可能にし、かつ成形性、信頼性を
向上させる点で好ましく使用される。またエポキシ樹脂
（Ａ）の添加量は、全組成物の２〜１３重量％の割合で
配合するのが好ましく、最適な配合量は３〜１０重量％
である。このエポキシ樹脂（Ａ）のうちエポキシ樹脂
（ａ）は１０重量％以上添加されるのが好ましい。
は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものなら
ば特に限定されず、具体的には、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノルノボラック型エポキシ樹脂、トリ
フェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、イミド変
性エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合し
て用いても差し支えない。これらのエポキシ樹脂の中で
とくにビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂（ａ）が無
機充填材の高充填化を可能にし、かつ成形性、信頼性を
向上させる点で好ましく使用される。またエポキシ樹脂
（Ａ）の添加量は、全組成物の２〜１３重量％の割合で
配合するのが好ましく、最適な配合量は３〜１０重量％
である。このエポキシ樹脂（Ａ）のうちエポキシ樹脂
（ａ）は１０重量％以上添加されるのが好ましい。
【００１１】本発明で用いられるフェノール樹脂硬化剤
（Ｂ）は、分子中に水酸基を有するものならば特に限定
されるものではないが、好ましいものとしては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パラ
キシリレン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン
型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、イミ
ド変性フェノール樹脂が挙げられ、これらは単独でも混
合して用いても差し支えない。また添加量は、全組成物
の２〜１３重量％の割合で配合するのが好ましく、最適
な配合量は３〜１０重量％である。
（Ｂ）は、分子中に水酸基を有するものならば特に限定
されるものではないが、好ましいものとしては、例え
ば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、パラ
キシリレン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン
型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、イミ
ド変性フェノール樹脂が挙げられ、これらは単独でも混
合して用いても差し支えない。また添加量は、全組成物
の２〜１３重量％の割合で配合するのが好ましく、最適
な配合量は３〜１０重量％である。
【００１２】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）と硬
化剤（Ｂ）の配合比に関してはとくに制限はないが、機
械的性質および耐湿信頼性の点から、エポキシ樹脂
（Ａ）に対する硬化剤（Ｂ）の化学当量比が０．５〜
１．５、とくに０．８〜１．２の範囲にあることが好ま
しい。
化剤（Ｂ）の配合比に関してはとくに制限はないが、機
械的性質および耐湿信頼性の点から、エポキシ樹脂
（Ａ）に対する硬化剤（Ｂ）の化学当量比が０．５〜
１．５、とくに０．８〜１．２の範囲にあることが好ま
しい。
【００１３】本発明に用いられる硬化促進剤（Ｃ）は、
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
を含有することが必要である。後述するエポキシ基とポ
リエーテール基を有するシリコーンオイル（Ｅ）とテト
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを使
用することによって、成形時間を遅延させることなくボ
イドの発生を押さえることができる。またエポキシ基と
水酸基の硬化反応を促進させるものならばテトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレートと併用するこ
とも可能である。併用する硬化促進剤としては、一般に
半導体封止用樹脂組成物に使用されているものを広く利
用することができる。例えば、トリフェニルホスフィ
ン、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトエ酸ボ
レート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダ
ゾール、テトラフェニルホスホウム・テトラ安息酸ボレ
ート等が挙げられ、この中でもトリフェニルホスフィン
がとくに好まれる。全樹脂組成物中の硬化促進剤量は、
０．０１〜１重量％が好ましい。
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
を含有することが必要である。後述するエポキシ基とポ
リエーテール基を有するシリコーンオイル（Ｅ）とテト
ラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを使
用することによって、成形時間を遅延させることなくボ
イドの発生を押さえることができる。またエポキシ基と
水酸基の硬化反応を促進させるものならばテトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレートと併用するこ
とも可能である。併用する硬化促進剤としては、一般に
半導体封止用樹脂組成物に使用されているものを広く利
用することができる。例えば、トリフェニルホスフィ
ン、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトエ酸ボ
レート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダ
ゾール、テトラフェニルホスホウム・テトラ安息酸ボレ
ート等が挙げられ、この中でもトリフェニルホスフィン
がとくに好まれる。全樹脂組成物中の硬化促進剤量は、
０．０１〜１重量％が好ましい。
【００１４】本発明において、無機充填材（Ｄ）は粒径
１μｍ以下のものが５〜１５重量％であり、かつ、７５
μｍ以上のものが１重量％以下であることが好ましい。
また、最大粒径が５０μｍ以下であると近年生産量の増
えてきている薄型のパッケージ、例えばＬＯＣタイプの
パッケージにも問題なく適用できるので、より好まし
い。本発明で用いられる無機充填材（Ｄ）としては、溶
融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アル
ミナ等が挙げられ、特に半導体封止用樹脂組成物の流動
性向上の点から、球状溶融シリカ粉末が望ましい。球状
溶融シリカ粉末の形状は、流動性改善のために、粒子自
体の形状は限りなく真球状であることが望ましく、更に
粒度分布がブロードで有ることが望ましい。全樹脂組成
物中の無機充填材量は、８０〜９４重量％であることが
必要であり、さらに８５〜９２重量％が好ましい。８０
重量％未満だと耐半田信頼性が劣り、９４重量％を越え
ると充分な流動性が得られず、ワイヤー流れ等の不良が
発生する。
１μｍ以下のものが５〜１５重量％であり、かつ、７５
μｍ以上のものが１重量％以下であることが好ましい。
また、最大粒径が５０μｍ以下であると近年生産量の増
えてきている薄型のパッケージ、例えばＬＯＣタイプの
パッケージにも問題なく適用できるので、より好まし
い。本発明で用いられる無機充填材（Ｄ）としては、溶
融シリカ粉末、球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アル
ミナ等が挙げられ、特に半導体封止用樹脂組成物の流動
性向上の点から、球状溶融シリカ粉末が望ましい。球状
溶融シリカ粉末の形状は、流動性改善のために、粒子自
体の形状は限りなく真球状であることが望ましく、更に
粒度分布がブロードで有ることが望ましい。全樹脂組成
物中の無機充填材量は、８０〜９４重量％であることが
必要であり、さらに８５〜９２重量％が好ましい。８０
重量％未満だと耐半田信頼性が劣り、９４重量％を越え
ると充分な流動性が得られず、ワイヤー流れ等の不良が
発生する。
【００１５】更に封止材全体における無機充填材（Ｄ）
の割合が高いため、難燃性が高くなり、従来使用されて
いた難燃剤を使用しなくても難燃性を維持することがで
きる。このことにより、従来から難燃剤として使用して
きたハロゲン成分を封止材成分に添加する必要がなくな
り、環境保護の点で好ましい。
の割合が高いため、難燃性が高くなり、従来使用されて
いた難燃剤を使用しなくても難燃性を維持することがで
きる。このことにより、従来から難燃剤として使用して
きたハロゲン成分を封止材成分に添加する必要がなくな
り、環境保護の点で好ましい。
【００１６】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
ではエポキシ基とポリエーテール基を含有するシリコー
ンオイル（Ｅ）を含有することが必要である。本発明に
おいては、エポキシ基とポリエーテール基を有するシリ
コーンオイル（Ｅ）とテトラフェニルホスホニウム・テ
トラフェニルボレートを含有する硬化促進剤（Ｃ）を使
用することにより、内部及び外部ボイドが少なく、かつ
耐半田信頼性に優れた高充填の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得ることができる。
ではエポキシ基とポリエーテール基を含有するシリコー
ンオイル（Ｅ）を含有することが必要である。本発明に
おいては、エポキシ基とポリエーテール基を有するシリ
コーンオイル（Ｅ）とテトラフェニルホスホニウム・テ
トラフェニルボレートを含有する硬化促進剤（Ｃ）を使
用することにより、内部及び外部ボイドが少なく、かつ
耐半田信頼性に優れた高充填の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得ることができる。
【００１７】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
において、エポキシ基とポリエーテール基を含有するシ
リコーンオイル（Ｅ）としては下記式（１）によって表
されるものが好ましい。エポキシ基とポリエーテール基
を含有するシリコーンオイル（Ｅ）の添加量は特には限
定しないが、全樹脂組成物１００重量％中の０．０１〜
４重量％が好ましい。０．０１重量％以上であれば成形
品のボイドが低減するという効果が十分に発現し、４重
量％以下であれば成形品の機械的強度が低下して耐半田
信頼性が低下することもない。更に本発明で使用するエ
ポキシ基とポリエーテール基を含有するシリコーンオイ
ル（Ｅ）は、他のシリコーンオイルと併用してもかまわ
ない。
において、エポキシ基とポリエーテール基を含有するシ
リコーンオイル（Ｅ）としては下記式（１）によって表
されるものが好ましい。エポキシ基とポリエーテール基
を含有するシリコーンオイル（Ｅ）の添加量は特には限
定しないが、全樹脂組成物１００重量％中の０．０１〜
４重量％が好ましい。０．０１重量％以上であれば成形
品のボイドが低減するという効果が十分に発現し、４重
量％以下であれば成形品の機械的強度が低下して耐半田
信頼性が低下することもない。更に本発明で使用するエ
ポキシ基とポリエーテール基を含有するシリコーンオイ
ル（Ｅ）は、他のシリコーンオイルと併用してもかまわ
ない。
【００１８】
【化１】 （ただし、Ａは−Ｒ−Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）ｘ（Ｃ3Ｈ6Ｏ）ｙ
Ｒ’であり、Ｒは炭素原子数１〜５のアルキレン基、
Ｒ’は炭素原子数１〜５のアルキル基または水素原子、
ｘ及びｙは０〜５０の整数、lは０〜１０００の整数、
ｍ及びｎは０〜１００の整数である。）
Ｒ’であり、Ｒは炭素原子数１〜５のアルキレン基、
Ｒ’は炭素原子数１〜５のアルキル基または水素原子、
ｘ及びｙは０〜５０の整数、lは０〜１０００の整数、
ｍ及びｎは０〜１００の整数である。）
【００１９】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、必要に応じてカーボンブラック等の着色剤、ブロ
ム化エポキシ樹脂等の難燃剤、三酸化アンチモン等の難
燃助剤、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン等のカップリング剤、ゴム等の低応力成分、カ
ルナバワックス等のワックス成分を添加することができ
る。
には、必要に応じてカーボンブラック等の着色剤、ブロ
ム化エポキシ樹脂等の難燃剤、三酸化アンチモン等の難
燃助剤、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン等のカップリング剤、ゴム等の低応力成分、カ
ルナバワックス等のワックス成分を添加することができ
る。
【００２０】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、公知の方法を用いて製造することができる。例え
ば、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化剤
（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）、エポキ
シ基とポリエーテール基を有するシリコーンオイル
（Ｅ）、その他添加剤をミキサーにて常温で混合し、次
にロール、押し出し機等の混練機にて加熱混練した後、
冷却、粉砕し、場合によってはタブレット化して成形材
料とする。
は、公知の方法を用いて製造することができる。例え
ば、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化剤
（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）、エポキ
シ基とポリエーテール基を有するシリコーンオイル
（Ｅ）、その他添加剤をミキサーにて常温で混合し、次
にロール、押し出し機等の混練機にて加熱混練した後、
冷却、粉砕し、場合によってはタブレット化して成形材
料とする。
【００２１】ここで半導体装置とは、トランジスタやダ
イオード、抵抗、コンデンサーなどを半導体チップや基
板の上に集積し配線して作った電子回路（集積回路）の
ことを指し、広くは本発明のエポキシ樹脂組成物により
封止した電子部品を指す。そして本発明のエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体チップからなる半導体素子を封止
することによって半導体装置を得ることができる。
イオード、抵抗、コンデンサーなどを半導体チップや基
板の上に集積し配線して作った電子回路（集積回路）の
ことを指し、広くは本発明のエポキシ樹脂組成物により
封止した電子部品を指す。そして本発明のエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体チップからなる半導体素子を封止
することによって半導体装置を得ることができる。
【００２２】半導体装置の製造方法としては、例えば、
半導体素子をリードフレームに固定した状態で、本発明
のエポキシ樹脂組成物を、例えば１２０〜２５０℃、好
ましくは１５０〜２００℃の温度で、トランスファー成
形、インジェクション成形、注型法などの方法で成形す
ることによりエポキシ樹脂の硬化物によって封止された
半導体装置が製造される。また必要に応じて追加熱処理
（例えば、１５０〜２００℃、２〜１６時間）を行うこ
とができる。
半導体素子をリードフレームに固定した状態で、本発明
のエポキシ樹脂組成物を、例えば１２０〜２５０℃、好
ましくは１５０〜２００℃の温度で、トランスファー成
形、インジェクション成形、注型法などの方法で成形す
ることによりエポキシ樹脂の硬化物によって封止された
半導体装置が製造される。また必要に応じて追加熱処理
（例えば、１５０〜２００℃、２〜１６時間）を行うこ
とができる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００２４】[実施例１〜４、比較例１〜４]下記エポキ
シ樹脂、硬化剤、無機充填材、シランカップリング剤お
よびその他の添加剤を、それぞれ表１に示した組成比
（重量比）でミキサーによってドライブレンドした。こ
れらの混合物を、９０℃で二軸ロールにて混練し、冷却
粉砕して、エポキシ樹脂組成物を製造した。
シ樹脂、硬化剤、無機充填材、シランカップリング剤お
よびその他の添加剤を、それぞれ表１に示した組成比
（重量比）でミキサーによってドライブレンドした。こ
れらの混合物を、９０℃で二軸ロールにて混練し、冷却
粉砕して、エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【化２】
【００２７】
【化３】 ＜評価方法＞ ・ボイドの評価：１６０ｐｉｎＱＦＰ（２８×２８ｍｍ
の１６０ｐｉｎＱＦＰ）を成形温度１７５℃、注入時間
１０秒、硬化時間６０秒の条件で成形し、成形品の外部
ボイド数を目視で、内部ボイドの数を超音波探傷機によ
り確認した。４パッケージ中の外部および内部のボイド
数（０．５ｍｍφ以上のサイズのもの）をそれぞれ計数
した。 ・耐半田信頼性評価：１６０ｐｉｎＱＦＰ（２８×２８
ｍｍの１６０ｐｉｎＱＦＰ）を前記の条件で成形し、ポ
ストキュア後、恒温恒湿槽中で８５℃／８５％ＲＨで４
８時間処理する。処理直後、ＩＲリフロー炉によって２
６０℃、１０秒の処理を行い、その後超音波探傷機を利
用してパッケージの内部の剥離状況を観察する。８パッ
ケージ中の何パッケージに剥離が発生しているかを評価
する。
の１６０ｐｉｎＱＦＰ）を成形温度１７５℃、注入時間
１０秒、硬化時間６０秒の条件で成形し、成形品の外部
ボイド数を目視で、内部ボイドの数を超音波探傷機によ
り確認した。４パッケージ中の外部および内部のボイド
数（０．５ｍｍφ以上のサイズのもの）をそれぞれ計数
した。 ・耐半田信頼性評価：１６０ｐｉｎＱＦＰ（２８×２８
ｍｍの１６０ｐｉｎＱＦＰ）を前記の条件で成形し、ポ
ストキュア後、恒温恒湿槽中で８５℃／８５％ＲＨで４
８時間処理する。処理直後、ＩＲリフロー炉によって２
６０℃、１０秒の処理を行い、その後超音波探傷機を利
用してパッケージの内部の剥離状況を観察する。８パッ
ケージ中の何パッケージに剥離が発生しているかを評価
する。
【００２８】
【表２】
【００２９】実施例１と比較例１及び３から、エポキシ
基とポリエーテール基を含有するシリコーンオイル（シ
リコーンオイル１）および硬化促進剤としてテトラフェ
ニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを用いるこ
とにより、充填材の配合量が多くてもボイド個数が大き
く低減した半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。
基とポリエーテール基を含有するシリコーンオイル（シ
リコーンオイル１）および硬化促進剤としてテトラフェ
ニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを用いるこ
とにより、充填材の配合量が多くてもボイド個数が大き
く低減した半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明に従うと、従来の技術では得るこ
とのできなかった、ボイドが少なく、かつ耐半田信頼性
に優れた半導体封止を可能にする高充填のエポキシ樹脂
組成物を得ることができる。
とのできなかった、ボイドが少なく、かつ耐半田信頼性
に優れた半導体封止を可能にする高充填のエポキシ樹脂
組成物を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CC05X CC06X CC07X CD00W CD02W CD05W CD06W CD07W CD20W CP18Y DE147 DJ017 EN066 EU096 EU116 EW016 EW176 FA087 FD017 FD14X FD156 GJ02 4J036 AC02 AC05 AD07 AD08 AD10 AE07 AF06 AF08 CD14 CD16 DD07 FA03 FA05 FB07 FB08 GA04 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EB04 EB09 EB12 EC05 EC09 EC20
Claims (5)
- 【請求項１】エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂硬化
剤（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）及びエ
ポキシ基とポリエーテール基を有するシリコーンオイル
（Ｅ）を含有し、硬化促進剤（Ｃ）が少なくともテトラ
フェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートを含
み、無機充填材（Ｄ）が全組成物の８０〜９４重量％で
あることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項２】エポキシ基とポリエーテール基を有するシ
リコーンオイル（Ｅ）が全組成物中０．０１〜４重量％
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】エポキシ樹脂（Ａ）が、ビフェニル骨格を
有するエポキシ樹脂（ａ）を含有することを特徴とする
請求項１または２いずれかにに記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 - 【請求項４】硬化促進剤（Ｃ）が、さらにトリフェニル
ホスフィンを含有することを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】請求項１〜４に記載の半導体封止用エポキ
シ樹脂を用いて半導体素子を封止した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000199024A JP2002012654A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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| JP2000199024A JP2002012654A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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|---|---|
| JP2002012654A true JP2002012654A (ja) | 2002-01-15 |
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ID=18697104
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|---|---|---|---|
| JP2000199024A Pending JP2002012654A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002012654A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008143085A1 (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corporation | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置 |
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| JP2021193158A (ja) * | 2020-06-08 | 2021-12-23 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、熱硬化性エポキシ樹脂シート、及びその硬化物 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000199024A patent/JP2002012654A/ja active Pending
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| JP7336419B2 (ja) | 2020-06-08 | 2023-08-31 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、熱硬化性エポキシ樹脂シート、及びその硬化物 |
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