JPH06128362A - 封止剤用化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液に浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装
置を得ることのできるノボラック体、エポキシ樹脂およ
びそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならび
に半導体装置の提供をする。 【構成】 エポキシ樹脂，下記の一般式（１）で表され
る繰り返し単位を有する封止剤用化合物および無機質充
填剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い
て半導体素子を樹脂封止する。 【化１】 〔上記式（１）において、Ｘはアントラセンから誘導さ
れる二価の有機基であって、水酸基を１〜３個有するも
のである。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、信頼性に優れた半導体
装置を作製するために用いられる封止用化合物およびそ
れを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半
導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子は、従来セラミックパッケージ等によって封止さ
れ、半導体装置化されていたが、最近では、コスト，量
産性の観点から、プラスチックパッケージを用いた樹脂
封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来
からエポキシ樹脂が使用されており良好な成績を収めて
いる。しかしながら、半導体分野の技術革新によって集
積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線の微細化
が進み、パッケージも小形化，薄形化する傾向にあり、
これに伴って封止材料に対してより以上の信頼性（得ら
れる半導体装置の熱応力の提言，耐湿信頼性，耐熱衝撃
試験に対する信頼性等）の向上が要望されている。特に
近年、半導体素子サイズはますます大形化する傾向にあ
り、半導体封止樹脂の性能を評価する加速試験である熱
サイクル試験（ＴＣＴテスト）に対するより以上の性能
の向上が要求されている。また、半導体パッケージの実
装方法として表面実装が主流となってきており、このた
めに半導体パッケージを吸湿させたうえで半田溶融液に
浸漬してもパッケージにクラックや膨れが発生しないと
いう特性が要求されている。これに関して従来よりＴＣ
Ｔテストで評価される各特性の向上のためにシリコーン
化合物でエポキシ樹脂を変性して熱応力を低減させるこ
とが検討されており、また半田浸漬時の耐クラック性の
向上のためにリードフレームとの密着性の向上等が検討
されてきたが、その効果は未だ充分ではない。

【０００３】上記のように、これまでの封止用エポキシ
樹脂組成物は、ＴＣＴテストの結果や半田浸漬時の耐ク
ラック性の特性が充分ではなかった。このために、上記
の技術革新による半導体素子サイズの大形化や表面実装
化に対応できるように、上記の両特性の向上が強く望ま
れている。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上および
半田溶融液に浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置
を得ることのできる封止剤用化合物およびそれを用いた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置の
提供をその目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の一般式（１）で表される繰り返し
単位を有する封止剤用化合物を第１の要旨とし、

【化３】 〔上記式（１）において、Ｘはアントラセンから誘導さ
れる二価の有機基であって、水酸基を１〜３個有するも
のである。〕 下記の一般式（２）で表される繰り返し単位を有する封
止剤用化合物を第２の要旨とする。

【化４】 〔上記式（２）において、Ｙは１〜３個のＯＨ基を有す
るアントラセンにおいて、ＯＨ基の少なくとも一部をグ
リシジルエーテル化したものから誘導される二価の有機
基である。〕

【０００６】また、エポキシ樹脂と、上記第１の要旨の
封止剤用化合物からなる硬化剤と、硬化促進剤とを含有
する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第３の要旨と
し、上記第２の要旨の封止剤用化合物からなるエポキシ
樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤とを含有する半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を第４の要旨とし、上記第２の要
旨の封止剤用化合物からなるエポキシ樹脂と、第１の要
旨の封止剤用化合物からなる硬化剤と、硬化促進剤とを
含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第５の要旨
とする。さらに、上記第３の要旨である半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置を第６の要旨とし、第４の要旨である半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して
なる半導体装置を第７の要旨とし、第５の要旨である半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封
止してなる半導体装置を第８の要旨とする。

【０００７】

【作用】本発明者らは、ＴＣＴテストで評価される各特
性の向上および半田溶融液に浸漬した際の耐クラック性
の向上を実現すために一連の研究を重ねた。その結果、
封止剤用化合物として特殊な骨格を有する化合物、すな
わち前記のように繰り返し単位中にアントラセン骨格を
有する化合物を用いると、封止樹脂中の主骨格にアント
ラセン骨格が形成され、ＴＣＴテストおよび吸湿後の半
田溶融液に浸漬した際の耐クラック性の双方に優れるよ
うになることを見出し本発明に到達した。

【０００８】つぎに、本発明を詳しく説明する。

【０００９】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
としては、主成分を構成するエポキシ樹脂成分と、硬化
剤成分との組み合わせにより、つぎの３種類の態様があ
る。そして、上記３種類の態様に、それぞれ無機質充填
剤が加えられる。

【００１０】第１の態様は、通常のエポキシ樹脂と、新
規の封止剤用化合物からなる硬化剤との組み合わせであ
り、第２の態様は、新規の封止剤用化合物からなるエポ
キシ樹脂と通常の硬化剤との組み合わせであり、第３の
態様は上記新規の封止剤用化合物からなるエポキシ樹脂
と新規の封止剤用化合物からなる硬化剤との組み合わせ
である。このような組み合わせからなる半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物は、通常、粉末状あるいはこれを打錠
したタブレット状になっている。

【００１１】まず、第１の態様について説明する。

【００１２】上記第１の態様において用いられる通常の
エポキシ樹脂は、２個以上のエポキシ基を有するもので
あれば特に分子量，分子構造等に制限するものではなく
従来の公知のものが用いられる。例えば、ビスフェノー
ルＡ型，フェノールノボラック型，クレゾールノボラッ
ク型等が用いられる。これら樹脂のなかでも融点が室温
を超えており、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液
状を呈するものが好結果をもたらす。上記ノボラック型
エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量１６０〜２
５０、軟化点５０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量
１８０〜２１０、軟化点６０〜１１０℃のものが一般に
用いられる。

【００１３】上記新規の封止剤用化合物からなる硬化剤
は、下記の一般式（１）で表される繰り返し単位を有す
るものである。

【００１４】

【化５】 〔上記式（１）において、Ｘはアントラセンから誘導さ
れる二価の有機基であって、水酸基を１〜３個有するも
のである。〕

【００１５】上記式（１）で表される繰り返し単位を有
する封止剤用化合物は、水酸基を１〜３個有するアント
ラセンと、アラルキルエーテル（ｐ−キシレンあるいは
ｏ−キシレン）を用い、フリーデルクラフツ反応により
縮合させることにより得られる。上記アントラセンとし
ては、ヒドロキシアントラセン，ジヒドロキシアントラ
セン，トリヒドロキシアントラセンがあげられる。具体
的には、１−ヒドロキシアントラセン、２−ヒドロキシ
アントラセン、９−ヒドロキシアントラセン、１，２−
ジヒドロキシアントラセン、１，４−ジヒドロキシアン
トラセン、９，１０−ジヒドロキシアントラセン、１，
２，１０−トリヒドロキシアントラセン、１，８，９−
トリヒドロキシアントラセン、１，２，７−トリヒドロ
キシアントラセンを用いるのが好適である。なかでも、
水酸基当量が７０〜１３０で、軟化点が７０〜１４０℃
のものが好ましい。また、上記アラルキルエーテルとし
ては、α，α′−ジメトキシパラエチレンを用いるのが
好ましい。さらに、上記式（１）において、繰り返し数
ｎは２〜５００の範囲が好ましく、特に好ましくは２〜
１０である。そして、上記式（１）で表される繰り返し
単位を有する封止剤用化合物は、硬化剤成分として用い
る場合、水酸基当量１０６〜２００、軟化温度６０〜１
８０℃のものが好ましい。

【００１６】上記通常のエポキシ樹脂と新規の封止剤用
化合物からなる硬化剤との配合比は、上記エポキシ樹脂
中のエポキシ基１当量当たり硬化剤中の水酸基が０．８
〜１．２当量となるように配合することが好ましい。

【００１７】上記通常のエポキシ樹脂および新規の硬化
剤とともに用いられる無機質充填剤としては、特に限定
するものではなく、一般に用いられてい石英ガラス粉
末，タルク，シリカ粉末およびアルミナ粉末等があげら
れる。特にシリカ粉末を用いるのが好適である。このよ
うな無機質充填剤の含有量は、シリカ粉末の場合、エポ
キシ樹脂組成物全体中の５０重量％（以下「％」と略
す）以上に設定することが好ましい。より好ましくは７
０％以上であり、特に好ましくは７５％以上である。す
なわち、無機質充填剤の含有量が５０％を下回ると充填
剤を含有した効果が大幅に低下する傾向がみられるから
である。

【００１８】つぎに、前記第２の態様について説明す
る。

【００１９】前記第２の態様に用いられる新規の封止剤
用化合物からなるエポキシ樹脂は、下記の一般式（２）
で表される繰り返し単位を有するものである。

【００２０】

【化６】 〔上記式（２）において、Ｙは１〜３個のＯＨ基を有す
るアントラセンにおいて、ＯＨ基の少なくとも一部をグ
リシジルエーテル化したものから誘導される二価の有機
基である。〕

【００２１】上記式（２）で表される繰り返し単位を有
する封止剤用化合物は、つぎのようにして作製される。
すなわち、まず、水酸基を１〜３個有するアントラセン
と、アラルキルエーテル（ｐ−キシレンあるいはｏ−キ
シレン）を用い、フリーデルクラフツ反応により縮合さ
せる。このようにして前記一般式（１）で表される繰り
返し単位を有する封止剤用化合物を作製する。この化合
物の水酸基当量は、前記一般式（１）の場合と同様に、
水酸基当量が１０６〜２００で、軟化温度が６０〜１８
０℃が好ましい。ついで、このようにして得られる化合
物をエピクロルヒドリンと反応させてグリシジルエーテ
ル化することにより新規の封止剤用化合物が得られる。
上記アントラセンとしては、ヒドロキシアントラセン，
ジヒドロキシアントラセン，トリヒドロキシアントラセ
ンがあげられる。具体的には、１−ヒドロキシアントラ
セン、２−ヒドロキシアントラセン、９−ヒドロキシア
ントラセン、１，２−ジヒドロキシアントラセン、１，
４−ジヒドロキシアントラセン、９，１０−ジヒドロキ
シアントラセン、１，２，１０−トリヒドロキシアント
ラセン、１，８，９−トリヒドロキシアントラセン、
１，２，７−トリヒドロキシアントラセンを用いるのが
好適である。なかでも、水酸基当量が７０〜１３０で、
軟化点が７０〜１４０℃のものが好ましい。また、上記
アラルキルエーテルとしては、α，α′−ジメトキシパ
ラエチレンを用いるのが好ましい。さらに、上記式
（２）において、繰り返し数ｎは２〜５００の範囲が好
ましく、特に好ましくは２〜１０である。さらに、上記
式（２）で表される繰り返し単位を有する封止剤用化合
物は、エポキシ樹脂成分として用いる場合、エポキシ基
当量１１２〜３３８、軟化温度６０〜１５０℃のものが
好ましい。

【００２２】上記新規の封止剤用化合物からなるエポキ
シ樹脂とともに用いられる硬化剤としては、例えば通常
のノボラック型フェノール樹脂があげられ、具体的には
フェノールノボラック，クレゾールノボラック樹脂等が
好適に用いられる。これらノボラック樹脂は、軟化点が
５０〜１１０℃、水酸基当量が７０〜１５０のものを用
いることが好ましい。特に上記ノボラック樹脂のなかで
もフェノールノボラック樹脂を用いることが好結果をも
たらす。

【００２３】上記新規の封止剤用化合物からなるエポキ
シ樹脂と通常の硬化剤との配合比は、前記第１の態様と
同様、上記新規のエポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当
たり通常の硬化剤中の水酸基が０．８〜１．２当量とな
るように配合することが好ましい。

【００２４】また、上記新規の封止剤用化合物からなる
エポキシ樹脂および通常の硬化剤とともに用いられる無
機質充填剤は、前記第１の態様と同様のものがあげら
れ、含有量も同様の割合に設定することが好適である。

【００２５】つぎに、前記第３の態様について説明す
る。

【００２６】前記第３の態様は、新規の封止剤用化合物
からなるエポキシ樹脂と新規の封止剤用化合物からなる
硬化剤との組み合わせであり、上記新規の封止剤用化合
物からなるエポキシ樹脂，新規の封止剤用化合物からな
る硬化剤および無機質充填剤とも、前記第１の態様およ
び第２の態様において用いられるものと同様のものがあ
げられる。

【００２７】なお、前記第１〜第３の態様において、エ
ポキシ樹脂成分として上記特殊なエポキシ樹脂を用いる
場合、従来用いられる通常のエポキシ樹脂をエポキシ樹
脂成分全体の５０％以内の割合で併用してもよい。ま
た、硬化剤成分として上記特殊な硬化剤を用いる場合、
上記エポキシ樹脂成分と同様従来用いられる通常の硬化
剤を硬化剤成分全体の５０％以内の割合で併用してもよ
い。すなわち、通常のエポキシ樹脂および通常の硬化剤
が各成分全体の５０％を超えると目的とするＴＣＴテス
トで評価される各特性の向上効果が得られ難くなるから
である。

【００２８】さらに、前記第１〜第３の態様において用
いられるエポキシ樹脂成分，硬化剤成分および無機質充
填剤に加えて、シリコーン化合物を併用することも効果
的である。上記シリコーン化合物としては、下記の一般
式（３）および（４）で表されるものがあげられ、単独
でもしくは併せて用いられる。

【００２９】

【化７】

【００３０】このようなシリコーン化合物の配合量は、
シリコーン化合物が半導体封止用エポキシ樹脂組成物全
体の５％以下になるように設定するのが好ましい。特に
好ましくは０．５〜３．０％の範囲内である。すなわ
ち、シリコーン化合物の配合量が５％を超えると耐熱性
等の特性が低下する傾向がみられるからである。

【００３１】なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、前記第１〜第３の態様で用いられるエポキ
シ樹脂成分，硬化剤成分，無機質充填剤およびシリコー
ン化合物以外に、必要に応じて硬化促進剤、三酸化アン
チモン，リン系化合物等の難燃剤や顔料、シランカップ
リング剤等のカップリング剤等を用いることができる。

【００３２】上記硬化促進剤としては、特に限定するも
のではなく従来公知のもの、例えばトリフェニルホスフ
ィン等のトリアリルホスフィン化合物、三級アミン、四
級アンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化合物
等があげられる。これらは単独でもしくは併せて用いら
れる。

【００３３】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、第１〜第３の態様で用いられるエポキシ樹脂成
分，硬化剤成分および無機質充填剤、さらにこれらに加
えてシリコーン化合物、そして必要に応じて硬化促進
剤，難燃剤，顔料およびカップリング剤を所定の割合で
配合する。ついで、これらの混合物をミキシングロール
機等の混練機にかけ、加熱状態で溶融混練してこれを室
温に冷却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応
じて打錠するという一連の工程によって目的とする半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができる。

【００３４】このような半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を用いての半導体素子の封止等は特に限定するもので
はなく、通常のトランスファー成形，注型方法等の公知
のモールド方法によって行うことができる。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、本発明は、特殊な骨格を
有する化合物、すなわちアントラセン骨格を有する封止
剤用化合物をエポキシ樹脂成分および硬化剤の少なくと
も一方として用いて得られる半導体封止用エポキシ樹脂
組成物によって半導体素子を樹脂封止する。このため、
封止樹脂中にアントラセン骨格が形成され、ＴＣＴテス
トで評価される特性が向上して長寿命になる。また、吸
湿後、半田溶融液に浸漬した場合においてもパッケージ
クラックが発生しにくい。さらに、上記特殊な半導体封
止用エポキシ樹脂組成物による封止により、８ピン以
上、特に１６ピン以上の、もしくは半導体素子の長辺が
４ｍｍ以上の大形の半導体装置において、上記のような
高信頼性が得られるようになるのであり、これが大きな
特徴である。

【００３６】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００３７】半導体封止用エポキシ樹脂組成物の作製に
先立って、下記のシリコーン化合物ａ〜ｄ、エポキシ樹
脂Ａ〜Ｇおよび硬化剤Ａ〜Ｇを準備した。

【００３８】〔シリコーン化合物ａ〕

【化８】 エポキシ当量：１８００

【００３９】〔シリコーン化合物ｂ〕

【化９】 エポキシ当量：３０００

【００４０】〔シリコーン化合物ｃ〕

【化１０】 エポキシ当量：７０００

【００４１】〔シリコーン化合物ｄ〕

【化１１】 アミン当量：３８００

【００４２】なお、上記シリコーン化合物ａ〜ｄにおい
て、ｎの値は、シリコーン化合物ａでは４０、シリコー
ン化合物ｂでは６０、シリコーン化合物ｃでは２９であ
る。Ｘの値は、シリコーン化合物ｃでは１５２、シリコ
ーン化合物ｄでは１４８である。Ｙの値は、シリコーン
化合物ｃおよびシリコーン化合物ｄとも３である。Ｚの
値は、シリコーン化合物ｃでは５である。

【００４３】〔エポキシ樹脂Ａ〕下記の構造式で表され
る１，４−ジヒドロキシアントラセンとｐ−キシレンと
を反応させた。

【化１２】 ついで、これにエピクロルヒドリンを反応させてグリシ
ジルエーテル化した。 エポキシ当量：２１２、軟化温度：１１０℃

【００４４】〔エポキシ樹脂Ｂ〕下記の構造式で表され
る９，１０−ジヒドロキシアントラセンとｐ−キシレン
とを反応させた。

【化１３】 ついで、これにエピクロルヒドリンを反応させてグリシ
ジルエーテル化した。 エポキシ当量：１１２、軟化温度：１０８℃

【００４５】〔エポキシ樹脂Ｃ〕下記の構造式で表され
る１，２，１０−トリヒドロキシアントラセンとｐ−キ
シレンとを反応させた。

【化１４】 ついで、これにエピクロルヒドリンを反応させてグリシ
ジルエーテル化した。 エポキシ当量：１６２、軟化温度：９０℃

【００４６】〔エポキシ樹脂Ｄ〕下記の構造式で表され
る１−モノヒドロキシアントラセンとｐ−キシレンとを
反応させた。

【化１５】 ついで、これにエピクロルヒドリンを反応させてグリシ
ジルエーテル化した。 エポキシ当量：３３８、軟化温度：８２℃

【００４７】〔エポキシ樹脂Ｅ〕１，４−ジヒドロキシ
アントラセンと１，２，１０−トリヒドロキシアントラ
センの混合物〔混合比（重量比）＝１／１〕とｐ−キシ
レンとを反応させた。これにエピクロルヒドリンとを反
応させてグリシジルエーテル化した。 エポキシ当量：１８２、軟化温度：９８℃

【００４８】〔エポキシ樹脂Ｆ〕９，１０−ジヒドロキ
シアントラセンと１，８，１０−トリヒドロキシアント
ラセンの混合物〔混合比（重量比）＝１／１〕とｐ−キ
シレンとを反応させた。これとエピクロルヒドリンとを
反応させてグリシジルエーテル化した。 エポキシ当量：１８２、軟化温度：９６℃

【００４９】〔エポキシ樹脂Ｇ〕 ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂 エポキシ当量：１９５、軟化温度８０℃

【００５０】〔硬化剤Ａ〕下記の構造式で表される１，
４−ジヒドロキシアントラセンとｐ−キシレンとを反応
させた。

【化１６】 水酸基当量：１５６、軟化温度：１３０℃

【００５１】〔硬化剤Ｂ〕下記の構造式で表される９，
１０−ジヒドロキシアントラセンとｐ−キシレンとを反
応させた。

【化１７】 水酸基当量：１５６、軟化温度：１２９℃

【００５２】〔硬化剤Ｃ〕下記の構造式で表される１，
２，１０−トリヒドロキシアントラセンとｐ−キシレン
とを反応させた。

【化１８】 水酸基当量：１０６、軟化温度：１１０℃

【００５３】〔硬化剤Ｄ〕下記の構造式で表される１−
モノヒドロキシアントラセンとｐ−キシレンとを反応さ
せた。

【化１９】 水酸基当量：２８２、軟化温度：１０１℃

【００５４】〔硬化剤Ｅ〕１，４−ジヒドロキシアント
ラセンと１，２，１０−トリヒドロキシアントラセンの
混合物〔混合比（重量比）＝１／１〕とｐ−キシレンと
を反応させた。（水酸基当量：１２６、軟化温度：１１
６℃）

【００５５】〔硬化剤Ｆ〕９，１０−ジヒドロキシアン
トラセンと１，８，１０−トリヒドロキシアントラセン
の混合物〔混合比（重量比）＝１／１〕とｐ−キシレン
とを反応させた。 （水酸基当量：１２６、軟化温度：１１８℃）

【００５６】〔硬化剤Ｇ〕 フェノールノボラック樹脂。 水酸基当量：１０５、軟化温度：８０℃

【００５７】

【実施例１〜３４、比較例１〜３】上記シリコーン化合
物ａ〜ｄ，エポキシ樹脂Ａ〜Ｇおよび硬化剤Ａ〜Ｇと、
下記の表１〜表６に示す各成分を同表に示す割合で配合
し、ミキシングロール機（温度１００℃）で３分間溶融
混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする粉末状の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。

【００５８】

【表１】

【００５９】

【表２】

【００６０】

【表３】

【００６１】

【表４】

【００６２】

【表５】

【００６３】

【表６】

【００６４】以上の実施例および比較例によって得られ
たエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
ァー成形（条件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間後
硬化）することにより半導体装置を得た。このパッケー
ジは８０ピンＱＦＰ（クウオッドフラットパッケージ、
サイズ：２０×１４×２ｍｍ）であり、ダイパッドサイ
ズは８×８ｍｍである。

【００６５】このようにして得られた半導体装置につい
て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分の熱サイクルテス
ト（ＴＣＴテスト）を行った。また、８５℃／８５％相
対湿度の恒温槽中に放置して吸湿させた後に、２６０℃
の半田溶融液に１０秒間浸漬する試験を行った。この結
果を下記の表７〜表１０に示した。

【００６６】

【表７】

【００６７】

【表８】

【００６８】

【表９】

【００６９】

【表１０】

【００７０】上記表７〜表１０の結果から、実施例品の
ＴＣＴテストおよび半田溶融液への浸漬時の耐クラック
性が比較例である従来品に比べて著しく優れていること
がわかる。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の一般式（１）で表される繰り返し
   単位を有することを特徴とする封止剤用化合物。 【化１】 〔上記式（１）において、Ｘはアントラセンから誘導さ
   れる二価の有機基であって、水酸基を１〜３個有するも
   のである。〕
2. 【請求項２】 下記の一般式（２）で表される繰り返し
   単位を有することを特徴とする封止剤用化合物。 【化２】 〔上記式（２）において、Ｙは１〜３個のＯＨ基を有す
   るアントラセンにおいて、ＯＨ基の少なくとも一部をグ
   リシジルエーテル化したものから誘導される二価の有機
   基である。〕
3. 【請求項３】 エポキシ樹脂と、請求項１記載の封止剤
   用化合物からなる硬化剤と、硬化促進剤とを含有するこ
   とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】 請求項２記載の封止剤用化合物からなる
   エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤とを含有するこ
   とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】 請求項２記載の封止剤用化合物からなる
   エポキシ樹脂と、請求項１記載の封止剤用化合物からな
   る硬化剤と、硬化促進剤とを含有することを特徴とする
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】 請求項３記載の半導体封止用エポキシ樹
   脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装
   置。
7. 【請求項７】 請求項４記載の半導体封止用エポキシ樹
   脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装
   置。
8. 【請求項８】 請求項５記載の半導体封止用エポキシ樹
   脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装
   置。