JP2000103938A - 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置Info
- Publication number
- JP2000103938A JP2000103938A JP10271769A JP27176998A JP2000103938A JP 2000103938 A JP2000103938 A JP 2000103938A JP 10271769 A JP10271769 A JP 10271769A JP 27176998 A JP27176998 A JP 27176998A JP 2000103938 A JP2000103938 A JP 2000103938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- group
- component
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 離型性に優れるとともに、従来に比較して著
しく金型汚れおよび成形品表面の汚れが少なく、連続成
形性に優れる封止用のエポキシ樹脂組成物と、成形品表
面の汚れが少ない半導体装置を提供する。 【解決手段】 このエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹
脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と離型剤とを含む
エポキシ樹脂組成物において、下記一般式(1)で示さ
れるオルガノポリシロキサンをも含む。また、このエポ
キシ樹脂組成物を用いて半導体装置を封止する。 【化1】 〔式(1)中、Xはポリエーテル基(ポリオキシアルキ
レン基)であり、Yはアルコキシ基であり、Zは、エポ
キシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基からなる群
から選ばれるいずれかの官能基であり、l、m、n、o
は1以上の任意の整数である。〕
しく金型汚れおよび成形品表面の汚れが少なく、連続成
形性に優れる封止用のエポキシ樹脂組成物と、成形品表
面の汚れが少ない半導体装置を提供する。 【解決手段】 このエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹
脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と離型剤とを含む
エポキシ樹脂組成物において、下記一般式(1)で示さ
れるオルガノポリシロキサンをも含む。また、このエポ
キシ樹脂組成物を用いて半導体装置を封止する。 【化1】 〔式(1)中、Xはポリエーテル基(ポリオキシアルキ
レン基)であり、Yはアルコキシ基であり、Zは、エポ
キシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基からなる群
から選ばれるいずれかの官能基であり、l、m、n、o
は1以上の任意の整数である。〕
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の封
止に使用されるエポキシ樹脂組成物と、これを用いて封
止した半導体装置に関する。
止に使用されるエポキシ樹脂組成物と、これを用いて封
止した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子(チップ)などの電子部品の
封止方法として、セラミックや熱硬化性樹脂を封止材に
用いる方法が、従来より行われている。なかでも、エポ
キシ樹脂による封止が、経済性と性能のバランスの点で
好ましく、広く行われている。半導体素子の樹脂封止
は、例えばリードフレーム用金属上に半導体素子を搭載
し、その半導体素子とリードフレームをボンディングワ
イヤー等を用いて電気的に接続し、金型を使用して、半
導体素子の全体及びリードフレームの一部を、樹脂で封
止することにより行われる。
封止方法として、セラミックや熱硬化性樹脂を封止材に
用いる方法が、従来より行われている。なかでも、エポ
キシ樹脂による封止が、経済性と性能のバランスの点で
好ましく、広く行われている。半導体素子の樹脂封止
は、例えばリードフレーム用金属上に半導体素子を搭載
し、その半導体素子とリードフレームをボンディングワ
イヤー等を用いて電気的に接続し、金型を使用して、半
導体素子の全体及びリードフレームの一部を、樹脂で封
止することにより行われる。
【0003】封止用のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂と硬化剤を必須成分として含み、封止の際に使用す
る金型からの脱型を容易にするためにワックスなどの離
型剤が配合されている。ところで、上記樹脂封止を連続
的に行っているうちに、離型剤の影響で徐々に金型汚れ
が発生し、これにより成形品表面に汚れが発生すること
が問題となっている。
樹脂と硬化剤を必須成分として含み、封止の際に使用す
る金型からの脱型を容易にするためにワックスなどの離
型剤が配合されている。ところで、上記樹脂封止を連続
的に行っているうちに、離型剤の影響で徐々に金型汚れ
が発生し、これにより成形品表面に汚れが発生すること
が問題となっている。
【0004】この問題は、離型剤量を低減することによ
り解決できるが、そうすると、離型性が低下し、連続成
形時に脱型が円滑に行かなくなる。近年、チップの大型
化に対応して封止材の曲げ弾性率を下げるためにシリコ
ーン成分を添加する傾向にあるが、ベース樹脂とシリコ
ーン成分の相溶性が通常あまり良くないため、これによ
るブリードアウトが起き、金型汚れ、パッケージ汚れを
更に悪化させる傾向にある。
り解決できるが、そうすると、離型性が低下し、連続成
形時に脱型が円滑に行かなくなる。近年、チップの大型
化に対応して封止材の曲げ弾性率を下げるためにシリコ
ーン成分を添加する傾向にあるが、ベース樹脂とシリコ
ーン成分の相溶性が通常あまり良くないため、これによ
るブリードアウトが起き、金型汚れ、パッケージ汚れを
更に悪化させる傾向にある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の課題
は、離型性に優れるとともに、従来に比較して著しく金
型汚れおよび成形品表面の汚れが少なく、連続成形性に
優れるエポキシ樹脂組成物と、成形品表面の汚れが少な
い半導体装置を提供することにある。
は、離型性に優れるとともに、従来に比較して著しく金
型汚れおよび成形品表面の汚れが少なく、連続成形性に
優れるエポキシ樹脂組成物と、成形品表面の汚れが少な
い半導体装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明にかかる封止用のエポキシ樹脂組成物は、エ
ポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と離型剤
とを含むエポキシ樹脂組成物において、下記一般式
(1)で示されるオルガノポリシロキサンをも含むこと
を特徴とする。
に、本発明にかかる封止用のエポキシ樹脂組成物は、エ
ポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機充填材と離型剤
とを含むエポキシ樹脂組成物において、下記一般式
(1)で示されるオルガノポリシロキサンをも含むこと
を特徴とする。
【0007】
【化2】
【0008】〔式(1)中、Xはポリエーテル基(ポリ
オキシアルキレン基)であり、Yはアルコキシ基であ
り、Zはエポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル
基からなる群から選ばれるいずれかの官能基であり、
l、m、n、oは1以上の任意の整数である。〕 上記課題を解決するために、本発明にかかる半導体装置
は、半導体素子がエポキシ樹脂組成物を用いて封止され
ている半導体装置において、前記エポキシ樹脂組成物と
して上記本発明にかかるエポキシ樹脂組成物を用いるこ
とを特徴とする。
オキシアルキレン基)であり、Yはアルコキシ基であ
り、Zはエポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル
基からなる群から選ばれるいずれかの官能基であり、
l、m、n、oは1以上の任意の整数である。〕 上記課題を解決するために、本発明にかかる半導体装置
は、半導体素子がエポキシ樹脂組成物を用いて封止され
ている半導体装置において、前記エポキシ樹脂組成物と
して上記本発明にかかるエポキシ樹脂組成物を用いるこ
とを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】(エポキシ樹脂組成物)エポキシ
樹脂としては、封止材に一般的に使用可能なエポキシ樹
脂を使用することができる。なお、本発明では、エポキ
シ樹脂の必須成分として、2核体量10%以下のオルソ
クレゾールノボラックエポキシ樹脂を使用することが好
ましい。2核体の成分は未反応分となる確率が高く、そ
れが金型表面に堆積されて金型汚れとなり、この汚れが
成形品に転写されてパッケージ汚れを引き起こす傾向が
あるからである。2核体量10%以下のオルソクレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂としては市販品を使用でき
る。勿論、この樹脂と、その他のエポキシ樹脂とを併用
することができる。この併用の場合、2核体量10%以
下のオルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂のエポキ
シ樹脂全体に対する割合は、20〜100重量%が好ま
しく、50〜100重量%がより好ましい。前記範囲
(20重量%)を下回ると連続成形時の金型汚れが起こ
りやすくなる傾向がある。上記その他のエポキシ樹脂と
しては、1分子中に2個以上のエポキシ基を持っている
ものであれば特に制限はないが、例えば、2核体量10
%超のオルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェ
ノールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノール型エポ
キシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で
用いても併用してもよい。
樹脂としては、封止材に一般的に使用可能なエポキシ樹
脂を使用することができる。なお、本発明では、エポキ
シ樹脂の必須成分として、2核体量10%以下のオルソ
クレゾールノボラックエポキシ樹脂を使用することが好
ましい。2核体の成分は未反応分となる確率が高く、そ
れが金型表面に堆積されて金型汚れとなり、この汚れが
成形品に転写されてパッケージ汚れを引き起こす傾向が
あるからである。2核体量10%以下のオルソクレゾー
ルノボラックエポキシ樹脂としては市販品を使用でき
る。勿論、この樹脂と、その他のエポキシ樹脂とを併用
することができる。この併用の場合、2核体量10%以
下のオルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂のエポキ
シ樹脂全体に対する割合は、20〜100重量%が好ま
しく、50〜100重量%がより好ましい。前記範囲
(20重量%)を下回ると連続成形時の金型汚れが起こ
りやすくなる傾向がある。上記その他のエポキシ樹脂と
しては、1分子中に2個以上のエポキシ基を持っている
ものであれば特に制限はないが、例えば、2核体量10
%超のオルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェ
ノールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノール型エポ
キシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で
用いても併用してもよい。
【0010】硬化剤としては、連続成形時の金型汚れを
より起こりにくくするという点からは2核体量10%以
下のフェノールノボラック樹脂を使用するのが好ましい
が、封止用のエポキシ樹脂に通常用いられる硬化剤のみ
を用いたり、あるいは、2核体量10%以下のフェノー
ルノボラック樹脂と通常の硬化剤とを併用したりするこ
とができる。この併用の場合、硬化剤全体に対する2核
体量10%以下のフェノールノボラック樹脂の割合は、
20〜100重量%が好ましく、50〜100重量%が
より好ましい。前記範囲(20重量%)を下回ると連続
成形時の金型汚れが起こりやすくなる傾向がある。その
理由は、上記エポキシ樹脂のところで述べたのと同じで
ある。2核体量10%以下のフェノールノボラック樹脂
は、市販のものを用いることができる。また、通常の硬
化剤としては、たとえば、2核体量10%超のフェノー
ルノボラック樹脂、フェノールアラルキル型(フェノー
ルアラルキル型の繰り返し単位数n=0〜10)、ジシ
クロペンタジエン型(ジシクロペンタジエン型の繰り返
し単位数n=0〜10)などの多価フェノール化合物、
ナフトール化合物、無水ヘキサヒドロフタル酸等の酸無
水物、クレゾール、キシレノール、レゾールシン等とホ
ルムアルデヒドとを縮合反応して得られるノボラック樹
脂、アミン系硬化剤等が挙げられる。これらは単独で用
いても併用してもよい。
より起こりにくくするという点からは2核体量10%以
下のフェノールノボラック樹脂を使用するのが好ましい
が、封止用のエポキシ樹脂に通常用いられる硬化剤のみ
を用いたり、あるいは、2核体量10%以下のフェノー
ルノボラック樹脂と通常の硬化剤とを併用したりするこ
とができる。この併用の場合、硬化剤全体に対する2核
体量10%以下のフェノールノボラック樹脂の割合は、
20〜100重量%が好ましく、50〜100重量%が
より好ましい。前記範囲(20重量%)を下回ると連続
成形時の金型汚れが起こりやすくなる傾向がある。その
理由は、上記エポキシ樹脂のところで述べたのと同じで
ある。2核体量10%以下のフェノールノボラック樹脂
は、市販のものを用いることができる。また、通常の硬
化剤としては、たとえば、2核体量10%超のフェノー
ルノボラック樹脂、フェノールアラルキル型(フェノー
ルアラルキル型の繰り返し単位数n=0〜10)、ジシ
クロペンタジエン型(ジシクロペンタジエン型の繰り返
し単位数n=0〜10)などの多価フェノール化合物、
ナフトール化合物、無水ヘキサヒドロフタル酸等の酸無
水物、クレゾール、キシレノール、レゾールシン等とホ
ルムアルデヒドとを縮合反応して得られるノボラック樹
脂、アミン系硬化剤等が挙げられる。これらは単独で用
いても併用してもよい。
【0011】前記硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂1
当量に対して硬化剤0.5〜1.5当量の範囲に設定す
ることが好ましく、より好ましくは0.8〜1.2当量
である。硬化剤の配合割合が上記範囲を外れると信頼性
が劣ると共に成形時の剛性が下がり作業性に悪影響を与
える傾向がある。エポキシ樹脂組成物では、硬化促進の
ために、通常、硬化促進剤が用いられる。硬化促進剤と
しては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用
があるものであれば特に制限はないが、たとえば、トリ
フェニルホスフィン(TPP)、トリブチルホスフィ
ン、トリメチルホスフィン等の有機ホスフィン、2−メ
チルイミダゾール(2MZ)、2−フェニル−4−メチ
ルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダ
ゾール、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデ
セン−7、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルア
ミン等の3級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。これ
らは単独で用いてもよく、併用してもよい。硬化促進剤
として有機ホスフィンを用いると更に金型汚れを抑える
ことができるので好ましい。
当量に対して硬化剤0.5〜1.5当量の範囲に設定す
ることが好ましく、より好ましくは0.8〜1.2当量
である。硬化剤の配合割合が上記範囲を外れると信頼性
が劣ると共に成形時の剛性が下がり作業性に悪影響を与
える傾向がある。エポキシ樹脂組成物では、硬化促進の
ために、通常、硬化促進剤が用いられる。硬化促進剤と
しては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用
があるものであれば特に制限はないが、たとえば、トリ
フェニルホスフィン(TPP)、トリブチルホスフィ
ン、トリメチルホスフィン等の有機ホスフィン、2−メ
チルイミダゾール(2MZ)、2−フェニル−4−メチ
ルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダ
ゾール、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデ
セン−7、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルア
ミン等の3級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。これ
らは単独で用いてもよく、併用してもよい。硬化促進剤
として有機ホスフィンを用いると更に金型汚れを抑える
ことができるので好ましい。
【0012】前記硬化促進剤の配合割合は、封止用樹脂
組成物全体に対して硬化促進剤0.03〜1.0重量%
であることが好ましい。硬化促進剤の配合量が0.03
重量%未満では、ゲル化時間が長くなり、硬化作業性を
著しく低下させる傾向がみられ、逆に1.0重量%を超
えると、材料がランナー流動中に硬化してしまい、未充
填になりやすくなる恐れがあるからである。
組成物全体に対して硬化促進剤0.03〜1.0重量%
であることが好ましい。硬化促進剤の配合量が0.03
重量%未満では、ゲル化時間が長くなり、硬化作業性を
著しく低下させる傾向がみられ、逆に1.0重量%を超
えると、材料がランナー流動中に硬化してしまい、未充
填になりやすくなる恐れがあるからである。
【0013】封止部分の樹脂硬化物の、信頼性を向上さ
せたり、強度を高めたり、熱放散性を向上させたりする
ために、通常は、エポキシ樹脂組成物中に無機充填材を
配合することができる。無機充填材としては、特に限定
する訳ではないが、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ
等を挙げることができる。これらは単独で使用されるほ
か、併用されることもある。充填剤の配合割合は、特に
限定されないが、組成物全体の60〜90重量%である
ことが好ましい。
せたり、強度を高めたり、熱放散性を向上させたりする
ために、通常は、エポキシ樹脂組成物中に無機充填材を
配合することができる。無機充填材としては、特に限定
する訳ではないが、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ
等を挙げることができる。これらは単独で使用されるほ
か、併用されることもある。充填剤の配合割合は、特に
限定されないが、組成物全体の60〜90重量%である
ことが好ましい。
【0014】本発明にかかるエポキシ樹脂組成物には離
型剤が配合されている。離型剤としては、封止材に通常
使用しているものを使用できる。例えば、天然カルナバ
系、長鎖脂肪酸類、およびその金属石鹸類、エステル
類、アマイド類、または、ポリエチレン系ワックス等の
ポリオレフィン類などを用いることができ、単独で用い
ても、2種類以上を併用してもよい。具体的には、カル
ナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシ
ル基含有ポリオレフイン等が好ましく用いられる。これ
らは単独で使用されるほか、併用されることもある。離
型剤の配合割合は組成物全体の0.05〜1.5重量%
であることが好ましい。離型剤として脂肪酸アミドを用
いると、金型汚れがより一層生じ難くなる。
型剤が配合されている。離型剤としては、封止材に通常
使用しているものを使用できる。例えば、天然カルナバ
系、長鎖脂肪酸類、およびその金属石鹸類、エステル
類、アマイド類、または、ポリエチレン系ワックス等の
ポリオレフィン類などを用いることができ、単独で用い
ても、2種類以上を併用してもよい。具体的には、カル
ナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシ
ル基含有ポリオレフイン等が好ましく用いられる。これ
らは単独で使用されるほか、併用されることもある。離
型剤の配合割合は組成物全体の0.05〜1.5重量%
であることが好ましい。離型剤として脂肪酸アミドを用
いると、金型汚れがより一層生じ難くなる。
【0015】本発明にかかるエポキシ樹脂組成物には、
この離型剤が成形品表面にブリードすることを防ぐため
に下記一般式で示されるオルガノポリシロキサンも配合
される。その配合割合は、組成物全体の0.05〜1.
5重量%であることが好ましい。この範囲を下回ると離
型剤の表面ブリードの発生が多くなる傾向があり、この
範囲を越えるとオルガノポリシロキサン自身のブリード
が多くなる傾向がある。
この離型剤が成形品表面にブリードすることを防ぐため
に下記一般式で示されるオルガノポリシロキサンも配合
される。その配合割合は、組成物全体の0.05〜1.
5重量%であることが好ましい。この範囲を下回ると離
型剤の表面ブリードの発生が多くなる傾向があり、この
範囲を越えるとオルガノポリシロキサン自身のブリード
が多くなる傾向がある。
【0016】
【化3】
【0017】〔式(1)中、Xはポリエーテル基(ポリ
オキシアルキレン基)であり、Yはアルコキシ基であ
り、Zはエポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル
基からなる群から選ばれるいずれかの官能基であり、
l、m、n、oは1以上の任意の整数である。〕 Xであるポリエーテル基としては、たとえば下式(2)
で示される基があげられる。
オキシアルキレン基)であり、Yはアルコキシ基であ
り、Zはエポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル
基からなる群から選ばれるいずれかの官能基であり、
l、m、n、oは1以上の任意の整数である。〕 Xであるポリエーテル基としては、たとえば下式(2)
で示される基があげられる。
【0018】
【化4】
【0019】〔式(2)中、aは2〜3、b+cは5〜
100、好ましくは10〜50、dは2〜3であり、繰
り返し数bとcの繰り返し単位の順番は入れ代わってい
てもよい。〕 Yであるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基などの炭素数1〜2のものがあげられる。
100、好ましくは10〜50、dは2〜3であり、繰
り返し数bとcの繰り返し単位の順番は入れ代わってい
てもよい。〕 Yであるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基などの炭素数1〜2のものがあげられる。
【0020】上記オルガノポリシロキサンで無機充填材
を予め表面処理しておく場合には、たとえば、ポリオル
ガノシロキサンオイルなどの液状の上記オルガノポリシ
ロキサンを無機充填材に噴霧した後、ミキサー等でよく
分散することが好ましいが、配合順序等は特に制限する
ものではない。ただし、このように、オルガノポリシロ
キサンで無機充填材を予め表面処理しておくと、特に無
機充填材としてシリカを用いる場合、オルガノポリシロ
キサンのアルコキシ基とシリカ表面のシラノール基との
反応により成形品ブリードアウトがより低減するので好
ましい。
を予め表面処理しておく場合には、たとえば、ポリオル
ガノシロキサンオイルなどの液状の上記オルガノポリシ
ロキサンを無機充填材に噴霧した後、ミキサー等でよく
分散することが好ましいが、配合順序等は特に制限する
ものではない。ただし、このように、オルガノポリシロ
キサンで無機充填材を予め表面処理しておくと、特に無
機充填材としてシリカを用いる場合、オルガノポリシロ
キサンのアルコキシ基とシリカ表面のシラノール基との
反応により成形品ブリードアウトがより低減するので好
ましい。
【0021】本発明にかかる封止用エポキシ樹脂組成物
には、必要に応じて、着色剤、低応力化剤、難燃剤等が
適宜量添加されてよい。着色剤としては、例えばカーボ
ンブラック、酸化チタン等が挙げられる。低応力化剤と
しては、例えば、シリコーンゲル、シリコーンゴム、シ
リコーンオイル等が挙げられる。難燃剤としては、例え
ば、三酸化アンチモン、ハロゲン化合物、リン化合物等
が挙げられる。前記着色剤、低応力化剤、難燃剤等は2
種類以上を併用することもできる。
には、必要に応じて、着色剤、低応力化剤、難燃剤等が
適宜量添加されてよい。着色剤としては、例えばカーボ
ンブラック、酸化チタン等が挙げられる。低応力化剤と
しては、例えば、シリコーンゲル、シリコーンゴム、シ
リコーンオイル等が挙げられる。難燃剤としては、例え
ば、三酸化アンチモン、ハロゲン化合物、リン化合物等
が挙げられる。前記着色剤、低応力化剤、難燃剤等は2
種類以上を併用することもできる。
【0022】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
各成分をミキサー等によって均一に混合したのち、ロー
ル、ニーダー等によって混練することで製造することが
できる。成分の配合順序は特に制限はない。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は、より具体的には、例えば、エポキ
シ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤その他の配合
成分を混合分散した後、加熱ロール等で溶融混練し、こ
の混練物を冷却・固化した後、粉砕し、必要ならタブレ
ット状に打錠することにより製造することができる。 (半導体装置の封止)このようにして得られたエポキシ
樹脂組成物は、金型を用い、固形の場合はタブレットを
トランスファー成形することにより、半導体装置のリー
ドフレームに搭載した半導体素子を封止することができ
る。
各成分をミキサー等によって均一に混合したのち、ロー
ル、ニーダー等によって混練することで製造することが
できる。成分の配合順序は特に制限はない。本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は、より具体的には、例えば、エポキ
シ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤その他の配合
成分を混合分散した後、加熱ロール等で溶融混練し、こ
の混練物を冷却・固化した後、粉砕し、必要ならタブレ
ット状に打錠することにより製造することができる。 (半導体装置の封止)このようにして得られたエポキシ
樹脂組成物は、金型を用い、固形の場合はタブレットを
トランスファー成形することにより、半導体装置のリー
ドフレームに搭載した半導体素子を封止することができ
る。
【0023】上記リードフレームとしては、電気伝導性
の点で銅合金製のリードフレームが、また、熱膨張率の
点で42アロイ合金製のリードフレームが一般に使用さ
れている。
の点で銅合金製のリードフレームが、また、熱膨張率の
点で42アロイ合金製のリードフレームが一般に使用さ
れている。
【0024】
【実施例】表1に示す配合でエポキシ樹脂組成物を製造
し、半導体装置の封止を行った。表1で使用されている
オルガノポリシロキサンAとBは、それぞれ、上記一般
式(1)で表される化合物である。オルガノポリシロキ
サンAは、日本ユニカー社製のMAC2101であり、
Xが上記一般式(2)を満し、Y=メトキシ基、Z=エ
ポキシ基、l≧1、m≧1、n=12.5、o=4、エ
ポキシ当量1230のものである。オルガノポリシロキ
サンBは、日本ユニカー社製のMAC2301であり、
Xが上記一般式(2)を満し、Y=メトキシ基、Z=水
酸基、l≧1、m≧1、n=12.5、o=4、水酸基
当量1220のものである。
し、半導体装置の封止を行った。表1で使用されている
オルガノポリシロキサンAとBは、それぞれ、上記一般
式(1)で表される化合物である。オルガノポリシロキ
サンAは、日本ユニカー社製のMAC2101であり、
Xが上記一般式(2)を満し、Y=メトキシ基、Z=エ
ポキシ基、l≧1、m≧1、n=12.5、o=4、エ
ポキシ当量1230のものである。オルガノポリシロキ
サンBは、日本ユニカー社製のMAC2301であり、
Xが上記一般式(2)を満し、Y=メトキシ基、Z=水
酸基、l≧1、m≧1、n=12.5、o=4、水酸基
当量1220のものである。
【0025】一方、オルガノポリシロキサンCは、日本
ユニカー社製のF−208−19であり、Z=エポキシ
基、l=90、m=0、n=0、o=10、エポキシ当
量850のものである。すなわち、オルガノポリシロキ
サンCは、m=0、n=0という点で式(1)を満足し
ない。エポキシ樹脂と硬化剤のそれぞれの2核体量は以
下に示すとおりである。なお、表1中の単位は重量基準
である。 オルソクレゾールノボラックエポキシ(a):ESCN
195XL(住友化学社製)、エポキシ当量195、2
核体量11%; オルソクレゾールノボラックエポキシ(b):EOCN
4500(日本化薬社製)、エポキシ当量194、2核
体量3%; フェノールノボラック(c):タマノール754(荒川
化学社製)、水酸基当量105、2核体量15%; フェノールノボラック(d):VR9305(三井化学
社製)、水酸基当量103、2核体量5%; ブロム化エポキシ:ESB400(住友化学社製)、エ
ポキシ当量400。
ユニカー社製のF−208−19であり、Z=エポキシ
基、l=90、m=0、n=0、o=10、エポキシ当
量850のものである。すなわち、オルガノポリシロキ
サンCは、m=0、n=0という点で式(1)を満足し
ない。エポキシ樹脂と硬化剤のそれぞれの2核体量は以
下に示すとおりである。なお、表1中の単位は重量基準
である。 オルソクレゾールノボラックエポキシ(a):ESCN
195XL(住友化学社製)、エポキシ当量195、2
核体量11%; オルソクレゾールノボラックエポキシ(b):EOCN
4500(日本化薬社製)、エポキシ当量194、2核
体量3%; フェノールノボラック(c):タマノール754(荒川
化学社製)、水酸基当量105、2核体量15%; フェノールノボラック(d):VR9305(三井化学
社製)、水酸基当量103、2核体量5%; ブロム化エポキシ:ESB400(住友化学社製)、エ
ポキシ当量400。
【0026】
【表1】
【0027】エポキシ樹脂組成物の製造条件は以下のと
おりであり、半導体封止条件は以下のとおりであった。 (エポキシ樹脂組成物の製造条件)各成分をミキサー等
によって均一に混合したのちロール,ニーダー等によっ
て混練することによって製造した。すなわち、2軸加熱
ロールを用いて温度85℃で5分間混練し、次いで冷却
した。その後、粉砕機で粉砕して、封止材料を得た。 (封止条件)成形圧力70kg/cm2 、成形温度17
0℃、成形時間90秒で、TO220パッケージを封止
成形して、半導体装置の成形品を得た。 (パッケージ汚れ)TO220パッケージ金型を搭載し
たマルチプランジャープレスを用いて800s(ショッ
ト)まで連続成形したときのパッケージ汚れを目視で確
認し、汚れが発生した時点までのショット数で判定し
た。 (離型性)成形動作終了後に、パッケージ、カル等が金
型に残る不具合が発生するか否かを観察し、否を問題な
しと判定した。
おりであり、半導体封止条件は以下のとおりであった。 (エポキシ樹脂組成物の製造条件)各成分をミキサー等
によって均一に混合したのちロール,ニーダー等によっ
て混練することによって製造した。すなわち、2軸加熱
ロールを用いて温度85℃で5分間混練し、次いで冷却
した。その後、粉砕機で粉砕して、封止材料を得た。 (封止条件)成形圧力70kg/cm2 、成形温度17
0℃、成形時間90秒で、TO220パッケージを封止
成形して、半導体装置の成形品を得た。 (パッケージ汚れ)TO220パッケージ金型を搭載し
たマルチプランジャープレスを用いて800s(ショッ
ト)まで連続成形したときのパッケージ汚れを目視で確
認し、汚れが発生した時点までのショット数で判定し
た。 (離型性)成形動作終了後に、パッケージ、カル等が金
型に残る不具合が発生するか否かを観察し、否を問題な
しと判定した。
【0028】
【発明の効果】請求項1〜6の発明にかかる封止用のエ
ポキシ樹脂組成物は、連続成形時においても従来に比較
して著しく金型汚れを起こし難く、連続成形性に優れ
る。請求項3の発明のエポキシ樹脂組成物によれば、さ
らに、成形品ブリードアウトがより低減する。
ポキシ樹脂組成物は、連続成形時においても従来に比較
して著しく金型汚れを起こし難く、連続成形性に優れ
る。請求項3の発明のエポキシ樹脂組成物によれば、さ
らに、成形品ブリードアウトがより低減する。
【0029】請求項4の発明のエポキシ樹脂組成物によ
れば、さらに、金型汚れを起こし難い。請求項5、6の
発明のエポキシ樹脂組成物によれば、さらに、金型汚
れ、パッケージ汚れをより抑えることができる。請求項
7の発明にかかる半導体装置は、上記本発明にかかるエ
ポキシ樹脂組成物を使用して半導体封止を行うため、連
続成形により作られた場合でもパッケージ汚れが起こり
にくい。
れば、さらに、金型汚れを起こし難い。請求項5、6の
発明のエポキシ樹脂組成物によれば、さらに、金型汚
れ、パッケージ汚れをより抑えることができる。請求項
7の発明にかかる半導体装置は、上記本発明にかかるエ
ポキシ樹脂組成物を使用して半導体封止を行うため、連
続成形により作られた場合でもパッケージ汚れが起こり
にくい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J002 CC03X CD02W CD04W CD05W CD06W CP053 CP063 CP093 EW136 FB097 FB267 FD017 FD14X FD156 FD168 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB06 EB09 EB12 ED10
Claims (7)
- 【請求項1】エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機
充填材と離型剤とを含むエポキシ樹脂組成物において、
下記一般式(1)で示されるオルガノポリシロキサンを
も含むことを特徴とする、封止用のエポキシ樹脂組成
物。 【化1】 〔式(1)中、Xはポリエーテル基(ポリオキシアルキ
レン基)であり、Yはアルコキシ基であり、Zはエポキ
シ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基からなる群か
ら選ばれるいずれかの官能基であり、l、m、n、oは
1以上の任意の整数である。〕 - 【請求項2】前記オルガノポリシロキサンの含有量が、
組成物全体に対して、0.05〜1.5重量%である、
請求項1に記載の封止用のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項3】前記無機充填材が前記オルガノポリシロキ
サンで予め表面処理されている、請求項1または2に記
載の封止用のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】前記硬化促進剤が有機ホスフィンである、
請求項1から3までのいずれかに記載の封止用のエポキ
シ樹脂組成物。 - 【請求項5】前記硬化剤が2核体量10%以下のフェノ
ールノボラック樹脂である、請求項1から4までのいず
れかに記載の封止用のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項6】前記エポキシ樹脂として2核体量が10%
以下のオルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂が用い
られている、請求項1から5までのいずれかに記載の封
止用のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項7】半導体素子がエポキシ樹脂組成物を用いて
封止されている半導体装置において、前記エポキシ樹脂
組成物として請求項1から6までのいずれかに記載のエ
ポキシ樹脂組成物が用いられていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10271769A JP2000103938A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10271769A JP2000103938A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000103938A true JP2000103938A (ja) | 2000-04-11 |
Family
ID=17504600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10271769A Pending JP2000103938A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000103938A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100769792B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2007-10-25 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체장치 |
JP2008291249A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-12-04 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2012222551A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | V−f変換装置 |
TWI398461B (zh) * | 2004-03-16 | 2013-06-11 | Sumitomo Bakelite Co | 環氧樹脂組成物及半導體裝置 |
WO2018034232A1 (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 日本合成化学工業株式会社 | アクリル系粘着剤組成物、及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
JP2019119852A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-22 | 日本合成化学工業株式会社 | 粘着剤組成物及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
JP2021080422A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 三菱ケミカル株式会社 | 粘着剤組成物、粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP10271769A patent/JP2000103938A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI398461B (zh) * | 2004-03-16 | 2013-06-11 | Sumitomo Bakelite Co | 環氧樹脂組成物及半導體裝置 |
JP5338028B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2013-11-13 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR100769792B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2007-10-25 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체장치 |
JP2008291249A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-12-04 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2012222551A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | V−f変換装置 |
JPWO2018034232A1 (ja) * | 2016-08-17 | 2019-06-20 | 日本合成化学工業株式会社 | アクリル系粘着剤組成物、及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
WO2018034232A1 (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 日本合成化学工業株式会社 | アクリル系粘着剤組成物、及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
TWI731142B (zh) * | 2016-08-17 | 2021-06-21 | 日商三菱化學股份有限公司 | 丙烯酸系黏接劑組成物、利用該丙烯酸系黏接劑組成物而成之黏接劑、偏光板用黏接劑及影像顯示裝置 |
JP2021107564A (ja) * | 2016-08-17 | 2021-07-29 | 三菱ケミカル株式会社 | アクリル系粘着剤組成物、及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
JP7137159B2 (ja) | 2016-08-17 | 2022-09-14 | 三菱ケミカル株式会社 | アクリル系粘着剤組成物、及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
JP2019119852A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-22 | 日本合成化学工業株式会社 | 粘着剤組成物及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
JP7119972B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-08-17 | 三菱ケミカル株式会社 | 粘着剤組成物及びそれを用いてなる粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
JP2021080422A (ja) * | 2019-11-22 | 2021-05-27 | 三菱ケミカル株式会社 | 粘着剤組成物、粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
JP7400392B2 (ja) | 2019-11-22 | 2023-12-19 | 三菱ケミカル株式会社 | 粘着剤組成物、粘着剤、偏光板用粘着剤、ならびに画像表示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3175979B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2000103938A (ja) | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP3004463B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP2000239490A (ja) | 離型処理用樹脂組成物とこれを用いた封止半導体装置の製造方法 | |
JP3740983B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4058849B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2000007900A (ja) | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2002012654A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2002309067A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2951092B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP2954415B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP2002220511A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2991850B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP3417283B2 (ja) | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置封止方法 | |
JPH0680861A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
JP2002194064A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置 | |
JPH1135797A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2000186183A (ja) | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JPH11241002A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2951089B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP2000026707A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2991847B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
JP3331965B2 (ja) | 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP2004059700A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH09208807A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |