JP5338028B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5338028B2
JP5338028B2 JP2006511039A JP2006511039A JP5338028B2 JP 5338028 B2 JP5338028 B2 JP 5338028B2 JP 2006511039 A JP2006511039 A JP 2006511039A JP 2006511039 A JP2006511039 A JP 2006511039A JP 5338028 B2 JP5338028 B2 JP 5338028B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
organopolysiloxane
carboxyl group
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006511039A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2005087834A1 (ja
Inventor
広基 二階堂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2006511039A priority Critical patent/JP5338028B2/ja
Publication of JPWO2005087834A1 publication Critical patent/JPWO2005087834A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5338028B2 publication Critical patent/JP5338028B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/10—Esters; Ether-esters
    • C08K5/101—Esters; Ether-esters of monocarboxylic acids
    • C08K5/103—Esters; Ether-esters of monocarboxylic acids with polyalcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進み、また半導体パッケージの表面実装化が促進されてきている。更に地球環境へ配慮した企業活動が重要視され、有害物質である鉛を２００６年までに特定用途以外で全廃することが求められている。無鉛半田の融点は従来の鉛／スズ半田に比べて高いため、赤外線リフロー、半田浸漬等の半田実装時の温度も従来の２２０〜２４０℃から、今後２４０℃〜２６０℃と高くなる。このような実装温度の上昇により、実装時に半導体装置の樹脂部にクラックが入り、半導体装置の信頼性が保証できないという問題が生じている。更にリードフレームについても、脱鉛の観点から、外装半田メッキの変わりに、事前にニッケル・パラジウムメッキを施したリードフレームの適用が進められている。ニッケル・パラジウムメッキはエポキシ樹脂組成物との密着性が低く、実装時に界面において剥離が生じ、樹脂部にクラックも入りやすい。
このような課題に対し、低吸水性及び低弾性率のエポキシ樹脂組成物や硬化剤を適用することにより（例えば、特許文献１、２、３参照。）、実装温度の上昇については対応が取れるようになってきた。その半面、このような低吸水性及び低弾性率を示すエポキシ樹脂組成物は架橋密度が低く、硬化直後の成形物は軟らかい。その結果、連続生産では金型へ樹脂がとられる等、成形性での不具合が生じ、生産性を低下させる問題があった。
また、生産性向上への取り組みとしては、離型効果の高い離型剤の適用が提案されている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながら、離型効果の高い離型剤は必然的に成形品の表面に浮き出しやすく、連続生産すると成形品の外観を著しく汚してしまう欠点があった。成形品外観に優れるエポキシ樹脂組成物として特定の構造を有するシリコーン化合物を添加する手法等が提案されている（例えば、特許文献５、６参照。）。しかしながら、該エポキシ樹脂組成物は、離型性が不十分なので、連続成形においてエアベント部分で樹脂がとられ、金型への樹脂の未充填等の成形不具合を生じさせる等、生産性の低下を引き起こす問題があった。以上より、半田耐熱性、離型性、連続成形性、成形品外観、金型汚れ全ての課題に対応した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が要求されている。
特開平９−３１６１号公報（第２〜５頁） 特開平９−２３５３５３号公報（第２〜７頁） 特開平１１−１４０２７７号公報（第２〜１１頁） 特開２００２−８０６９５号公報（第２〜５頁） 特開２００２−９７３４４号公報（第２〜１０頁） 特開２００１−３１０９３０号公報（第２〜８頁）
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは半田耐熱性が良好で且つ、離型性、連続成形性、成形品外観、金型汚れ全ての課題に対応し、生産性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供するものである。
このような目的は、下記［１］〜［６］に記載の本発明により達成される。
［１］（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）（Ｃ−１）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン及び／又は（Ｃ−２）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂との反応生成物、並びに（Ｄ）グリセリントリ脂肪酸エステルを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記（Ａ）エポキシ樹脂がフェノールアラルキル型エポキシ樹脂であり、前記（Ｂ）フェノール樹脂がフェノールアラルキル樹脂であり、前記（Ｄ）グリセリントリ脂肪酸エステルが、全エポキシ樹脂組成物中に０．０２〜０．８０重量％含有し、前記（Ｃ）におけるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンが一般式（１）で表されるオルガノポリシロキサンである半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
Figure 0005338028
 （式中、Ｒは、２つがカルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基であり、残余の基は水素、フェニル基、又はメチル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜５０の正数である。）
［２］前記（Ｄ）グリセリントリ脂肪酸エステルがグリセリンと炭素数２４〜３６の飽和脂肪酸とのトリエステルである第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］前記（Ｃ）成分と前記（Ｄ）成分との重量比（Ｃ）／（Ｄ）が３／１〜１／５である第［１］又は［２］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［４］前記（Ａ）エポキシ樹脂が一般式（２）で表されるエポキシ樹脂である第［１］ないし［３］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
Figure 0005338028
 （式中、ｎは平均値で、１〜１０の正数）
［５］前記（Ｂ）フェノール樹脂が一般式（３）で表されるフェノール樹脂である第［１］ないし［４］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
Figure 0005338028
 （式中、ｎは平均値で、１〜１０の正数）
［６］第［１］ないし［５］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
本発明に従うと、半導体装置実装時において優れた半田耐熱性を示すとともに、半導体素子の封止成形時における従来の欠陥である離型性、連続成形性、成形品外観、金型汚れ等の課題を解決することができ、生産性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置が得られる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について断面構造を示した図である。
符号の説明
１０１ 半導体素子
１０２ ダイパッド
１０３ 金線
１０４ リードフレーム
１０５ 封止樹脂
１０６ ダイボンド材硬化体
本発明は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン及びグリセリントリ脂肪酸エステルを必須成分として配合することにより、半導体素子の封止成形時において離型性、連続成形性、成形品外観が良好で金型汚れも発生し難いという、優れた生産性を示すとともに、半導体装置実装時の半田耐熱性にすぐれた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を特に限定するものではない。例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフトール型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも混合して用いてもよい。
耐半田クラック性の向上という点からは、中でもフェノールアラルキル型エポキシ樹脂が好ましく、更にビフェニレン骨格等を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂が好ましく、特に、一般式（２）に示されるエポキシ樹脂が好ましい。
Figure 0005338028
 （式中、ｎは平均値で、１〜１０の正数）
本発明に用いる（Ｂ）フェノール樹脂としては、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を特に限定するものではない。例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらは単独でも混合して用いてもよい。
耐半田クラック性の向上という点からは、中でもフェノールアラルキル樹脂が好ましく、更にビフェニレン骨格等を有するフェノールアラルキル樹脂が好ましく、特に、一般式（３）に示されるフェノール樹脂が好ましい。またフェノール樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の比が０．８〜１．３であることが好ましい。
Figure 0005338028
 （式中、ｎは平均値で、１〜１０の正数）
本発明に用いる（Ｃ）成分は、（Ｃ−１）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン及び／又は（Ｃ−２）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂との反応生成物である。
本発明の（Ｃ）成分に用いるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンは、１分子中に１個以上のカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンであり、グリセリントリ脂肪酸エステルと併用する必要がある。カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンを単独で使用した場合、離型性が不十分となり、連続成形性が低下する。グリセリントリ脂肪酸エステルを単独使用した場合は成形品の外観が悪い。カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとグリセリントリ脂肪酸エステルと併用することにより、グリセリントリ脂肪酸エステルを相溶化させることができ、成形品の外観と離型性を両立でき、連続成形が良好になる。本発明の（Ｃ）成分とグリセリントリ脂肪酸エステル（Ｄ）との併合配合割合（Ｃ）／（Ｄ）は、重量比で３／１〜１／５が望ましく、この範囲が最も効果が高い。
（Ｃ）成分に用いるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとしては、一般式（１）で示されるオルガノポリシロキサンが望ましい。一般式（１）の式中のＲは有機基であり、全有機基の内、少なくとも１個以上がカルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基であり、残余の有機基は水素、フェニル基、又はメチル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。カルボキシル基を有する有機基の炭素数が上限を超えるとレジンとの相溶性が悪化し、成形品の外観が悪化する恐れがある。尚、一般式（１）で示されるオルガノポリシロキサンのカルボキシル基を有する有機基の炭素数とは、有機基中の炭化水素基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。
Figure 0005338028
 （式中、Ｒは少なくとも１つ以上がカルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基であり、残余の基は水素、フェニル基、又はメチル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜５０の正数である。）
また、Ｒのうち、カルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基としては、特に限定されず、カルボキシル基を有すれば本発明の効果を損なわない限り他の置換基を有していても良く、またカルボキシル基そのものであっても良い。カルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基としては、炭化水素基中の水素がカルボキシル基で置換されたものを挙げることができる。上記炭化水素基には、直鎖状、分枝鎖状及び環状炭化水素が含まれ、更に飽和及び不飽和炭化水素が含まれる。また、環状炭化水素には芳香族炭化水素と脂環式炭化水素が含まれる。これらの中でも、直鎖状飽和炭化水素基中の水素がカルボキシル基で置換されたものであることが好ましい。中でも炭素数が１〜３０の直鎖状飽和炭化水素基中の水素がカルボキシル基で置換されたものであることが好ましい。
また、一般式（１）中のｎは平均値で、１〜５０の正数である。カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとしては、オイル状であることが好ましい。ｎの値が上限値を超えるとオルガノポリシロキサン単体の粘度が高くなり流動性が悪化する恐れがある。一般式（１）で示されるオルガノポリシロキサンを使用すると、流動性の低下を引き起こさず、成形品の外観が特に良好になる。
本発明の（Ｃ）成分としては、（Ｃ−２）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂との反応生成物を用いても良い。この場合、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンをエポキシ樹脂と硬化促進剤により予め溶融・反応させることが好ましい。このようにすると、連続成形後の型汚れが発生し難く、連続成形性が極めて良好になる。ここで言う硬化促進剤とは、カルボキシル基とエポキシ基との硬化反応を促進させるものであればよく、後述するエポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる硬化促進剤と同じものを用いることができる。
カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンの配合量は、全エポキシ樹脂組成物中０．０１〜３重量％が好ましい。下限を下回ると効果が不十分で離型剤による成形品外観汚れを抑えることができない恐れがあり、上限を超えるとオルガノポリシロキサン自体により、成形品の外観が汚れる恐れがある。
また、本発明に用いられるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンを添加する効果を損なわない範囲で、他のオルガノポリシロキサンを併用することができる。
本発明に用いるグリセリントリ脂肪酸エステルは、グリセリンと飽和脂肪酸より得られるトリエステルであり、トリグリセリドともいい、離型性が非常に優れている。モノエステル、ジエステルでは残存する水酸基の影響によりエポキシ樹脂の硬化物の耐湿性が低下し、その結果として半田耐熱性に悪影響を及ぼすので好ましくない。本発明に用いるグリセリントリ脂肪酸エステルとしては、具体的にはグリセリントリカプロン酸エステル、グリセリントリカプリル酸エステル、グリセリントリカプリン酸エステル、グリセリントリラウリン酸エステル、グリセリントリミリスチン酸エステル、グリセリントリパルミチン酸エステル、グリセリントリステアリン酸エステル、グリセリントリアラキジン酸エステル、グリセリントリベヘニン酸エステル、グリセリントリリグノセリン酸エステル、グリセリントリセロチン酸エステル、グリセリントリモンタン酸エステル等が挙げられる。本発明に用いるグリセリントリ脂肪酸エステルは、１分子内の脂肪酸基が同一である単一グリセリドであっても良いし、１分子内に２種又は３種の脂肪酸基を含む混合グリセリドであっても良い。また、２種以上のグリセリントリ脂肪酸エステルを混合して用いても良い。中でも炭素数２４〜３６の飽和脂肪酸とのグリセリントリ脂肪酸エステルが、離型性と成形品外観の観点から、望ましい。尚、本発明中の飽和脂肪酸の炭素数とは飽和脂肪酸中のアルキル基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。
本発明に用いられるグリセリンと飽和脂肪酸をエステル化したグリセリントリ脂肪酸エステルを添加する効果を損なわない範囲で、他の離型剤を併用することもできる。例えば、カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエステルワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類が挙げられる。
また、グリセリントリ脂肪酸エステルの配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．０２〜１重量％が好ましい。下限を下回ると十分な離型性が得られず、上限を超えると成形品の外観汚れや密着性の低下を引き起こす恐れがある。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン、及びグリセリントリ脂肪酸エステルを必須成分とするが、その他の主要構成成分として硬化促進剤、無機充填材等を配合することができる。
本発明に用いる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用するものを用いることができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。硬化促進剤の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．０５〜０．８重量％が好ましい。
本発明に用いる無機充填材としては、一般に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ、最も好適に使用されるものとしては、球状の溶融シリカである。これらの無機充填材は、単独でも混合して用いても差し支えない。またこれらがカップリング剤により表面処理されていてもかまわない。無機充填材の形状としては、流動性改善のために、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。無機充填材の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中７８〜９３重量％が好ましい。下限値を下回ると十分な耐半田性が得られず、上限値を超えると十分な流動性が得られない恐れがある。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール硬化剤、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン、グリセリントリ脂肪酸エステル、硬化促進剤、及び無機充填材から構成されるが、更にこれ以外に必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤、臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ほう酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤等の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、ミキサー等を用いて原料を充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
次に、図１は、本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置の一例について断面構造を示した図である。ダイパッド１０２上に、ダイボンド材硬化体１０６を介して半導体素子１０１が固定されている。半導体素子１０１とリードフレーム１０４との間は金線１０３によって接続されている。半導体素子１０１は、封止樹脂１０５によって封止されている。この半導体装置は、封止樹脂１０５として上述した構成の本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用い、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で成形することにより得られる。
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
＜実施例１＞
Ｅ−１：式（２）で表されるエポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ３０００Ｐ、軟化点５８℃、エポキシ当量２７４）；８．１３重量部
Figure 0005338028
Ｈ−１：式（３）で表されるフェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点１０７℃、水酸基当量２０３）；５．４７重量部
Figure 0005338028
オルガノポリシロキサン１：式（４）で示されるオルガノポリシロキサン；０．２０重量部
Figure 0005338028
グリセリントリステアリン酸エステル；０．２０重量部
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという）；０．２０重量部
溶融球状シリカ（平均粒径２１μｍ）；８５．００重量部
カップリング剤（γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）；０．４０重量部
カーボンブラック；０．４０重量部
を混合し、熱ロールを用いて、９５℃で８分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
［評価方法］
（１）スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、硬化時間１２０秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。単位はｃｍ。判定基準は７０ｃｍ未満を不合格（×）、７０ｃｍ以上を合格（○）とした。
（２）連続成形性：低圧トランスファー自動成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．６ＭＰａ、硬化時間７０秒で８０ｐＱＦＰ（ＣｕＬ／Ｆ、パッケージ外寸：１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚、パッドサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ、チップサイズ６．０ｍｍ×６．０ｍｍ）を連続で７００ショットまで成形した。判定基準は未充填等全く問題なく７００ショットまで連続成形できたものを◎、未充填等全く問題なく５００ショットまで連続成形できたものを○、それ以外を×とした。
（３）成形品外観及び金型汚れ：上記連続成形において５００及び７００ショット経過後のパッケージ及び金型について、目視で汚れを評価した。パッケージ外観判断及び金型汚れ基準は、７００ショットまで汚れていないものを◎で、５００ショットまで汚れていないものを○で、汚れているものを×で表す。
（４）半田耐熱性：上記連続成形により成形したパッケージを１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージを８５℃、相対湿度８５％で１６８時間加湿処理後、別々に２４０℃と２６０℃の半田槽に各１０個のパッケージを１０秒間浸漬した。顕微鏡でパッケージを観察し、クラック発生率［（クラック発生率）＝（外部クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を算出した（単位は％）。評価したパッケージの数は２０個である。また、半導体素子とエポキシ樹脂組成物界面の密着状態を超音波探傷装置により観察し、剥離の有無を評価した。評価したパッケージの数は２０個である。耐半田クラック性判断基準は、２４０℃及び２６０℃でのクラック発生率が０％で、かつ剥離なしを◎、２４０℃でのクラック発生率が０％で、かつ剥離なしを○、クラックもしくは剥離が発生したものを×とした。
＜実施例３〜９、参考例１〜３、比較例１〜６＞
表１、表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。結果を表１、表２に示す。
実施例１で用いたもの以外で、該実施例、参考例及び比較例で用いた原材料を以下に示す。
Ｅ−２：ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００、エポキシ当量１９０ｇ／ｅｑ、融点１０５℃）
Ｅ−３：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ−１０２０ ６２、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃）
Ｈ−２：パラキシリレン変性ノボラック型フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１６８ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃）
オルガノポリシロキサン２：式（５）で示されるオルガノポリシロキサン
Figure 0005338028
オルガノポリシロキサン３：式（６）で示されるオルガノポリシロキサン
Figure 0005338028
オルガノポリシロキサン４：式（７）で示されるオルガノポリシロキサン
Figure 0005338028
溶融反応物Ａ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン製、ＹＬ−６８１０、エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、融点４７℃）６６．１重量部を１４０℃で加温溶融し、オルガノポリシロキサン３（式（６）で示されるオルガノポリシロキサン）３３．１重量部及びトリフェニルホスフィン０．８重量部を添加して、３０分間溶融混合して、（Ｃ−２）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂との反応生成物に該当する溶融反応物Ａを得た。
グリセリントリモンタン酸エステル
グリセリンジモンタン酸エステル
カルナバワックス
Figure 0005338028
Figure 0005338028
本発明に従うと、半導体装置実装時において優れた半田耐熱性を示すとともに、半導体素子の封止成形時における従来の欠陥である離型性、連続成形性、成形品外観、金型汚れ等の課題を解決することができるため、工業的な樹脂封止型半導体装置、特に表面実装用の樹脂封止型半導体装置の製造に好適に用いることができる。

Claims (6)

  1. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）（Ｃ−１）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン及び／又は（Ｃ−２）カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂との反応生成物、並びに（Ｄ）グリセリントリ脂肪酸エステルを含有する、半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、前記（Ａ）エポキシ樹脂がフェノールアラルキル型エポキシ樹脂であり、前記（Ｂ）フェノール樹脂がフェノールアラルキル樹脂であり、前記（Ｄ）グリセリントリ脂肪酸エステルが、全エポキシ樹脂組成物中に０．０２〜０．８０重量％含有し、前記（Ｃ）におけるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサンが一般式（１）で表されるオルガノポリシロキサンである半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    Figure 0005338028
     （式中、Ｒは、２つがカルボキシル基を有する炭素数１〜４０の有機基であり、残余の基は水素、フェニル基、又はメチル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜５０の正数である。）
  2. 前記（Ｄ）グリセリントリ脂肪酸エステルがグリセリンと炭素数２４〜３６の飽和脂肪酸とのトリエステルである請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  3. 前記（Ｃ）成分と前記（Ｄ）成分との重量比（Ｃ）／（Ｄ）が３／１〜１／５である請求項１又は２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  4. 前記（Ａ）エポキシ樹脂が一般式（２）で表されるエポキシ樹脂である請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    Figure 0005338028
     （式中、ｎは平均値で、１〜１０の正数）
  5. 前記（Ｂ）フェノール樹脂が一般式（３）で表されるフェノール樹脂である請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    Figure 0005338028
     （式中、ｎは平均値で、１〜１０の正数）
  6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
JP2006511039A 2004-03-16 2005-03-15 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Active JP5338028B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006511039A JP5338028B2 (ja) 2004-03-16 2005-03-15 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004075414 2004-03-16
JP2004075414 2004-03-16
JP2006511039A JP5338028B2 (ja) 2004-03-16 2005-03-15 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
PCT/JP2005/004555 WO2005087834A1 (ja) 2004-03-16 2005-03-15 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2005087834A1 JPWO2005087834A1 (ja) 2008-01-24
JP5338028B2 true JP5338028B2 (ja) 2013-11-13

Family

ID=34975543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006511039A Active JP5338028B2 (ja) 2004-03-16 2005-03-15 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20070196664A1 (ja)
JP (1) JP5338028B2 (ja)
KR (1) KR101149453B1 (ja)
CN (1) CN100519619C (ja)
MY (1) MY159179A (ja)
SG (2) SG184731A1 (ja)
TW (1) TWI398461B (ja)
WO (1) WO2005087834A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4590899B2 (ja) * 2004-03-30 2010-12-01 住友ベークライト株式会社 金型離型回復樹脂組成物及び半導体装置の製造方法
JP4765310B2 (ja) * 2004-12-24 2011-09-07 住友ベークライト株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4973146B2 (ja) * 2006-11-20 2012-07-11 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP5024073B2 (ja) * 2007-02-16 2012-09-12 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5157473B2 (ja) * 2007-03-28 2013-03-06 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4930145B2 (ja) * 2007-03-28 2012-05-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4973322B2 (ja) * 2007-06-04 2012-07-11 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5169285B2 (ja) * 2007-08-22 2013-03-27 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5169287B2 (ja) * 2007-09-21 2013-03-27 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5169288B2 (ja) * 2007-09-21 2013-03-27 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR101309820B1 (ko) * 2010-12-29 2013-09-23 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
EP2910587B1 (en) * 2012-10-19 2019-07-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, prepreg, laminate plate, metallic foil clad laminate, and printed circuit board
KR102075187B1 (ko) * 2012-10-19 2020-02-07 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 프리프레그, 적층판, 및 프린트 배선판
US10163765B2 (en) 2016-04-19 2018-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device that includes a molecular bonding layer for bonding of elements
KR102112865B1 (ko) * 2017-11-06 2020-05-19 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5869244A (ja) * 1981-10-21 1983-04-25 Toray Silicone Co Ltd 成形用エポキシ樹脂組成物
JPH01319529A (ja) * 1988-06-20 1989-12-25 Denki Kagaku Kogyo Kk エポキシ樹脂組成物
JPH04108851A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性エポキシ樹脂組成物
JPH0669379A (ja) * 1991-05-13 1994-03-11 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP2000044774A (ja) * 1998-07-28 2000-02-15 Toray Ind Inc 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2000103938A (ja) * 1998-09-25 2000-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2002212393A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002220434A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003105057A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3012358B2 (ja) * 1991-04-30 2000-02-21 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 加熱硬化性エポキシ樹脂組成物
US6610406B2 (en) * 2000-03-23 2003-08-26 Henkel Locktite Corporation Flame retardant molding compositions
JP4411760B2 (ja) * 2000-09-06 2010-02-10 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003252960A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5869244A (ja) * 1981-10-21 1983-04-25 Toray Silicone Co Ltd 成形用エポキシ樹脂組成物
JPH01319529A (ja) * 1988-06-20 1989-12-25 Denki Kagaku Kogyo Kk エポキシ樹脂組成物
JPH04108851A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性エポキシ樹脂組成物
JPH0669379A (ja) * 1991-05-13 1994-03-11 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP2000044774A (ja) * 1998-07-28 2000-02-15 Toray Ind Inc 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2000103938A (ja) * 1998-09-25 2000-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2002212393A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002220434A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003105057A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070012655A (ko) 2007-01-26
SG151268A1 (en) 2009-04-30
JPWO2005087834A1 (ja) 2008-01-24
SG184731A1 (en) 2012-10-30
WO2005087834A1 (ja) 2005-09-22
KR101149453B1 (ko) 2012-05-25
MY159179A (en) 2016-12-30
CN100519619C (zh) 2009-07-29
CN1934156A (zh) 2007-03-21
TWI398461B (zh) 2013-06-11
US20070196664A1 (en) 2007-08-23
TW200609263A (en) 2006-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5338028B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5487540B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4946115B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006328360A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4581793B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4952283B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4973146B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2008106230A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5057015B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4984596B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4561220B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4682617B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4586405B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005336361A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4569260B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2007063402A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4835851B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5029133B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5024073B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5326975B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および半導体装置
JP2008063564A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006335830A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4930145B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5332900B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006335828A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110822

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120709

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130614

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130709

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130722

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5338028

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150