JPH0669379A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0669379A
JPH0669379A JP13825891A JP13825891A JPH0669379A JP H0669379 A JPH0669379 A JP H0669379A JP 13825891 A JP13825891 A JP 13825891A JP 13825891 A JP13825891 A JP 13825891A JP H0669379 A JPH0669379 A JP H0669379A
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JP
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epoxy resin
chemical
following
resin composition
phenol resin
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JP13825891A
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English (en)
Inventor
Shinya Akizuki
伸也 秋月
Yoshinobu Nakamura
吉伸 中村
司 ▲吉▼田
Tsukasa Yoshida
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Nitto Denko Corp
DKS Co Ltd
Original Assignee
Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 熱サイクルテストで評価される各特性の向上
および半田溶融液浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体
装置の提供。 【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。 (A)例えば のエポキシ樹脂。 (B)例えば

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、信頼性に優れた半導体
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】トランジスター,IC,LSI等の半導
体素子は、従来セラミツクパツケージ等によつて封止さ
れ、半導体装置化されていたが、最近では、コスト,量
産性の観点から、プラスチツクパツケージを用いた樹脂
封止が主流になつている。この種の樹脂封止には、従来
からエポキシ樹脂が使用されており良好な成績を収めて
いる。しかしながら、半導体分野の技術革新によつて集
積度の向上とともに素子サイズの大形化,配線の微細化
が進み、パツケージの小形化,薄形化する傾向にあり、
これに伴つて封止材料に対してより以上の信頼性(得ら
れる半導体装置の熱応力の低減,耐湿信頼性,耐熱衝撃
試験に対する信頼性等)の向上が要求されている。特
に、近年、半導体素子サイズはますます大形化する傾向
にあり、半導体封止樹脂の性能評価用の加速試験である
熱サイクル試験(TCTテスト)に対するより以上の性
能の向上が要求されている。また、半導体パツケージの
実装方法として表面実装が主流となつてきており、この
ために半導体パツケージを吸湿させた上で半田溶融液に
浸漬してもパツケージにクラツクや膨れが発生しないと
いう特性が要求されている。
【0003】これに関して、従来から、TCTテストで
評価される各特性の向上のためにシリコーン化合物でエ
ポキシ樹脂を変性して熱応力を低減させることが検討さ
れており、また半田浸漬時の耐クラツク性の向上のため
にリードフレームとの密着性の向上等が検討されてきた
が、その効果は未だ充分ではない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
での封止用エポキシ樹脂組成物は、TCTテストの結果
や半田浸漬時の耐クラツク性の特性が充分ではなかつ
た。このために上記の技術革新による半導体素子サイズ
の大形化や表面実装化に対応できるように、上記両特性
を向上させることが強く望まれている。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、TCTテストで評価される各特性の向上および
半田溶融液浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体装置の
提供をその目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の(A)〜(C)成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置を第1の要旨とし、
【0007】(A)下記の(イ)および(ロ)の少なく
とも一方。 (イ)下記の一般式(1)および(2)で表されるエポ
キシ樹脂の少なくとも一方。
【化11】
【化12】 (ロ)上記(イ)以外のエポキシ樹脂。 (B)下記の(ハ)および(ニ)の少なくとも一方〔た
だし、(A)成分が上記(ロ)のみからなるときには、
(B)成分は少なくとも(ハ)からなる〕。 (ハ)下記の一般式(3)および(4)で表されるフエ
ノール樹脂の少なくとも一方。
【化13】
【化14】 (ニ)上記(ハ)以外のフエノール樹脂。 (C)無機質充填剤。
【0008】上記(A)〜(C)成分に加えて、下記の
一般式(5)および(6)で表されるシリコーン化合物
の少なくとも一方を含むエポキシ樹脂組成物を用いて半
導体素子を封止してなる半導体装置を第2の要旨とす
る。
【化15】
【0009】
【作用】本発明者らは、TCTテストで評価される各特
性の向上および半田溶融液に浸漬した際の耐クラツク性
の向上を実現するために一連の研究を重ねた。その結
果、上記一般式(1),(2),(3)および(4)で
表されるような特殊骨格構造を有するエポキシ樹脂およ
びフエノール樹脂を用い、さらに上記一般式(5)およ
び(6)で表される特殊なシリコーン化合物を併用する
と、TCTテストおよび吸湿後の半田溶融液に浸漬した
際の耐クラツクの双方に優れるようになることを見出し
本発明に到達した。
【0010】本発明の半導体装置に用いられるエポキシ
樹脂組成物は、A成分を構成するエポキシ樹脂と、B成
分を構成するフエノール樹脂との組み合わせにより、つ
ぎの4種類の態様がある。
【0011】第1の態様は、新規エポキシ樹脂〔一般式
(1)および(2)〕と、通常のフエノール樹脂との組
み合わせであり、第2の態様は、通常のエポキシ樹脂と
新規フエノール樹脂〔一般式(3)および(4)〕の組
み合わせであり、第3の態様は、上記新規エポキシ樹脂
と上記新規フエノール樹脂との組み合わせであり、第4
の態様は、上記新規エポキシ樹脂および新規フエノール
樹脂の片方または双方と、通常のエポキシ樹脂または通
常のフエノール樹脂との組み合わせである。また、これ
ら4種類の態様に、前記一般式(5)および(6)で表
される特殊なシリコーン化合物の組み合わせもあげられ
る。このような組み合わせからなるエポキシ樹脂組成物
は、通常、粉末状あるいはこれを打錠したタブレツト状
になつている。
【0012】まず、上記第1の態様について説明する。
【0013】上記第1の態様において用いられるA成分
を構成する新規エポキシ樹脂は、前記一般式(1)およ
び(2)で表されるポリグリシジルエーテルである。上
記新規エポキシ樹脂は、ナフトールまたはジヒドロキシ
ナフタリントアラルキルエーテル(例えばα,α′−ジ
メトキシパラキシレン)を用い、フリーデルクラフツ反
応により縮合させたものをグリシジルエーテル化し得ら
れる。上記反応において縮合度は2〜6が好ましい。そ
して、上記一般式(1)において、繰り返し数n中のナ
フタリン環に結合する置換基の位置は下記の二通りの態
様(a)および(b)がある。さらに、上記一般式
(1)において、右末端のナフタリン環の部分は下記の
二通りの態様(c)および(d)がある。
【0014】
【化16】
【0015】
【化17】
【0016】
【化18】
【0017】
【化19】
【0018】また、上記一般式(2)においても、一般
式(1)と同様、繰り返し数n中のナフタリン環に結合
する置換基の位置は下記の二通りの態様がある。
【0019】
【化20】
【0020】
【化21】
【0021】そして、上記一般式(1)および(2)に
おいて、繰り返し数nとしては0〜1が特に好ましい。
【0022】上記新規エポキシ樹脂とともに用いられる
通常のフエノール樹脂としては、特に限定するものでは
なく従来公知のものが用いられる。例えば、フエノール
ノボラツク,クレゾールノボラツク等が好適にあげられ
る。これらのノボラツク樹脂は、軟化点が50〜110
℃、水酸基当量が70〜150のものを用いることが好
ましい。特に、上記ノボラツク樹脂のなかでもクレゾー
ルノボラツクを用いることが好結果をもたらす。この
他、下記の構造式(7),(8)および(9)等を用い
ても好結果をもたらす。
【0023】
【化22】
【0024】なお、上記構造式(9)において、繰り返
し数n中のナフタリン環に結合する置換基の位置は下記
の二通りの態様(e)および(f)がある。さらに、上
記構造式(9)において、右末端のナフタリン環の部分
は下記の二通りの態様(g)および(h)がある。
【0025】
【化23】
【0026】
【化24】
【0027】
【化25】
【0028】
【化26】
【0029】上記新規エポキシ樹脂と通常のフエノール
樹脂の配合比は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基1当
量当たりフエノール樹脂中の水酸基が0.8〜1.2当
量となるように配合することが好ましい。
【0030】上記新規エポキシ樹脂,通常のフエノール
樹脂とともに用いられるC成分の無機質充填剤は、特に
限定するものではなく、一般に用いられている石英ガラ
ス粉末,タルク,シリカ粉末,アルミナ粉末,炭酸カル
シウム,カーボンブラツク粉末等があげられる。特にシ
リカ粉末を用いるのが好適である。このような無機質充
填剤の含有量は、シリカ粉末の場合、エポキシ樹脂組成
物全体の50重量%(以下「%」と略す)以上に設定す
るのが好ましい。特に好ましくは80%以上である。す
なわち、シリカ粉末の含有量が50%を下回ると充填剤
を含有した効果が大幅に低下する傾向がみられるからで
ある。
【0031】つぎに、上記第2の態様について説明す
る。
【0032】上記第2の態様に用いられる通常のエポキ
シ樹脂は、特に限定するものではなく、従来公知のもの
が用いられる。例えば、ビスフエノールA型,フエノー
ルノボラツク型,クレゾールノボラツク型等があげられ
る。これら樹脂のなかでも融点が室温を超えており、室
温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈するものが
好結果をもたらす。上記フエノールノボラツク型エポキ
シ樹脂としては、通常、エポキシ当量160〜250、
軟化点50〜130℃のものが用いられ、クレゾールノ
ボラツク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180
〜210、軟化点50〜130℃のものが用いられ、ク
レゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エポキシ
当量180〜210、軟化点60〜110℃のものが一
般的に用いられる。この他、下記の構造式(10),
(11),(12)および(13)等を用いても好結果
をもたらす。なお、下記の構造式(10)および(1
1)においても、繰り返し数n中のナフタリン環に結合
する置換基の位置は前記と同様に二通りの態様がある。
さらに、下記の構造式(10)において、右末端のナフ
タリン環の部分の結合手の位置は前記構造式(9)と同
様に二通りの態様がある。
【0033】
【化27】
【0034】上記通常のエポキシ樹脂とともに用いられ
る新規フエノール樹脂は、前記一般式(3)および
(4)で表され、縮合度は4〜6が好ましい。このよう
新規フエノール樹脂は上記第1の態様において用いられ
る新規エポキシ樹脂のグリシジルエーテル化するまえの
フエノール樹脂の作製と同様にして得られる。そして、
前記一般式(3)において、繰り返し数n中のナフタリ
ン環に結合する置換基の位置は下記の二通りの態様
(i)および(j)がある。さらに、前記一般式(3)
において、右末端のナフタリン環の部分は下記の二通り
の態様(k)および(l)がある。
【0035】
【化28】
【0036】
【化29】
【0037】
【化30】
【0038】
【化31】
【0039】また、上記一般式(4)においても、一般
式(3)と同様、繰り返し数n中のナフタリン環に結合
する置換基の位置は下記の二通りの態様がある。
【0040】
【化32】
【0041】
【化33】
【0042】そして、上記一般式(3)および(4)に
おいて、繰り返し数nとしては、0〜1が特に好まし
い。
【0043】上記通常のエポキシ樹脂と新規フエノール
樹脂との配合比も、前記第1の態様と同様、上記通常の
エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量当たり新規フエノー
ル樹脂中の水酸基が0.8〜1.2当量となるように配
合することが好ましい。
【0044】また、上記通常のエポキシ樹脂および新規
フエノール樹脂とともに用いられる無機質充填剤も、前
記第1の態様と同様のものがあげられ、配合量も同様の
割合に設定することが好適である。
【0045】つぎに、上記第3の態様について説明す
る。
【0046】上記第3の態様は、新規エポキシ樹脂と新
規フエノール樹脂の組み合わせであり、上記新規エポキ
シ樹脂,新規フエノール樹脂さらにC成分の無機質充填
剤とも、前記第1の態様および第2の態様で用いられる
ものと同様のものがあげられる。
【0047】さらに、上記第4の態様について説明す
る。
【0048】上記第4の態様は、新規エポキシ樹脂およ
び新規フエノール樹脂の片方または双方と、通常のエポ
キシ樹脂または通常のフエノール樹脂との組み合わせで
ある。この場合の通常のエポキシ樹脂またはフエノール
樹脂の配合割合は、それぞれエポキシ樹脂成分全体また
はフエノール樹脂成分全体の50%未満に設定すること
が好ましい。
【0049】そして、上記エポキシ樹脂成分およびフエ
ノール樹脂成分とともに用いられる無機質充填剤として
は、上記第1〜第3の態様で用いられるものと同様のも
のがあげられる。
【0050】さらに、前記第1〜第4の態様において用
いられるエポキシ樹脂成分,フエノール樹脂成分および
無機質充填剤に加えて、特殊なシリコーン化合物を用い
てもよい。上記特殊なシリコーン化合物としては、下記
の一般式(5)および(6)で表されるものがあげら
れ、単独でもしくは併せて用いられる。
【0051】
【化34】
【0052】このようなシリコーン化合物の配合量は、
シリコーン化合物がエポキシ樹脂組成物全体の5%以下
になるように設定されるのが好ましい。特に好ましいの
は0.5〜3.0%の範囲内である。すなわち、シリコ
ーン化合物の配合量が5%を超えると耐熱性等の特性が
低下する傾向がみられるからである。
【0053】なお、本発明に用いられるエポキシ樹脂組
成物には、上記第1〜第4の態様で用いられるエポキシ
樹脂成分,フエノール樹脂成分,無機質充填剤およびシ
リコーン化合物以外に、必要に応じて硬化促進剤として
従来公知の三級アミン,四級アンモニウム塩,イミダゾ
ール類およびホウ素化合物を単独でもしくは併せて用い
ることができる。さらに、三酸化アンチモン,リン系化
合物等の難燃剤や、カーボンブラツクや酸化チタン等の
顔料、パラフインや脂肪族エステル等の離型剤、シラン
カツプリング剤等のカツプリング剤を用いることができ
る。
【0054】本発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、第1〜第4の態様で用いられるエポキシ樹脂,
フエノール樹脂および無機質充填剤、さらにこれらに加
えてシリコーン化合物、そして必要に応じて硬化促進
剤,難燃剤,顔料,離型剤およびカツプリング剤を所定
の割合で配合する。ついで、これらの混合物をミキシン
グロール機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練し
て、これを室温に冷却した後、公知の手段によつて粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程によつて目
的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
【0055】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子を封止する方法は、特に限定するものではな
く、通常のトランスフアー成形等の公知のモールド方法
によつて行うことができる。
【0056】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置は、
上記新規エポキシ樹脂,新規フエノール樹脂の少なくと
も一方を含有する特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて封
止されているため、TCTテストで評価される特性が向
上して長寿命になる。また、吸湿後、半田溶融液に浸漬
した場合においてもパツケージクラツクが発生しにく
い。さらに、上記エポキシ樹脂組成物に特殊なシリコー
ン化合物〔前記一般式(5)および(6)〕を併用する
と一層耐湿信頼性の向上効果が図れる。すなわち、上記
特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、8ピン以
上、特に16ピン以上の、もしくは半導体素子の長辺が
4mm以上の大型の半導体装置において、上記のような高
信頼性が得られるようになり、これが大きな特徴であ
る。
【0057】つぎに、実施例を比較例と併せて説明す
る。
【0058】エポキシ樹脂組成物の作製に先立つて、下
記のシリコーン化合物a〜f、エポキシ樹脂A,Bおよ
びフエノール樹脂C,Dを準備した。
【0059】〔シリコーン化合物a〕
【化35】 エポキシ当量:1800
【0060】〔シリコーン化合物b〕
【化36】 エポキシ当量:3000
【0061】〔シリコーン化合物c〕
【化37】 エポキシ当量:10000
【0062】〔シリコーン化合物d〕
【化38】 エポキシ当量:7000
【0063】〔シリコーン化合物e〕
【化39】 アミン当量:3800
【0064】〔シリコーン化合物f〕
【化40】 カルボキシル当量:3300
【0065】なお、上記シリコーン化合物a〜fにおい
て、nの値は、シリコーン化合物aでは40、シリコー
ン化合物bでは60、シリコーン化合物cでは9、シリ
コーン化合物dでは29、シリコーン化合物fでは87
である。mの値は、シリコーン化合物cでは9である。
Xの値は、シリコーン化合物cでは156、シリコーン
化合物dでは152、シリコーン化合物eでは148で
ある。Yの値は、シリコーン化合物cでは2、シリコー
ン化合物dでは3、シリコーン化合物eでは3である。
Zの値は、シリコーン化合物cでは4、シリコーン化合
物dでは5である。
【0066】〔エポキシ樹脂A〕
【化41】 エポキシ当量:283g/eq、軟化点64℃、繰り返し
数n=0〜1 なお、上記エポキシ樹脂Aにおいて、繰り返し数n中の
ナフタリン環に結合する置換基の位置は下記の二通りの
態様(m),(n)があり、右末端のナフタリン環部分
は下記の二通りの態様(o)および(p)がある。
【化42】
【化43】
【0067】〔エポキシ樹脂B〕
【化44】 エポキシ当量:196g/eq、軟化点69℃、繰り返し
数n=1〜4
【0068】なお、上記エポキシ樹脂Bの構造式におい
て、Glyは下記に示すグリシジル基である。
【0069】
【化45】
【0070】〔フエノール樹脂C〕
【化46】 水酸基当量:214g/eq、軟化点89℃、繰り返し数
n=0〜1 なお、上記フエノール樹脂Cにおいて、繰り返し数n中
のナフタリン環に結合する置換基の位置は下記の二通り
の態様(q),(r)があり、右末端のナフタリン環部
分は下記の二通りの態様(s)および(t)がある。
【化47】
【化48】
【0071】〔フエノール樹脂D〕
【化49】 フエノール当量:106g/eq、軟化点80℃、繰り返
し数n=
【0072】
【実施例1〜27、比較例1〜3】上記シリコーン化合
物a〜f,エポキシ樹脂A,Bおよびフエノール樹脂
C,Dと、下記の表1〜表5に示す各成分を同表に示す
割合で配合し、ミキシングロール機(温度100℃)で
3分間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする
粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。
【0073】
【表1】
【0074】
【表2】
【0075】
【表3】
【0076】
【表4】
【0077】
【表5】
【0078】以上の実施例および比較例によつて得られ
たエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
アー成形(条件:175℃×2分、175℃×5時間後
硬化)することにより半導体装置を得た。このパツケー
ジは80ピン四方向フラツトパツケージ(80ピンQF
P、サイズ:20×14×2mm)であり、ダイパツドサ
イズは8×8mmである。
【0079】このようにして得られた半導体装置につい
て、−50℃/5分〜150℃/5分の熱サイクルテス
ト(TCTテスト)を行つた。また、85℃/85%R
Hの相対湿度の恒温槽中に放置して吸湿させた後に、2
60℃の半田溶融液に10秒間浸漬する試験を行つた。
この結果を下記の表6〜表9に示した。
【0080】
【表6】
【0081】
【表7】
【0082】
【表8】
【0083】
【表9】
【0084】上記表3および表4の結果から、実施例品
のTCTテストおよび半田溶融液への浸漬時の耐クラツ
ク性が比較例の従来品に比べて著しく優れていることが
明らかである。
フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼田 司 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエ
    ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
    導体装置。 (A)下記の(イ)および(ロ)の少なくとも一方。 (イ)下記の一般式(1)および(2)で表されるエポ
    キシ樹脂の少なくとも一方。 【化1】 【化2】 (ロ)上記(イ)以外のエポキシ樹脂。 (B)下記の(ハ)および(ニ)の少なくとも一方〔た
    だし、(A)成分が上記(ロ)のみからなるときには、
    (B)成分は少なくとも(ハ)からなる〕。 (ハ)下記の一般式(3)および(4)で表されるフエ
    ノール樹脂の少なくとも一方。 【化3】 【化4】 (ニ)上記(ハ)以外のフエノール樹脂。 (C)無機質充填剤。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の(A)〜(C)成分に加
    えて、下記の一般式(5)および(6)で表されるシリ
    コーン化合物の少なくとも一方を含むエポキシ樹脂組成
    物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。 【化5】
  3. 【請求項3】 下記の(A)〜(C)成分を含有する半
    導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A)下記の(イ)および(ロ)の少なくとも一方。 (イ)下記の一般式(1)および(2)で表されるエポ
    キシ樹脂の少なくとも一方。 【化6】 【化7】 (ロ)上記(イ)以外のエポキシ樹脂。 (B)下記の(ハ)および(ニ)の少なくとも一方〔た
    だし、(A)成分が上記(ロ)のみからなるときには、
    (B)成分は少なくとも(ハ)からなる〕。 (ハ)下記の一般式(3)および(4)で表されるフエ
    ノール樹脂の少なくとも一方。 【化8】 【化9】 (ニ)上記(ハ)以外のフエノール樹脂。 (C)無機質充填剤。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の(A)〜(C)成分に加
    えて、下記の一般式(5)および(6)で表されるシリ
    コーン化合物の少なくとも一方を含むエポキシ樹脂組成
    物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。 【化10】
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JP (1) JPH0669379A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005344081A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Nippon Steel Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び硬化物
JP5338028B2 (ja) * 2004-03-16 2013-11-13 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5338028B2 (ja) * 2004-03-16 2013-11-13 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
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